JP3317001B2 - プローブ製造方法 - Google Patents
プローブ製造方法Info
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- JP3317001B2 JP3317001B2 JP04455394A JP4455394A JP3317001B2 JP 3317001 B2 JP3317001 B2 JP 3317001B2 JP 04455394 A JP04455394 A JP 04455394A JP 4455394 A JP4455394 A JP 4455394A JP 3317001 B2 JP3317001 B2 JP 3317001B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
または原子間力顕微鏡またはこれらを応用した装置のプ
ローブに関し、特に、パッケージされた半導体集積回路
のチップ表面等を測定するのに好適なプローブ及びその
製造方法に関するものである。
または原子間力顕微鏡またはこれらを応用した装置のプ
ローブに関し、特に、パッケージされた半導体集積回路
のチップ表面等を測定するのに好適なプローブ及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来例の説明図である。図におい
て、３はティップ、４はカンティレバー、５はプローブ
基体、12はパッケージ、13はＩＣチップ、14はＩＣ表面
の凸部、例えば配線である。
て、３はティップ、４はカンティレバー、５はプローブ
基体、12はパッケージ、13はＩＣチップ、14はＩＣ表面
の凸部、例えば配線である。
【０００３】G. Binnig らによって発明された走査型ト
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ：ScanningTunneling Microscope
、例えば、米国特許4,343,993)や、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope 、例えば、米国特
許4,724,318 、或いは、G.Binnig,C.F.Quate,C.Gerber:
Phys.Rev.Lett.56, P930, 1986) は、原子オーダーの超
高空間分解能で試料表面の物理および物性的性質を測定
することが可能であり、数多くの応用が試みられてい
る。
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ：ScanningTunneling Microscope
、例えば、米国特許4,343,993)や、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope 、例えば、米国特
許4,724,318 、或いは、G.Binnig,C.F.Quate,C.Gerber:
Phys.Rev.Lett.56, P930, 1986) は、原子オーダーの超
高空間分解能で試料表面の物理および物性的性質を測定
することが可能であり、数多くの応用が試みられてい
る。
【０００４】重要な応用の一つとして、半導体集積回路
の分野が挙げられる。ＡＦＭを用いれば、半導体集積回
路表面の凹凸を高分解能測定できるため、プロセス評価
や故障解析等に有用である。
の分野が挙げられる。ＡＦＭを用いれば、半導体集積回
路表面の凹凸を高分解能測定できるため、プロセス評価
や故障解析等に有用である。
【０００５】また、最近、動作中の半導体集積回路の内
部信号電圧の測定への応用が考えられている。半導体集
積回路を開発・製造する上で素子を試験して動作不良が
ある場合に原因を調べる（故障解析）ことが不可欠であ
るが、近年のＬＳＩの高集積化、Ｉ／Ｏピンの多数化に
より、ＬＳＩテスタなどのＩ／Ｏピンの信号を測定する
方法だけでは正確な設計検証や故障解析を行うことが困
難になってきている。
部信号電圧の測定への応用が考えられている。半導体集
積回路を開発・製造する上で素子を試験して動作不良が
ある場合に原因を調べる（故障解析）ことが不可欠であ
るが、近年のＬＳＩの高集積化、Ｉ／Ｏピンの多数化に
より、ＬＳＩテスタなどのＩ／Ｏピンの信号を測定する
方法だけでは正確な設計検証や故障解析を行うことが困
難になってきている。
【０００６】このため、素子の中の微細配線の電圧を測
定することが行われる。半導体集積回路チップ内部の微
細配線の電圧測定に適した装置としては、電子ビームを
用いた装置が知られているが、半導体集積回路の高集積
化、高速化に伴い、測定スピードと時間分解能が不十分
となりつつある。光ビームを用いた技術（例えば、J.A.
Valdmanis ;Electron.Lett.23,1308-1310,1987) もある
が、波長制限で決まる空間分解能が不十分であるため、
ＬＳＩには適用できない。
定することが行われる。半導体集積回路チップ内部の微
細配線の電圧測定に適した装置としては、電子ビームを
用いた装置が知られているが、半導体集積回路の高集積
化、高速化に伴い、測定スピードと時間分解能が不十分
となりつつある。光ビームを用いた技術（例えば、J.A.
Valdmanis ;Electron.Lett.23,1308-1310,1987) もある
が、波長制限で決まる空間分解能が不十分であるため、
ＬＳＩには適用できない。
【０００７】本発明者は、ＡＦＭ技術を応用し、導電性
微細探針による配線探索と探針位置決めの機能を備えた
光ビームによる高空間分解能の電圧測定装置を提案し
た。（特開平５−２５１５２４号公報：プローブ装置お
よび集積回路検査装置）また、導電性微小探針と配線間
に作用する静電力をＡＦＭカンティレバーでサンプリン
グすることによって配線電圧を測定する方法（例えば、
A.S.Hou et al; Ultrafast Elrctronics & Optoelectro
nics (Jan.1993),WA4) も提案されている。これらの方
法は、従来の電子ビームテスタより高感度、高速のＬＳ
Ｉ内部診断技術になるものと期待される。
微細探針による配線探索と探針位置決めの機能を備えた
光ビームによる高空間分解能の電圧測定装置を提案し
た。（特開平５−２５１５２４号公報：プローブ装置お
よび集積回路検査装置）また、導電性微小探針と配線間
に作用する静電力をＡＦＭカンティレバーでサンプリン
グすることによって配線電圧を測定する方法（例えば、
A.S.Hou et al; Ultrafast Elrctronics & Optoelectro
nics (Jan.1993),WA4) も提案されている。これらの方
法は、従来の電子ビームテスタより高感度、高速のＬＳ
Ｉ内部診断技術になるものと期待される。
【０００８】以上のような走査型トンネル顕微鏡や、原
子間力顕微鏡、及びこれらを応用した装置のプローブ製
造方法には多数の方法がある。半導体プロセスを利用
し、シリコンウエハからオールシリコン製のプローブを
製造する方法によれば、多数のプローブを再現性良く製
造することが可能である。
子間力顕微鏡、及びこれらを応用した装置のプローブ製
造方法には多数の方法がある。半導体プロセスを利用
し、シリコンウエハからオールシリコン製のプローブを
製造する方法によれば、多数のプローブを再現性良く製
造することが可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】例えば、ＡＦＭ用プロ
ーブ基体５は、図６（ｃ）に示すように、一般に高さ数
μｍで先端径０.1μｍ程度の微小針（ティップ）３を先
端部に備える軟らかな、例えば、バネ定数が０.1〜10N/
m で長さ数百μｍのカンティレバー（片持針）４をプロ
ーブ基体５に取りつけた構造を有する。プローブ基体５
の長さは数mmである。
ーブ基体５は、図６（ｃ）に示すように、一般に高さ数
μｍで先端径０.1μｍ程度の微小針（ティップ）３を先
端部に備える軟らかな、例えば、バネ定数が０.1〜10N/
m で長さ数百μｍのカンティレバー（片持針）４をプロ
ーブ基体５に取りつけた構造を有する。プローブ基体５
の長さは数mmである。
【００１０】プローブは、図６（ａ）に示すように、或
る角度( 例えば10°) で傾けて使用する。これにより、
試料表面が平ら（例えば、回路を形成したシリコンウエ
ハ）であれば、プローブ基体５の先端のティップ３のみ
が試料であるＩＣチップ13に接触する。しかしながら、
パッケージ12に固着されたＩＣチップ13を測定する場
合、ＩＣチップ13がパッケージ12の表面よりも奥まった
位置（例えば１ｍｍ下側）にあると、プローブ基体５、
あるいは、プローブホルダの底面がパッケージ12の表面
に接触するため、ＩＣチップ13の表面にはプローブ基体
５の先端のティップ３を接触させることができない、す
なわち、観測できない領域がある。また、ＩＣチップ13
がパッケージ12の深いところにある場合には、全く観測
ができない。このように、ＩＣチップ13のパッケージ12
内での深さやチップ面積に応じてＩＣチップ13の表面に
は観察できない領域が生じる。
る角度( 例えば10°) で傾けて使用する。これにより、
試料表面が平ら（例えば、回路を形成したシリコンウエ
ハ）であれば、プローブ基体５の先端のティップ３のみ
が試料であるＩＣチップ13に接触する。しかしながら、
パッケージ12に固着されたＩＣチップ13を測定する場
合、ＩＣチップ13がパッケージ12の表面よりも奥まった
位置（例えば１ｍｍ下側）にあると、プローブ基体５、
あるいは、プローブホルダの底面がパッケージ12の表面
に接触するため、ＩＣチップ13の表面にはプローブ基体
５の先端のティップ３を接触させることができない、す
なわち、観測できない領域がある。また、ＩＣチップ13
がパッケージ12の深いところにある場合には、全く観測
ができない。このように、ＩＣチップ13のパッケージ12
内での深さやチップ面積に応じてＩＣチップ13の表面に
は観察できない領域が生じる。
【００１１】プローブの傾きを大きくすればこの問題は
軽減されると考えられるが、図６（ｂ）に示すような別
の問題が生じる。すなわち、プローブの傾きに応じて、
テイップ３もＩＣチップ13の表面に対して傾くため、画
像或いはラインプロファイルの測定時に、ＩＣチップ13
表面のパッドや配線14等の凸部の壁面とテイップ３の壁
面間で力が作用するために観察画像が歪んでしまう、つ
まり空間分解能が低下する問題があり，プローブの傾き
が大きいほど顕著となる。
軽減されると考えられるが、図６（ｂ）に示すような別
の問題が生じる。すなわち、プローブの傾きに応じて、
テイップ３もＩＣチップ13の表面に対して傾くため、画
像或いはラインプロファイルの測定時に、ＩＣチップ13
表面のパッドや配線14等の凸部の壁面とテイップ３の壁
面間で力が作用するために観察画像が歪んでしまう、つ
まり空間分解能が低下する問題があり，プローブの傾き
が大きいほど顕著となる。
【００１２】本発明は、以上のような問題点のないプロ
ーブの製造方法を提供することを目的とする。
ーブの製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１はシリコン構造体、３はティ
ップ、４はカンティレバー、５はプローブ基体、６は平
行板バネである。
図である。図において、１はシリコン構造体、３はティ
ップ、４はカンティレバー、５はプローブ基体、６は平
行板バネである。
【００１４】パッケージに固着されたＩＣチップの観察
等、大きな凹凸のある試料測定に好適なＡＦＭ用プロー
ブ形状の例を図１（ａ）に示す。微小探針となるティッ
プ３は試料表面にほぼ垂直に設置され、ティップ３と垂
直方向のプローブの幅が短く、且つ、プローブ全体がプ
ローブ基体５の上部（ティップと反対の端部）で保持さ
れることが望ましい。カンティレバー４がティップ３と
ほぼ直角方向（試料水平面と平行）に形成される場合、
カンティレバー４が試料と接触しないような長さのティ
ップ３を備えることが望ましい。カンティレバー４に比
べてティップ３の長さが無視できないくらい長いと、カ
ンティレバー４にひねりが生じやすい。これが問題に成
る場合には、図１（ｂ）のようにカンティレバーに代え
て２本の平行板バネ６にするのが望ましい。
等、大きな凹凸のある試料測定に好適なＡＦＭ用プロー
ブ形状の例を図１（ａ）に示す。微小探針となるティッ
プ３は試料表面にほぼ垂直に設置され、ティップ３と垂
直方向のプローブの幅が短く、且つ、プローブ全体がプ
ローブ基体５の上部（ティップと反対の端部）で保持さ
れることが望ましい。カンティレバー４がティップ３と
ほぼ直角方向（試料水平面と平行）に形成される場合、
カンティレバー４が試料と接触しないような長さのティ
ップ３を備えることが望ましい。カンティレバー４に比
べてティップ３の長さが無視できないくらい長いと、カ
ンティレバー４にひねりが生じやすい。これが問題に成
る場合には、図１（ｂ）のようにカンティレバーに代え
て２本の平行板バネ６にするのが望ましい。
【００１５】従来、オールシリコン製のプローブを製造
する場合、従来例の図６（ｃ）に示したように、ティッ
プ３の軸がシリコン基板２の面に垂直に形成されるよう
に、エッチング等の加工がされてきた。この方法では，
例えば１００μｍという長いティップ３を製造すること
は極めて困難である。また図１（ｂ）のような平行板バ
ネ６を製造することはほぼ不可能である。
する場合、従来例の図６（ｃ）に示したように、ティッ
プ３の軸がシリコン基板２の面に垂直に形成されるよう
に、エッチング等の加工がされてきた。この方法では，
例えば１００μｍという長いティップ３を製造すること
は極めて困難である。また図１（ｂ）のような平行板バ
ネ６を製造することはほぼ不可能である。
【００１６】
【作用】本発明では、図２（ｄ）に示すように、ティッ
プの基となる突起物の軸方向がシリコン基板の面方位と
直交するように（ティップの軸方位がシリコン基板面と
平行になるように）シリコン構造体を製作し、その後，
突起物の先端部を尖らせる工程を備えており、ティップ
の軸方向断面がシリコン基板面上で形成される。
プの基となる突起物の軸方向がシリコン基板の面方位と
直交するように（ティップの軸方位がシリコン基板面と
平行になるように）シリコン構造体を製作し、その後，
突起物の先端部を尖らせる工程を備えており、ティップ
の軸方向断面がシリコン基板面上で形成される。
【００１７】そのため、軸の長いティップを多数、精密
に作ることができる。
に作ることができる。
【００１８】
【実施例】図２〜図５は本発明の第１〜第３の実施例の
説明図である。図において、１はシリコン構造体、２は
シリコン基板、３はティップ、４はカンティレバー、５
はプローブ基体、６は平行板バネ、７は板バネ、８はマ
スク、９はミリングイオン、10は不純物ドープ層、11は
電極である。
説明図である。図において、１はシリコン構造体、２は
シリコン基板、３はティップ、４はカンティレバー、５
はプローブ基体、６は平行板バネ、７は板バネ、８はマ
スク、９はミリングイオン、10は不純物ドープ層、11は
電極である。
【００１９】本発明のプローブ製造方法の第１の実施例
を図２〜図３により説明する。図２（ａ）〜（ｃ）はシ
リコン基板２の一部の断面図、図２（ｄ）は構造体斜視
図、図３はプローブ５の断面図である。
を図２〜図３により説明する。図２（ａ）〜（ｃ）はシ
リコン基板２の一部の断面図、図２（ｄ）は構造体斜視
図、図３はプローブ５の断面図である。
【００２０】図２（ａ）に示すように、シリコン構造体
を製作する第一ステップは、例えば、（１１０）方位の
シリコン基板（ウエハ）２を用い、図２（ｂ）に示すよ
うにシリコン基板２上にプローブ構造体断面形状に対応
するマスク８を形成後、ＫＯＨ溶液や、エチレンジアミ
ン：ピロカテコール：水の混合液でプローブの所望の厚
さに相当する深さまで、異方性エッチングをすることに
より、シリコン基板２面に垂直なシリコン構造体１を形
成する。
を製作する第一ステップは、例えば、（１１０）方位の
シリコン基板（ウエハ）２を用い、図２（ｂ）に示すよ
うにシリコン基板２上にプローブ構造体断面形状に対応
するマスク８を形成後、ＫＯＨ溶液や、エチレンジアミ
ン：ピロカテコール：水の混合液でプローブの所望の厚
さに相当する深さまで、異方性エッチングをすることに
より、シリコン基板２面に垂直なシリコン構造体１を形
成する。
【００２１】その後、図２（ｃ）に示すように、裏面か
らシリコン基板２を全面ラッピング、ポリッシング、エ
ッチングを併用して研磨し、シリコン構造体１を図２
（ｄ）に斜視図で示すように、その後、探針の基となる
突起物が剥き出しになるように切り離す。
らシリコン基板２を全面ラッピング、ポリッシング、エ
ッチングを併用して研磨し、シリコン構造体１を図２
（ｄ）に斜視図で示すように、その後、探針の基となる
突起物が剥き出しになるように切り離す。
【００２２】図１（ａ）に示したように、本発明の方法
では、このシリコン構造体１のティップ３の長さは少な
くとも５０μｍ以上にし、また、ティップ３を含むプロ
ーブ基体５の長さも少なくとも５００μｍ以上にするこ
とができる。
では、このシリコン構造体１のティップ３の長さは少な
くとも５０μｍ以上にし、また、ティップ３を含むプロ
ーブ基体５の長さも少なくとも５００μｍ以上にするこ
とができる。
【００２３】第二ステップの突起物先端を尖らせてティ
ップ３を製作する工程は、図３に示すように、イオンミ
リングで行う。例えば、アルゴンイオンをミリングイオ
ン９として用い、エッチング速度がティップ３の先端角
度に依存する性質を利用して、図３に示すように、プロ
ーブ基体５のティップ３先端を尖らせることができる。
更に、突起物の先端部を熱酸化、或いは、熱窒化した後
に除去することにより、先端部が更に先鋭化したティッ
プ３を製作することも可能である。
ップ３を製作する工程は、図３に示すように、イオンミ
リングで行う。例えば、アルゴンイオンをミリングイオ
ン９として用い、エッチング速度がティップ３の先端角
度に依存する性質を利用して、図３に示すように、プロ
ーブ基体５のティップ３先端を尖らせることができる。
更に、突起物の先端部を熱酸化、或いは、熱窒化した後
に除去することにより、先端部が更に先鋭化したティッ
プ３を製作することも可能である。
【００２４】第一ステップでシリコン構造体１を形成す
る方法は上記に限らない。例えば、一般的な（１００）
面のシリコン基板２でも、マスク方位の工夫等により、
主要な面、つまりティップ３の軸がシリコン基板２の面
に平行なシリコン構造体１を形成することが可能であ
る。更に、上記ウエットエッチング以外に、ＲＩＥによ
る異方性ドライエッチングを利用しても良い。
る方法は上記に限らない。例えば、一般的な（１００）
面のシリコン基板２でも、マスク方位の工夫等により、
主要な面、つまりティップ３の軸がシリコン基板２の面
に平行なシリコン構造体１を形成することが可能であ
る。更に、上記ウエットエッチング以外に、ＲＩＥによ
る異方性ドライエッチングを利用しても良い。
【００２５】本発明によれば、図３のようなカンティレ
バー４を備えたプローブ以外に、図４に示すような、ブ
リッジをなす平行板バネ６でティップ３を支える構造の
プローブも製作可能であり、また、図５に示すようなブ
リッジをなす１枚の板バネ７でティップ３を支える構造
も製作可能である。これらの場合、ブリッジの中央部は
ティップ３の移動によって上下方向に移動する通常のＡ
ＦＭのような光テコによるティップ変位測定は測定感度
が低くなる。
バー４を備えたプローブ以外に、図４に示すような、ブ
リッジをなす平行板バネ６でティップ３を支える構造の
プローブも製作可能であり、また、図５に示すようなブ
リッジをなす１枚の板バネ７でティップ３を支える構造
も製作可能である。これらの場合、ブリッジの中央部は
ティップ３の移動によって上下方向に移動する通常のＡ
ＦＭのような光テコによるティップ変位測定は測定感度
が低くなる。
【００２６】図４では、シリコン基板２は不純物ドープ
無しのものを用い、ブリッジをなす平行板バネ６の一方
のみに不純物を選択的にドープした不純物ドープ層10を
形成し、プローブ基体５に電極11のパターンを形成し
て、不純物ドープ層10に接続することによって、シリコ
ンのピエゾ抵抗効果及び形状変化を利用した歪ゲージを
形成することができる。そして、この部分の抵抗値変化
を、例えばブリッジ回路で測定することにより、探針変
位を測定することができる。
無しのものを用い、ブリッジをなす平行板バネ６の一方
のみに不純物を選択的にドープした不純物ドープ層10を
形成し、プローブ基体５に電極11のパターンを形成し
て、不純物ドープ層10に接続することによって、シリコ
ンのピエゾ抵抗効果及び形状変化を利用した歪ゲージを
形成することができる。そして、この部分の抵抗値変化
を、例えばブリッジ回路で測定することにより、探針変
位を測定することができる。
【００２７】また、図３に示すカンティレバー４、図５
に示す板バネ７においても同様に、不純物の導入等によ
って、形状変化及びピエゾ抵抗効果の和によって生じた
半導体の変形による抵抗変化を利用して、深針変位を測
定できる。
に示す板バネ７においても同様に、不純物の導入等によ
って、形状変化及びピエゾ抵抗効果の和によって生じた
半導体の変形による抵抗変化を利用して、深針変位を測
定できる。
【００２８】本発明により、実施例で説明したように、
シリコン基板面に平行してシリコン構造体を切り出すこ
とにより、ティップの長いプローブが形成出来、また色
々な形のバネ要素をプローブに持たせることが出来るの
で、プローブの変位を高感度に検知することが出来る。
シリコン基板面に平行してシリコン構造体を切り出すこ
とにより、ティップの長いプローブが形成出来、また色
々な形のバネ要素をプローブに持たせることが出来るの
で、プローブの変位を高感度に検知することが出来る。
【００２９】尚、以上の本発明によるプローブの製造方
法で製作したプローブは、ＳＴＭ、或いは、ＳＴＭを応
用した装置にも、もちろん適用することができる。
法で製作したプローブは、ＳＴＭ、或いは、ＳＴＭを応
用した装置にも、もちろん適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】パッケージに装填されたＬＳＩ等の凹凸
の大きいＩＣチップ等のサンプルを測定可能なティップ
の長いプローブが製作できるため、走査型トンネル顕微
鏡、原子間力顕微鏡、および、これらを応用した装置に
本発明のプローブを用いることが実現でき、ＬＳＩ等の
半導体装置の品質管理、信頼性の向上に大きく貢献・寄
与することができる。
の大きいＩＣチップ等のサンプルを測定可能なティップ
の長いプローブが製作できるため、走査型トンネル顕微
鏡、原子間力顕微鏡、および、これらを応用した装置に
本発明のプローブを用いることが実現でき、ＬＳＩ等の
半導体装置の品質管理、信頼性の向上に大きく貢献・寄
与することができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の説明図（その１）
【図３】 本発明の第１の実施例の説明図（その２）
【図４】 本発明の第２の実施例の説明図
【図５】 本発明の第３の実施例の説明図
【図６】 従来例の説明図
１ シリコン構造体 ２ シリコン基板 ３ ティップ ４ カンティレバー ５ プローブ基体 ６ 平行板バネ ７ 板バネ ８ マスク ９ ミリングイオン 10 不純物ドープ層 11 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−115452（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−22809（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−104136（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−136577（ＪＰ，Ａ) Ｏ．Ｗｏｌｔｅｒ、Ｔｈ．Ｂａｙｅ ｒ、Ｊ．Ｇｒｅｓｃｈｎｅｒ，Ｍｉｃｒ ｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｅｎｓｏｒｓ ｆｏｒ ｓｃａｎｎｉ ｎｇ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ ｙ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕ ｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏ ｌｏｇｙ Ｂ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ，1991 年４月，Ｖｏｌ．９，Ｎｏ．２，ｐｐ. 1353−1357 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 13/10 - 13/24 G12B 21/00 - 21/24 G01B 21/30 H01J 37/28 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板(2) より切り出されて形成
されたシリコン構造体(1) から形成され、先端が尖った
突起物からなるティップ(3) をカンティレバー(4) の先
端に備えたプローブであって、 該ティップ(3) の軸方向が、該シリコン基板(2) の面方
位と直交するようにシリコン構造体(1) を製作し、その
後、該ティップ(3) の先端を尖らせることを特徴とする
プローブ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04455394A JP3317001B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | プローブ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04455394A JP3317001B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | プローブ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07253435A JPH07253435A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3317001B2 true JP3317001B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=12694700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04455394A Expired - Fee Related JP3317001B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | プローブ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
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Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ｏ．Ｗｏｌｔｅｒ、Ｔｈ．Ｂａｙｅｒ、Ｊ．Ｇｒｅｓｃｈｎｅｒ，Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｅｎｓｏｒｓ ｆｏｒ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９１年４月，Ｖｏｌ．９，Ｎｏ．２，ｐｐ．１３５３−１３５７ |
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|---|---|
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