JP3335905B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて半導体素子を製造する半導体製造システム内
に組み込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus such as a heating apparatus or a cooling apparatus incorporated in a semiconductor manufacturing system for manufacturing a semiconductor device by using, for example, photoengraving technology.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、写真製版技術を用いた半導体
製造システムでは、一つのシステム内にレジスト塗布ユ
ニットや、乾燥ユニット、加熱ユニットなどの各種処理
ユニットを組み込み、これら各種処理ユニット間を順次
移動させながら一連の処理を施すようになっている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing system using photoengraving technology, various processing units such as a resist coating unit, a drying unit, and a heating unit are incorporated in one system, and the various processing units are sequentially moved. A series of processing is performed while performing this.

【０００３】図１４は典型的な熱処理ユニット２００の
垂直断面図である。FIG. 14 is a vertical sectional view of a typical heat treatment unit 200.

【０００４】この熱処理ユニット２００では、半導体ウ
エハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗは熱処理盤２０
１の上面上に載置され、このウエハＷは熱処理盤２０１
から放出される熱により熱処理される。この熱処理盤２
０１には図示しないヒータが組み込まれており、このヒ
ータから供給される熱により熱処理盤２０１が加熱され
る。そしてウエハＷは熱処理時の熱処理温度の変動によ
る影響を受けやすいため、熱処理盤２０１の温度管理は
正確に行わなければならない。そのため、熱処理盤２０
１には温度を検出するためのセンサ（図示省略）が取り
付けられており、このセンサを介して制御装置が前記ヒ
ータのオン・オフを切り換えることにより熱処理盤２０
１の温度を制御するようになっている。In this heat treatment unit 200, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W is placed on heat treatment board 20.
1, the wafer W is placed on the heat treatment board 201
Heat treatment by the heat released from the This heat treatment board 2
In FIG. 1, a heater (not shown) is incorporated, and the heat treatment board 201 is heated by heat supplied from the heater. Since the wafer W is easily affected by fluctuations in the heat treatment temperature during the heat treatment, the temperature of the heat treatment board 201 must be accurately controlled. Therefore, the heat treatment board 20
1 is provided with a sensor (not shown) for detecting a temperature, and a control device switches on / off of the heater via this sensor to thereby control the heat treatment board 20.
1 is controlled.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハＷの
熱処理では熱処理温度が重要となるため、ウエハＷの実
際の温度を観測しながら温度制御するのが理想的であ
る。しかし実際にはウエハＷの温度を直接観測するのは
非常に困難である。例えば、赤外線観測装置でウエハＷ
の表面温度を観測したり、温度センサで直接測定する方
法が試みられたが、いずれの方法にも問題があり実用化
には至っていない。そのため、上記熱処理ユニット２０
０ではウエハＷの温度を測定する代わりに熱処理盤２０
１の温度を温度センサで観測することによりウエハＷの
温度を監視している。Since the heat treatment temperature is important in the heat treatment of the wafer W, it is ideal to control the temperature while observing the actual temperature of the wafer W. However, it is actually very difficult to directly observe the temperature of the wafer W. For example, the wafer W
The methods of observing the surface temperature of the sample and measuring the temperature directly with a temperature sensor have been attempted, but none of the methods have problems and have not been put to practical use. Therefore, the heat treatment unit 20
In the case of 0, instead of measuring the temperature of the wafer W,
The temperature of the wafer W is monitored by observing the temperature of the wafer W with a temperature sensor.

【０００６】しかし、この方法ではウエハＷの正確な温
度を測定するには精度的に不十分である。特に、ウエハ
Ｗに反りがある場合には熱処理盤２００の温度とウエハ
Ｗの温度との差が大きくなってしまうという問題があ
る。However, this method is insufficient in accuracy for accurately measuring the temperature of the wafer W. In particular, when the wafer W is warped, there is a problem that the difference between the temperature of the heat treatment board 200 and the temperature of the wafer W increases.

【０００７】また、上記従来の方法ではウエハＷに反り
がある場合にも反りがないウエハＷと同じ条件で熱処理
がなされてしまうため、反りがあるウエハＷに熱処理が
施されるた場合に不良品のできる確率が高く、歩留まり
が向上せず、ひいては製造コストを押し上げるという問
題がある。Further, in the above-described conventional method, even when the wafer W has a warp, the heat treatment is performed under the same conditions as the wafer W having no warp. There is a problem that the probability of producing a good product is high, the yield is not improved, and the production cost is increased.

【０００８】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものである。The present invention has been made to solve such a problem.

【０００９】即ち、本発明は、熱処理時のウエハＷに作
用する温度を正確に制御できる熱処理装置を提供するこ
とを目的とする。That is, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of accurately controlling a temperature acting on a wafer W during a heat treatment.

【００１０】また、本発明は、反りの大きなウエハＷに
ついても適切な熱処理を施すことにより歩留まりを向上
させることのできる熱処理を提供することを目的とす
る。Another object of the present invention is to provide a heat treatment capable of improving the yield by performing an appropriate heat treatment even on a wafer W having a large warpage.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１の本発明の熱処理装置は、被処理基板が載
置される熱処理盤と、前記熱処理盤上面の複数位置の温
度を検出する手段と、前記被処理基板の上部空間の所定
位置の温度を検出する手段と、前記検出した前記熱処理
盤上面の温度と前記被処理基板の上部空間の温度に基づ
いて、前記被処理基板の温度を推定する手段と、前記推
定した被処理基板の温度に基づいて、前記熱処理盤の温
度制御のための目標温度を決定する手段と、前記熱処理
盤の温度を検出するセンサの検出温度が前記決定した目
標温度となるように制御する手段と、を具備することを
特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for detecting a temperature of a heat treatment board on which a substrate to be processed is mounted and a plurality of positions on an upper surface of the heat treatment board. Means for detecting the temperature of a predetermined position in the upper space of the substrate to be processed; and detecting the temperature of the upper surface of the heat treatment board and the temperature of the upper space of the substrate to be processed based on the detected temperature .
There are, a means for estimating the temperature of the substrate to be processed, the estimated
Boss was based on the temperature of the substrate, temperature of the heat processing table
Means for determining a target temperature for temperature control, and the heat treatment
The temperature detected by the sensor that detects the temperature of the panel is
Means for controlling the temperature to the target temperature .

【００１２】請求項２記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤上面の
複数位置に配設された複数の下部温度センサと、前記熱
処理盤の上部を覆う上部カバーと、前記上部カバーの下
面側に配設された複数の上部温度センサと、前記下部温
度センサで検出した温度と前記上部温度センサで検出し
た温度に基づいて、前記被処理基板の温度を推定する手
段と、前記推定した被処理基板の温度に基づいて、前記
熱処理盤の温度制御のための目標温度を決定する手段
と、前記熱処理盤の温度を検出するセンサの検出温度が
前記決定した目標温度となるように制御する手段と、を
具備することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus comprising: a heat treatment board on which a substrate to be processed is placed; a plurality of lower temperature sensors disposed at a plurality of positions on an upper surface of the heat treatment board; An upper cover covering an upper portion, a plurality of upper temperature sensors disposed on a lower surface side of the upper cover, and the substrate to be processed based on a temperature detected by the lower temperature sensor and a temperature detected by the upper temperature sensor. Hand to estimate the temperature of
And stage, based on the temperature of the substrate which the estimated, the
Means for determining a target temperature for temperature control of the heat treatment board; and a detection temperature of a sensor for detecting the temperature of the heat treatment board.
Means for controlling the temperature to be the determined target temperature .

【００１３】請求項３記載の本発明の熱処理装置は、請
求項２記載の熱処理装置であって、前記上部温度センサ
及び下部温度センサが前記熱処理盤上に同心円状に配設
されていることを特徴とする。[0013] The heat treatment apparatus of the present invention according to claim 3, 請
3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the upper temperature sensor is provided.
And lower temperature sensor are arranged concentrically on the heat treatment board
It is characterized by having been done .

【００１４】請求項４記載の本発明の熱処理装置は、請
求項２記載の熱処理装置であって、前記上部温度センサ
及び下部温度センサがマトリックス状に配設されている
ことを特徴とする。[0014] The heat treatment apparatus of the present invention described in claim 4, 請
3. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the upper temperature sensor is provided.
And lower temperature sensors are arranged in a matrix
It is characterized by the following .

【００１５】請求項５記載の本発明の熱処理装置は、前
記上部温度センサと、前記下部温度センサとは、それぞ
れ上下に対応した位置に配置されていることを特徴とす
る。The heat treatment apparatus of the present invention described in claim 5, before
The upper temperature sensor and the lower temperature sensor are respectively
Are arranged at positions corresponding to the top and bottom.
You .

【００１６】請求項６記載の本発明の熱処理装置は、請
求項１〜５のいずれかに記載の熱処理装置であって、前
記目標温度が、反りのない被処理基板を熱処理温度に維
持できる温度、及び、反りのある被処理基板について平
坦な部分を熱処理温度に維持できる温度の中から決定さ
れる温度であることを特徴とする。The heat treatment apparatus of the present invention described in claim 6, 請
The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
The target temperature is to keep the warped substrate at the heat treatment temperature.
The temperature that can be held and the warped substrate
Determined from the temperatures that can maintain the flat part at the heat treatment temperature
Temperature .

【００１７】請求項７記載の本発明の熱処理装置は、前
記熱処理盤は、内部が密封され熱媒が封入された空洞を
有し、前記熱媒を加熱し、熱媒蒸気を発生させつつ、前
記空洞内部に循環させることで所定の温度を維持するよ
う構成されていることを特徴とする。The heat treatment apparatus of the present invention according to claim 7, before
The heat treatment board has a cavity in which the inside is sealed and a heat medium is sealed.
Heating the heating medium to generate a heating medium vapor,
It keeps a certain temperature by circulating inside the cavity.
It is characterized by having such a configuration .

【００１８】請求項８記載の本発明の熱処理装置は、前
記空洞の内部に、前記熱媒を貯留する貯留部が設けら
れ、この貯留部内に貯溜された前記熱媒を加熱して熱媒
蒸気を発生させるよう構成されたことを特徴とする。The heat treatment apparatus of the present invention according to claim 8, before
A storage part for storing the heat medium is provided inside the cavity.
The heating medium stored in the storage section is heated to heat the heating medium.
It is characterized by being configured to generate steam .

【００１９】請求項９記載の本発明の基板熱処理方法
は、被処理基板を載置して所定の熱処理を行う熱処理盤
と、この熱処理盤の上方に配置されるカバーと、を有す
る熱処理装置の基板熱処理方法であって、前記熱処理盤
上面の複数位置に配設された複数の下部温度センサに
て、前記熱処理盤の温度を検出する下部温度検出工程
と、前記カバーの下面側に配設された複数の上部温度セ
ンサにて、前記熱処理装置内の温度を検出する上部温度
検出工程と、前記下部温度検出工程及び上部温度検出工
程で得られた温度に基づいて、前記被処理基板の温度を
推定する温度推定工程と、前記温度推定工程で推定され
た前記被処理基板の温度に基づいて、前記熱処理盤の温
度制御のための目標温度を決定する目標温度決定工程
と、前記熱処理盤を温度制御する制御工程と、を備え、
前記制御工程では、前記熱処理盤の温度を検出するセン
サの検出温度が前記目標温度決定工程で決定した目標温
度となるように制御されることを特徴とする。請求項１
０記載の本発明の基板熱処理方法は、前記上部温度検出
工程が、前記被処理基板から放射される放射熱を検出す
ることを特徴とする。A method for heat treating a substrate according to the present invention.
Is a heat treatment board on which a substrate to be processed is placed and heat treatment is performed.
And a cover disposed above the heat treatment board.
A substrate heat treatment method for a heat treatment apparatus,
Multiple lower temperature sensors located at multiple locations on the top
A lower temperature detecting step of detecting a temperature of the heat treatment board.
And a plurality of upper temperature sensors disposed on the lower surface side of the cover.
Temperature at which the temperature inside the heat treatment apparatus is detected by the sensor
Detecting step, the lower temperature detecting step and the upper temperature detecting step.
The temperature of the substrate to be processed based on the temperature obtained in
Estimating the temperature and estimating in the temperature estimating step
The temperature of the heat treatment board based on the temperature of the substrate to be processed.
Temperature determination process for determining the target temperature for temperature control
And a control step of controlling the temperature of the heat treatment board,
In the control step, a sensor for detecting a temperature of the heat treatment board is provided.
The target temperature is determined by the target temperature determined in the target temperature determining step.
It is characterized in that it is controlled so as to be accurate . Claim 1
0. The method for heat treating a substrate according to claim 1,
Detecting radiation heat radiated from the substrate to be processed.
It is characterized by that .

【００２０】[0020]

【００２１】[0021]

【００２２】[0022]

【００２３】[0023]

【００２４】請求項１記載の熱処理装置では、前記熱処
理盤上面の複数位置の温度と前記熱処理盤上部空間の温
度とを検出し、これら検出した温度の温度差から水平方
向の温度分布を割り出して被処理基板の反りの有無や程
度を把握する。そしてこの反りに応じて熱処理盤の温度
制御する際の目標温度を決定し、この決定した目標温度
で温度制御するので、反りのある被処理基板についても
可能な限り多数の製品を製造することができる。そのた
め、歩留まりが向上し、製品の製造コストを低減するこ
とができる。[0024] In the heat treatment apparatus according to claim 1 detects the temperature of the temperature and the heat processing space above the plurality of positions of the heat processing table top, by indexing the temperature distribution in the horizontal direction from the temperature difference between these detected temperature The presence and degree of warpage of the substrate to be processed are grasped. Then, a target temperature for controlling the temperature of the heat treatment panel is determined according to the warpage, and the temperature is controlled at the determined target temperature. Therefore, it is possible to manufacture as many products as possible for a warped substrate. it can. Therefore, the yield is improved, and the manufacturing cost of the product can be reduced.

【００２５】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。In this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the upper space of the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【００２６】請求項２記載の熱処理装置では、前記下部
温度センサで前記熱処理盤上面の温度を検出し、前記上
部温度センサで前記上部カバー下面側の温度を検出し、
これら検出した温度の温度差から水平方向の温度分布を
割り出して被処理基板の反りの有無や程度を把握する。
そしてこの反りに応じて熱処理盤の温度制御する際の目
標温度を決定し、この決定した目標温度で温度制御する
ので、反りのある被処理基板についても可能な限り多数
の製品を製造することができる。そのため、歩留まりが
向上し、製品の製造コストを低減することができる。[0026] In the heat treatment apparatus according to claim 2, said at lower temperature sensor detects the temperature of the heat processing table top, and detects the temperature of the upper cover lower surface at the upper temperature sensor,
The temperature distribution in the horizontal direction is determined from the temperature difference between the detected temperatures, and the presence or absence and degree of warpage of the substrate to be processed are grasped.
Then, a target temperature for controlling the temperature of the heat treatment panel is determined according to the warpage, and the temperature is controlled at the determined target temperature. Therefore, it is possible to manufacture as many products as possible for a warped substrate. it can. Therefore, the yield is improved, and the manufacturing cost of the product can be reduced.

【００２７】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。Further, in this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the space above the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【００２８】[0028]

【００２９】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。In this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the space above the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【００３０】[0030]

【００３１】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面に配設した複数の下部温度センサと、前記上部カ
バー下面側に配設した複数の上部温度センサとで、被処
理基板上下各面の近傍の温度を検出する。そしてこれら
検出した温度に基づいて被処理基板の温度を推定し、こ
の推定した温度に基づいて前記熱処理盤の温度を上記決
定した目標温度に制御するので、より高精度の温度制御
ができる。Further, in this heat treatment apparatus, a plurality of lower temperature sensors disposed on the upper surface of the heat treatment board and a plurality of upper temperature sensors disposed on the lower surface side of the upper cover form a plurality of upper and lower surfaces of the substrate to be processed. Detect nearby temperature. Then, the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures, and the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, so that more accurate temperature control can be performed.

【００３２】請求項３記載の熱処理装置では、前記上部
温度センサ及び下部温度センサが前記熱処理盤上に同心
円状に配設されているので、より被処理基板の温度を正
確に把握すことができ、高精度の熱処理が可能となる。
請求項４記載の熱処理装置では、前記上部温度センサ及
び下部温度センサがマトリックス状に配設されているの
で、被処理基板の反りによる温度分布の不均衡を把握し
やすい。そのため、より被処理基板の温度を正確に把握
すことができ、高精度の熱処理が可能となる。請求項６
記載の熱処理装置では、請求項１〜５のいずれかに記載
の熱処理装置において、反りのない被処理基板を熱処理
温度に維持できる温度、及び、反りのある被処理基板に
ついて平坦な部分を熱処理温度に維持できる温度の中か
ら前記目標温度を決定する。即ち、被処理基板の反りの
有無に応じて熱処理盤の温度を調節し、それぞれの被処
理機盤に最も適切な温度で熱処理する。そのため、反り
のない被処理基板についてはもちろんのこと、反りのあ
る被処理基板についても可能な限り多数の製品を製造で
きるように熱処理するので、歩留まりが向上し、製品の
製造コストを低減することが可能となる。In the heat treatment apparatus according to the third aspect , since the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged concentrically on the heat treatment board, the temperature of the substrate to be processed can be grasped more accurately. , High-precision heat treatment is possible.
In the heat treatment apparatus according to the fourth aspect , since the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged in a matrix, it is easy to grasp the imbalance in the temperature distribution due to the warpage of the substrate to be processed. Therefore, the temperature of the substrate to be processed can be more accurately grasped, and a high-precision heat treatment can be performed. Claim 6
The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein a temperature at which a substrate without warping can be maintained at a heat treatment temperature, and a temperature at which a flat portion of the substrate to be warped is subjected to a heat treatment temperature. The target temperature is determined from the temperatures that can be maintained. That is, the temperature of the heat treatment board is adjusted according to the presence or absence of the warp of the substrate to be processed, and the heat treatment is performed at the most appropriate temperature on each of the machine boards. Therefore, heat treatment is performed so that as many products as possible can be manufactured as well as warped substrates as well as warped substrates, thereby improving yield and reducing product manufacturing costs. Becomes possible.

【００３３】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００３４】図１は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）を備えた半導体ウエハ（以下、
「ウエハ」という）の塗布現像処理システム１全体を示
した平面図である。FIG. 1 shows a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “COT”) provided with a resist coating unit (COT) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a plan view showing the entire coating and developing processing system 1 of “wafer”).

【００３５】この塗布現像処理システム１では、被処理
体としてのウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例
えば２５枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション１０と、塗布現
像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション１１と、この処理ステーション１１に隣接し
て設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを
受け渡しするためのインタフェース部１２とが一体的に
接続されている。このカセットステーション１０では、
カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、
複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向
（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配
列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜ＣＲ内に収納さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに
選択的にアクセスする。In the coating and developing processing system 1, a plurality of wafers W as objects to be processed are loaded into and unloaded from the system in units of, for example, 25 wafers, eg, 25 wafers. A cassette station 10 for loading and unloading, a processing station 11 in which various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a coating and developing process are arranged at predetermined positions in multiple stages, and An interface unit 12 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 is integrally connected. In this cassette station 10,
At the position of the positioning projection 20a on the cassette mounting table 20,
A plurality of, for example, up to four wafer cassettes CR are placed in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1) with their respective wafer entrances facing the processing station 11 side. The wafer carrier 21 that can move in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W stored in the wafer CR selectively accesses each wafer cassette CR.

【００３６】このウエハ搬送体２１はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション１１側の第３
の処理ユニット群Ｇ₃ の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）やイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）にもアクセスできる。The wafer transfer body 21 is rotatable in the θ direction, and the wafer transfer body 21
Access to the processing unit group G ₃ of the multi-stage unit section disposed in the alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT).

【００３７】処理ステーション１１には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の
組に亙って多段に配置されている。The processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 having a wafer transfer device, around which all the processing units are arranged in one or more sets in multiple stages. ing.

【００３８】図２は上記塗布現像処理システム１の正面
図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system 1.

【００３９】第１の処理ユニット群Ｇ₁ では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が
下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット
群Ｇ₂ では、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。In the first processing unit group G ₁ , the cup C
Two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV), which perform a predetermined process by placing the wafer W on the spin chuck in the P, are stacked in two stages from the bottom. In the second processing unit group G _2, two spinner-type processing units, for example, the resist coating unit (COT) and a developing unit (D
EV) are stacked in two stages in order from the bottom. These resist coating units (COT) are preferably arranged in the lower stage as described above because drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance. However, it is of course possible to appropriately arrange the upper stage as needed.

【００４０】図３は上記塗布現像処理システム１の背面
図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system 1.

【００４１】主ウエハ搬送機構２２では、筒状支持体４
９の内側に、ウエハ搬送装置４６が上下方向（Ｚ方向）
に昇降自在に装備されている。筒状支持体４９はモータ
（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置４６はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸
（図示せず）に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置４６には、搬送基台４７の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材４８が配設されており、これらの保
持部材４８は各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡し
を可能にしている。In the main wafer transfer mechanism 22, the cylindrical support 4
9, the wafer transfer device 46 is moved vertically (in the Z direction).
It can be moved up and down freely. The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor, whereby the wafer transfer is performed. The device 46 is rotatable in the θ direction. Note that the cylindrical support 49 may be configured to be connected to another rotating shaft (not shown) rotated by the motor. The wafer transfer device 46 is provided with a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and these holding members 48 enable the transfer of the wafer W between the processing units. ing.

【００４２】また、図１に示すようにこの塗布現像処理
システム１では、５つの処理ユニット群Ｇ₁ 、Ｇ₂ 、Ｇ
₃ 、Ｇ₄ 、Ｇ₅ が配置可能であり、第１および第２の処
理ユニット群Ｇ₁ 、Ｇ₂ の多段ユニットは、システム正
面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニ
ット群Ｇ₃ の多段ユニットはカセットステーション１０
に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ₄ の多段
ユニットはインタフェース部１２に隣接して配置され、
第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。Further, as shown in FIG. 1, in the coating and developing processing system 1, five processing unit groups G ₁ , G ₂ , G
₃ , G ₄ , G ₅ can be arranged, and the multi-stage units of the first and second processing unit groups G ₁ , G ₂ are arranged on the system front (front side in FIG. 1) side, and the third processing unit multistage unit group G ₃ are cassette station 10
, And the multi-stage unit of the _fourth processing unit group G ₄ is disposed adjacent to the interface unit 12,
Multistage unit of the fifth processing unit group G ₅ is capable of being disposed on the rear side.

【００４３】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ₃ では、ウエハＷを保持台（図示せず）に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメン
トユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット（Post Exposure
Bake 以下「ＰＥＢ」と記す）が、下から順に例えば８
段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ₄ でも、
オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット
（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット
（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プリベーキング
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユ
ニット（ＰＥＢ）が下から順に、例えば８段に重ねられ
ている。As shown in FIG. 3, in the third processing unit group G ₃ , an oven-type processing unit for performing a predetermined process by placing the wafer W on a holding table (not shown), for example, a cooling system for performing a cooling process Unit (COL), adhesion unit (AD) for performing so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of resist, alignment unit (ALIM) for positioning, extension unit (EXT), heat treatment before exposure processing Prebaking unit (PREBAKE) for performing the heating process and post baking unit (Post Exposure) for performing the heating process after the exposure process
Bake, hereinafter referred to as “PEB”).
It is piled up on the steps. Even the fourth processing unit group G _4,
Oven-type processing units such as a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL), and an extension unit (EX
T), a cooling unit (COL), a pre-baking unit (PREBAKE), and a post-baking unit (PEB) are stacked, for example, in eight stages from the bottom.

【００４４】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベー
キングユニット（ＰＥＢ）およびアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的
な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラン
ダムな多段配置としてもよい。As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) each having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the prebaking unit (PREBAKE), the postbaking unit (PEB), and the heating unit each having a high processing temperature. By arranging the John units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used.

【００４５】図１に示すように、インタフェース部１２
では、奥行方向（Ｘ方向）は前記処理ステーション１１
と同じ寸法を有するが、幅方向（Ｙ方向）はより小さな
サイズである。このインタフェース部１２の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲとが２段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置２３が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４
は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲお
よび周辺露光装置２３にアクセスする。As shown in FIG. 1, the interface unit 12
In the depth direction (X direction), the processing station 11
But has a smaller size in the width direction (Y direction). A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface unit 12, while a peripheral exposure device 23 is arranged at the rear, and a central exposure unit is further arranged at the center. Is provided with a wafer carrier 24. This wafer carrier 24
Moves in the X and Z directions to access both cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23.

【００４６】ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ₄ の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台（図示せず）にもアクセスできる。The wafer transfer body 24 is also rotatable in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) provided in the multi-stage unit of the fourth processing unit group G ₄ on the processing station 11 side and an adjacent exposure unit. The wafer delivery table (not shown) on the apparatus side can also be accessed.

【００４７】また塗布現像処理システム１では、既述の
如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも図１中破線で示
した第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニットを配置で
きるが、この第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニット
は、案内レール２５に沿ってＹ方向へ移動可能である。
従って、この第５の処理ユニット群Ｇ₅ の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。In the coating and developing system 1, the multi-stage unit of the _fifth processing unit group G5 shown by the broken line in FIG. 1 can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. The multi-stage unit of the _fifth processing unit group G ₅ is movable in the Y direction along the guide rail 25.
Therefore, even when provided as a multi-stage unit of the fifth processing unit group G ₅ shown, by moving along the guide rail 25, the space portion can be secured, to the main wafer transfer mechanism 22 Maintenance work can be easily performed from behind.

【００４８】次に、図４及び図５につき処理ステーショ
ン１１において第３および第４の組Ｇ₃ ，Ｇ₄ の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）、（ＰＥＢ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、
（ＥＸＴＣＯＬ）のような熱処理ユニットの構成および
作用を説明する。Next, referring to FIGS. 4 and 5, the baking unit (PREBA) included in the multistage units of the third and fourth sets G ₃ and G _{4 at} the processing station 11 will be described.
KE), (PEB), cooling unit (COL),
The configuration and operation of a heat treatment unit such as (EXTCOL) will be described.

【００４９】図４および図５は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および垂直断面図であ
る。なお、図５では、図解のために水平遮蔽板５５を省
略してある。FIGS. 4 and 5 are a plan view and a vertical sectional view showing the structure of the heat treatment unit according to this embodiment. In FIG. 5, the horizontal shielding plate 55 is omitted for illustration.

【００５０】この熱処理ユニットの処理室５０は両側壁
５３と水平遮蔽板５５とで形成され、処理室５０の正面
側（主ウエハ搬送機構２４側）および背面側はそれぞれ
開口部５０Ａ，５０Ｂとなっている。遮蔽板５５の中心
部には円形の開口５６が形成され、この開口５６内には
円盤状の熱処理盤５８が載置台として設けられる。The processing chamber 50 of this heat treatment unit is formed by both side walls 53 and a horizontal shielding plate 55, and the front side (main wafer transfer mechanism 24 side) and the rear side of the processing chamber 50 become openings 50A and 50B, respectively. ing. A circular opening 56 is formed at the center of the shielding plate 55, and a disk-shaped heat treatment plate 58 is provided in the opening 56 as a mounting table.

【００５１】熱処理盤５８には例えば３つの孔６０が設
けられ、各孔６０内には支持ピン６２が遊嵌状態で挿通
されており、半導体ウエハＷのローディング・アンロー
ディング時には各指示ピン６２が熱処理盤５８の表面よ
り上に突出または上昇して主ウエハ搬送機構２２の保持
部材４８との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっ
ている。The heat treatment board 58 is provided with, for example, three holes 60, and a support pin 62 is inserted in each hole 60 in a loosely fitted state, and each of the indication pins 62 is loaded and unloaded when the semiconductor wafer W is loaded. The wafer W is projected or raised above the surface of the heat treatment board 58 to transfer the wafer W to and from the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22.

【００５２】熱処理盤５８の外周囲には、円周方向にた
とえば２゜間隔で多数の通気孔６４を形成したリング状
の帯板からなるシャッタ６６が設けられている。このシ
ャッタ６６は、通常は熱処理盤５８より下の位置に退避
しているが、加熱処理時には図５に示すように熱処理盤
５８の上面よりも高い位置まで上昇して、熱処理盤５８
とカバー体６８との間にリング状の側壁を形成し、図示
しない気体供給系より送り込まれるダウンフローの空気
や窒素ガス等の不活性ガスを通気孔６４より周方向で均
等に流入させるようになっている。On the outer periphery of the heat treatment panel 58, there is provided a shutter 66 made of a ring-shaped strip having a large number of ventilation holes 64 formed at intervals of, for example, 2 ° in the circumferential direction. The shutter 66 is normally retracted to a position below the heat treatment plate 58, but rises to a position higher than the upper surface of the heat treatment plate 58 during the heat treatment as shown in FIG.
A ring-shaped side wall is formed between the gas supply system and the cover body 68 so that an inert gas such as a downflow air or a nitrogen gas sent from a gas supply system (not shown) is caused to uniformly flow in the circumferential direction from the ventilation hole 64. Has become.

【００５３】カバー体６８の中心部には加熱処理時にウ
エハＷ表面から発生するガスを排出するための排気口６
８ａが設けられ、この排気口６８ａに排気管７０が接続
されている。この排気管７０は、装置正面側（主ウエハ
搬送機構２２側）のダクト５３（もしくは５４）または
図示しないダクトに通じている。An exhaust port 6 for exhausting gas generated from the surface of the wafer W during the heating process is provided at the center of the cover 68.
8a is provided, and an exhaust pipe 70 is connected to the exhaust port 68a. The exhaust pipe 70 communicates with a duct 53 (or 54) on the front side of the apparatus (on the main wafer transfer mechanism 22 side) or a duct (not shown).

【００５４】遮蔽板５５の下には、遮蔽板５５、両側壁
５３および底板７２によって機械室７４が形成されてお
り、室内には熱処理盤支持板７６、シャッタアーム７
８、支持ピンアーム８０、シャッタアーム昇降駆動用シ
リンダ８２、支持ピンアーム昇降駆動用シリンダ８４が
設けられている。Under the shielding plate 55, a machine room 74 is formed by the shielding plate 55, the side walls 53 and the bottom plate 72, and a heat treatment board support plate 76, a shutter arm 7
8, a support pin arm 80, a shutter arm vertical drive cylinder 82, and a support pin arm vertical drive cylinder 84 are provided.

【００５５】図４に示すように、ウエハＷの外周縁部が
載るべき熱処理盤５８の表面位置に複数個たとえば４個
のウエハＷ案内支持突起部８６が設けられている。As shown in FIG. 4, a plurality of, for example, four wafer W guide support projections 86 are provided on the surface of the heat treatment board 58 on which the outer peripheral edge of the wafer W is to be placed.

【００５６】熱定盤５８内部には空洞が設けられてお
り、この空洞内で熱媒を加熱することにより発生する熱
媒蒸気をこの空洞内で循環させて熱定盤５８を所定温度
に維持するようになっている。A cavity is provided inside the heat platen 58, and the heat medium vapor generated by heating the heat medium in the cavity is circulated in the cavity to maintain the heat platen 58 at a predetermined temperature. It is supposed to.

【００５７】図６は本実施形態に係る熱定盤５８とその
周辺の構造を模式的に示した垂直断面図である。この図
６に示したように、カバー体６８の下面側には円錐形の
凹部６８ｂが形成されており、この円錐の頂点にあたる
部分には排気口６８ａが設けられ、この排気口６８ａに
排気管７０の下端が接続されている。排気管７０の他端
側は図示しない排気系に接続されており、熱定盤５８で
加熱されて上昇した加熱気体が円錐形の凹部６８ｂで集
められ、前記排気口６８ａと排気管７０とを介して排気
されるようになっている。FIG. 6 is a vertical sectional view schematically showing the structure of the heat platen 58 according to the present embodiment and its periphery. As shown in FIG. 6, a conical concave portion 68b is formed on the lower surface side of the cover body 68, and an exhaust port 68a is provided at a portion corresponding to the apex of the cone, and an exhaust pipe is provided in the exhaust port 68a. The lower end of 70 is connected. The other end of the exhaust pipe 70 is connected to an exhaust system (not shown), and the heated gas heated by the heat platen 58 and rising is collected in the conical recess 68b, and the exhaust port 68a and the exhaust pipe 70 are separated. It is supposed to be exhausted through.

【００５８】この図６に示すように、熱定盤５８の内部
は密閉された空洞５８ａになっており、その底部の一部
分には断面がＶ字状になるように形成された熱媒溜め５
８ｂが設けられている。この熱媒溜め５８ｂの中にはニ
クロム線などのヒータ９３が図６の紙面に垂直な方向に
配設されており、このヒータ９３には制御装置で制御さ
れた電力供給装置９５から電力が供給されるようになっ
ている。As shown in FIG. 6, the interior of the heat platen 58 is a closed cavity 58a, and a heat medium reservoir 5 having a V-shaped cross section is formed at a part of the bottom thereof.
8b are provided. A heater 93 such as a nichrome wire is disposed in the heat medium reservoir 58b in a direction perpendicular to the plane of FIG. 6, and power is supplied to the heater 93 from a power supply device 95 controlled by a control device. It is supposed to be.

【００５９】電力供給装置９５からヒータ９３へ電力が
供給されると、ヒータ９３が発熱を開始し、このヒータ
９３により凝縮されて熱媒溜め５８ｂ内に溜まった熱媒
が加熱される。加熱された熱媒は気化蒸発して空洞５８
ａ内を循環する。熱媒蒸気が空洞５８ａ内の冷えた部分
に当接すると、熱媒蒸気はこの冷えた部分に熱量を与え
ると同時に凝縮して液化する。このとき熱媒から熱定盤
５８に与えられる熱量は熱媒の気化熱であり、熱媒の種
類によって定まる値である。従って、熱媒が蒸発してか
ら凝縮するまでの一連のサイクルが安定して定常状態に
達すれば熱定盤の温度をほぼ一定温度に保つことができ
るようになっている。When power is supplied from the power supply device 95 to the heater 93, the heater 93 starts generating heat, and the heat medium condensed by the heater 93 and stored in the heat medium reservoir 58b is heated. The heated heat medium is vaporized and evaporated to form a cavity 58.
Circulate in a. When the heat medium vapor comes into contact with the cooled portion in the cavity 58a, the heat medium vapor condenses and liquefies while applying heat to the cooled portion. At this time, the amount of heat given from the heat medium to the heat platen 58 is the heat of vaporization of the heat medium and is a value determined by the type of the heat medium. Therefore, if a series of cycles from the evaporation of the heat medium to the condensation thereof stably reaches a steady state, the temperature of the heat platen can be maintained at a substantially constant temperature.

【００６０】図７はは本実施形態に係る熱定盤５８の構
造を模式的に示した平面図である。この図７と図６に示
すように、熱定盤５８の上表面には縦横升目状に複数
個、例えば６５個の穴が設けられており、この穴の中に
はそれぞれ熱電対型センサＳ１〜Ｓ６５が一つずつ配設
される。これらの熱電対型センサＳ１〜Ｓ６５は下部セ
ンサであり、同じ製造ロットのものであるため、その温
度特性は等しい。これらのセンサは後述する制御装置
（図示省略）に接続されている。FIG. 7 is a plan view schematically showing the structure of the heat platen 58 according to this embodiment. As shown in FIGS. 7 and 6, a plurality of, for example, 65 holes are provided in the upper surface of the heat platen 58 in a vertical and horizontal grid shape, and each of the holes has a thermocouple sensor S1. To S65 are arranged one by one. These thermocouple sensors S1 to S65 are lower sensors and are of the same production lot, and therefore have the same temperature characteristics. These sensors are connected to a control device (not shown) described later.

【００６１】図８は本実施形態に係る上部カバー６８を
下面側から見上げた状態を示した平面図である。図８に
示したように、この上部カバー６８の下面側にも縦横升
目状に複数個、例えば６４個の温度センサＳ６６〜Ｓ１
２９が上部センサとして配設されている。これら上部温
度センサＳ６６〜Ｓ１２９は上記下部温度センサＳ１〜
６５と対応した位置に配設されている。例えば、下部温
度センサＳ１の真上には上部温度センサＳ６６が配設さ
れ、下部温度センサＳ２の真上には上部温度センサＳ６
７が配設されており、熱定盤５８に載置されるウエハＷ
の同じ位置についてウエハＷの上下両面の近傍の位置か
ら温度を検出するように配設されている。これら上部温
度センサＳ６６〜ＳＳ１２９も上記下部温度センサＳ１
〜Ｓ６５と同様に制御装置（図示省略）に接続されてい
る。FIG. 8 is a plan view showing a state in which the upper cover 68 according to the present embodiment is viewed from the lower surface side. As shown in FIG. 8, a plurality to be vertically and horizontally square shape on the lower surface of the upper cover 68, 6 four temperature sensors For example S66~S1
Reference numeral 29 is provided as an upper sensor. These upper portion temperature sensor S66~S129 is the lower temperature sensor S1~
It is arranged at a position corresponding to 65. For example, an upper temperature sensor S66 is provided directly above the lower temperature sensor S1, and an upper temperature sensor S6 is provided immediately above the lower temperature sensor S2.
7 is disposed, and the wafer W placed on the heat platen 58
At the same position, the temperature is detected from positions near the upper and lower surfaces of the wafer W. These upper temperature sensors S66 to SS129 also correspond to the lower temperature sensor S1.
It is connected to a control device (not shown) in the same manner as in S65.

【００６２】図９は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御系を図示したブロック図である。FIG. 9 is a block diagram illustrating a control system of the heat treatment unit according to the present embodiment.

【００６３】図９に示したように、本実施形態に係る熱
処理ユニットでは、下部温度センサＳ１〜Ｓ６５、上部
温度センサＳ６６〜Ｓ１２９、熱定盤５８内に配設され
たヒータ９３に電力を供給する電力供給装置９５が制御
装置１２０に接続されている。As shown in FIG. 9, in the heat treatment unit according to the present embodiment, power is supplied to the lower temperature sensors S1 to S65, the upper temperature sensors S66 to S129, and the heater 93 disposed in the heat platen 58. The power supply device 95 is connected to the control device 120.

【００６４】次に本実施形態に係る熱処理ユニットの温
度制御の仕方について説明する。Next, how to control the temperature of the heat treatment unit according to this embodiment will be described.

【００６５】本実施形態に係る熱処理ユニットでは、ウ
エハＷの温度を直接測定する代わりに、ウエハＷの上下
各面の近傍の複数位置の温度を検出し、これら検出した
温度からウエハＷの温度を推定する。In the heat treatment unit according to the present embodiment, instead of directly measuring the temperature of the wafer W, the temperatures of a plurality of positions near the upper and lower surfaces of the wafer W are detected, and the temperature of the wafer W is determined from the detected temperatures. presume.

【００６６】更に詳細に説明すると、熱定盤５８の上表
面と、熱定盤５８の上部を覆う上部カバーの下面にそれ
ぞれ複数の温度センサＳ１〜６５（下部温度センサ）、
Ｓ６６〜１２９（上部温度センサ）を配設し、これらの
温度センサでウエハＷの上下各面近傍の温度を複数位置
で測定する。More specifically, a plurality of temperature sensors S1 to S65 (lower temperature sensors) are provided on the upper surface of the heat platen 58 and the lower surface of the upper cover covering the upper portion of the heat platen 58, respectively.
S66 to S129 (upper temperature sensors) are provided, and the temperatures near the upper and lower surfaces of the wafer W are measured at a plurality of positions by these temperature sensors.

【００６７】その一方で、モデリング用のウエハＷを用
意し、このモデリング用ウエハＷの各点、例えば上記上
部温度センサＳ１と下部温度センサＳ６６との間に挟ま
れる部分に温度センサを取り付けておき、これを熱定盤
５８上に載置して熱処理を開始する。そして実際のウエ
ハＷ各点の温度を測定しながら、この点の上下の温度を
上記上部温度センサと下部温度センサとで検出し、ウエ
ハＷの各点の実際の温度と、上部温度センサ及び下部温
度センサのそれぞれの位置で検出される温度との関係を
事前に調べておき、これらの関係を制御装置１２０の記
憶部（図示省略）に記憶させておく。こうすることによ
り、実際のウエハＷの温度を測定しなくとも上部温度セ
ンサ及び下部温度センサでウエハＷの近傍の温度を検出
し、この検出結果を上記関係に照らし合わせることによ
りウエハＷの実際の温度に非常に近い値が推定される。On the other hand, a modeling wafer W is prepared, and a temperature sensor is attached to each point of the modeling wafer W, for example, a portion sandwiched between the upper temperature sensor S1 and the lower temperature sensor S66. This is placed on the heat platen 58 to start the heat treatment. Then, while measuring the actual temperature of each point of the wafer W, the temperatures above and below this point are detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor, and the actual temperature of each point of the wafer W is compared with the upper temperature sensor and the lower temperature sensor. The relationship with the temperature detected at each position of the temperature sensor is checked in advance, and these relationships are stored in a storage unit (not shown) of the control device 120. By doing so, the temperature near the wafer W is detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor without measuring the actual temperature of the wafer W, and the actual temperature of the wafer W is compared by comparing the detected result with the above relationship. A value very close to the temperature is estimated.

【００６８】同様にして、上部温度センサＳ２と下部温
度センサＳ６７との間に挟まれる部分、上部温度センサ
Ｓ３と下部温度センサＳ６８との間に挟まれる部分、上
部温度センサＳ４と下部温度センサＳ６９との間に挟ま
れる部分、…上部温度センサＳ６５と下部温度センサＳ
１２９との間に挟まれる部分の各点について、ウエハＷ
の実際の温度と上部温度センサ及び下部温度センサで検
出される温度との関係を事前に調べ、制御装置１２０の
記憶部（図示省略）に記憶させておく。このようにウエ
ハＷの温度とその近傍位置の温度との関係をデータベー
スとして蓄積することにより、上部温度センサと下部温
度センサによる間接的な温度測定だけでウエハＷの実際
の温度をかなり正確に推定できるようにしておく。Similarly, a portion sandwiched between the upper temperature sensor S2 and the lower temperature sensor S67, a portion sandwiched between the upper temperature sensor S3 and the lower temperature sensor S68, an upper temperature sensor S4 and a lower temperature sensor S69. , The upper temperature sensor S65 and the lower temperature sensor S
129 with respect to each point of the portion sandwiched between
The relationship between the actual temperature and the temperatures detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor is checked in advance, and stored in a storage unit (not shown) of the control device 120. By accumulating the relationship between the temperature of the wafer W and the temperature in the vicinity thereof as a database, the actual temperature of the wafer W can be estimated fairly accurately only by indirect temperature measurement by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor. Be prepared to do it.

【００６９】図１０はウエハＷの各点の実際の温度Ｔｗ
と、この点の上部温度センサで検出した温度Ｔｕ、この
点の下部温度センサで検出した温度Ｔｌとの関係を示し
た図である。FIG. 10 shows the actual temperature Tw at each point on the wafer W.
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between the temperature Tu detected by an upper temperature sensor at this point and a temperature Tl detected by a lower temperature sensor at this point.

【００７０】この図１０から分かるように、ＴｗとＴｕ
及びＴｌとの間には一定の関係があり、Ｔｕ及びＴｌが
分かればＴｗの値が容易に推定できることが分かる。As can be seen from FIG. 10, Tw and Tu
It can be seen that there is a certain relationship between Tl and Tl, and if Tu and Tl are known, the value of Tw can be easily estimated.

【００７１】このデータベース作成のためのモデリング
用ウエハＷについての温度測定は数が多い程推定値の精
度が上がるため、多数のモデリング用ウエハＷを用いる
ことが好ましい。It is preferable to use a large number of modeling wafers W because the greater the number of temperature measurements on the modeling wafers W for creating the database, the higher the accuracy of the estimated value.

【００７２】次に本実施形態に係る熱処理ユニットで熱
処理する場合の温度制御の仕方について説明する。Next, a method of controlling the temperature in the case of performing the heat treatment by the heat treatment unit according to the present embodiment will be described.

【００７３】本実施形態に係る熱処理ユニットでは、熱
定盤５８上面及び上部カバー下面の複数の位置に設けた
温度センサで検出したウエハＷの上下各面近傍の温度分
布に基づいて、ウエハＷの反りの有無や反りの程度を把
握し、その反りの程度が許容範囲内の場合には熱定盤の
温度が目標温度になるように制御する。In the heat treatment unit according to this embodiment, the temperature of the wafer W is determined based on the temperature distribution near the upper and lower surfaces of the wafer W detected by the temperature sensors provided at a plurality of positions on the upper surface of the heat platen 58 and the lower surface of the upper cover. The presence or absence of the warp and the degree of the warp are grasped, and if the degree of the warp is within an allowable range, control is performed so that the temperature of the heat platen becomes the target temperature.

【００７４】一方、反りの程度が許容範囲外の場合に
は、その反りの程度に応じて熱定盤５８を制御する目標
温度を適宜調節する。On the other hand, when the degree of the warpage is out of the allowable range, the target temperature for controlling the heat platen 58 is appropriately adjusted according to the degree of the warp.

【００７５】まず、比較のため、反りのないウエハＷを
熱定盤５８上に載置した場合の制御について説明する。First, for comparison, control when a wafer W without warpage is placed on the thermal platen 58 will be described.

【００７６】図１０（ｂ）はＳ２９〜Ｓ３７の各センサ
で検出した熱定盤５８上面の直径方向の温度変化を示し
た図であり、図１１は熱定盤５８上のウエハＷの有無、
熱定盤５８の温度、ヒータ電源のＯＮ／ＯＦＦ状態を示
したタイミングチャートである。なお、説明の便宜上、
下部温度センサＳ２９〜Ｓ３７と上部温度センサＳ９４
〜Ｓ１０１についてのみ説明するが、実際には他の温度
センサＳ１〜Ｓ２８、Ｓ３８〜６５、Ｓ６６〜９３、Ｓ
１０２〜１２９についても同様に作動させる。図１０
（ａ）に示したように熱定盤５８にウエハＷを載置する
と、熱定盤５８の表面から熱が奪われるため、熱定盤５
８の表面温度は急激に低下する（ｔ₄ ）。FIG. 10B is a diagram showing a temperature change in the diameter direction of the upper surface of the heat platen 58 detected by each of the sensors S29 to S37, and FIG.
5 is a timing chart showing the temperature of the heat platen 58 and the ON / OFF state of the heater power supply. For convenience of explanation,
Lower temperature sensors S29 to S37 and upper temperature sensor S94
Only the temperature sensors S1 to S101 will be described, but actually, the other temperature sensors S1 to S28, S38 to 65, S66 to 93, S
The same applies to 102 to 129. FIG.
When the wafer W is placed on the heat platen 58 as shown in FIG.
The surface temperature of No. 8 drops sharply (t ₄ ).

【００７７】この熱定盤５８上にウエハＷを載置した際
の熱定盤５８表面と上部カバー６８下面付近の温度状態
を下部温度センサＳ２９〜Ｓ３７及び上部温度センサＳ
９４〜１０１を介して熱定盤５８の水平方向について詳
細に見てみると図１０（ｂ）に示すようになる。The temperature state of the surface of the heat platen 58 and the vicinity of the lower surface of the upper cover 68 when the wafer W is mounted on the heat platen 58 is determined by the lower temperature sensors S29 to S37 and the upper temperature sensor S.
FIG. 10B shows a detailed view of the horizontal direction of the heat platen 58 via 94 to 101.

【００７８】反りのないウエハＷを熱定盤５８に載置し
た場合、図１０（ａ）に示すようにウエハＷの下面と熱
定盤５８上面とが全面にわたって均等に当接するため、
熱定盤５８からウエハＷに大して水平方向にわたって均
等に熱が伝わる。そのため図１０（ｂ）に示すように、
熱定盤５８の温度Ｔｌ（°Ｃ）に対してウエハＷの実際
の温度はＴｌ（°Ｃ）より低いＴｗ（°Ｃ）となる。な
お、この温度Ｔｗ（°Ｃ）はモデリング用ウエハＷに直
接温度センサを取り付けて測定した温度である。When a wafer W having no warp is placed on the thermal platen 58, the lower surface of the wafer W and the upper surface of the thermal platen 58 abut evenly over the entire surface as shown in FIG.
Heat is transmitted evenly over the horizontal direction from the heat platen 58 to the wafer W. Therefore, as shown in FIG.
The actual temperature of the wafer W is Tw (° C.) lower than Tl (° C.) with respect to the temperature Tl (° C.) of the heat platen 58. The temperature Tw (° C.) is a temperature measured by directly attaching a temperature sensor to the modeling wafer W.

【００７９】一方、上部カバー６８の下面側で上部温度
センサＳ９４〜Ｓ１０１により検出される温度はその真
下付近のウエハＷ上の点により暖められた空気が上昇し
て検出される温度であるため、ウエハＷ上面各部の温度
に対応する。図１０（ｂ）では上部温度センサＳ９４〜
Ｓ１０１の検出温度はウエハＷの温度Ｔｗより低いＴｕ
である。On the other hand, the temperature detected by the upper temperature sensors S94 to S101 on the lower surface side of the upper cover 68 is the temperature at which the air warmed by a point on the wafer W near immediately below it rises and is detected. It corresponds to the temperature of each part of the upper surface of the wafer W. In FIG. 10B, the upper temperature sensors S94 to S94
The detected temperature of S101 is Tu lower than the temperature Tw of the wafer W.
It is.

【００８０】この図１０（ｂ）が示すように、ウエハＷ
に反りがない場合にはウエハＷの実際の温度も、上部温
度センサ及び下部温度センサにより検出される温度も、
いずれも水平方向にわたって均一である。そのため上部
温度センサ及び下部温度センサにより水平方向の温度分
布が均一であれば、ウエハＷに反りがないと考えられ
る。As shown in FIG. 10B, the wafer W
If there is no warp, the actual temperature of the wafer W, the temperature detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor,
Both are uniform over the horizontal direction. Therefore, if the horizontal temperature distribution is uniform by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor, it is considered that the wafer W does not warp.

【００８１】このように熱定盤５８の水平方向に関して
温度変化に実質的な差異がない場合には、制御装置１２
０は現在熱定盤５８上に載置されているウエハＷには反
りがないと判断して熱定盤５８の温度が定格どおりの第
１目標温度Ｔ₁ 〜Ｔ₂ （°Ｃ）になるように制御する。
この状態を示したのが図１１である。When there is no substantial difference in the temperature change in the horizontal direction of the heat platen 58, the control device 12
0 indicates that the wafer W currently mounted on the heat platen 58 has no warpage, and the temperature of the heat platen 58 becomes the first target temperature T _{1 to} T ₂ (° C.) as rated. Control.
FIG. 11 shows this state.

【００８２】これに対して反りのあるウエハＷを熱定盤
５８上に載置した場合には、次のようになる。On the other hand, when the warped wafer W is mounted on the thermal platen 58, the following is performed.

【００８３】例えば、図１２（ａ）に示すようにウエハ
Ｗの図中右端の部分が反っている場合には、ウエハＷの
下面と熱定盤５８の上面とは中心から図中左側の部分が
部分的に接触するのみである。この例ではセンサＳ２９
〜Ｓ３３の位置でのみ接触する。For example, when the right end portion of the wafer W is warped as shown in FIG. 12A, the lower surface of the wafer W and the upper surface of the heat platen 58 are located on the left side of the drawing from the center. Only partially contact. In this example, the sensor S29
The contact is made only at positions S33.

【００８４】このように一端が反ったウエハＷを熱定盤
５８上に載置した場合、熱定盤５８のうち、ウエハＷと
熱定盤５８とが接触するセンサＳ２９〜Ｓ３３付近の位
置で熱定盤５８からウエハＷに熱量が供給され、ウエハ
Ｗの温度が上昇するが、それ以外の位置、例えばセンサ
Ｓ３４〜Ｓ３７付近の位置では熱定盤５８から供給され
る熱量がが少ないため、この部分での温度は低い。When the wafer W whose one end is warped as described above is placed on the heat platen 58, the position of the heat platen 58 near the sensors S29 to S33 at which the wafer W comes into contact with the heat platen 58 is determined. Heat is supplied to the wafer W from the heat platen 58, and the temperature of the wafer W rises. However, at other positions, for example, positions near the sensors S34 to S37, the heat amount supplied from the heat platen 58 is small. The temperature in this part is low.

【００８５】これら熱定盤５８から供給される熱量が水
平方向で異なる場合、制御装置１２０では上部温度セン
サＳ９４〜Ｓ１０１を介してウエハＷ上面から放射され
る熱量を監視しており、水平方向での温度差を常に認識
している。そして、この温度差が許容範囲内の場合には
反りの程度は許容範囲内であると判断して、上記と同様
に熱定盤５８の温度が第１目標温度Ｔ₁ 〜Ｔ₂ （°Ｃ）
になるように制御する。When the amount of heat supplied from the heat platen 58 is different in the horizontal direction, the control device 120 monitors the amount of heat radiated from the upper surface of the wafer W via the upper temperature sensors S94 to S101. Is always aware of the temperature difference. If the temperature difference is within the allowable range, it is determined that the degree of warpage is within the allowable range, and the temperature of the heat platen 58 is set to the first target temperature T _{1 to} T ₂ (° C.) as described above. )
Control so that

【００８６】一方、この温度差が許容範囲越えた場合に
は、反りの程度も許容範囲を越えていると判断して温度
制御の第１目標温度を反りのない場合のＴ₁ 〜Ｔ₂ （°
Ｃ）から第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°Ｃ）切り替える。On the other hand, when the temperature difference exceeds the allowable range, it is determined that the degree of the warp is also beyond the allowable range, and T _{1 to} T ₂ (T _{1 to} T ₂ (T ₁₎ when the first target temperature of the temperature control is not warped). °
The second target temperature T _{3 to} T ₄ (° C.) is switched from C).

【００８７】なお、この場合の温度差の許容範囲は平均
値からプラスマイナス３×（シグマ）の範囲内である。
ただし（シグマ）は標準偏差を表す。ここでこの範囲を
許容範囲にしたのは、この範囲内に９９．７％のものが
含まれるからである。The allowable range of the temperature difference in this case is within a range of ± 3 × (sigma) from the average value.
However, (sigma) represents the standard deviation. Here, the reason why this range is set to the allowable range is that 99.7% is included in this range.

【００８８】この第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°Ｃ）は、
部分的に熱定盤５８と接触しているウエハＷを熱処理す
るのに最適な温度である。The second target temperatures T _{3 to} T ₄ (° C.)
This is the optimum temperature for heat-treating the wafer W that is partially in contact with the heat platen 58.

【００８９】なお、この第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°
Ｃ）は反りの程度に対応する温度であり、適宜実測した
データベースとして制御装置の記憶部に記憶しておく。The second target temperatures T _{3 to} T ₄ (°
C) is a temperature corresponding to the degree of warpage, and is stored in the storage unit of the control device as a database which is appropriately measured.

【００９０】本実施形態に係る熱処理ユニットでは、熱
処理盤５８上にウエハＷを載置する際の上部温度センサ
と下部温度センサで検出した温度の水平方向の温度差を
監視しており、この温度差が許容範囲以上の場合にはウ
エハＷに反りがあるものと判断する。そしてこの温度分
布のしかたからウエハＷの反りの程度を把握し、反りの
ない部分を生かすために最も適切な温度を目標温度とし
て決定する。こうして上記データベースから決定された
目標温度が第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°Ｃ）である。In the heat treatment unit according to the present embodiment, the horizontal temperature difference between the temperatures detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor when the wafer W is mounted on the heat treatment board 58 is monitored. If the difference is larger than the allowable range, it is determined that the wafer W is warped. Then, the degree of the warpage of the wafer W is grasped from the manner of this temperature distribution, and the most appropriate temperature is determined as the target temperature in order to make use of the unwarped portion. After setting the target temperature determined from the database is the second target temperature _{T 3 ~T 4 (° C)} .

【００９１】次に、この熱処理ユニットをベーキングユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）として用いる場合の操作につ
いて以下に説明する。Next, the operation when this heat treatment unit is used as a baking unit (PREBAKE) will be described below.

【００９２】まず、載置台２０上にセットされたウエハ
カセットＣＲ内からウエハ搬送体２１によりウエハＷが
取り出され、次いでウエハ搬送体２１から主ウエハ搬送
機構２２にウエハＷが引き渡される。主ウエハ搬送機構
２２は受け取ったウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）内に搬送、セットし、ここでウエハＷにレジスト
塗布を行なう。次いで、このウエハＷをレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）内から主ウエハ搬送機構２２がウエハ
Ｗを取り出し、上記熱処理ユニット内まで搬送し、熱定
盤５８の上にウエハＷをセットする。First, wafer W is taken out of wafer cassette CR set on mounting table 20 by wafer carrier 21, and then wafer W is delivered from wafer carrier 21 to main wafer transport mechanism 22. The main wafer transfer mechanism 22 transfers the received wafer W to a resist coating unit (C
The wafer W is transferred and set in the OT), and the resist is applied to the wafer W here. Next, the main wafer transfer mechanism 22 takes out the wafer W from the inside of the resist coating unit (COT), transfers the wafer W to the inside of the heat treatment unit, and sets the wafer W on the thermal platen 58.

【００９３】一方、熱処理ユニットへの電源投入と同時
に熱定盤５８内のヒータ９３に電力を供給する電力供給
装置９５が電力を供給して所定時間の後に熱定盤５８は
所定の第１目標温度に維持される。On the other hand, at the same time as the power supply to the heat treatment unit is turned on, the power supply device 95 for supplying power to the heater 93 in the heat platen 58 supplies the power, and after a predetermined time, the heat platen 58 has a predetermined first target. Maintained at temperature.

【００９４】このとき、熱定盤５８の温度については下
部温度センサＳ１〜Ｓ６５で検出しながら制御する。熱
定盤５８の温度か第１目標温度に到達して安定すると、
主ウエハ搬送機構２２によりこの熱定盤５８上にウエハ
Ｗが載置される。At this time, the temperature of the heat platen 58 is controlled while being detected by the lower temperature sensors S1 to S65. When the temperature of the heat platen 58 reaches the first target temperature and stabilizes,
The wafer W is placed on the thermal platen 58 by the main wafer transfer mechanism 22.

【００９５】熱定盤５８上では、下部温度センサＳ１〜
Ｓ６５及び上部温度センサＳ６６〜１２９により、ウエ
ハＷの上下各面近傍の温度が検出され、この検出された
温度に基づいてウエハＷの温度が推定される。そしてこ
の推定されたウエハＷの温度に基づいて、熱定盤５８の
温度が制御される。On the thermal platen 58, the lower temperature sensors S1 to S1
The temperatures near the upper and lower surfaces of the wafer W are detected by S65 and the upper temperature sensors S66 to S129, and the temperature of the wafer W is estimated based on the detected temperatures. Then, the temperature of heat platen 58 is controlled based on the estimated temperature of wafer W.

【００９６】ウエハＷの温度推定と同時に、熱定盤５８
上に載置されたウエハＷの反りの有無や反りの程度につ
いても上記上部温度センサＳ１〜Ｓ６５及び下部温度セ
ンサＳ６６〜Ｓ１２９から検出された温度に基づいて判
断がなされる。At the same time as estimating the temperature of the wafer W,
The presence or absence of the warp of the wafer W mounted thereon and the degree of the warp are also determined based on the temperatures detected from the upper temperature sensors S1 to S65 and the lower temperature sensors S66 to S129.

【００９７】そして、反りがないと判断された場合には
定格通りの第１目標温度Ｔ₁ 〜Ｔ₂（°Ｃ）で熱定盤５
８の温度制御がなされる。If it is determined that there is no warp, the heat platen 5 is set at the first target temperature T _{1 to} T ₂ (° C.) as rated.
8 is performed.

【００９８】この第１目標温度Ｔ₁ 〜Ｔ₂ （°Ｃ）は、
反りのない良品のウエハＷを熱定盤５８に載置したとき
に、理想的な熱処理温度がウエハＷに作用するような温
度である。従って、時間ｔ₄ でウエハＷを載置すると熱
定盤５８の温度は一旦急激に低下した後、ヒータから供
給される熱量と熱定盤５８に蓄積されていた熱量とで昇
温され、理想的な熱処理温度に収束する。そして一連の
熱処理が行われたウエハＷが熱定盤５８上から搬送さ
れ、次のウエハＷについて同様の処理がなされる。The first target temperatures T _{1 to} T ₂ (° C.)
When a good wafer W having no warp is placed on the thermal platen 58, the ideal heat treatment temperature is a temperature at which the wafer W works. Therefore, when the wafer W is placed at the time t ₄ , the temperature of the heat platen 58 once drops sharply, and then rises with the amount of heat supplied from the heater and the amount of heat accumulated in the heat platen 58, and is ideal. To a typical heat treatment temperature. Then, the wafer W that has been subjected to a series of heat treatments is transferred from the thermal platen 58, and the same processing is performed on the next wafer W.

【００９９】一方、反りがあると判断された場合には、
上記上部温度センサＳ１〜Ｓ６５及び下部温度センサＳ
６６〜Ｓ１２９から検出された温度に基づいて反りの程
度が割り出され、このウエハＷのうち、そりのない部分
を生かすのに最適な目標温度を上記データベースから決
定し、この決定された目標温度（第２目標温度）になる
ように熱定盤５８の温度を制御する。On the other hand, if it is determined that there is a warp,
The upper temperature sensors S1 to S65 and the lower temperature sensor S
The degree of warpage is calculated based on the temperatures detected from 66 to S129, and the optimum target temperature for utilizing a non-warped portion of the wafer W is determined from the database, and the determined target temperature is determined. The temperature of the heat platen 58 is controlled so as to be (second target temperature).

【０１００】この第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°Ｃ）で制
御すると、図１３の実線で示したように、熱定盤５８上
にウエハＷを載置して表面温度がＴ₄ を下回るまでヒー
タ電源が投入されないため、第１目標温度Ｔ₁ 〜Ｔ
₂ （°Ｃ）で制御した場合（図１３中点線で描いた曲
線）よりも低温側で表面温度が推移する。[0100] By controlling in this second target temperature _{T 3 ~T 4 (° C)} , as indicated by the solid line in FIG. 13, the surface temperature T ₄ to place the wafer W on Netsujoban 58 Since the heater power is not turned on until the temperature falls below the first target temperature T _{1 to} T _1
The surface temperature changes at a lower temperature side than when controlled at ₂ (° C.) (the curve drawn by the dotted line in FIG. 13).

【０１０１】このウエハＷでは反りが大きく、熱定盤５
８と部分的にしか接触しないため、熱定盤５８上面から
奪われる熱量が小さい。そのため、この反ったウエハＷ
が載置されている間は比較的低い温度となるように温度
制御される。The wafer W has a large warp, and the thermal platen 5
8 is only partially contacted, so that the amount of heat taken from the upper surface of the heat platen 58 is small. Therefore, the warped wafer W
The temperature is controlled so that the temperature is relatively low while the is mounted.

【０１０２】また、この第２目標温度Ｔ₃ 〜Ｔ₄ （°
Ｃ）は反ったウエハＷを熱定盤５８上に載置したときに
反りのない部分に理想的な熱処理を施すような温度であ
る。そのため、この反ったウエハＷのうち反りのない部
分については適正な熱処理が施され、ウエハＷを最大限
利用可能にする。The second target temperatures T ₃ -T ₄ (°
C) is a temperature at which an ideal heat treatment is applied to an unwarped portion when the warped wafer W is mounted on the thermal platen 58. Therefore, an appropriate heat treatment is performed on a portion of the warped wafer W that is not warped, so that the wafer W can be used to the maximum.

【０１０３】なお、図１３中点線で示した曲線は反りの
ないウエハＷについて第１目標温度で制御した場合の熱
定盤５８の温度変化を示し、一点鎖線で示した曲線は反
りがあるウエハＷについて第１目標温度で温度制御した
場合の熱定盤５８の温度変化を示す。The curve shown by the dotted line in FIG. 13 shows the temperature change of the heat platen 58 when the wafer W having no warpage is controlled at the first target temperature, and the curve shown by the one-dot chain line shows the warped wafer. The temperature change of the heat platen 58 when the temperature is controlled at the first target temperature for W is shown.

【０１０４】この図１３から分かるように、第１目標温
度で制御した場合に比べ、第２目標温度で制御した場合
には低い温度で推移する。このため、反ったウエハＷに
ついても適正な熱処理が施される。As can be seen from FIG. 13, the temperature changes at a lower temperature when controlled at the second target temperature than when controlled at the first target temperature. Therefore, an appropriate heat treatment is performed on the warped wafer W.

【０１０５】以上説明したように、本実施形態に係る熱
処理ユニットでは、熱定盤５８上面に配設した複数個の
下部温度センサＳ１〜６５、及び上部カバー６８の下面
側に配設した複数個の上部温度センサＳ６６〜１２９を
用いて、ウエハＷの上下各面近傍の位置の温度を検出す
る。そしてこの検出した温度に基づいて熱定盤５８上に
載置されたウエハＷの温度を推定し、このウエハＷの温
度が適正な熱処理温度で熱処理されるように熱定盤５８
の温度を制御する。As described above, in the heat treatment unit according to the present embodiment, the plurality of lower temperature sensors S1 to S65 provided on the upper surface of the heat platen 58 and the plurality of lower temperature sensors S1 to 65 provided on the lower surface side of the upper cover 68 are provided. The upper temperature sensors S66 to S129 are used to detect temperatures at positions near the upper and lower surfaces of the wafer W. The temperature of the wafer W placed on the heat platen 58 is estimated based on the detected temperature, and the heat platen 58 is heated so that the temperature of the wafer W is heat-treated at an appropriate heat treatment temperature.
Control the temperature of the

【０１０６】温度の推定には、予めウエハＷの各点につ
いて実際の温度と、この各点の上下近傍の位置、例えば
熱定盤５８上の点の温度と、上部カバー下面の点との温
度との関係を実測データからデータベース化し、制御装
置１２０の記憶部に記憶しておく。そしてこのデータベ
ースに上部温度センサと下部温度センサとで検出した温
度を入力して問い合わせることにより、ウエハＷ各点の
温度が推定される。For estimating the temperature, the actual temperature of each point of the wafer W, the temperature of the point near the upper and lower sides of each point, for example, the temperature of a point on the heat platen 58, and the temperature of the point on the lower surface of the upper cover are determined in advance. Is stored as a database from the measured data and stored in the storage unit of the control device 120. The temperature detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor is input to this database and inquired, whereby the temperature of each point of the wafer W is estimated.

【０１０７】このように、ウエハＷの各点の温度と、こ
のウエハＷの点の上下に位置する熱定盤５８の点及び上
部カバーの点との熱的な関係を予め把握しておき、この
関係を利用してウエハＷの温度を推定するので、推定温
度の精度が高く、高精度の温度制御ができる。As described above, the thermal relationship between the temperature of each point of the wafer W and the points of the thermal platen 58 and the upper cover located above and below the point of the wafer W is grasped in advance. Since the temperature of the wafer W is estimated using this relationship, the accuracy of the estimated temperature is high, and highly accurate temperature control can be performed.

【０１０８】また、この熱処理ユニットでは、下部温度
センサＳ１〜６５と上部温度センサＳ６６〜１２９とで
検出した温度からウエハＷの反りの有無や反りの程度を
把握し、この反りの程度に合わせて熱定盤５８の目標温
度を適宜調整して、反りのあるウエハＷについても反り
のない部分を生かすような温度で熱処理する。そのた
め、ウエハＷに反りがある場合でも、そのウエハＷを最
大限利用できるので歩留まりが向上し、生産効率、ひい
ては製造コストが低減できる。In this heat treatment unit, the presence or absence of the warp of the wafer W and the degree of the warp are grasped from the temperatures detected by the lower temperature sensors S1 to S65 and the upper temperature sensors S66 to S129, and the degree of the warp is determined. The target temperature of the heat platen 58 is appropriately adjusted, and the heat treatment is performed on the warped wafer W at a temperature that makes use of the unwarped portion. Therefore, even if the wafer W is warped, the yield can be improved because the wafer W can be used to the maximum, and the production efficiency and, consequently, the manufacturing cost can be reduced.

【０１０９】なお、本発明は上記の実施形態の内容に限
定されるものではない。The present invention is not limited to the contents of the above embodiment.

【０１１０】例えば、上記実施形態では内部に熱媒蒸気
を循環させることにより均一に加熱される熱定盤を用い
てウエハＷを加熱する装置について説明したが、内部に
ニクロム線ヒータを内蔵し、温度センサなどにより温度
制御する熱盤を用いるものでもよい。For example, in the above-described embodiment, the apparatus for heating the wafer W using the heat platen which is uniformly heated by circulating the heat medium vapor inside has been described. A hot plate that controls the temperature with a temperature sensor or the like may be used.

【０１１１】また、上記実施の形態ではウエハＷについ
ての塗布現像処理システム１を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、ＬＣＤ基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。In the above embodiment, the coating and developing system 1 for the wafer W has been described as an example. However, it goes without saying that the present invention can be applied to other processing apparatuses, for example, an LCD substrate processing apparatus. No.

【０１１２】更に、上記実施形態では熱定盤５８上面と
上部カバー６８下面とに正方形の升目状に下部温度セン
サＳ１〜Ｓ６５と上部温度センサＳ６６〜１２９とを配
設したが、これらの温度センサは熱定盤５８上に同心円
状に配設してもよく、また、もっと多数の温度センサを
配設してもよい。Further, in the above embodiment, the lower temperature sensors S1 to S65 and the upper temperature sensors S66 to 129 are arranged in a square grid on the upper surface of the heat platen 58 and the lower surface of the upper cover 68. May be arranged concentrically on the heat platen 58, or more temperature sensors may be arranged.

【０１１３】また、上記実施形態では、ウエハＷの反り
を上部温度センサと下部温度センサとで検出した温度の
水平方向の温度分布から認識する構成としたが、これ以
外の方法として、例えば、ウエハＷを載置する前後で熱
定盤５８の各点の温度を下部温度センサＳ１〜６５で検
出し、ウエハＷ載置前後での温度変化を水平方向で比較
することによりウエハＷの反りを認識するようにするこ
とも可能である。In the above embodiment, the warp of the wafer W is recognized from the horizontal temperature distribution of the temperature detected by the upper temperature sensor and the lower temperature sensor. The lower temperature sensors S1 to 65 detect the temperature of each point of the heat platen 58 before and after mounting the W, and recognize the warpage of the wafer W by comparing the temperature change before and after the mounting of the wafer W in the horizontal direction. It is also possible to do so.

【０１１４】即ち、ウエハＷに反りがあると熱定盤５８
に載置したときにウエハＷと熱定盤５８上面との間に不
均一な隙間ができる。隙間が大きい部分では熱定盤５８
からウエハＷに効率よく熱が伝わらないため、熱定盤５
８の温度はあまり低下しない。That is, if the wafer W is warped, the heat platen 58
A non-uniform gap is formed between the wafer W and the upper surface of the thermal platen 58 when the wafer W is placed on the heat platen. In the part where the gap is large, heat platen 58
Since heat is not efficiently transmitted to the wafer W from the
The temperature of 8 does not drop much.

【０１１５】一方、隙間の小さい部分では熱定盤５８か
らウエハＷに効率よく熱が伝わるので、熱定盤５８表面
から熱が奪われてこの部分の熱定盤５８の温度は急激に
低下する。 従って、ウエハＷを載置する前と載置直後
とで熱定盤５８各部分の温度変化を観測することによ
り、ウエハＷの反りの有無や反りの大小を把握すること
ができる。この原理を利用してウエハＷの反りの有無や
反りの大小を検出するようにしてもよい。On the other hand, since heat is efficiently transmitted from the heat platen 58 to the wafer W in a small gap portion, heat is deprived from the surface of the heat platen 58, and the temperature of the heat platen 58 in this portion rapidly decreases. . Therefore, by observing the temperature changes of the respective portions of the heat platen 58 before and immediately after the mounting of the wafer W, it is possible to grasp whether or not the wafer W is warped and the magnitude of the warpage. By utilizing this principle, the presence or absence of the warp of the wafer W and the magnitude of the warp may be detected.

【０１１６】[0116]

【０１１７】[0117]

【０１１８】[0118]

【０１１９】[0119]

【０１２０】[0120]

【発明の効果】 請求項１記載の本発明によれば、前記熱
処理盤上面の複数位置の温度と前記熱処理盤上部空間の
温度とを検出し、これら検出した温度の温度差から水平
方向の温度分布を割り出して被処理基板の反りの有無や
程度を把握する。そしてこの反りに応じて熱処理盤の温
度制御する際の目標温度を決定し、この決定した目標温
度で温度制御するので、反りのある被処理基板について
も可能な限り多数の製品を製造することができる。その
ため、歩留まりが向上し、製品の製造コストを低減する
ことができる。 Effects of the Invention According to the present invention described in claim 1, to detect the temperature of the temperature and the heat processing space above the plurality of positions of the heat processing table top, the temperature of the horizontal direction from the temperature difference between these detected temperature The distribution is determined to determine the presence or absence and degree of warpage of the substrate to be processed. Then, a target temperature for controlling the temperature of the heat treatment panel is determined according to the warpage, and the temperature is controlled at the determined target temperature. Therefore, it is possible to manufacture as many products as possible for a warped substrate. it can. Therefore, the yield is improved, and the manufacturing cost of the product can be reduced.

【０１２１】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。In this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the space above the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【０１２２】請求項２記載の本発明によれば、前記下部
温度センサで前記熱処理盤上面の温度を検出し、前記上
部温度センサで前記上部カバー下面側の温度を検出し、
これら検出した温度の温度差から水平方向の温度分布を
割り出して被処理基板の反りの有無や程度を把握する。
そしてこの反りに応じて熱処理盤の温度制御する際の目
標温度を決定し、この決定した目標温度で温度制御する
ので、反りのある被処理基板についても可能な限り多数
の製品を製造することができる。そのため、歩留まりが
向上し、製品の製造コストを低減することができる。[0122] According to the second aspect of the present invention detects the temperature of the heat processing table top at the lower temperature sensor detects the temperature of the upper cover lower surface at the upper temperature sensor,
The temperature distribution in the horizontal direction is determined from the temperature difference between the detected temperatures, and the presence or absence and the degree of the warpage of the substrate to be processed are grasped.
Then, a target temperature for controlling the temperature of the heat treatment panel is determined according to the warpage, and the temperature is controlled at the determined target temperature. Therefore, it is possible to manufacture as many products as possible for a warped substrate. it can. Therefore, the yield is improved, and the manufacturing cost of the product can be reduced.

【０１２３】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。In this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the upper space of the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【０１２４】[0124]

【０１２５】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面と、前記被処理基板の上部空間の所定位置とで温
度を検出し、これら検出した温度に基づいて被処理基板
の温度を推定し、この推定した温度に基づいて前記熱処
理盤の温度を上記決定した目標温度に制御するので、よ
り高精度の温度制御ができる。In this heat treatment apparatus, the temperature is detected at the upper surface of the heat treatment board and at a predetermined position in the upper space of the substrate to be processed, and the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures. Since the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, more precise temperature control can be performed.

【０１２６】[0126]

【０１２７】また、この熱処理装置では、前記熱処理盤
の上面に配設した複数の下部温度センサと、前記上部カ
バー下面側に配設した複数の上部温度センサとで、被処
理基板上下各面の近傍の温度を検出する。そしてこれら
検出した温度に基づいて被処理基板の温度を推定し、こ
の推定した温度に基づいて前記熱処理盤の温度を上記決
定した目標温度に制御するので、より高精度の温度制御
ができる。Further, in this heat treatment apparatus, a plurality of lower temperature sensors disposed on the upper surface of the heat treatment board and a plurality of upper temperature sensors disposed on the lower surface side of the upper cover make each of the upper and lower surfaces of the substrate to be processed. Detect nearby temperature. Then, the temperature of the substrate to be processed is estimated based on the detected temperatures, and the temperature of the heat treatment board is controlled to the target temperature determined above based on the estimated temperature, so that more accurate temperature control can be performed.

【０１２８】請求項３記載の本発明によれば、前記上部
温度センサ及び下部温度センサが前記熱処理盤上に同心
円状に配設されているので、より被処理基板の温度を正
確に把握すことができ、高精度の熱処理が可能となる。
請求項４記載の本発明によれば、前記上部温度センサ及
び下部温度センサがマトリックス状に配設されているの
で、被処理基板の反りによる温度分布の不均衡を把握し
やすい。そのため、より被処理基板の温度を正確に把握
すことができ、高精度の熱処理が可能となる。請求項６
記載の本発明によれば、請求項１〜５のいずれかに記載
の熱処理装置において、反りのない被処理基板を熱処理
温度に維持できる温度、及び、反りのある被処理基板に
ついて平坦な部分を熱処理温度に維持できる温度の中か
ら前記目標温度を決定する。即ち、被処理基板の反りの
有無に応じて熱処理盤の温度を調節し、それぞれの被処
理機盤に最も適切な温度で熱処理する。そのため、反り
のない被処理基板についてはもちろんのこと、反りのあ
る被処理基板についても可能な限り多数の製品を製造で
きるように熱処理するので、歩留まりが向上し、製品の
製造コストを低減することが可能となる。According to the third aspect of the present invention, since the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged concentrically on the heat treatment board, the temperature of the substrate to be processed can be grasped more accurately. And a high-precision heat treatment becomes possible.
According to the fourth aspect of the present invention, since the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged in a matrix, it is easy to grasp the imbalance in the temperature distribution due to the warpage of the substrate to be processed. Therefore, the temperature of the substrate to be processed can be more accurately grasped, and a high-precision heat treatment can be performed. Claim 6
According to the present invention, in the heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, a temperature at which a non-warped target substrate can be maintained at a heat treatment temperature, and a flat portion with respect to the warped target substrate. The target temperature is determined from the temperatures that can be maintained at the heat treatment temperature. That is, the temperature of the heat treatment board is adjusted according to the presence or absence of the warp of the substrate to be processed, and the heat treatment is performed at the most appropriate temperature on each of the machine boards. Therefore, heat treatment is performed so that as many products as possible can be manufactured as well as warped substrates as well as warped substrates, thereby improving yield and reducing product manufacturing costs. Becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の平面
図である。FIG. 1 is a plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の側面
図である。FIG. 2 is a side view of the coating / developing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の背面
図である。FIG. 3 is a rear view of the coating / developing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの平面
図である。FIG. 4 is a plan view of a heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。FIG. 5 is a vertical sectional view of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。FIG. 6 is a vertical sectional view of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図７】本発明の実施形態に係る熱定盤の平面図であ
る。FIG. 7 is a plan view of a heat platen according to the embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施形態に係る上部カバーを下から見
た平面図である。FIG. 8 is a plan view of the upper cover according to the embodiment of the present invention as viewed from below.

【図９】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットのブロ
ック図である。FIG. 9 is a block diagram of a heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの温
度特性を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing temperature characteristics of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの作
動状態を示したタイミングチャートである。FIG. 11 is a timing chart showing an operation state of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの温
度特性を示した図である。FIG. 12 is a diagram showing temperature characteristics of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図１３】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの作
動状態を示したタイミングチャートである。FIG. 13 is a timing chart showing an operation state of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図１４】従来の熱処理ユニットの垂直断面図である。FIG. 14 is a vertical sectional view of a conventional heat treatment unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ ウエハ ５８ 熱定盤 Ｓ１〜６５ 上部温度センサ Ｓ６６〜Ｓ１２９ 下部温度センサ １２０ 制御部 ９３ ヒータ ６８ 上部カバー W Wafer 58 Heat platen S1-65 Upper temperature sensor S66-S129 Lower temperature sensor 120 Control unit 93 Heater 68 Upper cover

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｋ 1/14 Ｇ０５Ｄ 23/00 Ｆ Ｇ０５Ｄ 23/00 23/19 Ｊ 23/19 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ (56)参考文献 特開 平３−196206（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299333（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−330873（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−222503（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−260415（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification code FI G01K 1/14 G05D 23/00 F G05D 23/00 23/19 J23 / 19 H01L 21/30 567 (56) References JP JP-A-3-196206 (JP, A) JP-A-5-299333 (JP, A) JP-A-9-330873 (JP, A) JP-A 8-222503 (JP, A) JP-A-2-260415 (JP) , A) (58) Field surveyed (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤上面の複数位置の温度を検出する手段と、 前記被処理基板の上部空間の所定位置の温度を検出する
手段と、 前記検出した前記熱処理盤上面の温度と前記被処理基板
の上部空間の温度に基づいて、前記被処理基板の温度を
推定する手段と、 前記推定した被処理基板の温度に基づいて、前記熱処理
盤の温度制御のための目標温度を決定する手段と、前記熱処理盤の温度を検出するセンサの検出温度が前記
決定した目標温度となるように 制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。1. A heat treatment board on which a substrate to be processed is placed; Based on the detected temperature of the heat treatment board upper surface and the temperature of the upper space of the processing target substrate, the temperature of the processing target substrate
Estimating means and the heat treatment based on the estimated temperature of the substrate to be processed.
Means for determining a target temperature for controlling the temperature of the panel, and the temperature detected by the sensor for detecting the temperature of the heat-treating panel is the
Control means for controlling the temperature to be the determined target temperature . 【請求項２】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤上面の複数位置に配設された複数の下部温
度センサと、 前記熱処理盤の上部を覆う上部カバーと、 前記上部カバーの下面側に配設された複数の上部温度セ
ンサと、 前記下部温度センサで検出した温度と前記上部温度セン
サで検出した温度に基づいて、前記被処理基板の温度を
推定する手段と、 前記推定した被処理基板の温度に基づいて、前記熱処理
盤の温度制御のための目標温度を決定する手段と、前記熱処理盤の温度を検出するセンサの検出温度が前記
決定した目標温度となるように 制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。2. A heat treatment board on which a substrate to be processed is mounted, a plurality of lower temperature sensors arranged at a plurality of positions on an upper surface of the heat treatment board, an upper cover covering an upper part of the heat treatment board, and the upper cover A plurality of upper temperature sensors disposed on the lower surface side of the substrate, based on the temperature detected by the lower temperature sensor and the temperature detected by the upper temperature sensor, the temperature of the substrate to be processed
Estimating means and the heat treatment based on the estimated temperature of the substrate to be processed.
Means for determining a target temperature for controlling the temperature of the panel, and the temperature detected by the sensor for detecting the temperature of the heat-treating panel is the
Control means for controlling the temperature to be the determined target temperature . 【請求項３】 請求項２記載の熱処理装置であって、 前記上部温度センサ及び下部温度センサが前記熱処理盤
上に同心円状に配設されていることを特徴とする熱処理
装置。3. A thermal processing apparatus according to claim 2 Symbol placement, heat treatment apparatus, wherein the upper temperature sensor and the lower temperature sensor is arranged concentrically to the thermal treatment surface plate. 【請求項４】 請求項２記載の熱処理装置であって、 前記上部温度センサ及び下部温度センサがマトリックス
状に配設されていることを特徴とする熱処理装置。4. The heat treatment apparatus according to claim 2 , wherein the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged in a matrix. 【請求項５】 前記上部温度センサと、前記下部温度セ
ンサとは、それぞれ上下に対応した位置に配置されてい
ることを特徴とする請求項２，３，４のいずれか１項に
記載の熱処理装置。5. The heat treatment according to claim 2 , wherein the upper temperature sensor and the lower temperature sensor are arranged at positions corresponding to upper and lower sides, respectively. apparatus. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の熱処理
装置であって、 前記目標温度が、反りのない被処理基板を熱処理温度に
維持できる温度、及び、反りのある被処理基板について
平坦な部分を熱処理温度に維持できる温度の中から決定
される温度であることを特徴とする熱処理装置。6. A thermal processing apparatus according to claim 1, wherein the target temperature, the temperature can be maintained to the target substrate without warping heat treatment temperature, and, for the substrate to be processed with a warped A heat treatment apparatus characterized in that the temperature is determined from temperatures at which a flat portion can be maintained at a heat treatment temperature. 【請求項７】 前記熱処理盤は、内部が密封され熱媒が
封入された空洞を有し、前記熱媒を加熱し、熱媒蒸気を
発生させつつ、前記空洞内部に循環させることで所定の
温度を維持するよう構成されていることを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１項に記載の熱処理装置。7. The heat treatment board has a cavity in which a heat medium is sealed and the inside of which is sealed, and the heat medium is heated and circulated inside the cavity while generating heat medium vapor. The heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 6 , wherein the heat treatment apparatus is configured to maintain a temperature. 【請求項８】 前記空洞の内部に、前記熱媒を貯留する
貯留部が設けられ、この貯留部内に貯溜された前記熱媒
を加熱して熱媒蒸気を発生させるよう構成されたことを
特徴とする請求項７に記載の熱処理装置。8. A storage section for storing the heat medium is provided inside the cavity, and the heat medium stored in the storage section is heated to generate a heat medium vapor. The heat treatment apparatus according to claim 7 , wherein 【請求項９】 被処理基板を載置して所定の熱処理を行
う熱処理盤と、 この熱処理盤の上方に配置されるカバーと、を有する熱
処理装置の基板熱処理方法であって、 前 記熱処理盤上面の複数位置に配設された複数の下部温
度センサにて、前記熱処理盤の温度を検出する下部温度
検出工程と、 前記カバーの下面側に配設された複数の上部温度センサ
にて、前記熱処理装置内の温度を検出する上部温度検出
工程と、 前記下部温度検出工程及び上部温度検出工程で得られた
温度に基づいて、前記被処理基板の温度を推定する温度
推定工程と、前記温度推定工程で推定された前記被処理基板の 温度に
基づいて、前記熱処理盤の温度制御のための目標温度を
決定する目標温度決定工程と、前記熱処理盤を温度制御する 制御工程と、を備え、 前記制御工程では、前記熱処理盤の温度を検出するセン
サの検出温度が前記目標温度決定工程で決定した目標温
度となるように制御されることを特徴とする基板熱処理
方法。And heat processing to perform a predetermined heat treatment 9. placing a target substrate, a substrate heat treatment method of a heat treatment apparatus having a cover disposed above the heat processing table, the previous SL heat processing A lower temperature detection step of detecting the temperature of the heat treatment board with a plurality of lower temperature sensors disposed at a plurality of positions on the upper surface; and a plurality of upper temperature sensors disposed on a lower surface side of the cover. an upper temperature detection step of detecting a temperature in the heat treatment device, based on the temperature obtained by the lower temperature sensing step and the upper temperature detection step, the temperature estimation step of estimating the temperature of the substrate, said temperature estimation A target temperature determining step of determining a target temperature for controlling the temperature of the heat treatment board based on the temperature of the substrate to be processed estimated in the step, and a control step of controlling the temperature of the heat treatment board , control Engineering In Sen for detecting the temperature of the heat processing table
The target temperature is determined by the target temperature determined in the target temperature determining step.
Substrate heat treatment method, characterized in that it is controlled to be in degrees. 【請求項１０】 前記上部温度検出工程は、前記被処理
基板から放射される放射熱を検出することを特徴とする
請求項９に記載の基板熱処理方法。10. The substrate heat treatment method according to claim 9 , wherein said upper temperature detecting step detects radiant heat radiated from said substrate to be processed.