JP3323870B2 - Thermal printer head - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルプリンタヘッ
ドに関するもので、特に基板上に耐熱樹脂層および樹脂
保護層を有するサーマルプリンタヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal printer head, and more particularly to a thermal printer head having a heat-resistant resin layer and a resin protective layer on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】サーマルプリンタヘッドは、基本的には
支持基板上に配設された微細なドット状の発熱抵抗体に
電圧を印加し、その発熱により感熱紙や製版フィルムな
どに印字を行なうものである。2. Description of the Related Art A thermal printer head basically applies a voltage to a fine dot-shaped heating resistor provided on a supporting substrate and generates a print on a thermosensitive paper or a plate making film by the generated heat. It is.
【０００３】その構造は、熱効率を高めるために前記の
発熱抵抗体の下地層として蓄熱層が設けられる。当初、
その蓄熱層としてガラスグレーズが用いられ、基板とし
てはアルミナ焼結体が使用されていたが、その後、形成
温度が 400℃以下で加工が容易、熱伝導率が小さいなど
の特徴を有することから、ポリイミドのような耐熱性樹
脂を前記の蓄熱層として用いることが提案され、実際に
使用されて種々の改良も成されている。In this structure, a heat storage layer is provided as a base layer of the heating resistor in order to enhance thermal efficiency. Initially,
Glass glaze was used as the heat storage layer, and alumina sintered body was used as the substrate.However, since the formation temperature is 400 ° C or less, it is easy to process and has low thermal conductivity. It has been proposed to use a heat-resistant resin such as polyimide as the heat storage layer, and various improvements have been made by actually using it.
【０００４】このような耐熱性樹脂製の蓄熱層を用いた
サーマルプリンタヘッドは、例えば熱伝導率の高い金属
板からなる支持基板上に、蓄熱層として前記のような耐
熱性樹脂層が形成され、耐熱性樹脂層の上にこれを保護
するための樹脂保護層が形成され、その上に発熱抵抗体
が形成されている。[0004] In a thermal printer head using such a heat storage layer made of a heat resistant resin, a heat storage layer as described above is formed as a heat storage layer on a support substrate made of, for example, a metal plate having high thermal conductivity. On the heat-resistant resin layer, a resin protective layer for protecting the heat-resistant resin layer is formed, and a heating resistor is formed thereon.
【０００５】前記の樹脂保護層は、その上に発熱抵抗体
や個別の画素ごとの電極が形成されたときに隣り合う画
素間で短絡やクロストークが発生することのないよう
に、電気絶縁性の高い材料でなければならない。The above-mentioned resin protective layer has an electric insulating property so that a short circuit or crosstalk does not occur between adjacent pixels when a heating resistor or an electrode for each pixel is formed thereon. The material must be high.
【０００６】また、前記の発熱抵抗体や電極層をエッチ
ングして個別の画素を形成するときに樹脂保護層までエ
ッチングされると、個別の画素間の溝が深くなりこれら
の上にパッシベーション用保護層を成膜した際に、この
パッシベーション用保護層が十分に個別の画素間の溝を
被覆することができず、いわゆる段差被覆の悪化に伴な
うパッシベーション不良によって、サーマルプリンタヘ
ッドの耐湿性の低下や耐久性の低下を招いてしまう。Further, when the resin protective layer is etched when forming the individual pixels by etching the heating resistor and the electrode layer, the grooves between the individual pixels become deeper, and passivation protection is formed on these. When the layer is formed, the passivation protective layer cannot sufficiently cover the grooves between the individual pixels, and the passivation failure accompanying the deterioration of the so-called step coverage causes the moisture resistance of the thermal printer head to decrease. This leads to a decrease in durability and durability.
【０００７】また前記の電極をワイヤボンディングして
サーマルプリンタヘッドとして組み立てる際や、サーマ
ルプリンタヘッドとして印字動作を行なうときに被印字
用紙との間に異物を巻き込んだ際などに、かかる応力に
対して前記の樹脂保護層が十分な力学的強度（耐クラッ
ク性）を有していなければ発熱抵抗体などにクラックの
発生や破壊を引き起こしてしまうことになる。[0007] In addition, when the electrodes are assembled by wire bonding as a thermal printer head, or when foreign matter is caught between the printing target paper and the printing operation when the thermal printer head performs a printing operation, the stress applied thereto is reduced. If the resin protective layer does not have sufficient mechanical strength (crack resistance), cracks or breakage of the heat generating resistor or the like will be caused.
【０００８】このような諸条件を満たす樹脂保護層の材
質としては、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の材料や、特に機械的強度
を重視する際にはＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系やＳｉ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎ系の材料を用いることが提案されている（特開平
1-225568号公報）。[0008] The material of the resin protective layer satisfying these conditions may be a Si-ON-based material or, particularly when the mechanical strength is emphasized, a Si-Zr-ON-based material or a Si-Al-based material. −
It has been proposed to use an ON-N based material (JP-A-Hei.
1-225568).
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ−
Ｏ−Ｎ系の材料を用いる場合では、発熱抵抗体をエッチ
ングする際に、このＳｉ−Ｏ−Ｎからなる樹脂保護層も
ある程度エッチングされてしまい、前記のような段差被
覆の悪化に伴なうパッシベーション不良が発生するとい
う問題がある。However, Si-
In the case where an ON-based material is used, when etching the heating resistor, the resin protective layer made of Si-ON is also etched to some extent, which is accompanied by the deterioration of the step coverage as described above. There is a problem that a passivation failure occurs.
【００１０】また、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系やＳｉ−Ａｌ
−Ｏ−Ｎ系の材料を用いる場合では、樹脂保護層の機械
的的強度は向上するものの、前記のような発熱抵抗体や
電極層をドライエッチングする際にやはり樹脂保護層も
ある程度エッチングされてしまい、エッチングガスとし
てのＣＦ4 など反応性の高いＦ（フッ素）ガスとＳｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ中のＡｌやＺｒとが反応してＡｌやＺｒの
フッ素化合物を生成し、これがドライエッチングされた
部位の近傍に残留して樹脂保護層とパッシベーション用
保護層との付着力を低下させてしまうという問題があ
る。樹脂保護層の材質のエッチングレートが高い場合、
前記のＡｌやＺｒのフッ化物が生成される量もそのエッ
チングレートにほぼ比例して増えるので、そのような場
合には特に前記の 2層間の付着力は低下する。Further, Si-Zr-ON-based and Si-Al
In the case of using the -ON-based material, although the mechanical strength of the resin protective layer is improved, the resin protective layer is also etched to some extent when the heating resistor and the electrode layer are dry-etched as described above. put away, the highly reactive such as CF 4 as the etching gas F (fluorine) gas Si-
Al and Zr in Al—O—N react with each other to generate a fluorine compound of Al or Zr, which remains near the dry-etched portion to reduce the adhesive force between the resin protective layer and the passivation protective layer. There is a problem of lowering. When the etching rate of the material of the resin protective layer is high,
Since the amount of the fluoride of Al or Zr generated also increases almost in proportion to the etching rate, the adhesive force between the two layers is reduced particularly in such a case.
【００１１】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、その目的は、支持基板上に、耐熱性
樹脂層と、前記の耐熱性樹脂層を保護するＳｉ−Ｏ−Ｎ
系材料やそれにＡｌやＺｒなどの金属を含む材質からな
る樹脂保護層と、発熱抵抗体と、前記の発熱抵抗体に通
電するための電極と、パッシベーション用保護層とを順
次形成してなるサーマルプリンタヘッドにおいて、前記
の発熱抵抗体をエッチングする際に前記の樹脂保護層も
ある程度エッチングされてしまうという問題や、Ａｌ、
Ｚｒのような金属を有するＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ（サイア
ロン：商品名）、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎなどからなる樹脂
保護層の場合にエッチングガスと反応してＡｌやＺｒの
フッ化物が発生しこれが樹脂保護層とパッシベーション
用保護層との付着力をさらに低下させてしまうという問
題を解消して、電気絶縁性が高くかつ機械的強度に優れ
パッシベーション用保護層の被着性の良好な樹脂保護層
を有し、パッシベーション特性に優れた耐久性の高いサ
ーマルプリンタヘッドを提供することにある。The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a heat-resistant resin layer on a supporting substrate and a Si-O- layer for protecting the heat-resistant resin layer. N
A thermal protection layer formed by sequentially forming a resin protection layer made of a base material or a material containing a metal such as Al or Zr, a heating resistor, an electrode for supplying a current to the heating resistor, and a passivation protection layer. In the printer head, when the heating resistor is etched, the resin protective layer is also etched to some extent.
In the case of a resin protective layer composed of Si-Al-ON (Sialon: trade name) having a metal such as Zr, Si-Zr-ON, or the like, a fluoride of Al or Zr reacts with an etching gas to form a fluoride. This solves the problem that the adhesive strength between the resin protective layer and the passivation protective layer is further reduced, and the electrical insulation is high, the mechanical strength is excellent, and the adhesion of the passivation protective layer is good. An object of the present invention is to provide a highly durable thermal printer head having a resin protective layer and having excellent passivation characteristics.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するために、本発明のサーマルプリンタヘッドは、支持
基板上に、耐熱性樹脂層と、前記耐熱性樹脂層を保護す
るＳｉ−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系またはＳ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ｚｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系
の材質からなる樹脂保護層と、発熱抵抗体と、前記発熱
抵抗体に通電するための電極と、パッシベーション用保
護層とを順次形成してなるサーマルプリンタヘッドにお
いて、前記樹脂保護層の構成元素の原子組成比が、少な
くとも前記発熱抵抗体との接触部分で、Ｏ／Ｎ＞ 1.5、
かつＯ／Ｓｉ＞ 1.0に設定されていることを特徴として
いる。In order to solve the above-mentioned problems, a thermal printer head according to the present invention comprises a heat-resistant resin layer on a supporting substrate and a Si-O layer for protecting the heat-resistant resin layer. -N system or Si-Zr-ON system or S
a resin protection layer made of an i-Al-ON-based or Si-Zr-Al-ON-based material, a heating resistor, an electrode for supplying electricity to the heating resistor, and a passivation protection layer. Are sequentially formed, the atomic composition ratio of the constituent elements of the resin protective layer is at least O / N> 1.5 at the contact portion with the heating resistor.
In addition, O / Si> 1.0 is set.
【００１３】なお、前記の樹脂保護層としては、Ｓｉ−
Ｏ−Ｎ系や、ＡｌやＺｒのような金属を有するＳｉ−Ａ
ｌ−Ｏ−Ｎ（サイアロン）、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎなどか
らなる材料を用いるが、このとき前記の樹脂保護層の組
成としては、その発熱抵抗体との接触面から少なくとも
0.01μｍ程度の深さまでは前記のように酸素の窒素に対
する元素組成比が略 1.5以上かつ酸素の硅素に対する元
素組成比が 1.0以上に設定されているようにする。そし
て樹脂保護層の下層としては、特に機械的強度を重視す
る際にはＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系やＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系
の材料を用いると効果的である。あるいは成膜工程を簡
略化するために、機械的強度が十分に達成できる膜厚に
形成するなどして樹脂保護層全体を一工程で上記のよう
な組成に設定されたＳｉ−Ｏ−Ｎ系、またはＳｉ−Ｚｒ
−Ｏ−Ｎ系などの材料で形成してもよい。The resin protective layer is made of Si-
On-N system or Si-A having a metal such as Al or Zr
A material made of l-ON (Sialon), Si-Zr-ON, or the like is used. At this time, the composition of the resin protective layer is at least from the contact surface with the heating resistor.
At a depth of about 0.01 μm, the element composition ratio of oxygen to nitrogen is set to about 1.5 or more and the element composition ratio of oxygen to silicon is set to 1.0 or more as described above. As the lower layer of the resin protective layer, it is effective to use a Si-Zr-ON-based material or a Si-Al-ON-based material particularly when importance is attached to mechanical strength. Alternatively, in order to simplify the film forming process, the entire resin protective layer is formed to have a composition as described above in one step by forming the film to a film thickness capable of sufficiently achieving mechanical strength. Or Si-Zr
It may be formed of a material such as -ON-based.
【００１４】また、実際の成膜に際しては、前記のＳｉ
−Ｏ−Ｎ系の膜中の元素組成比はＯ／Ｓｉ≦ 2.0という
上限を有している。Ｏ／Ｎ比については、Ｏを 0に近づ
けてゆくと膜の組成はＳｉx Ｎy 系となり、Ｎを 0に近
づけてゆくと膜の組成はＳｉx Ｏy 系となって、実際の
成膜上の上限は考えなくともよい。In actual film formation, the above-mentioned Si
The element composition ratio in the -ON-based film has an upper limit of O / Si ≤ 2.0. The O / N ratio, the Yuku close to O 0 composition of the film becomes a Si x N y type, when Yuku close the N to 0 the composition of the film becomes Si x O y system, the actual growth It is not necessary to consider the upper limit on the film.
【００１５】また、支持基板としてはアルミニウム（Ａ
ｌ）や鉄系合金（例えばＳＵＳ）のような熱導電性に優
れたものを用いてもよい。セラミック系材料を用いるこ
とも可能である。Further, as the supporting substrate, aluminum (A
l) or a material having excellent thermal conductivity such as an iron-based alloy (for example, SUS) may be used. It is also possible to use a ceramic material.
【００１６】耐熱性樹脂層としては、例えばポリイミド
のような加工性に優れかつ耐熱性の良好なものを用い、
発熱抵抗体としては、サーマルプリンタヘッドとして好
適な抵抗値を有するＮｂ−ＳｉＯ2 系やＴａ−ＳｉＯ2
系などの抵抗体材料を用いればよい。As the heat-resistant resin layer, a material having excellent workability and good heat resistance, such as polyimide, is used.
Examples of the heating resistor include Nb-SiO 2 and Ta-SiO 2 having a resistance value suitable for a thermal printer head.
A resistor material such as a system may be used.
【００１７】電極としては、例えばＡｌ薄膜のような加
工性の良い材料を用いる。As the electrode, a material having good workability such as an Al thin film is used.
【００１８】パッシベーション用保護層としては前記の
樹脂保護層と同様の材料を用いてもよい。あるいは、例
えばＳｉＯ2 （ＰＳＧ膜）のようなパッシベーション膜
を用いることも可能である。The passivation protective layer may be made of the same material as the resin protective layer described above. Alternatively, for example, a passivation film such as SiO 2 (PSG film) can be used.
【００１９】[0019]
【作用】耐熱性樹脂層と電極とをドライエッチングして
画素を形成する工程で、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料などからな
る樹脂保護層もエッチングされてしまい隣り合う画素間
の溝が深くなるために発生するパッシベーション用保護
層の付着不良を防ぐためには、ドライエッチングに一般
的に用いられるエッチャント、例えばＣＦ４のようなエ
ッチングガスに対する前記の樹脂保護層の耐ドライエッ
チング性を向上させることが効果的である。また、樹脂
保護層にＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系やＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系
材料を用いる場合でも、樹脂保護層がエッチングされる
と樹脂保護層中のＡｌやＺｒのような金属がフッソと化
合して金属フッ化物となり残存し、これが樹脂保護層と
パッシベーション用保護層との付着力を低下させてしま
うので、この場合でも前記の樹脂保護層の耐ドライエッ
チング性を向上させることが効果的である。In the step of forming a pixel by dry-etching a heat-resistant resin layer and an electrode, a resin protective layer made of a Si-ON-based material or the like is also etched, and a groove between adjacent pixels becomes deeper. In order to prevent poor adhesion of the passivation protective layer, which occurs in the above, it is effective to improve the dry etching resistance of the resin protective layer to an etchant generally used for dry etching, for example, an etching gas such as CF 4. It is a target. Further, even when a Si-Al-ON-based material or a Si-Zr-ON-based material is used for the resin protective layer, when the resin protective layer is etched, metals such as Al and Zr in the resin protective layer are removed. Combined with fluorine and remains as metal fluoride, which reduces the adhesive force between the resin protective layer and the passivation protective layer, so that even in this case, the dry etching resistance of the resin protective layer can be improved. It is effective.
【００２０】そこで、本発明を完成するにあたって鋭意
研究の結果、前記の樹脂保護層を発熱抵抗体との接触面
から少なくとも0.01μｍ程度の深さ（厚さ）までは酸素
（Ｏ）の窒素（Ｎ）に対する元素組成比がＯ／Ｎ＞ 1.5
であるようにし、かつ酸素（Ｏ）の珪素（Ｓｉ）に対す
る元素組成比がＯ／Ｓｉ＞ 1.0であるように設定すれば
よいことを見出した。酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、珪素
（Ｓｉ）の元素組成比を上記のように設定すれば、樹脂
保護層を耐ドライエッチング性に優れたものとすること
ができ、その結果パッシベーション用保護層の付着不良
を防ぐことができる。こうしてパッシベーション用保護
層の付着不良に起因する発熱抵抗体等の耐久性の低下を
防いで信頼性の高いサーマルプリンタヘッドを実現す
る。Therefore, as a result of intensive studies on completing the present invention, it has been found that the above-mentioned resin protective layer is formed from nitrogen (O) nitrogen (O) at least to a depth (thickness) of about 0.01 μm from the contact surface with the heating resistor. Element composition ratio to N) is O / N> 1.5
And it has been found that the elemental composition ratio of oxygen (O) to silicon (Si) should be set so that O / Si> 1.0. If the elemental composition ratios of oxygen (O), nitrogen (N), and silicon (Si) are set as described above, the resin protective layer can have excellent dry etching resistance, and as a result, passivation protection can be achieved. Poor layer adhesion can be prevented. In this way, a highly reliable thermal printer head can be realized by preventing a decrease in the durability of the heating resistor and the like due to poor adhesion of the passivation protective layer.
【００２１】また、樹脂保護層を上記のような組成とす
ることのできる深さ（厚さ）の最大値としては樹脂保護
層のトータルの膜厚（一般的には 6〜 7μｍ程度まで）
まで形成することが可能である。しかし、必ずしも全膜
厚にわたって上記のような組成に形成する必要はないこ
とは言うまでもなく、少なくとも0.01μｍ程度の深さま
では上記のような組成に形成すれば十分な効果を得るこ
とができる。The maximum value of the depth (thickness) at which the resin protective layer can have the above-mentioned composition is the total thickness of the resin protective layer (generally up to about 6 to 7 μm).
It is possible to form up to. However, needless to say, it is not always necessary to form the composition as described above over the entire film thickness, and a sufficient effect can be obtained by forming the composition as described above at least to a depth of about 0.01 μm.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明の実施例を、その樹脂保護層を
中心に詳細に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below, focusing on the resin protective layer.
【００２３】（実施例１）図１は本発明のサーマルプリ
ンタヘッドの構造を示す図である。同図（ａ）はその一
部分を抜き出して示す一部省略透視図であり、（ｂ）は
そのＡ方向から見た側面断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a view showing the structure of a thermal printer head according to the present invention. FIG. 1A is a partially omitted perspective view showing a part thereof, and FIG. 1B is a side cross-sectional view as viewed from the direction A.
【００２４】本発明に係るサーマルプリンタヘッドは、
基板１、耐熱樹脂層２、樹脂保護層３、この樹脂保護層
３の下層部分４、上層部分５、発熱抵抗体６、電極７、
パッシベーション用保護層８からその層構造の主要部が
構成されている。The thermal printer head according to the present invention comprises:
Substrate 1, heat-resistant resin layer 2, resin protection layer 3, lower portion 4, upper layer portion 5, heating resistor 6, electrode 7 of lower layer 4 of resin protection layer 3,
The passivation protective layer 8 forms the main part of the layer structure.
【００２５】基板１は、材質として鉄系合金のＳＵＳを
用いたものである。この基板１としては、この他にセラ
ミックス基板を用いるなどしてもよい。その場合、セラ
ミックス基板は表面にグレーズガラス層を配設したもの
を用いる。The substrate 1 uses SUS made of an iron-based alloy as a material. As the substrate 1, a ceramic substrate may be used in addition to the above. In this case, a ceramic substrate having a glaze glass layer on the surface is used.
【００２６】耐熱樹脂層２は、膜厚が約20μｍのポリイ
ミドからなり上記の基板１上に配設されるもので、サー
マルプリンタヘッドにおいて常に一定の予熱を蓄積する
蓄熱層である。材料のポリイミドとしては、サーマルプ
リンタヘッドとして用いられる際の耐熱温度、他の層と
の付着力、加工性、コストなどの要素を考えて種々のポ
リイミドの中から最適のものを用いればよい。この耐熱
樹脂層２は、Ｎ2 雰囲気中で最高温度 450℃で硬化させ
た。The heat-resistant resin layer 2 is made of polyimide having a thickness of about 20 μm and is disposed on the substrate 1, and is a heat storage layer that always stores a constant preheat in the thermal printer head. As the material polyimide, the most suitable one may be selected from various polyimides in consideration of factors such as heat resistance temperature when used as a thermal printer head, adhesion to other layers, workability, and cost. This heat-resistant resin layer 2 was cured at a maximum temperature of 450 ° C. in an N 2 atmosphere.
【００２７】樹脂保護層３は、膜厚が約 3.5μｍのＳｉ
−Ｚｒ−Ｏ−Ｎを主成分とする無機膜からなり、上記の
耐熱樹脂層２上に配設されて耐熱樹脂層２を後述の発熱
抵抗体６の発熱および外部環境から保護する。本実施例
において、上記のように樹脂保護層としてＳｉ−Ｚｒ−
Ｏ−Ｎの無機膜を用いたのは、Ｚｒ2 Ｏ3 の添加により
膜の機械的強度（硬度、耐クラック性等）の向上を図る
ためである。同様の目的で、この他にもＡｌを添加した
Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系材料（サイアロン：商品名）を用
いてもよい。また、膜厚を厚くするなどして機械的強度
を向上させれば、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の材料を用いてもよ
い。ここでＺｒ2 Ｏ3 の添加量としては、5ｍｏｌ％か
ら30ｍｏｌ％程度が好ましい。The resin protective layer 3 is made of Si having a thickness of about 3.5 μm.
The heat-resistant resin layer 2 is made of an inorganic film containing -Zr-ON as a main component, and is disposed on the heat-resistant resin layer 2 to protect the heat-resistant resin layer 2 from heat generated by a heat-generating resistor 6 described later and an external environment. In this embodiment, as described above, the Si-Zr-
Was used O-N of the inorganic film is to improve the mechanical strength of the membrane by the addition of Zr 2 O 3 (hardness, crack resistance, etc.). For the same purpose, an Si-Al-ON-based material (Sialon: trade name) to which Al is added may be used. Further, if the mechanical strength is improved by increasing the film thickness, a Si-ON-based material may be used. Here, the addition amount of Zr 2 O 3 is preferably about 5 mol% to 30 mol%.
【００２８】上記のような樹脂保護層３は、ターゲット
としては90ｍｏｌ％のＳｉ3 Ｎ4 粉末と10ｍｏｌ％のＺ
ｒＯ2 − 3％Ｙ2 Ｏ3 を混合焼結したものを用い、また
スパッタリングガスとしてはＡｒ（アルゴン）系のガス
を用いて、スパッタリングにより形成したものである。The resin protective layer 3 as described above is composed of 90 mol% of Si 3 N 4 powder and 10 mol% of Z as targets.
A material obtained by mixing and sintering rO 2 -3% Y 2 O 3 is used, and an Ar (argon) -based gas is used as a sputtering gas to form the film by sputtering.
【００２９】この樹脂保護層３の下層側（層の下部の基
板に近い方） 3μｍ程度の厚さまでの下層部分４は、Ａ
ｒガスのみからなるスパッタリングガスを用いて成膜
し、また樹脂保護層３の上層側（層の上部の発熱抵抗体
に近い方） 0.5μｍ程度の厚さの上層部分５は、Ａｒガ
スとＯ2 （酸素）ガスを混合したスパッタリングガスを
用いて成膜した。上層部分５の組成としては、Ｏ2 ガス
のＡｒガスに対する混合比を 0％、 5％、10％、17％の
4通りに変えて 4種類の組成のものを試作した。その結
果得られた上層部分５の主な組成を、前記の混合比別に
図２に示す。Ｏ2ガスの混合比が10％および17％のスパ
ッタリングガスを用いて得られた上層部分５の組成は、
図２の（ｃ）（ｄ）に示すように、Ｏ／Ｎ＞ 1.5、かつ
Ｏ／Ｓｉ＞1.0の条件を満たすものとなっている。The lower part 4 of the resin protective layer 3 up to a thickness of about 3 μm (closer to the substrate below the layer)
A film is formed using a sputtering gas consisting of only r gas, and an upper layer portion 5 of a thickness of about 0.5 μm on the upper layer side of the resin protective layer 3 (closer to the heating resistor above the layer) is formed of Ar gas and O gas. 2 A film was formed using a sputtering gas mixed with an (oxygen) gas. The composition of the upper layer portion 5 is such that the mixing ratio of O 2 gas to Ar gas is 0%, 5%, 10%, and 17%.
Four types of compositions were prototyped in four different ways. The main composition of the upper layer portion 5 obtained as a result is shown in FIG. 2 according to the mixing ratio. The composition of the upper layer portion 5 obtained by using a sputtering gas having a mixture ratio of O 2 gas of 10% and 17% is as follows:
As shown in (c) and (d) of FIG. 2, the condition of O / N> 1.5 and O / Si> 1.0 is satisfied.
【００３０】発熱抵抗体６は、スパッタリングにより所
定の抵抗値を有する膜厚となるようにＮｂ−ＳｉＯ2 系
の材料を用いて上記の樹脂保護層３の上層部分５の上に
配設される。この発熱抵抗体６の材質としては、この他
にＴａ−ＳｉＯ2 系の材料などを用いてもよい。また成
膜方法もスパッタリング法に限らず、他にも例えばプラ
ズマＣＶＤ法などを用いてもよい。そしてスパッタリン
グなどによる成膜後、抵抗値の安定化のために、この発
熱抵抗体６に真空中で30分間、 450℃の熱処理（アニー
ル）を施す。この熱処理により、発熱抵抗体６の抵抗値
は成膜時から約5 ％程度低下した値に安定する。The heating resistor 6 is disposed on the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 by using an Nb--SiO 2 material so as to have a predetermined resistance value by sputtering. . As a material of the heat generating resistor 6, a Ta-SiO 2 material or the like may be used. Further, the film formation method is not limited to the sputtering method, and for example, a plasma CVD method or the like may be used. After film formation by sputtering or the like, the heating resistor 6 is subjected to a heat treatment (annealing) at 450 ° C. for 30 minutes in a vacuum to stabilize the resistance value. By this heat treatment, the resistance value of the heating resistor 6 is stabilized to a value reduced by about 5% from the time of film formation.
【００３１】電極７は、Ａｌ等の導電体からなる電極
で、前記の発熱抵抗体６に電圧を印加するものである。
スパッタリング法やその他の蒸着法により成膜され、そ
の下の発熱抵抗体６とともにプラズマエッチングによっ
てパターンニングされて、個別の画素ごとに分割された
形に配設される。このドライエッチングのエッチングガ
スとしてはＣＦ4 とＯ2 との混合ガスを用いる。電極７
および発熱抵抗体６をエッチングしても、前述の樹脂保
護層３はこのＣＦ4 とＯ2 との混合ガスのようなエッチ
ングガスに対して耐ドライエッチング性に優れているの
で、不必要にエッチングされることを免れている。The electrode 7 is an electrode made of a conductor such as Al for applying a voltage to the heating resistor 6.
A film is formed by a sputtering method or another vapor deposition method, is patterned by plasma etching together with the heating resistor 6 thereunder, and is arranged in a form divided into individual pixels. A mixed gas of CF 4 and O 2 is used as an etching gas for this dry etching. Electrode 7
Even when the heating resistor 6 is etched, the above-mentioned resin protective layer 3 is excellent in dry etching resistance to an etching gas such as a mixed gas of CF 4 and O 2 , so that unnecessary etching is performed. I am spared from being.
【００３２】パッシベーション用保護層８は、前述の樹
脂保護層３に用いたものと同様のターゲットを用いてス
パッタリング法により成膜されたＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系
の材質からなるもので、前記の電極７、発熱抵抗体６、
樹脂保護層３が空気に直接さらされることを避けるため
のパッシベーション層である。その発熱抵抗体６に接す
る部分は、電気絶縁性を良好にするために、下層から順
に、10％Ｏ2 −Ａｒ雰囲気中で約 1μｍ成膜した後、そ
の上にＡｒ雰囲気中で約 2μｍ成膜し、このパッシベー
ション用保護層８が外部に接する面の機械的強度をさら
に向上させている。The passivation protective layer 8 is made of a Si—Zr—O—N-based material formed by a sputtering method using the same target as that used for the resin protective layer 3. Electrode 7, heating resistor 6,
This is a passivation layer for preventing the resin protective layer 3 from being directly exposed to air. The portion in contact with the heating resistor 6 is formed, in order from the lower layer, to a thickness of about 1 μm in a 10% O 2 —Ar atmosphere and then to a thickness of about 2 μm in an Ar atmosphere to improve electrical insulation. The passivation protective layer 8 further improves the mechanical strength of the surface in contact with the outside.
【００３３】このように、基板１、耐熱樹脂層２、樹脂
保護層３、この樹脂保護層３の下層部分４、上層部分
５、発熱抵抗体６、電極７、パッシベーション用保護層
８がほぼこの順に形成され、さらにワイヤーボンディン
グや組み立てなどの実装工程を経て、本発明に係るサー
マルプリンタヘッドは形成される。As described above, the substrate 1, the heat-resistant resin layer 2, the resin protective layer 3, the lower part 4, the upper part 5, the heating resistor 6, the electrode 7, and the passivation protective layer 8 of the resin protective layer 3 are substantially formed. The thermal printer head according to the present invention is formed in order and through a mounting process such as wire bonding or assembly.
【００３４】ところで、前記の樹脂保護層３の上層部分
５としては、前述したようにスパッタリングガス中のＡ
ｒガスに対するＯ2 ガスの混合比を 0％、 5％、10％、
17％の 4通りに変えた 4種類の組成のものを試作した
が、これらの 4種類の上層部分５について、パッシベー
ション保護層７の付着力や耐湿性を比較する実験を行な
った。As described above, the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 is made of A
The mixing ratio of O 2 gas to r gas is 0%, 5%, 10%,
Four types of compositions having 17% were changed to four types, and an experiment was performed to compare the adhesion and the moisture resistance of the passivation protective layer 7 with respect to these four types of upper layer portions 5.
【００３５】付着力はスクラッチテストにより評価し、
耐湿性は60℃、湿度90％の雰囲気中で1000時間にわたり
発熱抵抗体にバイアス電圧を印加したときの電極７およ
び発熱抵抗体６の腐食レベルによって評価した。The adhesion was evaluated by a scratch test.
The moisture resistance was evaluated by the corrosion level of the electrode 7 and the heating resistor 6 when a bias voltage was applied to the heating resistor for 1000 hours in an atmosphere of 60 ° C. and 90% humidity.
【００３６】その結果、Ａｒガスに対するＯ2 ガスの混
合比を 0％としたものおよび 5％としたものは、付着力
および耐湿性ともに不十分だったが、10％としたものお
よび17％としたものについては、全く問題はなく、パッ
シベーション保護層の付着力および耐湿性ともに十分で
あることが確認された。このときの樹脂保護層３の上層
部分５の組成は、Ｏ／Ｎ＞ 1.5、かつＯ／Ｓｉ＞ 1.0を
満たすものだった。As a result, those in which the mixing ratio of O 2 gas to Ar gas was 0% and 5% were inadequate in both adhesive force and moisture resistance, but were 10% and 17%. With respect to those obtained, there was no problem at all, and it was confirmed that both the adhesion and the moisture resistance of the passivation protective layer were sufficient. At this time, the composition of the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 satisfied O / N> 1.5 and O / Si> 1.0.
【００３７】ここで、本発明のサーマルプリンタヘッド
において、上記のように樹脂保護層３の上層部分５の耐
ドライエッチング性が良好となりパッシベーション保護
層の付着力および耐湿性が十分なものとなる理由を考察
する。Here, in the thermal printer head of the present invention, as described above, the dry etching resistance of the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 is improved, and the adhesion and moisture resistance of the passivation protective layer are sufficient. Will be considered.
【００３８】Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の膜は、一般的に、スパッ
タリングやプラズマＣＶＤ等の成膜方法で形成される。
ここで膜の組成としては、金属をＭi （ｉ＝ 1、 2、 3
…）とすると、この金属Ｍi の酸化物や窒化物を含んで
いてもよい。The Si-ON-based film is generally formed by a film forming method such as sputtering or plasma CVD.
Here, as the composition of the film, the metal is M i (i = 1, 2, 3
When ...) to, may contain an oxide or nitride of the metal M i.
【００３９】そしてサーマルプリンタヘッドの発熱抵抗
体のように高い絶縁性を要する層に接触する部分は、特
にＳｉや前記の金属Ｍi が析出しないようにこれらのＳ
ｉや金属Ｍi をＯ（酸素）またはＮ（窒素）に十分に化
合させておく必要がある。[0039] Then the portion in contact with the layer requiring high insulation, as the heat generating resistor of the thermal printer head, especially Si and the metal M i is these so as not to precipitate S
The i and metal M i to O (oxygen) or N (nitrogen) is required to be sufficiently were combined.
【００４０】しかし、Ｓｉや金属ＭｉとＮとの結合は、
Ｏとのそれと比較してＦ（フッ素）ラジカルに対して極
めて侵されやすく、例えばＳｉ３Ｎ４とＳｉＯ２とを比
較すると、前者のエッチングレイトは最大１桁程度も大
きい。このため、少なくとも、ドライエッチングの際に
エッチングガス中のＦ（フッ素）ラジカルに晒される樹
脂保護層３の上層部分５においては酸化物結合の割合を
窒化物結合の割合よりも多く設定することが、その耐ド
ライエッチング性を良好にするための一つの目安とな
る。そこで樹脂保護層３の組成を、[0040] However, the bond between Si and metal M i and N,
Compared to O, it is extremely susceptible to F (fluorine) radicals. For example, when comparing Si 3 N 4 and SiO 2 , the etching rate of the former is as large as one digit at the maximum. For this reason, at least in the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 exposed to F (fluorine) radicals in the etching gas at the time of dry etching, the ratio of the oxide bond may be set to be higher than the ratio of the nitride bond. This is one measure for improving the dry etching resistance. Therefore, the composition of the resin protective layer 3 is
【化１】 の形で表現すると、α＞β、かつσｉ＞δｉであること
がその条件となる。ここで、上式においてＳｉ
Ｎ４／３、Ｎ２／３ηｉ等と表現したのは、Ｏ、Ｎの価
数が各々、２価、３価をとることによる。この条件に適
合した、樹脂保護層３の少なくとも上層部分５の組成比
は、以下の式にて表わすことができる。即ち、Embedded image The condition is that α> β and σ i > δ i . Here, in the above equation, Si
The expression of N 4/3 , N 2/3 η i and the like is based on the fact that the valences of O and N are divalent and trivalent, respectively. The composition ratio of at least the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 that meets this condition can be expressed by the following equation. That is,
【化２】 上式より、上層部分５の耐ドライエッチング性を良好な
ものとするための目安となる条件は、 Ｏ／Ｎ＞１．５、かつＯ／Ｓｉ＞１．０ のようになる。つまり上式の不等号はα＞β、およびσ
ｉ＞δｉであることにより成り立っている。Embedded image From the above equation, the criteria for improving the dry etching resistance of the upper layer portion 5 are as follows: O / N> 1.5 and O / Si> 1.0. That is, the inequality in the above equation is α> β and σ
is made up by a i> δ i.
【００４１】実際に元素組成比が上記のように設定され
た上層部分５を有する樹脂保護層３は、前述したように
本実施例における実験の結果、耐ドライエッチング性が
良好でパッシベーション用保護層８の付着力および耐湿
性が十分であることが確認されている。As described above, the resin protective layer 3 having the upper layer portion 5 whose elemental composition ratio is set as described above has a good dry etching resistance and a good passivation protective layer as a result of the experiment in this embodiment. It has been confirmed that the adhesive strength and moisture resistance of No. 8 are sufficient.
【００４２】また、このように耐ドライエッチング性が
良好な上層部分５を有する樹脂保護層３は、その組成中
にＡｌまたはＺｒのような金属を有するものの場合で
も、フッ素ガスのようなエッチングガスに侵されること
が少ないのでＡｌやＺｒのフッ素化合物の発生を抑える
ことができ、そのような金属のフッ素化合物に起因して
発生していたパッシベーション用保護層８の付着不良な
どの問題を解消することができる。The resin protective layer 3 having the upper layer portion 5 having good dry etching resistance has an etching gas such as a fluorine gas even if the composition includes a metal such as Al or Zr. Al and Zr can suppress the generation of fluorine compounds such as Al and Zr, and solve problems such as poor adhesion of the passivation protective layer 8 caused by such metal fluorine compounds. be able to.
【００４３】一方、樹脂保護層３の機械的強度について
は、耐ドライエッチング性とは逆に窒化物結合の割合を
酸化物結合の割合よりも多く設定することが、その機械
的強度を良好にするための一つの目安となる。On the other hand, with regard to the mechanical strength of the resin protective layer 3, contrary to the dry etching resistance, setting the ratio of the nitride bond larger than the ratio of the oxide bond can improve the mechanical strength. It is one guide for doing so.
【００４４】従って、前記のα、βおよびσｉ、δｉに
ついて、α＜β、かつσｉ＜δｉであることがその条件
となる。これに基づいて元素組成比を求めると、以下の
ようになる。即ち、Therefore, for the above α, β and σ i , δ i , the condition is that α <β and σ i <δ i . When the element composition ratio is determined based on this, the following is obtained. That is,
【化３】 であるから、樹脂保護層３の機械的強度を高くするため
の元素組成比の条件は、 Ｏ／Ｎ＜１．５、かつＮ／Ｓｉ＞ ２／３（＞０．６６） となる。つまり上式の不等号はα＜βおよびσｉ＜δｉ
であることにより成り立っている。Embedded image Therefore, the condition of the element composition ratio for increasing the mechanical strength of the resin protective layer 3 is O / N <1.5 and N / Si> 2/3 (> 0.66). That is, the inequalities in the above equation are α <β and σ i <δ i
It is established by being.
【００４５】このように、樹脂保護層３の機械的強度を
高くするための元素組成比の条件と、耐ドライエッチン
グ性を良好なものとするための条件とはトレードオフの
関係にあるので必要に応じて使い分ければよい。実際に
本実施例では、そのようにＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎ系の膜の
Ｏ／Ｎ比、Ｏ／Ｓｉ比、Ｎ／Ｓｉ比を調節して、樹脂保
護層３の下層部分４を機械的強度の高いものとし、上層
部分５を耐ドライエッチング性の良好なものとしてい
る。As described above, there is a trade-off between the condition of the element composition ratio for increasing the mechanical strength of the resin protective layer 3 and the condition for improving the dry etching resistance. It can be used properly according to. Actually, in this embodiment, the O / N ratio, the O / Si ratio, and the N / Si ratio of the Si-Zr-ON-based film are adjusted so that the lower layer portion 4 of the resin protective layer 3 is mechanically formed. And the upper layer portion 5 has good dry etching resistance.
【００４６】（実施例２）次に、第１の実施例における
樹脂保護層３の下層部分４をＳｉ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎの組成
とし、上層部分５をＳｉＯ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系、ＳｉＮ
系のうちいずれかの組成とし、その他の層は第１の実施
例と同様の構成としたサーマルプリンタヘッドを作成し
た。説明を簡潔にするために、本実施例においても第１
の実施例と同一符号を用いて説明する。(Embodiment 2) Next, the lower layer 4 of the resin protective layer 3 in the first embodiment is made of a composition of Si-Zr-ON, and the upper layer 5 is made of SiO-based and Si-ON-based. , SiN
A thermal printer head having the same composition as that of the first embodiment and the other layers having the same configuration as that of the first embodiment was prepared. For simplicity of explanation, the first embodiment is also used in this embodiment.
Explanation will be made using the same reference numerals as those of the embodiment.
【００４７】樹脂保護層３の下層部分４は90ｍｏｌ％の
Ｓｉ3 Ｎ4 粉末と10ｍｏｌ％のＺｒＯ2 − 3％Ｙ2 Ｏ3
粉末とを混合焼結したターゲットを用い、Ａｒガス雰囲
気中でスパッタリング法により約 3μｍ成膜した。そし
て上層部分５としては、以下の 2種類のものを作成し
た。 （１）ＳｉＯ2 ターゲットを用い、 5％Ｏ2 −Ａｒ雰囲
気中でスパッタリング法により約 0.5μｍ成膜したも
の。この場合に得られる上層部分５としての膜は、Ｓｉ
Ｏ系の組成で、元素組成比はＯ／Ｎが無限大、Ｏ／Ｓｉ
が約 2となる。 （２）Ｓｉ3 Ｎ4 −50ｍｏｌ％ＳｉＯ2 ターゲットを用
い、 5％Ｏ2 −Ａｒ雰囲気中でスパッタリング法により
約 0.5μｍ成膜したもの。この場合に得られる上層部分
５としての膜はＳｉ−Ｏ−Ｎ系の組成で、元素組成比は
Ｏ／Ｎが約2 、Ｏ／Ｓｉが約1.14となる。そしてデバイ
スとして組み上げ、第１の実施例と同様にパッシベーシ
ョン用保護層８の付着力および耐湿性を実験により検証
した。その結果、いずれの評価も良好なものであった。The lower part 4 of the resin protective layer 3 is composed of 90 mol% of Si 3 N 4 powder and 10 mol% of ZrO 2 -3% Y 2 O 3
Using a target obtained by mixing and sintering the powder, a film of about 3 μm was formed by a sputtering method in an Ar gas atmosphere. And, as the upper layer portion 5, the following two types were prepared. (1) A film having a thickness of about 0.5 μm formed by a sputtering method in a 5% O 2 —Ar atmosphere using an SiO 2 target. The film as the upper layer portion 5 obtained in this case is made of Si
O-based composition, element composition ratio of O / N is infinite, O / Si
Becomes about 2. (2) A film having a thickness of about 0.5 μm formed by a sputtering method in a 5% O 2 -Ar atmosphere using a Si 3 N 4 -50 mol% SiO 2 target. The film as the upper layer portion 5 obtained in this case has an Si-ON-based composition, and the element composition ratio is about 2 for O / N and about 1.14 for O / Si. Then, the device was assembled as a device, and the adhesion and the moisture resistance of the passivation protective layer 8 were verified by experiments in the same manner as in the first embodiment. As a result, each evaluation was good.
【００４８】なお、樹脂保護層３としては、少なくとも
その上層部分５がＳｉ−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ｚｒ−Ｏ
−Ｎ系などの材質からなり、かつその元素組成比がＯ／
Ｎ＞1.5およびＯ／Ｓｉ＞ 1.0に設定されて耐ドライエ
ッチング性の高いものとなっていればよい。また下層部
分４はＯ／Ｎ＜ 1.5、かつＮ／Ｓｉ＞ 2/3（＞0.66）に
設定して、機械的強度を高くすることが好ましい。In addition, at least the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 is made of a Si—O—N or Si—Zr—O
-N type material and the element composition ratio is O /
It suffices if N> 1.5 and O / Si> 1.0 so that the dry etching resistance is high. Further, it is preferable to set the lower layer portion 4 to O / N <1.5 and N / Si> 2/3 (> 0.66) to increase the mechanical strength.
【００４９】従って、上記の第１の実施例および第２の
実施例の他にも、例えば樹脂保護層３の上層部分５はＳ
ｉ−Ｏ−Ｎ系とし、かつ下層部分４はＳｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ系として、耐エッチング性を高めつつその機械的強度
を高くするようにしてもよく、あるいは樹脂保護層３の
全体にわたってその元素組成比がＯ／Ｎ＞ 1.5、かつＯ
／Ｓｉ＞ 1.0に設定され十分な機械的強度になるような
膜厚としたＳｉ−Ｏ−Ｎ系を用いてもよい。Therefore, in addition to the first and second embodiments described above, for example, the upper layer portion 5 of the resin protective layer 3 may be made of S
i-O-N-based and the lower layer portion 4 is made of Si-Al-O-
As an N-based material, its mechanical strength may be increased while improving its etching resistance, or its elemental composition ratio may be O / N> 1.5 and O
It is also possible to use a Si-ON-based film which is set to have a value of /Si>1.0 and a sufficient film thickness.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上の詳細な説明で明らかなように、本
発明のサーマルプリンタヘッドは、電気絶縁性が高くか
つ機械的強度に優れパッシベーション用保護層の被着性
の良好な樹脂保護層を有するパッシベーション特性に優
れた耐久性の高いサーマルプリンタヘッドである。As is apparent from the above detailed description, the thermal printer head of the present invention has a resin protective layer having high electrical insulation, excellent mechanical strength, and good adhesion of the passivation protective layer. It is a highly durable thermal printer head with excellent passivation characteristics.
【図１】本発明のサーマルプリンタヘッドの構造を示す
図。FIG. 1 is a diagram showing the structure of a thermal printer head according to the present invention.
【図２】本発明のサーマルプリンタヘッドの樹脂保護層
３の上層部分５の主な組成を成膜時のスパッタリングガ
スの混合比ごとに示す図。FIG. 2 is a diagram showing a main composition of an upper layer portion 5 of a resin protective layer 3 of a thermal printer head of the present invention for each mixing ratio of a sputtering gas at the time of film formation.
１…基板 ２…耐熱樹脂層 ３…樹脂保護層 ４…樹脂保護層の下層部分 ５…樹脂保護層の上層部分 ６…発熱抵抗体 ７…電極 ８…パッシベーション用保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Heat resistant resin layer 3 ... Resin protective layer 4 ... Lower part of resin protective layer 5 ... Upper part of resin protective layer 6 ... Heating resistor 7 ... Electrode 8 ... Protective layer for passivation
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−240567（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293164（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−36465（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−297066（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/335 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-3-240567 (JP, A) JP-A-3-293164 (JP, A) JP-A-64-36465 (JP, A) JP-A-63-63 297066 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B41J 2/335
Claims (1)
熱性樹脂層を保護するＳｉ−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ｚｒ
−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系またはＳｉ−Ｚ
ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系の材質からなる樹脂保護層と、発熱
抵抗体と、前記発熱抵抗体に通電するための電極と、パ
ッシベーション用保護層とを順次形成してなるサーマル
プリンタヘッドにおいて、 前記樹脂保護層の構成元素の原子組成比が、少なくとも
前記発熱抵抗体との接触部分で、Ｏ／Ｎ＞ 1.5、かつＯ
／Ｓｉ＞ 1.0に設定されていることを特徴とするサーマ
ルプリンタヘッド。1. A heat-resistant resin layer on a supporting substrate, and a Si-ON-based or Si-Zr for protecting the heat-resistant resin layer.
-ON-based or Si-Al-ON-based or Si-Z
In a thermal printer head, a resin protective layer made of an r-Al-ON-based material, a heating resistor, an electrode for energizing the heating resistor, and a passivation protection layer are sequentially formed. The atomic composition ratio of the constituent elements of the resin protective layer is at least O / N> 1.5 and O
/Si>1.0, a thermal printer head.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2007393A JP3323870B2 (en) | 1992-02-26 | 1993-02-08 | Thermal printer head |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP3942192 | 1992-02-26 | ||
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Publications (2)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| US6013553A (en) * | 1997-07-24 | 2000-01-11 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric |
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1993
- 1993-02-08 JP JP2007393A patent/JP3323870B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| JPH05305721A (en) | 1993-11-19 |
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