JP3331985B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置とその
製造方法に係わり、特に、スクライブ線領域に補強材を
設けた半導体装置とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device having a scribe line region provided with a reinforcing material and a method of manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】高出力電力用の半導体装置では、高出力
化にともない、発生する熱による温度上昇に起因する電
気特性や信頼性の低下が大きな問題になりつつある。こ
のため、温度上昇を抑制することが重要な要素の一つと
なっている。特に、熱伝導特性の悪いＧａＡｓ基板を用
いた半導体装置では、通常ＧａＡｓ基板厚を薄くして放
熱特性を向上させる手法が採用されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device for high output power, a decrease in electrical characteristics and reliability due to a rise in temperature due to generated heat is becoming a serious problem with an increase in output. Therefore, suppressing an increase in temperature is one of the important factors. In particular, in a semiconductor device using a GaAs substrate having poor heat conduction characteristics, a method of improving the heat radiation characteristics by reducing the thickness of the GaAs substrate is usually adopted.

【０００３】従来の半導体装置の製造方法と構造を図６
及び図７を参照して説明する。まず、図６（ａ）に示す
ように、支持基板であるガラス基板１に素子を形成した
半導体基板５をフォトレジスト２により貼り付ける。次
に、図６（ｂ）に示すように、スクライブ線領域をエッ
チングすることにより、ＧａＡｓ基板５の分離を行う。
その後、図６（ｃ）に示すように、裏面金属のめっきパ
スとなる金層６をスパッタにより形成する。次に、図６
（ｄ）に示すように、通常のフォトリソグラフィ工程に
よりスクライブ線領域の中央にフォトレジストパターン
７を形成し、このフォトレジストをマスクにした部分め
っきにより厚い裏面金層８を形成する（図６（ｅ））。FIG. 6 shows a conventional semiconductor device manufacturing method and structure.
This will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 6A, a semiconductor substrate 5 having elements formed thereon is attached to a glass substrate 1 serving as a support substrate with a photoresist 2. Next, as shown in FIG. 6B, the GaAs substrate 5 is separated by etching the scribe line region.
Thereafter, as shown in FIG. 6C, a gold layer 6 serving as a plating pass for the back metal is formed by sputtering. Next, FIG.
As shown in FIG. 6D, a photoresist pattern 7 is formed in the center of the scribe line region by a normal photolithography process, and a thick backside gold layer 8 is formed by partial plating using this photoresist as a mask (FIG. e)).

【０００４】そして、図７（ａ）に示すように、フォト
レジストパターン７を除去した後、めっき金層８をマス
クにスパッタ金層６をエッチングし、各チップの分離を
行う。最後に、フォトレジスト２を除去することによ
り、ガラス基板１から半導体基板５の剥離を行い、個々
のチップ化が完了する。そして、最終的には、図７
（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板５と裏面に形成され
た金層６、８から構成されるチップが完成する。Then, as shown in FIG. 7A, after removing the photoresist pattern 7, the sputtered gold layer 6 is etched using the plated gold layer 8 as a mask to separate each chip. Finally, the semiconductor substrate 5 is separated from the glass substrate 1 by removing the photoresist 2, and the individual chips are completed. And finally, FIG.
As shown in (b), a chip composed of a GaAs substrate 5 and gold layers 6 and 8 formed on the back surface is completed.

【０００５】しかしながら、この製造方法では、基板を
薄膜化するにつれて、基板強度が低下し、組立工程での
ハンドリングの際に、機械的外力に対する強度が不足す
るため、チップが破損するという欠点があった。However, this manufacturing method has a disadvantage that the strength of the substrate decreases as the thickness of the substrate is reduced, and the strength against mechanical external force is insufficient during handling in an assembling process. Was.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、放熱特性向上のた
めにＧａＡｓ基板の薄膜化を行っても、十分な機械的強
度を得ることのできる新規な半導体装置とその製造方法
を提供するものである。叉、本発明の他の目的は、高出
力電力用の半導体装置において、補強材を設けること
で、ＧａＡｓ基板の更なる薄膜化を可能とし、これによ
り、熱抵抗を低減する新規な半導体装置とその製造方法
を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and in particular to obtain a sufficient mechanical strength even if the GaAs substrate is made thinner in order to improve heat dissipation characteristics. And a method of manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device for high output power, in which a reinforcing material is provided so that the GaAs substrate can be further thinned, thereby reducing the thermal resistance. An object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体装置の第１態様は、半導体チップの周辺部に補強材
となる膜を形成した半導体装置であって、前記半導体チ
ップの底面及び側面を覆うように断面略コの字型の裏面
金層を形成し、この裏面金層の側面部の端部に補強材を
設けたことを特徴とするものであり、叉、第２態様は、
前記補強材はシリコン膜であることを特徴とするもので
あり、叉、第３態様は、前記補強材は、半導体チップの
基板表面に接していることを特徴とするものであり、
叉、第４態様は、前記周辺部は、スクライブ線領域を含
むことを特徴とするものであり、叉、第５態様は、前記
補強材は、平面視略ロの字状に形成したことを特徴とす
るものであり、叉、第６態様は、前記補強材は、平面視
略コの字状に形成したことを特徴とするものであり、
叉、第７態様は、前記補強材は、平面視略Ｌ字状に形成
したことを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object. That is, the first embodiment of a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device to form a film serving as a reinforcing member on the periphery of the semiconductor chip, before Symbol cross section substantially U so as to cover the bottom and side surfaces of the semiconductor chip forming a back surface metal layer of the shaped, which is characterized in that a reinforcing member in the end portion of the side surface portion of the back side metal layer, or the second aspect,
The reinforcing material is a silicon film, and the third aspect is that the reinforcing material is in contact with a substrate surface of a semiconductor chip.
In a fourth aspect, the peripheral portion includes a scribe line region, and in a fifth aspect, the reinforcing member is formed in a substantially rectangular shape in plan view. In a sixth aspect, the reinforcing member is formed in a substantially U-shape in plan view,
In a seventh aspect, the reinforcing member is formed in a substantially L shape in plan view.

【０００８】叉、本発明に係わる半導体装置の製造方法
の第１態様は、半導体装置の製造方法であって、ガラス
等の支持基板上に補強材となる膜を成膜し、所定の形状
にパターニングする第１の工程と、素子を形成した半導
体基板をフォトレジストを介して前記支持基板に接合す
る第２の工程と、前記半導体基板とフォトレジストとを
エッチングして、前記補強材に達する凹部を形成する第
３の工程と、前記半導体基板裏面に金層を形成すると共
に、前記凹部の側面及び補強材の下面にも前記金層を形
成する第４の工程と、前記補強材の略中央部分をエッチ
ングしてウエーハ上の各チップを個別に分離する第５の
工程と、前記フォトレジストを除去する第６の工程と、
を含むことを特徴とするものであり、叉、第２態様は、
前記第２の工程では、前記補強材となる膜が前記半導体
基板に接するように接合することを特徴とするものであ
り、叉、第３態様は、前記第２の工程終了後、前記半導
体基板の膜厚が所定の膜厚になるように研磨することを
特徴とするものである。A first aspect of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising forming a film serving as a reinforcing material on a supporting substrate such as glass and forming the film into a predetermined shape. A first step of patterning, a second step of bonding the semiconductor substrate on which the elements are formed to the support substrate via a photoresist, and a recess reaching the reinforcing material by etching the semiconductor substrate and the photoresist. A fourth step of forming a gold layer on the back surface of the semiconductor substrate, and forming the gold layer also on the side surface of the concave portion and the lower surface of the reinforcing member; and a substantially center of the reinforcing member. A fifth step of etching each portion to individually separate each chip on the wafer, a sixth step of removing the photoresist,
The second aspect is characterized in that
In the second step, the film serving as the reinforcing material is bonded so as to be in contact with the semiconductor substrate. In a third aspect, after the second step, the semiconductor substrate It is characterized in that polishing is performed so that the film thickness becomes a predetermined film thickness.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の特徴は、半導体装置の製
造過程において、チップ周辺、即ち、スクライブ線周辺
に補強材を有する構造にした点にある。図１、２に本発
明による半導体装置の製造工程を示す。ガラス等の支持
基板上に補強材となるシリコン膜を成膜し、スクライブ
線周辺のみを残すように、このシリコン膜をパターニン
グする。叉、半導体基板表面にＦＥＴなどの素子を形成
後、この半導体基板を支持基板に張り付け、その後、半
導体基板の裏面研磨、裏面金属形成工程を経て、スクラ
イブ線領域の補強材をエッチングしてチップ化を行う。
このような製造方法により、チップの周辺領域に補強材
を設けた構造の半導体装置を得ることができる。この補
強材により半導体基板の強度を補強するため、半導体基
板の厚さを従来よりも薄膜化することが可能になり、そ
の結果、熱抵抗を小さくすることが出来る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The feature of the present invention resides in that a structure having a reinforcing material around a chip, that is, around a scribe line in a manufacturing process of a semiconductor device is provided. 1 and 2 show a manufacturing process of a semiconductor device according to the present invention. A silicon film serving as a reinforcing material is formed on a supporting substrate such as glass, and the silicon film is patterned so as to leave only the periphery of the scribe line. Also, after forming an element such as an FET on the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is attached to a supporting substrate, and then, through a backside polishing and a backside metal forming process of the semiconductor substrate, a reinforcing material in a scribe line region is etched to form a chip. I do.
According to such a manufacturing method, a semiconductor device having a structure in which a reinforcing material is provided in a peripheral region of a chip can be obtained. Since the strength of the semiconductor substrate is reinforced by this reinforcing material, the thickness of the semiconductor substrate can be made thinner than before, and as a result, the thermal resistance can be reduced.

【００１０】[0010]

【実施例】以下に、本発明に係わる半導体装置とその製
造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の具体例）図１、２は、本発明に係わる半導体装
置とその製造方法の具体例の構造を示す図、図３はチッ
プの平面図であって、これらの図には、半導体チップ１
１の周辺部１２に補強材となる膜１３を形成した半導体
装置が示され、叉、前記半導体チップ１１の底面１１ａ
及び側面１１ｂを覆うように断面略コの字型の裏面金層
８を形成し、この裏面金層８の側面部８ａの端部に補強
材１３を設けた半導体装置が示され、叉、前記周辺部１
１は、スクライブ線領域を含むことを特徴とする半導体
装置半導体装置が示され、更に、前記補強材１３は、平
面視略ロの字状に形成した半導体装置が示されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A specific example of a semiconductor device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (First Specific Example) FIGS. 1 and 2 are views showing the structure of a specific example of a semiconductor device and a method of manufacturing the same according to the present invention, and FIG. 3 is a plan view of a chip. Chip 1
1 shows a semiconductor device in which a film 13 serving as a reinforcing material is formed in a peripheral portion 12 of a semiconductor chip 11 and a bottom surface 11a of the semiconductor chip 11
A backside metal layer 8 having a substantially U-shaped cross section is formed so as to cover the side surface 11b, and a reinforcing member 13 is provided at an end of a side surface portion 8a of the backside gold layer 8; Peripheral part 1
1 shows a semiconductor device characterized by including a scribe line region, and further shows a semiconductor device in which the reinforcing member 13 is formed in a substantially rectangular shape in plan view.

【００１１】以下に、本発明を更に詳細に説明する。Ｇ
ａＡｓ基板を用いた高出力電力用半導体装置の製造にお
いては、ＧａＡｓ基板表面にＦＥＴなどの素子を形成
後、放熱特性向上のためにＧａＡｓ基板の裏面を研磨し
薄膜化した後、ＧａＡｓ基板裏面に接地電位となる裏面
金属層を形成するが、薄膜化するためＧａＡｓ基板をガ
ラス板等の支持基板へ貼り付ける必要がある。Hereinafter, the present invention will be described in more detail. G
In the manufacture of a high-output power semiconductor device using an aAs substrate, after forming an element such as an FET on the surface of the GaAs substrate, the back surface of the GaAs substrate is polished and thinned to improve heat radiation characteristics, and then the GaAs substrate is formed on the back surface. A backside metal layer having a ground potential is formed, but it is necessary to attach a GaAs substrate to a supporting substrate such as a glass plate in order to reduce the thickness.

【００１２】本発明によれば、先ず、図１（ａ）に示す
ように、支持基板であるガラス基板１に補強材となるＳ
ｉ基板３をフォトレジスト２を接着材として貼り付け
る。次に、図１（ｂ）に示すように、スクライブ線周辺
のみを残すようにＳｉ基板３をエッチングによりパター
ニングする。その後、図１（ｃ）に示すように、ＧａＡ
ｓ基板（半導体基板）５をフォトレジスト４を用いてＳ
ｉ基板３に貼り付ける。According to the present invention, first, as shown in FIG.
The i-substrate 3 is attached using the photoresist 2 as an adhesive. Next, as shown in FIG. 1B, the Si substrate 3 is patterned by etching so as to leave only the periphery of the scribe line. Thereafter, as shown in FIG.
An s substrate (semiconductor substrate) 5 is formed
Affix to i-substrate 3.

【００１３】そして、図１（ｄ）に示すように、スクラ
イブ線領域の半導体基板５とフォトレジスト４とをエッ
チングすることにより、Ｓｉ基板３を露出させ、その
後、図２（ａ）に示すように、裏面金属のめっきパス、
及びＳｉ基板３との接着層となる金層６をスパッタによ
り形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ工程により、スクライブ線領域の中央
にフォトレジストパターン７を形成し、図２（ｃ）に示
すように、このフォトレジストをマスクに部分めっきに
より厚い裏面金層８を形成する。そして、フォトレジス
トパターン７を除去した後、めっき金層８をマスクにス
パッタ金層６及びＳｉ基板３をエッチングし、補強材を
含めた分離を行う（図２（ｄ））。Then, as shown in FIG. 1D, the semiconductor substrate 5 and the photoresist 4 in the scribe line region are etched to expose the Si substrate 3, and thereafter, as shown in FIG. 2A. , The back metal plating path,
And a gold layer 6 serving as an adhesive layer with the Si substrate 3 is formed by sputtering. Next, as shown in FIG. 2B, a photoresist pattern 7 is formed in the center of the scribe line region by a normal photolithography process, and this photoresist is used as a mask as shown in FIG. 2C. A thick backside gold layer 8 is formed by partial plating. Then, after removing the photoresist pattern 7, the sputtered gold layer 6 and the Si substrate 3 are etched using the plated gold layer 8 as a mask to perform separation including a reinforcing material (FIG. 2D).

【００１４】最後に、フォトレジスト２、４を除去する
ことにより、ガラス基板１から半導体基板５の剥離を行
い、個々のチップ化が完了する。最終的には、図２
（ｅ）に示すように、ＧａＡｓ基板５と補強材であるＳ
ｉ層３とがスパッタ及びめっき金層６、８で接続された
断面構造を持つチップが完成する。このチップを上面か
ら見た図を、図３（ａ）に示す。Finally, by removing the photoresists 2 and 4, the semiconductor substrate 5 is separated from the glass substrate 1, and individual chips are completed. Finally, Figure 2
As shown in (e), the GaAs substrate 5 and the reinforcing material S
A chip having a cross-sectional structure in which the i-layer 3 is connected with the sputtered and plated gold layers 6 and 8 is completed. FIG. 3A shows the chip viewed from above.

【００１５】従来の構造では、チップ化以降の組立工程
におけるハンドリングでの機械的外力による破壊を防ぐ
ために約３０μｍ以上のＧａＡｓ膜厚が必要であるが、
本発明による構造では、外力は補強材であるＳｉ層が吸
収するため、ＧａＡｓ膜厚は１０μｍ以下とすることが
可能になり、その結果、放熱特性を従来の構造の３倍以
上に向上できた。In the conventional structure, a GaAs film thickness of about 30 μm or more is required to prevent destruction due to mechanical external force in handling in an assembling process after chip formation.
In the structure according to the present invention, since the external force is absorbed by the Si layer as the reinforcing material, the GaAs film thickness can be reduced to 10 μm or less, and as a result, the heat radiation characteristics can be improved to three times or more of the conventional structure. .

【００１６】なお、上記説明では、補強材１３は、平面
視略ロの字状に形成したが、図３（ｂ）のように、略コ
の字状に形成しても良いし、叉、図３（ｃ）のように、
略Ｌ字状に形成しても、本発明発の目的を達成すること
が出来る。 （第２の具体例）図４、５を参照して、本発明の第２の
具体例の半導体装置の製造工程と構造を示す。第１の具
体例と同様に、まず、図４（ａ）に示すように、支持基
板であるガラス基板１に補強材となるＳｉ基板３をフォ
トレジスト２により貼り付ける。次に、図４（ｂ）に示
すように、スクライブ線周辺のみを残すようにＳｉ基板
３をエッチングによりパターニングする。その後、図４
（ｃ）に示すように、ＧａＡｓ基板５をフォトレジスト
４によりＳｉ基板３に貼り付ける。但し、ここではＳｉ
基板３とＧａＡｓ基板５とが接するように、フォトレジ
スト４はＳｉをエッチング除去した部分のみにポッティ
ングし、スピンコートは行わない。このため、ＧａＡｓ
基板上に空隙が生じる可能性があるが、以降の工程にお
いて悪影響はない。そして、図４（ｄ）に示すように、
ＧａＡｓ基板５のスクライブ線領域をエッチングするこ
とにより、Ｓｉ基板３を露出させる。In the above description, the reinforcing member 13 is formed in a substantially U-shape in plan view, but may be formed in a substantially U-shape as shown in FIG. As shown in FIG.
Even if it is formed in a substantially L-shape, the object of the present invention can be achieved. (Second Specific Example) Referring to FIGS. 4 and 5, a manufacturing process and a structure of a semiconductor device according to a second specific example of the present invention will be described. As in the first specific example, first, as shown in FIG. 4A, a Si substrate 3 serving as a reinforcing material is attached to a glass substrate 1 serving as a support substrate with a photoresist 2. Next, as shown in FIG. 4B, the Si substrate 3 is patterned by etching so as to leave only the periphery of the scribe line. Then, FIG.
As shown in FIG. 1C, the GaAs substrate 5 is attached to the Si substrate 3 with the photoresist 4. However, here, Si
The photoresist 4 is potted only to a portion where Si is removed by etching so that the substrate 3 and the GaAs substrate 5 are in contact with each other, and spin coating is not performed. Therefore, GaAs
There is a possibility that a void may be formed on the substrate, but there is no adverse effect in the subsequent steps. Then, as shown in FIG.
By etching the scribe line region of the GaAs substrate 5, the Si substrate 3 is exposed.

【００１７】その後、図５（ａ）に示すように、裏面金
属のめっきパス及びＳｉ基板との接着層となる金層６を
スパッタにより形成する。次に、図５（ｂ）に示すよう
に、通常のフォトリソグラフィ工程によりスクライブ線
領域の中央にフォトレジストパターン７を形成し、図５
（ｃ）に示すように、このフォトレジストをマスクにし
て、部分めっきにより厚い裏面金層８を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 5A, a gold layer 6 serving as a plating path for the back metal and an adhesive layer with the Si substrate is formed by sputtering. Next, as shown in FIG. 5 (b), a photoresist pattern 7 is formed at the center of the scribe line region by a normal photolithography process.
As shown in (c), using this photoresist as a mask, a thick backside gold layer 8 is formed by partial plating.

【００１８】その後、フォトレジストパターン７を除去
した後、図５（ｄ）に示すように、めっき金層８をマス
クにスパッタ金層６及びＳｉ基板５をエッチングし、補
強材層を含めた分離を行う。最後に、図５（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト２、４を除去して、ガラス基板
１から半導体基板５の剥離を行い、個々のチップ化が完
了する。最終的には、ＧａＡｓ基板５と補強材であるＳ
ｉ層３とがスパッタ及びめっき金層６、８で接続された
断面構造を持つチップが完成する。Thereafter, after removing the photoresist pattern 7, as shown in FIG. 5D, the sputtered gold layer 6 and the Si substrate 5 are etched using the plated gold layer 8 as a mask, and the separation including the reinforcing material layer is performed. I do. Finally, as shown in FIG. 5E, the photoresists 2 and 4 are removed, and the semiconductor substrate 5 is peeled from the glass substrate 1 to complete individual chips. Finally, the GaAs substrate 5 and the reinforcing material S
A chip having a cross-sectional structure in which the i-layer 3 is connected with the sputtered and plated gold layers 6 and 8 is completed.

【００１９】この具体例では、ＧａＡｓ基板５とＳｉ補
強層３のとの間隔がないため、金層６、８の垂直部分が
短くなり、Ｓｉ層の形状に歪みが生じたような場合でも
金層に加わるストレスに対する耐性が向上するという利
点がある。In this specific example, since there is no space between the GaAs substrate 5 and the Si reinforcing layer 3, the vertical portions of the gold layers 6 and 8 are shortened, and even if the shape of the Si layer is distorted, the gold There is an advantage that resistance to stress applied to the layer is improved.

【００２０】[0020]

【発明の効果】本発明に係わる半導体装置とその製造方
法は、上述のように構成したので、補強材を設けること
で、ＧａＡｓ基板の薄膜化を可能とし、これにより、熱
抵抗を著しく低減することが出来る。また、放熱特性向
上のためにＧａＡｓ基板の薄膜化を行っても、十分な機
械的強度を得ることのできるから、製造工程中にチップ
が破損するという不具合もなくなり、歩留まりが向上す
る。The semiconductor device and the method of manufacturing the same according to the present invention are constructed as described above. By providing a reinforcing material, the thickness of the GaAs substrate can be reduced, thereby significantly reducing the thermal resistance. I can do it. Further, even if the GaAs substrate is made thinner to improve the heat radiation characteristics, sufficient mechanical strength can be obtained, so that there is no problem that the chip is broken during the manufacturing process, and the yield is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係わる半導体装置の製造方法の第１の
具体例の製造工程を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of a first specific example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【図２】図１の続きの製造工程を示す図である。FIG. 2 is a view showing a manufacturing step subsequent to FIG. 1;

【図３】第１の具体例の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a first specific example.

【図４】本発明の第２の具体例の製造工程を示す図であ
る。FIG. 4 is a view showing a manufacturing process of a second specific example of the present invention.

【図５】図３の続きの製造工程を示す図である。FIG. 5 is a view showing a manufacturing step continued from FIG. 3;

【図６】従来技術による製造工程を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a manufacturing process according to a conventional technique.

【図７】図６の続きの製造工程を示す図である。FIG. 7 is a view showing a manufacturing step subsequent to FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ガラス基板 ２、４ フォトレジスト層 ３ シリコン基板 ５ ＧａＡｓ基板 ６ 金層 ７ フォトレジストパターン ８ 裏面金層 １１ 半導体チップ １２ 半導体チップの周辺部 １３ 補強材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2, 4 Photoresist layer 3 Silicon substrate 5 GaAs substrate 6 Gold layer 7 Photoresist pattern 8 Backside gold layer 11 Semiconductor chip 12 Peripheral part of semiconductor chip 13 Reinforcement material

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 半導体チップの周辺部に補強材となる膜
を形成した半導体装置であって、 前記半導体チップの底面及び側面を覆うように断面略コ
の字型の裏面金層を形成し、この裏面金層の側面部の端
部に補強材を設けた ことを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device in which a film serving as a reinforcing material is formed at a peripheral portion of a semiconductor chip.
-Shaped backside gold layer is formed, and the end of the side surface of the backside gold layer is formed.
A semiconductor device, wherein a reinforcing member is provided in a portion . 【請求項２】 前記補強材はシリコン膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 2. The method according to claim 1, wherein the reinforcing material is a silicon film.
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein: 【請求項３】 前記補強材は、半導体チップの基板表面
に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の
半導体装置。 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the reinforcing material is a substrate surface of a semiconductor chip.
3. Contact according to claim 1 or 2, characterized in that
Semiconductor device. 【請求項４】 前記周辺部は、スクライブ線領域を含む
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導
体装置。 4. The peripheral portion includes a scribe line region.
The semiconductor according to claim 1, wherein:
Body device. 【請求項５】 前記補強材は、平面視略ロの字状に形成
したことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の
半導体装置。 5. The reinforcing member is formed in a substantially rectangular shape in plan view.
The method according to any one of claims 1 to 4, wherein
Semiconductor device. 【請求項６】 前記補強材は、平面視略コの字状に形成
したことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の
半導体装置。 6. The reinforcing member is formed in a substantially U-shape in plan view.
The method according to any one of claims 1 to 4, wherein
Semiconductor device. 【請求項７】 前記補強材は、平面視略Ｌ字状に形成し
たことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半
導体装置。 7. The reinforcing member is formed in a substantially L shape in plan view.
The half according to any one of claims 1 to 4, wherein
Conductor device. 【請求項８】 半導体装置の製造方法であって、 ガラス等の支持基板上に補強材となる膜を成膜し、所定
の形状にパターニングする第１の工程と、 素子を形成した半導体基板をフォトレジストを介して前
記支持基板に接合する第２の工程と、 前記半導体基板とフォトレジストとをエッチングして、
前記補強材に達する凹部を形成する第３の工程と、 前記半導体基板裏面に金層を形成すると共に、前記凹部
の側面及び補強材の下面にも前記金層を形成する第４の
工程と、 前記補強材の略中央部分をエッチングしてウエーハ上の
各チップを個別に分離する第５の工程と、 前記フォトレジストを除去する第６の工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 8. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising : forming a film serving as a reinforcing material on a supporting substrate such as glass;
A first step of patterning the semiconductor substrate having the element formed therein, and a semiconductor substrate on which the element has been formed through a photoresist.
A second step of bonding to the supporting substrate, and etching the semiconductor substrate and the photoresist;
A third step of forming a recess reaching the reinforcing member, and forming a gold layer on the back surface of the semiconductor substrate;
Forming the gold layer also on the side surface of the reinforcing member and the lower surface of the reinforcing member.
Process and etching the substantially central portion of the reinforcing material on the wafer
A method of manufacturing a semiconductor device , comprising: a fifth step of individually separating each chip; and a sixth step of removing the photoresist . 【請求項９】 前記第２の工程では、前記補強材となる
膜が前記半導体基板に接するように接合することを特徴
とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。 9. The reinforcing member in the second step
The film is bonded so as to be in contact with the semiconductor substrate.
9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein 【請求項１０】 前記第２の工程終了後、前記半導体基
板の膜厚が所定の膜厚になるように研磨することを特徴
とする請求項８又は９記載の半導体装置の製造方法。 10. After the completion of the second step, the semiconductor substrate
The feature is that the plate is polished so that the thickness of the plate becomes a predetermined thickness.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein: