JP3311928B2 - 高周波用アルミナ質焼結体 - Google Patents
高周波用アルミナ質焼結体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器、高
周波導波路、高周波コンデンサ、高周波ＩＣ基板、ＩＣ
パッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信分野またはマ
イクロ波透過窓等の核融合関係設備分野などの高周波用
として好適に利用されるアルミナ質焼結体に関する。
周波導波路、高周波コンデンサ、高周波ＩＣ基板、ＩＣ
パッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信分野またはマ
イクロ波透過窓等の核融合関係設備分野などの高周波用
として好適に利用されるアルミナ質焼結体に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、通信網の発達にともなって、使用周
波数がマイクロ波やミリ波領域などの高周波領域に及び
つつある。誘電体磁器は、これらの高周波領域におい
て、共振器や集積回路基板、アンテナ、各種高周波回路
のインピーダンス整合等に応用されている。特に、フィ
ルタやガンまたはＦＥＴマイクロ波発信器の周波数安定
化のために必要となり、その需要が増大している。
波数がマイクロ波やミリ波領域などの高周波領域に及び
つつある。誘電体磁器は、これらの高周波領域におい
て、共振器や集積回路基板、アンテナ、各種高周波回路
のインピーダンス整合等に応用されている。特に、フィ
ルタやガンまたはＦＥＴマイクロ波発信器の周波数安定
化のために必要となり、その需要が増大している。
【０００３】マイクロ波用誘電体材料の特性としては、
Ｑ値（＝１／ｔａｎδ）が大きく、共振周波数の温度係
数（τｆ）を制御できることが必要である。それに加え
て従来は、素子の小型化のために比誘電率の大きな材料
が開発されてきた。しかし、使用周波数が高くなるにし
たがい、加工性の面から比誘電率の小さい材料も望まれ
ると考えられる。
Ｑ値（＝１／ｔａｎδ）が大きく、共振周波数の温度係
数（τｆ）を制御できることが必要である。それに加え
て従来は、素子の小型化のために比誘電率の大きな材料
が開発されてきた。しかし、使用周波数が高くなるにし
たがい、加工性の面から比誘電率の小さい材料も望まれ
ると考えられる。
【０００４】これまで、セラミック材料として最も多用
されているアルミナ質焼結体は、アルミナに、場合によ
っては、焼結助剤としてＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ等を
添加して焼結したものであるが、このアルミナ質焼結体
は、従来のＢａＯ−ＴｉＯ2系等のマイクロ波誘電体材
料に比べて比誘電率が１０と小さい。また、単結晶Ａｌ
2 Ｏ3 が非常に高いＱ値をもつことから、Ａｌ2 Ｏ3 本
来のＱ値は高く、高周波誘電体材料として高い能力を持
っていると考えられる。さらに、アルミナ質焼結体は、
機械的強度、熱伝導性および化学的安定性に優れ、コス
トが低いという利点もある。
されているアルミナ質焼結体は、アルミナに、場合によ
っては、焼結助剤としてＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯ等を
添加して焼結したものであるが、このアルミナ質焼結体
は、従来のＢａＯ−ＴｉＯ2系等のマイクロ波誘電体材
料に比べて比誘電率が１０と小さい。また、単結晶Ａｌ
2 Ｏ3 が非常に高いＱ値をもつことから、Ａｌ2 Ｏ3 本
来のＱ値は高く、高周波誘電体材料として高い能力を持
っていると考えられる。さらに、アルミナ質焼結体は、
機械的強度、熱伝導性および化学的安定性に優れ、コス
トが低いという利点もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アルミナ質焼結体は、共振周波数の温度係数（τｆ）が
−６０ｐｐｍ／℃と絶対値の大きな値をもつため、高周
波またはマイクロ波誘電体材料としてはその用途が著し
く制限されていた。また、Ｑ値については、アルミナ原
料粉末中の不純物や焼結助剤等の添加物によって大きく
低下してしまい、本来有する優れた特性が得られないの
が現状であった。
アルミナ質焼結体は、共振周波数の温度係数（τｆ）が
−６０ｐｐｍ／℃と絶対値の大きな値をもつため、高周
波またはマイクロ波誘電体材料としてはその用途が著し
く制限されていた。また、Ｑ値については、アルミナ原
料粉末中の不純物や焼結助剤等の添加物によって大きく
低下してしまい、本来有する優れた特性が得られないの
が現状であった。
【０００６】共振周波数の温度係数τｆを±０付近に調
整する方法としては、τｆの符号の異なる物質を複合さ
せる方法が知られている。その場合、複合体のＱ値は、
複合させる物質のＱ値に支配される。したがって、大き
な負のτｆを持つアルミナと複合させる物質としては、
τｆが正で大きな値であり、かつ高いＱ値を持つ物質が
望ましい。そこで、τｆが正で大きな値であり、かつ高
いＱ値を持つ物質としてはＴｉＯ2 が注目される。しか
しながら、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を添加して焼成する
と、通常Ａｌ2 ＴｉＯ5 が生成するため、目的とする特
性が得られず、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の生成を抑制するために
第３の添加物を必要としていた。
整する方法としては、τｆの符号の異なる物質を複合さ
せる方法が知られている。その場合、複合体のＱ値は、
複合させる物質のＱ値に支配される。したがって、大き
な負のτｆを持つアルミナと複合させる物質としては、
τｆが正で大きな値であり、かつ高いＱ値を持つ物質が
望ましい。そこで、τｆが正で大きな値であり、かつ高
いＱ値を持つ物質としてはＴｉＯ2 が注目される。しか
しながら、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を添加して焼成する
と、通常Ａｌ2 ＴｉＯ5 が生成するため、目的とする特
性が得られず、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の生成を抑制するために
第３の添加物を必要としていた。
【０００７】従って、本発明は、アルミナを主成分と
し、高いＱ値を有し、しかも共振周波数の温度係数τｆ
の絶対値を低減できる新規な材料を提供することを目的
とする。
し、高いＱ値を有し、しかも共振周波数の温度係数τｆ
の絶対値を低減できる新規な材料を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＯ2 系材料についてさらに検討を重ねた結果、
第３添加物を添加しなくても、その焼成温度を低く設定
すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 が生成する反応が進まないこと
がわかった。そして、そのようにして得られたＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＯ2 複合材料は、緻密であれば、τｆが小さ
く、さらに高いＱ値を持つことを見出し、本発明に至っ
た。
3 −ＴｉＯ2 系材料についてさらに検討を重ねた結果、
第３添加物を添加しなくても、その焼成温度を低く設定
すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 が生成する反応が進まないこと
がわかった。そして、そのようにして得られたＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＯ2 複合材料は、緻密であれば、τｆが小さ
く、さらに高いＱ値を持つことを見出し、本発明に至っ
た。
【０００９】即ち、本発明の高周波用アルミナ質焼結体
は、Ａｌを酸化物換算で７８〜９６体積％と、Ｔｉを酸
化物換算で４〜２２体積％とからなり、Ａｌ2 Ｏ3 （コ
ランダム）結晶相を主相とし、ＴｉＯ2 （ルチル）相を
４〜１４体積％の割合で含有するとともに、開気孔率が
３％以下、測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電損失（ｔ
ａｎδ）が５×１０-4以下、共振周波数の２５〜８５℃
における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ／℃以
下であることを特徴とするものである。
は、Ａｌを酸化物換算で７８〜９６体積％と、Ｔｉを酸
化物換算で４〜２２体積％とからなり、Ａｌ2 Ｏ3 （コ
ランダム）結晶相を主相とし、ＴｉＯ2 （ルチル）相を
４〜１４体積％の割合で含有するとともに、開気孔率が
３％以下、測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電損失（ｔ
ａｎδ）が５×１０-4以下、共振周波数の２５〜８５℃
における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ／℃以
下であることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】アルミナのτｆは−６０ｐｐｍ／℃と負の大き
な値である。そこで、アルミナのτｆの絶対値を低減さ
せるには、焼結体中にτｆが＋４４０ｐｐｍ／℃のＴｉ
Ｏ2 相を共存させることが有効である。一方、Ａｌ2 Ｔ
ｉＯ5 相は、Ａｌ2 Ｏ3とＴｉＯ2 との混合物を高温で
焼結すると生成される物質であるが、このＡｌ2ＴｉＯ
5 相をＡｌ2 Ｏ3 相と共存させてもτｆの絶対値を低減
させることができない。よって、本発明では、Ａｌ2 Ｏ
3 相に加えてＴｉＯ2 相を焼結体中に安定に共存させる
ことが必要である。Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系では、高温
（１２００℃以上）ではＡｌ2 ＴｉＯ5 が安定相となる
ため、ＴｉＯ2 相はほとんど残存しないが、低温ではＡ
ｌ2 Ｏ3 相とともにＴｉＯ2 相も安定して存在し得る。
な値である。そこで、アルミナのτｆの絶対値を低減さ
せるには、焼結体中にτｆが＋４４０ｐｐｍ／℃のＴｉ
Ｏ2 相を共存させることが有効である。一方、Ａｌ2 Ｔ
ｉＯ5 相は、Ａｌ2 Ｏ3とＴｉＯ2 との混合物を高温で
焼結すると生成される物質であるが、このＡｌ2ＴｉＯ
5 相をＡｌ2 Ｏ3 相と共存させてもτｆの絶対値を低減
させることができない。よって、本発明では、Ａｌ2 Ｏ
3 相に加えてＴｉＯ2 相を焼結体中に安定に共存させる
ことが必要である。Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系では、高温
（１２００℃以上）ではＡｌ2 ＴｉＯ5 が安定相となる
ため、ＴｉＯ2 相はほとんど残存しないが、低温ではＡ
ｌ2 Ｏ3 相とともにＴｉＯ2 相も安定して存在し得る。
【００１１】そこで、本発明では、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 系組成物を比較的低温で焼成させて、Ａｌ2 Ｏ3 （コ
ランダム）からなる主相に対して、ＴｉＯ2 （ルチル）
相を４〜１４体積％の割合で共存させることができ、し
かも開気孔率３％以下まで緻密化させることにより、高
周波あるいはマイクロ波領域で、共振周波数の温度係数
τｆの絶対値を小さく、また高いＱ値の焼結体を得るこ
とができる。
2 系組成物を比較的低温で焼成させて、Ａｌ2 Ｏ3 （コ
ランダム）からなる主相に対して、ＴｉＯ2 （ルチル）
相を４〜１４体積％の割合で共存させることができ、し
かも開気孔率３％以下まで緻密化させることにより、高
周波あるいはマイクロ波領域で、共振周波数の温度係数
τｆの絶対値を小さく、また高いＱ値の焼結体を得るこ
とができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のアルミナ質焼結体は、Ａ
ｌ2 Ｏ3 （コランダム）相を主相とするものであり、そ
の他の結晶相として少なくともＴｉＯ2 （ルチル）相を
含むものである。本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 相を主相
とする焼結体中に、ＴｉＯ2 相が４〜１４体積％、特に
７〜１１体積％の割合で存在することが重要である。こ
れは、ＴｉＯ2 相が４体積％より少ないと、τｆが−３
０ｐｐｍ／℃より小さくなり、ＴｉＯ2 相が１４体積％
より大きいとτｆが＋３０ｐｐｍ／℃より大きくなるた
めである。なお、本発明の焼結体中には、Ａｌ2 Ｏ3 相
およびＴｉＯ2 相以外に、Ａｌ2 ＴｉＯ5 相が存在する
場合もあるが、Ａｌ2 ＴｉＯ5 相は、ＴｉＯ2 相のよう
にアルミナのτｆを制御する効果を有さず、また、焼結
体中に多量に存在すると誘電損失が大きくなるため、Ａ
ｌ2 ＴｉＯ5 相の量は少ないほどよく、具体的には、７
体積％以下であることが望ましい。また、わずかにこれ
らの成分からなるガラス相が存在する場合もある。
ｌ2 Ｏ3 （コランダム）相を主相とするものであり、そ
の他の結晶相として少なくともＴｉＯ2 （ルチル）相を
含むものである。本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 相を主相
とする焼結体中に、ＴｉＯ2 相が４〜１４体積％、特に
７〜１１体積％の割合で存在することが重要である。こ
れは、ＴｉＯ2 相が４体積％より少ないと、τｆが−３
０ｐｐｍ／℃より小さくなり、ＴｉＯ2 相が１４体積％
より大きいとτｆが＋３０ｐｐｍ／℃より大きくなるた
めである。なお、本発明の焼結体中には、Ａｌ2 Ｏ3 相
およびＴｉＯ2 相以外に、Ａｌ2 ＴｉＯ5 相が存在する
場合もあるが、Ａｌ2 ＴｉＯ5 相は、ＴｉＯ2 相のよう
にアルミナのτｆを制御する効果を有さず、また、焼結
体中に多量に存在すると誘電損失が大きくなるため、Ａ
ｌ2 ＴｉＯ5 相の量は少ないほどよく、具体的には、７
体積％以下であることが望ましい。また、わずかにこれ
らの成分からなるガラス相が存在する場合もある。
【００１３】本発明のアルミナ質焼結体によれば、結晶
相を上記の範囲に制御するため、焼結体全量におけるＡ
ｌは酸化物換算で７８〜９６体積％、Ｔｉを酸化物換算
で４〜２２体積％の比率で含むものであり、これらの比
率を逸脱すると、各結晶相の比率を上述の範囲に制御す
ることが難しくなる。本発明のアルミナ質焼結体は、開
気孔率が３％以下であることも重要である。これは、開
気孔率が３％を越えると、高周波領域での誘電損失が大
きくなるためである。
相を上記の範囲に制御するため、焼結体全量におけるＡ
ｌは酸化物換算で７８〜９６体積％、Ｔｉを酸化物換算
で４〜２２体積％の比率で含むものであり、これらの比
率を逸脱すると、各結晶相の比率を上述の範囲に制御す
ることが難しくなる。本発明のアルミナ質焼結体は、開
気孔率が３％以下であることも重要である。これは、開
気孔率が３％を越えると、高周波領域での誘電損失が大
きくなるためである。
【００１４】本発明によれば、上記の構成により、測定
周波数１０ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）が５×
１０-4以下、特に２×１０-4以下、共振周波数の２５〜
８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜を３０ｐｐｍ
／℃以下の範囲に容易に制御することができる。
周波数１０ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）が５×
１０-4以下、特に２×１０-4以下、共振周波数の２５〜
８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜を３０ｐｐｍ
／℃以下の範囲に容易に制御することができる。
【００１５】本発明において、上記の焼結体を作製する
には、まず、原料粉末として、純度９９．８％以上のＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末と、純度９９．８％以上のＴｉＯ2 粉末を
準備する。特に、本発明によれば、低温での焼結性を高
めるためには、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径は小さいことがよ
く、特にＡｌ2 Ｏ3 粉末のＢＥＴ比表面積は、１２ｍ2
／ｇ以上であることが望ましい。
には、まず、原料粉末として、純度９９．８％以上のＡ
ｌ2 Ｏ3 粉末と、純度９９．８％以上のＴｉＯ2 粉末を
準備する。特に、本発明によれば、低温での焼結性を高
めるためには、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径は小さいことがよ
く、特にＡｌ2 Ｏ3 粉末のＢＥＴ比表面積は、１２ｍ2
／ｇ以上であることが望ましい。
【００１６】そして、これらの粉末をＡｌ2 Ｏ3 粉末７
８〜９６体積％と、ＴｉＯ2 粉末４〜２２体積％の割合
で秤量し有機バインダー等を添加してボールミル等によ
り混合する。この時、ＴｉＯ2 の添加量が多くなるに従
い、焼結性は、高くなるため、用いるＡｌ2 Ｏ3 粉末の
焼結性に合わせてＴｉＯ2 量を調整することが必要であ
る。そして、その混合物を所望の成形手段、例えば、金
型プレス，冷間静水圧プレス，押出し成形、ドクターブ
レード法、圧延法等により任意の形状に成形後、焼成す
る。
８〜９６体積％と、ＴｉＯ2 粉末４〜２２体積％の割合
で秤量し有機バインダー等を添加してボールミル等によ
り混合する。この時、ＴｉＯ2 の添加量が多くなるに従
い、焼結性は、高くなるため、用いるＡｌ2 Ｏ3 粉末の
焼結性に合わせてＴｉＯ2 量を調整することが必要であ
る。そして、その混合物を所望の成形手段、例えば、金
型プレス，冷間静水圧プレス，押出し成形、ドクターブ
レード法、圧延法等により任意の形状に成形後、焼成す
る。
【００１７】焼成は、１３５０℃以下、特に１３００℃
以下の温度で大気などの酸化性雰囲気中で１〜５時間焼
成し、開気孔率が３％以下、特に２％以下となるに十分
な時間焼結させる。焼成温度が１３５０℃より高いと、
Ａｌ2 ＴｉＯ5 相が生成されてしまい、τｆの制御がで
きず、誘電損失も大きくなってしまう。なお、焼成時間
を長くして緻密化を促進させることにより誘電損失をさ
らに小さくすることができる。
以下の温度で大気などの酸化性雰囲気中で１〜５時間焼
成し、開気孔率が３％以下、特に２％以下となるに十分
な時間焼結させる。焼成温度が１３５０℃より高いと、
Ａｌ2 ＴｉＯ5 相が生成されてしまい、τｆの制御がで
きず、誘電損失も大きくなってしまう。なお、焼成時間
を長くして緻密化を促進させることにより誘電損失をさ
らに小さくすることができる。
【００１８】
【実施例】Ａｌ2 Ｏ3 粉末として、純度９９．９９
％、ＢＥＴ比表面積１５ｍ2 ／ｇ、純度９９．８％、
ＢＥＴ比表面積８ｍ2 ／ｇ、純度９９．９％、ＢＥＴ
比表面積７ｍ2 ／ｇの３種を準備し、ＴｉＯ2 粉末とし
て、純度９９．９％、ＢＥＴ比表面積が２ｍ2 ／ｇの粉
末を用いて、表１の組成で１００ｇ調合し、純度９９．
９％のアルミナボール（直径１０ｍｍ）３００ｇとイソ
プロピルアルコール１００ｇとともに５００ｍｌポリポ
ットに入れ２４時間回転ミルで混合した。次にパラフィ
ンワックスを５ｗｔ％混合し、乾燥後４０メッシュに通
した。この粉末を金型プレスにより１０００ｋｇ／ｃｍ
2 で成形した。焼成は、大気中で表１の条件で行い円柱
状の焼結体を得た。
％、ＢＥＴ比表面積１５ｍ2 ／ｇ、純度９９．８％、
ＢＥＴ比表面積８ｍ2 ／ｇ、純度９９．９％、ＢＥＴ
比表面積７ｍ2 ／ｇの３種を準備し、ＴｉＯ2 粉末とし
て、純度９９．９％、ＢＥＴ比表面積が２ｍ2 ／ｇの粉
末を用いて、表１の組成で１００ｇ調合し、純度９９．
９％のアルミナボール（直径１０ｍｍ）３００ｇとイソ
プロピルアルコール１００ｇとともに５００ｍｌポリポ
ットに入れ２４時間回転ミルで混合した。次にパラフィ
ンワックスを５ｗｔ％混合し、乾燥後４０メッシュに通
した。この粉末を金型プレスにより１０００ｋｇ／ｃｍ
2 で成形した。焼成は、大気中で表１の条件で行い円柱
状の焼結体を得た。
【００１９】得られた円柱試料に対して、研磨加工後、
アルキメデス法により開気孔率を測定し、Ｘ線回折測定
により結晶相を同定するとともに、その存在割合を検量
線法により全結晶相に対する各結晶相の比率を求めた。
また、誘電体円柱共振器法により測定周波数１０ＧＨｚ
で、比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定す
るとともに、２５〜８５℃の共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。結果を表１に示す。
アルキメデス法により開気孔率を測定し、Ｘ線回折測定
により結晶相を同定するとともに、その存在割合を検量
線法により全結晶相に対する各結晶相の比率を求めた。
また、誘電体円柱共振器法により測定周波数１０ＧＨｚ
で、比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定す
るとともに、２５〜８５℃の共振周波数の温度係数τｆ
を測定した。結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１によれば、ＴｉＯ2 相の析出量が４体
積％よりも少ない試料Ｎo.１，５，１０、１１、１２、
１９では、いずれも｜τｆ｜が３０ｐｐｍ／℃を越える
もので、逆にＴｉＯ2 相の量が１４体積％より多い試料
Ｎo.２０、２２でも＋側に大きくなりすぎていた。開気
孔率が３％より大きい試料Ｎo.２１では誘電損失が６．
０×１０-4と大きいものであった。
積％よりも少ない試料Ｎo.１，５，１０、１１、１２、
１９では、いずれも｜τｆ｜が３０ｐｐｍ／℃を越える
もので、逆にＴｉＯ2 相の量が１４体積％より多い試料
Ｎo.２０、２２でも＋側に大きくなりすぎていた。開気
孔率が３％より大きい試料Ｎo.２１では誘電損失が６．
０×１０-4と大きいものであった。
【００２２】これに対して、上記以外の本発明の試料
は、１５００℃以下の温度で焼結していずれもＴｉＯ2
相を適量析出させることにより、τｆを−３０〜＋３０
ｐｐｍ／℃の範囲で制御できることがわかる。また、本
発明の試料は、いずれも誘電損失５×１０-4以下、比誘
電率１１以上の特性を有するものであった。
は、１５００℃以下の温度で焼結していずれもＴｉＯ2
相を適量析出させることにより、τｆを−３０〜＋３０
ｐｐｍ／℃の範囲で制御できることがわかる。また、本
発明の試料は、いずれも誘電損失５×１０-4以下、比誘
電率１１以上の特性を有するものであった。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系材料において、高周波領域での誘
電損失が低く、｜τｆ｜を３０ｐｐｍ／℃以下に制御で
きる材料を提供できる。これにより、誘電体共振器、マ
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用できる。
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系材料において、高周波領域での誘
電損失が低く、｜τｆ｜を３０ｐｐｍ／℃以下に制御で
きる材料を提供できる。これにより、誘電体共振器、マ
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/10
Claims (1)
- 【請求項１】Ａｌを酸化物換算で７８〜９６体積％と、
Ｔｉを酸化物換算で４〜２２体積％とからなり、Ａｌ2
Ｏ3 （コランダム）結晶相を主相とし、ＴｉＯ2 （ルチ
ル）相を４〜１４体積％の割合で含有するとともに、開
気孔率が３％以下、測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電
損失（ｔａｎδ）が５×１０-4以下、共振周波数の２５
〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐ
ｍ／℃以下であることを特徴とする高周波用アルミナ質
焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10550196A JP3311928B2 (ja) | 1995-12-13 | 1996-04-25 | 高周波用アルミナ質焼結体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32468495 | 1995-12-13 | ||
| JP7-324684 | 1995-12-13 | ||
| JP10550196A JP3311928B2 (ja) | 1995-12-13 | 1996-04-25 | 高周波用アルミナ質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09221355A JPH09221355A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3311928B2 true JP3311928B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=26445775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10550196A Expired - Fee Related JP3311928B2 (ja) | 1995-12-13 | 1996-04-25 | 高周波用アルミナ質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3311928B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1996
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