JP3329148B2 - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JP3329148B2 JP3329148B2 JP17544995A JP17544995A JP3329148B2 JP 3329148 B2 JP3329148 B2 JP 3329148B2 JP 17544995 A JP17544995 A JP 17544995A JP 17544995 A JP17544995 A JP 17544995A JP 3329148 B2 JP3329148 B2 JP 3329148B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてアルミニム又
はアルミニム合金を配線材料とした配線形成方法に関
し、更に詳細には配線幅の小さい配線層であっても、断
線し難い信頼性の高い配線を形成できる方法に関するも
のである。
はアルミニム合金を配線材料とした配線形成方法に関
し、更に詳細には配線幅の小さい配線層であっても、断
線し難い信頼性の高い配線を形成できる方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化の要求に応じるた
めに、益々、配線構造が多層化し、配線層が微細化する
につれて、０．５μm 以下の配線層の形成が必要になっ
ている。ところで、半導体装置の配線層には、アルミニ
ウム或いはアルミニム合金を材料とした配線層（以下、
Ａl 配線層と言う）が主として採用されている。従来、
Ａl 配線は、Ａl 配線層及びＡl 配線層を挟む上下のＴ
ｉ層、ＴｉＮ又はＴｉＷ層等のバリアメタル層を蒸着
法、スパッタリング法等により積層構造に成膜し、次い
で配線パターンに従ってパターニングすることにより、
形成されている。
めに、益々、配線構造が多層化し、配線層が微細化する
につれて、０．５μm 以下の配線層の形成が必要になっ
ている。ところで、半導体装置の配線層には、アルミニ
ウム或いはアルミニム合金を材料とした配線層（以下、
Ａl 配線層と言う）が主として採用されている。従来、
Ａl 配線は、Ａl 配線層及びＡl 配線層を挟む上下のＴ
ｉ層、ＴｉＮ又はＴｉＷ層等のバリアメタル層を蒸着
法、スパッタリング法等により積層構造に成膜し、次い
で配線パターンに従ってパターニングすることにより、
形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ａl 配線は、電流を流
した際にエレクトロマイグレーションにより断線し、導
通不良を引き起こし、またエレクトロマイグレーション
により寿命が短いことが知られている。エレクトロマイ
グレーションは、配線層の結晶構造と深く関係してい
て、多結晶構造の場合に結晶粒の不連続部分において発
生し易く、また配線層の配線幅にも依存している。例え
ば、配線幅が１．０μm 〜２．０μm であった一世代前
の段階では、エレクトロマイグレーションに起因する断
線が大きな問題となっていた。その後、配線幅が１．０
μm 以下になるに従い、Ａl 配線層の結晶構造はバンブ
ー構造に近づき、エレクトロマイグレーション耐性が増
大して、配線寿命が伸びてきたが、配線幅が０．５μm
以下になると、再び結晶配向が異なる不連続部分での断
線が問題になって来た。
した際にエレクトロマイグレーションにより断線し、導
通不良を引き起こし、またエレクトロマイグレーション
により寿命が短いことが知られている。エレクトロマイ
グレーションは、配線層の結晶構造と深く関係してい
て、多結晶構造の場合に結晶粒の不連続部分において発
生し易く、また配線層の配線幅にも依存している。例え
ば、配線幅が１．０μm 〜２．０μm であった一世代前
の段階では、エレクトロマイグレーションに起因する断
線が大きな問題となっていた。その後、配線幅が１．０
μm 以下になるに従い、Ａl 配線層の結晶構造はバンブ
ー構造に近づき、エレクトロマイグレーション耐性が増
大して、配線寿命が伸びてきたが、配線幅が０．５μm
以下になると、再び結晶配向が異なる不連続部分での断
線が問題になって来た。
【０００４】配線の信頼性を向上させるために、例えば
配線パターンに従って下地酸化膜の表面に溝を形成し、
その溝を埋めるようにしてアルミニム膜を成膜し、エッ
チバック法により、或いは化学的機械研磨法により、不
要部分を除去して配線を形成する方法が提案されてい
る。しかし、この方法も歩留りが悪く、製造する上で量
産性、再現性に欠けると言う問題があって、実用化に到
っていない。
配線パターンに従って下地酸化膜の表面に溝を形成し、
その溝を埋めるようにしてアルミニム膜を成膜し、エッ
チバック法により、或いは化学的機械研磨法により、不
要部分を除去して配線を形成する方法が提案されてい
る。しかし、この方法も歩留りが悪く、製造する上で量
産性、再現性に欠けると言う問題があって、実用化に到
っていない。
【０００５】以上の問題に照らして、本発明の目的は、
０．５μm 以下の配線幅であっても、信頼性の高い配線
を形成できる方法を提供することである。
０．５μm 以下の配線幅であっても、信頼性の高い配線
を形成できる方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る配線形成方法は、下地絶縁膜上に所定
Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜する工程
と、ホトレジスト膜を成膜して、所定配線パターンの配
線幅より僅かに広いパターンを有する第１マスクパター
ンを形成する工程と、第１マスクパターンをマスクにし
て、下地絶縁膜に達するまでダミー配線層をエッチング
して、パターンに従って伸びる溝状の開口をダミー配線
層に形成する工程と、４５０°C 〜５００°C の範囲の
温度下で開口を埋めるようにして基板全面に所定Ａl 配
線層をスパッタリング法により成膜する工程と、ダミー
配線層を露出させ、更に所定Ａl 配線層を所定膜厚にな
るまでエッチングする工程と、ホトレジスト膜を成膜し
て、所定配線パターンを有する第２マスクパターンを形
成する工程と、第２マスクパターンをマスクにして、下
地絶縁膜に達するまでダミー配線層及び過剰幅部分の所
定配線層をエッチングする工程とを有することを特徴と
している。
に、本発明に係る配線形成方法は、下地絶縁膜上に所定
Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜する工程
と、ホトレジスト膜を成膜して、所定配線パターンの配
線幅より僅かに広いパターンを有する第１マスクパター
ンを形成する工程と、第１マスクパターンをマスクにし
て、下地絶縁膜に達するまでダミー配線層をエッチング
して、パターンに従って伸びる溝状の開口をダミー配線
層に形成する工程と、４５０°C 〜５００°C の範囲の
温度下で開口を埋めるようにして基板全面に所定Ａl 配
線層をスパッタリング法により成膜する工程と、ダミー
配線層を露出させ、更に所定Ａl 配線層を所定膜厚にな
るまでエッチングする工程と、ホトレジスト膜を成膜し
て、所定配線パターンを有する第２マスクパターンを形
成する工程と、第２マスクパターンをマスクにして、下
地絶縁膜に達するまでダミー配線層及び過剰幅部分の所
定配線層をエッチングする工程とを有することを特徴と
している。
【０００７】本発明方法では、Ａl 配線層を従来の約２
００°C 〜約３００°C の範囲のスパッタリング温度に
比べて４５０°C 〜５００°C の範囲と言う高い温度で
スパッタリングすることと、溝状開口にＡl 配線層を成
膜することとの相乗効果により、成膜されたＡl 配線層
が（１１１）配向で単結晶化されている。この結果、後
述するように、エレクトロマイグレーション耐性が向上
する。
００°C 〜約３００°C の範囲のスパッタリング温度に
比べて４５０°C 〜５００°C の範囲と言う高い温度で
スパッタリングすることと、溝状開口にＡl 配線層を成
膜することとの相乗効果により、成膜されたＡl 配線層
が（１１１）配向で単結晶化されている。この結果、後
述するように、エレクトロマイグレーション耐性が向上
する。
【０００８】本発明方法では、溝状開口の幅を所定配線
層の幅と同じ幅で形成しても良い。その際には、ホトレ
ジスト膜を成膜して、所定配線パターンの配線幅より僅
かに広いパターンを有する第１マスクパターンを形成す
る工程に代えて、ホトレジスト膜を成膜して、所定配線
パターンの配線幅と同じ幅のパターンを有する第１マス
クパターンを形成する工程と、第２マスクパターンをマ
スクにして、下地絶縁膜に達するまでダミー配線層及び
過剰幅部分の所定配線層をエッチングする工程に代え
て、第２マスクパターンをマスクにして、下地絶縁膜に
達するまでダミー配線層をエッチングする工程とする。
層の幅と同じ幅で形成しても良い。その際には、ホトレ
ジスト膜を成膜して、所定配線パターンの配線幅より僅
かに広いパターンを有する第１マスクパターンを形成す
る工程に代えて、ホトレジスト膜を成膜して、所定配線
パターンの配線幅と同じ幅のパターンを有する第１マス
クパターンを形成する工程と、第２マスクパターンをマ
スクにして、下地絶縁膜に達するまでダミー配線層及び
過剰幅部分の所定配線層をエッチングする工程に代え
て、第２マスクパターンをマスクにして、下地絶縁膜に
達するまでダミー配線層をエッチングする工程とする。
【０００９】また、本発明方法では、配線層を多層積層
構造で形成することもできる。その際には、下地絶縁膜
上に所定Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜す
る工程において、所定配線層と同じＡl 配線層を含む多
層積層構造でダミー配線層を形成し、開口を埋めるよう
にして基板全面に所定Ａl 配線層を成膜する工程におい
て、Ａl 配線層を含む多層積層構造で所定配線層を形成
し、かつＡl 配線層を４５０°C 〜５００°C の範囲の
温度下でスパッタリング法により成膜する。
構造で形成することもできる。その際には、下地絶縁膜
上に所定Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜す
る工程において、所定配線層と同じＡl 配線層を含む多
層積層構造でダミー配線層を形成し、開口を埋めるよう
にして基板全面に所定Ａl 配線層を成膜する工程におい
て、Ａl 配線層を含む多層積層構造で所定配線層を形成
し、かつＡl 配線層を４５０°C 〜５００°C の範囲の
温度下でスパッタリング法により成膜する。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）から（ｄ）及
び図２（ｅ）から（ｇ）は、本発明方法を実施する各工
程毎の層構造を示す基板断面図である。本発明方法によ
り配線層を形成するには、先ず、図１（ａ）に示すよう
に、半導体基板１０上に形成された層間絶縁膜１２上に
ダミー配線層１４をスパッタリング法により成膜する。
本実施例では、ダミー配線層１４は、図３に示すよう
に、層間絶縁膜１２上に順次成膜されたバリア層として
のＴｉＮ層１６と、配線層本体としてのＡl 配線層１８
と、バリア層及び反射防止層としてのＴｉＮ層２０の積
層構造である。ＴｉＮ層に代えてＴｉＯＮ層を成膜して
も良く、また密着層としてＴｉ層を層間絶縁膜１２上に
成膜しても良い。
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）から（ｄ）及
び図２（ｅ）から（ｇ）は、本発明方法を実施する各工
程毎の層構造を示す基板断面図である。本発明方法によ
り配線層を形成するには、先ず、図１（ａ）に示すよう
に、半導体基板１０上に形成された層間絶縁膜１２上に
ダミー配線層１４をスパッタリング法により成膜する。
本実施例では、ダミー配線層１４は、図３に示すよう
に、層間絶縁膜１２上に順次成膜されたバリア層として
のＴｉＮ層１６と、配線層本体としてのＡl 配線層１８
と、バリア層及び反射防止層としてのＴｉＮ層２０の積
層構造である。ＴｉＮ層に代えてＴｉＯＮ層を成膜して
も良く、また密着層としてＴｉ層を層間絶縁膜１２上に
成膜しても良い。
【００１１】次に、ダミー配線層１４上にホトレジスト
膜を塗布し、図１（ｂ）に示すように、パターン開口幅
２３が所定配線層の配線幅より僅かに広い、例えば約
０．２μm 広い第１マスクパターン２２をホトリソグラ
フィ法により形成する。次いで、図１（ｃ）に示すよう
に、第１マスクパターン２２をマスクにして、層間絶縁
膜１２に達するまでダミー配線層１４を反応性イオンエ
ッチング法により以下の条件でエッチングして、溝状開
口２４をダミー配線層に形成する。 圧力：１．０７Pa 温度：３０°C 反応ガス：ＢＣl3／Ｃl2＝４０sccm／６０sccm ＲＦ出力：６０Ｗ
膜を塗布し、図１（ｂ）に示すように、パターン開口幅
２３が所定配線層の配線幅より僅かに広い、例えば約
０．２μm 広い第１マスクパターン２２をホトリソグラ
フィ法により形成する。次いで、図１（ｃ）に示すよう
に、第１マスクパターン２２をマスクにして、層間絶縁
膜１２に達するまでダミー配線層１４を反応性イオンエ
ッチング法により以下の条件でエッチングして、溝状開
口２４をダミー配線層に形成する。 圧力：１．０７Pa 温度：３０°C 反応ガス：ＢＣl3／Ｃl2＝４０sccm／６０sccm ＲＦ出力：６０Ｗ
【００１２】図１（ｄ）に示すように、開口２４を埋め
るようにして所定配線層２６を基板全面にスパッタリン
グ法により形成する。所定配線層２６は、図４に示すよ
うに、多層の積層構造で形成されており、層間絶縁膜１
２上に順次、低抵抗化Ｔｉ層２８、バリア層としてＴｉ
Ｎ層３０、Ａl 配線層３２、反射防止膜としてＴｉＮ層
３４とから構成されている。Ａl 配線層３２は、純アル
ミニムの他に、Ａl ＋Ｓｉ（〜１．０％）、Ａl ＋Ｓｉ
（１．０％）＋Ｃｕ（０．３％）、Ａl ＋Ｃｕ（０．５
％）等のアルミニム合金を使用して、以下の条件でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により成膜される。 圧力：０．２７Pa〜０．４０Pa 温度：４５０°C 〜５００°C ＤＣ出力：１０ｋＷ 尚、所定配線層２６を成膜する前に、開口壁面に対する
バリア層として開口２４の壁面にＴｉＮ層をＣＶＤ法に
より予め成膜しておいても良い。
るようにして所定配線層２６を基板全面にスパッタリン
グ法により形成する。所定配線層２６は、図４に示すよ
うに、多層の積層構造で形成されており、層間絶縁膜１
２上に順次、低抵抗化Ｔｉ層２８、バリア層としてＴｉ
Ｎ層３０、Ａl 配線層３２、反射防止膜としてＴｉＮ層
３４とから構成されている。Ａl 配線層３２は、純アル
ミニムの他に、Ａl ＋Ｓｉ（〜１．０％）、Ａl ＋Ｓｉ
（１．０％）＋Ｃｕ（０．３％）、Ａl ＋Ｃｕ（０．５
％）等のアルミニム合金を使用して、以下の条件でＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により成膜される。 圧力：０．２７Pa〜０．４０Pa 温度：４５０°C 〜５００°C ＤＣ出力：１０ｋＷ 尚、所定配線層２６を成膜する前に、開口壁面に対する
バリア層として開口２４の壁面にＴｉＮ層をＣＶＤ法に
より予め成膜しておいても良い。
【００１３】次いで、図２（ｅ）に示すように、反応性
イオンエッチング法により以下のエッチング条件でダミ
ー配線層１４が露出し、かつ所定配線層２６が所定膜厚
になるまで所定配線層２６をエッチングする。 圧力：１．０７Pa 温度：３０°C 反応ガス：ＢＣl3／Ｃl2＝４０sccm／６０sccm ＲＦ出力：６０Ｗ
イオンエッチング法により以下のエッチング条件でダミ
ー配線層１４が露出し、かつ所定配線層２６が所定膜厚
になるまで所定配線層２６をエッチングする。 圧力：１．０７Pa 温度：３０°C 反応ガス：ＢＣl3／Ｃl2＝４０sccm／６０sccm ＲＦ出力：６０Ｗ
【００１４】基板面にホトレジスト膜を成膜し、図２
（ｆ）に示すように、所定配線パターンを有する第２マ
スクパターン３６を形成する。更に、第２マスクパター
ン３６をマスクにして、図２（ｇ）に示すように、層間
絶縁膜１２に達するまでダミー配線層１４及び過剰幅部
分の所定配線層２６をエッチングして配線を形成する。
（ｆ）に示すように、所定配線パターンを有する第２マ
スクパターン３６を形成する。更に、第２マスクパター
ン３６をマスクにして、図２（ｇ）に示すように、層間
絶縁膜１２に達するまでダミー配線層１４及び過剰幅部
分の所定配線層２６をエッチングして配線を形成する。
【００１５】本発明方法を評価するために、下からＴｉ
層、ＴｉＮ層、Ａl 配線層及びＴｉＮ層の４層積層構造
で純アルミニムをＡl 配線層の材料とした配線幅０．５
μm及び２．０μm の本発明試料を上述した本発明方法
により作製した。試料についてFocused Ion Beam（ＦＩ
Ｂ）回折又はＸ線回折を行って結晶構造を調べ、更にエ
レクトロマイグレーション耐性を試験した。
層、ＴｉＮ層、Ａl 配線層及びＴｉＮ層の４層積層構造
で純アルミニムをＡl 配線層の材料とした配線幅０．５
μm及び２．０μm の本発明試料を上述した本発明方法
により作製した。試料についてFocused Ion Beam（ＦＩ
Ｂ）回折又はＸ線回折を行って結晶構造を調べ、更にエ
レクトロマイグレーション耐性を試験した。
【００１６】回折検査の結果では、Ａl 配線層の結晶が
全てＡl （１１１）面に配向していて単結晶化している
ことが確認できた。また、本発明試料についてエレクト
ロマイグレーション耐性を試験したところ、配線幅０．
５μm の試料の許容電流密度は５．０×１０6A/cm2とな
り、配線幅２．０μm の試料では、１．０×１０6A/cm2
となった。一方、試料と同じ配線構造の配線を従来法に
より形成した従来試料についてエレクトロマイグレーシ
ョン耐性を試験したところ、配線幅０．５μm の試料の
許容電流密度は５．０×１０5 A/cm2 となり、配線幅
２．０μm の試料では、２．０×１０5 A/cm2 となっ
た。
全てＡl （１１１）面に配向していて単結晶化している
ことが確認できた。また、本発明試料についてエレクト
ロマイグレーション耐性を試験したところ、配線幅０．
５μm の試料の許容電流密度は５．０×１０6A/cm2とな
り、配線幅２．０μm の試料では、１．０×１０6A/cm2
となった。一方、試料と同じ配線構造の配線を従来法に
より形成した従来試料についてエレクトロマイグレーシ
ョン耐性を試験したところ、配線幅０．５μm の試料の
許容電流密度は５．０×１０5 A/cm2 となり、配線幅
２．０μm の試料では、２．０×１０5 A/cm2 となっ
た。
【００１７】以上のように、本発明方法により作製した
本発明試料の配線のエレクトロマイグレーション耐性
は、従来法により作製した試料に比べて一桁高く、従っ
て、本発明方法により作製した配線の信頼性は高いと評
価できる。更に、Ａl 配線層をＡl ＋Ｓｉ、Ａl ＋Ｓｉ
＋Ｃｕ又はＡl ＋Ｃｕのアルミニム合金で形成したこと
を除いて同様にして本発明方法により作製した試料につ
いても、上述の評価を行い、純アルミニムの試料と同様
な結果を得た。
本発明試料の配線のエレクトロマイグレーション耐性
は、従来法により作製した試料に比べて一桁高く、従っ
て、本発明方法により作製した配線の信頼性は高いと評
価できる。更に、Ａl 配線層をＡl ＋Ｓｉ、Ａl ＋Ｓｉ
＋Ｃｕ又はＡl ＋Ｃｕのアルミニム合金で形成したこと
を除いて同様にして本発明方法により作製した試料につ
いても、上述の評価を行い、純アルミニムの試料と同様
な結果を得た。
【００１８】本発明方法を適用して、図５に示すような
多層積層構造の配線構造４０を形成できる。配線構造４
０では、シリコン基板４２上に形成された第１層間絶縁
膜４４上に、順次、第１層配線４６、第２層間絶縁膜４
８上にタングステン・プラグ５０を介して第２層配線５
２及び第３層間絶縁膜５４上にタングステン・プラグ５
６を介して第３層配線５８が本発明方法により形成さ
れ、第３層配線５８をパッシベーション膜６０で被覆し
ている。
多層積層構造の配線構造４０を形成できる。配線構造４
０では、シリコン基板４２上に形成された第１層間絶縁
膜４４上に、順次、第１層配線４６、第２層間絶縁膜４
８上にタングステン・プラグ５０を介して第２層配線５
２及び第３層間絶縁膜５４上にタングステン・プラグ５
６を介して第３層配線５８が本発明方法により形成さ
れ、第３層配線５８をパッシベーション膜６０で被覆し
ている。
【００１９】
【発明の効果】本発明方法によれば、下地絶縁膜上に所
定Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜し、ダミ
ー配線層をエッチングして配線パターンに相似した溝状
開口をダミー配線層に形成し、４５０°C 〜５００°C
の範囲の温度下でスパッタリング法により基板全面に所
定Ａl 配線層を成膜することにより、（１１１）配向の
単結晶化された配線層を形成することができる。これに
より、配線層のエレクトロマイグレーション耐性を向上
させ、信頼性の高い配線層を実現できる。また、エレク
トロマイグレーション耐性の向上により、配線幅をサブ
ハーフミクロンのオーダーまで縮小することが可能にな
り、更には、デバイス設計時の余裕度を増大することが
できる。
定Ａl 配線層と同じ材料でダミー配線層を成膜し、ダミ
ー配線層をエッチングして配線パターンに相似した溝状
開口をダミー配線層に形成し、４５０°C 〜５００°C
の範囲の温度下でスパッタリング法により基板全面に所
定Ａl 配線層を成膜することにより、（１１１）配向の
単結晶化された配線層を形成することができる。これに
より、配線層のエレクトロマイグレーション耐性を向上
させ、信頼性の高い配線層を実現できる。また、エレク
トロマイグレーション耐性の向上により、配線幅をサブ
ハーフミクロンのオーダーまで縮小することが可能にな
り、更には、デバイス設計時の余裕度を増大することが
できる。
【図１】図１（ａ）から（ｄ）は、本発明方法を実施す
る各工程毎の層構造を示す基板断面図である。
る各工程毎の層構造を示す基板断面図である。
【図２】図２（ｅ）から（ｇ）は、図１（ｄ）に続い
て、本発明方法を実施する各工程毎の層構造を示す基板
断面図である。
て、本発明方法を実施する各工程毎の層構造を示す基板
断面図である。
【図３】ダミー配線層の積層構造を示す断面図である。
【図４】所定配線層の積層構造を示す断面図である。
【図５】本発明方法により形成した配線構造を示す基板
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 １０ 半導体基板 １２ 層間絶縁膜 １４ ダミー配線層 １６ ＴｉＮ層 １８ Ａl 配線層 ２０ ＴｉＮ層 ２２ 第１マスクパターン ２４ 開口 ２６ 所定配線層 ２８ 低抵抗化Ｔｉ層 ３０ ＴｉＮ層 ３２ Ａl 配線層 ３４ ＴｉＮ層 ３６ 第２マスクパターン ４０ 配線構造 ４２ シリコン基板 ４４ 第１層間絶縁膜 ４６ 第１層配線層 ４８ 第２層間絶縁膜 ５０ タングステン・プラグ ５２ 第２配線層 ５４ 第３層間絶縁膜 ５６ タングステン・プラグ ５８ 第３配線層 ６０ パッシベーション膜
Claims (3)
- 【請求項１】 下地絶縁膜上に所定Ａl 配線層と同じ材
料でダミー配線層を成膜する工程と、 ホトレジスト膜を成膜して、所定配線パターンの配線幅
より僅かに広いパターンを有する第１マスクパターンを
形成する工程と、 第１マスクパターンをマスクにして、下地絶縁膜に達す
るまでダミー配線層をエッチングして、パターンに従っ
て伸びる溝状の開口をダミー配線層に形成する工程と、 ４５０°C 〜５００°C の範囲の温度下で開口を埋める
ようにして基板全面に所定Ａl 配線層をスパッタリング
法により成膜する工程と、 ダミー配線層を露出させ、更に所定Ａl 配線層を所定膜
厚になるまでエッチングする工程と、 ホトレジスト膜を成膜して、所定配線パターンを有する
第２マスクパターンを形成する工程と、 第２マスクパターンをマスクにして、下地絶縁膜に達す
るまでダミー配線層及び過剰幅部分の所定配線層をエッ
チングする工程とを有することを特徴とする配線形成方
法。 - 【請求項２】 ホトレジスト膜を成膜して、所定配線パ
ターンの配線幅より僅かに広いパターンを有する第１マ
スクパターンを形成する工程に代えて、ホトレジスト膜
を成膜して、所定配線パターンの配線幅と同じ幅のパタ
ーンを有する第１マスクパターンを形成する工程と、 第２マスクパターンをマスクにして、下地絶縁膜に達す
るまでダミー配線層及び過剰幅部分の所定配線層をエッ
チングする工程に代えて、第２マスクパターンをマスク
にして、下地絶縁膜に達するまでダミー配線層をエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする請求項１に記
載の配線形成方法。 - 【請求項３】 下地絶縁膜上に所定Ａl 配線層と同じ材
料でダミー配線層を成膜する工程において、所定配線層
と同じＡl 配線層を含む多層積層構造でダミー配線層を
形成し、 開口を埋めるようにして基板全面に所定Ａl 配線層を成
膜する工程において、Ａl 配線層を含む多層積層構造で
所定配線層を形成し、かつＡl 配線層を４５０°C 〜５
００°C の範囲の温度下でスパッタリング法により成膜
することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544995A JP3329148B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544995A JP3329148B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098041A JPH098041A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3329148B2 true JP3329148B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=15996277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17544995A Expired - Fee Related JP3329148B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329148B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP17544995A patent/JP3329148B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098041A (ja) | 1997-01-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |