JP3314724B2 - 電力増幅回路および電力自動制御方法 - Google Patents

電力増幅回路および電力自動制御方法

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JP3314724B2 JP16927398A JP16927398A JP3314724B2 JP 3314724 B2 JP3314724 B2 JP 3314724B2 JP 16927398 A JP16927398 A JP 16927398A JP 16927398 A JP16927398 A JP 16927398A JP 3314724 B2 JP3314724 B2 JP 3314724B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線送信機等にお
いて用いられる自動電力制御機能を有する電力増幅回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】無線送信機の送信電力は、消費電力節減
や周波数資源有効活用等の見地から、十分で、かつ、過
大にならないような値に設定されることが望ましい。例
えば、携帯型無線機にあっては、基地局における携帯型
無線機からの受信信号のレベルが小さいときには携帯型
無線機の送信電力を上げるような制御が行われる。ま
た、基地局における携帯型無線機からの受信信号のレベ
ルが大きいときには携帯型無線機の送信電力を下げるよ
うな制御が行われる。従って、無線送信機は、送信電力
を各設定レベルに一致させる自動出力電力制御(AP
C)機能を有する。
【0003】図15は、実開平3−9522号公報に記
載されたAPC機能を有する従来の電力増幅回路を示す
ブロック図である。図において、FETによる前置増幅
器41と増幅器42とは、入力端子1に入力される入力
信号を増幅する。増幅器42からの出力信号は出力端子
2から出力されるが、出力電力レベルが検波回路4で検
出される。APC回路9は、検波回路4で検出された出
力電力レベルと設定入力端子10に入力される出力電力
設定値とを入力する。そして、出力電力レベルが出力電
力設定値に一致するように、前置増幅器41および増幅
器42のドレイン電圧を決定し前置増幅器41および増
幅器42のドレイン端子にその電圧を印加する。
【0004】アイドル電流制御回路43には、出力電力
設定値とAPC回路9が決定したドレイン電圧とが入力
されている。そして、アイドル電流制御回路43は、そ
のときの出力電力設定値とドレイン電圧とにもとづいて
電力効率が最大になるように無信号時のアイドル電流を
定め、アイドル電流に対応した電圧を前置増幅器41お
よび増幅器42のゲートに印加する。このように、アイ
ドル電流制御回路43は、電力効率が上がるように、前
置増幅器41および増幅器42のゲートバイアスを制御
する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の電力増
幅回路は、それぞれの出力電力設定値に応じてアイドル
電流を制御するのであって、実際に効率を測定したり算
出したりして、その結果に応じて制御を行っているもの
ではない。すなわち、効率に関して、APC機能による
制御出力に応じてゲートバイアスを決定するという開ル
ープ制御になっている。すると、各出力電力設定値に応
じて画一的にゲートバイアス値が決められる。しかし、
出力電力設定値が同じであっても、入力電圧レベル、温
度、周波数等が異なると最大効率を与えるゲートバイア
ス値は同じであるとは限らない。従って、上記の電力増
幅回路は、最大効率を与えるゲートバイアス値が最適値
からずれてしまうという課題がある。
【0006】また、一般に、増幅器の特性(入出力特
性、温度特性、周波数特性、出力電力対ドレイン電圧特
性、効率対ゲート電流特性、静特性など)にはばらつき
がある。特性がばらついても電力増幅回路における電力
効率を高く維持するには、各電力増幅回路における増幅
器の特性を測定して、各電力増幅回路毎にアイドル電流
制御回路43の入出力特性を調整する必要がある。その
ような作業を行うのでは、量産しずらくなるとともにコ
スト増を招く。
【0007】そこで、本発明は、出力電圧レベル、入力
電圧レベル、温度、周波数等の動作条件が変化しても常
に高い電力効率が得られ、かつ、増幅器の特性にばらつ
きがあっても自動的に電力効率が高い状態に維持される
APC機能を有する電力増幅回路を提供することを目的
とする。
【0008】なお、ゲートバイアスを制御することによ
って電力効率の向上をめざした他のAPC機能を有する
電力増幅回路として、特開平8−51317号公報に記
載されたものがあるが、その電力増幅回路は、APC回
路の出力に応じたゲートバイアスを設定するだけであっ
て、やはり、各APC回路の出力値に応じて画一的にゲ
ートバイアス値が決められる。しかし、出力値が同じで
あっても、入力電圧レベル、温度、周波数等が異なると
最大効率を与えるゲートバイアス値は同じであるとは限
らない。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による電力増幅回
路は、出力電力レベルを出力電力設定値に追従させるA
PCループを有し、電力効率(出力電力/入力電力)を
検出して電力効率が最大になるように、電力増幅回路に
備えられている増幅器のバイアス値を制御する効率制御
ループを備えたものである。
【0010】効率制御ループは、入力電流、入力電圧お
よび電力増幅回路の出力電力レベルを導入して電力増幅
回路の電力効率を算出する演算手段と、演算手段から出
力された効率値にもとづいて増幅器のバイアス値を制御
するバイアス制御手段とを備えた構成であってもよい。
【0011】演算手段は、所定時間毎に効率値を算出す
るものであって、バイアス制御手段は、今回演算手段か
ら出力された効率値と、前回の制御タイミング時に演算
手段から出力された効率値とを比較し、双方の効率値が
不一致である場合に増幅器のバイアス値を変化させる構
成であってもよい。また、バイアス制御手段は、今回演
算手段から出力された効率値が前回の効率値よりも大き
い場合には、前回の制御タイミング時に変化させた方向
と同方向にバイアス値を変化させ、今回演算手段から出
力された効率値が前回の効率値よりも小さい場合には、
前回の制御タイミング時に変化させた方向と逆方向にバ
イアス値を変化させる構成であってもよい。ここで、増
幅器はFETであり、APCループはFETのドレイン
バイアス値を制御し、効率制御ループはFETのゲート
バイアス値を制御するように構成されていてもよい。
【0012】また、APCループの応答速度は、効率制
御ループの応答速度よりも速いことが好ましい。効率制
御ループは、増幅器の出力電力レベルが出力電力設定値
に一致しているときに制御動作を行う構成であってもよ
い。さらに、電力増幅回路は、各出力電力設定値におけ
る最大効率を与える制御設定値を格納し、出力電力設定
値が変化すると変化後の値に対応した制御設定値を増幅
器に出力するプリセット手段を備えた構成であってもよ
い。
【0013】電力増幅回路は、増幅器の入力電力レベル
を検出する入力レベル検出手段を備え、プリセット手段
は、各入力電力レベルにおける最大効率を与える制御設
定値を有し、入力電力レベルが変化すると変化後の値に
対応した制御設定値を増幅器に出力する構成であっても
よい。
【0014】また、温度を検知する温度検知手段を備
え、プリセット手段は、各温度における最大効率を与え
るバイアス値を格納し、温度が変化すると変化後の値に
対応した制御設定値を増幅器に出力する構成であっても
よい。
【0015】そして、プリセット手段は、各周波数にお
ける最大効率を与える制御設定値を格納し、増幅器に入
力される信号の周波数が変化すると変化後の値に対応し
た制御設定値を増幅器に出力する構成であってもよい。
さらに、上記の各電力増幅回路は、定包絡線変調された
信号を増幅するものであってもよい。
【0016】本発明による電力自動制御方法は、電力増
幅回路の出力電力レベルを検出し、検出された出力電力
レベルが出力電力設定値に一致するように電力増幅回路
に備えられた増幅器を制御し、電力増幅回路の電力効率
を測定し、電力効率が最大になるように増幅器のバイア
ス値を制御するように構成される。
【0017】電力自動制御方法は、間欠的に増幅器の電
力効率を測定し、測定された効率値と前回の測定タイミ
ング時に測定された効率値とを比較し、双方の効率値が
不一致である場合に電力効率が向上する方向に増幅器の
バイアス値を変化させるように構成されていてもよい。
【0018】また、測定された効率値が前回の効率値よ
りも大きい場合には前回の測定タイミング時に変化させ
た方向と同方向にバイアス値を変化させ、測定された効
率値が前回の効率値よりも小さい場合には前回の測定タ
イミング時に変化させた方向と逆方向にバイアス値を変
化させるように構成されていてもよい。さらに、上記の
各電力自動制御方法は、定包絡線変調された信号を電力
制御対象信号とするものであってもよい。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 実施の形態1.図1は、本発明による電力増幅回路の第
1の実施の形態を示すブロック図である。図において、
MOSFETによる増幅器3は、入力端子1に入力され
る入力信号を増幅する。増幅器3からの出力信号は出力
端子2から出力されるが、出力電力レベルが検波回路4
で検出される。APC回路9は、検波回路4で検出され
た出力電力レベルと設定入力端子10に入力される出力
電力設定値とを入力する。そして、出力電力レベルが出
力電力設定値に一致するように、増幅器3のドレイン電
圧を決定し制御指令値をドレイン電圧制御回路6に出力
する。ドレイン電圧制御回路6は、増幅器3のドレイン
端子に制御指令値に応じた電圧を印加する。
【0020】図2は、増幅器3およびドレイン電圧制御
回路6の一構成例を示す回路図である。図2に示す例で
は、増幅器3は、コンデンサCinを介して入力信号をゲ
ートに導入するFET31が用いられている。また、F
ET31のゲートには、ゲート電圧制御回路5が制御す
るゲートバイアス電圧が抵抗RA を介して印加されてい
る。FET31のドレインには、ドレイン電圧制御回路
6が制御するドレインバイアス電圧が抵抗RD を介して
印加されている。FET31の出力は、抵抗RD および
コンデンサCout を介して取り出される。ドレイン電圧
制御回路6において、N−chのMOSFET61で制
御された電源電圧Vddが増幅器3のドレインに印加され
る。MOSFET61のゲートには、APC回路9が決
定した制御指令値に応じた電圧が演算増幅器62を介し
て印加される。
【0021】ドレイン電圧制御回路6と電源との間に
は、電流計8および電圧計7が設けられている。演算回
路11は、電流計8の電流値、電圧計7の電圧値、およ
び検波回路4で検出された出力電力レベルを入力する。
そして、それらにもとづいて電力効率を算出し、算出し
た効率値を記憶素子12および比較回路13に出力す
る。
【0022】比較回路13は、記憶素子12に書き込ま
れている一巡前の効率値と、演算回路11から送られて
くる現在の効率値とを比較し、比較結果にもとづいて電
力効率が最大になるようなゲート電圧値を決定する。そ
して、決定値を制御指令値としてゲート電圧制御回路5
に出力する。ゲート電圧制御回路5は、増幅器3のゲー
ト端子に制御指令値に応じた電圧を印加する。ここで、
一巡とは、間欠的に増幅器3のゲート電圧制御が行われ
るときの制御間隔の意味である。
【0023】なお、ゲート電圧制御回路5の制御によっ
て増幅器3のゲート電圧が変えられると増幅器3の出力
電圧レベルが変化するが、APC回路9によって増幅器
3のドレイン電圧が制御されるので、出力電力レベルは
出力電力設定値に保たれる。
【0024】また、この実施の形態では、演算手段は演
算回路11で実現され、バイアス制御手段は比較回路1
3およびゲート電圧制御回路5で実現される。APC回
路9、演算回路11、記憶素子12および比較回路13
は、例えば、1つのマイクロプロセッサで実現すること
ができる。その場合には、APCループの処理と効率制
御ループの処理とは、ソフトウェアで実現される。
【0025】次に、図3を参照して、電力効率を最大に
するための効率制御ループの制御について具体的に説明
する。図3は、MOSFETによる増幅器3の出力電力
レベルをパラメータとして、入力電力レベル、温度およ
び周波数を一定としたときの電力効率とゲート電圧のド
レイン電圧依存性を示す説明図である。
【0026】図3に示すように、出力電力レベルと、入
力電力レベル、温度および周波数とが決まると、最大効
率を与えるドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせはた
だ一つ存在することがわかる。すなわち、入力電力レベ
ル、温度、周波数が一定の場合に出力電力レベルを変化
させると、図3において破線で示した線上にドレイン電
圧およびゲート電圧があるときに最大効率を与える。
【0027】例えば、出力電力レベルが32dBmの場
合には、最大効率を与えるドレイン電圧とゲート電圧の
組み合わせは、a点におけるドレイン電圧とゲート電圧
である。また、出力電力レベルが34dBmの場合に
は、最大効率を与えるドレイン電圧とゲート電圧の組み
合わせは、b点におけるドレイン電圧とゲート電圧であ
る。
【0028】最大効率を与えるドレイン電圧とゲート電
圧の組み合わせがただ1つに決まる理由は以下のとおり
である。最大効率を与えるドレイン電圧よりもドレイン
電圧を下げた場合、所定の出力電力レベルを得るために
ゲート電圧を増加させてドレイン電流を増加させる必要
がある。そのため、増幅器3の動作級がよりA級に近づ
いて電力効率が下がる。また、最大効率を与えるドレイ
ン電圧よりもドレイン電圧を上げると、増幅器3の飽和
出力電力も増大し飽和出力電力と所定の出力電力レベル
との差が大きくなる。すなわち、出力バックオフが大き
くなるために効率が下がってしまう。つまり、動作級と
出力バックオフのトレードオフによって、最大効率を与
えるドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせがただ1つ
に決まる。
【0029】次に、動作について説明する。上述したよ
うに、この実施の形態の電力増幅回路は、APCループ
と効率制御ループとを含む。図4は、APCループの動
作を示すフローチャートである。APCループは、図1
において破線で示されているように、増幅器3、検波回
路4、APC回路9およびドレイン電圧制御回路6を含
むループである。この例では、APCループの一巡は1
msであり、APC回路9は、1ms毎にドレイン電圧
制御回路6を制御する。
【0030】APCループにおいて、検波回路4は、検
波電圧にもとづいて増幅器3の出力電力を得る(ステッ
プS1)。例えば、検波回路4は、検波電圧−出力電力
のテーブルを有し、検波電圧にもとづいてテーブルを検
索することによって出力電力を得る。そして、1msの
タイマを起動する(ステップS2)。
【0031】APC回路9は、設定入力端子10に入力
される出力電力設定値と検波回路4で検出された出力電
力レベルとを入力し、それらを比較する(ステップS
3)。そして、出力電力設定値よりも検出された出力電
力レベルの方が高い場合には、ドレイン電圧を減少する
ようにドレイン電圧制御回路6を制御する(ステップS
4)。また、出力電力設定値よりも検出された出力電力
レベルの方が低い場合には、ドレイン電圧を増加するよ
うにドレイン電圧制御回路6を制御する(ステップS
5)。出力電力設定値と検出された出力電力レベルとが
一致している場合には、ドレイン電圧制御回路6に与え
られている制御指令値を維持する(ステップS6)。
【0032】ドレイン電圧制御回路5は、APC回路9
からの制御指令値に応じて、増幅器3のドレイン電圧を
上げるか、下げるか、または維持する(ステップS
7)。その後、タイマが1msの計時を完了したら(ス
テップS8)、カウンタを+1する(ステップS9)。
このカウンタは、効率制御ループの制御タイミングを決
めるために使用される。
【0033】図5は、効率制御ループの動作を示すフロ
ーチャートである。効率制御ループは、図1において破
線で示されているように、増幅器3、演算回路11、記
憶素子12、比較回路13およびゲート電圧制御回路5
を含むループである。また、効率制御ループは、APC
ループと並行して動作している。この例では、効率制御
ループの応答速度は、APCループの応答速度の1/7
に設定されている。従って、上述したカウンタの値が7
になると、演算回路11は電力効率の演算を行い、比較
回路13はゲート電圧制御回路5の制御を行う。
【0034】演算回路11は、カウンタの値が7になる
のを待ち(ステップS11)、カウンタの値が7になっ
たらカウンタを初期化する(ステップS12)。なお、
カウンタは、上述したように、APCループの制御にお
いてカウントアップされる。そして、演算回路11は、
電流計8で検出された電流、電圧計7で検出された電
圧、および検波回路4で検出された出力電力レベルを入
力する(ステップS13〜S15)。さらに、検出され
た電圧値と電流値から入力電力を算出するとともに、入
力電力と出力電力レベルとから増幅器3の電力効率を算
出する(ステップS16)。演算回路11は、算出した
効率値を比較回路13に出力するとともに、記憶素子1
2に記憶する(ステップS17)。なお、ここでの電力
効率は、ドレイン電圧制御回路6およびゲート電圧制御
回路5における消費電力も加味された値である。
【0035】比較回路13は、入力した効率値と、一巡
前に記憶素子12に記憶された効率値とを比較する(ス
テップS18)。効率制御ループの一巡は、この例で
は、1×7=7msである。現在の効率値が一巡前の効
率値よりも大きい場合には、比較回路13は、一巡前に
制御した方向と同方向にゲート電圧制御回路5を制御す
る(ステップS19)。同方向とは、一巡前にゲート電
圧を上げるように制御した場合にはゲート電圧を上げる
方向であり、一巡前にゲート電圧を下げるように制御し
た場合にはゲート電圧を下げる方向である。現在の効率
値が一巡前の効率値よりも小さい場合には、比較回路1
3は、一巡前に制御した方向と逆方向にゲート電圧制御
回路5を制御する(ステップS20)。そして、現在の
効率値が一巡前の効率値と等しい場合には、比較回路1
3は、一巡前のゲート電圧が維持されるようにゲート電
圧制御回路5を制御する(ステップS21)。
【0036】ゲート電圧制御回路5は、比較回路13の
制御指令値に応じて、増幅器3のゲート電圧を上げる
か、下げるか、または維持する(ステップS22)。ゲ
ート電圧制御回路5の制御によって増幅器3のゲート電
圧が変えられると増幅器3の出力電圧レベルが変化する
が、APCループによって直ちに増幅器3のドレイン電
圧が制御されるので、出力電力レベルは出力電力設定値
に保たれる。従って、増幅器3の出力電力レベルは出力
電力設定値に維持され、かつ、増幅器3のゲートバイア
ス値は最大効率が得られるバイアス点に収束する。
【0037】ここで、効率制御ループの応答速度がAP
Cループの応答速度よりも速いと、出力電力レベルが制
御される前に効率制御ループによってゲート電圧が下限
まで下げられてしまい、出力電力レベルが制御されなく
なってしまうおそれがある。そこで、効率制御ループの
応答速度は、APCループの応答速度よりも遅くなって
いる。
【0038】この例では、APCループの処理(出力電
力のサンプリング処理および演算処理とドレイン電圧制
御処置)が7回実行される毎に効率制御ループの処理
(すなわち、入力電流、入力電圧および出力電力のサン
プリング処理および演算処理とゲート電圧制御処置)
1回実行されるように構成することによって、APCル
ープの応答速度が効率制御ループの応答速度の7倍に設
定された。また、効率制御ループの応答速度は、例え
ば、データ伝送速度が5.6kbpsのときに5ms程
度に設定されるが、その速度は、上記のタイマの設定値
を変えることによって容易に実現できる。また、カウン
タの判定値(この例では7)を変えることによって、A
PCループの応答速度と効率制御ループの応答速度との
比を容易に変えることができる。なお、この例では、A
PCループの処理と効率制御ループの処理とが同期して
いたが、APCループの応答速度が効率制御ループの応
答速度よりも速ければ、同期していなくてもよい。
【0039】図6は、上述した制御によって最大効率を
与えるバイアス点に収束する様子を示すタイミング図で
ある。図6に示す例は、出力電力設定値が32dBmか
ら34dBmに変化した場合の例であり、APCループ
の応答速度を効率制御ループの応答速度の7倍にした例
である。
【0040】図6に示すように、出力電力設定値が32
dBmから34dBmに変更されると、まず、APCル
ープによって、増幅器3の出力電力値が34dBmに向
かっていく(図6のA参照)。それに伴って効率は低下
する。効率制御ループが動作すると効率が向上するが、
それに伴って増幅器3の出力電力値が34dBmからず
れる(図6のB参照)。しかし、APCループによっ
て、出力電力値はすぐに34dBmに戻る。以後、効率
制御ループによる効率向上とAPCループによる出力電
力制御とが繰り返されて、増幅器3の出力は、最大効率
を呈する34dBmに落ちつく。
【0041】次に、出力電力設定値が変更されたときの
具体的制御動作について図7を参照して説明する。図7
は、出力電力設定値が32dBmから34dBmに変化
した場合の動作例を示す説明図である。ここでは、収束
の様子がわかりやすいようにゲート電圧の制御ステップ
を実用的なステップよりも大きくして示す。また、説明
を容易にするために、比較回路13は、非常に微少な差
も検出できるものとする。そして、APCループの応答
速度は、効率制御ループの応答速度よりも十分速いもの
とする。
【0042】図7に示すように、出力電力レベルが32
dBmのときに、バイアス点は最大効率を与える点10
1に設定されている。また、出力電力レベルが34dB
mのときの最大効率を与えるバイアス点は点106であ
るとする。出力電力設定値が34dBmに変化すると、
APCループの制御によってドレイン電圧が増加しバイ
アス点が点102に移動する。
【0043】効率制御ループにおける演算回路11は、
点102におけるバイアス条件での効率値を算出し、記
憶素子12および比較回路13に効率値を出力する。比
較回路13は、点102におけるバイアス条件での効率
値と、記憶素子12に記憶されていた一巡前の効率値と
を比較する。このとき、現在の効率値は、一巡前の効率
値とは異なるので、比較回路13は、ゲート電圧制御回
路5に対して、ゲート電圧を変えるように指示する。よ
って、バイアス点は、点103または点111に移動す
る。
【0044】例えば、現在の効率値が一巡前の効率値よ
りも低く、一巡前のタイミングにおいてゲート電圧を上
げるように制御していたときには、比較回路13は、逆
方向すなわちゲート電圧を下げるようにゲート電圧制御
回路5に対して指示する。すると、バイアス点は点11
1に移動する。また、現在の効率値が一巡前の効率値よ
りも低く、一巡前のタイミングにおいてゲート電圧を下
げるように制御していたときには、比較回路13は、逆
方向すなわちゲート電圧を上げるようにゲート電圧制御
回路5に対して指示する。すると、バイアス点は点10
3に移動する。要するに、そのときの条件(入力電力レ
ベル、出力電力レベル、温度、周波数、増幅器3の特性
および出力電力レベルの変化量)に応じて、バイアス点
は、点103および点111のいずれかに移動する。
【0045】なお、一巡前のタイミングにおいてゲート
電圧を維持するように制御していたときには、比較回路
13は、ゲート電圧を上げる方向か下げる方向かのいず
れかの制御を行う。
【0046】バイアス点が点103に移動した場合(ゲ
ート電圧を上げる方向の制御が働いた場合)は、APC
ループの制御によって、バイアス点は直ちに点104に
移動する。すると、効率制御ループにおける演算回路1
1は、点104におけるバイアス条件での効率値を算出
し、記憶素子12および比較回路13に効率値を出力す
る。点104におけるバイアス条件での効率値は一巡前
の効率値すなわち点102におけるバイアス条件での効
率値よりも大きくなっているので、比較回路13は、ゲ
ート電圧制御回路5に対して、前回と同じ方向にゲート
電圧を制御するように指示する。前回はゲート電圧を上
げる方向の制御が働いたので、ゲート電圧制御回路5は
ゲート電圧を上げる。従って、バイアス点は点105に
移動する。すると、APCループの制御によってバイア
ス点は直ちに点106に移動する。
【0047】すると、効率制御ループにおける演算回路
11は、点106におけるバイアス条件での効率値を算
出し、記憶素子12および比較回路13に効率値を出力
する。点106におけるバイアス条件での効率値は一巡
前の効率値すなわち点104におけるバイアス条件での
効率値よりも大きくなっているので、比較回路13は、
ゲート電圧制御回路5に対して、前回と同じ方向にゲー
ト電圧を制御するように指示する。前回はゲート電圧を
上げる方向の制御が働いたので、ゲート電圧制御回路5
はゲート電圧を上げる。従って、バイアス点は点107
に移動するが、APCループの制御によってバイアス点
は直ちに点108に移動する。
【0048】点108におけるバイアス条件での効率値
は、点106におけるバイアス条件での効率値よりも小
さくなっているので、今度は、逆方向にゲート電圧が制
御される。よって、バイアス点は点109に移動する。
しかし、APCループの制御によってバイアス点は直ち
に点106に移動する。点106におけるバイアス条件
での効率値は点108におけるバイアス条件での効率値
よりも大きくなっているので、同方向にゲート電圧が制
御されてバイアス点は点110に移動する。しかし、A
PCループの制御によってバイアス点は直ちに点104
に移動する。
【0049】このように、バイアス点は、点104、点
105、点106、点107、点108、点109、点
106、点110、点104への移動を繰り返し、最大
効率を与えるバイアス点である点106にほぼ収束す
る。
【0050】出力電力設定値が34dBmに変更された
ときにバイアス点が点110に移動した場合(ゲート電
圧を下げる方向の制御が働いた場合)には、APCルー
プの制御によって、バイアス点は直ちに点112に移動
する。点112におけるバイアス条件での効率値は点1
02におけるバイアス条件での効率値よりも小さくなっ
ているので、前回と逆方向(この場合にはゲート電圧を
上げる方向)にゲート電圧が制御されてバイアス点が点
113に移動するが、APCループの制御によってバイ
アス点は直ちに点102に移動する。
【0051】点102におけるバイアス条件での効率値
は点112におけるバイアス条件での効率値よりも大き
くなっているので、前回と同方向にゲート電圧が制御さ
れてバイアス点が点103に移動するが、APCループ
の制御によってバイアス点は直ちに点104に移動す
る。以後、上述した場合と同様に、点104、点10
5、点106、点107、点108、点109、点10
6、点110、点104への移動を繰り返し、最大効率
を与えるバイアス点にほぼ収束する。
【0052】ここでは、収束の様子が分かりやすいよう
に、ゲート電圧の制御ステップを大きくし、さらに比較
回路13は非常に微少な差も検出できるものとしたの
で、バイアス点は1点に収束しなかった。しかし、現実
には、ゲート電圧の制御ステップと比較回路13の判定
基準とを適切に設定することによってバイアス点は1点
に収束する。
【0053】ゲート電圧の制御ステップを大きくし、比
較回路13における判定基準を緩くすると、1ステップ
で効率が大きく変化するが比較回路13がその差を検出
できず効率が変化していないと判断する可能性がある。
その場合には、本来の最大効率与えるバイアス点からず
れて収束するおそれがある。また、ゲート電圧の制御ス
テップを小さくしすぎると、比較回路13における判定
基準が緩い場合には、1ステップでの効率変化がほとん
どないので、比較回路13がその差を検出できず本来の
最大効率与えるバイアス点に到達する前に収束したと判
断するおそれがある。そして、ゲート電圧の制御ステッ
プが小さく、かつ、比較回路13における判定基準が厳
しい場合には、1ステップでの効率変化は小さいが、比
較回路13が小さな差も検出するので、バイアス点は、
最大効率を与える点の回りを移動し続ける。
【0054】従って、実用的には、ゲート電圧の制御ス
テップと比較回路13の分解能とを、点106の隣接点
104,108における効率と点106における効率と
の差を検出できない程度にしておく。例えば、制御ステ
ップを数mV/ステップ程度とし、比較回路13におけ
る効率の分解能を±0.05%程度とする。すると、バ
イアス点が点106に移動し演算回路11が点106に
おけるバイアス条件での効率値を算出したときに、比較
回路13は、点106におけるバイアス条件での効率値
と点104におけるバイアス条件での効率値とが一致し
ていること検出する。よって、比較回路13は、ゲート
電圧を維持するように制御する。その結果、バイアス点
は、最大効率を与えるバイアス点である点106に収束
する。
【0055】また、ここでは出力電力設定値が変化した
場合について説明したが、入力電力レベルが変動した場
合、温度が変化した場合、周波数が変化した場合、また
は増幅器3の特性が異なる場合でも、効率制御ループに
おける比較回路11が電力効率の低下を検出し、自動的
に、ゲート電圧制御回路5に対して最大効率を呈するゲ
ート電圧を設定するように指示する。すなわち、それら
の条件が変動した場合にも、効率制御ループによって、
バイアス点は、自動的に最大効率を与える点に収束す
る。
【0056】図8は、効率制御ループの動作の比較例を
示すタイミング図である。図8に示す例は、効率制御ル
ープの応答速度がAPCループの応答速度よりも速い場
合の例である。出力電力設定値が32dBmから34d
Bmに変更されるが、最初はAPCループが動作しない
ので、効率制御ループが32dBmにおける最大効率を
維持する(図8のA参照)。APCループが動作する
と、増幅器3の出力電力値が上昇する。それに伴って効
率が低下する(図8のB参照)。
【0057】その後、効率制御ループによって効率が向
上するが、効率制御ループが誤った制御方向に働くと、
APCループによって出力電力レベルが制御される前に
効率制御ループによってゲート電圧が下限まで下げられ
てしまい、出力電力レベルがAPCループで制御できな
くなってしまう(図8における破線参照)。このよう
に、APCループの応答速度が効率制御ループの応答速
度よりも遅いと、収束しないおそれがある。
【0058】実施の形態2.図9は、本発明による電力
増幅回路の第2の実施の形態を示すブロック図である。
図9に示すように、この実施の形態では、APC回路9
と演算回路11とが設定レベル一致信号線14で接続さ
れている。その他の構成は、第1の実施の形態の構成と
同じであるが、この実施の形態では、演算回路11は、
設定レベル一致信号線14に現れる信号に応じて、動作
したり動作を中断したりする。
【0059】次に動作について説明する。APCループ
は、第1の実施の形態の場合と同様の制御を行って、増
幅器3の出力電力レベルを出力電力設定値に一致させ
る。そして、APC回路9は、設定レベル一致信号線1
4を介して、APCループの制御によって出力電力レベ
ルが出力電力設定値に一致しているときにはON信号を
出力する。また、出力電力レベルが出力電力設定値と一
致していないときはOFF信号を出力する。
【0060】演算回路11は、設定レベル一致信号線1
4にON信号が現れているときにのみ、増幅器3のドレ
イン電流、ドレイン電圧および出力電力レベルから電力
効率を算出し、算出した効率値を記憶素子12および比
較回路13に出力する。比較回路13およびゲート電圧
制御回路5は、第1の実施の形態の場合と同様に動作
し、最大効率を与えるゲート電圧を増幅器3のゲート端
子に与える。
【0061】設定レベル一致信号線14にOFF信号が
現れているときには、演算回路11は、電力効率の演算
を行わない。よって、比較回路13には更新された効率
値が入力されないので、比較回路13は、増幅器3のゲ
ート電圧を維持するようにゲート電圧制御回路5を制御
し続ける。すなわち、設定レベル一致信号線14にOF
F信号が現れているときには、効率制御ループの制御は
行われない。
【0062】以上のように、この実施の形態では、効率
制御ループは、APCループが出力電力設定値に収束し
ている場合にのみ動作する。従って、APCループの応
答速度と効率制御ループの応答速度を、別個に、かつ任
意に設定できる利点がある。
【0063】図10は、この実施の形態において最大効
率を与えるバイアス点に収束する様子の一例を示すタイ
ミング図である。図10に示す例は、出力電力設定値が
32dBmから34dBmに変化した場合の例であり、
かつ、APCループの応答速度が効率制御ループの応答
速度よりも遅い例である。
【0064】図10に示されるように、出力電力設定値
が32dBmから34dBmに変更されると、APCル
ープが動作して増幅器3の出力電圧値を34dBmにす
る。その間、効率は低下する。増幅器3の出力電圧値が
34dBmになると、効率制御ループが動作開始する
(図10のA参照)。すると、効率制御ループによっ
て、効率が向上する。ただし、それに伴って出力電圧値
が34dBmずれる(図10のB参照)。APCループ
の動作タイミングに達すると、出力電圧値は再び34d
Bmに戻る(図10のC参照)。その後、効率制御ルー
プによる効率向上とAPCループによる出力電力制御と
が繰り返されて、増幅器3の出力は、最大効率を呈する
34dBmに落ちつく。
【0065】このように、この実施の形態では、APC
ループが動作した瞬間に効率制御ループが停止するの
で、増幅器3の出力電圧値を設定値に引き戻すことがで
きる。よって、効率制御ループによってゲート電圧が下
げられたとしても、APCループが動作した瞬間に出力
電圧値が設置値側に戻される。すなわち、この実施の形
態では、APCループの応答速度と効率制御ループの応
答速度を、別個に、かつ任意に設定でき、APCループ
の応答速度が効率制御ループの応答速度よりも遅くても
かまわない。
【0066】実施の形態3.図11は、本発明による電
力増幅回路の第3の実施の形態を示すブロック図であ
る。図11に示すように、この実施の形態では、増幅器
3の入力側に入力電力レベル検出用の検波回路15が挿
入されている。検波回路15は、変換テーブル16に入
力電力レベルを出力する。また、温度センサ17が設け
られている。変換テーブル16には、温度センサ17の
出力、チャネル端子18および設定入力端子10も接続
され、温度センサ17からの温度情報、チャネル端子1
8からの周波数情報および設定入力端子10からの出力
電力設定値も入力される。
【0067】変換テーブル16は、ドレイン電圧プリセ
ット線19を介してドレイン電圧制御回路6に接続さ
れ、ゲート電圧プリセット線20を介してゲート電圧制
御回路5に接続されている。変換テーブル16には、あ
らかじめ、各出力電力設定値に対する効率最大を与える
ドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせ情報、各入力電
力レベルに対する効率最大を与えるドレイン電圧とゲー
ト電圧の組み合わせ情報、各温度に対する効率最大を与
えるドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせ情報、およ
び各周波数に対する効率最大を与えるドレイン電圧とゲ
ート電圧の組み合わせ情報が設定されている。なお、こ
の実施の形態では、プリセット手段は変換テーブル16
で実現されている。
【0068】図12は、変換テーブル16の一構成例を
示す説明図である。この例では、各温度(30°Cおよ
び0°C)および各周波数(880MHzおよび890
MHz)に対する−10dBm〜10dBmにおける効
率最大を与えるドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせ
情報が設定された例である。ただし、この例は簡単な一
例であり、実際には、目的に応じてより多くの情報が設
定される。
【0069】次に動作について説明する。出力電力設定
値、入力電力レベル、温度または周波数が変化すると、
変換テーブル16からドレイン電圧値およびゲート電圧
値が出力され、ドレイン電圧プリセット線19およびゲ
ート電圧プリセット線20を介して、ドレイン電圧制御
回路6およびゲート電圧制御回路5にドレイン電圧値お
よびゲート電圧値が設定される。変換テーブル16から
出力されるドレイン電圧値およびゲート電圧値は、変化
した条件についての変化後の状態に対する効率最大を与
えるドレイン電圧の値とゲート電圧の値である。ドレイ
ン電圧制御回路6およびゲート電圧制御回路5は、変換
テーブル16からドレイン電圧値およびゲート電圧値を
入力すると、それらの値に応じた電圧値を増幅器3のド
レイン端子およびゲート端子にプリセットする。なお、
変換テーブル16にない値を補間によって求めてもよ
い。
【0070】例えば、設定入力端子10に入力された出
力電力設定値が変化した場合には、変換テーブル16か
ら、変化後の出力電力設定値に対する効率最大を与える
ドレイン電圧値とゲート電圧値とが出力される。また、
検波回路15による入力電力レベル、温度センサ17に
よる検出温度、またはチャネル端子18に入力される周
波数情報が変化した場合には、変化した条件の変化後の
状態に対する効率最大を与えるドレイン電圧値とゲート
電圧値とが変換テーブル16から出力される。
【0071】よって、出力電力設定値、入力電力レベ
ル、温度または周波数が変化すると、変化後の状態にお
いて最大効率を与えるドレイン電圧とゲート電圧が増幅
器3に再設定される。また、APCループおよび効率制
御ループは、第1の実施の形態の場合と同様に動作す
る。
【0072】状態変化時にプリセットされるドレイン電
圧およびゲート電圧は、開ループ制御で設定されたもの
である。従って、プリセットされるバイアス点(ゲート
電圧およびドレイン電圧)は、増幅器3のばらつき等に
起因して、実際に最大効率を与えるバイアス点からずれ
る可能性がある。しかし、その後、APCループと効率
制御ループによって、バイアス点は、最大効率を与える
点に収束する。
【0073】この実施の形態では、出力電力設定値、入
力電力レベル、温度または周波数が変化したときに、効
率最大を与えるドレイン電圧とゲート電圧の組み合わせ
が増幅器3にプリセットされるので、APCループと効
率制御ループの収束時間が削減される。特に、出力電力
設定値、入力電力レベル、温度および周波数の変動量が
大きい場合に、APCループと効率制御ループの収束時
間を大幅に削減できる効果がある。
【0074】実施の形態4.第3の実施の形態では、出
力電力設定値やその他の条件が変化した場合に、効率最
大を与えるドレイン電圧とゲート電圧が再設定され、そ
の後、第1の実施の形態の場合と同様にAPCループと
効率制御ループが動作した。
【0075】しかし、効率制御ループが、第2の実施の
形態の場合と同様に、APCループが出力電力設定値に
収束している場合にのみ動作するようにしてもよい。図
13は、そのような実施の形態を示すブロック図であ
る。従って、図13に示された構成では、APC回路9
と演算回路11とが設定レベル一致信号線14で接続さ
れ、また、増幅器3の入力側に入力電力レベル検出用の
検波回路15が挿入されている。さらに、温度センサ1
7が設けられている。変換テーブル16には、温度セン
サ17からの温度情報、チャネル端子18からの周波数
情報および設定入力端子10からの出力電力設定値も入
力される。動作については、第2の実施の形態および第
3の実施の形態の場合と同様であり、ここでは説明を省
略する。
【0076】以上のように、上記の各実施の形態では、
最大効率を与えるゲートバイアスが出力電力値に応じて
一意的に定まることに着目し、自動的にゲートバイアス
が最大効率を与える点に収束するように制御した。よっ
て、GMSK等の定包絡線変調方式を用いる無線機にお
ける送信電力制御回路の増幅器ように飽和が認められる
(ゲートバイアスを自由に設定できる)増幅器に本発明
が適用された場合に、定包絡線変調方式の利点をさらに
増進することができる。
【0077】なお、上記の各実施の形態では、増幅器3
がMOSFETで構成されたが、増幅器3をGaAsF
ETで構成してもよい。また、増幅器3をバイポーラト
ランジスタで構成してもよい。図14は、バイポーラト
ランジスタを用いた増幅器3による電力増幅回路の一構
成例を示すブロック図である。この場合には、図14に
示す例では、増幅器3は、コンデンサCinを介して入力
信号をベースに導入するNPNトランジスタ32が用い
られている。また、トランジスタ32のベースには、ベ
ース電圧制御回路5Aが制御するベースバイアス電圧が
抵抗RA を介して印加されている。トランジスタ32の
コレクタには、コレクタ電圧制御回路6Aが制御するコ
レクタバイアス電圧が抵抗RC を介して印加されてい
る。トランジスタ32の出力は、抵抗RC およびコンデ
ンサCout を介して取り出される。
【0078】効率制御ループにおいて、演算回路11お
よび比較回路13は、上記の各実施の形態の場合と同様
に動作する。そして、ベース電圧制御回路5Aは、上記
の各実施の形態におけるゲート電圧制御回路5と同様に
動作して、最大効率を与えるベースバイアス電圧をトラ
ンジスタ32に与える。また、APCループにおいて、
APC回路9も、上記の各実施の形態の場合と同様に動
作する。そして、コレクタ電圧制御回路6Aは、上記の
各実施の形態におけるドレイン電圧制御回路6と同様に
動作して、出力電力を設定値に一致させるようにコレク
タバイアス電圧をトランジスタ32に与える。
【0079】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電力増
幅回路が、APCループに加えて効率制御ループを備え
た構成になっているので、出力電力レベル、入力電力レ
ベル、温度または周波数が変化した場合、または増幅器
の特性にばらつきがある場合でも、出力電力レベルは設
定値に一致し、かつ、精度よく自動的に最大効率を与え
るバイアス点にバイアス電圧が制御され、低消費電力化
が実現されるとともに、調整が不要で量産しやすい安価
な電力増幅回路が提供される効果がある。
【0080】また、本発明によれば、電力自動制御方法
が、測定された効率値と前回の測定タイミング時に測定
された効率値とを比較し、双方の効率値が不一致である
場合に電力効率が向上する方向に増幅器のバイアス値を
変化させるように構成されているので、電力増幅回路に
おける出力電力レベル、入力電力レベル、温度または周
波数が変化した場合、または増幅器の特性にばらつきが
ある場合でも、出力電力レベルは設定値に一致し、か
つ、精度よく自動的に最大効率を与えるバイアス点にバ
イアス電圧が制御される効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による電力増幅回路の第1の実施の形
態を示すブロック図である。
【図2】 増幅器およびドレイン電圧制御回路の一構成
例を示す回路図である。
【図3】 MOSFETによる増幅器の出力電力レベル
をパラメータとして、入力電力レベル、温度および周波
数を一定としたときの電力効率とゲート電圧のドレイン
電圧依存性を示す説明図である。
【図4】 APCループの動作を示すフローチャートで
ある。
【図5】 効率制御ループの動作を示すフローチャート
である。
【図6】 最大効率を与えるバイアス点に収束する様子
を示すタイミング図である。
【図7】 出力電力設定値が32dBmから34dBm
に変化した場合の動作を示す説明図である。
【図8】 効率制御ループの動作の比較例を示すタイミ
ング図である。
【図9】 本発明による電力増幅回路の第2の実施の形
態を示すブロック図である。
【図10】 最大効率を与えるバイアス点に収束する様
子の一例を示すタイミング図である。
【図11】 本発明による電力増幅回路の第3の実施の
形態を示すブロック図である。
【図12】 変換テーブルの一構成例を示す説明図であ
る。
【図13】 本発明による電力増幅回路の第4の実施の
形態を示すブロック図である。
【図14】 バイポーラトランジスタを用いた電力増幅
回路の構成例を示すブロック図である。
【図15】 従来の電力増幅回路を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
1 入力端子 2 出力端子 3 増幅器 4 検波回路 5 ゲート電圧制御回路 5A ベース電圧制御回路 6 ドレイン電圧制御回路 6A コレクタ電圧制御回路 7 電圧計 8 電流計 9 APC回路 10 設定入力端子 11 演算回路 12 記憶素子 13 比較回路 14 設定レベル一致信号線 15 検波回路 16 変換テーブル 17 温度センサ 18 チャネル端子 19 ドレイン電圧プリセット線 20 ゲート電圧プリセット線 31 FET 32 トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−272107(JP,A) 特開 平8−51317(JP,A) 特開 平4−277909(JP,A) 特開 平8−242132(JP,A) 特開 平4−262608(JP,A) 特開 平3−46405(JP,A) 特開 昭57−60739(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 3/20 - 3/36 H03G 3/20 - 3/34

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 増幅器としてFETを用い、出力電力レ
    ベルを出力電力設定値に追従させるAPCループを有す
    る電力増幅回路であって、 電力効率を検出して、電力効率が最大になるように前記
    FETのバイアス値を制御する効率制御ループを備え 前記APCループが、増幅器の出力電力レベルと出力電
    力設定値とが一致する方向に前記FETのドレインバイ
    アスを制御するとともに、前記効率制御ループが、検出
    された電力効率にもとづいて電力効率を上げる方向に前
    記FETのゲートバイアスを制御する ことを特徴とする電力増幅回路。
  2. 【請求項2】 効率制御ループは、増幅器への 入力電流および入力電圧と、出力電力レベル
    を導入して電力効率を算出する演算手段と、 前記演算手段から出力された効率値にもとづいてFET
    のゲートバイアスを制御するバイアス制御手段と を備えた請求項1記載の電力増幅回路。
  3. 【請求項3】 演算手段は、所定時間毎に効率値を算出
    し、 バイアス制御手段は、今回演算手段が算出した効率値
    と、前回演算手段が算出した効率値とを比較し、双方の
    効率値が不一致である場合にFETのゲートバイアス
    変化させる 請求項2記載の電力増幅回路。
  4. 【請求項4】 バイアス制御手段は、今回演算手段から
    出力された効率値が前回の効率値よりも大きい場合に
    は、前回の制御タイミング時に変化させた方向と同方向
    FETのゲートバイアスを変化させ、今回演算手段か
    ら出力された効率値が前回の効率値よりも小さい場合に
    は、前回の制御タイミング時に変化させた方向と逆方向
    FETのゲートバイアスを変化させる 請求項3記載の電力増幅回路。
  5. 【請求項5】 APCループの応答速度は、効率制御ル
    ープの応答速度よりも速い 請求項1、2、3または4 記載の電力増幅回路。
  6. 【請求項6】 効率制御ループにおけるゲートバイアス
    に対する制御動作が所定回実行されると、APCループ
    におけるドレインバイアスに対する制御動作が1回実行
    される 請求項5 記載の電力増幅回路。
  7. 【請求項7】 効率制御ループは、増幅器の出力電力レ
    ベルが出力電力設定値に一致しているときに制御動作を
    行う 請求項1から6のうちのいずれか1項に記載の電力増幅
    回路。
  8. 【請求項8】 各出力電力設定値における最大効率を与
    える制御設定値を格納し、出力電力設定値が変化すると
    変化後の値に対応した制御設定値をFETに出力するプ
    リセット手段 を備えた請求項1から7のうちのいずれか1項に記載の
    電力増幅回路。
  9. 【請求項9】 増幅器の入力電力レベルを検出する入力
    レベル検出手段を備え、 プリセット手段は、各入力電力レベルにおける最大効率
    を与える制御設定値を有し、入力電力レベルが変化する
    と変化後の値に対応した制御設定値をFETに出力する 請求項8記載の電力増幅回路。
  10. 【請求項10】 温度を検知する温度検知手段を備え、 プリセット手段は、各温度における最大効率を与えるバ
    イアス値を格納し、温度が変化すると変化後の値に対応
    した制御設定値をFETに出力する 請求項8または9記載の電力増幅回路。
  11. 【請求項11】 プリセット手段は、各周波数における
    最大効率を与える制御設定値を格納し、FETに入力さ
    れる信号の周波数が変化すると変化後の値に対応した制
    御設定値をFETに出力する 請求項8、9または10記載の電力増幅回路。
  12. 【請求項12】 増幅器は、定包絡線変調された信号を
    増幅する 請求項1から請求項11のうちのいずれか1項に記載さ
    れた電力増幅回路。
  13. 【請求項13】 増幅器としてFETを用いた電力増幅
    回路の出力電力レベルを検出し、 検出された出力電力レベルが出力電力設定値に一致する
    ように前記FETのドレインバイアスを制御し、 前記電力増幅回路の電力効率を測定し、 電力効率が最大になるように前記FETのゲートバイア
    を制御する 電力自動制御方法。
  14. 【請求項14】 間欠的に増幅器の電力効率を測定し、 測定された効率値と前回の測定タイミング時に測定され
    た効率値とを比較し、 双方の効率値が不一致である場合に電力効率が向上する
    方向にFETゲートバイアスを変化させる 請求項13記載の電力自動制御方法。
  15. 【請求項15】 測定された効率値が前回の効率値より
    も大きい場合には前回の測定タイミング時に変化させた
    方向と同方向にFETのゲートバイアスを変化させ、 測定された効率値が前回の効率値よりも小さい場合には
    前回の測定タイミング時に変化させた方向と逆方向に
    ETのゲートバイアスを変化させる 請求項14記載の電力自動制御方法。
  16. 【請求項16】 定包絡線変調された信号を電力制御対
    象信号とする 請求項13、14または15記載の電力自動制御方法。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4610697B2 (ja) * 2000-06-13 2011-01-12 パナソニック株式会社 送信電力制御方法及び無線通信装置
US6775216B2 (en) * 2000-08-29 2004-08-10 Zoran Corporation Method and apparatus for restarting a write operation in a disk drive system
GB0028689D0 (en) * 2000-11-24 2001-01-10 Qualcomm Uk Ltd Amplifier circuit
US6636468B2 (en) 2001-03-26 2003-10-21 Oak Technology, Inc. Method and apparatus for laser power control during recording
JP4654555B2 (ja) * 2001-09-27 2011-03-23 日本電気株式会社 送信電力制御システムおよび送信電力調整方法
ATE355650T1 (de) * 2002-12-04 2006-03-15 Research In Motion Ltd Verstärkungskompensation für temperatur- und frequenzvariationen
JP2005192067A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd オーディオ増幅器
JP4514485B2 (ja) 2004-03-19 2010-07-28 パナソニック株式会社 高周波電力増幅器
EP1768254A4 (en) * 2004-07-14 2008-08-20 Mitsubishi Electric Corp AMPLIFIER WITH HIGH OUTPUT
US7355470B2 (en) * 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
JP2007074039A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kenwood Corp 電力増幅回路、電力増幅回路のバイアス制御方法、電力増幅回路のバイアス制御プログラム及び記録媒体
US8013675B2 (en) * 2007-06-19 2011-09-06 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
GB2432471A (en) 2005-11-01 2007-05-23 Zetex Semiconductors Plc A CMOS support IC for a DBS LNA
JP2007189413A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Niigata Seimitsu Kk 自動パワー出力制御回路
US7937106B2 (en) * 2006-04-24 2011-05-03 ParkerVision, Inc, Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same
US8031804B2 (en) * 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
US7620129B2 (en) * 2007-01-16 2009-11-17 Parkervision, Inc. RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for generating vector modulation control signals
US7755429B2 (en) * 2007-02-16 2010-07-13 Microelectronics Technology Inc. System and method for dynamic drain voltage adjustment to control linearity, output power, and efficiency in RF power amplifiers
WO2008144017A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
WO2009005768A1 (en) 2007-06-28 2009-01-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
WO2009145887A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
US7768353B2 (en) 2008-06-13 2010-08-03 Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. Systems and methods for switching mode power amplifier control
WO2012114836A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 シャープ株式会社 送信機、電圧制御プログラムおよびそれを記録した記録媒体
KR20140026458A (ko) 2011-04-08 2014-03-05 파커비전, 인크. Rf 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들
JP5673361B2 (ja) * 2011-05-31 2015-02-18 三菱電機株式会社 電力増幅器
KR20140034895A (ko) 2011-06-02 2014-03-20 파커비전, 인크. 안테나 제어
JP6249657B2 (ja) * 2013-07-23 2017-12-20 シャープ株式会社 無線通信装置
WO2015042142A1 (en) 2013-09-17 2015-03-26 Parkervision, Inc. Method, apparatus and system for rendering an information bearing function of time
CN109462382B (zh) * 2018-10-26 2022-07-29 京信网络***股份有限公司 功率放大***、功率测控方法、装置及基站设备
CN112929794B (zh) * 2021-01-26 2022-11-18 歌尔科技有限公司 音效调节方法、装置、设备及存储介质

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547746A (en) * 1984-04-09 1985-10-15 Rockwell International Corporation VSWR Tolerant linear power amplifier
CA2017904C (en) * 1989-05-31 1993-11-16 Shinichi Miyazaki High frequency amplifier circuit capable of optimizing a total power consumption
JPH039522A (ja) 1989-06-07 1991-01-17 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0440105A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Oki Electric Ind Co Ltd 線形化増幅回路
US5371477A (en) * 1991-08-05 1994-12-06 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Linear amplifier
FI89120C (fi) * 1991-09-24 1993-08-10 Nokia Mobile Phones Ltd Effektinstaellning i en boosterfoerstaerkare
JPH07154169A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
US5426641A (en) * 1994-01-28 1995-06-20 Bell Communications Research, Inc. Adaptive class AB amplifier for TDMA wireless communications systems
FR2716313B1 (fr) * 1994-02-11 1996-04-12 Alcatel Mobile Comm France Dispositif de commande de la polarisation d'un amplificateur.
JPH0851317A (ja) 1994-08-05 1996-02-20 Mitsubishi Electric Corp 高周波増幅器回路
DE19718109A1 (de) * 1996-05-01 1997-11-13 Whitaker Corp Linearverstärker

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JPH11346134A (ja) 1999-12-14

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