JP3315185B2 - Method for manufacturing alignment marker for manufacturing semiconductor optical device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、アライメントマーカ
の製造方法およびマスクアライメント方法に関し、特に
丸形ウエハを用いて埋め込みリッジ構造の半導体レーザ
等の半導体光素子を製造する際に、結晶成長工程後のマ
スクアライメントに用いるアライメントマーカの製造方
法、および結晶成長工程後のマスクアライメント方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an alignment marker and a method of mask alignment, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor optical device such as a semiconductor laser having a buried ridge structure using a round wafer after a crystal growth step. And a mask alignment method after a crystal growth step.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１６は埋め込みリッジ型の半導体レー
ザを示す斜視図、図１７は図１６に示す埋め込みリッジ
型半導体レーザの製造方法を示す工程斜視図である。こ
れら図において、１０１はＮ型ＧａＡｓ基板、１０２は
Ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層、１０３はＧａＡ
ｓとＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ，マルチカンタムウエル）構造を有する活性層、１０
４はＰ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層、１０５はＰ
型ＧａＡｓ第１コンタクト層、１０６はエッチングによ
り形成されたリッジ構造、１０７はリッジ１０６の両脇
に埋め込まれたＮ型ＧａＡｓ電流閉じ込め層、１０８は
Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層、１０９はＮ電極、１１
０はＰ電極、１１１はリッジマスク用絶縁膜である。2. Description of the Related Art FIG. 16 is a perspective view showing a buried ridge type semiconductor laser, and FIG. 17 is a process perspective view showing a method for manufacturing the buried ridge type semiconductor laser shown in FIG. In these figures, 101 is an N-type GaAs substrate, 102 is an N-type Al0.5 Ga0.5 As cladding layer, and 103 is GaAs
multiple quantum well (MQ) composed of Al.sub.0.2 Ga.sub.0.8 As
W, multi-quantum well) active layer having a structure, 10
4 is a P-type Al0.5 Ga0.5 As cladding layer, 105 is a P-type
A GaAs first contact layer, 106 is a ridge structure formed by etching, 107 is an N-type GaAs current confinement layer embedded on both sides of the ridge 106, 108 is a P-type GaAs second contact layer, 109 is an N electrode, 11
0 is a P electrode, and 111 is an insulating film for a ridge mask.

【０００３】次に、この埋め込みリッジ型の半導体レー
ザの動作について説明する。レーザを動作させる際に
は、Ｎ電極１０９側から電子を、Ｐ電極１１０側からホ
ールを、ＰＮ接合に順方向に電圧をかけて電流を流すこ
とにより注入する。その際、注入された電流はＮ型Ｇａ
Ａｓ電流閉じ込め層１０７によって素子中央部に集中さ
れ、リッジ部１０６直下の活性層１０３内で電子とホー
ルが効率よく再結合され、活性層１０３のバンドギャッ
プに相当する波長の光を発する。発生した光は活性層１
０３に沿って水平方向に広がろうとするが、Ｎ型ＧａＡ
ｓ電流閉じ込め層１０７は光を強く吸収するため、結果
的に光はリッジ部１０６直下の領域に閉じ込められる。
つまり、導波される。閉じ込められた光が両端面のミラ
ー効果で増幅されることによりレーザ作用が生じる。こ
の構造の半導体レーザは、安定した基本モード、つまり
単峰のレーザビームが得られるという特徴がある。ま
た、製造も容易で高歩留まりである。Next, the operation of the buried ridge type semiconductor laser will be described. When operating the laser, electrons are injected from the N electrode 109 side, holes are injected from the P electrode 110 side, and a current is applied by applying a voltage to the PN junction in the forward direction. At this time, the injected current is N-type Ga
The As current confinement layer 107 concentrates on the central portion of the device, and electrons and holes are efficiently recombined in the active layer 103 immediately below the ridge portion 106 to emit light having a wavelength corresponding to the band gap of the active layer 103. The generated light is the active layer 1
03 spreads in the horizontal direction, but N-type GaAs
Since the s-current confinement layer 107 strongly absorbs light, the light is confined in a region immediately below the ridge 106 as a result.
That is, it is guided. The confined light is amplified by the mirror effect at both end surfaces, thereby producing a laser effect. The semiconductor laser having this structure is characterized in that a stable fundamental mode, that is, a single-peak laser beam can be obtained. Also, the production is easy and the yield is high.

【０００４】次に、この埋め込みリッジ半導体レーザの
製造方法を図１７(a) 〜(e) に沿って説明する。まず、
一辺を劈開により形成された矩形のＮ型ＧａＡｓ基板１
０１上に、エピタキシャル結晶成長、例えばＭＯ−ＣＶ
Ｄ（Metal-organic Chemical Vapor Deposition)等によ
り、図１７(a) に示すように、Ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層１０２，ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性
層１０３，Ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１０４，及びＰ
型ＧａＡｓ第１コンタクト層１０５を順次成長する。Next, a method of manufacturing the buried ridge semiconductor laser will be described with reference to FIGS. 17 (a) to 17 (e). First,
Rectangular N-type GaAs substrate 1 formed by cleaving one side
01, an epitaxial crystal growth such as MO-CV
As shown in FIG. 17A, an N-type AlGaAs cladding layer 102, a GaAs / AlGaAs multiple quantum well active layer 103, a P-type AlGaAs cladding layer 104 and a P-type
Type GaAs first contact layers 105 are sequentially grown.

【０００５】結晶成長の後、ウエハ上全面にＳｉＮ，Ｓ
ｉＯ2 等のリッジマスク用の絶縁膜をスパッタ，熱ＣＶ
Ｄ，又はプラズマＣＶＤ等の方法で形成する。さらに、
該絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィー技術により、形成すべきリッジ部１０６の幅に相
当するようなストライプ状部分を残して除去し、ストラ
イプ状のフォトレジストのパターンを形成する。この
時、ストライプ状のフォトレジストパターンは矩形のＮ
型ＧａＡｓ基板の一辺をなす劈開端面に対して垂直また
は平行に、極めて精度よく合わせ込まれる。この後、こ
のストライプ状のフォトレジストパターンをマスクとし
て、フッ酸によるウェットエッチやＣＦ4を使ったドラ
イエッチによってフォトレジストにより覆われている部
分以外の絶縁膜を除去する。この結果図１７(b) に示す
ように、ウエハ上にリッジ幅に相当した幅を有する絶縁
膜１１１のストライプが形成される。After crystal growth, SiN, S
Sputtering insulating film for ridge mask such as iO2, thermal CV
D or by a method such as plasma CVD. further,
A photoresist is applied on the insulating film and removed by a photolithography technique, leaving a striped portion corresponding to the width of the ridge portion 106 to be formed, thereby forming a striped photoresist pattern. At this time, the striped photoresist pattern is rectangular N
The alignment is performed with high precision perpendicularly or parallel to the cleaved end face forming one side of the type GaAs substrate. After that, using the striped photoresist pattern as a mask, the insulating film other than the portion covered with the photoresist is removed by wet etching with hydrofluoric acid or dry etching using CF4. As a result, as shown in FIG. 17B, stripes of the insulating film 111 having a width corresponding to the ridge width are formed on the wafer.

【０００６】次に、この絶縁膜１１１をエッチングマス
クとして用い、エッチャントとして例えばリン酸と過酸
化水素，水の混合液、あるいは酒石酸と過酸化水素の混
合液などを用いてエッチングを行ない、図１７(c) に示
すように、リッジ部分１０６以外のＰ型ＧａＡｓ第１コ
ンタクト層１０５の全部とＰ型クラッド層１０４を０．
２μｍ程度残して除去してリッジ部１０６を形成する。Next, using this insulating film 111 as an etching mask, etching is performed using, for example, a mixed solution of phosphoric acid and hydrogen peroxide and water, or a mixed solution of tartaric acid and hydrogen peroxide as an etchant, as shown in FIG. As shown in (c), all of the P-type GaAs first contact layer 105 except for the ridge portion 106 and the P-type cladding layer 104 are set to 0.
The ridge portion 106 is formed by removing it while leaving about 2 μm.

【０００７】上記エッチング工程の後、２回目の結晶成
長を行ない、図１７(d) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ電
流閉じ込め層１０７を形成する。この時、ＧａＡｓ層は
絶縁膜１１上には結晶成長しない。After the etching step, a second crystal growth is performed to form an N-type GaAs current confinement layer 107 as shown in FIG. At this time, the GaAs layer does not grow on the insulating film 11.

【０００８】電流閉じ込め層１０７の結晶成長の後、ス
トライプ状の絶縁膜１１１を除去する。除去方法として
は上述の絶縁膜のパターニングと同様、フッ酸によるウ
ェットエッチやＣＦ4 を使ったドライエッチを用いれば
よい。次に、３回目の結晶成長を行ない、図１７(e) に
示すように、Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１０８を形
成する。すべての結晶成長後、基板１０１裏面に金やチ
タンなどの金属からなるＮ電極１０９を蒸着，スパッタ
等の手段により、またＰ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１
０８上に金やチタンなどの金属からなるＰ電極１１０を
蒸着，スパッタ等の手段、及びフォトリソグラフィー技
術を用いて形成した後、ウエハから劈開やダイシングに
よってチップサイズの大きさにすることにより個々の素
子が完成する。After the crystal growth of the current confinement layer 107, the striped insulating film 111 is removed. As a removal method, a wet etch using hydrofluoric acid or a dry etch using CF4 may be used as in the above-described patterning of the insulating film. Next, a third crystal growth is performed to form a P-type GaAs second contact layer 108 as shown in FIG. After all the crystals have been grown, an N electrode 109 made of a metal such as gold or titanium is formed on the back surface of the substrate 101 by means such as evaporation or sputtering, and the P-type GaAs second contact layer 1 is formed.
After forming a P-electrode 110 made of a metal such as gold or titanium on the substrate 08 by means of vapor deposition, sputtering, or the like, or by photolithography, the wafer is cut into individual chips by cleavage or dicing to obtain individual chips. The device is completed.

【０００９】ところで、従来の半導体レーザの製造方法
では、上述のようにウエハは矩形の基板が使用されてい
た。矩形の基板のサイズは例えば２０ｍｍ×２５ｍｍ程
度であり、その面積はＧａＡｓＩＣの製造に使用される
丸形ウェハに比して小さいものである。半導体レーザの
量産性を向上させるためには、ウエハの大面積化が必須
である。従って、従来の矩形ではなく、ＧａＡｓＩＣの
ような丸形形状のウエハを用いる必要がある。In the conventional method of manufacturing a semiconductor laser, a rectangular substrate is used as the wafer as described above. The size of the rectangular substrate is, for example, about 20 mm × 25 mm, and its area is smaller than that of a round wafer used for manufacturing GaAs ICs. In order to improve the mass productivity of semiconductor lasers, it is necessary to increase the area of the wafer. Therefore, it is necessary to use a round wafer such as GaAsIC instead of a conventional rectangular wafer.

【００１０】図１８は丸形ＧａＡｓウエハとこれに設け
られるアライメントマーカを説明するための図である。
図において、１１２は丸形ＧａＡｓウエハ、１１３はウ
エハに設けられたオリエンテーションフラット（オリフ
ラ）、１１４はウエハ上のアライメントマーカである。
また、図１９はウエハに転写マスクを合わせる様子を示
す図であり、図において１１５は転写マスク、１１６は
転写マスク上のアライメントマーカである。FIG. 18 is a view for explaining a round GaAs wafer and an alignment marker provided thereon.
In the figure, 112 is a round GaAs wafer, 113 is an orientation flat (orientation flat) provided on the wafer, and 114 is an alignment marker on the wafer.
FIG. 19 is a view showing how a transfer mask is aligned with a wafer. In the figure, reference numeral 115 denotes a transfer mask, and 116 denotes an alignment marker on the transfer mask.

【００１１】次にＧａＡｓＩＣ製造でのウエハプロセス
中のフォトリソグラフィー工程におけるアライメントマ
ーカについて説明する。フォトリソグラフィー工程にお
いて自動、または手作業でウエハを転写マスクと合わせ
るために、ウエハ上に予めアライメントマーカと呼ばれ
る合わせ用のパターンを形成する。Next, an alignment marker in a photolithography step in a wafer process in GaAs IC manufacturing will be described. In order to automatically or manually align a wafer with a transfer mask in a photolithography process, an alignment pattern called an alignment marker is previously formed on the wafer.

【００１２】図１８(a) に示すように、丸形ＧａＡｓウ
エハ１１２表面には１対のアライメントマーカ１１４が
形成される。なお、基板１１２には結晶の面方位を示す
オリフラと呼ばれる直線にカットされた部分１１３が設
けられている。As shown in FIG. 1A, a pair of alignment markers 114 are formed on the surface of a round GaAs wafer 112. Note that the substrate 112 is provided with a portion 113 cut in a straight line called an orientation flat indicating the plane orientation of the crystal.

【００１３】図１８(b) は丸形ウエハ１１２のアライメ
ントマーカ１１４が形成された領域を拡大した図であ
る。アライメントマーカ１１４は図１８(b) に示すよう
な正方形の形状を有し、その一辺の長さｌは１００μｍ
程度である。また、図１８(c)は図１８(b) 中の XVIII
ｃ− XVIIIｃ線断面を示す図である。アライメントマー
カ１１４は図１８(c) に示すように、基板１１２表面か
らくぼんだ断面構造を有し、その深さｄは０．５μｍ程
度である。このようなアライメントマーカ１１４はエッ
チングにより形成される。FIG. 18B is an enlarged view of a region of the round wafer 112 where the alignment marker 114 is formed. The alignment marker 114 has a square shape as shown in FIG. 18B, and the length l of one side is 100 μm.
It is about. FIG. 18 (c) shows the XVIII in FIG. 18 (b).
It is a figure which shows the c-XVIIIc line cross section. As shown in FIG. 18C, the alignment marker 114 has a sectional structure depressed from the surface of the substrate 112, and has a depth d of about 0.5 μm. Such an alignment marker 114 is formed by etching.

【００１４】フォトリソグラフィー工程のパターン転写
時には、この基板１１２上に形成されたアライメントマ
ーカ１１４に対して転写マスク１１５中に設けられてい
るマーカ１１６を合わせる。転写マスク１１５中のマー
カ１１６の形状はアライメントマーカ１１４と相似形状
で、やや小さいサイズになっており、図１９に示すよう
に、マスク側のマーカ１１６を基板上のアライメントマ
ーカ１１４の丁度真ん中になるように調整して合わせ
る。これを１対のマーカを同時に合わせることにより、
ウエハ上のマーカ以外のパターンと転写マスク上のそれ
らに対応したパターンが丁度合う。マーカ合わせは、フ
ォトリソグラフィー装置の自動合わせ機構で自動的に合
わせられるか、あるいは目視による手作業により行なわ
れる。At the time of pattern transfer in the photolithography step, a marker 116 provided in a transfer mask 115 is aligned with an alignment marker 114 formed on the substrate 112. The shape of the marker 116 in the transfer mask 115 is similar to the alignment marker 114 and has a slightly smaller size. As shown in FIG. 19, the marker 116 on the mask side is located exactly at the center of the alignment marker 114 on the substrate. And adjust as follows. By combining this with a pair of markers at the same time,
The patterns other than the markers on the wafer and the corresponding patterns on the transfer mask exactly match. Marker alignment is automatically performed by an automatic alignment mechanism of the photolithography apparatus, or is performed manually by visual observation.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上述したように半導体
レーザの量産性を向上させるためには、丸形ウエハを用
いることによるウエハの大面積化が必須である。ところ
が、埋め込みリッジ型の半導体レーザの製造工程では、
上述したように３回のエピタキシャル結晶成長があり、
この場合、従来のＧａＡｓＩＣと同じマーカを設ける
と、エピタキシャル成長層が積層されるに従い、マーカ
形状が変化する、あるいは段差がなくなって識別が不能
となるという問題があった。As described above, in order to improve the mass productivity of semiconductor lasers, it is necessary to increase the area of a wafer by using a round wafer. However, in the manufacturing process of a buried ridge type semiconductor laser,
As described above, there are three epitaxial crystal growths,
In this case, if the same marker as that of the conventional GaAsIC is provided, there is a problem that the shape of the marker changes as the epitaxial growth layer is stacked, or the step is eliminated, and the identification becomes impossible.

【００１６】ここで、丸形ウエハのアライメントマーカ
形成領域を絶縁膜で覆った状態で結晶成長を行ない、結
晶成長工程の後、この絶縁膜を除去してアライメントマ
ーカを露出させてマスクアライメントを行なうことが考
えられるが、アライメントマーカを覆うための絶縁膜の
面積が大きい場合には、絶縁膜上に多結晶状の結晶成長
が発生し、絶縁膜の除去が困難となるという問題点があ
るため、この方法は実用的ではない。Here, crystal growth is performed while the alignment marker forming region of the round wafer is covered with an insulating film. After the crystal growth step, the insulating film is removed to expose the alignment marker and perform mask alignment. However, when the area of the insulating film for covering the alignment marker is large, there is a problem that polycrystalline crystal growth occurs on the insulating film and it becomes difficult to remove the insulating film. , This method is not practical.

【００１７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、丸型ウエハを用いて、複数回の
エピタキシャル成長を経て形成される半導体光素子を製
造する場合に、結晶成長工程後の工程におけるマスクア
ライメントを可能とできるアライメントマーカの製造方
法を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is intended to provide a crystal growth step when a semiconductor optical device formed through a plurality of epitaxial growths using a round wafer is manufactured. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an alignment marker that enables mask alignment in a later step.

【００１８】また、この発明は、丸型ウエハを用いて、
複数回のエピタキシャル成長を経て形成される半導体光
素子を製造する場合に、結晶成長工程後の工程における
マスクアライメントを精度よく行なうことのできるマス
クアライメント方法を得ることを目的とする。Further, the present invention uses a round wafer,
It is an object of the present invention to provide a mask alignment method capable of accurately performing mask alignment in a process after a crystal growth process when manufacturing a semiconductor optical device formed through a plurality of epitaxial growths.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体光
素子製造用アライメントマーカの製造方法は、絶縁膜の
パターンをマスクとして用いて半導体積層構造をエッチ
ング成形して光導波路を形成する工程と、上記絶縁膜パ
ターンを選択成長マスクとして用いて上記光導波路構造
を埋め込む工程とを含む製造方法により作製される半導
体光素子を製造する場合に、結晶成長工程後の工程にお
けるマスクアライメントに用いるアライメントマーカを
製造する方法において、上記絶縁膜パターンを形成する
際、上記光導波路を形成するためのストライプ状パター
ンと同時にアライメントマーカ形成領域に、上記ストラ
イプ状パターンと所定の位置関係を有する、アライメン
トマーカの形状に対応した形状を有するパターンを形成
し、このパターンを用いてアライメントマーカを形成す
るようにしたものである。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device, comprising the steps of: forming an optical waveguide by etching a semiconductor multilayer structure using a pattern of an insulating film as a mask; Embedding the optical waveguide structure using the insulating film pattern as a selective growth mask, when manufacturing a semiconductor optical device manufactured by a manufacturing method, an alignment marker used for mask alignment in a process after the crystal growth process. In the manufacturing method, when the insulating film pattern is formed, the alignment marker forming region has a predetermined positional relationship with the stripe pattern at the same time as the stripe pattern for forming the optical waveguide. A pattern having a corresponding shape is formed and this pattern Is obtained so as to form an alignment marker using.

【００２０】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応したパターンを同時に形成した後、パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形し、この後、上記パターニングされた絶縁膜を選
択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長によ
り、半導体光素子形成領域ではリッジと同じ高さに、ア
ライメントマーカ形成領域ではリッジよりも高く埋め込
み成長を行ない、さらに、上記パターニングされた絶縁
膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体層をエピタキシ
ャル成長するようにしたものである。Further, according to a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. After simultaneously forming a stripe pattern corresponding to the optical waveguide in the semiconductor optical element forming region of the semiconductor optical device and a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the patterning was performed. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the insulating film as a mask, and thereafter, the semiconductor optical device is formed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth. Alignment marker shape at the same height as the ridge in the formation area In the region subjected to high burying growth than the ridge, further, after removal of the patterned insulating film is a semiconductor layer of the wafer over the entire surface that is to be epitaxially grown.

【００２１】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応したパターンを同時に形成した後、パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形し、この後、上記パターニングされた絶縁膜を選
択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により
埋め込み成長を行ない、さらに、上記パターニングされ
た絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体層をエピ
タキシャル成長し、その後、ウエハ表面のアライメント
マーカ形成領域以外の領域をレジストで覆い、該レジス
トをマスクとして用いたエッチングにより、アライメン
トマーカの形状をしたリッジ部分を露出させるようにし
たものである。According to a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. After simultaneously forming a stripe pattern corresponding to the optical waveguide in the semiconductor optical element forming region of the semiconductor optical device and a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the patterning was performed. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the insulating film as a mask, and then buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth. And further removing the patterned insulating film. Thereafter, a semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer, and thereafter, a region other than the alignment marker forming region on the wafer surface is covered with a resist, and the ridge portion in the shape of the alignment marker is exposed by etching using the resist as a mask. It is like that.

【００２２】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応したパターンを同時に形成した後、パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形し、この後、上記パターニングされた絶縁膜を選
択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により
埋め込み成長を行ない、その後、半導体光素子形成領域
の絶縁膜パターンのみを除去した後、アライメントマー
カ形成領域の絶縁膜パターンを選択成長のマスクとして
用いてウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長す
るようにしたものである。According to a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. After simultaneously forming a stripe pattern corresponding to the optical waveguide in the semiconductor optical element forming region of the semiconductor optical device and a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the patterning was performed. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the insulating film as a mask, and then buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth. Then, the insulating film pattern in the semiconductor optical element formation region After removal of the body, in which so as to epitaxially grow a semiconductor layer on the wafer over the entire surface of an insulating film pattern forming the alignment marker region as a mask for selective growth.

【００２３】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応したパターンを同時に形成した後、パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形し、この後、アライメントマーカ形成領域の絶縁
膜パターンのみを除去した後、半導体光素子形成領域の
絶縁膜パターンを選択成長のマスクとして用いたエピタ
キシャル成長により埋め込み成長を行ない、さらに、半
導体光素子形成領域の絶縁膜パターンを除去した後、ウ
エハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長するように
したものである。Further, according to a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. The stripe pattern corresponding to the optical waveguide is formed in the semiconductor optical element formation region of the above, and the pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern is simultaneously formed in the alignment marker formation region on the wafer, and then patterned. By etching using the insulating film as a mask, the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, only the insulating film pattern in the alignment marker forming region is removed. Epitaxial growth using the insulating film pattern as a mask for selective growth Performs burying growth, even after removing the insulation film pattern of the semiconductor optical device formation region is a semiconductor layer of the wafer over the entire surface that is to be epitaxially grown.

【００２４】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有しかつパターン間に上記半導体層
の表面が十分に狭い幅で露出するようなパターンを同時
に形成した後、パターニングされた絶縁膜をマスクとし
て用いたエッチングにより、上記半導体層をパターン形
状に対応するリッジを有する形状に成形し、この後、上
記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとして
用いたエピタキシャル成長により、半導体光素子形成領
域ではリッジと同じ高さに、上記アライメントマーカ形
成領域に形成された絶縁膜パターン間の領域ではリッジ
よりも高く埋め込み成長を行ない、さらに、上記パター
ニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導
体層をエピタキシャル成長するようにしたものである。Further, according to the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. The semiconductor optical element forming region has a stripe pattern corresponding to the optical waveguide, and the alignment marker forming region on the wafer has a predetermined positional relationship with the stripe pattern, and the surface of the semiconductor layer has a sufficiently narrow width between the patterns. After simultaneously forming such a pattern as to be exposed, the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the patterned insulating film as a mask, and then the patterned insulating film is formed. In the semiconductor optical element formation region, the epitaxial growth using the In the region between the insulating film patterns formed in the alignment marker forming region, buried growth is performed higher than the ridge, and after the patterned insulating film is removed, a semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer. It is intended to be.

【００２５】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上全面に第１の絶縁膜を成膜した
後、半導体光素子形成領域上の上記第１の絶縁膜を除去
し、この後、ウエハ上全面に上記第１の絶縁膜と膜種の
異なる第２の絶縁膜を成膜した後、上記第１，第２の絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応する第２の絶縁膜からなるストラ
イプパターンを、ウエハ上のアライメントマーカ形成領
域に前記ストライプパターンと所定の位置関係を有する
アライメントマーカ形状に対応した、第１，第２の二層
の絶縁膜からなるパターンを同時に形成し、その後、パ
ターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチン
グにより、上記半導体層をパターン形状に対応するリッ
ジを有する形状に成形した後、上記パターニングされた
絶縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル
成長により埋め込み成長を行ない、この後、上記第２の
絶縁膜のみを選択的に除去した後、アライメントマーカ
形成領域に残った第１の絶縁膜からなるパターンを選択
成長のマスクとして用いてウエハ上全面に半導体層をエ
ピタキシャル成長するようにしたものである。In the method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, a first insulating film is formed on an entire surface of a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and then a semiconductor optical device forming region is formed. After removing the first insulating film, a second insulating film having a different film type from the first insulating film is formed on the entire surface of the wafer, and then the first and second insulating films are formed. Is patterned, and a stripe pattern made of a second insulating film corresponding to the optical waveguide is formed in a semiconductor optical element forming region on the wafer, and an alignment marker having a predetermined positional relationship with the stripe pattern is formed in an alignment marker forming region on the wafer. A pattern consisting of first and second two-layered insulating films corresponding to the shape is simultaneously formed, and then the above-mentioned half is etched by using the patterned insulating film as a mask. After the body layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth, and thereafter, only the second insulating film is selected. After the removal, the semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer using the pattern of the first insulating film remaining in the alignment marker forming region as a mask for selective growth.

【００２６】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上全面に絶縁膜を成膜した後、ア
ライメントマーカ形成領域上の上記絶縁膜を除去し、こ
の後、ウエハ上全面にフォトレジストを塗布し、フォト
リソグラフィー技術によってウエハ上の半導体光素子形
成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウ
エハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプ
パターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ
形状に対応したパターンを転写し、その後、該フォトレ
ジストパターンをマスクとして用いたエッチングにより
半導体光素子形成領域上の絶縁膜をパターニングし、こ
の後、上記フォトレジストパターン及び上記パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、その後、上記フォトレジストパター
ンを除去した後、半導体光素子形成領域上に残った上記
パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとして用
いたエピタキシャル成長により埋め込み成長を行ない、
さらに、半導体光素子形成領域上の絶縁膜を除去した
後、ウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長する
ようにしたものである。In the method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on an entire surface of a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and then the insulating film is formed on the alignment marker forming region. After removing the film, a photoresist is applied on the entire surface of the wafer, and a stripe pattern corresponding to the optical waveguide is formed on the semiconductor optical element forming region on the wafer by photolithography technology, and the stripe pattern is formed on the alignment marker forming region on the wafer. A pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the pattern is transferred, and thereafter, the insulating film on the semiconductor optical element formation region is patterned by etching using the photoresist pattern as a mask. Resist pattern and the patterned insulating film By etching using a mask, the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and then, after removing the photoresist pattern, the patterned insulating film remaining on the semiconductor optical element formation region Embedded growth by epitaxial growth using as a selective growth mask,
Further, after the insulating film on the semiconductor optical element formation region is removed, a semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer.

【００２７】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶縁膜を
パターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成領域に
光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応したパターンを同時に形成した後、パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形し、この後、上記パターニングされた絶縁膜を選
択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により
埋め込み成長を行ない、その後、アライメントマーカ形
成領域の埋め込み層をエッチング除去し、この後、上記
パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面
に半導体層をエピタキシャル成長するようにしたもので
ある。According to a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned. After simultaneously forming a stripe pattern corresponding to the optical waveguide in the semiconductor optical element forming region of the semiconductor optical device and a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the patterning was performed. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the insulating film as a mask, and then buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth. And then embedding the alignment marker forming area The etched away, after which, after removal of the patterned insulating film is a semiconductor layer of the wafer over the entire surface that is to be epitaxially grown.

【００２８】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上全面に第３の絶縁膜を成膜した
後、アライメントマーカ形成領域上の上記第３の絶縁膜
を除去し、この後、ウエハ上全面に上記第３の絶縁膜と
膜種の異なる第４の絶縁膜を成膜し、その後、上記第
３，第４の絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導
体光素子形成領域に光導波路に対応する第３，第４の二
層の絶縁膜からなるストライプパターンを、ウエハ上の
アライメントマーカ形成領域に前記ストライプパターン
と所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対
応した、第４の絶縁膜からなるパターンを同時に形成
し、この後、パターニングされた絶縁膜をマスクとして
用いたエッチングにより、上記半導体層をパターン形状
に対応するリッジを有する形状に成形し、その後、上記
第４の絶縁膜を除去した後、半導体光素子形成領域上に
残った上記パターニングされた第３の絶縁膜を選択成長
のマスクとして用いたエピタキシャル成長により埋め込
み成長を行ない、さらに、半導体光素子形成領域上の第
３の絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体層をエ
ピタキシャル成長するようにしたものである。Further, according to the method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, a third insulating film is formed on the entire surface of a wafer on which a plurality of semiconductor layers have been sequentially crystal-grown, and then the alignment marker is formed on the alignment marker forming region. After that, the fourth insulating film having a different film type from the third insulating film is formed on the entire surface of the wafer, and thereafter, the third and fourth insulating films are formed. Is patterned to form a stripe pattern composed of third and fourth two-layer insulating films corresponding to the optical waveguides in the semiconductor optical element formation region on the wafer, and the stripe pattern and a predetermined pattern in the alignment marker formation region on the wafer. A pattern made of a fourth insulating film corresponding to the alignment marker shape having a positional relationship is simultaneously formed, and thereafter, etching is performed using the patterned insulating film as a mask. Forming the semiconductor layer into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, removing the fourth insulating film, and then removing the patterned third insulating film remaining on the semiconductor optical element formation region. A buried growth is performed by epitaxial growth using a mask for selective growth, and a third insulating film on a semiconductor optical element forming region is removed, and then a semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer.

【００２９】また、この発明に係る半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法は、複数の半導体層を順
次結晶成長したウエハ上の、半導体光素子形成領域に、
上記光導波路を形成するためのストライプ状パターンを
形成すると同時にアライメントマーカ形成領域に、上記
ストライプ状パターンと所定の位置関係を有しかつこれ
をマスクとしてウエットエッチングにより上記半導体層
をパターン形状に対応するリッジを有する形状に成形し
た際に、アライメントマーカ形成領域のリッジの側壁が
すべて垂直となる、アライメントマーカの形状に対応し
た形状を有するパターンを形成し、このパターンを用い
てアライメントマーカを形成するようにしたものであ
る。Further, according to the method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, a semiconductor optical device forming region on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown is formed.
At the same time as forming the stripe pattern for forming the optical waveguide, the semiconductor layer has a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region, and the semiconductor layer corresponds to the pattern shape by wet etching using this as a mask. When molded into a shape having a ridge, a pattern having a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed such that the side walls of the ridge in the alignment marker forming region are all vertical, and the alignment marker is formed using this pattern. It was made.

【００３０】[0030]

【００３１】[0031]

【作用】この発明においては、半導体光素子の光導波路
を形成するためのストライプ状パターンと同時にアライ
メントマーカ形成領域に、上記ストライプ状パターンと
所定の位置関係を有する、アライメントマーカの形状に
対応した形状を有するパターンを形成し、このパターン
を用いてアライメントマーカを形成するようにしたの
で、光導波路ストライプと所定の位置関係を有する、識
別が容易なアライメントマーカを、工程数をあまり、あ
るいは全く増やすことなく製造することができる。According to the present invention, a stripe pattern for forming an optical waveguide of a semiconductor optical device is formed in an alignment marker forming region at the same time as a stripe pattern having a predetermined positional relationship with the stripe pattern. Is formed, and the alignment marker is formed using this pattern. Therefore, the number of steps of the alignment marker which has a predetermined positional relationship with the optical waveguide stripe and which can be easily identified should be increased or reduced. It can be manufactured without.

【００３２】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応したパターンを同時に形成した後、パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、この後、上記パターニングされた絶
縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成
長により、半導体光素子形成領域ではリッジと同じ高さ
に、アライメントマーカ形成領域ではリッジよりも高く
埋め込み成長を行ない、さらに、上記パターニングされ
た絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体層をエピ
タキシャル成長するようにしたから、このウエハ上全面
にエピタキシャル成長された半導体層には、リッジより
も高く成長された埋め込み層により形成される段差に対
応するくぼみが形成され、これが後工程において用いら
れるアライメントマーカとなる。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer in which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned so that a semiconductor optical element forming region on the wafer corresponds to an optical waveguide. A stripe pattern to be formed, a pattern corresponding to an alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern is simultaneously formed in an alignment marker forming region on the wafer, and then the above-described etching is performed using a patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, the semiconductor layer is aligned at the same height as the ridge in the semiconductor optical element forming region by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth. In the marker formation area, buried growth is performed higher than the ridge. Further, after the patterned insulating film is removed, the semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer. Therefore, the buried layer grown higher than the ridge is formed on the semiconductor layer epitaxially grown on the entire surface of the wafer. A depression corresponding to the step formed by the above is formed, and this becomes an alignment marker used in a subsequent step.

【００３３】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応したパターンを同時に形成した後、パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、この後、上記パターニングされた絶
縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成
長により埋め込み成長を行ない、さらに、上記パターニ
ングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体
層をエピタキシャル成長し、その後、ウエハ表面のアラ
イメントマーカ形成領域以外の領域をレジストで覆い、
該レジストをマスクとして用いたエッチングにより、ア
ライメントマーカの形状をしたリッジ部分を露出させる
ようにしたから、このリッジ部分が後工程において用い
られるアライメントマーカとなる。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned so that a semiconductor optical element forming region on the wafer corresponds to an optical waveguide. After simultaneously forming a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the above-described stripe pattern is etched by using the patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth, and further, the patterned insulating film is removed. After that, the semiconductor layer is epitaxially Poured, then, it covers the region other than the forming the alignment marker region of the wafer surface with a resist,
Since the ridge having the shape of the alignment marker is exposed by etching using the resist as a mask, the ridge serves as an alignment marker used in a subsequent process.

【００３４】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応したパターンを同時に形成した後、パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、この後、上記パターニングされた絶
縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成
長により埋め込み成長を行ない、その後、半導体光素子
形成領域の絶縁膜パターンのみを除去した後、アライメ
ントマーカ形成領域の絶縁膜パターンを選択成長のマス
クとして用いてウエハ上全面に半導体層をエピタキシャ
ル成長するようにしたから、アライメントマーカ形成領
域の絶縁膜パターンが後工程において用いられるアライ
メントマーカとなる。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned to form a semiconductor optical element forming region on the wafer corresponding to the optical waveguide. A pattern corresponding to an alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer at the same time, and then performing etching using the patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth, and thereafter, the insulating film in the semiconductor optical element formation region is formed. After removing only the pattern, the alignment marker formation area It is so arranged epitaxially growing a semiconductor layer on the wafer over the entire surface of an insulating film pattern as a mask for selective growth, the alignment markers insulating film pattern forming the alignment marker region is used in a subsequent step.

【００３５】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応したパターンを同時に形成した後、パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、この後、アライメントマーカ形成領
域の絶縁膜パターンのみを除去した後、半導体光素子形
成領域の絶縁膜パターンを選択成長のマスクとして用い
たエピタキシャル成長により埋め込み成長を行ない、さ
らに、半導体光素子形成領域の絶縁膜パターンを除去し
た後、ウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長す
るようにしたから、アライメントマーカ形成領域にはリ
ッジの凹凸に沿った形状のアライメントマーカが形成さ
れる。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned to correspond to an optical waveguide in a semiconductor optical element forming region on the wafer. After simultaneously forming a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the above-described stripe pattern is etched by using the patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer was formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape. After that, after removing only the insulating film pattern in the alignment marker forming region, the insulating film pattern in the semiconductor optical device forming region was used as a mask for selective growth. Buried growth is performed by epitaxial growth. After removal of the insulating film pattern forming region, since the semiconductor layer to the wafer on the entire surface so as to epitaxial growth, the forming the alignment marker region alignment marker having a shape along the irregularities of the ridge is formed.

【００３６】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有しかつパターン間に上記半
導体層の表面が十分に狭い幅で露出するようなパターン
を同時に形成した後、パターニングされた絶縁膜をマス
クとして用いたエッチングにより、上記半導体層をパタ
ーン形状に対応するリッジを有する形状に成形し、この
後、上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスク
として用いたエピタキシャル成長により、半導体光素子
形成領域ではリッジと同じ高さに、上記アライメントマ
ーカ形成領域に形成された絶縁膜パターン間の領域では
リッジよりも高く埋め込み成長を行ない、さらに、上記
パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面
に半導体層をエピタキシャル成長するようにしたから、
このウエハ上全面にエピタキシャル成長された半導体層
には、リッジよりも高く成長された埋め込み層に対応す
る凸部が形成され、これが後工程において用いられるア
ライメントマーカとなる。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned so that a semiconductor optical element forming region on the wafer corresponds to an optical waveguide. After simultaneously forming a pattern having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer and exposing the surface of the semiconductor layer with a sufficiently narrow width between the patterns, By etching using the patterned insulating film as a mask, the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, by the epitaxial growth using the patterned insulating film as a selective growth mask, In the semiconductor optical element formation area, the height is the same as the ridge, and Has been in the region of the insulating film pattern subjected to high burying growth than the ridge, further, after removal of the patterned insulating film, a semiconductor layer it is so arranged epitaxially grown wafer over the entire surface,
In the semiconductor layer epitaxially grown on the entire surface of the wafer, a convex portion corresponding to the buried layer grown higher than the ridge is formed, and this becomes an alignment marker used in a subsequent step.

【００３７】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上全面に第１の絶縁膜を成
膜した後、半導体光素子形成領域上の上記第１の絶縁膜
を除去し、この後、ウエハ上全面に上記第１の絶縁膜と
膜種の異なる第２の絶縁膜を成膜した後、上記第１，第
２の絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素
子形成領域に光導波路に対応する第２の絶縁膜からなる
ストライプパターンを、ウエハ上のアライメントマーカ
形成領域に前記ストライプパターンと所定の位置関係を
有するアライメントマーカ形状に対応した、第１，第２
の二層の絶縁膜からなるパターンを同時に形成し、その
後、パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエ
ッチングにより、上記半導体層をパターン形状に対応す
るリッジを有する形状に成形した後、上記パターニング
された絶縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキ
シャル成長により埋め込み成長を行ない、この後、上記
第２の絶縁膜のみを選択的に除去した後、アライメント
マーカ形成領域に残った第１の絶縁膜からなるパターン
を選択成長のマスクとして用いてウエハ上全面に半導体
層をエピタキシャル成長するようにしたから、アライメ
ントマーカ形成領域の絶縁膜パターンが後工程において
用いられるアライメントマーカとなる。In the present invention, a first insulating film is formed on the entire surface of the wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and then the first insulating film on the semiconductor optical element forming region is removed. Thereafter, a second insulating film having a different film type from the first insulating film is formed on the entire surface of the wafer, and then the first and second insulating films are patterned to form a semiconductor optical device on the wafer. A stripe pattern made of a second insulating film corresponding to the optical waveguide is formed in the formation region, and a first and second stripe pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern is formed in the alignment marker formation region on the wafer.
A pattern consisting of two layers of insulating films is formed at the same time, and then the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the patterned insulating film as a mask, and then the patterning is performed. Buried growth is performed by epitaxial growth using the formed insulating film as a mask for selective growth, and thereafter, after selectively removing only the second insulating film, the first insulating film remaining in the alignment marker forming region is formed. Since the semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer using the pattern as a mask for selective growth, the insulating film pattern in the alignment marker forming region becomes an alignment marker used in a later step.

【００３８】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上全面に絶縁膜を成膜した
後、アライメントマーカ形成領域上の上記絶縁膜を除去
し、この後、ウエハ上全面にフォトレジストを塗布し、
フォトリソグラフィー技術によってウエハ上の半導体光
素子形成領域に光導波路に対応するストライプパターン
を、ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記スト
ライプパターンと所定の位置関係を有するアライメント
マーカ形状に対応したパターンを転写し、その後、該フ
ォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング
により半導体光素子形成領域上の絶縁膜をパターニング
し、この後、上記フォトレジストパターン及び上記パタ
ーニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチング
により、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジ
を有する形状に成形し、その後、上記フォトレジストパ
ターンを除去した後、半導体光素子形成領域上に残った
上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により埋め込み成長を行な
い、さらに、半導体光素子形成領域上の絶縁膜を除去し
た後、ウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長す
るようにしたから、アライメントマーカ形成領域にはリ
ッジの凹凸に沿った形状のアライメントマーカが形成さ
れる。Further, according to the present invention, after an insulating film is formed on the entire surface of the wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, the insulating film on the alignment marker forming region is removed. Apply photoresist to
The stripe pattern corresponding to the optical waveguide is transferred to the semiconductor optical element formation region on the wafer by photolithography technology, and the pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern is transferred to the alignment marker formation region on the wafer. After that, the insulating film on the semiconductor optical element forming region is patterned by etching using the photoresist pattern as a mask, and thereafter, the etching is performed by using the photoresist pattern and the patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer was formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and then, after removing the photoresist pattern, the patterned insulating film remaining on the semiconductor optical element formation region was used as a mask for selective growth. Epitaki Since the buried growth is performed by a vertical growth, and furthermore, after removing the insulating film on the semiconductor optical device forming region, the semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer. An alignment marker having a bent shape is formed.

【００３９】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を成膜し、該絶
縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子形成
領域に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応したパターンを同時に形成した後、パターニン
グされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチングによ
り、上記半導体層をパターン形状に対応するリッジを有
する形状に成形し、この後、上記パターニングされた絶
縁膜を選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成
長により埋め込み成長を行ない、その後、アライメント
マーカ形成領域の埋め込み層をエッチング除去し、この
後、上記パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエ
ハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長するようにし
たから、アライメントマーカ形成領域にはリッジの凹凸
に沿った形状のアライメントマーカが形成される。Further, according to the present invention, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and the insulating film is patterned to correspond to an optical waveguide in a semiconductor optical element forming region on the wafer. After simultaneously forming a pattern corresponding to the alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in the alignment marker forming region on the wafer, the above-described stripe pattern is etched by using the patterned insulating film as a mask. The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape, and thereafter, buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth, and then the buried layer in the alignment marker formation region is formed. After removing by etching, After removing the by insulating film, since the semiconductor layer to the wafer on the entire surface so as to epitaxial growth, the forming the alignment marker region alignment marker having a shape along the irregularities of the ridge is formed.

【００４０】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上全面に第３の絶縁膜を成
膜した後、アライメントマーカ形成領域上の上記第３の
絶縁膜を除去し、この後、ウエハ上全面に上記第３の絶
縁膜と膜種の異なる第４の絶縁膜を成膜し、その後、上
記第３，第４の絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の
半導体光素子形成領域に光導波路に対応する第３，第４
の二層の絶縁膜からなるストライプパターンを、ウエハ
上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパタ
ーンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状
に対応した、第４の絶縁膜からなるパターンを同時に形
成し、この後、パターニングされた絶縁膜をマスクとし
て用いたエッチングにより、上記半導体層をパターン形
状に対応するリッジを有する形状に成形し、その後、上
記第４の絶縁膜を除去した後、半導体光素子形成領域上
に残った上記パターニングされた第３の絶縁膜を選択成
長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により埋め
込み成長を行ない、さらに、半導体光素子形成領域上の
第３の絶縁膜を除去した後、ウエハ上全面に半導体層を
エピタキシャル成長するようにしたから、アライメント
マーカ形成領域にはリッジの凹凸に沿った形状のアライ
メントマーカが形成される。In the present invention, a third insulating film is formed on the entire surface of the wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and then the third insulating film on the alignment marker forming region is removed. Thereafter, a fourth insulating film having a different film type from the third insulating film is formed on the entire surface of the wafer, and thereafter, the third and fourth insulating films are patterned to form a semiconductor optical device on the wafer. The third and fourth regions corresponding to the optical waveguide are formed in the formation region.
A stripe pattern consisting of a fourth insulating film, corresponding to an alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in an alignment marker forming region on a wafer, simultaneously forming a pattern consisting of a fourth insulating film; Thereafter, the semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by etching using the patterned insulating film as a mask, and then the fourth insulating film is removed. The buried growth is performed by epitaxial growth using the patterned third insulating film remaining on the region as a mask for selective growth, and the third insulating film on the semiconductor optical element formation region is removed. Since the semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface, Alignment markers shape along the irregularities of the ridge is formed.

【００４１】また、この発明においては、複数の半導体
層を順次結晶成長したウエハ上の、半導体光素子形成領
域に、上記光導波路を形成するためのストライプ状パタ
ーンを形成すると同時にアライメントマーカ形成領域
に、上記ストライプ状パターンと所定の位置関係を有し
かつこれをマスクとしてウエットエッチングにより上記
半導体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状
に成形した際に、アライメントマーカ形成領域のリッジ
の側壁がすべて垂直となる、アライメントマーカの形状
に対応した形状を有するパターンを形成し、このパター
ンを用いてアライメントマーカを形成するようにしたか
ら、アライメントマーカ形成領域のリッジ上に半導体層
を結晶成長した場合に、アライメントマーカは相似形状
のままでサイズが変化する。Further, in the present invention, a stripe pattern for forming the optical waveguide is formed in a semiconductor optical element formation region on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and at the same time, in an alignment marker formation region. When the semiconductor layer has a predetermined positional relationship with the stripe pattern and is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by wet etching using the mask as a mask, all sidewalls of the ridge in the alignment marker forming region are formed. A vertical pattern having a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed, and the alignment marker is formed using this pattern. Therefore, when the semiconductor layer is crystal-grown on the ridge of the alignment marker forming region, The size of the alignment marker remains the same. To.

【００４２】[0042]

【００４３】[0043]

【実施例】【Example】

実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による半導体
光素子製造用アライメントマーカの製造方法を示す断面
工程図である。図において、１はＮ型ＧａＡｓ基板であ
る。２は基板１上にＮ型ＡｌＧａＡｓクラッド層，Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層，Ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層，及びＰ型ＧａＡｓ第１コンタクト層を
順次結晶成長して形成したレーザ積層構造である。３は
ＳｉＮ，ＳｉＯ2 等の絶縁膜、４はフォトレジスト、５
はＮ型ＧａＡｓ埋め込み層、６はＰ型ＧａＡｓ第２コン
タクト層である。Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a first embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes an N-type GaAs substrate. Numeral 2 denotes an N-type AlGaAs cladding layer, Ga
As / AlGaAs multiple quantum well active layer, P-type AlGa
This is a laser laminated structure in which an As clad layer and a P-type GaAs first contact layer are sequentially grown by crystal growth. 3 is an insulating film of SiN, SiO2, etc., 4 is a photoresist, 5
Denotes an N-type GaAs buried layer, and 6 denotes a P-type GaAs second contact layer.

【００４４】なお、この実施例を含めてこれ以後の実施
例における製造方法を示した図で、各図の左側の部分は
ウエハの半導体レーザ形成領域であり、図にあらわされ
た２つのリッジ部分はそれぞれ埋め込みリッジ型半導体
レーザとなる箇所である。また、各図の右側の部分はウ
エハのアライメントマーカ形成領域である。Incidentally, in the drawings showing the manufacturing method in the following embodiments including this embodiment, the left part of each figure is a semiconductor laser forming region of the wafer, and two ridge portions shown in the figure are shown. Are portions that become buried ridge type semiconductor lasers. The right part of each drawing is an alignment marker forming area of the wafer.

【００４５】まず、１回目のエピ成長が終わったウエハ
上の全面に、図１(a) に示すように、絶縁膜３を成膜す
る。絶縁膜３の成膜の後、ウエハ全面に、図１(b) に示
すように、レジスト４を塗布する。この後、フォトリソ
グラフィー技術によって、図１(c) に示すように、半導
体レーザ形成領域にはリッジに対応するストライプパタ
ーンを、アライメントマーカ形成領域にはマーカ形状に
対応したパターンをそれぞれ転写する。ここでレーザ形
成領域のストライプパターンの幅は１０μｍ以下であ
り、アライメントマーカ形成領域のパターンは例えば一
辺が５０μｍ程度の正方形である。First, an insulating film 3 is formed on the entire surface of the wafer after the first epi growth, as shown in FIG. After the formation of the insulating film 3, a resist 4 is applied to the entire surface of the wafer as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 1C, a stripe pattern corresponding to the ridge is transferred to the semiconductor laser forming region, and a pattern corresponding to the marker shape is transferred to the alignment marker forming region, by photolithography. Here, the width of the stripe pattern in the laser formation region is 10 μm or less, and the pattern in the alignment marker formation region is, for example, a square having a side of about 50 μm.

【００４６】次に、このレジストパターンをマスクとし
て、図１(d) に示すように、絶縁膜３をエッチングす
る。この後、図１(e) に示すように、レジスト４を除去
する。そして従来例に示したのと同様の方法により、パ
ターニングされた絶縁膜３をマスクとして用いたエッチ
ングにより、図１(f) に示すように、エピ結晶成長層を
成形し、リッジ形状を形成する。この後、絶縁膜３を選
択成長のマスクとして用いて、ＭＯＣＶＤ法により、埋
め込み成長を行う。この埋め込み成長では、図１(g) に
示すように、半導体レーザ形成領域ではＮ型ＧａＡｓ層
５はレーザ積層構造２の上面と均一の高さに埋め込まれ
るが、アライメントマーカ形成領域ではＮ型ＧａＡｓ層
５はレーザ積層構造２の上面よりも高く埋め込まれる。
これは、レーザ形成領域の絶縁膜パターンが幅１０μｍ
以下のストライプ状であるのに対し、アライメントマー
カ形成領域の絶縁膜パターンが一辺が５０μｍ程度の正
方形であるので、アライメントマーカ形成領域の絶縁膜
３上に供給され該絶縁膜３の周囲の結晶成長に消費され
る材料ガスの量が、レーザ形成領域のそれに比して多い
ためである。Next, using the resist pattern as a mask, the insulating film 3 is etched as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 1E, the resist 4 is removed. Then, by the same method as that shown in the conventional example, the epitaxial crystal growth layer is formed by etching using the patterned insulating film 3 as a mask to form a ridge shape as shown in FIG. . Thereafter, burying growth is performed by MOCVD using the insulating film 3 as a mask for selective growth. In this buried growth, as shown in FIG. 1 (g), the N-type GaAs layer 5 is buried at a uniform height with the upper surface of the laser laminated structure 2 in the semiconductor laser formation region, but is N-type GaAs in the alignment marker formation region. The layer 5 is buried higher than the upper surface of the laser stack 2.
This is because the insulating film pattern in the laser forming area has a width of 10 μm.
In contrast to the following stripe shape, since the insulating film pattern in the alignment marker forming region is a square with a side of about 50 μm, it is supplied onto the insulating film 3 in the alignment marker forming region and crystal growth around the insulating film 3 is performed. This is because the amount of material gas consumed in the laser forming region is larger than that in the laser forming region.

【００４７】埋め込み成長工程の後、絶縁膜３を除去す
ると、アライメントマーカ形成領域には図１(h) に示す
ように、埋め込み層５により段差が形成される。この
後、図１(i) に示すように、３回目のエピ結晶成長によ
りＰ型ＧａＡｓ第２コンタクト層６を形成する。この３
回目のエピ結晶成長により、レーザ形成領域には図１７
(e) に示すレーザ構造が形成される。一方、アライメン
トマーカ形成領域に成長されたコンタクト層６には埋め
込み層５により形成された段差に対応したくぼみが形成
され、これが後工程において用いられるアライメントマ
ーカとなる。After the burying growth step, when the insulating film 3 is removed, a step is formed by the burying layer 5 in the alignment marker forming region, as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 1I, a P-type GaAs second contact layer 6 is formed by a third epi-crystal growth. This 3
Due to the second epi crystal growth, the laser forming region
The laser structure shown in (e) is formed. On the other hand, depressions corresponding to the steps formed by the buried layer 5 are formed in the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region, and serve as alignment markers used in a subsequent step.

【００４８】この製造方法によると、埋め込みリッジ型
半導体レーザのリッジ形成と平行してアライメントマー
カの形状を有するリッジを形成することにより、光導波
路ストライプと所定の位置関係を有する、識別が容易な
アライメントマーカを、工程数を全く増やすことなく製
造することができる。According to this manufacturing method, the ridge having the shape of the alignment marker is formed in parallel with the formation of the ridge of the buried ridge type semiconductor laser. Markers can be manufactured without any increase in the number of steps.

【００４９】なお、上記実施例ではアライメントマーカ
形成領域の絶縁膜パターンが一辺が５０μｍ程度の正方
形としたが、この絶縁膜パターンの形状はこれ以外のも
のであってもよい。ただし、アライメントマーカ形成領
域で埋め込み層がレーザ積層構造の上面よりも高く埋め
込まれるような大きさであることが望ましい。また、こ
の絶縁膜パターンの大きさがあまり大きすぎると、絶縁
膜表面に多結晶膜が形成されて図１(h) の工程でアライ
メントマーカ形成領域の絶縁膜パターンが除去しにくく
なるので、選択成長の際にその表面上に多結晶が析出し
ない程度の大きさとする必要がある。In the above embodiment, the insulating film pattern in the alignment marker forming area is a square having a side of about 50 μm, but the shape of the insulating film pattern may be other than this. However, it is desirable that the size is such that the buried layer is buried higher than the upper surface of the laser laminated structure in the alignment marker forming region. If the size of the insulating film pattern is too large, a polycrystalline film is formed on the surface of the insulating film, and it becomes difficult to remove the insulating film pattern in the alignment marker forming region in the step of FIG. 1 (h). It is necessary to have a size such that polycrystals do not precipitate on the surface during growth.

【００５０】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
あり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
であり、７はフォトレジストである。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a second embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, and 7 denotes a photoresist.

【００５１】上記第１の実施例と同様に、１回目のエピ
成長が終わったウエハ上の全面に、図２(a) に示すよう
に、絶縁膜３を成膜する。絶縁膜３の成膜の後、ウエハ
全面に、図２(b) に示すように、レジスト４を塗布す
る。この後、フォトリソグラフィー技術によって、図２
(c) に示すように、半導体レーザ形成領域にはリッジに
対応するストライプパターンを、アライメントマーカ形
成領域にはマーカ形状に対応したパターンをそれぞれ転
写する。As shown in FIG. 2A, an insulating film 3 is formed on the entire surface of the wafer after the first epi growth, as in the first embodiment. After the formation of the insulating film 3, a resist 4 is applied to the entire surface of the wafer as shown in FIG. After that, by photolithography technology, FIG.
As shown in (c), a stripe pattern corresponding to the ridge is transferred to the semiconductor laser forming region, and a pattern corresponding to the marker shape is transferred to the alignment marker forming region.

【００５２】次に、このレジストパターンをマスクとし
て、図２(d) に示すように、絶縁膜３をエッチングす
る。この後、図２(e) に示すように、レジスト４を除去
する。そして従来例に示したのと同様の方法により、パ
ターニングされた絶縁膜３をマスクとして用いたエッチ
ングにより、図２(f) に示すように、エピ結晶成長層を
成形し、リッジ形状を形成する。Next, using the resist pattern as a mask, the insulating film 3 is etched as shown in FIG. After that, the resist 4 is removed as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 2 (f), an epitaxial crystal growth layer is formed by etching using the patterned insulating film 3 as a mask in the same manner as in the conventional example to form a ridge shape. .

【００５３】この後、２回目のエピ成長により、図２
(g) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５を形成す
る。そして、図２(h) に示すように、絶縁膜３を除去し
た後、３回目の結晶成長により、図２(i) に示すよう
に、Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層を形成する。Thereafter, by the second epi growth, FIG.
As shown in (g), an N-type GaAs buried layer 5 is formed. Then, as shown in FIG. 2 (h), after removing the insulating film 3, a third crystal growth is performed to form a P-type GaAs second contact layer as shown in FIG. 2 (i).

【００５４】以上、３回目の結晶成長工程までは、上記
第１の実施例と全く同様である。本第２の実施例では、
この後、以下の工程によりアライメントマーカを形成す
る。まず、３回目のエピ結晶成長後、図２(j) に示すよ
うに、アライメントマーカの領域以外の埋め込みリッジ
半導体レーザの領域をレジスト７で覆う。この後、レジ
スト７をマスクとして用いたエッチングにより、ＧａＡ
ｓ層、即ち３回目にエピ成長したＰ型ＧａＡｓ第２コン
タクト層６，Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５，及びＰ型Ｇａ
Ａｓ第１コンタクト層を選択的にエッチングして、図２
(f) の工程で形成したアライメントマーカの形状をした
リッジのＡｌＧａＡｓからなる部分を突出させる。この
後、図２(l) に示すように、半導体レーザ形成領域を覆
っているレジスト７を除去することにより工程が完了す
る。The above steps up to the third crystal growth step are exactly the same as those in the first embodiment. In the second embodiment,
Thereafter, an alignment marker is formed by the following steps. First, after the third epi-crystal growth, the region of the buried ridge semiconductor laser other than the region of the alignment marker is covered with the resist 7 as shown in FIG. Thereafter, the GaAs is etched by using the resist 7 as a mask.
s layer, that is, a P-type GaAs second contact layer 6, an N-type GaAs buried layer 5, and a P-type Ga
As the first contact layer is selectively etched, and FIG.
The portion made of AlGaAs of the ridge having the shape of the alignment marker formed in the step (f) is projected. Thereafter, as shown in FIG. 2 (l), the process is completed by removing the resist 7 covering the semiconductor laser formation region.

【００５５】このように、本第２の実施例では、埋め込
みリッジ型半導体レーザの光導波路を構成するリッジを
形成するためのストライプ状パターンと同時にアライメ
ントマーカ形成領域に、前記ストライプ状パターンと所
定の位置関係を有する、アライメントマーカの形状に対
応した形状を有する絶縁膜パターンを形成し、このパタ
ーンを用いてアライメントマーカを形成するようにした
ので、識別が容易なアライメントマーカを、工程数をあ
まり増やすことなく製造できる。As described above, in the second embodiment, the stripe pattern for forming the ridge forming the optical waveguide of the buried ridge type semiconductor laser and the stripe pattern are formed in the alignment marker forming region at the same time. An insulating film pattern having a positional relationship and a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed, and the alignment marker is formed using this pattern. It can be manufactured without any problems.

【００５６】また、上記第１の実施例において３回目の
結晶成長により表面が平坦になりすぎ、アライメントマ
ーカが検出しにくくなった場合でも、本第２の実施例で
説明した工程をつけ加えることにより、アライメントマ
ーカの形状がはっきり検出できるようになる。Further, even in the case where the surface becomes too flat due to the third crystal growth in the first embodiment and the alignment marker becomes difficult to detect, the steps described in the second embodiment can be added. Thus, the shape of the alignment marker can be clearly detected.

【００５７】なお、絶縁膜パターンの形状は特に示さな
かったが、上記第１の実施例と同様、絶縁膜パターンの
大きさがあまり大きすぎると、絶縁膜表面に多結晶膜が
形成されて図２(h) の工程でアライメントマーカ形成領
域の絶縁膜パターンが除去しにくくなるので、選択成長
の際にその表面上に多結晶が析出しない程度の大きさと
する必要がある。Although the shape of the insulating film pattern is not particularly shown, as in the case of the first embodiment, if the size of the insulating film pattern is too large, a polycrystalline film is formed on the surface of the insulating film. Since it becomes difficult to remove the insulating film pattern in the alignment marker forming region in the step 2 (h), it is necessary to make the size such that polycrystals do not precipitate on the surface during selective growth.

【００５８】実施例３．図３は本発明の第３の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
ある。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
であり、８はフォトレジストである。２回目のエピ成長
までの工程は、上記第２の実施例の図２(a) 〜図２(g)
に示す工程と全く同じであるので、図３では２回目のエ
ピ成長工程後の工程図を示している。Embodiment 3 FIG. FIG. 3 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a third embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, and 8 denotes a photoresist. Steps up to the second epi growth are shown in FIGS. 2 (a) to 2 (g) of the second embodiment.
3 is the same as the process shown in FIG. 3, and FIG. 3 shows the process after the second epi growth process.

【００５９】以下、本実施例の工程を説明する。埋め込
み層５の成長後、図３(a) に示すように、アライメント
マーカ形成領域をレジスト８で覆う。次に、図３(b) に
示すように、半導体レーザ形成領域の絶縁膜３を除去す
る。この時、アライメントマーカ形成領域の絶縁膜３は
レジスト８に保護されていて除去されない。次に、図２
(c) に示すように、レジスト８を除去する。そして、図
３(d) に示すように、３回目のエピ成長によりＰ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層６を形成する。以上の工程により、ア
ライメントマーカ形成領域には絶縁膜３からなるアライ
メントマーカが形成される。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. After the buried layer 5 is grown, the alignment marker forming region is covered with a resist 8 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 3B, the insulating film 3 in the semiconductor laser forming region is removed. At this time, the insulating film 3 in the alignment marker forming region is protected by the resist 8 and is not removed. Next, FIG.
As shown in (c), the resist 8 is removed. Then, as shown in FIG. 3 (d), P-type Ga
An As contact layer 6 is formed. Through the above steps, an alignment marker made of the insulating film 3 is formed in the alignment marker forming region.

【００６０】このように、本第３の実施例においても、
上記第２の実施例と同様、埋め込みリッジ型半導体レー
ザの光導波路を構成するリッジを形成するためのストラ
イプ状パターンと同時にアライメントマーカ形成領域
に、前記ストライプ状パターンと所定の位置関係を有す
る、アライメントマーカの形状に対応した形状を有する
絶縁膜パターンを形成し、このパターンを用いてアライ
メントマーカを形成するようにしたので、識別が容易な
アライメントマーカを、工程数をあまり増やすことなく
製造できる。As described above, also in the third embodiment,
As in the second embodiment, the alignment marker forming region has a predetermined positional relationship with the stripe pattern at the same time as the stripe pattern for forming the ridge forming the optical waveguide of the buried ridge type semiconductor laser. Since an insulating film pattern having a shape corresponding to the shape of the marker is formed, and the alignment marker is formed using this pattern, an easily identifiable alignment marker can be manufactured without increasing the number of steps.

【００６１】上記第２の実施例においてアライメントマ
ーカと埋め込みリッジ半導体レーザの領域の段差が大き
くなりすぎた場合には、アライメントマーカにフォーカ
スを合わせると半導体レーザ形成領域上でピントがずれ
るという問題が生ずることが考えられる。本第３の実施
例ではアライメントマーカ部分に絶縁膜３が残ってお
り、段差が緩和されるので、上述のような第２の実施例
における問題は生じない。In the second embodiment, when the step between the alignment marker and the buried ridge semiconductor laser region is too large, there is a problem that the focus is shifted on the semiconductor laser forming region when the alignment marker is focused. It is possible. In the third embodiment, since the insulating film 3 remains in the alignment marker portion and the step is reduced, the problem in the second embodiment as described above does not occur.

【００６２】また、絶縁膜上には結晶成長が生じないの
で、上記第１の実施例のように３回目の結晶成長により
表面が平坦になりすぎ、アライメントマーカが検出しに
くくなるということもない。また、本第３の実施例のよ
うにアライメントマーカ部分に絶縁膜３が残っていれ
ば、エピ成長層６との屈折率の違いによりアライメント
マーカのコントラストが鮮明になるため、アライメント
マーカの形状ははっきり検出できる。Further, since no crystal growth occurs on the insulating film, the surface is not made too flat by the third crystal growth as in the first embodiment, and the alignment marker is not difficult to detect. . If the insulating film 3 remains in the alignment marker portion as in the third embodiment, the contrast of the alignment marker becomes clear due to the difference in the refractive index from the epi growth layer 6, so that the shape of the alignment marker is changed. It can be detected clearly.

【００６３】なお、上記実施例では、絶縁膜パターンの
形状は特に示さなかったが、絶縁膜パターンの大きさが
あまり大きすぎると、絶縁膜表面に多結晶膜が形成され
て、アライメントマーカの検出精度が劣化するので、選
択成長の際にその表面上に多結晶が析出しない程度の大
きさとすることが望ましい。In the above embodiment, the shape of the insulating film pattern is not particularly shown. However, if the size of the insulating film pattern is too large, a polycrystalline film is formed on the surface of the insulating film, and the alignment marker is detected. Since the accuracy is deteriorated, it is desirable that the size be such that polycrystals do not precipitate on the surface during selective growth.

【００６４】実施例４．図４は本発明の第４の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
ある。図１と同一符号は同一又は相当部分であり、９は
フォトレジストである。リッジ形成までの工程は、上記
第２の実施例の図２(a) 〜図２(f) に示す工程と全く同
じであるので、図４ではリッジ形成工程後の工程図を示
している。Embodiment 4 FIG. FIG. 4 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a fourth embodiment of the present invention. 1 are the same or corresponding parts, and 9 is a photoresist. Since the steps up to the formation of the ridge are exactly the same as those shown in FIGS. 2A to 2F of the second embodiment, FIG. 4 shows a step after the ridge formation step.

【００６５】以下、本実施例の工程を説明する。リッジ
形成後、図４(a) に示すように、半導体レーザ形成領域
をレジスト９で覆う。そして、図４(b) に示すように、
アライメントマーカ形成領域の絶縁膜３を除去する。こ
の時、半導体レーザ形成領域の絶縁膜３はレジスト９に
保護されていて除去されない。この後、図４(c) に示す
ように、レジスト９を除去する。次に、図４(d) に示す
ように、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５を成長する。この
時、アライメントマーカ形成領域のリッジ上は絶縁膜に
よりマスクされていないため、リッジ上にも埋め込み層
５が成長され、リッジの形状に対応した突起が形成され
る。次に、図４(e) に示すように、リッジ半導体レーザ
形成領域の絶縁膜３を除去する。最後に、図４(f) に示
すように、３回目のエピ成長によりＰ型ＧａＡｓ第２コ
ンタクト層６を形成する。ここで、アライメントマーカ
形成領域に成長されたコンタクト層６には埋め込み層５
により形成された段差に対応した突起が形成され、これ
が後工程において用いられるアライメントマーカとな
る。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. After the formation of the ridge, the semiconductor laser forming region is covered with a resist 9 as shown in FIG. Then, as shown in FIG.
The insulating film 3 in the alignment marker forming region is removed. At this time, the insulating film 3 in the semiconductor laser formation region is protected by the resist 9 and is not removed. Thereafter, the resist 9 is removed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 4D, an N-type GaAs buried layer 5 is grown. At this time, since the ridge on the alignment marker formation region is not masked by the insulating film, the buried layer 5 is also grown on the ridge, and a projection corresponding to the shape of the ridge is formed. Next, as shown in FIG. 4E, the insulating film 3 in the ridge semiconductor laser forming region is removed. Finally, as shown in FIG. 4F, a P-type GaAs second contact layer 6 is formed by the third epi growth. Here, the buried layer 5 is provided in the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region.
Is formed, and a projection corresponding to the step formed is formed, and this becomes an alignment marker used in a subsequent step.

【００６６】このように、本第４の実施例においても、
上記第２，第３の実施例と同様、埋め込みリッジ型半導
体レーザの光導波路を構成するリッジを形成するための
ストライプ状パターンと同時にアライメントマーカ形成
領域に、前記ストライプ状パターンと所定の位置関係を
有する、アライメントマーカの形状に対応した形状を有
する絶縁膜パターンを形成し、このパターンを用いてア
ライメントマーカを形成するようにしたので、識別が容
易なアライメントマーカを、工程数をあまり増やすこと
なく製造できる。As described above, also in the fourth embodiment,
Similarly to the second and third embodiments, a predetermined positional relationship between the stripe pattern and the stripe pattern for forming the ridge forming the optical waveguide of the buried ridge type semiconductor laser is simultaneously formed in the alignment marker forming region. Forming an insulating film pattern having a shape corresponding to the shape of the alignment marker, and using the pattern to form an alignment marker, manufacturing an easily identifiable alignment marker without increasing the number of processes so much. it can.

【００６７】上記第１の実施例では、３回目の結晶成長
により成長されるエピ成長層６が厚く形成される場合に
は、表面が平坦になりすぎ、アライメントマーカが検出
しにくくなる。また、上記第３の実施例のようにアライ
メントマーカ部分に絶縁膜３が残っていても、エピ成長
層６の成長層厚が厚くなった場合には、成長層６が絶縁
膜３を覆って開口部が狭くなり、アライメントマーカの
検出精度が劣化することが考えられる。これに対し、本
第４の実施例では、３回目のエピ成長につれてアライメ
ントマーカの形状自体は大きくなっていくので、アライ
メントマーカの形状がはっきり検出できるようになる。In the first embodiment, when the epitaxial growth layer 6 grown by the third crystal growth is formed thick, the surface becomes too flat, making it difficult to detect the alignment marker. Further, even if the insulating film 3 remains at the alignment marker portion as in the third embodiment, when the grown layer thickness of the epi-grown layer 6 is increased, the grown layer 6 covers the insulating film 3. It is conceivable that the opening becomes narrow and the detection accuracy of the alignment marker is degraded. On the other hand, in the fourth embodiment, the shape of the alignment marker itself becomes larger with the third epi growth, so that the shape of the alignment marker can be clearly detected.

【００６８】実施例５．図５は本発明の第５の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
ある。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
である。本実施例は、アライメントマーカ形成領域に設
ける絶縁膜パターン間の距離を小さくして、埋め込み層
５が異常成長により、他の埋め込み部分より盛り上がる
現象を利用し、コントラストをつけアライメントマーカ
検出を容易にしようとするものである。異常成長とは、
絶縁膜のストライプの間隔を５μｍ以下に近づけると、
その間の結晶成長が異常に促進され、周囲部分より高く
なることである。Embodiment 5 FIG. FIG. 5 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a fifth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts. In the present embodiment, the distance between the insulating film patterns provided in the alignment marker forming area is reduced, and the phenomenon that the buried layer 5 rises abnormally from other buried portions due to abnormal growth is used to provide contrast and facilitate the detection of the alignment marker. What you want to do. What is abnormal growth?
When the distance between the stripes of the insulating film is reduced to 5 μm or less,
During that time, the crystal growth is abnormally promoted and becomes higher than the surrounding area.

【００６９】以下、本実施例の工程を説明する。上記第
１〜第４の実施例と同様に、１回目のエピ成長が終わっ
たウエハ上の全面に、図５(a) に示すように、絶縁膜３
を成膜する。絶縁膜３の成膜の後、ウエハ全面に、図５
(b) に示すように、レジスト４を塗布する。この後、フ
ォトリソグラフィー技術によって、図５(c) に示すよう
に、半導体レーザ形成領域にはリッジに対応するストラ
イプパターンを、アライメントマーカ形成領域にはその
幅が比較的広い、例えば５０μｍ程度であり、充分狭い
間隔、例えば５μｍ以下の間隔で並列して配置されたパ
ターンをそれぞれ転写する。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. As in the first to fourth embodiments, the insulating film 3 is formed on the entire surface of the wafer after the first epi growth, as shown in FIG.
Is formed. After the formation of the insulating film 3, over the entire surface of the wafer, FIG.
As shown in (b), a resist 4 is applied. Thereafter, as shown in FIG. 5C, a stripe pattern corresponding to the ridge is formed in the semiconductor laser forming region, and the width thereof is relatively large, for example, about 50 μm in the alignment marker forming region, as shown in FIG. The patterns arranged in parallel at sufficiently small intervals, for example, at intervals of 5 μm or less are transferred.

【００７０】次に、このレジストパターンをマスクとし
て、図５(d) に示すように、絶縁膜３をエッチング成形
する。この後、図５(e) に示すように、レジスト４を除
去する。そして従来例に示したのと同様の方法により、
パターニングされた絶縁膜３をマスクとして用いたエッ
チングにより、図５(f) に示すように、エピ結晶成長層
を成形し、リッジ形状を形成する。Next, using this resist pattern as a mask, the insulating film 3 is formed by etching as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 5E, the resist 4 is removed. And by the same method as shown in the conventional example,
By etching using the patterned insulating film 3 as a mask, as shown in FIG. 5F, an epi-crystal growth layer is formed to form a ridge shape.

【００７１】この後、２回目のエピ成長により、図５
(g) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５を形成す
る。ここで、図５(g) に示すようにアライメントマーカ
形成領域のリッジ間の領域は他の領域に比して結晶成長
の速度が速く、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５が厚く形成さ
れる。そして、図５(h) に示すように、絶縁膜３を除去
すると、アライメントマーカ形成領域のリッジ間の領域
にＮ型ＧａＡｓ埋め込み層５が突出した形状となる。こ
の後、３回目の結晶成長により、図５(i) に示すよう
に、Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層を形成する。アライ
メントマーカ形成領域に成長されたコンタクト層６には
埋め込み層５の突出部に対応した突起が形成され、これ
が後工程において用いられるアライメントマーカとな
る。Thereafter, by the second epi growth, FIG.
As shown in (g), an N-type GaAs buried layer 5 is formed. Here, as shown in FIG. 5 (g), the region between the ridges in the alignment marker forming region has a higher crystal growth rate than the other regions, and the N-type GaAs buried layer 5 is formed thick. Then, as shown in FIG. 5H, when the insulating film 3 is removed, the N-type GaAs buried layer 5 has a shape protruding in a region between the ridges of the alignment marker forming region. Thereafter, by the third crystal growth, a P-type GaAs second contact layer is formed as shown in FIG. A protrusion corresponding to the protrusion of the buried layer 5 is formed on the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region, and this becomes an alignment marker used in a later step.

【００７２】このように、本第５の実施例においては、
埋め込みリッジ型半導体レーザの光導波路を構成するリ
ッジを形成するためのストライプ状パターンと同時にア
ライメントマーカ形成領域に、前記ストライプ状パター
ンと所定の位置関係を有する、アライメントマーカの形
状に対応した形状を有する絶縁膜パターンを形成し、こ
のパターンを用いてアライメントマーカを形成するよう
にしたので、識別が容易なアライメントマーカを、工程
数を全く増やすことなく製造できる。As described above, in the fifth embodiment,
At the same time as the stripe pattern for forming the ridge forming the optical waveguide of the buried ridge type semiconductor laser, the alignment marker forming region has a shape corresponding to the shape of the alignment marker, having a predetermined positional relationship with the stripe pattern. Since an insulating film pattern is formed and an alignment marker is formed using this pattern, an easily identifiable alignment marker can be manufactured without increasing the number of steps at all.

【００７３】実施例６．図６は本発明の第６の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
ある。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
であり、１０は第１の絶縁膜、１１はフォトレジスト、
１２は第１の絶縁膜と材質が異なり第１の絶縁膜と選択
エッチングが可能な第２の絶縁膜、１３はフォトレジス
トパターンである。Embodiment 6 FIG. FIG. 6 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a sixth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, 10 is a first insulating film, 11 is a photoresist,
Reference numeral 12 denotes a second insulating film having a material different from that of the first insulating film and capable of being selectively etched with the first insulating film, and reference numeral 13 denotes a photoresist pattern.

【００７４】以下、本実施例の工程を説明する。まず、
１回目のエピ成長が終わったウエハ上に全面に、図６
(a) に示すように、第１の絶縁膜１０を成膜し、さらに
第１の絶縁膜１０上にフォトレジスト１１を塗布する。
ここで第１の絶縁膜１０としては例えばＳｉＯ膜を用い
る。ＳｉＯ膜は例えばプラズマＣＶＤ法により成膜す
る。次に、図６(b) に示すように、半導体レーザ形成領
域の部分のレジストを除去する。この後、レジスト１１
をマスクとして用いたエッチングにより、図６(c)に示
すように、半導体レーザ形成領域の第１の絶縁膜１０を
除去する。次に、図６(d) に示すように、アライメント
マーカ形成領域に残った第１の絶縁膜１０上のレジスト
１１を除去する。次に第１の絶縁膜１０とは膜種の異な
る第２の絶縁膜１２を、図６(e) に示すように、ウエハ
全面に成膜する。ここで第２の絶縁膜１２としては例え
ばＳｉＮ膜を用いる。ＳｉＮ膜は例えばＥＣＲＣＶＤ法
により成膜する。この後、第２の絶縁膜１２上にフォト
レジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術によって
半導体レーザ形成領域にはリッジに対応するストライプ
パターンを、アライメントマーカ形成領域にはアライメ
ントマーカの形状に対応したパターンを転写し、図６
(f) に示すように、フォトレジストパターン１３を形成
する。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. First,
FIG. 6 shows the entire surface of the wafer after the first epi growth.
1A, a first insulating film 10 is formed, and a photoresist 11 is applied on the first insulating film 10.
Here, as the first insulating film 10, for example, an SiO film is used. The SiO film is formed by, for example, a plasma CVD method. Next, as shown in FIG. 6B, the resist in the portion where the semiconductor laser is formed is removed. After this, resist 11
As shown in FIG. 6C, the first insulating film 10 in the semiconductor laser forming region is removed by etching using the mask as a mask. Next, as shown in FIG. 6D, the resist 11 on the first insulating film 10 remaining in the alignment marker forming region is removed. Next, a second insulating film 12 different in film type from the first insulating film 10 is formed on the entire surface of the wafer as shown in FIG. Here, for example, a SiN film is used as the second insulating film 12. The SiN film is formed by, for example, an ECRCVD method. Thereafter, a photoresist is applied on the second insulating film 12, and a stripe pattern corresponding to the ridge is formed in the semiconductor laser forming region and a pattern corresponding to the shape of the alignment marker is formed in the alignment marker forming region by a photolithography technique. Transfer, Figure 6
As shown in (f), a photoresist pattern 13 is formed.

【００７５】このレジストパターン１３をエッチングマ
スクとして、図６(g) に示すように、第１，第２の絶縁
膜１０，１２をエッチングする。この後、図６(h) に示
すように、絶縁膜上のレジスト１３を除去する。そし
て、パターニングされた絶縁膜１０，１２をマスクとし
て用いたエッチングにより、図６(i) に示すように、エ
ピ結晶成長層２を成形し、リッジ形状を形成する。Using the resist pattern 13 as an etching mask, the first and second insulating films 10 and 12 are etched as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 6H, the resist 13 on the insulating film is removed. Then, the epitaxial crystal growth layer 2 is formed by etching using the patterned insulating films 10 and 12 as a mask, as shown in FIG.

【００７６】この後、２回目のエピ成長により、図６
(j) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５を成長す
る。次に、第２の絶縁膜１２のみを選択的にエッチング
可能なエッチャントを用いて、図６(k) に示すように、
第１の絶縁膜１０を残し、第２の絶縁膜１２のみを除去
する。上述のように、第１の絶縁膜としてＳｉＯ膜、第
２の絶縁膜としてＳｉＮ膜を用いた場合は、選択エッチ
ングのエッチャントとしてバッファードフッ酸を用いる
ことができる。この後、図６(l) に示すように、３回目
のエピ成長によりＰ型ＧａＡｓコンタクト層６を形成す
る。以上の工程により、アライメントマーカ形成領域に
は第１の絶縁膜１０からなるアライメントマーカが形成
される。Thereafter, by the second epi growth, FIG.
As shown in (j), an N-type GaAs buried layer 5 is grown. Next, using an etchant capable of selectively etching only the second insulating film 12, as shown in FIG.
The first insulating film 10 is left, and only the second insulating film 12 is removed. As described above, when the SiO film is used as the first insulating film and the SiN film is used as the second insulating film, buffered hydrofluoric acid can be used as an etchant for selective etching. Thereafter, as shown in FIG. 6 (l), a P-type GaAs contact layer 6 is formed by the third epi growth. Through the above steps, an alignment marker made of the first insulating film 10 is formed in the alignment marker forming region.

【００７７】本第６の実施例により製造されるアライメ
ントマーカは、上記第３の実施例により製造されるアラ
イメントマーカと同じ構造である。上記第３の実施例で
は、図３(a) の工程において、埋め込み成長層５の全面
にレジスト８を塗布するが、結晶成長する面上にレジス
トが付着すると、その部分上に成長した結晶成長層の品
質が悪くなり、素子の信頼性に悪影響を及ぼす。一方、
本第６の実施例では、２種類の絶縁膜１０，１２を用
い、第２の絶縁膜１２を第３の実施例におけるレジスト
８の代用として使用する構成としているので、埋め込み
成長層５表面にレジストが付着することを回避でき、上
記第３の実施例と同じ構造上の利点を有するアライメン
トマーカを、埋め込みリッジ半導体レーザの品質を劣化
させることなく製造することができる。The alignment marker manufactured according to the sixth embodiment has the same structure as the alignment marker manufactured according to the third embodiment. In the third embodiment, a resist 8 is applied to the entire surface of the buried growth layer 5 in the step of FIG. 3A. Poor layer quality adversely affects device reliability. on the other hand,
In the sixth embodiment, two types of insulating films 10 and 12 are used, and the second insulating film 12 is used as a substitute for the resist 8 in the third embodiment. An alignment marker having the same structural advantage as that of the third embodiment can be manufactured without deteriorating the quality of the buried ridge semiconductor laser.

【００７８】実施例７．図７は本発明の第７の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示す断面工程図で
ある。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分
であり、１４は絶縁膜、１５，１６はフォトレジストで
ある。Embodiment 7 FIG. FIG. 7 is a sectional process view showing a method for manufacturing an alignment marker according to a seventh embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, 14 denotes an insulating film, and 15 and 16 denote photoresists.

【００７９】以下、本実施例の工程を説明する。まず、
１回目のエピ成長が終わったウエハ上に全面に、図７
(a) に示すように、絶縁膜１４を成膜し、さらに絶縁膜
１４上にフォトレジスト１５を塗布する。次に、図７
(b) に示すように、アライメントマーカ形成領域の部分
のレジストを除去する。この後、レジスト１５をマスク
として用いたエッチングにより、図７(c) に示すよう
に、アライメントマーカ形成領域の絶縁膜１４を除去す
る。次に、図７(d) に示すように、半導体レーザ形成領
域に残った絶縁膜１４上のレジスト１５を除去する。次
に、フォトレジスト１６を、図７(e) に示すように、ウ
エハ全面に塗布する。次に、フォトリソグラフィー技術
によって半導体レーザ形成領域にはリッジに対応するス
トライプパターンを、アライメントマーカ形成領域には
アライメントマーカの形状に対応したパターンを転写
し、図７(f) に示すように、フォトレジストパターンを
形成する。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. First,
FIG. 7 shows the entire surface of the wafer after the first epi growth.
As shown in (a), an insulating film 14 is formed, and a photoresist 15 is applied on the insulating film 14. Next, FIG.
As shown in (b), the resist in the portion of the alignment marker forming region is removed. Thereafter, as shown in FIG. 7C, the insulating film 14 in the alignment marker forming region is removed by etching using the resist 15 as a mask. Next, as shown in FIG. 7D, the resist 15 on the insulating film 14 remaining in the semiconductor laser forming region is removed. Next, a photoresist 16 is applied to the entire surface of the wafer as shown in FIG. Next, a stripe pattern corresponding to the ridge is transferred to the semiconductor laser formation region by photolithography, and a pattern corresponding to the shape of the alignment marker is transferred to the alignment marker formation region. As shown in FIG. A resist pattern is formed.

【００８０】次に、このレジストパターンをエッチング
マスクとして、図７(g) に示すように、半導体レーザ形
成領域上の絶縁膜１４をエッチング成形する。この後、
絶縁膜１４、及びフォトレジスト１６をマスクとして用
いたエッチングにより、図７(h) に示すように、エピ結
晶成長層２を成形し、リッジ形状を形成する。エッチン
グ工程の後、図７(i) に示すように、フォトレジスト１
６を除去する。Next, using the resist pattern as an etching mask, the insulating film 14 on the semiconductor laser forming region is formed by etching as shown in FIG. 7 (g). After this,
By etching using the insulating film 14 and the photoresist 16 as a mask, as shown in FIG. 7H, the epi-crystal growth layer 2 is formed to form a ridge shape. After the etching step, as shown in FIG.
6 is removed.

【００８１】この後、２回目のエピ成長により、図７
(j) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層５を成長す
る。この時、アライメントマーカ形成領域のリッジ上は
絶縁膜によりマスクされていないため、リッジ上にも埋
め込み層５が成長され、リッジの形状に対応した突起が
形成される。次に、図７(k) に示すように、絶縁膜１４
を除去し、この後、図７(l) に示すように、３回目のエ
ピ成長によりＰ型ＧａＡｓコンタクト層６を形成する。
ここで、アライメントマーカ形成領域に成長されたコン
タクト層６には埋め込み層５により形成された段差に対
応した突起が形成され、これが後工程において用いられ
るアライメントマーカとなる。Thereafter, by the second epi growth, FIG.
As shown in (j), an N-type GaAs buried layer 5 is grown. At this time, since the ridge on the alignment marker formation region is not masked by the insulating film, the buried layer 5 is also grown on the ridge, and a projection corresponding to the shape of the ridge is formed. Next, as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 7 (l), a P-type GaAs contact layer 6 is formed by the third epi growth.
Here, a protrusion corresponding to the step formed by the buried layer 5 is formed on the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region, and this becomes an alignment marker used in a subsequent step.

【００８２】上記第４の実施例では、図４(a) の工程に
おいて、埋め込み成長前のウエハ表面全面にレジストを
塗布するが、結晶成長する面上にレジストが付着する
と、その部分上に成長した結晶成長層の品質が悪くな
り、素子の信頼性に悪影響を及ぼす。一方、本第７の実
施例では、図７(d) の工程で予めアライメントマーカと
なる部分の絶縁膜１４を除去し、アライメントマーカの
形状はレジストのパターンのみで構成するようにしてい
るので、上記第４の実施例の図４(a) のようなアライメ
ントマーカ部分の絶縁膜を除去する工程を回避できるた
め、埋め込み成長層５表面にレジストが付着することを
回避でき、上記第４の実施例と同じ構造上の利点を有す
るアライメントマーカを、埋め込みリッジ半導体レーザ
の品質を劣化させることなく製造することができる。In the fourth embodiment, in the step of FIG. 4A, a resist is applied to the entire surface of the wafer before the burying growth. The quality of the grown crystal growth layer deteriorates, which adversely affects the reliability of the device. On the other hand, in the seventh embodiment, in the step of FIG. 7D, the portion of the insulating film 14 serving as an alignment marker is removed in advance, and the shape of the alignment marker is constituted only by a resist pattern. Since the step of removing the insulating film at the alignment marker portion as shown in FIG. 4A of the fourth embodiment can be avoided, the resist can be prevented from adhering to the surface of the buried growth layer 5, and the fourth embodiment can be avoided. An alignment marker having the same structural advantages as the example can be manufactured without deteriorating the quality of the buried ridge semiconductor laser.

【００８３】実施例８．図８は本発明の第８の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示したものであ
る。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分で
あり、１７はフォトレジストである。２回目のエピ成長
までの工程は、上記第２の実施例の図２(a) 〜図２(g)
に示す工程と全く同じであるので、図８では２回目のエ
ピ成長工程後の工程図を示している。Embodiment 8 FIG. FIG. 8 shows a method for manufacturing an alignment marker according to the eighth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, and 17 denotes a photoresist. Steps up to the second epi growth are shown in FIGS. 2 (a) to 2 (g) of the second embodiment.
8 is exactly the same as the process shown in FIG. 8, and FIG. 8 shows a process diagram after the second epi growth process.

【００８４】以下、本実施例の工程を説明する。埋め込
み層５の成長後、図８(a) に示すように、半導体レーザ
形成領域をレジスト１７で覆う。次に、図８(b) に示す
ように、レジスト１７をエッチングマスクにして埋め込
み層５をエッチングする。この後、図８(c) に示すよう
に、レジスト１７を除去する。さらに、図８(d) に示す
ように、半導体レーザ形成領域及びアライメントマーカ
形成領域の絶縁膜３を除去する。そして、図８(e) に示
すように、３回目のエピ成長によりＰ型ＧａＡｓコンタ
クト層６を形成する。ここで、アライメントマーカ形成
領域に成長されたコンタクト層６にはリッジの段差に対
応した突起が形成され、これが後工程において用いられ
るアライメントマーカとなる。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. After the growth of the buried layer 5, the semiconductor laser formation region is covered with a resist 17 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 8B, the buried layer 5 is etched using the resist 17 as an etching mask. Thereafter, as shown in FIG. 8C, the resist 17 is removed. Further, as shown in FIG. 8D, the insulating film 3 in the semiconductor laser forming region and the alignment marker forming region is removed. Then, as shown in FIG. 8E, a P-type GaAs contact layer 6 is formed by the third epi growth. Here, a protrusion corresponding to the step of the ridge is formed on the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region, and this becomes an alignment marker used in a later step.

【００８５】このように、本第８の実施例においても、
上記他の実施例と同様、埋め込みリッジ型半導体レーザ
の光導波路を構成するリッジを形成するためのストライ
プ状パターンと同時にアライメントマーカ形成領域に、
前記ストライプ状パターンと所定の位置関係を有する、
アライメントマーカの形状に対応した形状を有する絶縁
膜パターンを形成し、このパターンを用いてアライメン
トマーカを形成するようにしたので、識別が容易なアラ
イメントマーカを、工程数をあまり増やすことなく製造
できる。As described above, also in the eighth embodiment,
As in the above other embodiments, a stripe pattern for forming a ridge forming an optical waveguide of a buried ridge type semiconductor laser and an alignment marker forming region are formed simultaneously with the stripe pattern.
Having a predetermined positional relationship with the stripe pattern,
Since an insulating film pattern having a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed and the alignment marker is formed using this pattern, an easily distinguishable alignment marker can be manufactured without increasing the number of steps so much.

【００８６】また、上記第４，第７の実施例では埋め込
み層５の成長時，および第２コンタクト層６の成長時に
マーカ部分の形状変化を受けるが、本第８の実施例で
は、アライメントマーカの形状は第２コンタクト層６を
エピ成長する時に形状変化を受けるだけなので、アライ
メントマーカ形状の変化が少ないため、フォトマスク設
計時などでパターンの形状を決めやすいというメリット
がある。また、エピ層厚を変更するときもアライメント
マーカの形状変化の影響を最小限に抑えることができ
る。In the fourth and seventh embodiments, the shape of the marker portion changes when the buried layer 5 is grown and when the second contact layer 6 is grown. In the eighth embodiment, the alignment marker is changed. Is only affected by the shape change when the second contact layer 6 is epitaxially grown, so there is little change in the shape of the alignment marker. Also, when the epi layer thickness is changed, the influence of the shape change of the alignment marker can be minimized.

【００８７】実施例９．図９は本発明の第９の実施例に
よるアライメントマーカの製造方法を示したものであ
る。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分で
あり、１８は第３の絶縁膜、１９はフォトレジスト、２
０は第３の絶縁膜と材質が異なり第３の絶縁膜と選択エ
ッチングが可能な第４の絶縁膜、２１はフォトレジスト
である。Embodiment 9 FIG. FIG. 9 shows a method for manufacturing an alignment marker according to the ninth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, 18 denotes a third insulating film, 19 denotes a photoresist,
Reference numeral 0 denotes a fourth insulating film which is made of a material different from that of the third insulating film and can be selectively etched from the third insulating film, and 21 denotes a photoresist.

【００８８】以下、本実施例の工程を説明する。まず、
１回目のエピ成長が終わったウエハ上に全面に、図９
(a) に示すように、第３の絶縁膜１８を成膜し、さらに
絶縁膜１８上にフォトレジスト１９を塗布する。次に、
図９(b) に示すように、アライメントマーカ形成領域の
部分のレジストを除去する。この後、レジスト１９をマ
スクとして用いたエッチングにより、図９(c) に示すよ
うに、アライメントマーカ形成領域の第３の絶縁膜１８
を除去する。次に、図９(d) に示すように、半導体レー
ザ形成領域に残った第３の絶縁膜１８上のレジスト１９
を除去する。Hereinafter, the steps of this embodiment will be described. First,
FIG. 9 shows the entire surface of the wafer after the first epi growth.
As shown in FIG. 3A, a third insulating film 18 is formed, and a photoresist 19 is applied on the third insulating film 18. next,
As shown in FIG. 9B, the resist in the alignment marker forming region is removed. Thereafter, by etching using the resist 19 as a mask, as shown in FIG. 9C, the third insulating film 18 in the alignment marker forming region is formed.
Is removed. Next, as shown in FIG. 9D, a resist 19 on the third insulating film 18 remaining in the semiconductor laser forming region is formed.
Is removed.

【００８９】次に、第３の絶縁膜１８とは膜種の異なる
第４の絶縁膜２０を、図９(e) に示すように、ウエハ全
面に成膜する。そして、図９(f) に示すように、第４の
絶縁膜２０上にレジスト２１を塗布する。次に、フォト
リソグラフィー技術によって半導体レーザ形成領域には
リッジに対応するストライプパターンを、アライメント
マーカ形成領域にはアライメントマーカの形状に対応し
たパターンを転写し、図９(g) に示すように、フォトレ
ジストパターンを形成する。次に、このレジストパター
ンをエッチングマスクとして、図９(h) に示すように、
第４の絶縁膜２０、及び第３の絶縁膜１８をエッチング
成形する。そして、フォトレジストパターン２１を除去
した後、図９(i) に示すように、絶縁膜１８，２０をマ
スクとして用いたエッチングにより、エピ結晶成長層２
を成形し、リッジ形状を形成する。この後、第４の絶縁
膜２０のみを選択的にエッチング可能なエッチャントを
用いて、図９(j) に示すように、第３の絶縁膜１８を残
し、第４の絶縁膜２０のみを除去する。次に、２回目の
エピ成長により、図９(k) に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ
埋め込み層５を成長する。この時、アライメントマーカ
形成領域のリッジ上の絶縁膜は除去されているので、リ
ッジ上にも埋め込み層５が成長され、リッジの形状に対
応した突起が形成される。次に、絶縁膜１８を除去し、
この後、図９(l) に示すように、３回目のエピ成長によ
りＰ型ＧａＡｓコンタクト層６を形成する。ここで、ア
ライメントマーカ形成領域に成長されたコンタクト層６
には埋め込み層５により形成された段差に対応した突起
が形成され、これが後工程において用いられるアライメ
ントマーカとなる。Next, as shown in FIG. 9E, a fourth insulating film 20 different in film type from the third insulating film 18 is formed on the entire surface of the wafer. Then, as shown in FIG. 9F, a resist 21 is applied on the fourth insulating film 20. Next, a stripe pattern corresponding to the ridge is transferred to the semiconductor laser forming region and a pattern corresponding to the shape of the alignment marker is transferred to the alignment marker forming region by photolithography technology, and as shown in FIG. A resist pattern is formed. Next, using this resist pattern as an etching mask, as shown in FIG.
The fourth insulating film 20 and the third insulating film 18 are formed by etching. Then, after removing the photoresist pattern 21, as shown in FIG. 9 (i), the epitaxial crystal growth layer 2 is etched by using the insulating films 18 and 20 as a mask.
Is formed to form a ridge shape. Thereafter, using an etchant capable of selectively etching only the fourth insulating film 20, the third insulating film 18 is left and only the fourth insulating film 20 is removed as shown in FIG. I do. Next, as shown in FIG. 9K, N-type GaAs is formed by the second epi growth.
A buried layer 5 is grown. At this time, since the insulating film on the ridge in the alignment marker forming region has been removed, the buried layer 5 is also grown on the ridge, and a projection corresponding to the shape of the ridge is formed. Next, the insulating film 18 is removed,
Thereafter, as shown in FIG. 9 (l), a P-type GaAs contact layer 6 is formed by the third epi growth. Here, the contact layer 6 grown in the alignment marker forming region
Is formed with a protrusion corresponding to the step formed by the buried layer 5, and this becomes an alignment marker used in a subsequent step.

【００９０】本第９の実施例により製造されるアライメ
ントマーカは、上記第７の実施例により製造されるアラ
イメントマーカと同じ構造である。上記第７の実施例の
図３(e) の工程においてはエピ結晶成長層２上に直接レ
ジストを塗布するが、第６の実施例の説明でも述べたよ
うに、結晶成長する面上にレジストが付着して残留する
と、その部分上に成長した結晶成長層の品質が悪くな
る。第７の実施例では、レジストが塗布されるのはアラ
イメントマーカ形成領域であるが、この領域での結晶品
質の劣化が半導体レーザ形成領域の結晶品質に影響を及
ぼし、素子特性の劣化を生ぜしめることも考えられる。
一方、本第９の実施例では、２種類の絶縁膜１８，２０
を用い、第４の絶縁膜２０を第７の実施例におけるレジ
スト１６の代用として使用する構成としているので、結
晶成長する面上にレジストが付着して残留することを回
避でき、上記第３の実施例と同じ構造上の利点を有する
アライメントマーカを、半導体レーザの素子特性の劣化
を生ぜしめることなく製造することができる。The alignment marker manufactured according to the ninth embodiment has the same structure as the alignment marker manufactured according to the seventh embodiment. In the step of FIG. 3E of the seventh embodiment, a resist is applied directly on the epi-crystal growth layer 2, but as described in the description of the sixth embodiment, the resist is If the crystal adheres and remains, the quality of the crystal growth layer grown on that portion deteriorates. In the seventh embodiment, the resist is applied to the alignment marker forming region. However, the deterioration of the crystal quality in this region affects the crystal quality of the semiconductor laser forming region, resulting in deterioration of device characteristics. It is also possible.
On the other hand, in the ninth embodiment, two types of insulating films 18 and 20 are used.
And the fourth insulating film 20 is used as a substitute for the resist 16 in the seventh embodiment. Therefore, it is possible to prevent the resist from adhering and remaining on the surface on which the crystal grows. An alignment marker having the same structural advantage as that of the embodiment can be manufactured without deteriorating the element characteristics of the semiconductor laser.

【００９１】なお、上記第１〜第９の実施例では、埋め
込みリッジ型の半導体レーザを製造する場合に適用した
ものについて説明したが、製造される半導体光素子がこ
れ以外のものであっても、該素子の製造方法が複数のエ
ピタキシャル成長工程、絶縁膜パターンを用いたエッチ
ングにより光導波路構造を形成する工程、及び該絶縁膜
パターンを用いた選択成長により上記光導波路構造を埋
め込む工程を有するものであれば、本発明を適用するこ
とができ、上記各実施例と同様の、即ち、光導波路スト
ライプと所定の位置関係を有する、識別が容易なアライ
メントマーカを、工程数をあまり、あるいは全く増やす
ことなく製造することができるという効果を奏する。In the first to ninth embodiments, the description has been given of the case where the present invention is applied to the case of manufacturing a buried ridge type semiconductor laser. A method of manufacturing the device, comprising a plurality of epitaxial growth steps, a step of forming an optical waveguide structure by etching using an insulating film pattern, and a step of embedding the optical waveguide structure by selective growth using the insulating film pattern. If so, the present invention can be applied, and an alignment marker similar to each of the above-described embodiments, that is, having a predetermined positional relationship with the optical waveguide stripe and easy to identify, can be provided with a small or large number of steps. The effect that it can be manufactured without it is produced.

【００９２】また、上記第１〜第９の実施例では、Ｇａ
Ａｓ系の半導体光素子について説明したが、本発明はこ
れ以外の材料系で構成される半導体光素子を製造する際
にも適用することができることは言うまでもない。In the first to ninth embodiments, Ga
Although the description has been given of the As-based semiconductor optical device, it goes without saying that the present invention can be applied to the manufacture of a semiconductor optical device composed of other material systems.

【００９３】実施例１０．図１０は第１〜第９の実施例
による半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方
法によりウエハのアライメントマーカ形成領域に形成さ
れるアライメントマーカの形状の一例およびこのアライ
メントマーカを用いたマスクアライメントを説明するた
めの図である。図において、３０はウエハ、３１はウエ
ハ上に形成されたアライメントマーカ、４０は転写マス
ク、４１は転写マスク上のアライメントマーカである。Embodiment 10 FIG. FIG. 10 illustrates an example of the shape of an alignment marker formed in an alignment marker forming region of a wafer by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and a mask alignment using the alignment marker. FIG. In the figure, 30 is a wafer, 31 is an alignment marker formed on the wafer, 40 is a transfer mask, and 41 is an alignment marker on the transfer mask.

【００９４】ウエハ上のアライメントマーカ３１は幅１
０μｍのストライプ状領域から構成されており、全体と
して十字の形をなしている。このマーカの十字の中心軸
に水平方向は、例えばＧａＡｓ結晶の場合〔０１１〕あ
るいは〔０１／１〕の劈開面方向に正確に合わせる。一
方、転写マスク４０側には、図１０(b) に示すように、
アライメントマーカ３１と相似形で、やや大きめの開口
部を有するアライメントマーカ４１を形成しておけば、
図１０(c) に示すように重ね合わせることによって劈開
方向に正確にアライメントできる。The alignment marker 31 on the wafer has a width of 1
It is composed of a stripe-shaped region of 0 μm, and has a cross shape as a whole. The horizontal direction of the center axis of the cross of the marker is precisely aligned with the cleavage plane direction of [011] or [01/1] in the case of a GaAs crystal, for example. On the other hand, on the transfer mask 40 side, as shown in FIG.
If an alignment marker 41 having a slightly larger opening is formed in a shape similar to the alignment marker 31,
By overlapping as shown in FIG. 10 (c), accurate alignment can be performed in the cleavage direction.

【００９５】また、本実施例では、完成したアライメン
トマーカの形状は幅１０μｍのストライプ状領域から構
成されており、このアライメントマーカを製造する際
に、アライメントマーカの形状に対応する絶縁膜パター
ン上に多結晶の析出が生じないので、高品位のアライメ
ントマーカを容易に製造できる。In this embodiment, the shape of the completed alignment marker is constituted by a stripe-shaped region having a width of 10 μm. When this alignment marker is manufactured, the alignment marker is formed on the insulating film pattern corresponding to the shape of the alignment marker. Since no polycrystal is deposited, a high-quality alignment marker can be easily manufactured.

【００９６】実施例１１．図１１は第１〜第９の実施例
による半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方
法によりウエハのアライメントマーカ形成領域に形成さ
れるアライメントマーカの形状の他の例およびこのアラ
イメントマーカを用いたマスクアライメントを説明する
ための図である。図において、図１０と同一符号は同一
又は相当部分である。Embodiment 11 FIG. FIG. 11 shows another example of the shape of the alignment marker formed in the alignment marker forming region of the wafer by the method of manufacturing the alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and mask alignment using the alignment marker. FIG. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 10 indicate the same or corresponding parts.

【００９７】このマーカは幅１０μｍのストライプ状領
域から構成されており、全体として十字の形をなしてい
る。このマーカの十字の中心軸に水平方向は、例えばＧ
ａＡｓ結晶の場合〔０１１〕あるいは〔０１／１〕の劈
開面方向から４５°の方向をなしている。本実施例にお
いても、上記第１０の実施例と同様、転写マスク４０側
には、図１１(b) に示すように、アライメントマーカ３
１と相似形で、やや大きめの開口部を有するアライメン
トマーカ４１を形成しておけば、図１１(c) に示すよう
に重ね合わせることによって正確にアライメントでき
る。This marker is composed of a stripe-shaped region having a width of 10 μm, and has a cross shape as a whole. The horizontal direction of the center axis of the cross of the marker is, for example, G
In the case of an aAs crystal, the direction is 45 ° from the cleavage plane direction of [011] or [01/1]. In this embodiment, similarly to the tenth embodiment, the alignment marker 3 is provided on the transfer mask 40 side as shown in FIG.
If an alignment marker 41 similar to 1 and having a slightly larger opening is formed, accurate alignment can be achieved by overlapping as shown in FIG. 11 (c).

【００９８】図２０は〔０１１〕方向の辺と〔０１／
１〕方向の辺で構成されたパターンをマスクとしてウエ
ットエッチングでリッジを形成した場合のリッジ形状を
説明するための図であり、図２０(a) はウエハの上面
図、図２０(b) は図２０(a) 中のXXｂ−XXｂ線における
断面図、図２０(c) は図２０(a) 中のXXｃ−XXｃ線にお
ける断面図である。また、図２１は〔０１１〕方向又は
〔０１／１〕方向から４５°ずれた方向の辺で構成され
たパターンをマスクとしてウエットエッチングでリッジ
を形成した場合のリッジ形状を説明するための図であ
り、図２１(a) はウエハの上面図、図２１(b) は図２１
(a) 中の XXIｂ− XXIｂ線における断面図、図２１(c)
は図２１(a) 中の XXIｃ− XXIｃ線における断面図であ
る。FIG. 20 shows the side in the [011] direction and [01 /
FIG. 20 (a) is a top view of a wafer, and FIG. 20 (b) is a diagram for explaining a ridge shape when a ridge is formed by wet etching using a pattern formed by sides in the [1] direction as a mask. 20 (a) is a cross-sectional view taken along line XXb-XXb, and FIG. 20 (c) is a cross-sectional view taken along line XXc-XXc in FIG. 20 (a). FIG. 21 is a view for explaining a ridge shape in the case where a ridge is formed by wet etching using a pattern composed of sides in a direction shifted by 45 ° from the [011] direction or the [01/1] direction as a mask. FIG. 21A is a top view of the wafer, and FIG.
FIG. 21C is a sectional view taken along line XXIb-XXIb in FIG.
FIG. 22 is a sectional view taken along line XXIc-XXIc in FIG.

【００９９】上記第１０の実施例のように、アライメン
トマーカを〔０１１〕方向の辺と〔０１／１〕方向の辺
を有する形状とした場合、例えばウェットエッチングで
リッジを形成する場合、〔０１１〕方向では図２０(b)
に示すようにリッジは順メサ、即ち断面は台形の形状と
なるが、〔０１／１〕方向では図２０(c) に示すように
リッジは逆メサ、即ち断面は逆台形の形状となる。この
結果、その後の埋め込み成長時の埋め込まれかたが異な
るので、ストライプ方向の違いにより最終的な幅が異な
ったものとなり、マスクアライメント精度が劣化する可
能性がある。As in the tenth embodiment, when the alignment marker has a shape having a side in the [011] direction and a side in the [01/1] direction, for example, when forming a ridge by wet etching, [011] In the direction], FIG.
As shown in FIG. 20, the ridge has a forward mesa, that is, the cross section has a trapezoidal shape. In the [01/1] direction, the ridge has an inverted mesa, that is, the cross section has an inverted trapezoidal shape, as shown in FIG. As a result, since the embedding method during the subsequent embedding growth is different, the final width differs due to the difference in the stripe direction, and the mask alignment accuracy may be degraded.

【０１００】一方、本第１１の実施例のように、アライ
メントマーカを〔０１１〕方向又は〔０１／１〕方向の
から４５°ずれた方向の辺を有する形状とすれば、ウェ
ットエッチングで形成されたリッジの側面は、図２１
(b) ，図２１(c) に示すように、すべて垂直に、即ち、
いずれの方向のリッジストライプの断面も矩形となる。On the other hand, as in the eleventh embodiment, when the alignment marker has a side having a direction shifted by 45 ° from the [011] direction or the [01/1] direction, the alignment marker is formed by wet etching. Fig. 21
(b), as shown in FIG. 21 (c), all vertically, that is,
The cross section of the ridge stripe in any direction is rectangular.

【０１０１】従って、ストライプの埋め込まれかたは同
じなので、ストライプ方向によってストライプ幅の変化
は生じることはない。上記第１，及び第３〜第９の実施
例によるアライメントマーカの製造方法においては、い
ずれも第２のコンタクト層６の層厚によってマーカの大
きさが変化するが、この場合でも、本第１１の実施例の
ようなマーカ形状とすれば、マーカは相似形状で変化す
るので、マスクアライメント精度の大きな劣化を防止で
きる。Therefore, since the manner of embedding the stripe is the same, the stripe width does not change depending on the stripe direction. In each of the alignment marker manufacturing methods according to the first, third, and ninth embodiments, the size of the marker changes depending on the layer thickness of the second contact layer 6. In the case of the marker shape as in the embodiment, since the marker changes in a similar shape, it is possible to prevent a large deterioration in mask alignment accuracy.

【０１０２】実施例１２．図１２は第１〜第９の実施例
による半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方
法によりウエハのアライメントマーカ形成領域に形成さ
れるアライメントマーカの形状の他の例およびこのアラ
イメントマーカを用いたマスクアライメントを説明する
ための図である。Embodiment 12 FIG. FIG. 12 shows another example of the shape of the alignment marker formed in the alignment marker forming area of the wafer by the method of manufacturing the alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and mask alignment using the alignment marker. FIG.

【０１０３】このマーカは幅１０μｍのストライプ状領
域から構成されており、全体として正方形の形をなして
いる。このマーカの正方形の２対の対角線は、例えばＧ
ａＡｓ結晶の場合、それぞれ〔０１１〕，〔０１／１〕
方向に正確に合うようにする。この方向にマーカを形成
することで、ストライプ方向によってストライプ幅の変
化が生じることを防止でき、アライメントマーカの形状
が３回目のエピ成長で変化する場合にもマーカを相似形
状で変化させることができることは、上記第１１の実施
例と同様である。また、本実施例では、転写マスク４１
側には、十字のスリットを有するアライメントマーカ４
１を形成しておけば、図１２(c) に示すように重ね合わ
せることによって正確にアライメントできる。This marker is composed of a stripe-shaped region having a width of 10 μm, and has a square shape as a whole. The two diagonal lines of the marker square are, for example, G
In the case of aAs crystal, [011] and [01/1] respectively
Make sure it fits exactly in the direction. By forming a marker in this direction, it is possible to prevent a change in the stripe width depending on the stripe direction, and it is possible to change the marker in a similar shape even when the shape of the alignment marker changes in the third epi growth. Is the same as in the eleventh embodiment. In this embodiment, the transfer mask 41 is used.
On the side, an alignment marker 4 having a cross slit
If 1 is formed, accurate alignment can be achieved by overlapping as shown in FIG.

【０１０４】また、本実施例では、ウエハ側アライメン
トマーカ３１と転写マスク側アライメントマーカ４１を
それぞれ正方形のマーカと十字スリットを有する形状の
マーカとしており、また、ウエハ側アライメントマーカ
３１のウエハ上での向きを、上述のようにアライメント
マーカの形状が３回目のエピ成長で変化する場合にもマ
ーカは相似形状で変化させることができる向きとしてい
るので、アライメントマーカの大きさが３回目のエピ成
長で極端に変化した場合であっても、マスクアライメン
ト精度の劣化は殆ど生じないという利点がある。In this embodiment, the wafer-side alignment marker 31 and the transfer mask-side alignment marker 41 are square markers and markers having cross-shaped slits, respectively. As described above, even when the shape of the alignment marker changes in the third epi growth as described above, the marker can be changed in a similar shape, so that the size of the alignment marker is changed in the third epi growth. There is an advantage in that even if it changes extremely, the mask alignment accuracy hardly deteriorates.

【０１０５】実施例１３．図１３は第１〜第９の実施例
による半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方
法によりウエハのアライメントマーカ形成領域に形成さ
れるアライメントマーカの形状の他の例およびこのアラ
イメントマーカを用いたマスクアライメントを説明する
ための図である。Embodiment 13 FIG. FIG. 13 shows another example of the shape of the alignment marker formed in the alignment marker forming area of the wafer by the method of manufacturing the alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and mask alignment using the alignment marker. FIG.

【０１０６】本実施例のマーカは実施例１２のマーカが
図のような配置で複数個配置されている。それぞれの正
方形の対角線の方向は互いに一致し、例えばＧａＡｓ結
晶の場合、それぞれ〔０１１〕，〔０１／１〕方向に正
確に合うようにしている。従って、上記第１１，第１２
の実施例と同様、ストライプ方向によってストライプ幅
の変化が生じることを防止でき、アライメントマーカの
形状が３回目のエピ成長で変化する場合にもマーカを相
似形状で変化させることができる。本実施例において
も、転写マスク４１側には、十字のスリットを有するア
ライメントマーカ４１を形成しておけば、図１３(c) に
示すように重ね合わせることによって正確にアライメン
トできる。The marker of the present embodiment has a plurality of markers of the twelfth embodiment arranged as shown in the figure. The directions of the diagonal lines of the respective squares coincide with each other. For example, in the case of a GaAs crystal, the diagonal lines are aligned exactly in the [011] and [01/1] directions. Therefore, the eleventh and twelfth
As in the embodiment, it is possible to prevent the stripe width from being changed depending on the stripe direction, and to change the shape of the alignment marker by a similar shape even when the shape of the alignment marker changes by the third epi growth. Also in this embodiment, if an alignment marker 41 having a cross-shaped slit is formed on the transfer mask 41 side, accurate alignment can be achieved by overlapping as shown in FIG.

【０１０７】上記第１３の実施例のマーカでは、３回目
のエピ成長によりマーカの大きさが変化して、十字スト
ライプに対して小さくなりすぎた場合にアライメントが
困難になる。 本実施例によるマーカでは、複数個の正方
形で形成されており、各々の正方形を任意の間隔に配置
することにより個々のマーカの大きさが小さくなっても
マーカ全体として大きなサイズが保存されるため、アラ
イメント精度の劣化は殆ど生じないという利点がある。 In the marker of the thirteenth embodiment, the third time
The size of the marker changes due to the epi growth of
Alignment when too small for rice
It becomes difficult. In the marker according to the present embodiment, a plurality of squares
It is formed in a shape, and arranges each square at an arbitrary interval
Even if the size of each marker becomes smaller by doing
The large size of the entire marker is saved,
There is an advantage that deterioration of the precision of the injection hardly occurs.

【０１０８】実施例１４．図１４は第１及び第３〜第９
の実施例による半導体光素子製造用アライメントマーカ
の製造方法により形成されるアライメントマーカを用い
たマスクアライメント方法の一実施例を説明するための
図である。Embodiment 14 FIG. FIG. 14 shows the first and third to ninth embodiments.
FIG. 8 is a diagram for explaining an embodiment of a mask alignment method using an alignment marker formed by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the embodiment.

【０１０９】上記第１及び第３〜第９の実施例による半
導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法を用い
てウエハ上にアライメントマーカを形成する場合、２回
目または３回目の結晶成長時にエピ成長される結晶層の
層厚に応じてアライメントマーカの形状が変化する。こ
こで、上記第１１〜第１３の実施例において説明したよ
うに、例えばＧａＡｓ結晶の場合、アライメントマーカ
を〔０１１〕方向又は〔０１／１〕方向のから４５°ず
れた方向の辺を有する形状とすれば、アライメントマー
カの形状変化は、相似形状での変化となる。即ち、上記
第１及び第３〜第９の実施例による半導体光素子製造用
アライメントマーカの製造方法を用いて形成されるアラ
イメントマーカの形状が、図１４(a) に示すように、
〔０１１〕方向又は〔０１／１〕方向のから４５°ずれ
た方向の辺を有する正方形である場合には、アライメン
トマーカは正方形の形状を保ったまま、そのサイズが変
化する。When an alignment marker is formed on a wafer by using the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first and third to ninth embodiments, epi-growth is performed during the second or third crystal growth. The shape of the alignment marker changes according to the thickness of the crystal layer to be formed. Here, as described in the first to thirteenth embodiments, for example, in the case of a GaAs crystal, the alignment marker has a side having a direction shifted by 45 ° from the [011] direction or the [01/1] direction. Then, the shape change of the alignment marker becomes a change in a similar shape. That is, as shown in FIG. 14A, the shape of the alignment marker formed by using the method for manufacturing the alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first and third to ninth embodiments is as follows.
When the alignment marker is a square having sides in a direction shifted by 45 ° from the [011] direction or the [01/1] direction, the size of the alignment marker changes while maintaining the square shape.

【０１１０】本実施例では、転写マスク側には、図１４
(b) に示すように、点対称の中心が相似変形の中心とな
るように重ね合わせて配置した複数のサイズの異なる正
方形の辺の一部で構成した形状の開口を有するアライメ
ントマーカを形成する。In this embodiment, on the transfer mask side, FIG.
As shown in (b), an alignment marker having an opening having a shape composed of a part of sides of a plurality of different-sized squares arranged so as to overlap with each other so that the center of point symmetry becomes the center of similar deformation is formed. .

【０１１１】転写マスク側に上述のような形状のアライ
メントマーカ４１を設ければ、ウエハ側のアライメント
マーカ３１のサイズが変化しても、このウエハ側のアラ
イメントマーカ３１に最も合わせやすいサイズの正方形
の辺の一部を使用して、図１４(c) に示すようにマスク
合わせを行なうことにより、精度よくマスク合わせする
ことができるので、ウエハ側のアライメントマーカのサ
イズが変化してもアライメント精度は悪くならない。If the alignment marker 41 having the above-described shape is provided on the transfer mask side, even if the size of the alignment marker 31 on the wafer side changes, a square of the size that is most easily aligned with the alignment marker 31 on the wafer side is provided. By using a part of the side to perform mask alignment as shown in FIG. 14 (c), mask alignment can be performed with high accuracy. Therefore, even if the size of the alignment marker on the wafer side changes, the alignment accuracy is reduced. It doesn't get worse.

【０１１２】実施例１５．図１５は第１及び第３〜第９
の実施例による半導体光素子製造用アライメントマーカ
の製造方法により形成されるアライメントマーカを用い
たマスクアライメント方法の他の実施例を説明するため
の図である。Embodiment 15 FIG. FIG. 15 shows the first and third to ninth embodiments.
FIG. 13 is a view for explaining another embodiment of a mask alignment method using an alignment marker formed by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the embodiment.

【０１１３】上記第１４の実施例では、ウエハ側の一つ
のアライメントマーカ形成領域に一つのアライメントマ
ーカを形成したが、図１５(a) に示すように、ウエハ側
の一つのアライメントマーカ形成領域に同一形状の複数
のアライメントマーカを形成し、転写マスク側には、図
１５(b) に示すように、ウエハ側の各アライメントマー
カに対応した位置に、ウエハ側のアライメントマーカと
相似形状の、それぞれサイズの異なる開口を有するアラ
イメントマーカ４１を形成するようにしてもよく、図１
５(c) に示すように最も合わせやすいサイズのアライメ
ントマーカ４１を用いてマスク合わせを行なうことによ
り、精度よくマスク合わせすることができるので、上記
第１４の実施例と同様の効果が得られる。In the fourteenth embodiment, one alignment marker is formed in one alignment marker formation area on the wafer side. However, as shown in FIG. 15A, one alignment marker is formed in one alignment marker formation area on the wafer side. A plurality of alignment markers of the same shape are formed, and on the transfer mask side, as shown in FIG. An alignment marker 41 having openings of different sizes may be formed.
As shown in FIG. 5 (c), mask alignment can be performed with high accuracy by using the alignment marker 41 of the size that is most easily aligned, so that the same effect as in the fourteenth embodiment can be obtained.

【０１１４】なお、上記第１４，第１５の実施例ではア
ライメントマーカの形状を正方形としたが、上記第１及
び第３〜第９の実施例による半導体光素子製造用アライ
メントマーカの製造方法を用いて製造した場合に、２回
目または３回目の結晶成長時にエピ成長される結晶層の
層厚に応じて相似形状で変化する形状であれば、どのよ
うな形状であってもよい。In the fourteenth and fifteenth embodiments, the shape of the alignment marker is square. However, the method of manufacturing the alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first and third to ninth embodiments is used. When manufactured, any shape may be used as long as it changes in a similar shape according to the thickness of the crystal layer that is epitaxially grown during the second or third crystal growth.

【０１１５】また、上記第１１〜第１５の実施例では、
ＧａＡｓ結晶のエッチング形状で説明したが、エッチン
グされる半導体層がこれ以外の半導体材料からなる場合
であっても、そのエッチング形状の結晶方位依存性に応
じて、マスクパターンのストライプ方向を、このパター
ンをマスクとして用いて半導体層をウエットエッチング
したときに、リッジの側壁がすべて垂直となるような方
向とすることにより、上記実施例と同様の効果が得られ
ることは言うまでもない。In the eleventh to fifteenth embodiments,
Although the description has been given of the etching shape of the GaAs crystal, even when the semiconductor layer to be etched is made of another semiconductor material, the stripe direction of the mask pattern is changed according to the crystal orientation dependence of the etching shape. It is needless to say that the same effect as in the above embodiment can be obtained by setting the direction in which the side walls of the ridge are all vertical when the semiconductor layer is wet-etched by using as a mask.

【０１１６】[0116]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウエ
ハ上の素子形成領域に半導体光素子の光導波路を形成す
るためのストライプ状パターンを形成すると同時にウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に上記ストライプ状
パターンと所定の位置関係を有する、アライメントマー
カの形状に対応した形状を有する絶縁膜パターンを形成
し、このパターンを用いてアライメントマーカを形成す
るようにしたので、識別が容易なアライメントマーカ
を、工程数をあまりあるいは全く増やすことなく製造で
きる効果がある。As described above, according to the present invention, a stripe pattern for forming an optical waveguide of a semiconductor optical device is formed in a device forming region on a wafer, and at the same time, the alignment marker forming region on the wafer is formed in the device. An insulating film pattern having a predetermined positional relationship with the stripe pattern and having a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed, and the alignment marker is formed using this pattern. In addition, there is an effect that the device can be manufactured without increasing the number of steps so much or at all.

【０１１７】また、この発明によれば、複数の半導体層
を順次結晶成長したウエハ上の、半導体光素子形成領域
に、上記光導波路を形成するためのストライプ状パター
ンを形成すると同時にアライメントマーカ形成領域に、
上記ストライプ状パターンと所定の位置関係を有しかつ
これをマスクとしてウエットエッチングにより上記半導
体層をパターン形状に対応するリッジを有する形状に成
形した際に、アライメントマーカ形成領域のリッジの側
壁がすべて垂直となる、アライメントマーカの形状に対
応した形状を有するパターンを形成し、このパターンを
用いてアライメントマーカを形成するようにしたから、
アライメントマーカ形成領域のリッジ上に半導体層を結
晶成長した際のアライメントマーカの形状変化によりマ
スクアライメント精度が大きく劣化することを防止でき
る効果がある。Further, according to the present invention, a stripe-shaped pattern for forming the optical waveguide is formed in a semiconductor optical element forming region on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and at the same time, an alignment marker forming region is formed. To
When the semiconductor layer has a predetermined positional relationship with the stripe pattern and is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape by wet etching using the mask as a mask, all sidewalls of the ridge in the alignment marker forming region are vertical. Since a pattern having a shape corresponding to the shape of the alignment marker is formed and the alignment marker is formed using this pattern,
This has the effect of preventing the mask alignment accuracy from significantly deteriorating due to the change in the shape of the alignment marker when the semiconductor layer is grown on the ridge in the alignment marker formation region.

【０１１８】[0118]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 1 is a view showing a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第２の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 2 is a view showing a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第３の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 3 is a view showing a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第４の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 4 is a view showing a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第５の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 5 is a view illustrating a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第６の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 6 is a view illustrating a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第７の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 7 is a view showing a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図８】本発明の第８の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 8 is a view illustrating a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図９】本発明の第９の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法を示す図である。FIG. 9 is a view illustrating a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図１０】第１〜第９の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法によりウエハのアライ
メントマーカ形成領域に形成されるアライメントマーカ
の形状の一例およびこのアライメントマーカを用いたマ
スクアライメントを説明するための図である。FIG. 10 shows an example of the shape of an alignment marker formed in an alignment marker forming region of a wafer by a method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and a mask alignment using the alignment marker. It is a figure for explaining.

【図１１】第１〜第９の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法によりウエハのアライ
メントマーカ形成領域に形成されるアライメントマーカ
の形状の他の例およびこのアライメントマーカを用いた
マスクアライメントを説明するための図である。FIG. 11 shows another example of the shape of an alignment marker formed in an alignment marker forming region of a wafer by the method of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and a mask using the alignment marker. FIG. 4 is a diagram for explaining alignment.

【図１２】第１〜第９の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法によりウエハのアライ
メントマーカ形成領域に形成されるアライメントマーカ
の形状の他の例およびこのアライメントマーカを用いた
マスクアライメントを説明するための図である。FIG. 12 is another example of the shape of an alignment marker formed in an alignment marker forming area of a wafer by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical element according to the first to ninth embodiments, and a mask using the alignment marker. FIG. 4 is a diagram for explaining alignment.

【図１３】第１〜第９の実施例による半導体光素子製造
用アライメントマーカの製造方法によりウエハのアライ
メントマーカ形成領域に形成されるアライメントマーカ
の形状の他の例およびこのアライメントマーカを用いた
マスクアライメントを説明するための図である。FIG. 13 shows another example of the shape of an alignment marker formed in an alignment marker forming region of a wafer by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first to ninth embodiments, and a mask using the alignment marker. FIG. 4 is a diagram for explaining alignment.

【図１４】第１及び第３〜第９の実施例による半導体光
素子製造用アライメントマーカの製造方法により形成さ
れるアライメントマーカを用いたマスクアライメント方
法の一実施例を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining an embodiment of a mask alignment method using an alignment marker formed by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first and third to ninth embodiments. .

【図１５】第１及び第３〜第９の実施例による半導体光
素子製造用アライメントマーカの製造方法により形成さ
れるアライメントマーカを用いたマスクアライメント方
法の他の実施例を説明するための図である。FIG. 15 is a view for explaining another embodiment of a mask alignment method using an alignment marker formed by the method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device according to the first and third to ninth embodiments. is there.

【図１６】埋め込みリッジ型の半導体レーザを示す斜視
図である。FIG. 16 is a perspective view showing a buried ridge type semiconductor laser.

【図１７】図１６に示す埋め込みリッジ型の半導体レー
ザの製造フローを示す斜視図である。17 is a perspective view showing a manufacturing flow of the buried ridge type semiconductor laser shown in FIG. 16;

【図１８】丸形のウエハのアライメントマーカを説明す
るための図である。FIG. 18 is a view for explaining an alignment marker for a round wafer.

【図１９】丸形ウエハにおけるマスクアライメントを説
明するための図である。FIG. 19 is a view for explaining mask alignment in a round wafer.

【図２０】〔０１１〕方向の辺と〔０１／１〕方向の辺
で構成されたパターンをマスクとしてウエットエッチン
グでリッジを形成した場合のリッジ形状を説明するため
の図である。FIG. 20 is a diagram for explaining a ridge shape when a ridge is formed by wet etching using a pattern formed of sides in the [011] direction and sides in the [01/1] direction as a mask.

【図２１】〔０１１〕方向又は〔０１／１〕方向から４
５°ずれた方向の辺で構成されたパターンをマスクとし
てウエットエッチングでリッジを形成した場合のリッジ
形状を説明するための図である。FIG. 21 shows a view from the [011] direction or the [01/1] direction,
It is a figure for explaining the ridge shape at the time of forming a ridge by wet etching using the pattern constituted by the side shifted by 5 degrees as a mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ Ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ レーザ積層構造 ３ 絶縁膜 ４ フォトレジスト ５ Ｎ型ＧａＡｓ埋め込み層 ６ Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層 ７ フォトレジスト ８ フォトレジスト ９ フォトレジスト １０ 第１の絶縁膜 １１ フォトレジスト １２ 第２の絶縁膜 １３ フォトレジストパターン １４ 絶縁膜 １５ フォトレジスト １６ フォトレジスト １７ フォトレジスト １８ 第３の絶縁膜 １９ フォトレジスト ２０ 第４の絶縁膜 ２１ フォトレジスト ３０ ウエハ ３１ ウエハ上のアライメントマーカ ４０ 転写マスク ４１ 転写マスク上のアライメントマーカ １０１ Ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２ Ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 １０３ ＧａＡｓ／Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ多重量子井
戸活性層 １０４ Ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層 １０５ Ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層 １０６ リッジ構造 １０７ Ｎ型ＧａＡｓ電流閉じ込め層 １０８ Ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層 １０９ Ｎ電極 １１０ Ｐ電極 １１１ リッジマスク用絶縁膜 １１２ 丸形ＧａＡｓウエハ １１３ オリフラ １１４ ウエハ上のアライメントマーカ １１５ 転写マスク上のアライメントマーカDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 N-type GaAs substrate 2 Laser laminated structure 3 Insulating film 4 Photoresist 5 N-type GaAs burying layer 6 P-type GaAs second contact layer 7 Photoresist 8 Photoresist 9 Photoresist 10 First insulating film 11 Photoresist 12 Second Insulating film 13 Photoresist pattern 14 Insulating film 15 Photoresist 16 Photoresist 17 Photoresist 18 Third insulating film 19 Photoresist 20 Fourth insulating film 21 Photoresist 30 Wafer 31 Alignment marker on wafer 40 Transfer mask 41 Transfer Alignment marker on mask 101 N-type GaAs substrate 102 N-type Al0.5 Ga0.5 As cladding layer 103 GaAs / Al0.2 Ga0.8 As multiple quantum well active layer 104 P-type Al0.5 Ga0.5 As cladding layer 105 P-type GaAs 1 contact layer 106 ridge structure 107 N-type GaAs current confinement layer 108 P-type GaAs second contact layer 109 N electrode 110 P electrode 111 Insulating film for ridge mask 112 Round GaAs wafer 113 Orientation flat 114 Alignment marker on wafer 115 On transfer mask Alignment marker

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−119680（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−29986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−80528（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−147179（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36584（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−73718（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−201628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−247527（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 9/00 H01S 5/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-119680 (JP, A) JP-A-49-29986 (JP, A) JP-A-63-80528 (JP, A) JP-A-51- 147179 (JP, A) JP-A-5-36584 (JP, A) JP-A 64-73718 (JP, A) JP-A 60-201628 (JP, A) JP-A 62-247527 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 9/00 H01S 5/30

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有するアライメントマー
カ形状に対応したパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により、半導体光素子形成
領域ではリッジと同じ高さに、アライメントマーカ形成
領域ではリッジよりも高く埋め込み成長を行なう工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上
全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程と、 を含
むことを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマ
ーカの製造方法。A step of forming an optical waveguide by etching-forming a semiconductor laminated structure formed by sequentially growing a plurality of semiconductor layers on a substrate by using a stripe-shaped pattern as a mask; Embedding the optical waveguide structure using a selective growth mask as a selective growth mask, the method of manufacturing an alignment marker on a wafer used for mask alignment after the crystal growth step , Insulating film on wafers grown sequentially
Forming a film and patterning the insulating film to form a semiconductor optical device on the wafer.
A stripe pattern corresponding to the optical waveguide is formed in the formation region,
The strike is applied to the alignment marker forming area on the wafer.
Alignment marker that has a predetermined positional relationship with the loop pattern
The process of simultaneously forming a pattern corresponding to the fog shape, and the etching using the patterned insulating film as a mask
The semiconductor layer by patterning.
Forming into a shape having a ridge corresponding to the
And using the patterned insulating film as a mask for selective growth.
Optical device formation by epitaxial growth
Alignment marker formation at the same height as the ridge in the area
Step of performing buried growth higher than the ridge in the region
And after removing the patterned insulating film, on the wafer
A method of epitaxially growing a semiconductor layer over the entire surface, comprising: a step of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device. 【請求項２】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に 対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有するアライメントマー
カ形状に対応したパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により埋め込み成長を行な
う工程と、 上記パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上
全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程と、 ウエハ表面のアライメントマーカ形成領域以外の領域を
レジストで覆い、該レジストをマスクとして用いたエッ
チングにより、アライメントマーカの形状をしたリッジ
部分を露出させる工程とを含む ことを特徴とする半導体
光素子製造用アライメントマーカの製造方法。2. Crystal growth of a plurality of semiconductor layers sequentially on a substrate
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In a method for manufacturing a marker, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown.
Forming a film and patterning the insulating film to form a semiconductor optical device on the wafer.
A stripe pattern corresponding to the optical waveguide is formed in the formation region ,
The strike is applied to the alignment marker forming area on the wafer.
Alignment marker that has a predetermined positional relationship with the loop pattern
The process of simultaneously forming a pattern corresponding to the fog shape, and the etching using the patterned insulating film as a mask
The semiconductor layer by patterning.
Forming into a shape having a ridge corresponding to the
And using the patterned insulating film as a mask for selective growth.
Buried growth by epitaxial growth
And Cormorant step, after removing the patterned insulating film, on the wafer
A step of epitaxially growing a semiconductor layer over the entire surface, and an area other than an alignment marker forming area on the wafer surface.
Cover with a resist, and use the resist as a mask for etching.
Ridge shaped as an alignment marker
Exposing a portion thereof . A method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device , comprising : 【請求項３】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有するアライメントマー
カ形状に対応したパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャ ル成長により埋め込み成長を行な
う工程と、 半導体光素子形成領域の絶縁膜パターンのみを除去した
後、アライメントマーカ形成領域の絶縁膜パターンを選
択成長のマスクとして用いてウエハ上全面に半導体層を
エピタキシャル成長する工程とを含む ことを特徴とする
半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法。3. Crystal growth of a plurality of semiconductor layers sequentially on a substrate
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In a method for manufacturing a marker, an insulating film is formed on a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown.
Forming a film and patterning the insulating film to form a semiconductor optical device on the wafer.
A stripe pattern corresponding to the optical waveguide is formed in the formation region,
The strike is applied to the alignment marker forming area on the wafer.
Alignment marker that has a predetermined positional relationship with the loop pattern
The process of simultaneously forming a pattern corresponding to the fog shape, and the etching using the patterned insulating film as a mask
The semiconductor layer by patterning.
Forming into a shape having a ridge corresponding to the
And using the patterned insulating film as a mask for selective growth.
Row embedded grown by epitaxial growth using Te
And only the insulating film pattern in the semiconductor optical element formation region was removed.
Then, select the insulating film pattern in the alignment marker formation area.
Semiconductor layer over the entire surface of wafer using selective growth mask
Epitaxial growth, and a method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device. 【請求項４】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有するアライメントマー
カ形状に対応したパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、アライメントマーカ形成領域の絶縁膜パターンのみを除
去した後、半導体光素子形成領域の絶縁膜パターンを選
択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により
埋め込み成長を行なう工程と、半導体光素子形成領域の絶縁膜パターンを 除去した後、
ウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程
とを含むことを特徴とする半導体光素子製造用アライメ
ントマーカの製造方法。4. A plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown on a substrate.
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In the method of manufacturing the alignment marker, a step of forming an insulating film on a wafer in which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and patterning the insulating film to correspond to an optical waveguide in a semiconductor optical element forming region on the wafer Stripe pattern
Simultaneously forming a pattern corresponding to an alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern in an alignment marker forming region on a wafer; and etching the semiconductor layer by etching using a patterned insulating film as a mask . Forming a shape having a ridge corresponding to the pattern shape of both patterns, and removing only the insulating film pattern in the alignment marker forming region.
After the removal, select the insulating film pattern in the semiconductor optical device formation area.
After the step of performing burying growth by epitaxial growth using as a mask for selective growth and removing the insulating film pattern in the semiconductor optical element formation region ,
Epitaxially growing a semiconductor layer over the entire surface of the wafer. 【請求項５】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法に おいて、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有しかつ該ストライプパ
ターン間に上記半導体層の表面が十分に狭い幅で露出す
るようなパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により、半導体光素子形成
領域ではリッジと同じ高さに、上記アライメントマーカ
形成領域に形成された絶縁膜パターン間の領域ではリッ
ジよりも高く埋め込み成長を行なう工程と、 上記パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上
全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程を含むこ
とを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマーカ
の製造方法。5. Crystal growth of a plurality of semiconductor layers sequentially on a substrate
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
Oite method of manufacturing a semiconductor optical device comprising a degree, crystal growth
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In the method of manufacturing the alignment marker, a step of forming an insulating film on a wafer in which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and patterning the insulating film to correspond to an optical waveguide in a semiconductor optical element forming region on the wafer Stripe pattern
Wherein the alignment marker forming region on the wafer stripe pattern and a predetermined position chromatic vital said stripe Pas relationships
The surface of the semiconductor layer is exposed with a sufficiently narrow width between turns.
The semiconductor layer is formed into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape of both patterns by a process of simultaneously forming such a pattern and etching using the patterned insulating film as a mask. Forming a semiconductor optical element by epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth.
At the same height as the ridge in the area,
In the region between the insulating film patterns formed in the formation region,
And performing high burying growth than di, after removing the patterned insulating film, a method of manufacturing a semiconductor optical device fabrication alignment marker which comprises a semiconductor layer of the wafer over the entire surface as engineering epitaxially grown . 【請求項６】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上全面に第１
の絶縁膜を成膜する工程と、半導体光素子形成領域上の上記第１の絶縁膜を除去する
工程と、 ウエハ上全面に上記第１の絶縁膜と膜種の異なる第２の
絶縁膜を成膜する工程と、 上記第１，第２の 絶縁膜をパターニングして、ウエハ上
の半導体光素子形成領域に光導波路に対応する第２の絶
縁膜からなるストライプパターンを、ウエハ上のアライ
メントマーカ形成領域に前記ストライプパターンと所定
の位置関係を有するアライメントマーカ形状に対応し
た、第１，第２の二層の絶縁膜からなるパターンを同時
に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により埋め込み成長を行な
う工程と、上記第２の絶縁膜のみを選択的に 除去した後、アライメ
ントマーカ形成領域に残った第１の絶縁膜からなるパタ
ーンを選択成長のマスクとして用いてウエハ上全面に半
導体層をエピタキシャル成長する工程とを含むことを特
徴とする半導体光素子製造用アライメントマーカの製造
方法。6. A plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown on a substrate.
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In a method of manufacturing a ment marker, a first semiconductor layer is formed on a whole surface of a wafer on which a crystal has been sequentially grown .
To a step of forming an insulating film, the first insulating film on a semiconductor optical device formation region is removed
Process, and a second insulating film different from the first insulating film on the entire surface of the wafer.
Forming an insulating film; and patterning the first and second insulating films to form a second insulating film corresponding to the optical waveguide in a semiconductor optical device forming region on the wafer.
A stripe pattern composed of an edge film is simultaneously formed in an alignment marker forming region on a wafer with a pattern composed of first and second two-layer insulating films corresponding to an alignment marker shape having a predetermined positional relationship with the stripe pattern. Forming the semiconductor layer into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape of the two patterns by etching using the patterned insulating film as a mask; and A step of performing burying growth by epitaxial growth using the insulating film as a mask for selective growth, and a pattern of a first insulating film remaining in an alignment marker forming region after selectively removing only the second insulating film. The semiconductor layer is epitaxially grown on the entire surface of the wafer using the mask as a selective growth mask. The method of manufacturing a semiconductor optical device fabrication alignment marker which comprises a degree. 【請求項７】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上全面に絶縁
膜を成膜する工程と、アライメントマーカ形成領域上の上記絶縁膜を除去する
工程と、 ウエハ上全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィー技術によってウエハ上の半導体光素子形成領域
に光導波路に対応するストライプパターンを、ウエハ上
のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパター
ンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形状に
対応したパターンを転写する工程と、 該フォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチ
ングにより半導体光素子形成領域上の絶縁膜をパターニ
ングする工程と、 上記フォトレジストパターン及び上記 パターニングされ
た絶縁膜をマスクとして用いたエッチングにより、上記
半導体層を、上記両パターンのパターン形状に対応する
リッジを有する形状に成形する工程と、上記フォトレジストパターンを除去した後、半導体光素
子形成領域上に残った上記パターニングされた絶縁膜を
選択成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長によ
り埋め込み成長を行なう工程と、 半導体光素子形成領域上の絶縁膜を除去した後、ウエハ
上全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程とを含
むことを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマ
ーカの製造方法。7. A plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown on a substrate.
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
A method of manufacturing an alignment marker , a step of forming an insulating film on the entire surface of a wafer on which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and removing the insulating film on an alignment marker forming region
Process and apply photoresist on the entire surface of the wafer, photolithography
Semiconductor optical device formation area on wafer by luffy technology
A stripe pattern corresponding to the optical waveguide on the wafer
The stripe pattern in the alignment marker forming area of
Alignment marker shape that has a predetermined positional relationship with
Transferring the corresponding pattern and etching using the photoresist pattern as a mask
Patterning the insulating film on the semiconductor optical device formation area
A step of packaging, by etching using the photoresist pattern and the patterned insulating film as a mask, a step of molding the semiconductor layer, into a shape having a ridge corresponding to the pattern of both patterns, the photo After removing the resist pattern,
And performing burying growth by epitaxial growth using the patterned insulating film remaining on the child-forming region as a mask for selective growth, after removing the insulating film on the semiconductor optical device formation region, the semiconductor layer of the wafer over the entire surface And a step of epitaxially growing a semiconductor substrate. 【請求項８】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上に絶縁膜を
成膜する工程と、 該絶縁膜をパターニングして、ウエハ上の半導体光素子
形成領域に光導波路に対応するストライプパターンを、
ウエハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライ
プパターンと所定の位置関係を有するアライメントマー
カ形状に対応したパターンを同時に形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、 上記パターニングされた絶縁膜を選択成長のマスクとし
て用いたエピタキシャル成長により埋め込み成長を行な
う工程と、アライメントマーカ形成領域の埋め込み層をエッチング
除去する工程と、 上記パターニングされた絶縁膜を除去した後、ウエハ上
全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程とを含む
ことを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマー
カの製造方法。8. A plurality of semiconductor layers are sequentially grown on a substrate by crystal growth.
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
In the method of manufacturing the alignment marker, a step of forming an insulating film on a wafer in which a plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown, and patterning the insulating film to correspond to an optical waveguide in a semiconductor optical element forming region on the wafer Stripe pattern
Alignment mer chromatic said stripe pattern and a predetermined positional relationship to the alignment markers forming region on the wafer
A step of simultaneously forming a pattern corresponding to the pattern, and etching using the patterned insulating film as a mask, to form the semiconductor layer into a shape having a ridge corresponding to the pattern shape of both patterns. etching and shaping, the step of performing Rheumasearch Me inclusive growth by the epitaxial growth using the patterned insulating film as a mask for selective growth, the buried layer forming the alignment marker region
A method for manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device, comprising: a step of removing; and a step of, after removing the patterned insulating film, epitaxially growing a semiconductor layer on the entire surface of a wafer. 【請求項９】 基板上に複数の半導体層を順次結晶成長
して形成した半導体 積層構造をストライプ形状のパター
ンをマスクとして用いてエッチング成形して光導波路を
形成する工程と、上記ストライプ形状のパターンを選択
成長マスクとして用いて上記光導波路構造を埋め込む工
程とを含む半導体光素子の製造方法において、結晶成長
工程後のマスクアライメントに用いるウエハ上のアライ
メントマーカを製造する方法において、 複数の半導体層を順次結晶成長したウエハ上全面に第３
の絶縁膜を成膜する工程と、アライメントマーカ形成領域上の上記第３ の絶縁膜を除
去する工程と、 ウエハ上全面に上記第３の絶縁膜と膜種の異なる第４の
絶縁膜を成膜する工程と、 上記第３，第４の絶縁膜をパターニングして、ウエハ上
の半導体光素子形成領域に光導波路に対応する第３，第
４の二層の絶縁膜からなるストライプパターンを、ウエ
ハ上のアライメントマーカ形成領域に前記ストライプパ
ターンと所定の位置関係を有するアライメントマーカ形
状に対応した、第４の絶縁膜からなるパターンを同時に
形成する工程と、 パターニングされた絶縁膜をマスクとして用いたエッチ
ングにより、上記半導体層を、上記両パターンのパター
ン形状に対応するリッジを有する形状に成形する工程
と、上記第４の絶縁膜を除去した後、半導体光素子形成領域
上に残った上記パターニングされた第３の 絶縁膜を選択
成長のマスクとして用いたエピタキシャル成長により埋
め込み成長を行なう工程と、半導体光素子形成領域上の第３の 絶縁膜を除去した後、
ウエハ上全面に半導体層をエピタキシャル成長する工程
とを含むことを特徴とする半導体光素子製造用アライメ
ントマーカの製造方法。9. A plurality of semiconductor layers are sequentially crystal-grown on a substrate.
The semiconductor multilayer structure formed by
The optical waveguide is formed by etching using
Forming process and selecting the above stripe-shaped pattern
Embedding the above optical waveguide structure using as a growth mask
A method of manufacturing a semiconductor optical device, comprising:
Alignment on wafer used for post-process mask alignment
A method for producing the instrument marker, the third wafer over the entire surface are sequentially grown a plurality of semiconductor layers
Forming the third insulating film on the alignment marker forming region , forming a fourth insulating film having a different film type from the third insulating film on the entire surface of the wafer. Forming a film, and patterning the third and fourth insulating films to form third and third insulating films corresponding to the optical waveguides in the semiconductor optical element forming region on the wafer .
A stripe pattern consisting of four insulating films is simultaneously formed in the alignment marker forming region on the wafer in a pattern corresponding to an alignment marker having a predetermined positional relationship with the stripe pattern. a step, by etching using the patterned insulating film as a mask, the semiconductor layer, and a step of forming into a shape having a ridge corresponding to the pattern <br/> down shape of both patterns, the fourth insulating After removing the film, the semiconductor optical device forming area
A step of performing burying growth by epitaxial growth using the patterned third insulating film remaining above as a mask for selective growth, and after removing the third insulating film on the semiconductor optical element formation region ,
The method of manufacturing a semiconductor optical device fabrication alignment marker which comprises a step of epitaxially growing a semiconductor layer on U Fine entirely. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項９のいずれかに記
載の半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法
において、 上 記アライメントマーカの形状に対応するパターンは、
これをマスクとしてウエットエッチングにより上記半導
体層を、上記両パターンのパターン形状に対応するリッ
ジを有する形状に成形した際に、アライメントマーカ形
成領域のリッジの側壁がすべて垂直となるものであるこ
とを特徴とする半導体光素子製造用アライメントマーカ
の製造方法。10. The method according to claim 1, wherein:
Method of Manufacturing Alignment Marker for Manufacturing Semiconductor Optical Device
In the pattern corresponding to the shape of the upper Symbol alignment markers,
When the semiconductor layer is formed into a shape having ridges corresponding to the pattern shapes of the two patterns by wet etching using this as a mask, the sidewalls of the ridges in the alignment marker forming region are all vertical. Of manufacturing an alignment marker for manufacturing a semiconductor optical device.