JP3335139B2 - Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法、露光装
置、およびデバイス製造方法に関し、特に微細な回路パ
ターンを感光基板上に多重露光する露光方法および露光
装置に関する。本発明の露光方法および露光装置は、例
えばＩＣ・ＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パネルなど
の表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣＤなどの
撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカニクスで
用いる広域なパターンの製造に用いられる。The present invention relates to an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method, and more particularly, to an exposure method and an exposure apparatus for performing multiple exposure of a fine circuit pattern on a photosensitive substrate. The exposure method and the exposure apparatus according to the present invention include various devices such as a semiconductor chip such as an IC / LSI, a display device such as a liquid crystal panel, a detection device such as a magnetic head, an imaging device such as a CCD, and a wide area pattern used in micromechanics. Used for manufacturing.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、Ｘ線プロキシミティ露光装置とし
て、図１９に示す構成のものが知られている（例えば特
開平２−１００３１１号公報）。同図において、１はＳ
ＯＲ等のＸ線源（発光点）、２はｘ方向にスリット状に
広がったＳＯＲＸ線、３はスリット状のＸ線２をｙ方向
に拡大するための凸面ミラー（例えばＳｉＣ製）、２ａ
は凸面ミラー３で面状に拡大されたＸ線、７はレジスト
を塗布した半導体ウエハ等の被露光体、１０はマスクで
ある。また、４はＳＯＲ側の雰囲気とマスクおよび被露
光体側の雰囲気とを分離するベリリウム薄膜、５は露光
量調節のためのフォーカルプレイン型のシャッタであ
る。露光は、マスク１０と被露光体７とを１０μｍ程度
の間隔（ギャップ）を置いて配置し、シャッタ５を開い
て、ＳＯＲ等からのスリット状高輝度Ｘ線２を凸面ミラ
ー３により面状に拡大したＸ線２ａをマスク１０を介し
て被露光体７上に照射して、マスク１０のパターン像を
被露光基板７上に等倍で転写する。2. Description of the Related Art Conventionally, an X-ray proximity exposure apparatus having a configuration shown in FIG. 19 is known (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-100131). In the figure, 1 is S
An X-ray source (light emitting point) such as OR, 2 is a SORX ray that has spread in a slit shape in the x direction, 3 is a convex mirror (for example, made of SiC) for expanding the slit X-ray 2 in the y direction, 2a
Is an X-ray enlarged in a plane by the convex mirror 3, 7 is an object to be exposed such as a semiconductor wafer coated with a resist, and 10 is a mask. Reference numeral 4 denotes a beryllium thin film for separating the atmosphere on the SOR side from the atmosphere on the mask and the object to be exposed, and 5 denotes a focal plane type shutter for adjusting the exposure amount. Exposure is performed by disposing the mask 10 and the object 7 at an interval (gap) of about 10 μm, opening the shutter 5, and making the slit-shaped high-brightness X-rays 2 from SOR or the like planar by the convex mirror 3. The magnified X-rays 2a are irradiated onto the exposure target 7 via the mask 10, and the pattern image of the mask 10 is transferred onto the exposure target substrate 7 at the same magnification.

【０００３】しかし、上記した従来のＸ線プロキシミテ
ィ露光装置においては、Ｘ線としては波長０．５ｎｍ〜
２０ｎｍ程度のものが用いられる。したがって、波長の
みで考えると、０．０５μｍ（５０ｎｍ）以下の高解像
度が得られるはずである。しかしながら、現状では、こ
のような高解像度のマスクは作製が困難である。従来の
最小線幅０．１μｍ（１００ｎｍ）のマスクを作製する
技術で例えば名目的な最小線幅が０．０５μｍのマスク
を作製した場合、でき上がったパターンのラインアンド
スペース（線幅および間隔、以下、Ｌ＆Ｓという）や位
置等の誤差がマスクの欠陥としてそのまま転写されてし
まい、形成すベきパターンが欠けたり、位置ずれを起こ
すという問題があった。また、実際のマスクパターンが
充分な線幅または間隔や所望の精度で作製されていない
等の理由で、充分なコントラストが得られず解像ができ
ないという問題もあった。However, in the above-described conventional X-ray proximity exposure apparatus, X-rays have a wavelength of 0.5 nm or more.
Those having a thickness of about 20 nm are used. Therefore, considering only the wavelength, a high resolution of 0.05 μm (50 nm) or less should be obtained. However, at present, it is difficult to manufacture such a high-resolution mask. For example, when a mask having a nominal minimum line width of 0.05 μm is manufactured by a conventional technology for manufacturing a mask having a minimum line width of 0.1 μm (100 nm), the line and space of the completed pattern (line width and spacing; , L & S) and errors in position and the like are directly transferred as mask defects, resulting in a problem that a pattern to be formed is lost or a position shift occurs. In addition, there is also a problem that a sufficient contrast cannot be obtained and a resolution cannot be obtained because an actual mask pattern is not produced with a sufficient line width or interval or a desired accuracy.

【０００４】そのため、最近においては、被露光基板
（感光基板）に対して、周期パターン露光と通常露光の
二重露光を行う露光方法および露光装置によって、０．
１５μｍ以下の部分を備える回略パターンを作成するこ
とが検討されている。ここでの「通常露光」とは、周期
パターン露光より解像度は低いが、任意のパターンで露
光することが可能な露光であり、代表的なものとして、
投影光学系によってマスクのパターンを投影することが
可能な投影露光が挙げられる。通常露光によって露光さ
れるパターンは、（以下通常露光パターンという）解像
度以下の微細なパターンを含んでおり、周期パターン露
光はこの微細なパターンと同線幅の周期パターンなどを
形成するものである。この周期パターン露光には、レベ
ンソン型の位相シフトマスクなどが用いられる。その１
例を図１に示す。図１の周期パターンと、図１の通
常露光パターンを同じ位置に露光し、その合成像である
微細なパターン図１を得ることが可能になる。このよ
うに、最終的に作成したいパターンは通常露光パターン
として露光するが、この通常露光パターンには解像度以
下のパターンを含んでいるため、同位置に高解像度の周
期パターンを露光することによって、その通常露光パタ
ーンの解像度を向上し、最終的に解像度以下の微細線を
含んだ、所望のパターンを作成することが出来るもので
ある。[0004] For this reason, recently, the exposure method and the exposure apparatus for performing double exposure of periodic pattern exposure and normal exposure on a substrate to be exposed (photosensitive substrate) have been proposed.
It has been studied to create a circuit pattern having a portion of 15 μm or less. The `` normal exposure '' here has lower resolution than the periodic pattern exposure, but is exposure that can be exposed in an arbitrary pattern.
Projection exposure capable of projecting a mask pattern by a projection optical system is used. The pattern exposed by the normal exposure includes a fine pattern having a resolution equal to or less than the resolution (hereinafter, referred to as a normal exposure pattern), and the periodic pattern exposure forms a periodic pattern having the same line width as the fine pattern. For this periodic pattern exposure, a Levenson-type phase shift mask or the like is used. Part 1
An example is shown in FIG. By exposing the periodic pattern of FIG. 1 and the normal exposure pattern of FIG. 1 at the same position, it becomes possible to obtain a fine pattern FIG. As described above, the pattern to be finally created is exposed as a normal exposure pattern.Since the normal exposure pattern includes a pattern having a resolution lower than that of the normal exposure pattern, the pattern is exposed by exposing a high-resolution periodic pattern to the same position. Normally, the resolution of the exposure pattern can be improved, and finally a desired pattern including fine lines having a resolution lower than the resolution can be formed.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した二
重露光においては、図１の通常露光パターンの解像度
を向上するために、図１の高解像度周期パターンを同
位置に露光する。この二重露光において、図１に示し
たパターンの微細線部分が図の周期方向と一致してい
る場合には特に問題は生じない。しかしながら、通常露
光パターンとして、図２に示したような微細線の方向が
混在したパターンの場合を例とすると、周期パターンの
周期方向と直交する方向の微細線は問題なく解像できる
が、この周期方向と同じ方向の微細線は解像することが
出来ない場合がある。ゲートパターン、Ｔゲートパター
ンと呼ばれるパターンを例に、ポジレジストを用いた場
合を想定し、図１、図２を用いて説明する。図では、周
期パターンはすべてパターンに光が透過し、位相が反転
しているものとする。この周期パターンは、周期数が２
以上のものとする。また、通常パターンは、周辺に光が
透過し、パターン部分を遮光された位相が一定のバイナ
リー振幅のものとする。In the above-mentioned double exposure, the high-resolution periodic pattern shown in FIG. 1 is exposed at the same position in order to improve the resolution of the normal exposure pattern shown in FIG. In this double exposure, if the fine line portion of the pattern shown in FIG. 1 coincides with the periodic direction in the drawing, no particular problem occurs. However, as a normal exposure pattern, when an example the case of a pattern of direction are mixed in the fine line as shown in FIG. 2, the periodic pattern
Direction of fine lines perpendicular to the periodic direction can resolve without problems, but the same direction of the fine line between the periodic direction may not be able to resolve. A case where a positive resist is used will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking patterns called a gate pattern and a T gate pattern as examples. In the drawing, it is assumed that light is transmitted through all the periodic patterns and the phases are inverted. This periodic pattern has a cycle number of 2
The above is assumed. In addition, the normal pattern has a constant binary amplitude in which light is transmitted to the periphery and the pattern portion is shielded from light.

【０００６】図１のようなパターンの場合は、図１の
通常露光パターンであるゲートパターンの微細線の方向
と、図１の周期パターンを構成するパターンの方向が
一致しているため、図１の通常露光パターンであるゲ
ートパターンの微細線の解像度を向上することが可能に
なる。次に、図２に示した、微細線に直交した微細線が
ついているＴゲートパターンの場合、微細線の方向が混
在している。このように、微細線の方向が混在している
パターンを作成する場合、図のような周期パターンを用
いると、周期方向と直交する微細線は解像するが、周期
方向と同じ方向の微細線は解像できない。したがって、
周期の方向が混在した場合、パターンの間隔Ａが解像度
以下になると、従来用いていた単純な周期パターンを用
いただけでは、図２のパターン間隔Ａの部分がくっつき
分離できない。このように、周期パターンと通常露光パ
ターンの二重露光を行う場合、通常パターンの形状が複
雑になると、従来用いていた単純な高解像度周期パター
ンでは、良好な像が得られない場合が生じる。特に、微
細線の方向が混在しているパターンに関しては、徒来の
方法で対応することは難しい。In the case of the pattern as shown in FIG. 1, the direction of the fine lines of the gate pattern which is the normal exposure pattern in FIG. 1 matches the direction of the pattern constituting the periodic pattern in FIG. Therefore, it is possible to improve the resolution of the fine line of the gate pattern which is the normal exposure pattern in FIG. Next, in the case of the T gate pattern shown in FIG. 2 having fine lines orthogonal to the fine lines, the directions of the fine lines are mixed. As described above, when a pattern in which the directions of fine lines are mixed is created, if a periodic pattern as shown in the figure is used, fine lines perpendicular to the periodic direction are resolved, but the periodic
Fine lines in the same direction cannot be resolved. Therefore,
In the case where the direction of the period is mixed, if the pattern interval A becomes smaller than the resolution, the pattern interval A in FIG. 2 cannot be separated by using only the simple periodic pattern conventionally used. As described above, when performing the double exposure of the periodic pattern and the normal exposure pattern, if the shape of the normal pattern is complicated, a good image may not be obtained with a simple high-resolution periodic pattern conventionally used. In particular, it is difficult to cope with a pattern in which the directions of fine lines are mixed by a conventional method.

【０００７】そこで、本発明は、上記した課題を解決
し、周期構造を有するパターンと通常露光パターンの多
重露光を行う場合において、周期構造を有するパターン
に光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことので
きるように工夫を施して、良好なパターンを得ることが
できる露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法を
提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and it is intended to correct a pattern distortion due to an optical proximity effect on a pattern having a periodic structure when performing multiple exposure of a pattern having a periodic structure and a normal exposure pattern. It is an object of the present invention to provide an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method capable of obtaining a good pattern by devising such a method.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、露光方法、露光装置、およびデバイス製
造方法を、つぎのように構成したことを特徴とするもの
である。すなわち、本発明の露光方法は、被露光基板に
対して第１のパターンによる露光と第２のパターンによ
る露光を含む多重露光を行う露光方法において、前記第
１のパターンは、微細線を解像するための周期構造を有
するパターンであって、該第１のパターンに前記第２の
パターンの露光における光近接効果によるパターン歪み
の補正を行うための前記（微細線を解像するための）周
期構造のない領域を形成したことを特徴としている。ま
た、本発明の露光方法は、前記第２のパターンは、ウエ
ハ面上の光強度分布が多値であることを特徴としてい
る。また、本発明の露光方法は、前記第２のパターン
は、設計パターンそのものか、それに近いものであるこ
とを特徴としている。また、本発明の露光方法は、前記
第１のパターンは、その光強度分布が設計パターンの形
状に近くなるような前記光近接効果によるパターン歪み
の補正を行うことを特徴としている。また、本発明の露
光方法は、前記第１のパターンと第２のパターンにおい
て、それらを露光した合成像の光強度分布が、設計パタ
ーンに近くなるように前記光近接効果によるパターン歪
みの補正を行うことを特徴としている。また、本発明の
露光方法は、前記第１のパターンの前記周期構造のない
領域に、部分的に線幅を太くした領域を形成して、前記
光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことを特徴
としている。また、本発明の露光方法は、前記第１のパ
ターンの前記周期構造のない領域において、前記第２の
パターンのうち該第１のパターンの周期の方向と直交し
ない方向の微細線と重なる領域に孤立線を形成し、該孤
立線の線幅を該第２のパターンの微細線の線幅よりも太
くすることを特徴としている。また、本発明の露光方法
は、前記孤立線は、第１のパターンにおける周期的部分
から作成される合成像の微細線と孤立線から作成される
合成像の微細線とが同じ線幅になるように、該孤立線の
線幅を最適化することを特徴としている。また、本発明
の露光方法は、前記第１のパターンの前記周期構造のな
い領域に、補正パターンを形成し、前記光近接効果によ
るパターン歪みの補正を行うことを特徴としている。ま
た、本発明の露光方法は、前記補正パターンは、前記第
１のパターンの前記周期構造のない領域に、前記第２の
パターンのうち該第１のパターンの前記周期構造の周期
の方向と同じ方向の微細線と重なるように形成された孤
立線において、該孤立線の短縮を見込んで所定の形状と
なるように形成されることを特徴としている。また、本
発明の露光方法は、第１のパターンにおいて、第２のパ
ターンの微細線の３倍以上太い線幅のパターンには遮光
部を設け、光量調節することを特徴としている。また、
本発明の露光方法は、前記第１のパターンは、該パター
ンの線幅の調整をすることにより、該第１のパターン全
体の光量バランスを調整することを特徴としている。ま
た、本発明の露光方法は、前記第１のパターンにおい
て、交差するパターンを用いる場合、その交点あるいは
交点近傍に遮光部を設けることを特徴としている。ま
た、本発明の露光方法は、前記第１のパターンにおい
て、Ｌ字型に直交するパターンを用いる場合、その交点
あるいは近傍に遮光部を設けることを特徴としている。
また、本発明の露光方法は、前記第１のパターンにおい
てＴ字型に直交するパターンを用いる場合、その交点あ
るいは近傍に遮光部を設けることを特徴としている。ま
た、本発明の露光方法は、前記第１のパターンは、周期
数２以上の周期パターンであって、レベンソン型位相シ
フトマスク、またはバイナリー型マスクのいずれかのマ
スクで構成されることを特徴としている。According to the present invention, in order to achieve the above object, an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method are configured as follows. That is, the exposure method according to the present invention is an exposure method for performing multiple exposure including exposure using a first pattern and exposure using a second pattern on a substrate to be exposed. a pattern having a periodic structure for the for correcting the pattern distortion due to the optical proximity effect in the exposure of the second pattern to the pattern of the first (for resolving fine lines) circumference
It is characterized by forming a region without a periodic structure . In the exposure method according to the present invention, the second pattern is characterized in that the light intensity distribution on the wafer surface is multi-valued. Further, the exposure method according to the present invention is characterized in that the second pattern is a design pattern itself or a design pattern itself. Further, the exposure method of the present invention is characterized in that the first pattern is subjected to pattern distortion correction by the optical proximity effect such that the light intensity distribution approaches the shape of the design pattern. Further, in the exposure method of the present invention, in the first pattern and the second pattern, the correction of the pattern distortion due to the optical proximity effect is performed so that the light intensity distribution of a composite image obtained by exposing the first pattern and the second pattern is close to a design pattern. It is characterized by performing. Further, in the exposure method of the present invention, a region where the line width is partially increased is formed in a region of the first pattern where the periodic structure does not exist, and the pattern distortion due to the optical proximity effect is corrected. It is characterized by performing. The exposure method of the present invention, in the above without periodic structure region of the first pattern, the region overlapping with the direction of fine lines not perpendicular to the direction of the period of the first pattern of the second pattern An isolated line is formed, and the line width of the isolated line is made larger than the line width of the fine line of the second pattern. In the exposure method according to the present invention, the isolated line has the same line width as a fine line of a composite image created from a periodic portion in the first pattern and a fine line of a composite image created from the isolated line. Thus, the feature is to optimize the line width of the isolated line. The exposure method of the present invention, it of the periodic structure of the first pattern
In this case , a correction pattern is formed in a region where the pattern distortion is corrected by the optical proximity effect. The exposure method of the present invention, the correction pattern, the region without the periodic structure of the first pattern, the same as the direction of the period of the periodic structure of the first pattern of the second pattern An isolated line formed so as to overlap a fine line in a direction is formed to have a predetermined shape in consideration of shortening of the isolated line. Further, the exposure method of the present invention is characterized in that, in the first pattern, a light shielding portion is provided for a pattern having a line width three times or more as large as the fine line of the second pattern, and the light amount is adjusted. Also,
The exposure method of the present invention is characterized in that the first pattern adjusts the light amount balance of the entire first pattern by adjusting the line width of the pattern. Further, the exposure method of the present invention is characterized in that, when an intersecting pattern is used in the first pattern, a light-shielding portion is provided at or near the intersection. Further, the exposure method of the present invention is characterized in that when a pattern orthogonal to an L-shape is used in the first pattern, a light-shielding portion is provided at or near the intersection.
Further, the exposure method of the present invention is characterized in that, when a pattern orthogonal to a T-shape is used in the first pattern, a light-shielding portion is provided at an intersection or in the vicinity thereof. Further, the exposure method of the present invention is characterized in that the first pattern is a periodic pattern having a cycle number of 2 or more, and is configured by one of a Levenson type phase shift mask and a binary type mask. I have.

【０００９】また、本発明の露光装置は、被露光基板に
対して第１のパターンによる露光と第２のパターンによ
る露光を含む多重露光を行う露光モードを有する露光装
置において、前記第１のパターンは、微細線を解像する
ための周期構造を有するパターンであって、該第１のパ
ターンが前記第２のパターンの露光における光近接効果
によるパターン歪みの補正を行うための前記周期構造の
ない領域を有していることを特徴としている。また、本
発明の露光装置は、前記第２のパターンは、ウエハ面上
の光強度分布が多値であることを特徴としている。ま
た、本発明の露光装置は、前記第２のパターンは、設計
パターンそのものか、それに近いものであることを特徴
としている。また、本発明の露光装置は、前記第１のパ
ターンは、その光強度分布が設計パターンの形状に近く
なるような前記光近接効果によるパターン歪みの補正を
行うように構成されていることを特徴としている。ま
た、本発明の露光装置は、前記第１のパターンと第２の
パターンにおいて、それらを露光した合成像の光強度分
布が、設計パターンに近くなるように前記光近接効果に
よるパターン歪みの補正を行うように構成されているこ
とを特徴としている。また、本発明の露光装置は、前記
第１のパターンの前記周期構造のない領域に、部分的に
線幅を太くした領域を有し、光近接効果によるパターン
歪みの補正を行う構成を備えていることを特徴としてい
る。また、本発明の露光装置は、前記第１のパターンの
前記周期構造のない領域において、前記第２のパターン
のうち該第１のパターンの前記周期構造の周期の方向と
直交しない方向の微細線と重なる領域に孤立線を有し、
該孤立線の線幅が該第２のパターンの微細線の線幅より
も太く形成されていることを特徴としている。また、本
発明の露光装置は、前記孤立線は、第１のパターンにお
ける周期的部分から作成される合成像の微細線と孤立線
から作成される合成像の微細線とが同じ線幅になるよう
に、該孤立線の線幅が最適化されていることを特徴とし
ている。また、本発明の露光装置は、前記第１のパター
ンの周期構造のない領域に、補正パターンを有し、前記
光近接効果によるパターン歪みの補正を行う構成を備え
ていることを特徴としている。また、本発明の露光装置
は、前記補正パターンは、前記第１のパターンの前記周
期構造のない領域に、前記第２のパターンのうち該第１
のパターンの前記周期構造の周期の方向と同じ方向の微
細線と重なるように形成された孤立線において、該孤立
線の短縮を見込んで所定の形状となるように形成されて
いることを特徴としている。また、本発明の露光装置
は、第１のパターンにおいて、第２のパターンの微細線
の３倍以上太い線幅のパターンには遮光部を設け、光量
調節するように構成したことを特徴としている。また、
本発明の露光装置は、前記第１のパターンは、該パター
ンの線幅の調整をすることにより、該第１のパターン全
体の光量バランスを調整することを特徴としている。ま
た、本発明の露光装置は、前記第１のパターンにおい
て、交差するパターンがある場合、その交点あるいは交
点近傍に遮光部を設けることを特徴としている。また、
本発明の露光装置は、前記第１のパターンにおいて、Ｌ
字型に直交するパターンがある場合、その交点あるいは
近傍に遮光部を設けるように構成したことを特徴として
いる。また、本発明の露光装置は、前記第１のパターン
においてＴ字型に直交するパターンがある場合、その交
点あるいは近傍に遮光部を設けるように構成したことを
特徴としている。また、本発明の露光装置は、前記第１
のパターンは、周期数２以上の周期パターンであって、
レベンソン型位相シフトマスク、またはバイナリー型マ
スクのいずれかのマスクで構成したことを特徴としてい
る。また、本発明のデバイス製造装置は、上記した本発
明のいずれかの露光方法または露光装置を用いて、デバ
イスを製造することを特徴としている。An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus having an exposure mode in which a substrate to be exposed is subjected to multiple exposure including exposure using a first pattern and exposure using a second pattern. Is a pattern having a periodic structure for resolving fine lines, wherein the first pattern has a periodic structure for correcting pattern distortion due to an optical proximity effect in exposure of the second pattern .
It is characterized by having no area . Also, the exposure apparatus of the present invention, the second pattern is characterized in that the light intensity distribution on the wafer surface is multi-valued. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that the second pattern is a design pattern itself or a design pattern itself. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that the first pattern is configured to correct the pattern distortion due to the optical proximity effect such that the light intensity distribution is close to the shape of the design pattern. And Further, the exposure apparatus of the present invention corrects pattern distortion due to the optical proximity effect in the first pattern and the second pattern such that the light intensity distribution of a composite image obtained by exposing the first pattern and the second pattern is close to a design pattern. Characterized in that it is configured to perform Further, the exposure apparatus of the present invention includes a configuration in which a region having a line width that is partially large is provided in a region of the first pattern that does not have the periodic structure , and a pattern distortion is corrected by an optical proximity effect. It is characterized by having. The exposure apparatus of the present invention, the first pattern
In the region without the periodic structure , the second pattern has an isolated line in a region overlapping a fine line in a direction not orthogonal to a direction of a period of the periodic structure of the first pattern,
The line width of the isolated line is formed to be larger than the line width of the fine line of the second pattern. In the exposure apparatus of the present invention, the isolated line has the same line width as a fine line of a composite image created from a periodic portion in the first pattern and a fine line of a composite image created from the isolated line. Thus, the feature is that the line width of the isolated line is optimized. Further, the exposure apparatus according to the present invention is characterized in that a correction pattern is provided in an area of the first pattern having no periodic structure , and the pattern distortion is corrected by the optical proximity effect. The exposure apparatus of the present invention, the correction pattern, the said circumferential <br/> life without structural region of the first pattern, said one of said second pattern
In an isolated line formed so as to overlap a fine line in the same direction as the direction of the period of the periodic structure of the pattern, the pattern is formed to have a predetermined shape in anticipation of shortening of the isolated line. I have. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that a light-shielding portion is provided for a pattern having a line width three times or more as large as a fine line of the second pattern in the first pattern, so that the light amount is adjusted. . Also,
The exposure apparatus of the present invention is characterized in that the first pattern adjusts the light amount balance of the entire first pattern by adjusting the line width of the pattern. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that when there is an intersecting pattern in the first pattern, a light-shielding portion is provided at the intersection or near the intersection. Also,
The exposure apparatus according to the present invention is characterized in that, in the first pattern, L
When there is a pattern orthogonal to the character shape, a light-shielding portion is provided at or near the intersection. Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that, when there is a pattern orthogonal to the T-shape in the first pattern, a light-shielding portion is provided at the intersection or in the vicinity thereof. Further, the exposure apparatus of the present invention includes the first
Is a periodic pattern having two or more periods,
It is characterized in that it is constituted by either a Levenson type phase shift mask or a binary type mask. Further, a device manufacturing apparatus of the present invention is characterized in that a device is manufactured by using any one of the above-described exposure methods or exposure apparatuses of the present invention.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】本発明は、上記したように、周期
パターンと通常露光パターンとで多重露光を行う場合に
おいて、単純な周期パターンに部分的に周期をくずした
工夫を加えることで、微細線の方向が混在しているパタ
ーンなどの複雑なパターンを作成する際においても、す
べての微細線を良好に再現することが可能となる。ここ
で、周期パターンに、周期をくずした工夫を加えること
によって、実際には周期構造のある部分とない部分で構
成されることになるが、便宜上、これも周期パターンと
呼ぶことにする。さらに、このような周期パターンの工
夫を行うことによって、特に解像度以下の微細なパター
ンを作成する場合に生じる、光近接効果によるパターン
歪みをなくすことが可能となる。多重露光を行うに際し
て、例えば、二重露光は、２つのパターンを同位置に露
光することによって解像度の向上を図るものであるた
め、ここで用いる周期パターンは、すべて通常露光パタ
ーンの形状に合わせて設計される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, in the case of performing multiple exposure using a periodic pattern and a normal exposure pattern, the present invention provides a fine pattern by adding a device in which a period is partially broken to a simple periodic pattern. Even when creating a complicated pattern such as a pattern in which the directions of the lines are mixed, it is possible to reproduce all the fine lines satisfactorily. Here, by adding a contrivance to the periodic pattern, the periodic pattern is actually composed of a part having a periodic structure and a part without the periodic structure. For convenience, this is also referred to as a periodic pattern. Further, by devising such a periodic pattern, it is possible to eliminate pattern distortion caused by the optical proximity effect, which is generated particularly when a fine pattern having a resolution or less is formed. When performing multiple exposure, for example, double exposure is intended to improve the resolution by exposing two patterns at the same position, so that the periodic patterns used here all conform to the shape of the normal exposure pattern. Designed.

【００１１】実施例の中でより具体的に述べるが、上記
した周期パターンヘの工夫は、とりわけ以下のように施
される。 ・通常露光パターンに対して、周期パターンの線幅を変
化させることによって、光近接効果によるパターン歪み
を補正する。 ・通常露光パターンに対して、周期パターンの形状を変
化させることによって、光近接効果によるパターン歪み
を補正する。 ・周期パターンの線幅は、微細線よりも３倍以上極端に
大きいパターンには遮光部を設け、光量を調整する。 ・周期パターンがＬ字に交わる場合、交点の強度集中を
のぞくために、Ｌ字交点近傍に遮光を設ける。 ・周期パターンがＴ字に交わる場合、交点の強度集中を
のぞくために、Ｔ字交点近傍に遮光を設ける。 上記の工夫を施した周期パターンを用いることによっ
て、微細線の方向が混在しているパターンにおいても光
近接効果によるパターン歪みを補正することが可能とな
り、良好な合成像を得ることが出来るのである。As will be described more specifically in the embodiments, the above-described contrivance on the periodic pattern is applied particularly as follows. The pattern distortion due to the optical proximity effect is corrected by changing the line width of the periodic pattern with respect to the normal exposure pattern. The pattern distortion due to the optical proximity effect is corrected by changing the shape of the periodic pattern with respect to the normal exposure pattern. A light-shielding portion is provided for a pattern in which the line width of the periodic pattern is at least three times as large as the fine line, and the light amount is adjusted. -When the periodic pattern intersects the L-shape, light is provided near the L-shape intersection in order to prevent the intensity concentration at the intersection. -When the periodic pattern intersects the T-shape, a light shield is provided near the T-shape intersection in order to prevent the intensity concentration at the intersection. By using the periodic pattern that has been devised as described above, it is possible to correct pattern distortion due to the optical proximity effect even in a pattern in which the directions of fine lines are mixed, and to obtain a good composite image. .

【００１２】[0012]

【実施例】二重露光手法を示すフローチャートを図３に
示す。周期パターン露光・通常露光・現像の各ブロック
の流れを示しているが、周期パターン露光と通常露光の
順序は図５の通りであってもその逆でもよく、また複数
回の露光段階を含む場合には、もちろん交互に行うこと
も可能である。また、各露光ステップ側には、精密な位
置合わせを行うステップが行われるが、この処理に関す
る詳細は省略する。本実施例は、波長２４８ｎｍのＫｒ
Ｆエキシマステッパーを用い、周期パターン露光・通常
露光の二重露光を行う際、周期パターンの工夫に関する
ものである。FIG. 3 is a flowchart showing the double exposure method. Although the flow of each block of periodic pattern exposure, normal exposure, and development is shown, the order of periodic pattern exposure and normal exposure may be as shown in FIG. 5 or vice versa, and when a plurality of exposure steps are included. Alternatively, of course, it is also possible to carry out alternately. Further, a step of performing precise alignment is performed on each exposure step side, but details regarding this processing are omitted. In this embodiment, Kr having a wavelength of 248 nm is used.
The present invention relates to a device for a periodic pattern when performing double exposure of a periodic pattern exposure and a normal exposure using an F excimer stepper.

【００１３】つぎに、二重露光の原理について説明す
る。二重露光は、通常露光と周期パターン露光を現像の
工程を介さないでおこなうものである。これは、レジス
トの露光しきい値以下で周期パターンを露光し、その
後、露光量が多値の分布を持つ通常露光をおこなうもの
である。通常露光の露光量は、露光パターン領域（露光
領域）の小領域ごとに異なる露光量分布を持ち、それぞ
れの露光量は、露光しきい値以上であっても以下であっ
てもよい。ここで言う露光量とは、すべて、レジスト上
の露光量を示している。Next, the principle of double exposure will be described. In the double exposure, the normal exposure and the periodic pattern exposure are performed without a developing step. In this method, a periodic pattern is exposed at an exposure threshold value or less of a resist, and thereafter, a normal exposure having an exposure amount having a multi-value distribution is performed. The exposure amount of the normal exposure has a different exposure amount distribution for each small region of the exposure pattern region (exposure region), and each exposure amount may be equal to or greater than or equal to an exposure threshold. All the exposure amounts mentioned here indicate the exposure amounts on the resist.

【００１４】露光により得られる回路パターン（リソグ
ラフィーパターン）として、図２１（２）または（３）
に示すいわゆるゲートパターンを例に説明する。図のゲ
ートパターンは横方向の最小線幅が０．１μｍであるの
に対して縦方向では、線幅は装置の通常露光による解像
力の範囲内である０．２μｍ以上である。二重露光法に
よれば、このような横方向のみの１次元方向にのみ高解
像度を求められる最小線幅パターンを持つ二次元パター
ンに対しては、例えば二光束干渉露光による周期パター
ン露光をかかる高解像度の必要な一次元方向のみでおこ
なう。FIG. 21 (2) or (3) shows a circuit pattern (lithography pattern) obtained by exposure.
A description will be given by taking the so-called gate pattern shown in FIG. In the illustrated gate pattern, the minimum line width in the horizontal direction is 0.1 μm, whereas in the vertical direction, the line width is 0.2 μm or more which is within the range of the resolving power by the normal exposure of the apparatus. According to the double exposure method, for such a two-dimensional pattern having a minimum line width pattern requiring high resolution only in the one-dimensional direction only in the horizontal direction, periodic pattern exposure by, for example, two-beam interference exposure is performed. Perform only in the one-dimensional direction that requires high resolution.

【００１５】図２０は各露光段階における露光量分布を
示している。図２０の図中に示される数値はレジストに
おける露光量を表すものである。図２０において、図２
０（１）は１次元方向のみに繰り返しパターンが生じる
周期的な露光パターンによる露光量分布である。パター
ン以外の露光量はゼロであり、パターン部分は１となっ
ている。図２０（２）は多値の通常露光による露光量分
布である。パターン以外の露光量はゼロであり、パター
ン部分は１と２の、ここでは２値の分布となっている。
これらの露光を現像の工程を介さないで二重露光をおこ
なうと、レジスト上にそれぞれの露光量の和の分布が生
じ、図２０（３）のような露光量分布となる。ここで、
レジストの感光しきい値が１から２の間にあるとき、１
より大きな部分が感光し、図２０（３）の図中、太線で
示されたようなパターンが現像により形成される。FIG. 20 shows an exposure amount distribution at each exposure stage. Numerical values shown in the diagram of FIG. 20 represent exposure amounts on the resist. In FIG. 20, FIG.
0 (1) is an exposure amount distribution by a periodic exposure pattern in which a repetitive pattern occurs only in one-dimensional direction. The exposure amount other than the pattern is zero, and the pattern part is 1. FIG. 20B shows an exposure amount distribution by multi-valued normal exposure. The exposure amount other than the pattern is zero, and the pattern portion has a distribution of 1 and 2, here a binary value.
If these exposures are performed by double exposure without going through the development process, a distribution of the sum of the respective exposure amounts is generated on the resist, and the exposure amount distribution is as shown in FIG. here,
When the exposure threshold of the resist is between 1 and 2, 1
A larger portion is exposed, and a pattern as shown by a thick line in FIG. 20 (3) is formed by development.

【００１６】即ち、太線で囲まれた外部にある、周期パ
ターン露光による露光パターンは、レジストの露光しき
い値以下であり、現像により消失する。通常露光の、レ
ジストの露光しきい値以下の露光量が分布する部分に関
しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パターン
の和が、レジストの露光しきい値以上となる部分が現像
により形成される。従って、通常露光と周期パターン露
光の各露光パターンの重なる、周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。通常露光の、レジストの露光しきい値以上の露光量
が分布する露光パターン領域に関しては、通常露光と周
期パターン露光の各露光パターンの重なる、通常露光の
露光パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成さ
れる。That is, the exposure pattern by the periodic pattern exposure, which is outside the area surrounded by the thick line, is equal to or less than the exposure threshold value of the resist and disappears by development. With respect to the portion where the exposure amount equal to or less than the exposure threshold value of the resist is distributed in the normal exposure, the portion where the sum of the respective exposure patterns of the normal exposure and the periodic pattern exposure is equal to or greater than the exposure threshold value of the resist is formed by development. You. Accordingly, an exposure pattern having the same resolution as the exposure pattern of the periodic pattern exposure, which overlaps the respective exposure patterns of the normal exposure and the periodic pattern exposure, is formed. In the exposure pattern area in which the exposure amount equal to or larger than the exposure threshold value of the resist is distributed in the normal exposure, an exposure pattern having the same resolution as the exposure pattern in the normal exposure is formed by overlapping the exposure patterns in the normal exposure and the periodic pattern exposure. Is done.

【００１７】図２１は図２０で示された露光量分布を形
成するためのパターンおよびマスクを示している。図２
１（１）は、高解像度の必要な一次元方向のみに繰り返
しパターンが生じるパターンおよびマスクであり、例え
ばレベンソン型位相シフトマスクによって実現が可能で
ある。レベンソン型位相シフトマスクの場合、図の白色
部分と灰色部分は位相が互いに反転し、位相反転の効果
により２光束干渉露光による高コントラストな周期的な
露光パターンが形成される。マスクは、レベンソン型位
相シフトマスクに限定されず、このような露光量分布を
形成するのであれば、どのようなものであってもよい。
この露光パターンの周期は０．２μｍとし、この露光パ
ターンはラインとスペースのそれぞれの線幅が０．１μ
ｍのラインアンドスペースパターンにより、図２０
（１）で示された露光量分布が形成される。FIG. 21 shows a pattern and a mask for forming the exposure dose distribution shown in FIG. FIG.
Reference numeral 1 (1) denotes a pattern and a mask in which a repetitive pattern is generated only in a one-dimensional direction that requires high resolution, and can be realized by, for example, a Levenson-type phase shift mask. In the case of the Levenson-type phase shift mask, the white portion and the gray portion in the figure have phases inverted from each other, and a high-contrast periodic exposure pattern is formed by two-beam interference exposure due to the phase inversion effect. The mask is not limited to the Levenson-type phase shift mask, and may be any mask as long as it forms such an exposure distribution.
The period of this exposure pattern is 0.2 μm, and the line width of each line of this exposure pattern is 0.1 μm.
20 by the line and space pattern of FIG.
The exposure distribution shown in (1) is formed.

【００１８】多値のパターンを形成するためのパターン
およびマスクは、最終的に形成したい回路パターンと相
似のパターンが描かれたマスクを用いる。この場合、図
２１（２）で示されたゲートパターンが描かれたマスク
を用いる。前述したようにゲートパターンの微細線から
なる部分は、通常の露光の解像度以下のパターンなの
で、レジスト上では、微細線の２本線部分は解像され
ず、強度の弱い一様な分布となるが、これに対して微細
線の両端のパターンは、装置の通常露光による解像力の
範囲内である線幅なので強度の高いパターンとして解像
される。従って、図２１（２）で示されたパターンおよ
びマスクを露光すると、図２０（２）で示された多値の
露光量分布が形成される。As a pattern and a mask for forming a multi-value pattern, a mask on which a pattern similar to a circuit pattern to be finally formed is drawn is used. In this case, a mask on which the gate pattern shown in FIG. 21B is drawn is used. As described above, the portion composed of the fine lines of the gate pattern is a pattern having a resolution lower than that of a normal exposure. Therefore, on the resist, the two line portions of the fine lines are not resolved, and have a uniform distribution with low intensity. On the other hand, the pattern at both ends of the fine line is resolved as a pattern having a high intensity because the line width is within the range of the resolving power by the normal exposure of the apparatus. Therefore, when the pattern and the mask shown in FIG. 21B are exposed, the multi-valued exposure amount distribution shown in FIG. 20B is formed.

【００１９】この例では、形成したいパターンが露光量
分布が光透過型のもので示したが、光遮光型のパターン
も、図２１（３）に示したようなマスクを用いれば可能
である。光遮光型のパターンは、パターン以外の部分に
光が透過し、パターン部分に光を遮光したマスクを用い
れることによって実現可能になる。光遮光型パターンの
場合、解像度以上のパターンは光を遮光し、露光量分布
がゼロになるのに対し、解像度以下の微細パターンは、
完全には遮光されず、パターン周辺の露光量分布の半分
の露光量が分布するので、多値の露光量分布が形成され
る。In this example, the pattern to be formed has a light transmission type light exposure distribution. However, a light shielding type pattern can be formed by using a mask as shown in FIG. The light-shielding type pattern can be realized by using a mask that transmits light to portions other than the pattern and shields light from the pattern portion. In the case of a light-shielding pattern, a pattern with a resolution higher than the resolution blocks light, and the exposure amount distribution becomes zero, whereas a fine pattern with a resolution lower than the resolution is
Since light is not completely shielded and an exposure amount that is half of the exposure amount distribution around the pattern is distributed, a multivalued exposure amount distribution is formed.

【００２０】以上により、二重露光の原理を簡単にまと
めると、 １．通常露光をしない領域にある最大露光量がレジスト
の露光しきい値以下の、周期パターン露光による露光パ
ターンは現像により消失する。 ２．レジストの露光しきい値以下の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。 ３．レジストの露光しきい値以上の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる通常露光の露光パターン
と同じ解像度を持つ露光パターンが形成される。From the above, the principle of double exposure is briefly summarized as follows. The exposure pattern by the periodic pattern exposure, in which the maximum exposure amount in the area where the normal exposure is not performed is equal to or less than the exposure threshold value of the resist, disappears by development. 2. An exposure pattern area (exposure area) for normal exposure in which an exposure amount equal to or less than the exposure threshold of the resist is supplied to the resist.
As for the exposure pattern, an exposure pattern having the same resolution as the exposure pattern of the periodic pattern exposure determined by the combination of each exposure pattern of the normal exposure and the periodic pattern exposure is formed. 3. An exposure pattern area (exposure area) for normal exposure in which an exposure amount equal to or more than the exposure threshold of the resist is supplied to the resist.
As for the exposure pattern, an exposure pattern having the same resolution as the exposure pattern of the normal exposure determined by the combination of each exposure pattern of the normal exposure and the periodic pattern exposure is formed.

【００２１】二重露光法の利点として、最も高い解像力
が要求される周期パターン露光を位相シフト形マスク等
を用いた２光束干渉露光でおこなえば、通常の投影露光
による周期パターンの結像に比べて、はるかに大きい焦
点深度が得られることが挙げられる。以上の説明では周
期パターン露光と通常露光の順番は、周期パターン露光
を先としたが、逆あるいは同時でもよい。An advantage of the double exposure method is that if the periodic pattern exposure requiring the highest resolution is performed by two-beam interference exposure using a phase shift mask or the like, the periodic pattern exposure can be performed as compared with the normal pattern exposure by projection exposure. Thus, a much larger depth of focus can be obtained. In the above description, the order of the periodic pattern exposure and the normal exposure is the order of the periodic pattern exposure, but may be reversed or simultaneous.

【００２２】［実施例１］ 実施例１においては、通常露光パターンに対して、周期
パターンの線幅を変化させることによって、光近接効果
によるパターン歪みを補正する場合を図４および図５を
用いて説明する。ここでは、図４（ａ）の光遮光部でパ
ターンを作成する場合を例として説明する。図５は、通
常露光パターンに合わせた周期パターンの作成手順を示
している。図４（ａ）は、実際に使用する周期パターン
と通常露光パターンを示しており、この２つのパターン
を合成することによって、最終的には図４（ａ）の通
常露光パターンと同じ形のパターンを得ることが目的で
ある。Embodiment 1 In Embodiment 1, a case where the pattern distortion due to the optical proximity effect is corrected by changing the line width of the periodic pattern with respect to the normal exposure pattern will be described with reference to FIGS. 4 and 5. Will be explained. Here, a case in which a pattern is created by the light shielding portion in FIG. 4A will be described as an example. FIG. 5 shows a procedure for creating a periodic pattern according to a normal exposure pattern. FIG. 4A shows an actually used periodic pattern and a normal exposure pattern. By combining these two patterns, a pattern having the same shape as the normal exposure pattern of FIG. The goal is to obtain

【００２３】図４（ａ）に示した通常露光パターンは、
縦方向の微細線が４本、横方向の微細線が２本存在して
いる。また、特に解像が難しい領域は、図中に示したよ
うに、パターン同志が解像度以下の間隔で接している部
分である。そこで、周期方向は、微細線が多く存在し、
解像が難しい領域を解像できる縦方向とする。このよう
に、微細線とパターン同志が解像度以下の間隔で接して
いる「解像が難しい領域」に着目し、それらが解像でき
るように周期パターンの配置を決定すると、周期パター
ン１に示した領域に周期パターンを配置することが必須
となる。この時、周期パターンの長さは、通常露光パタ
ーンの微細線の長さ以上とする。次に、周期パターンの
周期方向と同じ方向の微細線が存在する領域は大きなパ
ターンにし、周期パターンを配置しないようにする。な
ぜなら、ここに周期パターンを配置してしまうと、周期
方向と同じ方向の微細線にくびれが生じてしまうからで
ある。そして、この大きなパターンも含めて、隣り合う
パターン同志の位相が０・πと逆位相になるよう、周期
パターン２に示したように位相を設定する。The normal exposure pattern shown in FIG.
There are four vertical fine lines and two horizontal fine lines. In addition, a region where resolution is particularly difficult is a portion where patterns are in contact with each other at an interval equal to or less than the resolution as shown in the figure. Therefore, in the periodic direction, there are many fine lines,
The vertical direction in which resolution is difficult is defined as an area where resolution is difficult . In this way, focusing on the “regions where resolution is difficult” in which the fine lines and the patterns contact each other at intervals smaller than the resolution, and determining the arrangement of the periodic patterns so that they can be resolved, the periodic pattern 1 is shown. It is essential to arrange a periodic pattern in the area. At this time, the length of the periodic pattern is longer than the length of the fine line of the normal exposure pattern. Next, a region where a fine line in the same direction as the periodic direction of the periodic pattern exists is made a large pattern, and the periodic pattern is not arranged. Because if you place a periodic pattern here,
This is because constriction occurs in a fine line in the same direction as the direction. Then, the phase is set as shown in the periodic pattern 2 so that the phases of adjacent patterns including this large pattern are opposite in phase to 0 · π.

【００２４】さらに、周期方向と同じ方向の微細線と重
なる周期パターン領域をＣｒで遮光し、光が透過せず、
遮光の孤立線になるようにする。このように作成した周
期パターン３が最終的に用いる周期パターンとなる。こ
こでは光遮光部でパターンが形成されるため、周期方向
と同じ方向の微細線を解像するためにこの孤立線である
遮光部を設けるのである。ここでこの孤立線は、実際に
作成したい微細線の線幅よりも太くする必要がある。な
ぜなら、光の回り込みによって微細線が細くなったり断
線するなど、良好な微細線が作成できないからである。
したがって、微細線に対する光の回り込みを防ぐ目的な
どから、実際作成したいパターンの微細線の線幅が１Ｌ
の場合、１．５Ｌ〜３Ｌと若干太くした周期パターンを
用いることが必要である。このように、孤立線を太くし
た周期パターンを用いることで、二重露光後に周期構造
のある部分と孤立線の線幅が等しくなる。この孤立線の
線幅は、最終的に作成したい微細線の線幅によって、変
化する。つまり、二重露光を行う場合で、通常露光マス
ク上の周期と異なる方向の微細線と重なる周期パターン
の領域に孤立線を置く際、この孤立線の線幅を、微細線
の線幅より若干太くする光近接効果補正（ＯＰＣ）を行
うことで解像性を強めることができ、周期方向と異なる
微細線が存在するパターンでも良好な像を作成すること
が出来るのである。Further, the periodic pattern area overlapping with the fine line in the same direction as the periodic direction is shielded by Cr so that no light is transmitted,
Make it a shaded isolated line. The periodic pattern 3 created in this manner is a periodic pattern to be finally used. In this case, since the pattern is formed of a light shielding portion, the periodic direction
In order to resolve a fine line in the same direction as the above, a light shielding portion which is this isolated line is provided. Here, the isolated line needs to be thicker than the line width of the fine line to be actually created. This is because good fine lines cannot be created, for example, the fine lines are thinned or broken due to light wraparound.
Therefore, in order to prevent light from wrapping around the fine line, the line width of the fine line of the pattern to be actually created is 1 L.
In the case of (1), it is necessary to use a slightly thicker periodic pattern of 1.5 L to 3 L. As described above, by using the periodic pattern in which the isolated line is thickened, the line width of the portion having the periodic structure and the line width of the isolated line after double exposure become equal. The line width of the isolated line changes depending on the line width of a fine line to be finally created. That is, in the case of performing double exposure, when an isolated line is placed in a region of a periodic pattern overlapping a fine line in a direction different from the period on the normal exposure mask, the line width of the isolated line is slightly larger than the line width of the fine line. By performing the optical proximity correction (OPC) to increase the thickness, the resolution can be enhanced, and a good image can be created even in a pattern having fine lines different from the periodic direction.

【００２５】この効果は上記で説明した光遮光パターン
を作成する場合に限らず、図４（ｂ）で示したような光
透過部でパターンを作成する場合でも同様である。図４
（ｂ）で示した周期パターンと通常露光パターンを用い
るが、ここでも図４（ｂ）の周期パターンに置かれた孤
立線部分は、微細線よりも若干太くなっている。以上の
説明からも分かるように、通常露光パターンの微細線よ
り、周期パターンの線幅を変化させることによって、光
近接効果を補正することができ、良好な合成像を得るこ
とが可能となるのである。This effect is not limited to the case where the light-shielding pattern described above is created, but the same applies to the case where a pattern is created in the light-transmitting portion as shown in FIG. FIG.
Although the periodic pattern shown in FIG. 4B and the normal exposure pattern are used, the isolated line portion placed in the periodic pattern shown in FIG. 4B is slightly thicker than the fine line. As can be understood from the above description, by changing the line width of the periodic pattern from the fine lines of the normal exposure pattern, the optical proximity effect can be corrected, and a good composite image can be obtained. is there.

【００２６】［実施例２］ 本実施例２においては、通常露光パターンに対して、周
期パターンの形状を変化させることによって、光近接効
果によるパターン歪みを補正する場合について、図６を
用いて説明する。図６（ａ）は、実際に使用する周期パ
ターンと通常露光パターンを示しており、この２つのパ
ターンを合成することによって、最終的には図６（ａ）
のの通常露光パターンと同じ形のパターンを得ること
が目的である。本実施例１で述べた周期パターン（図４
）を用いる場合では、線幅やその他条件によって、通
常露光パターンの図６（ａ）ののＢの部分に、くびれ
が生じてしまう場合がある。そこで、本実施例２では、
このくびれの補正も含めた周期パターンについて説明す
る。基本的な周期パターンの作成手順は実施例１の通り
である。このＢの部分は、周期方向と同じ方向の微細線
と重なるように作成した遮光部と、周期パターンである
透過部の境界になっており、光の回り込みなどの影響に
よって、くびれが生じるのである。そこで、遮光部を図
６（ａ）のの周期パターンに示したような構成にし、
境界部に微細線の幅Ｌと同じ１Ｌ角の遮光部からなる補
助パターンを付けて遮光部を大きくし、光の回り込みを
防ぐことによって、このくびれを補正することが可能に
なる。[Embodiment 2] In Embodiment 2, a case where pattern distortion due to the optical proximity effect is corrected by changing the shape of a periodic pattern with respect to a normal exposure pattern will be described with reference to FIG. I do. FIG. 6A shows an actually used periodic pattern and a normal exposure pattern. By combining these two patterns, FIG.
The purpose is to obtain a pattern having the same shape as the normal exposure pattern of the above. The periodic pattern described in the first embodiment (FIG.
6), the constriction may occur in the portion B of the normal exposure pattern in FIG. 6A depending on the line width and other conditions. Therefore, in the second embodiment,
The periodic pattern including the constriction correction will be described. The basic procedure for creating a periodic pattern is as in the first embodiment. The portion B is a boundary between a light shielding portion formed so as to overlap a fine line in the same direction as the periodic direction and a transmitting portion which is a periodic pattern, and constriction occurs due to the influence of light wraparound. . Therefore, the light shielding portion is configured as shown in the periodic pattern of FIG.
This constriction can be corrected by attaching an auxiliary pattern consisting of a light-shielding portion having the same 1 L angle as the width L of the fine line to the boundary portion to enlarge the light-shielding portion and to prevent light from flowing around.

【００２７】図７には、本実施例２および実施例１のパ
ターンを用いたシミュレーション結果を示す。図７
は、実施例１で示したくびれ補正を行う前の合成像であ
り、図７は本実施例２で述べた通り、くびれ補正を行
うための遮光部からなる補助パターンをつけた場合の、
二重露光後の合成像を示したものである。点線は欲しい
パターンの配置図で、実線はシミュレーションによって
得られた光強度分布である。このシミュレーション結果
からも、解像が難しい領域を解像している上、くびれを
防止する補助パターンを付けた図６（ａ）のの周期パ
ターンを用いることによって、周期方向と同じ方向の微
細線が存在する図６（ａ）のの通常露光パターンと合
成する場合においても、より良好な再現が得られている
ことを確認できる。勿論、くびれを補正するための補助
パターンの形状はここに記したものには限らない。つま
り、二重露光を行う場合で、通常露光マスク上の周期方
向と直交しない方向の微細線と重なる周期パターンの領
域に孤立線を置く際、この孤立線の光近接効果による短
縮を見込んで、あらかじめ所定の形状になるよう、孤立
線の形状を部分的に広げることで、最終的に得られる合
成像の形状を良好に再現することが可能となる。FIG. 7 shows simulation results using the patterns of the second embodiment and the first embodiment. FIG.
FIG. 7 is a composite image before performing the necking correction shown in the first embodiment. FIG. 7 shows the case where an auxiliary pattern including a light-shielding portion for performing the necking correction is attached as described in the second embodiment.
It shows a composite image after double exposure. The dotted line is the layout of the desired pattern, and the solid line is the light intensity distribution obtained by simulation. According to this simulation result, the fine line in the same direction as the periodic direction can be obtained by using the periodic pattern of FIG. 6A in which an area difficult to resolve is resolved and an auxiliary pattern for preventing necking is used. It can be confirmed that even in the case of combining with the normal exposure pattern of FIG. Of course, the shape of the auxiliary pattern for correcting the constriction is not limited to that described here. In other words, in the case of performing double exposure, when placing an isolated line in a region of a periodic pattern that overlaps a fine line in a direction that is not orthogonal to the periodic direction on the normal exposure mask, in consideration of shortening of the isolated line due to the optical proximity effect, By partially expanding the shape of the isolated line so as to have a predetermined shape in advance, it becomes possible to satisfactorily reproduce the shape of the finally obtained composite image.

【００２８】この効果は上記で説明した光遮光パターン
を作成する場合に限らず、図６（ｂ）で示したような光
透過部でパターンを作成する場合でも同様である。図６
（ｂ）で示した周期パターンと通常露光パターンを用い
るが、ここでも図６（ｂ）のの周期パターンに置かれ
た孤立線の光近接効果による短縮を見込んで、あらかじ
め所定の形状になるよう、孤立線の形状を部分的に広げ
ることで、最終的に得られる合成像の形状を良好に再現
することが可能となる。このように、周期構造を特たな
い領域を部分的に形状を変化させた周期パターンを用い
ることで、光の回り込みによる光近接効果を補正するこ
とが出来、最終的に得られる合成像の形状を向上するこ
とが出来るのである。This effect is not limited to the case where the light-shielding pattern described above is formed, but is also the same when the pattern is formed by the light transmitting portion as shown in FIG. 6B. FIG.
The periodic pattern shown in FIG. 6B and the normal exposure pattern are used. In this case, too, the isolated line placed in the periodic pattern shown in FIG. By partially expanding the shape of the isolated line, the shape of the finally obtained composite image can be satisfactorily reproduced. In this way, by using a periodic pattern in which the shape of a region having no particular periodic structure is partially changed, the optical proximity effect due to light wraparound can be corrected, and the shape of the finally obtained composite image can be corrected. Can be improved.

【００２９】［実施例３］ 実施例３は、周期パターンに遮光部を設け、所望のパタ
ーンのみが得られるよう光量を調整するもので、光透過
部でパターンを作成するＴゲートパターンの場合を例
に、図８を用いて説明する。図８（ａ）は、図２のＴゲ
ートパターンの一部分を抜きだしたものである。最終的
には図８（ａ）のの通常露光パターンと同じ形のパタ
ーンを得ることが目的である。図８（ａ）のに示した
パターンを通常露光パターンとして二重露光を行う際、
ここで、微細線に着目し、この微細線を良好に再現する
ために、実施例１の考え方で周期パターンを作成する
と、図８（ａ）のの周期パターン１のようなものを使
用する必要がある。ここで注意が必要なことは、周期パ
ターンの中央部は隣り合う位相が反転していれば、微細
線は作成することが可能である。しかし、光透過部でパ
ターンを作成するため、この中央部のパターンが大きす
ぎると、中央部の光量が微細線の光量よりも多くなり、
二重露光の合成像を作成すると、中央部のパターンも残
ってしまうため、所望の微細線だけを得ることが出来な
くなることである。そこで、本実施例３のように、図８
（ａ）のの周期パターン２に示したように、大きなパ
ターンの一部を遮光し、周期パターンを微細線で構成す
ることによって、全体の光量をそろえなくてはならな
い。ただし、隣り合う位相は反転させ、なおかつ大きな
パターンの線幅を微細線と同じ程度に細くするため、図
８（ａ）のの周期パターン２のようなパターンを用い
る必要がある。つまり、光透過部でパターンを作成する
際、設計パターン以外の領域に、微細線よりも太い線幅
のパターンがある場合、この太い線幅のパターンに遮光
部を設け、微細線の光量と一致するように周期パターン
に工夫をすることが必要になるのである。さらに、太い
線幅のパターンをなくす事で、光量バランスをそろえる
事に加え、位相シフトマスクの効果も高める事ができ、
より良い再現が得られるのである。この効果は上記で説
明した光透過パターンを作成する場合に限らず、図８
（ｂ）で示したような光遮光部でパターンを作成する場
合でも同様である。図８（ｂ）で示した周期パターンと
通常露光パターンを用いるが、ここでも微細線よりも太
い線幅のパターンがある場合、この太い線幅のパターン
に遮光部を設け、微細線の光量と一致するように周期パ
ターンに工夫をすることが必要になるのである。但し、
図８（ｂ）の内Ｃと記載した線幅は、微細線よりも
１．５〜３倍程度太くする必要がある。それはこのＣの
領域がある程度広くないと、孤立線の像性能に影響を及
ぼすからである。図８（ａ）は光透過部でパターンを作
成するため、パターン部である光透過領域と周辺部の遮
光領域で生じる強度０の効果で微細線を形成することに
なる。したがって、太い線幅のパターンに遮光部を設
け、その遮光部を広くとることで周辺部は強度０に近づ
ける必要がある。一方、図８（ｂ）は光遮光部でパター
ンを作成するため、パターン部である遮光領域と周辺部
の透過領域で生じる強度０の効果で微細線を形成するこ
とになる。したがって、太い線幅のパターンに遮光部を
設け、その周辺部の光透過領域を図８（ａ）の場合より
も広くとることで、周辺部は強度を１に近づけるように
する必要がある。以上のように、最適な線幅は場合によ
って異なるが、周期パターン全体の光量バランスをそろ
えるため、周期パターンを微細線をＬとした時３Ｌ以下
の線幅のパターンで構成することによって、周期パター
ン全体の線幅が一定になるため、図８のの周期パター
ンと図８の通常露光パターンとの合成によって、周期
と異なる方向の微細線が存在するパターンでもさらに良
好な再現を得ることができる。[Embodiment 3] In Embodiment 3, a light-shielding portion is provided in a periodic pattern to adjust the amount of light so that only a desired pattern is obtained. An example will be described with reference to FIG. FIG. 8A shows a part of the T gate pattern shown in FIG. Finally, the purpose is to obtain a pattern having the same shape as the normal exposure pattern shown in FIG. When performing double exposure using the pattern shown in FIG. 8A as a normal exposure pattern,
Here, paying attention to the fine line and creating a periodic pattern based on the concept of the first embodiment in order to reproduce the fine line satisfactorily, it is necessary to use a periodic pattern like the periodic pattern 1 in FIG. There is. Here, it should be noted that a fine line can be created in the central part of the periodic pattern as long as adjacent phases are inverted. However, since the pattern is created in the light transmitting portion, if the pattern at the central portion is too large, the light amount at the central portion becomes larger than the light amount of the fine line,
When a double-exposure composite image is created, the pattern at the center also remains, so that only a desired fine line cannot be obtained. Therefore, as in the third embodiment, FIG.
As shown in the periodic pattern 2 of (a), a part of the large pattern is shielded from light, and the periodic pattern is composed of fine lines, so that the entire amount of light must be uniform. However, it is necessary to use a pattern such as the periodic pattern 2 in FIG. 8A in order to invert adjacent phases and to make the line width of a large pattern as thin as a fine line. In other words, when creating a pattern in the light transmitting part, if there is a pattern with a line width larger than the fine line in an area other than the design pattern, a light shielding part is provided in this thick line width pattern and the light amount matches the fine line. Therefore, it is necessary to devise a periodic pattern. Furthermore, by eliminating the pattern with a thick line width, in addition to balancing the light amount, the effect of the phase shift mask can be enhanced.
Better reproduction is obtained. This effect is not limited to the case where the light transmission pattern described above is created,
The same applies to the case where a pattern is created with a light shielding portion as shown in FIG. The periodic pattern and the normal exposure pattern shown in FIG. 8B are used. In this case, when there is a pattern having a line width larger than the fine line, a light shielding portion is provided in the pattern having the larger line width to reduce the light amount of the fine line. It is necessary to devise a periodic pattern so that they match. However,
The line width indicated by C in FIG. 8B needs to be about 1.5 to 3 times larger than the fine line. This is because if the area of C is not large to some extent, the image performance of isolated lines is affected. In FIG. 8A, since a pattern is formed in the light transmitting portion, a fine line is formed by the effect of intensity 0 generated in the light transmitting region as the pattern portion and the light shielding region in the peripheral portion. Therefore, it is necessary to provide a light-shielding portion in a pattern with a large line width and make the peripheral portion close to zero in intensity by increasing the light-shielding portion. On the other hand, in FIG. 8B, since the pattern is formed by the light shielding portion, a fine line is formed by the effect of intensity 0 generated in the light shielding region as the pattern portion and the transmission region in the peripheral portion. Therefore, it is necessary to provide a light-shielding portion in a pattern having a large line width and make the light-transmitting region in the peripheral portion wider than that in the case of FIG. As described above, the optimum line width varies depending on the case. However, in order to balance the light quantity of the entire periodic pattern, the periodic pattern is formed by a pattern having a line width of 3 L or less when the fine line is L. Since the entire line width is constant, even better patterns can be obtained by combining the periodic pattern in FIG. 8 and the normal exposure pattern in FIG.

【００３０】［実施例４］ 本実施例４は、周期パターンに遮光部を設けることで、
周期パターン全体の光量を調整するもので、光遮光部で
パターンを作成する場合を例に、図９を用いて説明す
る。最終的には図９の通常露光パターンと同じ形のパ
ターンを得ることが目的である。この通常露光パターン
はピッチがずれているため、連続した周期パターンを用
いることが出来ない場合を例としている。図９に示し
たパターンを通常露光パターンとして二重露光を行う
際、ここで、微細線に着目し、この微細線を良好に再現
できるよう位相を配置したものが図９の周期パターン
である。[Embodiment 4] In Embodiment 4, a light-shielding portion is provided in a periodic pattern.
FIG. 9 illustrates an example in which the light amount of the entire periodic pattern is adjusted, and a pattern is created by a light shielding unit. Finally, the purpose is to obtain a pattern having the same shape as the normal exposure pattern in FIG. Since the pitch of the normal exposure pattern is shifted, a case where a continuous periodic pattern cannot be used is taken as an example. When performing double exposure using the pattern shown in FIG. 9 as a normal exposure pattern, attention is paid here to fine lines, and the periodic patterns shown in FIG. 9 are arranged so that the fine lines can be reproduced well.

【００３１】ここで注意が必要なことは、微細線を作成
するために、となりあう周期パターンの位相が反転する
必要があるが、その点では、図９の２つの周期パター
ンは同じ構成である。しかし、周期パターン１では、中
央の位相０のパターンの線幅だけが太くなっており、こ
の部分のみ光が多く透過してしまう。そのため、微細線
とこの太いパターンとの光量が大きく変わってしまうこ
とにより、合成像に悪影響を及ぼす可能性がある。そこ
で、周期パターン２のように、二重露光で用いる周期パ
ターンはすべて同じ線幅で構成するために周期パターン
の線幅が太い領域に遮光部を設けることで、周期パター
ン全体の光量のバランスを調整することが出来、二重露
光において良好な合成像を得ることが出来るのである。
さらに、位相シフトの効果を高めることができるのであ
る。It should be noted that the phases of adjacent periodic patterns need to be inverted in order to form a fine line. In that respect, the two periodic patterns in FIG. 9 have the same configuration. . However, in the periodic pattern 1, only the line width of the central phase 0 pattern is thick, and only this portion transmits much light. For this reason, the amount of light between the fine lines and the thick pattern may change significantly, which may adversely affect the synthesized image. Therefore, as in the case of the periodic pattern 2, since the periodic patterns used in the double exposure are all configured with the same line width, a light shielding portion is provided in an area where the line width of the periodic pattern is large, so that the balance of the light amount of the entire periodic pattern can be balanced. It can be adjusted and a good composite image can be obtained by double exposure.
Further, the effect of the phase shift can be enhanced.

【００３２】［実施例５］ 本実施例５は、周期パターンに遮光部を設けることで、
周期パターン全体の光量を調整するもので、光透過部で
パターンを作成する場合を例に、図１０を用いて説明す
る。最終的に作成したいパターンは図１０に示したパ
ターンである。図１０に示したパターンを通常露光パ
ターンとして二重露光を行う際、ここで、微細線に着目
し、この微細線を良好に再現できるよう位相を配置した
ものが図１０の周期パターンである。[Embodiment 5] In Embodiment 5, a light-shielding portion is provided in a periodic pattern.
FIG. 10 illustrates an example in which the light amount of the entire periodic pattern is adjusted, and a pattern is created by a light transmitting portion, as an example. The pattern to be finally created is the pattern shown in FIG. When performing double exposure using the pattern shown in FIG. 10 as a normal exposure pattern, attention is paid here to fine lines, and the periodic pattern in FIG. 10 is such that the phases are arranged so that the fine lines can be reproduced well.

【００３３】ここで注意が必要なことは、微細線を作成
するために、となりあう周期パターンの位相が反転させ
ることからは、図１０の周期パターン１と周期パター
ンは同じである。しかし、周期パターン１では、斜め線
の領域が太くなっており、この部分のみ光が多く透過し
てしまう。そのため、微細線とこの太いパターンとの光
量が大きく変わってしまうことにより、合成像に悪影響
を及ぼす可能性がある。特に、光透過部でパターンを作
成する場合においては、線幅が太い領域は光が多く透過
するため、本来必要でない部分もパターンとして残って
しまうのである。そこで、周期パターン２のように、二
重露光で用いる周期パターンはすべて同じ線幅で構成す
るために周期パターンの線幅が太い領域に遮光部を設け
ることで、周期パターン全体の光量のバランスを調整す
ることが出来、二重露光において良好な合成像を得るこ
とが出来るのである。It should be noted that the periodic pattern 1 and the periodic pattern in FIG. 10 are the same because the phases of the adjacent periodic patterns are inverted in order to form a fine line. However, in the periodic pattern 1, the oblique line area is thick, and only a large amount of light passes through this area. For this reason, the amount of light between the fine lines and the thick pattern may change significantly, which may adversely affect the synthesized image. In particular, when a pattern is created in the light transmitting portion, a region having a large line width transmits a large amount of light, and a portion that is not originally required remains as a pattern. Therefore, as in the case of the periodic pattern 2, since the periodic patterns used in the double exposure are all configured with the same line width, a light shielding portion is provided in an area where the line width of the periodic pattern is large, so that the balance of the light amount of the entire periodic pattern can be balanced. It can be adjusted and a good composite image can be obtained by double exposure.

【００３４】［実施例６］ 本実施例６では、微細線が縦横に存在する別のパターン
例について説明する。最終的には図１１の通常露光パ
ターンと同じ形のパターンを得ることが目的である。こ
の図１１の通常露光パターンは、縦方向にも横方向に
も微細線が存在し、その微細線の間隔は解像度以下であ
る。このようなパターンを作成するためには、図１１の
に示したような周期パターンを用いる必要がある。こ
の周期パターンは、通常露光パターンにおける解像度以
下の微細線の領域および隣り合うパターンの間隔が解像
度以下の領域を含んでいる必要がある。本実施例６のパ
ターンの場合は、通常露光パターンはすべて微細線領域
および解像度以下の間隔でパターンが隣接されている領
域であるため、周期パターンの領域は通常露光パターン
と同じ領域以上にする。Sixth Embodiment In a sixth embodiment, another pattern example in which fine lines exist vertically and horizontally will be described. Finally, the purpose is to obtain a pattern having the same shape as the normal exposure pattern in FIG. In the normal exposure pattern shown in FIG. 11, fine lines exist both in the vertical and horizontal directions, and the interval between the fine lines is equal to or less than the resolution. In order to create such a pattern, it is necessary to use a periodic pattern as shown in FIG. This periodic pattern needs to include a region of a fine line having a resolution equal to or less than the resolution in the normal exposure pattern and a region where the interval between adjacent patterns is smaller than the resolution. In the case of the pattern of the sixth embodiment, the normal exposure pattern is a fine line region and a region where patterns are adjacent at intervals smaller than the resolution. Therefore, the region of the periodic pattern is equal to or larger than the same region as the normal exposure pattern.

【００３５】ここで、図１１左側の周期パターン１
は、図１１の通常露光パターンの微細線を解像するよ
う、微細線部分にエッジを重ね、解像の向上を行うこと
をねらいとした。図１２は、図１１に示した周期パター
ン１・周期パターン２と各周期パターンと通常露光パタ
ーンの合成像のシミュレーション結果を示したものであ
る。点線は実際に作成したいパターンであり、実線はシ
ミュレーションによって計算した合成像の光強度分布で
ある。この図１２のシミュレーション結果をみると、
図１１の周期パターン１の光強度分布は、直交する微
細線にうねりを生じており、図１２の二重露光後の像
にもこのうねりがはっきり分かる。このうねりは断線の
原因となるため、実用的には好ましくない。そこで、こ
の微細線のうねりをなくすため、図１１右側の周期パ
ターン２のように、エッジを形成している光透過部の一
部を図のように遮光した周期パターンを用いることによ
って、図１２，に示したように、微細線のうねりを
排除した良好な像を得ることができた。Here, the periodic pattern 1 on the left side of FIG.
Aims to improve the resolution by overlapping edges on the fine line portion so as to resolve the fine line of the normal exposure pattern in FIG. FIG. 12 shows a simulation result of a composite image of the periodic pattern 1 and the periodic pattern 2 shown in FIG. 11, each periodic pattern, and a normal exposure pattern. The dotted line is the pattern that one actually wants to create, and the solid line is the light intensity distribution of the composite image calculated by simulation. Looking at the simulation result of FIG. 12,
In the light intensity distribution of the periodic pattern 1 in FIG. 11, undulations are generated in orthogonal fine lines, and the undulations are clearly seen in the image after the double exposure in FIG. Since this undulation causes disconnection, it is not practically preferable. In order to eliminate the undulation of the fine lines, a periodic pattern in which a part of the light transmitting portion forming the edge is shielded as shown in FIG. As shown in (1) and (2), a good image in which the undulation of fine lines was eliminated was obtained.

【００３６】この周期パターンの効果について、図１３
を用いて説明する。このようなパターンでは、位相反転
によるエッジ効果を用いて、微細線を形成することを目
的としている。図１３周期パターン１の場合、Ｌ字の角
に着目すると、逆位相によるエッジ効果がＡとＢ、Ｂと
Ｃ、ＢとＤ間で生じる。他の部分ではＡとＢあるいはＢ
とＤ間で起こるのと同様の方向にエッジ効果が生じるが
Ｌ字角の部分では、ＢとＣの斜め方向の効果も加わるた
め、位相反転によるエッジ効果がＬ字の角だけ二重に起
こり強度が集中するため、微細線にうねりが生じるので
ある。一方、図１３の周期パターン２は、エッジを形成
している光透過部の一部を遮光している場合であり、こ
の場合のＬ字角は、ＡとＢ、ＢとＤ間に生じる、光透過
部と遮光部のエッジ効果を用いて作成している。そし
て、周期パターン１で強度集中の原因となった、斜め方
向に生じるエッジ効果はなくなるため、うねりを排除す
ることができるのである。FIG. 13 shows the effect of this periodic pattern.
This will be described with reference to FIG. The purpose of such a pattern is to form a fine line by using an edge effect by phase inversion. In the case of the periodic pattern 1 in FIG. 13, focusing on the L-shaped corner, an edge effect due to the opposite phase occurs between A and B, B and C, and B and D. A and B or B in other parts
Edge effect occurs in the same direction as that between D and D, but in the L-shaped portion, the effect in the diagonal direction of B and C is also added, so that the edge effect due to phase inversion occurs double at the L-shaped corner. Since the strength is concentrated, undulations occur in the fine lines. On the other hand, the periodic pattern 2 in FIG. 13 is a case where a part of the light transmitting portion forming the edge is shielded. In this case, the L-shaped angle is generated between A and B and between B and D. It is created using the edge effect of the light transmitting part and the light shielding part. Since the edge effect that occurs in the oblique direction, which causes the intensity concentration in the periodic pattern 1, is eliminated, the undulation can be eliminated.

【００３７】実際に通常露光パターンと重なるエッジは
図１１の中央２本であるがその周辺に１本づつエッジ
を追加することで、微細線の解像度を向上するだけでな
く、微細線の端についている四角いコンタクトホール接
続部のパターンを良好に解像することが出来る。以上の
ように、並列して配置されたＬ字の微細線を解像するた
めには、Ｌ字の位相シフトマスクエッジ型を用い、かつ
そのＬ字の交点近傍はＣｒで遮光し、強度の集中をのぞ
くことによって、良好な合成像を得ることが出来るので
ある。この場合、エッジ型に限らず、パターン線幅は周
期のピッチを２Ｌとすると、０＜周期パターン線幅≦２
Ｌであれば良い。したがって、図１４に示したレベンソ
ン型のパターンを用いてもこのＬ型のパターンは作成で
き、この場合も同じく、Ｌ字の交点近傍をＣｒで遮光
し、強度の集中をのぞくことによって、良好な合成像を
得ることが出来るのである。Actually, the edges overlapping with the normal exposure pattern are two in the center of FIG. 11, but adding one edge to the periphery thereof not only improves the resolution of the fine line, but also improves the edge of the fine line. The pattern of the square contact hole connection can be satisfactorily resolved. As described above, in order to resolve the L-shaped fine lines arranged in parallel, an L-shaped phase shift mask edge type is used. By removing the concentration, a good composite image can be obtained. In this case, the pattern line width is not limited to the edge type, and if the pitch of the period is 2L, 0 <period pattern line width ≦ 2
L is sufficient. Therefore, this L-shaped pattern can be created even by using the Levenson-type pattern shown in FIG. 14, and in this case as well, the vicinity of the intersection of the L-shape is shielded from light by Cr, and good intensity is prevented. A composite image can be obtained.

【００３８】［実施例７］ 本実施例７では、微細線が縦横に存在し、Ｔ字に接して
いるパターン例であって、光透過部でパターンを作成す
る場合を例に、図１５を用いて説明する。最終的には図
１５の通常露光パターンと同じ形のパターンを得るこ
とが目的である。この図１５の通常露光パターンは、
縦方向にも横方向にも微細線が存在し、解像度以下の間
隔で隣接している。このようなパターンを作成するため
には、図１５のに示したような周期パターンを用いる
必要がある。実施例１と同様に、図１５周期パターン
１では１方向の周期パターンを用い、この周期パターン
の周期方向と同じ方向の微細線に関しては孤立線を設け
ている。ここで、図１５周期パターン１は、図１５
の通常露光パターンの微細線を解像するよう、微細線部
分に周期パターンを重ね、解像の向上を行うことをねら
いとした。[Embodiment 7] This embodiment 7 is an example of a pattern in which fine lines are present vertically and horizontally and is in contact with a T-shape. It will be described using FIG. Finally, the purpose is to obtain a pattern having the same shape as the normal exposure pattern in FIG. The normal exposure pattern of FIG.
Fine lines exist both in the vertical and horizontal directions, and are adjacent to each other at an interval equal to or less than the resolution. In order to create such a pattern, it is necessary to use a periodic pattern as shown in FIG. As in Example 1, using a periodic pattern of Figure 15 periodic pattern 1, one direction, the periodic pattern
An isolated line is provided for a fine line in the same direction as the periodic direction of (1 ). Here, the periodic pattern 1 in FIG.
The aim is to improve the resolution by superimposing a periodic pattern on the fine line portion so as to resolve the fine line of the normal exposure pattern.

【００３９】ここで、図１６に図１５に示した周期パタ
ーン１・周期パターン２と各周期パターンと通常露光パ
ターンの合成像のシミュレーション結果を示したもので
ある。それぞれ、上から周期パターン・通常露光パター
ン・二重露光後の合成像の光強度分布であり、点線は実
際に作成したいパターンであり、実線はシミュレーショ
ンによって計算したものである。このシミュレーション
結果をみると、図１６の周期パターンの光強度分布を
見ると、Ｔ字が交わる部分に光強度の集中が起こり、設
計値よりもかなり太いパターンになっていることが分か
る。そのため、合成像においても、Ｔ字が交わる部分が
大きくなっている。そこで、図１５の周期パターン２の
ように、Ｔ字の付け根に遮光部を設けることで、良好な
再現を得ることが出来る。その結果を図１６に示す。
図１６の周期パターンが異なるシミュレーション結
果を比較すると、図１６の方がＴ字の丸みがなくな
り、良好な像が得られていることが分かる。FIG. 16 shows a simulation result of a composite image of the periodic pattern 1 and the periodic pattern 2 shown in FIG. 15, each periodic pattern and a normal exposure pattern. Each is a light intensity distribution of a periodic pattern, a normal exposure pattern, and a composite image after double exposure from the top. The dotted line is a pattern to be actually created, and the solid line is calculated by simulation. Looking at this simulation result, it can be seen from the light intensity distribution of the periodic pattern in FIG. 16 that the light intensity is concentrated at the portion where the T-shaped crosses, and that the pattern is considerably thicker than the design value. Therefore, even in the composite image, the portion where the T-shaped crosses is large. Therefore, a good reproduction can be obtained by providing a light shielding portion at the base of the T-shape as in the periodic pattern 2 in FIG. FIG. 16 shows the result.
Comparing the simulation results with different periodic patterns in FIG. 16, it can be seen that in FIG. 16, the T-shaped roundness is eliminated and a good image is obtained.

【００４０】また、周期パターン３のようにＴ字の交点
に遮光部を設けても良い。この場合は、図１６の周期
パターンではＴ字の交点部がへこむが、通常露光パター
ンは丸みを帯びているため、二重露光を行うことで、図
１６の合成像におけるＴ字の接点部の再現が良好にな
るのである。図１６ともに、合成像のＴ字接点部の
微細線は、左側にふくらんでいるが、周期パターン３を
用いることで、このＴ字接点部のふくらみを排除するこ
とが出来るのである。また、この場合は、周期パターン
を所定の形状にするだけでなく、通常パターンを補正す
る＋のような過補正の周期パターンでも良い。この
ようにすることで、周期パターンの光強度分布は所定の
形状から多少ずれていたとしても、二重露光後の合成像
を所定の形状にすることが出来るのである。このよう
に、Ｔ字の付け根に遮光部を設ける、またはＴ字の交点
に遮光部を設けることで、Ｔ字の接点部の再現を良好に
することが出来るのである。Further, as in the case of the periodic pattern 3, a light-shielding portion may be provided at the intersection of the T characters. In this case, in the periodic pattern of FIG. 16, the intersection of the T character is dented, but since the normal exposure pattern is rounded, by performing double exposure, the contact portion of the T character in the composite image of FIG. The reproduction becomes better. In FIG. 16, the fine line of the T-shaped contact portion of the composite image is swollen to the left, but by using the periodic pattern 3, the swelling of the T-shaped contact portion can be eliminated. In this case, the periodic pattern may be not only a predetermined shape but also an overcorrected periodic pattern such as + for correcting a normal pattern. By doing so, even if the light intensity distribution of the periodic pattern slightly deviates from the predetermined shape, the composite image after the double exposure can be formed into the predetermined shape. As described above, by providing the light-shielding portion at the base of the T-shape or by providing the light-shielding portion at the intersection of the T-shape, it is possible to improve the reproduction of the contact portion of the T-shape.

【００４１】以上、各実施例について説明してきたが、
本発明においては上記したように工夫を施した周期パタ
ーンを用いることによって、微細線の方向が混在してい
るパターンにおいても光近接効果によるパターン歪みを
補正することが可能となり、良好な合成像を得ることが
出来るのである。実施例６でＬ字、実施例７ではＴ字パ
ターンの場合を説明したがパターンはこの形に限らず、
パターンが交差している場合に、その交点あるいは交点
近傍に遮光部を設けることでパターンのひずみを取り除
くことができるのは言うまでもない。尚、バイナリーマ
スクで斜入射照明によって像を形成する場合は、周期パ
ターンに関しては位相シフトマスクと同等の効果が得ら
れるため、この場合も効果がある。この、斜入射照明に
よって周期パターンを作成する場合のパターン例は、実
施例１の場合は、図４（ｂ）に示したパターンの位相の
ないバイナリーマスクを用いる。他の実施例の場合も位
相のないバイナリーマスクを用いることで同様の効果が
得られ、また遮光部と透過部を反転させることで、ネガ
レジスト・ポジレジストの場合でも効果がある。The embodiments have been described above.
In the present invention, by using the periodic pattern devised as described above, it is possible to correct the pattern distortion due to the optical proximity effect even in a pattern in which the directions of the fine lines are mixed, and to obtain a good composite image. You can get it. The case of the L-shaped pattern in the sixth embodiment and the case of the T-shaped pattern in the seventh embodiment have been described, but the pattern is not limited to this shape.
When patterns intersect, it is needless to say that distortion of the pattern can be removed by providing a light shielding portion at or near the intersection. In the case where an image is formed by oblique incidence illumination using a binary mask, an effect similar to that of a phase shift mask can be obtained with respect to a periodic pattern. In the case of the first embodiment, a pattern example in which a periodic pattern is created by oblique incidence illumination uses a binary mask having no phase of the pattern shown in FIG. In the other embodiments, the same effect can be obtained by using a binary mask having no phase, and by inverting the light-shielding portion and the transmitting portion, the same effect can be obtained even in the case of a negative resist or a positive resist.

【００４２】図１７は本発明を適用し得る同期パターン
の２光束干渉用露光と通常の投影露光の双方が行なえる
高解像度露光装置を示す概略図である。図１７におい
て、２２１はＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ、２２２
は照明光学系、２２３はマスク（レチクル）、２２４は
マスクステージ、２２７はマスク２２３の回路パターン
をウエハ２２８上に縮小投影する投影光学系、２２５は
マスク（レチクル）チェンジャであり、ステージ２２４
に、通常のレチクルと前述したレベンソン型位相シフト
マスク（レチクル）又はエッジシフタ型マスク（レチク
ル）又は位相シフタを有していない周期パターンマスク
（レチクル）の一方を選択的に供給するために設けてあ
る。図１７の２２９は２光束干渉露光と投影露光で共用
される一つのＸＹＺステージであり、このステージ２２
９は、光学系２２７の光軸に直交する平面及びこの光軸
方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いてそのＸＹ
方向の位置が正確に制御される。また、図１７の装置
は、不図示のレチクル位置合わせ光学系、ウエハ位置合
わせ光学系（オフアクシス位置合わせ光学系とＴＴＬ位
置合わせ光学系とＴＴＲ位置合わせ光学系）とを備え
る。図１７の装置の照明光学系２２２は部分的コヒーレ
ント照明とコヒーレント照明とを切換え可能に構成して
あり、コヒーレント照明の場合には、ブロック２３０内
の図示した前述した（１ａ）又は（１ｂ）の照明光を、
前述したレベンソン型位相シフトレチクル又はエッジシ
フタ型レチクル又は位相シフタを有していない周期パタ
ーンレチクルの一つに供給し、部分的コヒーレント照明
の場合にはブロック２３０内に図示した（２）の照明光
を所望のレチクルに供給する。部分的コヒーレント照明
からコヒーレント照明との切換えは、通常光学系２２２
のフライアイレンズの直後に置かれる開口絞りを、この
絞りに比して開口径が十分に小さいコヒーレント照明用
絞りと交換すればいい。FIG. 17 is a schematic view showing a high-resolution exposure apparatus capable of performing both exposure for two-beam interference of a synchronous pattern and ordinary projection exposure to which the present invention can be applied. In FIG. 17, reference numeral 221 denotes a KrF or ArF excimer laser, 222
Is an illumination optical system, 223 is a mask (reticle), 224 is a mask stage, 227 is a projection optical system for reducing and projecting the circuit pattern of the mask 223 onto the wafer 228, 225 is a mask (reticle) changer, and the stage 224.
In order to selectively supply a normal reticle and one of the aforementioned Levenson-type phase shift mask (reticle), edge shifter-type mask (reticle), or periodic pattern mask (reticle) having no phase shifter. . Reference numeral 229 in FIG. 17 denotes one XYZ stage shared by the two-beam interference exposure and the projection exposure.
Reference numeral 9 denotes a plane orthogonal to the optical axis of the optical system 227 and is movable in the direction of the optical axis.
The position in the direction is precisely controlled. The apparatus in FIG. 17 includes a reticle positioning optical system (not shown) and a wafer positioning optical system (off-axis positioning optical system, TTL positioning optical system, and TTR positioning optical system). The illumination optical system 222 of the apparatus in FIG. 17 is configured to be able to switch between partially coherent illumination and coherent illumination. In the case of coherent illumination, the illumination optical system 222 of the above-described (1a) or (1b) shown in the block 230 is used. The illumination light,
It is supplied to one of the above-mentioned Levenson-type phase shift reticles, edge shifter-type reticles, or periodic pattern reticles having no phase shifter. In the case of partial coherent illumination, the illumination light of (2) shown in block 230 is supplied. Supply to desired reticle. Switching from partially coherent illumination to coherent illumination typically involves switching the optical system 222
The aperture stop placed immediately after the fly-eye lens may be replaced with a coherent illumination stop having an aperture diameter sufficiently smaller than this aperture stop.

【００４３】また、図１８はＸ線露光装置の概略図であ
る。このような露光装置を用いて、本実施例の方法によ
り露光を行うことも可能である。以上説明した露光方法
及び露光装置を用いてＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、Ｃ
ＣＤ等の撮像素子といった各種デバイスの製造が可能で
ある。なお、本発明は以上説明した実施態様および実施
例等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱し
ない範囲において種々に変更することが可能である。FIG. 18 is a schematic view of an X-ray exposure apparatus. Using such an exposure apparatus, exposure can be performed by the method of this embodiment. A semiconductor chip such as an IC or an LSI using the exposure method and the exposure apparatus described above;
Display elements such as liquid crystal panels, detection elements such as magnetic heads, C
Various devices such as an image sensor such as a CD can be manufactured. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention.

【００４４】[0044]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明による
と、周期構造を有するパターンと通常露光パターンの多
重露光を行う場合において、周期構造を有するパターン
に光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことので
きる工夫を施すことによって、良好な合成像を得ること
が可能となる。As described above, according to the present invention, when performing multiple exposure of a pattern having a periodic structure and a normal exposure pattern, correction of pattern distortion due to the optical proximity effect is performed on the pattern having a periodic structure. By taking such measures, a good composite image can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】二重露光のパターン配置において問題を生じな
い場合を説明するための図。FIG. 1 is a view for explaining a case where no problem occurs in the pattern arrangement of double exposure.

【図２】二重露光のパターン配置において、方向の異な
る微細線が混在していて、問題を生じる場合を説明する
ための図。FIG. 2 is a diagram for explaining a case where fine lines in different directions are mixed in a pattern arrangement of double exposure, which causes a problem.

【図３】二重露光のフローチャートを示す図。FIG. 3 is a view showing a flowchart of double exposure.

【図４】本発明の実施例１における周期パターン作成手
順を示す図であり、（ａ）は光遮光部でパターンを作成
する場合、（ｂ）は光透過部でパターンを作成する場合
を示す図。4A and 4B are diagrams illustrating a procedure for creating a periodic pattern according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4A illustrates a case in which a pattern is created in a light shielding unit, and FIG. 4B illustrates a case in which a pattern is created in a light transmitting unit. FIG.

【図５】本発明の実施例１における周期パターン作成手
順を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a periodic pattern creation procedure according to the first embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施例２における周期パターン作成手
順を示す図であり、（ａ）は光遮光部でパターンを作成
する場合、（ｂ）は光透過部でパターンを作成する場合
を示す図。FIGS. 6A and 6B are diagrams showing a procedure for creating a periodic pattern according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6A shows a case where a pattern is created by a light-shielding part, and FIG. FIG.

【図７】本発明の実施例２におけるシミュレーション結
果を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a simulation result in the second embodiment of the present invention.

【図８】本発明の実施例３における周期パターン作成手
順を示す図であり、（ａ）は光透過部でパターンを作成
する場合、（ｂ）は光遮光部でパターンを作成する場合
を示す図。FIGS. 8A and 8B are diagrams showing a procedure for creating a periodic pattern according to the third embodiment of the present invention, wherein FIG. 8A shows a case where a pattern is created by a light transmitting portion, and FIG. FIG.

【図９】本発明の実施例４における周期パターン作成手
順を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a procedure for creating a periodic pattern according to a fourth embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の実施例５における周期パターン作成
手順を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a procedure for creating a periodic pattern according to a fifth embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の実施例６における周期パターン作成
手順を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a procedure for creating a periodic pattern in a sixth embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の実施例６におけるシミュレーション
結果を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a simulation result in the sixth embodiment of the present invention.

【図１３】本発明の実施例６における周期パターンの効
果を説明するための図。FIG. 13 is a diagram for explaining an effect of a periodic pattern according to the sixth embodiment of the present invention.

【図１４】本発明の実施例６におけるレベンソン型のパ
ターンを用いた場合の周期パターン作成手順を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a procedure for creating a periodic pattern when a Levenson-type pattern is used according to a sixth embodiment of the present invention.

【図１５】本発明の実施例７における周期パターン作成
手順を示す図。FIG. 15 is a diagram showing a procedure for creating a periodic pattern in a seventh embodiment of the present invention.

【図１６】本発明の実施例７におけるシミュレーション
結果を示す図。FIG. 16 is a diagram showing a simulation result in the seventh embodiment of the present invention.

【図１７】二重露光を行う高解像度露光装置の概略図。FIG. 17 is a schematic view of a high-resolution exposure apparatus that performs double exposure.

【図１８】Ｘ線露光装置の概略図。FIG. 18 is a schematic diagram of an X-ray exposure apparatus.

【図１９】従来例のＸ線プロキシミティ露光装置の構成
を示す図。FIG. 19 is a diagram showing a configuration of a conventional X-ray proximity exposure apparatus.

【図２０】二重露光の原理を説明するための図。FIG. 20 is a view for explaining the principle of double exposure.

【図２１】二重露光の原理を説明するための図。FIG. 21 is a view for explaining the principle of double exposure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１：ＳＯＲ等のＸ線源 ２：ＳＯＲＸ線 ３：凸面ミラー ４：ベリリウム薄膜 ５：フォーカルプレイン型のシャッタ ７：被露光体 １０：マスク ２２１：ＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザ ２２２：照明光学系 ２２３：マスク ２２４：マスクステージ ２２７：投影光学系 ２２８：ウエハ ２２９：ＸＹＺステージ 1: X-ray source such as SOR 2: SOR X-ray 3: convex mirror 4: beryllium thin film 5: focal plane shutter 7: object to be exposed 10: mask 221: KrF or ArF excimer laser 222: illumination optical system 223: mask 224: mask stage 227: projection optical system 228: wafer 229: XYZ stage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−143085（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−211619（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−176726（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−67640（ＪＰ，Ａ) 特開2000−150366（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 7/20 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-11-143085 (JP, A) JP-A-7-211619 (JP, A) JP-A-11-176726 (JP, A) JP-A-11-116 67640 (JP, A) JP-A-2000-150366 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 7/20

Claims (18)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】被露光基板に対して第１のパターンによる
露光と第２のパターンによる露光を含む多重露光を行う
露光方法において、 前記第１のパターンは、微細線を解像するための周期構
造を有するパターンであって、該第１のパターンに、前
記第２のパターンの露光における光近接効果によるパタ
ーン歪みの補正を行うための前記周期構造のない領域を
形成したことを特徴とする露光方法。1. An exposure method for performing multiple exposure on a substrate to be exposed including exposure using a first pattern and exposure using a second pattern, wherein the first pattern has a period for resolving fine lines. A pattern having a structure , wherein an area without the periodic structure is formed in the first pattern for correcting pattern distortion due to an optical proximity effect in the exposure of the second pattern. Method. 【請求項２】前記第２のパターンは、ウエハ面上の光強
度分布が多値であることを特徴とする請求項１に記載の
露光方法。2. The exposure method according to claim 1, wherein the second pattern has a multi-value light intensity distribution on a wafer surface. 【請求項３】前記第２のパターンは、設計パターンその
ものか、それに近いものであることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の露光方法。Wherein the second pattern, design pattern itself or, it the exposure method according to claim 1 or claim 2, characterized in that is close. 【請求項４】前記第１のパターンは、その光強度分布が
設計パターンの形状に近くなるような前記光近接効果に
よるパターン歪みの補正を行うことを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載の露光方法。Wherein said first pattern, claim 1-3, characterized in that to correct the pattern distortion due to the optical proximity effect as the light intensity distribution becomes closer to the shape of the design pattern 2. The exposure method according to item 1. 【請求項５】前記第１のパターンと第２のパターンにお
いて、それらを露光した合成像の光強度分布が、設計パ
ターンに近くなるように前記光近接効果によるパターン
歪みの補正を行うことを特徴とする請求項１〜４のいず
れか１項に記載の露光方法。5. The method according to claim 1, wherein the pattern distortion is corrected by the optical proximity effect so that a light intensity distribution of a composite image obtained by exposing the first pattern and the second pattern is close to a design pattern. The exposure method according to any one of claims 1 to 4 , wherein 【請求項６】前記第１のパターンの前記周期構造のない
領域は部分的に線幅を太くした領域であり、これにより
前記光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことを
特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の露光方
法。Wherein a said periodic structure without <br/> region of the first pattern was thickened partially linewidth region, thereby correcting the pattern distortion due <br/> the optical proximity effect the exposure method according to any one of claims 2-5, characterized in that to perform. 【請求項７】前記第１のパターンの前記周期構造のない
領域において、前記第２のパターンのうち該第１のパタ
ーンの前記周期構造の周期の方向と直交しない方向の微
細線と重なる領域に孤立線を形成し、該孤立線の線幅を
該第２のパターンの微細線の線幅よりも太くすることを
特徴とする請求項６に記載の露光方法。7. The free <br/> region of said periodic structure of the first pattern, the direction of the fine lines not perpendicular to the direction of the period of the periodic structure of the first pattern of the second pattern 7. The exposure method according to claim 6 , wherein an isolated line is formed in a region overlapping with the second pattern, and a line width of the isolated line is made larger than a line width of the fine line of the second pattern. 【請求項８】前記孤立線は、第１のパターンにおける周
期的部分から作成される合成像の微細線と孤立線から作
成される合成像の微細線とが同じ線幅になるように、該
孤立線の線幅を最適化することを特徴とする請求項７に
記載の露光方法。8. The isolated line is formed such that a fine line of a composite image created from a periodic portion in the first pattern and a fine line of a composite image created from the isolated line have the same line width. The exposure method according to claim 7 , wherein the line width of the isolated line is optimized. 【請求項９】前記第１のパターンの前記周期構造のない
領域に、補正パターンを形成し、前記光近接効果による
パターン歪みの補正を行うことを特徴とする請求項２〜
５のいずれか１項に記載の露光方法。9. A method according to claim 2, wherein a correction pattern is formed in a region of said first pattern where said periodic structure is not present , and correction of pattern distortion due to said optical proximity effect is performed.
6. The exposure method according to any one of 5 . 【請求項１０】前記補正パターンは、前記第１のパター
ンの前記周期構造のない領域に、前記第２のパターンの
うち該第１のパターンの前記周期構造の周期の方向と同
じ方向の微細線と重なるように形成された孤立線におい
て、該孤立線の短縮を見込んで所定の形状となるように
形成されることを特徴とする請求項９に記載の露光方
法。Wherein said correction pattern is the no periodic structure areas of the first pattern, the same as the direction of the period of the periodic structure of the first pattern of the second pattern
Flip the formed isolated line so as to overlap with the direction of fine line exposure method according to claim 9, characterized in that it is formed into a predetermined shape in anticipation of shorter該孤prostatic. 【請求項１１】第１のパターンにおいて、第２のパター
ンの微細線の３倍以上太い線幅のパターンには遮光部を
設け、光量調節することを特徴とする請求項１に記載の
露光方法。11. The first pattern exposure method according to claim 1 which is a pattern of thick line width more than three times the second pattern fine line of the light shielding portion is provided, characterized by a light amount adjustment . 【請求項１２】前記第１のパターンは、該パターンの線
幅の調整をすることにより、該第１のパターン全体の光
量バランスを調整することを特徴とする請求項１に記載
の露光方法。Wherein said first pattern, by adjusting the line width of the pattern exposure method according to claim 1, characterized in that to adjust the light amount balance of the overall pattern of the first. 【請求項１３】前記第１のパターンにおいて、交差する
パターンを用いる場合、その交点あるいは交点近傍に遮
光部を設けることを特徴とする請求項１に記載の露光方
法。13. The exposure method according to claim 1 , wherein when an intersecting pattern is used in the first pattern, a light-shielding portion is provided at or near the intersection. 【請求項１４】前記第１のパターンにおいて、Ｌ字型に
直交するパターンを用いる場合、その交点あるいは近傍
に遮光部を設けることを特徴とする請求項１に記載の露
光方法。14. The exposure method according to claim 1 , wherein when an L-shaped pattern is used as the first pattern, a light-shielding portion is provided at or near the intersection. 【請求項１５】前記第１のパターンにおいてＴ字型に直
交するパターンを用いる場合、その交点あるいは近傍に
遮光部を設けることを特徴とする請求項１に記載の露光
方法。15. The exposure method according to claim 1 , wherein when a pattern orthogonal to a T-shape is used as the first pattern, a light-shielding portion is provided at or near the intersection. 【請求項１６】前記第１のパターンは、周期数２以上の
周期パターンであって、レベンソン型位相シフトマス
ク、またはバイナリー型マスクのいずれかのマスクで構
成されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１
項に記載の露光方法。16. The apparatus according to claim 1, wherein the first pattern is a periodic pattern having a period of 2 or more, and is formed of one of a Levenson type phase shift mask and a binary type mask. Any one of ~ 15
Exposure method according to item. 【請求項１７】請求項１〜１６のいずれか１項に記載の
露光方法を行う多重露光モードを有することを特徴とす
る露光装置。17. The method according to claim 1, wherein
An exposure apparatus having a multiple exposure mode for performing an exposure method . 【請求項１８】請求項１〜１６のいずれか１項に記載の
露光方法を用いて、デバイスを製造することを特徴とす
るデバイス製造方法。18. using the exposure method according to any one of claims 1-16, device manufacturing method characterized by producing a device.