JP3310132B2 - Surface acoustic wave device and antenna duplexer using the same - Google Patents
Surface acoustic wave device and antenna duplexer using the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波共振子とイ
ンダクタンス素子とで構成された弾性表面波装置及びこ
の弾性表面波装置を備えたアンテナ分波器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device comprising a surface acoustic wave resonator and an inductance element, and an antenna duplexer provided with the surface acoustic wave device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、極めて大量に生産さ
れているＬＳＩ（大規模集積回路）と同様に、フォトリ
ソグラフィ技術を応用して製造可能であるので、その量
産性に優れていることから、民生機器や通信機器等で広
範に使用されている。特に、最近では弾性表面波装置の
小形かつ軽量という特徴を活かした応用として、ポケッ
トベル、携帯電話等の移動体通信において、高周波フィ
ルタとして使用されることが多い。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device can be manufactured by applying photolithography technology, as in the case of an LSI (Large Scale Integrated Circuit) which is manufactured in a very large amount, and therefore has excellent mass productivity. Therefore, it is widely used in consumer devices and communication devices. In particular, recently, as an application taking advantage of the small size and light weight of the surface acoustic wave device, it is often used as a high frequency filter in mobile communication such as a pager or a mobile phone.
【０００３】上記移動体通信で使用される弾性表面波装
置は、特に低損失で急峻な周波数特性が要求されるの
で、ＩＩＤＴ（Interdigitated Interdigital Transduc
ers)型フィルタや弾性表面波共振子を使用して構成され
ている。[0003] The surface acoustic wave device used in the above-mentioned mobile communication is required to have particularly low loss and steep frequency characteristics. Therefore, an IIDT (Interdigitated Interdigital Transducer) is required.
(ers) type filter and a surface acoustic wave resonator.
【０００４】上記のような弾性表面波共振子を使用して
構成した弾性表面波装置の例として、電子情報通信学会
技術研究報告、ＵＳ９２−５２（１９９２−０９）、第
９頁〜１６頁に記載された技術がある。この技術は、梯
子型フィルタの直列、並列素子に弾性表面波共振子を用
いて、帯域通過型フィルタを構成するものである。ま
た、上記弾性表面波装置に関連した技術として、特開平
６−６９７５０号公報に記載の技術がある。[0004] As an example of a surface acoustic wave device using the above-described surface acoustic wave resonator, see IEICE Technical Report, US92-52 (1992-09), pp. 9-16. There are techniques described. In this technique, a bandpass filter is configured using a surface acoustic wave resonator as a series or parallel element of a ladder type filter. As a technique related to the surface acoustic wave device, there is a technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-69750.
【０００５】また、他の技術としては、エレクトロニク
スレター、１９８５年、２１巻、２５／２６号、第１２
１１〜１２１２頁（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴ
ＥＲＳ ５ｔｈ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８５，Ｖｏ
ｌ．２１，Ｎｏ．２５／２６，ｐｐ．１２１１〜１２１
２）に記載のように、梯子型フィルタの直列素子にイン
ダクタンスを、並列素子に弾性表面波共振子を用いて、
フィルタを構成する技術がある。[0005] Another technique is disclosed in Electronics Letter, Vol. 21, No. 25/26, 1985, Vol.
11-1212 pages (ELECTRONICS LETT
ERS 5th December 1985, Vo
l. 21, No. 25/26, pp. 1211-121
As described in 2), by using an inductance for the series element of the ladder-type filter and using a surface acoustic wave resonator for the parallel element,
There are techniques for configuring filters.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した弾
性表面波装置は、一開口弾性表面波共振子、インダクタ
ンス素子、パッケージ、これらを電気的に接続する配線
ワイヤ等で構成され、例えば、梯子型フィルタの直列素
子に２つのインダクタンス素子を、また並列素子に弾性
表面波共振子を使用して低域通過型フィルタが構成され
る。The above-described surface acoustic wave device comprises a single-opening surface acoustic wave resonator, an inductance element, a package, and wiring wires for electrically connecting these elements. A low-pass filter is formed by using two inductance elements as a series element of the filter and a surface acoustic wave resonator as a parallel element.
【０００７】一開口弾性表面波共振子は、ＬｉＮｂＯ
3、ＬｉＴａＯ3等の圧電性基板の上にすだれ状電極、つ
まり、複数の電極指が形成されたくし状電極が形成され
て構成されている。[0007] One aperture surface acoustic wave resonator is LiNbO.
3. An interdigital electrode, that is, a comb-like electrode having a plurality of electrode fingers formed thereon is formed on a piezoelectric substrate such as LiTaO3.
【０００８】また、インダクタンス素子は、セラミッ
ク、ガラス、有機材料等の誘電体基板の上に、メッキに
よりマイクロストリップ線路を形成して構成される。一
般的には、上記の弾性表面波共振子とインダクタンス素
子は、要求される周波数特性に応じて、梯子形構造に任
意に直列および並列に組み合わされ、所望のフィルタと
して動作するよう構成される。The inductance element is formed by forming a microstrip line by plating on a dielectric substrate made of ceramic, glass, organic material or the like. In general, the surface acoustic wave resonator and the inductance element described above are arbitrarily combined in series and parallel with a ladder-shaped structure according to required frequency characteristics, and are configured to operate as a desired filter.
【０００９】上述した構成では、通過帯域に阻止帯域を
有する低域通過型特性の弾性表面波装置を構成すること
ができる。阻止帯域と高周波域の減衰量は、梯子型フィ
ルタの段数を増すことで増加することができ、要求され
る特性により、適当な段数が選択される。With the above configuration, a surface acoustic wave device having a low-pass characteristic having a stop band in the pass band can be formed. The amount of attenuation in the stop band and the high frequency band can be increased by increasing the number of stages of the ladder filter, and an appropriate number of stages is selected according to required characteristics.
【００１０】弾性表面波装置の応用の一つとして、携帯
電話のアンテナ分波器がある。アンテナ分波器は、送信
側の弾性表面波装置と受信側の弾性表面波装置が並接さ
れて構成され、送信機からの送信信号をアンテナへ、ま
たアンテナからの受信信号を受信機へ分波伝送する働き
をする。送信電力、受信感度等から使用される弾性表面
波装置には、特に低損失であることが要求される。As one of the applications of the surface acoustic wave device, there is an antenna duplexer of a mobile phone. The antenna duplexer has a configuration in which a transmitting surface acoustic wave device and a receiving surface acoustic wave device are juxtaposed, and separates a transmission signal from a transmitter to an antenna and a reception signal from the antenna to a receiver. Works to transmit waves. A surface acoustic wave device used for transmission power, reception sensitivity and the like is required to have particularly low loss.
【００１１】上記弾性表面波装置の損失には、使用する
インダクタンス素子のインダクタンス値、Ｑ、弾性表面
波共振子の静電容量、コンダクタンス値などが関係し、
これらの値が適正になるように、設計することが重要で
ある。The loss of the surface acoustic wave device is related to the inductance value and Q of the used inductance element, the capacitance of the surface acoustic wave resonator, the conductance value, and the like.
It is important to design these values to be appropriate.
【００１２】例えば、図２０に周波数特性を示した低域
通過型の周波数特性を有する弾性表面波装置の場合、通
過帯域と阻止帯域は、それぞれ同図に示したＴｘ、Ｒｘ
であり、弾性表面波共振子のコンダクタンスは、図２１
に示した周波数特性を示し、阻止帯域Ｒｘは共振周波数
近傍に相当し、通過帯域Ｔｘは共振周波数から離れた高
周波数側に位置する。従って、阻止帯域ではコンダクタ
ンスは大きな値となり、一方、通過帯域では、コンダク
タンスは小さな値となる。For example, in the case of a surface acoustic wave device having a low-pass type frequency characteristic whose frequency characteristic is shown in FIG. 20, the pass band and the stop band are Tx and Rx shown in FIG.
And the conductance of the surface acoustic wave resonator is as shown in FIG.
The stop band Rx corresponds to the vicinity of the resonance frequency, and the pass band Tx is located on the high frequency side away from the resonance frequency. Therefore, the conductance has a large value in the stop band, while the conductance has a small value in the pass band.
【００１３】弾性表面波装置の通過損失の低減には、弾
性表面波共振子のコンダクタンスを小さくすることが必
要であるが、通過帯域Ｔｘにおけるコンダクタンスを零
にすることはできない。これは、弾性表面波共振子にお
いて、共振周波数では表面波が主として励振されるが、
通過帯域に相当する周波数では、バルクモードの弾性波
が励振され、このため共振周波数から離れているにもか
かわらず、あるコンダクタンスを有するからである。In order to reduce the transmission loss of the surface acoustic wave device, it is necessary to reduce the conductance of the surface acoustic wave resonator. However, the conductance in the pass band Tx cannot be reduced to zero. This is because surface acoustic waves are mainly excited at the resonance frequency in a surface acoustic wave resonator,
At a frequency corresponding to the pass band, bulk mode elastic waves are excited, and thus have a certain conductance despite being away from the resonance frequency.
【００１４】上記コンダクタンスの値は、圧電性基板材
料、すだれ状電極の開口長および電極対数などによって
決まり、通過損失以外の周波数特性の仕様も考慮して、
最適な設計が行われる。The value of the conductance is determined by the material of the piezoelectric substrate, the opening length of the IDT, the number of electrode pairs, and the like.
Optimal design is performed.
【００１５】従来、上記弾性表面波装置には、圧電性基
板上に多数対のすだれ状電極が形成された弾性表面波共
振子が使用されている。つまり、幅Ｌの複数の電極指が
互いに間隔３Ｌを有して形成された２つのくし状電極が
あり、これら２つのくし状電極の互いの電極指が交互に
配置され、隣接する電極指と電極指との間隔がＬ（電極
ピッチ２Ｌ）となるように構成された弾性表面波共振子
が使用されている。Conventionally, the above-described surface acoustic wave device uses a surface acoustic wave resonator in which a large number of pairs of interdigital electrodes are formed on a piezoelectric substrate. That is, there are two comb-shaped electrodes in which a plurality of electrode fingers having a width L are formed with an interval of 3 L between each other, and the two electrode fingers of these two comb-shaped electrodes are alternately arranged, and the adjacent electrode fingers are A surface acoustic wave resonator configured so that the distance from the electrode finger is L (electrode pitch is 2L) is used.
【００１６】ところが、弾性表面波共振子は、上述した
ように、均一な電極ピッチ２Ｌで形成されたすだれ状電
極で構成されており、このような電極設計では、通過域
におけるコンダクタンス値を、小さく設計することは限
界に達しており、弾性表面波装置の一層の損失低減が困
難であった。However, as described above, the surface acoustic wave resonator is composed of interdigital electrodes formed with a uniform electrode pitch of 2 L. In such an electrode design, the conductance value in the pass band is reduced. The design has reached its limit, and it has been difficult to further reduce the loss of the surface acoustic wave device.
【００１７】通過損失の低減は、上記の例として取り上
げた低域通過型の弾性表面波装置だけでなく、弾性表面
波共振子とインダクタンス素子で構成した帯域通過型の
周波数特性を有する弾性表面波装置の場合についても、
同様に問題となる。The pass loss can be reduced not only by the low-pass type surface acoustic wave device described above, but also by a band-pass type surface acoustic wave comprising a surface acoustic wave resonator and an inductance element. For the device,
It is also a problem.
【００１８】本発明の目的は、通過帯域におけるコンダ
クタンス値を低減し、送信電力の低減及び受信感度の向
上が可能な弾性表面波装置及びそれを用いたアンテナ分
波器を実現することである。An object of the present invention is to realize a surface acoustic wave device capable of reducing the conductance value in a pass band, reducing transmission power and improving reception sensitivity, and an antenna duplexer using the same.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次のように構成される。複数の電極指を有
する第１のくし状電極と、この第１のくし状電極の複数
の電極指のそれぞれと交互に配置される複数の電極指を
有する第２のくし状電極とを、少なくとも有し、これら
第１及び第２のくし状電極が圧電性基板上に形成された
弾性表面波共振子と、誘電体基板にマイクロストリップ
線路が形成されたインダクタンス素子とで構成された梯
子型フィルタ構造の弾性表面波装置において、上記第１
のくし状電極の複数の電極指の一つの電極指から隣接す
る第２のくし状電極の電極指までの電極ピッチは、互い
に異なる第１の電極ピッチと、第２の電極ピッチと、第
３の電極ピッチとのいずれかに設定されるとともに、上
記第２のくし状電極の複数の電極指の一つの電極指か
ら、隣接する第１のくし状電極の電極指までの電極ピッ
チは、上記第１の電極ピッチと、第２の電極ピッチと、
第３の電極ピッチとのいずれかに設定され、これら第１
の電極ピッチと、第２の電極ピッチと、第３の電極ピッ
チとを所定の順序で周期的に有して、上記第１の電極の
電極指と第２の電極の電極指とが配置されている。The present invention is configured as follows to achieve the above object. A first comb-shaped electrodes having a plurality of electrode fingers, and a second comb-shaped electrodes having a plurality of electrode fingers which are arranged alternately with each of the plurality of electrode fingers of the first comb electrode, at least A ladder filter comprising a surface acoustic wave resonator in which the first and second comb-shaped electrodes are formed on a piezoelectric substrate, and an inductance element in which a microstrip line is formed on a dielectric substrate. In the surface acoustic wave device having a structure, the first
A plurality of electrode fingers of a comb-shaped electrode
The electrode pitch of the second comb-shaped electrode up to the electrode finger
The first electrode pitch, the second electrode pitch, and the second
3 and the electrode pitch
One of the plurality of electrode fingers of the second comb-shaped electrode;
From the electrode fingers of the adjacent first comb-shaped electrode.
H, the first electrode pitch, the second electrode pitch,
The first electrode pitch is set to any of the third electrode pitches.
Electrode pitch, the second electrode pitch, and the third electrode pitch.
And the first electrode of the first electrode periodically in a predetermined order.
The electrode finger and the electrode finger of the second electrode are arranged.
【００２０】複数の電極指を有する第１のくし状電極
と、この第１のくし状電極の複数の電極指のそれぞれと
交互に配置される複数の電極指を有する第２のくし状電
極とを、少なくとも有し、これら第１及び第２のくし状
電極が圧電性基板上に形成された弾性表面波共振子と、
誘電体基板にマイクロストリップ線路が形成されたイン
ダクタンス素子とで構成された梯子型フィルタ構造の弾
性表面波装置において、上記第１のくし状電極の複数の
電極指の一つの電極指から隣接する第２のくし状電極の
電極指までの電極ピッチは、互いに異なる第１の電極ピ
ッチと第２の電極ピッチとのいずれかに設定されるとと
もに、上記第２のくし状電極の複数の電極指の一つの電
極指から、隣接する第１のくし状電極の電極指までの電
極ピッチは、上記第１の電極ピッチと、第２の電極ピッ
チとのいずれかに設定され、上記第１の電極ピッチが２
回連続した次に、第２の電極ピッチが１回となる順序で
これら電極ピッチを周期的に有して、上記第１の電極の
電極指と第２の電極の電極指とが配置されている。A first comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers
And each of the plurality of electrode fingers of the first comb-shaped electrode
A second comb-like electrode having a plurality of electrode fingers arranged alternately
And at least a first comb and a second comb.
A surface acoustic wave resonator having electrodes formed on a piezoelectric substrate,
Insulation with microstrip line formed on dielectric substrate
Ladder type filter structure composed of a ductance element
In the surface acoustic wave device, a plurality of the first comb-shaped electrodes are provided.
From one electrode finger of an electrode finger to an adjacent second comb electrode
The electrode pitch up to the electrode finger is different from the first electrode pitch.
And the second electrode pitch
In addition, one electrode of the plurality of electrode fingers of the second comb-shaped electrode is used.
From the extreme finger to the electrode finger of the adjacent first comb-shaped electrode.
The pole pitch is defined by the first electrode pitch and the second electrode pitch.
And the first electrode pitch is 2
Times, then in the order that the second electrode pitch is once
Having these electrode pitches periodically, the first electrode
The electrode finger and the electrode finger of the second electrode are arranged .
【００２１】複数の電極指を有する第１のくし状電極
と、この第１のくし状電極の複数の電極指のそれぞれと
交互に配置される複数の電極指を有する第２のくし状電
極とを、少なくとも有し、これら第１及び第２のくし状
電極が圧電性基板上に形成された弾性表面波共振子と、
誘電体基板にマイクロストリップ線路が形成されたイン
ダクタンス素子とで構成された梯子型フィルタ構造の弾
性表面波装置において、 上記第１のくし状電極の複数の
電極指の一つの電極指から隣接する第２のくし状電極の
電極指までの電極ピッチは、互いに異なる第１の電極ピ
ッチと第２の電極ピッチとのいずれかに設定されるとと
もに、上記第２のくし状電極の複数の電極指の一つの電
極指から、隣接する第１のくし状電極の電極指までの電
極ピッチは、上記第１の電極ピッチと、第２の電極ピッ
チとのいずれかに設定され、上記第１の電極ピッチが３
回連続した次に、第２の電極ピッチが１回となる順序で
これら電極ピッチを周期的に有して、上記第１の電極の
電極指と第２の電極の電極指とが配置されている。A first comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers
And each of the plurality of electrode fingers of the first comb-shaped electrode
A second comb-like electrode having a plurality of electrode fingers arranged alternately
And at least a first comb and a second comb.
A surface acoustic wave resonator having electrodes formed on a piezoelectric substrate,
Insulation with microstrip line formed on dielectric substrate
Ladder type filter structure composed of a ductance element
In the surface acoustic wave device, a plurality of the first comb-shaped electrodes are provided.
From one electrode finger of an electrode finger to an adjacent second comb electrode
The electrode pitch up to the electrode finger is different from the first electrode pitch.
And the second electrode pitch
In addition, one electrode of the plurality of electrode fingers of the second comb-shaped electrode is used.
From the extreme finger to the electrode finger of the adjacent first comb-shaped electrode.
The pole pitch is defined by the first electrode pitch and the second electrode pitch.
And the first electrode pitch is 3
Times, then in the order that the second electrode pitch is once
Having these electrode pitches periodically, the first electrode
The electrode finger and the electrode finger of the second electrode are arranged.
【００２２】また、好ましくは。上記弾性表面波装置に
おいて、複数の異なる電極ピッチは、互いに０．１μｍ
以上の差を有する。また、アンテナ分波器において、上
記弾性表面波装置を、受信用フィルタ及び送信用フィル
タとして使用する。Also preferably. In the above surface acoustic wave device, the plurality of different electrode pitches are 0.1 μm
It has the above difference. In the antenna duplexer, the surface acoustic wave device is used as a reception filter and a transmission filter.
【００２３】[0023]
【作用】弾性表面波共振子において、第１の電極の電極
指と第２の電極の電極指とが複数の電極ピッチを有する
場合、従来のように均一な電極ピッチで形成された場合
に比べ、同じ電極開口長、かつ同じ電極対数であって
も、共振周波数から離れた周波数における放射コンダク
タンスは小さな値となる。In the surface acoustic wave resonator, when the electrode fingers of the first electrode and the electrode fingers of the second electrode have a plurality of electrode pitches, compared with the case where the electrode fingers are formed with a uniform electrode pitch as in the conventional case. Even if the electrode opening length is the same and the number of electrode pairs is the same, the radiation conductance at a frequency apart from the resonance frequency has a small value.
【００２４】したがって、本発明が係わる弾性表面波装
置を構成するのに重要な、弾性表面波共振子の静電容量
の値を従来と同一に設計しても、従来の弾性表面波装置
に比べ、通過帯域の損失を低減することができる。Therefore, even if the value of the capacitance of the surface acoustic wave resonator, which is important for constituting the surface acoustic wave device according to the present invention, is designed to be the same as that of the conventional surface acoustic wave device, it is compared with the conventional surface acoustic wave device. , The loss in the pass band can be reduced.
【００２５】弾性表面共振子の電極から放射されるバル
ク波の放射特性は、電極の各波源の放射特性と各波源の
周期的配置、つまり、電極のピッチが重要である。バル
ク波は、波源から表面に対して角度θで基板内部に向か
って伝播する波として表される。The radiation characteristics of the bulk wave radiated from the electrodes of the surface acoustic wave resonator are important for the radiation characteristics of each wave source of the electrode and the periodic arrangement of each wave source, that is, the pitch of the electrodes. Bulk waves are represented as waves propagating from the source to the interior of the substrate at an angle θ relative to the surface.
【００２６】多数の波源がある場合、表面波と同様に、
バルク波についても位相が等しくなる条件では、強く放
射されることになる。したがって、電極が複数の異なる
電極ピッチで配置されている場合の放射特性と、電極の
ピッチが等しい場合の放射特性とは異なることが予想で
きる。When there are many wave sources, like the surface wave,
Under the condition that the phase of the bulk wave is also equal, the bulk wave is radiated strongly. Therefore, it can be expected that the radiation characteristics when the electrodes are arranged at a plurality of different electrode pitches are different from the radiation characteristics when the electrode pitches are equal.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図１は、本発明の第１の実施例である弾性表
面波装置を構成する弾性表面波共振子の構成を示す図で
あり、圧電性基板６の上にすだれ状電極７が形成されて
いる。また、図２は、図１に示した弾性表面波共振子を
用いた弾性表面波装置の外観図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention, in which an interdigital electrode 7 is formed on a piezoelectric substrate 6. . FIG. 2 is an external view of a surface acoustic wave device using the surface acoustic wave resonator shown in FIG.
【００２８】図２において、弾性表面波共振子１は、Ｌ
ｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3等の圧電性基板６の表面に、ア
ルミニウム薄膜又はアルミニウム合金薄膜からなる多数
対のすだれ状電極が形成され構成される。インダクタン
ス素子２は、セラミック、ガラスあるいは有機材料等の
誘電体基板に、メッキ銅膜によるマイクロストリップ線
路が形成され、さらに表面保護膜と配線接続用のボンデ
ィングパッドが形成され、構成される。In FIG. 2, the surface acoustic wave resonator 1 has an L
A large number of pairs of interdigital electrodes made of an aluminum thin film or an aluminum alloy thin film are formed on the surface of a piezoelectric substrate 6 such as iNbO 3 or LiTaO 3 . The inductance element 2 is formed by forming a microstrip line of a plated copper film on a dielectric substrate such as ceramic, glass or an organic material, and further forming a surface protection film and a bonding pad for wiring connection.
【００２９】圧電性基板及び誘電性基板の各素子基板
は、パッケージ３に接着され、配線ワイヤ４で相互に接
続されるとともに、パッケージ３の端子５と接続され
る。なお、図２に示した例は、パッケージ３内部の状態
が分かるように、パッケージ３の蓋を取り去った状態を
示している。Each element substrate of the piezoelectric substrate and the dielectric substrate is bonded to the package 3, connected to each other by wiring wires 4, and connected to terminals 5 of the package 3. Note that the example shown in FIG. 2 shows a state where the lid of the package 3 is removed so that the state inside the package 3 can be understood.
【００３０】同図の弾性表面波装置は、低域通過型のフ
ィルタ特性が得られるように、梯子型フィルタの直列素
子にインダクタンス素子２を、並列素子に弾性表面波共
振子１を使用して構成されている。The surface acoustic wave device shown in FIG. 1 uses an inductance element 2 as a series element and a surface acoustic wave resonator 1 as a parallel element of a ladder-type filter so as to obtain a low-pass filter characteristic. It is configured.
【００３１】次に、図１において、すだれ状電極７は、
一対のくし状電極７０及び７１を有している。くし状電
極７０には、幅Ｌ1の複数の電極指７０ａ〜７０ｉが形
成されている。そして、これら電極指７０ａ〜７０ｉの
ピッチはＰ1＋Ｐ2であり、間隔はＰ1＋Ｐ2−Ｌ1となっ
ている。ただし、Ｐ1はＰ2より小である。また、くし状
電極７１には、幅Ｌ2の複数の電極指７１ａ〜７１ｈが
形成されている。これら電極指７１ａ〜７１ｈのピッチ
はＰ1＋Ｐ2であり、間隔はＰ1＋Ｐ2−Ｌ2となってい
る。ただし、Ｌ2はＬ1より大である。Next, in FIG. 1, the IDTs 7
It has a pair of comb electrodes 70 and 71. The comb-shaped electrodes 70, a plurality of electrode fingers 70a~70i width L 1 is formed. Then, the pitch of the electrodes fingers 70a~70i is P 1 + P 2, the interval has a P 1 + P 2 -L 1. However, P 1 is smaller than P 2. Further, the comb-shaped electrodes 71, a plurality of electrode fingers 71a~71h width L 2 is formed. Pitch of electrode fingers 71a~71h is P 1 + P 2, the interval has a P 1 + P 2 -L 2. However, L 2 is greater than L 1.
【００３２】そして、くし状電極７０の電極指７０ａ〜
７０ｉと、くし状電極７１の電極指７１ａ〜７１ｈと
は、互いに交互となるように配置され、電極指７０ａと
７１ａとのピッチはＰ1、電極指７１ａと電極指７０ｂ
とのピッチはＰ2となっている。また、電極指７０ｂと
７１ｂとのピッチはＰ1、電極指７１ｂと電極指７０ｃ
とのピッチはＰ2となっている。以降、同様に、ピッチ
Ｐ1とＰ2とが交互となるようにくし状電極７０の電極指
とくし状電極７１の電極指とが配置される。The electrode fingers 70a to 70c of the comb-shaped electrode 70
And 70 i, the electrode fingers 71a~71h of the comb-shaped electrodes 71 are arranged so as to alternate with one another, the pitch between the electrode fingers 70a and 71a is P 1, the electrode fingers 71a and the electrode fingers 70b
Pitch and has a P 2. The pitch between the electrode fingers 70b and 71b are P 1, the electrode fingers 71b and the electrode finger 70c
Pitch and has a P 2. Thereafter, similarly, the electrode fingers of the comb-shaped electrode 70 and the electrode fingers of the comb-shaped electrode 71 are arranged such that the pitches P 1 and P 2 are alternated.
【００３３】上記図１の例に対して、従来のすだれ状電
極１０の構成例を図１９に示す。図１９において、すだ
れ状電極１０は、一対のくし状電極１００及び１１０を
有している。くし状電極１００には、幅Ｌの複数の電極
指１００ａ〜１００ｉが形成されている。そして、これ
ら電極指１００ａ〜１００ｉのピッチは、２Ｐとなって
いる。FIG. 19 shows an example of the configuration of a conventional IDT 10 in comparison with the example shown in FIG. In FIG. 19, the IDT 10 has a pair of IDTs 100 and 110. On the comb-shaped electrode 100, a plurality of electrode fingers 100a to 100i having a width L are formed. The pitch between the electrode fingers 100a to 100i is 2P.
【００３４】また、くし状電極１１０には、幅Ｌの複数
の電極指１１０ａ〜１１０ｈが形成されている。これら
電極指１１０ａ〜１１０ｈのピッチは、２Ｐとなってい
る。そして、くし状電極１００の電極指１００ａ〜１０
０ｉと、くし状電極１１０の電極指１１０ａ〜１１０ｈ
とは、互いに交互となるように配置され、電極指１００
ａと１１０ａとのピッチはＰ、電極指１１０ａと電極指
１００ｂとのピッチは、同じくＰとなっている。以降、
同様に、くし状電極１００の電極指とくし状電極１１０
の電極指とは、ピッチがＰとなるように配置される。The comb electrode 110 has a plurality of electrode fingers 110a to 110h having a width L. The pitch between these electrode fingers 110a to 110h is 2P. Then, the electrode fingers 100a to 100a to 10
0i and the electrode fingers 110a to 110h of the comb-shaped electrode 110
Are arranged alternately with each other, and the electrode fingers 100
The pitch between a and 110a is P, and the pitch between electrode fingers 110a and 100b is P. Or later,
Similarly, the electrode fingers of the comb electrode 100 and the comb electrodes 110
Are arranged such that the pitch is P.
【００３５】次に、図１の例と図１９の例との特性を比
較して説明する。図３は、波源を線状波源と仮定した場
合の図１の例におけるバルク波放射の説明図、図４は、
同様に、図１９の例におけるバルク波放射の説明図であ
る。Next, the characteristics of the example of FIG. 1 and the example of FIG. 19 will be described in comparison. FIG. 3 is an explanatory diagram of bulk wave radiation in the example of FIG. 1 when the wave source is assumed to be a linear wave source, and FIG.
Similarly, FIG. 20 is an explanatory diagram of bulk wave radiation in the example of FIG. 19.
【００３６】すだれ状電極から放射されるバルク波の放
射特性は、すだれ状電極の各波源の放射特性と各波源の
周期的配置で決まる。一つの波源の放射特性は、主に圧
電性基板によって決まる。弾性表面波装置の場合、所望
のフィルタ特性を得るには損失の点から、通過帯域にお
けるバルク波放射が小さいことが必要である。このた
め、使用する圧電性基板としては、３６°Ｙ−Ｘ Ｌｉ
ＴａＯ3は、バルク波放射が大きく不適当であり、１２
８°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3が、この点で適する。The radiation characteristic of the bulk wave radiated from the interdigital transducer is determined by the radiation characteristic of each wave source of the interdigital transducer and the periodic arrangement of each wave source. The radiation characteristics of one wave source are mainly determined by the piezoelectric substrate. In the case of a surface acoustic wave device, in order to obtain a desired filter characteristic, it is necessary that the bulk wave radiation in the pass band be small in terms of loss. For this reason, as the piezoelectric substrate to be used, 36 ° YX Li
TaO 3 has a large unsuitable bulk wave emission,
8 ° YX LiNbO 3 is suitable in this regard.
【００３７】基板材料と同様に、複数の波源の周期的配
置、つまり、すだれ状電極のピッチも重要な点である。
バルク波は、波源から表面に対して角度θで基板内部に
向かって伝播する波として表される。As in the case of the substrate material, the periodic arrangement of the plurality of wave sources, that is, the pitch of the interdigital electrodes is also important.
Bulk waves are represented as waves propagating from the source to the interior of the substrate at an angle θ relative to the surface.
【００３８】多数の波源がある場合、表面波と同様に、
バルク波についても位相が等しくなる条件では、強く放
射されることになる。従って、電極のピッチがＰ1とＰ2
との交互となる図３の例の放射特性と、電極のピッチが
等しくＰとなる図４の例の放射特性とは異なることが予
想できる。When there are many wave sources, like the surface wave,
Under the condition that the phase of the bulk wave is also equal, the bulk wave is radiated strongly. Therefore, if the electrode pitch is P 1 and P 2
It can be expected that the radiation characteristic of the example of FIG. 3 in which the pattern is alternated with the radiation characteristic of the example of FIG.
【００３９】図５は、中心周波数ｆcが８２０ＭＨｚの
場合の、図１に示した例と、図１９に示した例とのバル
ク波放射コンダクタンス特性の計算結果を示すグラフで
ある。なお、図５において、縦軸はバルク波放射コンダ
クタンスを示し、横軸は周波数を示す。そして、破線１
２が従来例であり実線１１が本発明の例を示す。[0039] Figure 5, when the center frequency f c is 820 MHz, which is a graph showing the example shown in FIG. 1, the calculation result of the bulk wave radiation conductance characteristic of the example shown in FIG. 19. In FIG. 5, the vertical axis indicates the bulk wave radiation conductance, and the horizontal axis indicates the frequency. And dashed line 1
2 shows a conventional example, and a solid line 11 shows an example of the present invention.
【００４０】図５に示すように、本発明の例１１の場
合、従来例１２と比較して、バルク波の放射コンダクタ
ンスのピークが、低周波側にずれ、高周波側の放射コン
ダクタンスの値は、同一周波数において、小さな値とな
っていることが分かる。As shown in FIG. 5, in the case of the eleventh embodiment of the present invention, the peak of the radiation conductance of the bulk wave is shifted to the low frequency side and the value of the radiation conductance on the high frequency side is smaller than that of the conventional example 12. It can be seen that the value is small at the same frequency.
【００４１】また、励起される表面波の中心周波数をｆ
c、音速をｖとすると、従来例の場合には、中心周波数
ｆc＝ｖ／（２Ｐ）となり、本発明の例の場合には、中
心周波数ｆc≒ｖ（１／（２Ｐ1）＋１／（２Ｐ2））／
４となる。つまり、本発明の例のように、２つの電極ピ
ッチですだれ状電極を構成しても、従来例と同様な中心
周波数で、表面波を励振することも可能である。The center frequency of the surface wave to be excited is represented by f
c, when the sound velocity v, in the case of the conventional example, the center frequency f c = v / (2P), and the in the case of the embodiment of the present invention, the center frequency f c ≒ v (1 / ( 2P 1) +1 / (2P 2 )) /
It becomes 4. That is, even if the interdigital transducers are configured with two electrode pitches as in the example of the present invention, it is possible to excite a surface wave at the same center frequency as in the conventional example.
【００４２】図６は、弾性表面波共振子のコンダクタン
ス特性で、共振周波数から離れた通過帯域Ｔｘでのコン
ダクタンス値を、従来例と本発明の例とについて比較し
て示したグラフである。同図において、横軸にはすだれ
状電極のメタライゼーション・レシオαをとっており、
電極指のライン幅をＬ、Ｌ1、Ｌ2とすると、従来例の場
合Ｌ＝α・Ｐ、本発明の例の場合Ｌ1＝α・Ｐ1、Ｌ2＝
α・Ｐ2である。FIG. 6 is a graph showing the conductance characteristics of the surface acoustic wave resonator in a passband Tx apart from the resonance frequency in comparison with the conventional example and the example of the present invention. In the figure, the horizontal axis represents the metallization ratio α of the interdigital transducer,
Assuming that the line widths of the electrode fingers are L, L 1 , and L 2 , L = α · P in the conventional example and L 1 = α · P 1 and L 2 = in the example of the present invention.
α · P 2 .
【００４３】具体的には、Ｐ＝２．３５μｍ、Ｐ1＝
２．３μｍ、Ｐ2＝２．４μｍである。通過帯域Ｔｘ
は、９４０〜９５６ＭＨｚで、図のコンダクタンス値は
９５０ＭＨｚでの値である。圧電性基板は１２８°Ｙ−
Ｘ ＬｉＮｂＯ3基板を使用し、電極材料はアルミニウ
ム薄膜である。そして、１３は従来例を示し、１４は本
発明の例を示す。Specifically, P = 2.35 μm, P 1 =
2.3 μm, P 2 = 2.4 μm. Passband Tx
Is 940 to 956 MHz, and the conductance value in the figure is a value at 950 MHz. 128 ° Y-
An X LiNbO 3 substrate was used, and the electrode material was an aluminum thin film. 13 shows a conventional example, and 14 shows an example of the present invention.
【００４４】図６において、メタライゼーション・レシ
オに対して両者は同様の傾向を示しているが、同じメタ
ライゼーション・レシオでは、本発明の例１４の方が従
来例１３よりも、小さなコンダクタンス値が得られてい
る。これにより、上記の本発明の例による弾性表面波共
振子を使用して、図２に示した弾性表面波装置を構成し
た場合、通過帯域の損失を、約０．１ｄＢ改善すること
ができた。ここで、弾性表面波共振子とインダクタンス
素子で構成した弾性表面波装置の構成において重要な点
は、使用する弾性表面波共振子の共振周波数から離れた
周波数におけるコンダクタンスの値を小さくすることで
ある。In FIG. 6, both show the same tendency with respect to the metallization ratio, but with the same metallization ratio, the conductance value of Example 14 of the present invention is smaller than that of Conventional Example 13. Have been obtained. As a result, when the surface acoustic wave device shown in FIG. 2 is configured using the surface acoustic wave resonator according to the example of the present invention, the loss in the pass band can be improved by about 0.1 dB. . Here, an important point in the configuration of the surface acoustic wave device including the surface acoustic wave resonator and the inductance element is to reduce the value of the conductance at a frequency apart from the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator to be used. .
【００４５】以上のように、本発明の第１の実施例にお
いては、くし状電極７０の電極指とくし状電極７１の電
極指とのピッチが、交互にＰ1とＰ2（Ｐ1＜Ｐ2）となる
ように構成したので、通過帯域におけるコンダクタンス
値が低減し、送信電力の低減及び受信感度の向上が可能
な弾性表面波装置を実現することができる。As described above, in the first embodiment of the present invention, the pitch between the electrode finger of the comb electrode 70 and the electrode finger of the comb electrode 71 is alternately P 1 and P 2 (P 1 <P Since it is configured to satisfy 2 ), it is possible to realize a surface acoustic wave device capable of reducing the conductance value in the pass band and reducing the transmission power and improving the reception sensitivity.
【００４６】図７は、本発明の第２の実施例である弾性
表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す図
である。本実施例は、２種類の電極ピッチＰ1とＰ2とが
交互に配置されているのは第１の実施例と同じである
が、スペース幅ｓ1は電極ピッチに拘らず一定になるよ
うに形成してある。FIG. 7 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention. This embodiment is the same as the first embodiment in that two kinds of electrode pitches P 1 and P 2 are alternately arranged, but the space width s 1 is constant regardless of the electrode pitch. It is formed in.
【００４７】つまり、すだれ状電極１５は、一対のくし
状電極１５０及び１５１を有している。くし状電極１５
０には、幅Ｌ1の複数の電極指１５０ａ〜１５０ｉが形
成されている。そして、これら電極指１５０ａ〜１５０
ｉのピッチは、Ｐ1＋Ｐ2となっている。ただし、Ｐ1は
Ｐ2より小である。また、くし状電極１５１には、幅Ｌ3
の複数の電極指１５１ａ〜１５１ｈが形成されている。
これら電極指１５１ａ〜１５１ｈのピッチは、Ｐ1＋Ｐ2
となっている。ただし、Ｌ3はＬ1より大である。That is, the interdigital electrode 15 has a pair of interdigital electrodes 150 and 151. Comb electrode 15
0, the plurality of electrode fingers 150a~150i width L 1 is formed. And these electrode fingers 150a to 150
The pitch of i is P 1 + P 2 . However, P 1 is smaller than P 2. The comb-shaped electrode 151 has a width L 3
Are formed in the plurality of electrode fingers 151a to 151h.
The pitch of these electrode fingers 151a to 151h is P 1 + P 2
It has become. However, L 3 is greater than L 1.
【００４８】そして、くし状電極１５０の電極指１５０
ａ〜１５０ｉと、くし状電極１５１の電極指１５１ａ〜
１５１ｈとは、互いに交互となるように配置され、電極
指１５０ａと１５１ａとのピッチはＰ1、電極指１５１
ａと電極指１５０ｂとのピッチはＰ2となっている。以
降、同様に、くし状電極１５０の電極指とくし状電極１
５１の電極指とは、ピッチがＰ1とＰ2とが交互となるよ
うに配置される。また、くし状電極１５０の電極指と、
くし状電極１５１の電極指との間隔は、全てｓ1となっ
ている。The electrode finger 150 of the comb-like electrode 150
a to 150i and the electrode fingers 151a to 151b of the comb-shaped electrode 151.
151h are arranged alternately with each other, the pitch between the electrode fingers 150a and 151a is P 1 ,
pitch of the a and the electrode finger 150b has a P 2. Hereinafter, similarly, the electrode finger of the comb-like electrode 150 and the comb-like electrode 1
The 51 electrode fingers, the pitch is arranged so that the P 1 and P 2 becomes alternately. Further, an electrode finger of the comb-shaped electrode 150,
Distance between the electrode fingers of the comb-shaped electrodes 151 has become all s 1.
【００４９】以上のように、構成された第２の実施例に
おいても、上述した第１の実施例と同様な効果が得られ
る。また、この第２の実施例においては、くし状電極１
５０の電極指とくし状電極１５１の電極指との間隔は、
全てｓ1となっており、微細な電極パターン内で一定寸
法の部分があるので、フォトリソグラフィでのパターン
形成条件が緩和されることが期待でき、製作効率の向上
を図ることができる。As described above, also in the second embodiment configured as described above, effects similar to those of the above-described first embodiment can be obtained. In the second embodiment, the comb-shaped electrode 1
The distance between the 50 electrode fingers and the comb electrode 151 is
All has become s 1, since there is a portion of constant dimension in a fine electrode pattern, can be expected pattern formation condition in the photolithography is relaxed, it is possible to improve the production efficiency.
【００５０】図８は、本発明の第３の実施例である弾性
表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す図
である。本実施例においては、すだれ状電極１６のくし
状電極１６０及び１６１共に、電極指のライン幅は一定
の幅Ｌ4となるように形成してある。FIG. 8 is a view showing a structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, both comb-shaped electrodes 160 and 161 of the interdigital electrode 16, the line width of the electrode fingers is formed to have a constant width L 4.
【００５１】つまり、くし状電極１６０には、幅Ｌ4の
複数の電極指１６０ａ〜１６０ｉが形成されている。そ
して、これら電極指１６０ａ〜１６０ｉのピッチは、Ｐ
1＋Ｐ2となっている。ただし、Ｐ1はＰ2より小である。
また、くし状電極１６１には、幅Ｌ4の複数の電極指１
６１ａ〜１６１ｈが形成されている。これら電極指１６
１ａ〜１６１ｈのピッチは、Ｐ1＋Ｐ2となっている。[0051] That is, the comb-shaped electrodes 160, a plurality of electrode fingers 160a~160i width L 4 is formed. The pitch between these electrode fingers 160a to 160i is P
And it has a 1 + P 2. However, P 1 is smaller than P 2.
In addition, a plurality of electrode fingers 1 having a width L 4
61a to 161h are formed. These electrode fingers 16
Pitch of 1a~161h has a P 1 + P 2.
【００５２】そして、くし状電極１６０の電極指１６０
ａ〜１６０ｉと、くし状電極１６１の電極指１６１ａ〜
１６１ｈとは、互いに交互となるように配置され、電極
指１６０ａと１６１ａとのピッチはＰ1、電極指１６１
ａと電極指１６０ｂとのピッチはＰ2となっている。以
降、同様に、くし状電極１６０の電極指とくし状電極１
６１の電極指とは、ピッチがＰ1とＰ2とが交互となるよ
うに配置される。また、くし状電極１６１の電極指１６
１ａと、くし状電極１６０の電極指１６０ｂとの間隔は
ｓ2となっている。この間隔ｓ2は、電極指１６０ａと１
６１ａとの間隔より大である。以降の電極指についても
同様となっている。Then, the electrode finger 160 of the comb electrode 160
a to 160i and the electrode fingers 161a to 161a of the comb-shaped electrode 161.
161h are arranged alternately with each other, the pitch between the electrode fingers 160a and 161a is P 1 ,
pitch of the a and the electrode finger 160b has a P 2. Hereinafter, similarly, the electrode fingers of the comb-like electrode 160 and the comb-like electrode 1
The 61 electrode fingers, the pitch is arranged so that the P 1 and P 2 becomes alternately. Further, the electrode finger 16 of the comb-shaped electrode 161
And 1a, the interval between the electrode fingers 160b of the comb-shaped electrodes 160 has a s 2. This interval s 2 is between the electrode fingers 160a and 1
It is larger than the interval with 61a. The same applies to the subsequent electrode fingers.
【００５３】以上のように、構成された第３の実施例に
おいても、上述した第１の実施例と同様な効果が得られ
る。また、この第３の実施例においては、くし状電極１
６０の電極指の幅とくし状電極１６１の電極指幅とは、
全てＬ4となっており、上記第２の実施例と同様に、微
細な電極パターン内で一定寸法の部分があるので、フォ
トリソグラフィでのパターン形成条件が緩和されること
が期待でき、製作効率の向上化を図ることができる。As described above, also in the third embodiment configured as described above, effects similar to those of the above-described first embodiment can be obtained. In the third embodiment, the comb-shaped electrode 1
The width of the electrode finger 60 and the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 161 are:
All are L 4 , similar to the second embodiment, because there is a portion of a fixed size in the fine electrode pattern, so that pattern formation conditions in photolithography can be expected to be relaxed, and manufacturing efficiency can be reduced. Can be improved.
【００５４】図９は、本発明の第４の実施例である弾性
表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す図
である。本実施例は、２種類の電極ピッチが交互に配置
されたすだれ状電極が２つ直列に接続されて、１つの弾
性表面波共振子が構成されている。FIG. 9 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, two interdigital transducers in which two kinds of electrode pitches are alternately arranged are connected in series to form one surface acoustic wave resonator.
【００５５】つまり、すだれ状電極１７は、くし状電極
１７０、１７１、１７２を有しており、くし状電極１７
１は、くし状電極１７０の電極指と交互に配置される第
１の電極指部と、くし状電極１７２の電極指と交互に配
置される第２の電極指部とを有している。そして、第１
の電極指部の各電極指と、第２の電極指部の各電極指と
は、互いに反対側に形成されている。つまり、第１の電
極指部は、図の上方向に延びて形成され、第２の電極指
部は、図の下方向に延びて形成されている。That is, the interdigital electrode 17 has the interdigital electrodes 170, 171, and 172.
1 has a first electrode finger part alternately arranged with the electrode finger of the comb-shaped electrode 170, and a second electrode finger part arranged alternately with the electrode finger of the comb-shaped electrode 172. And the first
Each electrode finger of the second electrode finger portion is formed on the opposite side of each electrode finger of the second electrode finger portion. That is, the first electrode finger is formed to extend upward in the figure, and the second electrode finger is formed to extend downward in the figure.
【００５６】また、くし状電極１７０の電極指の幅は、
くし状電極１７２の電極指の幅より、大となっている。
そして、くし状電極１７１のくし状電極１７０の電極指
と交互に配置される電極指の幅は、くし状電極１７２の
電極指の幅と同等となっている。また、くし状電極１７
１のくし状電極１７２の電極指と交互に配置される電極
指の幅は、くし状電極１７０の電極指の幅と同等となっ
ている。そして、電極指と電極指との間隔は、図７の例
と同様となっている。The width of the electrode finger of the comb electrode 170 is
The width is larger than the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 172.
The width of the electrode fingers of the interdigital electrode 171 alternately arranged with the electrode fingers of the interdigital electrode 170 is equal to the width of the electrode finger of the interdigital electrode 172. In addition, the comb-like electrode 17
The width of the electrode fingers alternately arranged with the electrode fingers of one comb-shaped electrode 172 is equal to the width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 170. The distance between the electrode fingers is the same as in the example of FIG.
【００５７】本発明の第４の実施例においても、上述し
た第１の実施例と同様な効果を得ることができる。とこ
ろで、弾性表面波共振子とインダクタンス素子とを、梯
子型に組み合わせて構成した弾性表面波装置は、要求さ
れる周波数特性により弾性表面波共振子の静電容量を、
所望の値になるように設計する必要がある。このため、
設計条件によって静電容量の値を極端に小さな値にしな
ければならない場合、複数のすだれ状電極を直列に接続
して１つの弾性表面波共振子を構成する手段がとられ
る。上記の場合についても、本発明の第４の実施例のよ
うに、２種類の電極ピッチですだれ状電極を構成する方
法は有効である。According to the fourth embodiment of the present invention, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. By the way, a surface acoustic wave device configured by combining a surface acoustic wave resonator and an inductance element in a ladder type has a capacitance of the surface acoustic wave resonator due to required frequency characteristics.
It is necessary to design to a desired value. For this reason,
When the value of the capacitance must be extremely small depending on the design conditions, a method of connecting a plurality of interdigital electrodes in series to form one surface acoustic wave resonator is used. Also in the above case, a method of forming an interdigital electrode with two kinds of electrode pitches as in the fourth embodiment of the present invention is effective.
【００５８】図１０は、本発明の第５の実施例である弾
性表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す
図である。この第５の実施例も、第４の実施例と同様
に、２種類の電極ピッチが交互に配置されたすだれ状電
極が２つ直列に接続され、１つの弾性表面波共振子が構
成されている。FIG. 10 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention. In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, two interdigital transducers in which two kinds of electrode pitches are alternately arranged are connected in series to form one surface acoustic wave resonator. I have.
【００５９】ただし、この第５の実施例においては、く
し状電極１７１に対応するくし状電極１８１には、くし
状電極１７１のように両側ではなく、指側にのみ、複数
の電極指が形成されており、これら電極指は、ほぼ同様
な幅を有している。また、くし状電極１８０及び１８２
の電極指も、くし状電極１８１の電極指の幅と、ほぼ同
様な幅を有している。However, in the fifth embodiment, a plurality of electrode fingers are formed only on the finger side, not on both sides as in the case of the comb electrode 171 as in the case of the comb electrode 171 corresponding to the comb electrode 171. These electrode fingers have substantially the same width. Also, the comb electrodes 180 and 182
Have the same width as the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 181.
【００６０】そして、くし状電極１８０の電極指は、く
し状電極１８１の図の左半分側にて、くし状電極１８１
の電極指と、互いに交互に配置され、くし状電極１８２
の電極指は、くし状電極１８１の図の右半分側にて、く
し状電極１８１の電極指と、互いに交互に配置される。
電極指と電極指との間隔は、図８の例と同様となってい
る。The electrode finger of the comb-shaped electrode 180 is located on the left half side of the comb-shaped electrode 181 in the drawing.
Electrode fingers and the comb-shaped electrodes 182 are alternately arranged.
Are alternately arranged with the electrode fingers of the comb-shaped electrode 181 on the right half side of the comb-shaped electrode 181 in the drawing.
The distance between the electrode fingers is the same as in the example of FIG.
【００６１】この第５の実施例においても、上述した第
４の例と同様な効果を得ることができる。この第５の実
施例の場合は、パッケージへの素子チップの配置におい
て、図９に示した例の電極配置でスペース的に問題があ
る場合、本実施例の配置により、パッケージのスペース
を有効に利用することが可能である。In the fifth embodiment, the same effects as in the fourth embodiment can be obtained. In the case of the fifth embodiment, when there is a space problem with the electrode arrangement of the example shown in FIG. 9 in the arrangement of the element chips in the package, the arrangement of this embodiment makes it possible to effectively use the package space. It is possible to use.
【００６２】図１１は、本発明の第６の実施例である弾
性表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す
図である。本実施例は、２種類の電極ピッチが交互に配
置されたすだれ状電極が３つ直列に接続されており、第
４又は第５実施例より更に小さな静電容量の値が必要な
場合に、使用することができる。FIG. 11 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention. In the present embodiment, three interdigital transducers in which two types of electrode pitches are alternately arranged are connected in series, and when a smaller capacitance value is required than in the fourth or fifth embodiment, Can be used.
【００６３】つまり、すだれ状電極１９は、くし状電極
１９０、１９１、１９２、１９３を有しており、くし状
電極１９１は、くし状電極１９０の電極指と交互に配置
される第１の電極指部と、くし状電極１９２の電極指と
交互に配置される第２の電極指部とを有している。そし
て、第１の電極指部の各電極指と、第２の電極指部の各
電極指とは、互いに反対側に形成されている。つまり、
第１の電極指部は、図の上方向に延びて形成され、第２
の電極指部は、図の下方向に延びて形成されている。That is, the interdigital electrode 19 has the interdigital electrodes 190, 191, 192, and 193. It has finger portions and second electrode finger portions that are alternately arranged with the electrode fingers of the comb-shaped electrode 192. Each electrode finger of the first electrode finger portion and each electrode finger of the second electrode finger portion are formed on opposite sides. That is,
The first electrode finger portion is formed to extend upward in the figure,
Are formed to extend downward in the figure.
【００６４】また、くし状電極１９２は、くし状電極１
９１の電極指と交互に配置される第１の電極指部と、く
し状電極１９３の電極指と交互に配置される第２の電極
指部とを有している。そして、第１の電極指部の各電極
指と、第２の電極指部の各電極指とは、互いに反対側に
形成されている。つまり、第１の電極指部は、図の上方
向に延びて形成され、第２の電極指部は、図の下方向に
延びて形成されている。Further, the comb-shaped electrode 192 is
It has a first electrode finger part alternately arranged with the electrode finger 91 and a second electrode finger part alternately arranged with the electrode finger of the comb-shaped electrode 193. Each electrode finger of the first electrode finger portion and each electrode finger of the second electrode finger portion are formed on opposite sides. That is, the first electrode finger is formed to extend upward in the figure, and the second electrode finger is formed to extend downward in the figure.
【００６５】また、くし状電極１９０の電極指の幅は、
くし状電極１９３の電極指の幅より、小となっている。
そして、くし状電極１９１のくし状電極１９０の電極指
と交互に配置される電極指の幅は、くし状電極１９３の
電極指の幅と同等となっている。また、くし状電極１９
１のくし状電極１９２の電極指と交互に配置される電極
指の幅は、くし状電極１９０の電極指の幅と同等となっ
ている。The width of the electrode finger of the comb-like electrode 190 is
The width is smaller than the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 193.
The width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 191 that are alternately arranged with the electrode fingers of the comb-shaped electrode 190 is equal to the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 193. In addition, the comb-shaped electrode 19
The width of the electrode fingers alternately arranged with the electrode fingers of one comb-shaped electrode 192 is equal to the width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 190.
【００６６】また、くし状電極１９２のくし状電極１９
１の電極指と交互に配置される電極指の幅は、くし状電
極１９３の電極指の幅と同等となっている。また、くし
状電極１９２のくし状電極１９３の電極指と交互に配置
される電極指の幅は、くし状電極１９０の電極指の幅と
同等となっている。そして、電極指と電極指との間隔
は、図１の例と同様となっている。本発明の第６の実施
例においても、上述した第４の実施例と同様な効果を得
ることができる。The comb-like electrode 19 of the comb-like electrode 192
The width of the electrode fingers alternately arranged with one electrode finger is equal to the width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 193. Further, the width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 192 alternately arranged with the electrode fingers of the comb-shaped electrode 193 is equal to the width of the electrode finger of the comb-shaped electrode 190. The distance between the electrode fingers is the same as in the example of FIG. In the sixth embodiment of the present invention, the same effect as in the above-described fourth embodiment can be obtained.
【００６７】図１２は、本発明の第７の実施例である弾
性表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す
図である。本実施例は、２種類の電極ピッチが交互に配
置されたすだれ状電極が３つ直列に接続されており、弾
性表面波の伝播方向にすだれ状電極の１つを配置して、
スペースの効率的利用を図った例であり、図１０の例
に、さらに、もう一つのすだれ状電極が追加された例で
ある。ただし、電極指と電極指との間隔は、図１０の例
と異なっている。FIG. 12 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention. In this embodiment, three interdigital transducers in which two kinds of electrode pitches are alternately arranged are connected in series, and one of the interdigital transducers is arranged in the propagation direction of the surface acoustic wave.
This is an example in which space is efficiently used, and another interdigital electrode is added to the example of FIG. However, the distance between the electrode fingers is different from the example of FIG.
【００６８】図１２において、すだれ状電極２０は、く
し状電極２００、２０１、２０２、２０３を有してお
り、くし状電極２０２は、くし状電極２０１の電極指と
交互に配置される第１の電極指部と、くし状電極２０３
の電極指と交互に配置される第２の電極指部とを有して
いる。そして、第１の電極指部の各電極指と、第２の電
極指部の各電極指とは、互いに反対側に形成されてい
る。つまり、第１の電極指部は、図の上方向に延びて形
成され、第２の電極指部は、図の下方向に延びて形成さ
れている。In FIG. 12, the IDT 20 has IDTs 200, 201, 202, and 203. The IDTs 202 are alternately arranged with the electrode fingers of the IDT 201. Electrode fingers and the comb-shaped electrode 203
And the second electrode finger portions alternately arranged. Each electrode finger of the first electrode finger portion and each electrode finger of the second electrode finger portion are formed on opposite sides. That is, the first electrode finger is formed to extend upward in the figure, and the second electrode finger is formed to extend downward in the figure.
【００６９】また、くし状電極２００の電極指の幅と、
くし状電極２０３の電極指の幅とは、ほぼ同一となって
おり、くし状電極２０１の電極指の幅よりも大となって
いる。また、くし状電極２０２のくし状電極２０３の電
極指と交互に配置される電極指の幅は、くし状電極２０
１の電極指の幅と、ほぼ同一であり、くし状電極２０２
のくし状電極２０１の電極指と交互に配置される電極指
の幅は、くし状電極２００及び２０３の電極指の幅と、
ほぼ同一である。The width of the electrode fingers of the comb-shaped electrode 200
The width of the electrode finger of the comb electrode 203 is substantially the same, and is larger than the width of the electrode finger of the comb electrode 201. The width of the electrode fingers alternately arranged with the electrode fingers of the comb-shaped electrode 203 of the comb-shaped electrode 202 is the width of the comb-shaped electrode 20.
1 is substantially the same as the width of one electrode finger,
The width of the electrode fingers alternately arranged with the electrode fingers of the comb electrodes 201 is the width of the electrode fingers of the comb electrodes 200 and 203,
It is almost the same.
【００７０】くし状電極２００の電極指は、くし状電極
２０１の図の左半分側にて、くし状電極２０１の電極指
と、互いに交互に配置され、くし状電極２０２の電極指
は、くし状電極２０１の図の右半分側にて、くし状電極
２０１の電極指と、互いに交互に配置される。そして、
電極指と電極指との間隔は、図１の例と同様となってい
る。本発明の第７の実施例においても、第４実施例と同
様な効果を得ることができる。The electrode fingers of the comb electrode 200 are alternately arranged with the electrode fingers of the comb electrode 201 on the left half side of the figure of the comb electrode 201, and the electrode fingers of the comb electrode 202 are The electrode fingers of the comb-like electrode 201 are alternately arranged on the right half side of the figure of the comb-like electrode 201. And
The distance between the electrode fingers is the same as in the example of FIG. Also in the seventh embodiment of the present invention, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained.
【００７１】以上、第１乃至第７の実施例では、２種類
の電極ピッチですだれ状電極が構成されているが、図１
３に示す第８の実施例である弾性表面波装置を構成する
弾性表面波共振子は、３種類の電極ピッチですだれ状電
極が構成されている。本実施例の電極構成は、電極形成
の寸法精度の点から２種類の電極ピッチだけでは、所望
の共振周波数の調整が難しい場合に有効である。As described above, in the first to seventh embodiments, the interdigital electrodes are formed with two kinds of electrode pitches.
The surface acoustic wave resonator constituting the surface acoustic wave device according to the eighth embodiment shown in FIG. 3 has an interdigital transducer with three kinds of electrode pitches. The electrode configuration of this embodiment is effective when it is difficult to adjust a desired resonance frequency with only two types of electrode pitches in terms of dimensional accuracy of electrode formation.
【００７２】図１３において、すだれ状電極２１は、く
し状電極２１０と２１１とを有しており、くし状電極２
１０の複数の電極指のピッチは、Ｐ1＋Ｐ2、Ｐ1＋Ｐ3、
Ｐ2＋Ｐ3、Ｐ1＋Ｐ2、Ｐ1＋Ｐ3、Ｐ2＋Ｐ3、・・・とな
っており、くし状電極２１１の複数の電極指のピッチも
同様となっている。ただし、Ｐ1＜Ｐ2＜Ｐ3である。そ
して、くし状電極２１０の電極指と、くし状電極２１１
の電極指とが交互に配置され、電極指と電極指とのピッ
チは、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3
・・・となっている。この本発明の第８の実施例におい
ても、第１の実施例と同様な効果を得ることができる。In FIG. 13, the IDT 21 has IDTs 210 and 211 and IDT 2
The pitches of the ten electrode fingers are P 1 + P 2 , P 1 + P 3 ,
P 2 + P 3, P 1 + P 2, P 1 + P 3, P 2 + P 3, has a ... has the same even pitch of the plurality of electrode fingers of the comb-shaped electrodes 211. Here, P 1 <P 2 <P 3 . Then, an electrode finger of the comb electrode 210 and a comb electrode 211
The electrode fingers are alternately arranged in the pitch between the electrode fingers and the electrode fingers, P 1, P 2, P 3, P 1, P 2, P 3, P 1, P 2, P 3
... In the eighth embodiment of the present invention, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
【００７３】図１４は、本発明の第９実施例である弾性
表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す図
である。本実施例は、電極指２本おきに異なるピッチで
電極指が形成されており、第７実施例と同様に、共振周
波数の微妙な調整が必要な場合に有効である。FIG. 14 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a ninth embodiment of the present invention. In this embodiment, electrode fingers are formed at different pitches for every two electrode fingers, and this is effective when fine adjustment of the resonance frequency is required, as in the seventh embodiment.
【００７４】つまり、図１４において、すだれ状電極２
２は、くし状電極２２０と２２１とを有しており、くし
状電極２２０の複数の電極指のピッチは２Ｐ1、Ｐ1＋Ｐ
2、Ｐ1＋Ｐ2、２Ｐ1、Ｐ1＋Ｐ2、Ｐ1＋Ｐ2、・・・とな
っており、くし状電極２２１の複数の電極指のピッチも
同様となっている。ただし、Ｐ1＜Ｐ2である。そして、
くし状電極２２０の電極指と、くし状電極２２１の電極
指とが交互に配置され、電極指と電極指とのピッチは、
Ｐ1（２２０ａと２２１ａ）、Ｐ1（２２１ａと２２０
ｂ）、Ｐ2（２２０ｂと２２１ｂ）、Ｐ1（２２１ｂと２
２０ｃ）、Ｐ1（２２０ｃと２２１ｃ）、Ｐ2（２２１ｃ
と２２０ｄ）、・・・となっている。この本発明の第９
の実施例においても、第１の実施例と同様な効果を得る
ことができる。That is, in FIG.
2 has comb electrodes 220 and 221, and the pitch of the plurality of electrode fingers of the comb electrode 220 is 2P 1 , P 1 + P
2, P 1 + P 2, 2P 1, P 1 + P 2, P 1 + P 2, has a ... has the same even pitch of the plurality of electrode fingers of the comb-shaped electrodes 221. Note that P 1 <P 2 . And
The electrode fingers of the comb electrodes 220 and the electrode fingers of the comb electrodes 221 are alternately arranged, and the pitch between the electrode fingers and the electrode fingers is
P 1 (220a and 221a), P 1 (221a and 220
b), P 2 (220b and 221b), P 1 (221b and 2
20c), P 1 (220c and 221c), P 2 (221c)
And 220d),. The ninth aspect of the present invention
In this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００７５】図１５は、本発明の第１０実施例である弾
性表面波装置を構成する弾性表面波共振子の構造を示す
図である。本実施例は、電極指３本おきに異なるピッチ
で電極指が形成されており、第８及び９の実施例と同様
に、共振周波数の微妙な調整が必要な場合に有効であ
る。FIG. 15 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator constituting a surface acoustic wave device according to a tenth embodiment of the present invention. In the present embodiment, electrode fingers are formed at different pitches for every three electrode fingers, and this is effective when fine adjustment of the resonance frequency is required, as in the eighth and ninth embodiments.
【００７６】つまり、図１５において、すだれ状電極２
３は、くし状電極２３０と２３１とを有しており、くし
状電極２３０の複数の電極指のピッチは２Ｐ1、Ｐ1＋Ｐ
2、２Ｐ1、Ｐ1＋Ｐ2、２Ｐ1、・・・となっており、く
し状電極２３１の複数の電極指のピッチも同様となって
いる。ただし、Ｐ1＜Ｐ2である。そして、くし状電極２
２０の電極指と、くし状電極２２１の電極指とが交互に
配置され、電極指と電極指とのピッチは、Ｐ1（２３０
ａと２３１ａ）、Ｐ1（２３１ａと２３０ｂ）、Ｐ1（２
３０ｂと２３１ｂ）、Ｐ2（２３１ｂと２３０ｃ）、Ｐ1
（２３０ｃと２３１ｃ）、Ｐ1（２３１ｃと２３０
ｄ）、Ｐ1（２３０ｄと２３１ｄ）、Ｐ2（２３１ｄと２
３０ｅ）、・・・となっている。この本発明の第１０の
実施例においても、第１の実施例と同様な効果を得るこ
とができる。That is, in FIG.
3 has comb-shaped electrodes 230 and 231, and the pitch of the plurality of electrode fingers of the comb-shaped electrode 230 is 2P 1 , P 1 + P
2 , 2P 1 , P 1 + P 2 , 2P 1 ,..., And the pitch of the plurality of electrode fingers of the comb-shaped electrode 231 is the same. Note that P 1 <P 2 . And the comb electrode 2
The electrode fingers 20 and the electrode fingers of the comb-shaped electrode 221 are alternately arranged, and the pitch between the electrode fingers is P 1 (230
a and 231a), P 1 (231a and 230b), P 1 (2
30b and 231b), P 2 (231b and 230c), P 1
(230c and 231c), P 1 (231c and 230
d), P 1 (230d and 231d), P 2 (231d and 2
30e), and so on. In the tenth embodiment of the present invention, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００７７】以上、第８乃至第１０の実施例は、１つの
すだれ状電極で構成した弾性表面波共振子の場合のみ示
しているが、第４乃至第７の実施例と同様に２つ、ある
いは３つのすだれ状電極を直列接続した弾性表面波共振
子を構成することも可能である。As described above, the eighth to tenth embodiments show only the case of a surface acoustic wave resonator constituted by one interdigital electrode. However, as in the fourth to seventh embodiments, two, Alternatively, it is also possible to constitute a surface acoustic wave resonator in which three interdigital electrodes are connected in series.
【００７８】図１６は、帯域通過型の弾性表面波装置に
本発明を適用した例の外観図であり、梯子型フィルタの
直列素子に２つのインダクタンス素子と１つの弾性表面
波共振子を、また並列素子に４つの弾性表面波共振子を
使用して構成されている。図１７は、上記弾性表面波装
置の周波数特性である。FIG. 16 is an external view of an example in which the present invention is applied to a band-pass type surface acoustic wave device, in which two inductance elements and one surface acoustic wave resonator are arranged in a series element of a ladder-type filter. It is configured using four surface acoustic wave resonators in a parallel element. FIG. 17 shows frequency characteristics of the surface acoustic wave device.
【００７９】図１８は、既に説明した図１の低域通過型
の弾性表面波装置を送信用フィルタ８として、図１６に
示した帯域通過型の弾性表面波装置を受信用フィルタ９
として使用して構成されたアンテナ分波器の概略構成図
である。FIG. 18 shows the transmission filter 8 using the low-pass type surface acoustic wave device shown in FIG. 1 described above, and the band-pass type surface acoustic wave device shown in FIG.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an antenna duplexer configured to be used as an antenna.
【００８０】この図１８の例においては、通過帯域にお
けるコンダクタンス値を低減し、送信電力の低減及び受
信感度の向上が可能なアンテナ分波器を実現することが
できる。In the example shown in FIG. 18, it is possible to realize an antenna duplexer capable of reducing the conductance value in the pass band and reducing the transmission power and improving the reception sensitivity.
【００８１】以上、本発明の具体的な弾性表面波装置の
構成実施例として、図１に示した低域通過型の弾性表面
波装置、あるいは図１６に示した帯域通過型の弾性表面
波装置の例を示したが、本発明は、上記の実施例に限ら
れることなく、弾性表面波共振子とインダクタンス素子
で構成された梯子型構造の弾性表面波装置に、一般的に
適用可能である。As described above, as a specific configuration example of the surface acoustic wave device of the present invention, the low pass type surface acoustic wave device shown in FIG. 1 or the band pass type surface acoustic wave device shown in FIG. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and is generally applicable to a ladder-type surface acoustic wave device including a surface acoustic wave resonator and an inductance element. .
【００８２】なお、上述した実施例において、ピッチＰ
1とＰ2との差及びピッチＰ2とＰ3との差は、０．１μｍ
以上あれば有効である。In the above embodiment, the pitch P
The difference between the difference and the pitch P 2 and P 3 between 1 and P 2 are, 0.1 [mu] m
Anything above is valid.
【００８３】[0083]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、次のような効果がある。第１のくし状電極
の電極指と、第２のくし状電極の電極指とは、複数の異
なる電極ピッチを有して配置されているので、通過帯域
におけるコンダクタンス値を低減し、送信電力の低減及
び受信感度の向上が可能な弾性表面波装置を実現するこ
とができる。The present invention is configured as described above, and has the following effects. Since the electrode fingers of the first comb-shaped electrode and the electrode fingers of the second comb-shaped electrode are arranged with a plurality of different electrode pitches, the conductance value in the pass band is reduced, and the transmission power is reduced. A surface acoustic wave device capable of reducing and improving the receiving sensitivity can be realized.
【００８４】また、複数の異なる電極ピッチは３種類以
上であり、かつ、第１の電極の電極指と第２の電極の電
極指とは、３種類以上の電極ピッチを、所定の順序で周
期的に有して配置されるように構成すれば、通過帯域に
おけるコンダクタンス値を低減し、送信電力の低減及び
受信感度の向上が可能であるとともに、共振周波数の微
調整が可能な弾性表面波装置を実現することができる。Further, the plurality of different electrode pitches are three or more types, and the electrode fingers of the first electrode and the second electrode have three or more types of electrode pitches in a predetermined order. Surface acoustic wave device capable of reducing the conductance value in the pass band, reducing the transmission power and improving the reception sensitivity, and finely adjusting the resonance frequency. Can be realized.
【００８５】また、アンテナ分波器に、上記弾性表面波
装置を、受信用フィルタ及び送信用フィルタとして使用
すれば、通過帯域におけるコンダクタンス値を低減し、
送信電力の低減及び受信感度の向上が可能なアンテナ分
波器を実現することができる。When the surface acoustic wave device is used as a receiving filter and a transmitting filter in an antenna duplexer, the conductance value in the pass band can be reduced.
An antenna duplexer capable of reducing transmission power and improving reception sensitivity can be realized.
【図１】本発明第１実施例である弾性表面波装置におけ
る弾性表面波共振子の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a surface acoustic wave resonator in a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の例の弾性表面共振子を用いた弾性表面波
装置の外観図である。FIG. 2 is an external view of a surface acoustic wave device using the surface acoustic wave resonator of the example of FIG.
【図３】本発明の原理を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of the present invention.
【図４】本発明の原理と従来例の原理とを比較して説明
するための図である。FIG. 4 is a diagram for comparing and explaining the principle of the present invention and the principle of a conventional example.
【図５】バルク波放射コンダクタンスの周波数特性につ
いて、本発明と従来例とを比較するグラフである。FIG. 5 is a graph comparing the present invention and a conventional example with respect to the frequency characteristic of the bulk wave radiation conductance.
【図６】通過帯域でのコンダクタンスの大きさのメタラ
イゼーション・レシオ依存性を、従来の弾性表面波共振
子と本発明の弾性表面波共振子について比較して示すグ
ラフである。FIG. 6 is a graph showing the dependence of the magnitude of the conductance in the pass band on the metallization ratio in comparison between the conventional surface acoustic wave resonator and the surface acoustic wave resonator of the present invention.
【図７】本発明の第２の実施例である弾性表面波装置に
使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第３の実施例である弾性表面波装置に
使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第４の実施例である弾性表面波装置に
使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第５の実施例である弾性表面波装置
に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第６の実施例である弾性表面波装置
に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第７の実施例である弾性表面波装置
に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 12 is a view showing the structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第８の実施例である弾性表面波装置
に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第９の実施例である弾性表面波装置
に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第１０の実施例である弾性表面波装
置に使用する弾性表面波共振子の構造を示す図である。FIG. 15 is a view showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１６】本発明による帯域通過型の弾性表面波装置の
外観を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an appearance of a band-pass type surface acoustic wave device according to the present invention.
【図１７】図１６に示す帯域通過型の弾性表面波装置の
周波数特性を示すグラフである。17 is a graph showing frequency characteristics of the band-pass surface acoustic wave device shown in FIG.
【図１８】本発明の弾性表面波装置を使用して構成した
アンテナ分波器の概略構成図である。FIG. 18 is a schematic configuration diagram of an antenna duplexer configured using the surface acoustic wave device of the present invention.
【図１９】従来における弾性表面波共振子の構成を示す
図である。FIG. 19 is a diagram showing a configuration of a conventional surface acoustic wave resonator.
【図２０】本発明が係わる弾性表面波共振子の損失の周
波数特性を示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing a frequency characteristic of a loss of the surface acoustic wave resonator according to the present invention.
【図２１】本発明が係わる弾性表面波共振子の、コンダ
クタンス特性の一例を示すグラフである。FIG. 21 is a graph showing an example of conductance characteristics of a surface acoustic wave resonator according to the present invention.
１ 弾性表面波共振子 ２ インダクタンス素子 ３ パッケージ ４ 配線ワイヤ ５ 端子 ６ 圧電性基板 ７、１５、１６ すだれ状電極 ８ 送信用フィルタ ９ 受信用フィルタ １７、１８、１９ すだれ状電極 ２０、２１、２２ すだれ状電極 ２３ すだれ状電極 ７０、７１ くし状電極 ７０ａ〜７０ｉ 電極指 ７１ａ〜７１ｈ 電極指 １５０、１５１ くし状電極 １５０ａ〜１５０ｉ 電極指 １５１ａ〜１５１ｈ 電極指 １６０、１６１ くし状電極 １６０ａ〜１６０ｉ 電極指 １６１ａ〜１６１ｈ 電極指 １７０、１７１、１７２くし状電極 １８０、１８１、１８２くし状電極 １９０、１９１ くし状電極 １９２、１９３ くし状電極 ２００、２０１ くし状電極 ２０２、２０３ くし状電極 ２１０、２１１ くし状電極 ２２０、２２１ くし状電極 ２３０、２３１ くし状電極 REFERENCE SIGNS LIST 1 surface acoustic wave resonator 2 inductance element 3 package 4 wiring wire 5 terminal 6 piezoelectric substrate 7, 15, 16 IDT 8 transmission filter 9 reception filter 17, 18, 19 IDT 20, 21, 22 IDT Electrode 23 interdigital electrode 70, 71 comb electrode 70a-70i electrode finger 71a-71h electrode finger 150, 151 comb electrode 150a-150i electrode finger 151a-151h electrode finger 160, 161 comb electrode 160a-160i electrode finger 161a To 161h Electrode finger 170, 171, 172 Comb electrode 180, 181, 182 Comb electrode 190, 191 Comb electrode 192, 193 Comb electrode 200, 201 Comb electrode 202, 203 Comb electrode 210, 211 Comb electrode 220, 221 Comb electrode 230 231 comb electrodes
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 一志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 映像メディア研 究所内 (72)発明者 湯原 章綱 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 映像メディア研 究所内 (72)発明者 射手 眞弓 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株式会社 日立製作所 情報映像事業部 内 (56)参考文献 特開 平２−311007（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−68113（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/145 H03H 9/72 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kazushi Watanabe 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Video Media Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Akinori Yuhara 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address: Hitachi, Ltd., Image Media Research Laboratory (72) Inventor: Mayumi Archer, 216 Totsuka-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd. Information and Video Business Division (56) References JP-A-2-311007 (JP, A) JP-A-64-68113 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 9/64 H03H 9/145 H03H 9/72
Claims (5)
と、この第１のくし状電極の複数の電極指のそれぞれと
交互に配置される複数の電極指を有する第２のくし状電
極とを、少なくとも有し、これら第１及び第２のくし状
電極が圧電性基板上に形成された弾性表面波共振子と、
誘電体基板にマイクロストリップ線路が形成されたイン
ダクタンス素子とで構成された梯子型フィルタ構造の弾
性表面波装置において、上記第１のくし状電極の複数の電極指の一つの電極指か
ら隣接する第２のくし状電極の電極指までの電極ピッチ
は、互いに異なる第１の電極ピッチと、第２の電極ピッ
チと、第３の電極ピッチとのいずれかに設定されるとと
もに、上記第２のくし状電極の複数の電極指の一つの電
極指から、隣接する第１のくし状電極の電極指までの電
極ピッチは、上記第１の電極ピッチと、第２の電極ピッ
チと、第３の電極ピッチとのいずれかに設定され、これ
ら第１の電極ピッチと、第２の電極ピッチと、第３の電
極ピッチとを所定の順序で周期的に有して、上記第１の
電極の電極指と第２の電極の電極指とが 配置されている
ことを特徴とする弾性表面波装置。1. A first comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers and a second comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers alternately arranged with each of the plurality of electrode fingers of the first comb-shaped electrode. And a surface acoustic wave resonator in which the first and second comb-shaped electrodes are formed on a piezoelectric substrate.
In a surface acoustic wave device having a ladder-type filter structure including an inductance element having a microstrip line formed on a dielectric substrate, one of the plurality of electrode fingers of the first comb-like electrode may be provided.
Pitch from the electrode finger of the adjacent second comb-shaped electrode
Are different from each other in the first electrode pitch and the second electrode pitch.
And when set to one of the third electrode pitch
In addition, one electrode of the plurality of electrode fingers of the second comb-shaped electrode is used.
From the extreme finger to the electrode finger of the adjacent first comb-shaped electrode.
The pole pitch is defined by the first electrode pitch and the second electrode pitch.
And a third electrode pitch.
From the first electrode pitch, the second electrode pitch, and the third electrode pitch.
Pole pitches in a predetermined order and periodically.
A surface acoustic wave device, wherein an electrode finger of an electrode and an electrode finger of a second electrode are arranged.
と、この第１のくし状電極の複数の電極指のそれぞれと
交互に配置される複数の電極指を有する第２のくし状電
極とを、少なくとも有し、これら第１及び第２のくし状
電極が圧電性基板上に形成された弾性表面波共振子と、
誘電体基板にマイクロストリップ線路が形成されたイン
ダクタンス素子とで構成された梯子型フィルタ構造の弾
性表面波装置において、 上記第１のくし状電極の複数の電極指の一つの電極指か
ら隣接する第２のくし状電極の電極指までの電極ピッチ
は、互いに異なる第１の電極ピッチと第２の電極ピッチ
とのいずれかに設定されるとともに、上記第２のくし状
電極の複数の電極指の一つの電極指から、隣接する第１
のくし状電極の電極指までの電極ピッチは、上記第１の
電極ピッチと、第２の電極ピッチとのいずれかに設定さ
れ、上記第１の電極ピッチが２回連続した次に、第２の
電極ピッチが１回となる順序でこれら電極ピッチを周期
的に有して、上記第１の電極の電極指と第２の電極の電
極 指とが 配置されていることを特徴とする弾性表面波装
置。2. A first comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers.
And each of the plurality of electrode fingers of the first comb-shaped electrode
A second comb-like electrode having a plurality of electrode fingers arranged alternately
And at least a first comb and a second comb.
A surface acoustic wave resonator having electrodes formed on a piezoelectric substrate,
Insulation with microstrip line formed on dielectric substrate
Ladder type filter structure composed of a ductance element
In the surface acoustic wave device, one of the plurality of electrode fingers of the first comb-like electrode may be an electrode finger.
Pitch from the electrode finger of the adjacent second comb-shaped electrode
Are different first electrode pitch and second electrode pitch
And the second comb shape
From one of the plurality of electrode fingers of the electrode,
The electrode pitch of the comb-shaped electrode up to the electrode finger is the first pitch.
Set to one of the electrode pitch and the second electrode pitch.
Then, after the first electrode pitch is continuous twice,
These electrode pitches are cycled in the order that the electrode pitch is once
The electrode fingers of the first electrode and the electrodes of the second electrode.
A surface acoustic wave device, characterized in that the electrode fingers are arranged.
と、この第１のくし状電極の複数の電極指のそれぞれと
交互に配置される複数の電極指を有する第２のくし状電
極とを、少なくとも有し、これら第１及び第２のくし状
電極が圧電性基板上に形成された弾性表面波共振子と、
誘電体基板にマイクロストリップ線路が形成されたイン
ダクタンス素子とで構成された梯子型フィルタ構造の弾
性表面波装置において、 上記第１のくし状電極の複数の電極指の一つの電極指か
ら隣接する第２のくし状電極の電極指までの電極ピッチ
は、互いに異なる第１の電極ピッチと第２の電極ピッチ
とのいずれかに設定されるとともに、上記第２のくし状
電極の複数の電極指の一つの電極指から、隣接する第１
のくし状電極の電極指までの電極ピッチは、上記第１の
電極ピッチと、第２の電極ピッチとのいずれかに設定さ
れ、上記第１の電極ピッチが３回連続した次に、第２の
電極ピッチが１回となる順序でこれら電極ピッチを周期
的に有して、上記第１の電極の電極指と第２の電極の電
極指とが 配置されていることを特徴とする弾性表面波装
置。3. A first comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers.
And each of the plurality of electrode fingers of the first comb-shaped electrode
A second comb-like electrode having a plurality of electrode fingers arranged alternately
And at least a first comb and a second comb.
A surface acoustic wave resonator having electrodes formed on a piezoelectric substrate,
Insulation with microstrip line formed on dielectric substrate
Ladder type filter structure composed of a ductance element
In the surface acoustic wave device, one of the plurality of electrode fingers of the first comb-like electrode may be an electrode finger.
Pitch from the electrode finger of the adjacent second comb-shaped electrode
Are different first electrode pitch and second electrode pitch
And the second comb shape
From one of the plurality of electrode fingers of the electrode,
The electrode pitch of the comb-shaped electrode up to the electrode finger is the first pitch.
Set to one of the electrode pitch and the second electrode pitch.
Then, after the first electrode pitch continues three times,
These electrode pitches are cycled in the order that the electrode pitch is once
The electrode fingers of the first electrode and the electrodes of the second electrode.
A surface acoustic wave device comprising: a pole finger ;
において、上記互いに異なる電極ピッチは、互いに０．
１μｍ以上の差を有することを特徴とする弾性表面波装
置。4. A surface acoustic wave device as claimed in claim 1, 2 or 3, wherein said mutually different electrode pitches are 0 together.
A surface acoustic wave device having a difference of 1 μm or more.
を、受信用フィルタ及び送信用フィルタとして使用して
いることを特徴とするアンテナ分波器。5. An antenna duplexer wherein the surface acoustic wave device according to claim 1, 2 or 3 is used as a receiving filter and a transmitting filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10395495A JP3310132B2 (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Surface acoustic wave device and antenna duplexer using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10395495A JP3310132B2 (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Surface acoustic wave device and antenna duplexer using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298432A JPH08298432A (en) | 1996-11-12 |
| JP3310132B2 true JP3310132B2 (en) | 2002-07-29 |
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ID=14367811
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10395495A Expired - Fee Related JP3310132B2 (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Surface acoustic wave device and antenna duplexer using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3310132B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8084917B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-12-27 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module device |
| US8344815B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-01-01 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
| US8742861B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
| US8803625B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-08-12 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006004199A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corporation | Resonator saw filer |
| DE102005051852B4 (en) * | 2005-10-28 | 2021-05-20 | Snaptrack, Inc. | SAW filter with broadband bandstop filter |
| JPWO2016158051A1 (en) * | 2015-03-27 | 2017-10-26 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave resonator, elastic wave filter, and duplexer |
| KR102645422B1 (en) * | 2016-01-05 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 와이솔재팬 | Surface acoustic wave device, duplexer and comb-shaped electrode |
-
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- 1995-04-27 JP JP10395495A patent/JP3310132B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US8084917B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-12-27 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module device |
| US8344815B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-01-01 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
| US8736140B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-05-27 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module device |
| US8742861B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
| US8803625B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-08-12 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit |
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| JPH08298432A (en) | 1996-11-12 |
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