JP3309871B2 - Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method - Google Patents
Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばパルス光源又は
連続発光光源からの露光光により矩形又は円弧状等の照
明領域を照明し、その照明領域に対してマスク及び基板
を同期して走査することにより、マスク上のパターンを
逐次基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の
投影露光方法及び投影露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention illuminates a rectangular or arcuate illumination area with exposure light from a pulse light source or a continuous light source, and synchronizes a mask and a substrate with the illumination area. The so-called slit scan exposure method, in which the pattern on the mask is sequentially exposed on the substrate by scanning
The present invention relates to a projection exposure method and a projection exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の基板上に投影露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子等の１個のチップパタ
ーンが大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上のより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光するという大面積化が求められている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device, a liquid crystal display device, a thin film magnetic head, or the like is manufactured by using photolithography technology, a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a "reticle") has been used.
2. Related Art A projection exposure apparatus that projects and exposes a pattern of a “reticle” onto a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photoresist or the like via a projection optical system is used. Recently, one chip pattern of a semiconductor element or the like has been increasing in size, and a projection exposure apparatus is required to have a larger area in which a pattern having a larger area on a reticle is exposed on a photosensitive substrate. .
【０００３】また、半導体素子等のパターンが微細化す
るのに応じて、投影光学系の解像力の向上も求められて
いるが、投影光学系の解像力を向上するためには、投影
光学系の露光フィールドを大きくすることが設計上及び
製造上困難であるという問題がある。特に、投影光学系
として、反射屈折系を使用するような場合には、無収差
の露光フィールドの形状が円弧状の領域となることもあ
る。Further, as the pattern of a semiconductor element or the like becomes finer, the resolution of the projection optical system is also required to be improved. However, in order to improve the resolution of the projection optical system, the exposure of the projection optical system must be improved. There is a problem that it is difficult in design and manufacture to enlarge the field. In particular, when a catadioptric system is used as the projection optical system, the shape of the aberration-free exposure field may be an arc-shaped region.
【０００４】斯かる被転写パターンの大面積化及び投影
光学系の露光フィールドの制限に対応するために、例え
ば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを「スリ
ット状の照明領域」という）に対してレチクル及び感光
性の基板を同期して走査することにより、レチクル上の
そのスリット状の照明領域より広い面積のパターンを基
板上に逐次投影露光する所謂スリットスキャン露光方式
の投影露光装置が提案されている。In order to cope with the enlargement of the area of the pattern to be transferred and the limitation of the exposure field of the projection optical system, for example, an illumination area such as a rectangle, an arc or a hexagon is referred to as a “slit illumination area”. ), A so-called slit scan exposure type projection exposure apparatus for sequentially projecting and exposing a pattern having a larger area than the slit-shaped illumination area on the reticle onto the substrate by synchronously scanning the reticle and the photosensitive substrate. Has been proposed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】一般に半導体素子等
は、基板上に多数層の回路パターンを積み重ねて形成さ
れると共に、前のレイアの回路パターンの露光を行った
投影露光装置の倍率誤差と、今回のレイアの回路パター
ンの露光を行う投影露光装置の倍率誤差とが所定の許容
値を超えて相違すると、マッチング精度が悪化して半導
体素子等の歩留まりが低下する。また、露光後の種々の
プロセスにより基板上の前のレイアのチップパターンが
伸縮し、倍率が変化している場合もある。Generally, a semiconductor element or the like is formed by stacking a large number of circuit patterns on a substrate, and has a magnification error of a projection exposure apparatus that has exposed the circuit pattern of the previous layer, and If the magnification error of the projection exposure apparatus that exposes the circuit pattern of the current layer differs from the magnification error exceeding a predetermined allowable value, the matching accuracy deteriorates and the yield of semiconductor elements and the like decreases. Further, the chip pattern of the previous layer on the substrate may expand and contract due to various processes after exposure, and the magnification may change.
【０００６】そこで、従来のステッパーのように基板上
の各ショット領域へレチクルのパターン像をそれぞれ一
括して露光する投影露光装置では、露光前に基板上のチ
ップパターンの所定の方向（これを「Ｘ方向」とする）
及びこれに垂直なＹ方向の倍率誤差（スケーリングパラ
メータ）を求め、それに応じて投影光学系のＸ方向及び
Ｙ方向の倍率誤差を補正して露光を行う方法も使用され
ている。Therefore, in a projection exposure apparatus, such as a conventional stepper, which collectively exposes a reticle pattern image to each shot area on a substrate, a predetermined direction of the chip pattern on the substrate (this is called " X direction ”)
A method is also used in which a magnification error (scaling parameter) in the Y direction perpendicular to this is obtained, and the magnification error in the X and Y directions of the projection optical system is corrected in accordance with the error to perform exposure.
【０００７】これに対して、上記の如き従来のスリット
スキャン露光方式の投影露光装置においては、単に投影
光学系だけで倍率誤差を補正した場合には、走査方向に
垂直な非走査方向の倍率誤差の補正はできても、走査方
向の倍率誤差は十分に補正できないという不都合があっ
た。また、従来のスリットスキャン露光方式の投影露光
装置においては、スリット状の照明領域の走査方向の幅
と非走査方向の幅とが異なるため、投影光学系での露光
光吸収による熱分布の偏り、及び基板上での走査方向と
非走査方向とのショットサイズの違い等により、各ショ
ット領域内の走査方向と非走査方向との倍率誤差に差が
生じ易い傾向がある。従って、特に走査方向及び非走査
方向の倍率誤差を独立に補正できることが望まれてい
る。On the other hand, in the projection exposure apparatus of the conventional slit scan exposure method as described above, when the magnification error is corrected only by the projection optical system, the magnification error in the non-scanning direction perpendicular to the scanning direction is obtained. However, there is a disadvantage that the magnification error in the scanning direction cannot be sufficiently corrected. Further, in the projection exposure apparatus of the conventional slit scan exposure method, since the width of the slit-shaped illumination area in the scanning direction and the width in the non-scanning direction are different, bias of the heat distribution due to exposure light absorption in the projection optical system, In addition, there is a tendency that a difference in magnification error between the scanning direction and the non-scanning direction in each shot area easily occurs due to a difference in shot size between the scanning direction and the non-scanning direction on the substrate. Therefore, it is desired that the magnification error in the scanning direction and the non-scanning direction can be independently corrected.
【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、スリットスキャ
ン露光方式で露光を行う際において、パターニング精度
を向上させることを目的とする。[0008] In view of the above, the present invention provides a patterning accuracy when performing exposure by a slit scan exposure method.
The purpose is to improve .
【０００９】[0009]
【課題を解決するために手段】本発明による第１の投影
露光装置は、例えば図１に示すように、露光光で所定形
状の照明領域（３７）を照明する照明光学系（１〜１
０）と、照明領域（３７）に対して転写用のパターンが
形成されたマスク（１１）を保持して所定の走査方向
（−Ｘ方向）に移動するマスクステージ（１２）と、照
明領域（３７）内のマスク（１１）のパターン像を感光
性の基板（１９）上に投影する投影光学系（１８）と、
基板（１９）を保持してマスク（１１）の移動と同期し
てその走査方向と共役な方向（Ｘ方向）に移動する基板
ステージ（２１）とを有し、所定形状の照明領域（３
７）に対してマスク（１１）及び基板（１９）を移動す
ることにより、マスク（１１）のパターンを用いて基板
（１９）を走査露光する投影露光装置である。A first projection exposure apparatus according to the present invention comprises, as shown in FIG. 1, an illumination optical system (1-1) for illuminating an illumination area (37) having a predetermined shape with exposure light.
0), a mask stage (12) that holds a mask (11) on which a transfer pattern is formed with respect to the illumination area (37) and moves in a predetermined scanning direction (−X direction), and an illumination area (37). 37) a projection optical system (18) for projecting the pattern image of the mask (11) in the substrate onto a photosensitive substrate (19);
And a substrate (19) moves in synchronism with the scanning direction and the conjugate direction of the mask (11) holding the substrate stage (21) which moves in the direction (X direction), the illumination area (3 a predetermined shape
This is a projection exposure apparatus that scans and exposes the substrate (19) using the pattern of the mask (11) by moving the mask (11) and the substrate (19) with respect to 7).
【００１０】そして本発明においては、例えば、投影光
学系（１８）の投影倍率を補正する結像特性補正手段
（３４，３５，３６）と、マスクステージ（１２）と基
板ステージ（２１）との相対速度を補正するステージ相
対速度補正手段（１６，１７，２５）と、露光光の単位
面積及び単位時間当りの露光エネルギーを調整する露光
量制御手段（１６，２６〜２９）とを設け、基板（１
９）上に転写されるパターンに走査方向に垂直な方向の
倍率誤差が生じないように結像特性補正手段（３４，３
５，３６）により投影光学系（１８）の投影倍率を補正
し、基板（１９）上に転写されるパターンに走査方向
（Ｘ方向）の倍率誤差が生じないようにステージ相対速
度補正手段（１６，１７，２５）によりマスクステージ
（１２）と基板ステージ（２１）との相対速度を調整す
るとともに、マスクステージ（１２）と基板ステージ
（２１）との相対速度が調整されたときに、基板（１
９）に対する露光量が目標露光量になるようにその露光
量制御手段（１６，２６〜２９）で露光光の露光エネル
ギーを調整するようにしたものである。[0010] Then, in the present invention, for example, an imaging characteristic correction means for correcting the projection magnification of the projection optical system (18) (34, 35, 36), of the mask stage (12) and substrate stage (21) Stage relative speed correction means (16, 17, 25) for correcting relative speed , and unit of exposure light
Exposure to adjust exposure energy per area and per unit time
Quantity control means (16, 26 to 29) and the substrate (1
9) The imaging characteristic correcting means (34, 3) so that a magnification error in the direction perpendicular to the scanning direction does not occur in the pattern transferred on the upper surface.
5, 36), the projection magnification of the projection optical system (18) is corrected, and the stage relative speed correction means (16) corrects the pattern transferred onto the substrate (19) so that a magnification error in the scanning direction (X direction) does not occur. , 17, 25), the relative speed between the mask stage (12) and the substrate stage (21) is adjusted , and the mask stage (12) and the substrate stage are adjusted.
When the relative speed with respect to (21) is adjusted, the substrate (1)
Exposure so that the exposure amount for 9) becomes the target exposure amount
Exposure energy of exposure light by quantity control means (16, 26 to 29)
To adjust the energy .
【００１１】次に、本発明による第２の投影露光装置
は、マスクのパターンの像を基板上に投影することによ
りその基板を露光する投影露光装置において、そのマス
クのパターンの像をその基板上に投影するための投影光
学系と、その露光によって基板上に転写されるパターン
の転写倍率を調整する調整手段と、この調整手段による
転写倍率の調整に応じて、その基板に対する露光量制御
を行う露光量制御手段とを備えたものである。 また、本
発明による第１の素子製造方法は、本発明の投影露光装
置を用いてその基板を露光する工程を含むものである。
次に、本発明による投影露光方法は、マスクのパターン
の像を基板上に投影することによりその基板を露光する
投影露光方法において、その基板上に転写されるパター
ンの転写倍率の調整に応じて、その基板に対する露光量
制御を行うものである。 また、本発明による第２の素子
製造方法は、本発明の投影露光方法を用いてその基板を
露光する工程を含むものである。 Next, a second projection exposure apparatus according to the present invention
Is to project the image of the mask pattern onto the substrate.
In a projection exposure apparatus that exposes the substrate,
Projection light for projecting the image of the pattern on the substrate
Science and the pattern transferred onto the substrate by the exposure
Adjusting means for adjusting the transfer magnification of the
Exposure control for the substrate according to transfer magnification adjustment
And an exposure control means for performing the following. Also book
The first element manufacturing method according to the present invention is directed to the projection exposure apparatus according to the present invention.
And exposing the substrate using a device.
Next, the projection exposure method according to the present invention uses the mask pattern
Exposure of a substrate by projecting an image of the substrate onto the substrate
In the projection exposure method, a pattern transferred onto the substrate
Exposure to the substrate according to the transfer magnification adjustment
The control is performed. Also, a second element according to the present invention
The manufacturing method includes the steps of:
It includes a step of exposing.
【００１２】[0012]
【作用】斯かる本発明によれば、例えば予め基板（１
９）上に既に形成されているチップパターンの走査方向
及び非走査方向の倍率変化を実測しておく。そして、投
影光学系の非走査方向の投影倍率をその実測された非走
査方向の倍率変化に合わせて補正する。その投影光学系
の投影倍率を補正するための結像特性補正手段として
は、例えば投影光学系（１８）の一部のレンズ間隔を制
御するか、又は一部のレンズ間の密閉空間内の気体の圧
力若しくは温度を制御する手段等を用いることができ
る。 According to the present invention, for example, the substrate (1
9) The magnification change in the scanning direction and the non-scanning direction of the chip pattern already formed thereon is actually measured. Then, the projection magnification of the projection optical system in the non-scanning direction is corrected in accordance with the actually measured change in magnification in the non-scanning direction. As the imaging characteristic correction means for correcting the projection magnification of the projection optical system, for example, a part of the projection optical system (18) may be controlled by controlling a lens interval or a gas in a closed space between some of the lenses. For example, means for controlling the pressure or temperature can be used.
【００１３】また、走査方向でのマスク（１１）から基
板（１９）への本来の投影倍率をβ 0 とした場合、マス
クステージ（１２）を介してのマスク（１１）の走査方
向（これを「−Ｘ方向」とする）への走査速度をＶとす
ると、基板ステージ（２１）を介しての基板（１９）の
Ｘ方向への走査速度はβ0・Ｖとなる。このように投影倍
率をβ0 とすると、スリットスキャン露光時のマスクス
テージ（１２）に対する基板ステージ（２１）の相対速
度は、β0 となる。そこで、基板（１９）上のチップパ
ターンの走査方向の倍率誤差がαである場合、本発明で
はスリットスキャン露光時のマスクステージ（１２）に
対する基板ステージ（２１）の相対速度を、（β0+α）
とする。これにより、マスク（１１）から基板（１９）
に対する走査方向及び非走査方向の倍率を、既に形成さ
れているチップパターンの倍率に正確に合わせることが
できる。Further, the mask (11) in the scanning direction is
The original projection magnification on the plate (19) is β 0And if
Scanning of the mask (11) through the stage (12)
V is the scanning speed in the direction (this is referred to as “−X direction”).
Then, the substrate (19) is moved through the substrate stage (21).
The scanning speed in the X direction is β0・ It becomes V. Thus the projection times
Rate β0Then, the mask scan at the time of slit scan exposure
Relative speed of substrate stage (21) with respect to stage (12)
The degree is β0Becomes Therefore, the chip pads on the substrate (19)
When the magnification error in the scanning direction of the turn is α,
Is the mask stage (12) for slit scan exposure
The relative speed of the substrate stage (21) with respect to (β0+ α)
And This allows the mask (11) to move from the substrate (19)
The scanning and non-scanning magnifications for the
Can be precisely adjusted to the magnification of the chip pattern
it can.
【００１４】また、マスク（１１）に対する基板（１
９）の相対速度がβ0 から外れると、基板（１９）上の
各点での露光光の照射時間が変化し、露光エネルギーを
補正しないと各点での積算露光量が目標露光量からずれ
てしまう。そこで、その露光光の単位面積及び単位時間
当りの露光エネルギーを調整する露光量制御手段（１
６，２６〜２９）を設け、マスクステージ（１２）と基
板ステージ（２１）との相対速度が調整されたときに、
基板（１９）に対する露光量が目標露光量になるように
その露光量制御手段でその露光光の露光エネルギーを調
整する。これにより、走査方向の倍率誤差を調整した場
合でも、積算露光量が常に目標露光量に設定される。The substrate (1) with respect to the mask (11)
If the relative speed of 9) deviates from β 0, the irradiation time of the exposure light at each point on the substrate (19) changes, and unless the exposure energy is corrected, the integrated exposure at each point deviates from the target exposure. Would. Therefore, an exposure amount control means (1) for adjusting the exposure energy per unit area and unit time of the exposure light.
6, 26-29), and when the relative speed between the mask stage (12) and the substrate stage (21) is adjusted,
The exposure energy of the exposure light is adjusted by the exposure amount control means so that the exposure amount for the substrate (19) becomes the target exposure amount. Thereby, even when the magnification error in the scanning direction is adjusted, the integrated exposure amount is always set to the target exposure amount.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例は、光源としてエキシマレーザ光
源等のパルス発振型の露光光源を有するスリットスキャ
ン露光方式の投影露光装置に本発明を適用したものであ
る。図１は本例の投影露光装置の構成を示し、この図１
において、エキシマレーザ光源等のパルス発振型の光源
１から射出されたレーザビームは、シリンダーレンズや
ビームエクスパンダ等で構成されるビーム整形光学系２
により、後続のフライアイレンズ４に効率よく入射する
ようにビームの断面形状が整形される。ビーム整形光学
系２から射出されたレーザビームは、ミラー３を経てフ
ライアイレンズ４に入射する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a slit scan exposure type projection exposure apparatus having a pulse oscillation type exposure light source such as an excimer laser light source as a light source. FIG. 1 shows the configuration of the projection exposure apparatus of the present embodiment.
, A laser beam emitted from a pulse oscillation type light source 1 such as an excimer laser light source is converted into a beam shaping optical system 2 including a cylinder lens and a beam expander.
Thereby, the cross-sectional shape of the beam is shaped so as to efficiently enter the subsequent fly-eye lens 4. The laser beam emitted from the beam shaping optical system 2 enters the fly-eye lens 4 via the mirror 3.
【００１６】フライアイレンズ４から射出されたレーザ
ビームは、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリ
ッター５に入射し、ビームスプリッター５を通過したレ
ーザビームは、第１リレーレンズ６により視野絞り７上
を均一な照度で照明する。本実施例の視野絞り７の開口
部の形状は長方形である。視野絞り７を通過したレーザ
ビームは、第２リレーレンズ８、折り曲げミラー９及び
メインコンデンサーレンズ１０を経て、レチクルステー
ジ１２上のレチクル１１を均一な照度で照明する。視野
絞り７とレチクル１１のパターン形成面とは共役であ
り、視野絞り７の開口部と共役なレチクル１１上の長方
形のスリット状の照明領域３７にレーザビームが照射さ
れる。後述の投影光学系１８の光軸に平行にＺ軸をと
り、その光軸に垂直な平面内で照明領域３７に対するレ
チクルＲの走査方向をＸ方向（又は−方向）とする。Ｘ
方向は図１の紙面に平行な方向でもある。The laser beam emitted from the fly-eye lens 4 enters a beam splitter 5 having a low reflectance and a high transmittance, and the laser beam passing through the beam splitter 5 is applied to a field stop 7 by a first relay lens 6. Is illuminated with uniform illumination. The shape of the opening of the field stop 7 of this embodiment is rectangular. The laser beam that has passed through the field stop 7 illuminates the reticle 11 on the reticle stage 12 with uniform illuminance via the second relay lens 8, the bending mirror 9, and the main condenser lens 10. The field stop 7 and the pattern forming surface of the reticle 11 are conjugate, and a rectangular slit-shaped illumination area 37 on the reticle 11 conjugate with the opening of the field stop 7 is irradiated with a laser beam. A Z axis is set in parallel with an optical axis of a projection optical system 18 described later, and a scanning direction of the reticle R with respect to the illumination area 37 in a plane perpendicular to the optical axis is defined as an X direction (or-direction). X
The direction is also a direction parallel to the plane of FIG.
【００１７】レチクルステージ１２を、レチクル支持台
１３上にＸ方向に沿って摺動自在に支持し、レチクルス
テージ１２のＸ方向の端部に移動鏡１４を固定する。外
部のレーザ干渉計１５からの測長ビームが移動鏡１４で
反射され、レチクルステージ１２のＸ方向の座標がレー
ザ干渉計１５により常時モニターされている。レーザ干
渉計１５により計測された座標は、装置全体の動作を制
御する主制御系１６に供給され、主制御系１６はレチク
ルステージ制御部１７を介してレチクルステージ１２の
Ｘ方向の動きを制御する。The reticle stage 12 is slidably supported on a reticle support 13 along the X direction, and a movable mirror 14 is fixed to an end of the reticle stage 12 in the X direction. The measuring beam from the external laser interferometer 15 is reflected by the movable mirror 14, and the coordinates of the reticle stage 12 in the X direction are constantly monitored by the laser interferometer 15. The coordinates measured by the laser interferometer 15 are supplied to a main control system 16 that controls the operation of the entire apparatus. The main control system 16 controls the movement of the reticle stage 12 in the X direction via a reticle stage control unit 17. .
【００１８】レチクル１１上のスリット状の照明領域３
７内のパターン像を、投影光学系１８を介してウエハ１
９上の露光領域３８に投影露光する。ウエハ１９をウエ
ハホルダー２０を介して、少なくともＸ方向に走査可能
なＸＹステージ２１上に載置する。図示省略するも、Ｘ
Ｙステージ２１とウエハホルダー２０との間には、ウエ
ハ１９をＺ方向に位置決めするＺステージ等を装着す
る。スリットスキャン露光時には、レチクル１１がレチ
クルステージ１２によりＸ方向（又は−Ｘ方向）に走査
されるのに同期して、ＸＹステージ２１を介してウエハ
１９は−Ｘ方向（又はＸ方向）に走査される。投影光学
系１８のレチクル１１からウエハ１９への投影倍率をβ
0 （β0 は例えば１／５，１／４等）として、ウエハ１
９上に既に形成されているチップパターンの倍率変化が
無いものとすると、レチクル１１がＸ方向に速度Ｖで走
査されるのに同期して、ウエハ１９は−Ｘ方向に速度β
0・Ｖで走査される。この場合、レチクル１１に対するウ
エハ１９の相対速度はβ0 である。The slit-shaped illumination area 3 on the reticle 11
7 is transferred to the wafer 1 via the projection optical system 18.
The projection exposure is performed on the exposure area 38 on the reference numeral 9. The wafer 19 is placed via a wafer holder 20 on an XY stage 21 that can scan at least in the X direction. Although not shown, X
A Z stage or the like for positioning the wafer 19 in the Z direction is mounted between the Y stage 21 and the wafer holder 20. At the time of slit scan exposure, the wafer 19 is scanned in the −X direction (or X direction) via the XY stage 21 in synchronization with the reticle 11 being scanned in the X direction (or −X direction) by the reticle stage 12. You. The projection magnification of the projection optical system 18 from the reticle 11 to the wafer 19 is β
0 (β 0 is, for example, 1/5, 1/4, etc.)
Assuming that there is no change in magnification of the chip pattern already formed on the reticle 9, the wafer 19 moves in the −X direction at a speed β in synchronization with the reticle 11 being scanned at the speed V in the X direction.
It is scanned with 0 · V. In this case, the relative speed of the wafer 19 with respect to the reticle 11 is β 0 .
【００１９】ＸＹステージ２１上に、アライメント用の
種々の基準マークが形成された基準マーク部材２２及び
移動鏡２３を固定する。外部のレーザ干渉計２４からの
測長ビームが移動鏡２３で反射され、ＸＹステージ２１
のＸ方向及びＸ方向に垂直なＹ方向の座標がレーザ干渉
計２４により常時モニターされている。レーザ干渉計２
４により計測された２次元座標は主制御系１６に供給さ
れ、主制御系１６はウエハステージ制御部２５を介して
ＸＹステージ２１のＸ方向及びＹ方向の動きを制御す
る。また、図示省略するも、投影光学系１８の側面には
ウエハ１９のＺ方向の高さ（フォーカス位置）を検出す
るフォーカスセンサーが配設され、主制御系１６は、フ
ォーカスセンサーの計測結果に応じてＺステージ（不図
示）を介してウエハ１９の露光面の高さをベストフォー
カス位置に設定する。On the XY stage 21, a reference mark member 22 on which various reference marks for alignment are formed and a movable mirror 23 are fixed. The measurement beam from the external laser interferometer 24 is reflected by the movable mirror 23 and
Are coordinately monitored by the laser interferometer 24 in the X direction and the Y direction perpendicular to the X direction. Laser interferometer 2
The two-dimensional coordinates measured by 4 are supplied to the main control system 16, which controls the movement of the XY stage 21 in the X and Y directions via the wafer stage control unit 25. Although not shown, a focus sensor for detecting the height (focus position) of the wafer 19 in the Z direction is provided on a side surface of the projection optical system 18, and the main control system 16 responds to the measurement result of the focus sensor. The height of the exposure surface of the wafer 19 is set to the best focus position via a Z stage (not shown).
【００２０】また、ビームスプリッター５で反射された
レーザビームを、受光素子２６で受光し、受光素子２６
の検出信号を増幅器２７を介して露光量モニター部２８
に供給する。露光量モニター部２８は、増幅器２７から
の信号を積算し、この積算結果を主制御系１６に供給す
る。受光素子２６での検出信号と、ウエハ１９の露光面
での露光エネルギーとの対応関係は予め求められてお
り、主制御系１６は、露光量モニター部２８からの信号
よりウエハ１９の露光面での積算露光量を知ることがで
きる。主制御系１６は、トリガー制御部２９を介して光
源１の発振のタイミング及び発振周波数を制御し、不図
示の電源制御部を介して光源１から発光される各パルス
光の光量を制御する。The laser beam reflected by the beam splitter 5 is received by a light receiving element 26,
The detection signal is supplied to the exposure monitor 28 via the amplifier 27.
To supply. The exposure monitor 28 integrates the signal from the amplifier 27 and supplies the integration result to the main control system 16. The correspondence between the detection signal from the light receiving element 26 and the exposure energy on the exposed surface of the wafer 19 has been determined in advance, and the main control system 16 uses the signal from the exposure amount monitor unit 28 Can be known. The main control system 16 controls the oscillation timing and oscillation frequency of the light source 1 via the trigger control unit 29, and controls the amount of each pulse light emitted from the light source 1 via a power supply control unit (not shown).
【００２１】更に、投影光学系１８の走査方向の前後に
オフ・アクシスの画像処理方式のアライメント系（以
下、「ＦＩＡ系」という）３０及び３１を配設する。Ｆ
ＩＡ系３０及び３１はそれぞれ、ウエハ１９上のアライ
メントマークとしてのウエハマークのステージ座標系
（レーザ干渉計２４により計測される座標に基づいて規
定される座標系）での座標を読み取り、読み取った座標
を主制御系１６に供給する。主制御系１６は、ウエハマ
ークの計測された座標を統計処理して、ウエハ１９の各
ショット領域のステージ座標系での配列座標を求め、こ
の配列座標に基づいて各ショット領域の位置決めを行
う。この方式はエンハンスド・グローバル・アライメン
ト（ＥＧＡ）と呼ばれ、例えば特開昭61-44429号公報，
特開昭62-84516号公報等に開示されている。ＥＧＡ方式
はショット配列の規則性に対応したモデル関数の６つの
パラメータを最小二乗法により決定し、この決定したパ
ラメータと設計上の座標値とに基づいてショット領域毎
の座標値を算出するものである。また、この際に、ウエ
ハ１９上に形成されているチップパターンの走査方向
（Ｘ方向）及び非走査方向（Ｙ方向）の伸縮率（スケー
リングパラメータ）が求められる。このことは特願平4-
346072号に詳しく述べられており、ＥＧＡ方式において
最小二乗法により決定される６つのパラメータのうち、
Ｘ方向及びＹ方向のスケーリング（伸縮率）を表す２つ
のパラメータをスケーリングパラメータとして選択す
る。Further, alignment systems (hereinafter, referred to as "FIA systems") 30 and 31 of an off-axis image processing system are provided before and after the projection optical system 18 in the scanning direction. F
The IA systems 30 and 31 respectively read the coordinates of a wafer mark as an alignment mark on the wafer 19 in a stage coordinate system (a coordinate system defined based on coordinates measured by the laser interferometer 24), and read the read coordinates. Is supplied to the main control system 16. The main control system 16 statistically processes the measured coordinates of the wafer mark to obtain array coordinates of each shot area of the wafer 19 in the stage coordinate system, and positions each shot area based on the array coordinates. This method is called enhanced global alignment (EGA). For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-44429,
It is disclosed in JP-A-62-84516. The EGA method determines six parameters of a model function corresponding to the regularity of the shot arrangement by the least squares method, and calculates coordinate values for each shot area based on the determined parameters and design coordinate values. is there. At this time, the expansion / contraction ratio (scaling parameter) of the chip pattern formed on the wafer 19 in the scanning direction (X direction) and the non-scanning direction (Y direction) is obtained. This is Japanese Patent Application Hei 4-
No. 346072, among the six parameters determined by the least squares method in the EGA method,
Two parameters representing scaling (extension / contraction ratio) in the X direction and the Y direction are selected as scaling parameters.
【００２２】これらスケーリングパラメータより、ウエ
ハ１９上に既に形成されているチップパターンの走査方
向及び非走査方向の倍率変化が求められる。本例では、
このように計測された倍率変化に応じて、後述のように
レチクル１１からウエハ１９への走査方向及び非走査方
向の倍率を補正する。その内の非走査方向の倍率は、倍
率制御部３５が投影光学系１８の所定のレンズ間隔を調
整するか、又は所定のレンズ室の圧力等を調整すること
により調整される。倍率制御部３５の動作も主制御系１
６により制御されている。From these scaling parameters, the change in magnification of the chip pattern already formed on the wafer 19 in the scanning direction and the non-scanning direction is obtained. In this example,
The magnification in the scanning direction and the non-scanning direction from the reticle 11 to the wafer 19 is corrected in accordance with the magnification change thus measured, as described later. Among them, the magnification in the non-scanning direction is adjusted by adjusting the predetermined lens interval of the projection optical system 18 by the magnification control unit 35 or adjusting the pressure of a predetermined lens chamber. The operation of the magnification control unit 35 is also the main control system 1.
6.
【００２３】具体的に、投影光学系１８は、レチクル１
１側から順にレンズ３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，
‥‥より構成され、最もレチクル１１に近いレンズ３２
Ａと次のレンズ３２Ｂとの間に３個の圧電素子よりなる
アクチュエータ３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃが装着されてい
る。そして、倍率制御部３５からの指示により駆動部３
４がアクチュエータ３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃの厚さを個
別に設定することにより、レンズ３２Ａとレンズ３２Ｂ
との間隔又は傾きが調整され、これにより投影光学系１
８の倍率誤差及び歪曲収差が所定の範囲内で調整され
る。また、投影光学系１８には圧力制御部３６が接続さ
れ、圧力制御部３６は倍率制御部３５からの指示に基づ
いて、投影光学系１８の所定のレンズ間のレンズ室内の
気体の圧力を調整する。このように所定のレンズ室内の
気体の圧力を調整することによっても、投影光学系１８
の倍率誤差を調整できる。なお、所定のレンズ室内の気
体の温度を調整しても良い。Specifically, the projection optical system 18 includes the reticle 1
The lenses 32A, 32B, 32C, 32D,
A lens 32 closest to the reticle 11
Actuators 33A, 33B, and 33C made of three piezoelectric elements are mounted between A and the next lens 32B. The driving unit 3 receives an instruction from the magnification control unit 35.
4 individually sets the thicknesses of the actuators 33A, 33B, and 33C, so that the lens 32A and the lens 32B
Of the projection optical system 1 is adjusted.
The magnification error and distortion are adjusted within a predetermined range. Further, a pressure control unit 36 is connected to the projection optical system 18, and the pressure control unit 36 adjusts the pressure of gas in the lens chamber between predetermined lenses of the projection optical system 18 based on an instruction from the magnification control unit 35. I do. By adjusting the pressure of the gas in the predetermined lens chamber in this manner, the projection optical system 18 can also be adjusted.
Magnification error can be adjusted. Note that the temperature of the gas in a predetermined lens chamber may be adjusted.
【００２４】次に、本例の投影露光装置において、レチ
クル１１のパターンをスリットスキャン露光方式で逐次
ウエハ１９上に投影露光する際の動作の一例につき説明
する。この場合、ウエハ１９の各ショット領域にはそれ
までのプロセスによりそれぞれ所定のチップパターンが
形成されているものとする。図２は、ウエハ１９の露光
面の一部を示し、この図２に示すように、ウエハ１９上
の各ショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，‥‥にはそれぞれチ
ップパターンが形成され、これらチップパターンの上に
重ねてレチクル１１のパターン像がスリットスキャン露
光方式で投影露光される。Next, an example of the operation when the pattern of the reticle 11 is sequentially projected and exposed on the wafer 19 by the slit scan exposure method in the projection exposure apparatus of this embodiment will be described. In this case, it is assumed that a predetermined chip pattern is formed in each shot area of the wafer 19 by the processes up to that time. FIG. 2 shows a part of the exposed surface of the wafer 19, and as shown in FIG. 2, chip patterns are formed in each of the shot areas SA1, SA2,. And a pattern image of the reticle 11 is projected and exposed by a slit scan exposure method.
【００２５】また、各ショット領域ＳＡ１等のＸ方向の
実際の幅はＷＸ1 、Ｙ方向の実際の幅はＷＹ1 であると
し、チップパターンの伸縮率が１であるとした場合の各
ショット領域ＳＡ１Ａ，ＳＡ２Ａ，‥‥のＸ方向の幅
（設計上の幅）をＷＸ0 、Ｙ方向の幅をＷＹ0 とする。
更に、投影光学系１８の設計上の基準の投影倍率はβ0
であり、ウエハ１９上に形成されているチップパターン
のＸ方向の倍率誤差（伸縮率の変化量）をα、Ｙ方向の
倍率誤差をγとすると、次式が成立する。 β0 ＋α＝β0(ＷＸ1 ／ＷＸ0) （１） β0 ＋γ＝β0(ＷＹ1 ／ＷＹ0) （２）Further, the actual width in the X direction of each shot area SA1 and the like is WX 1 , the actual width in the Y direction is WY 1 , and each shot area when the expansion / contraction rate of the chip pattern is 1 The width in the X direction (designed width) of SA1A, SA2A ,... Is WX 0 , and the width in the Y direction is WY 0 .
Furthermore, the design reference projection magnification of the projection optical system 18 is β 0
If the magnification error in the X direction (the amount of change in the expansion / contraction ratio) of the chip pattern formed on the wafer 19 is α, and the magnification error in the Y direction is γ, the following equation is established. β 0 + α = β 0 (WX 1 / WX 0 ) (1) β 0 + γ = β 0 (WY 1 / WY 0 ) (2)
【００２６】従って、それら走査方向の倍率誤差α及び
非走査方向の倍率誤差γはそれぞれ次のように表すこと
ができる。 α＝β0(ＷＸ1 ／ＷＸ0 −１） （３） γ＝β0(ＷＹ1 ／ＷＹ0 −１） （４）Therefore, the magnification error α in the scanning direction and the magnification error γ in the non-scanning direction can be expressed as follows. α = β 0 (WX 1 / WX 0 −1) (3) γ = β 0 (WY 1 / WY 0 −1) (4)
【００２７】本例では露光の直前に、図１のＦＩＡ系３
０又は３１を用いて、ウエハ１９の各ショット領域に形
成されているウエハマークのステージ座標系（Ｘ，Ｙ）
での座標位置を計測することにより、それら倍率誤差α
及びγを求める。例えばＥＧＡ方式を適用してウエハ上
のショット領域毎の座標値を算出する際に、最小二乗法
により決定されるＸ，Ｙ方向の２つのスケーリングパラ
メータを倍率誤差α，γとして求める。その後、非走査
方向の倍率誤差γ分だけ、図１の倍率制御部３５を介し
て投影光学系１８の投影倍率β0 を補正する。これによ
り、投影光学系１８の投影倍率は（β0 ＋γ）に設定さ
れる。なお、より望ましいのは、投影光学系１８の走査
方向（Ｘ方向）及び非走査方向（Ｙ方向）の投影倍率を
独立に補正して、走査方向の投影倍率を（β0 ＋α）
に、非走査方向の投影倍率を（β0＋γ）に設定するこ
とであるのは言うまでも無い。In this example, immediately before exposure, the FIA system 3 shown in FIG.
The stage coordinate system (X, Y) of the wafer mark formed in each shot area of the wafer 19 using 0 or 31
By measuring the coordinate position at, the magnification error α
And γ are obtained. For example, when calculating a coordinate value for each shot area on a wafer by applying the EGA method, two scaling parameters in the X and Y directions determined by the least square method are obtained as magnification errors α and γ . Then, the projection magnification β 0 of the projection optical system 18 is corrected by the magnification control unit 35 of FIG. 1 by the magnification error γ in the non-scanning direction. Thereby, the projection magnification of the projection optical system 18 is set to (β 0 + γ). More preferably, the projection magnification in the scanning direction (X direction) and the non-scanning direction (Y direction) of the projection optical system 18 are independently corrected, and the projection magnification in the scanning direction is set to (β 0 + α).
Needless to say, the projection magnification in the non-scanning direction is set to (β 0 + γ).
【００２８】次に、投影光学系１８の投影倍率がβ0 で
あるときに、図１のスリット状の照明領域３７と投影光
学系１８に関して共役なスリット状の露光領域を図２の
露光領域３８Ａとすると、その露光領域３８ＡのＹ方向
の最大の幅はＷＹ0 である。そして、投影光学系１８の
非走査方向の投影倍率を（β0 ＋γ）に設定することに
より、その露光領域３８Ａは非走査方向の最大の幅がＷ
Ｙ1 の露光領域３８になる。その露光領域３８に対して
Ｘ方向にウエハ１９を走査して露光を行うことにより、
非走査方向の重ね合わせ誤差はほぼ０になる。Next, when the projection magnification of the projection optical system 18 is β 0 , the slit-shaped illumination region 37 of FIG. 1 and the slit-shaped exposure region conjugate with respect to the projection optical system 18 are changed to the exposure region 38A of FIG. Then, the maximum width of the exposure area 38A in the Y direction is WY 0 . By setting the projection magnification of the projection optical system 18 in the non-scanning direction to (β 0 + γ), the maximum width of the exposure area 38A in the non-scanning direction is W.
It becomes exposed region 38 of the Y 1. By performing exposure by scanning the wafer 19 in the X direction with respect to the exposure area 38,
The overlay error in the non-scanning direction is almost zero.
【００２９】次に、走査方向（Ｘ方向）の倍率誤差αを
補正するために、図１の主制御系１６は、スリットスキ
ャン露光時のレチクル１１の走査速度とウエハ１９の走
査速度との相対速度を補正する。具体的に、図３に示す
ように、レチクル１１をＸ方向に速度Ｖで走査するもの
として、ウエハ１９の−Ｘ方向への走査速度を（β0＋
α）Ｖに設定する。即ち、レチクル１１に対するウエハ
１９の相対速度を（β 0 ＋α）に設定する。Next, the magnification error α in the scanning direction (X direction) is
For correction, the main control system 16 of FIG.
Scanning speed of reticle 11 and scanning of wafer 19 during scan exposure
Correct the speed relative to the inspection speed. Specifically, shown in FIG.
Scanning the reticle 11 at a speed V in the X direction
And the scanning speed of the wafer 19 in the −X direction is (β0+
α) Set to V. That is, the wafer with respect to the reticle 11
The relative speed of 19 (β 0+ Α).
【００３０】図３において、走査方向の倍率誤差が０で
あるときに、ウエハ１９上で走査方向の幅がＷＸ0 のシ
ョット領域へ露光を行うためには、レチクル１１上の走
査方向の幅がＷＸ0 ／β0 のパターン領域が使用され
る。そして、走査方向の倍率誤差がαである場合は、ス
リット状の照明領域３７に対してＸ方向にレチクル１１
が幅ＷＸ0 ／β0 だけ走査されるときに、ウエハ１９が
露光領域３８に対して−Ｘ方向に走査される幅をΔＸと
すると、幅ΔＸは次のようになる。 ΔＸ＝｛（ＷＸ0 ／β0)／Ｖ｝（β0 ＋α）Ｖ ＝｛（β0 ＋α）／β0}ＷＸ0 （５）In FIG. 3, when the magnification error in the scanning direction is 0, in order to expose a shot area having a width WX 0 on the wafer 19 in the scanning direction, the width in the scanning direction on the reticle 11 must be increased. A pattern area of WX 0 / β 0 is used. If the magnification error in the scanning direction is α, the reticle 11 is moved in the X direction with respect to the slit-shaped illumination area 37.
Is scanned by the width WX 0 / β 0, assuming that the width of the wafer 19 scanned in the −X direction with respect to the exposure area 38 is ΔX, the width ΔX is as follows. ΔX = ｛(WX 0 / β 0 ) / V｝ (β 0 + α) V = ｛(β 0 + α) / β 0 } WX 0 (5)
【００３１】この（５）式に（１）式を代入すると、Δ
Ｘ＝ＷＸ1 、となり、幅ΔＸは図２の各ショット領域Ｓ
Ａ１等の走査方向の幅ＷＸ1 と合致する。従って、本例
のように走査方向へのウエハ１９の走査速度を（β0 ＋
α）Ｖに設定することで、ウエハ１９上のチップパター
ンの走査方向の倍率誤差がαである場合に、走査方向の
重ね合わせ誤差をほぼ０にすることができる。By substituting equation (1) into equation (5), Δ
X = WX 1 , and the width ΔX is equal to each shot area S in FIG.
It matches the width WX 1 scanning direction such A1. Accordingly, the scanning speed of the wafer 19 in the scanning direction is set to (β 0 +
α) By setting V, when the magnification error in the scanning direction of the chip pattern on the wafer 19 is α, the superposition error in the scanning direction can be made substantially zero.
【００３２】なお、上述の倍率誤差α及びγを、図２の
ショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，‥‥毎に求めるようにし
ても良い。具体的には、ショット領域の４隅の各々に十
字状マークを形成しておき、各マークのＸ，Ｙ方向の座
標値をＦＩＡ系により計測してショット領域毎の倍率誤
差α，γを求めればよい。そして、スリットスキャン露
光方式で露光を行う際に、１つのショット領域毎に、倍
率制御部３５及びステージ制御部１７，２５を介して非
走査方向の倍率及び走査方向の倍率を制御すれば、ダイ
・バイ・ダイ方式での倍率補正が可能となる。更に、１
つのショット領域内を複数個のブロックに分割し、各ブ
ロック毎に倍率補正を行えば、１つのショット領域全体
で見ればディストーションの補正が可能となる。The above-mentioned magnification errors α and γ may be obtained for each of the shot areas SA1, SA2,. Specifically, a cross-shaped mark is formed at each of the four corners of the shot area, and the coordinate values of each mark in the X and Y directions are measured by the FIA system to obtain magnification errors α and γ for each shot area. I just need. When exposure is performed by the slit scan exposure method, by controlling the magnification in the non-scanning direction and the magnification in the scanning direction via the magnification control unit 35 and the stage control units 17 and 25 for each shot area, the die -The magnification can be corrected by the bi-die method. Furthermore, 1
If one shot area is divided into a plurality of blocks, and magnification correction is performed for each block, distortion can be corrected for one shot area as a whole.
【００３３】次に、本例の投影露光装置の露光量制御に
ついて説明する。本例の光源１はパルス発振型であるた
め、図１において、スリットスキャン露光時に主制御系
１６は、トリガー制御部２９を介して光源１に所定の周
波数ｆでパルス発振を行わせる。この際に、各パルス光
の平均光量がほぼ一定であるとすると、ウエハ１９の走
査速度が変化するとウエハ１９上の各点での積算露光量
が変化してしまう。Next, the control of the exposure amount of the projection exposure apparatus of this embodiment will be described. Since the light source 1 of this example is of a pulse oscillation type, in FIG. 1, the main control system 16 causes the light source 1 to perform pulse oscillation at a predetermined frequency f via a trigger control unit 29 during slit scan exposure. At this time, assuming that the average light amount of each pulse light is substantially constant, if the scanning speed of the wafer 19 changes, the integrated exposure amount at each point on the wafer 19 changes.
【００３４】図４（ａ）は、ウエハ１９上のスリット状
の露光領域３８の近傍の様子を示し、露光領域３８の走
査方向の幅をＤとする。また、図４（ｂ）の曲線４０
は、パルス発光時のその露光領域３８の走査方向（Ｘ方
向）の照度分布Ｉ（Ｘ）を示し、曲線４０の傾斜部４０
ａ及び４０ｂで示すように、照度分布Ｉ（Ｘ）のＸ方向
の端部は台形状に比較的なだらかに変化している。照度
分布Ｉ（Ｘ）がこのように台形状であると、ウエハ１９
上の各点での積算露光量のばらつきが小さくなり、走査
方向の照度均一性が向上する。FIG. 4A shows a state near the slit-shaped exposure region 38 on the wafer 19, and the width of the exposure region 38 in the scanning direction is D. Also, the curve 40 in FIG.
Indicates the illuminance distribution I (X) of the exposure region 38 in the scanning direction (X direction) at the time of pulse emission, and the slope 40 of the curve 40
As shown by a and 40b, the end in the X direction of the illuminance distribution I (X) changes relatively gently into a trapezoidal shape. When the illuminance distribution I (X) has such a trapezoidal shape, the wafer 19
Variations in the integrated exposure amount at each point above are reduced, and the illuminance uniformity in the scanning direction is improved.
【００３５】そして、倍率誤差が無い場合のウエハ１９
の走査速度をβ0 Ｖ、光源１のパルス発光の周波数をｆ
0 、１パルスの露光エネルギーの平均値をΔＥとする
と、図４（ａ）のウエハ１９上の被露光点３９での積算
露光量ΣＥ0 は、ほぼ次のようになる。この積算露光量
がΣＥ0 が目標露光量であるとする。 ΣＥ0 ＝ΔＥ・ｆ0・Ｄ／（β0・Ｖ） （６） 次に、走査方向の倍率誤差がαであるときの、ウエハ１
９の走査速度を（β0＋α）Ｖ、光源１のパルス発光の
周波数を（ｆ0 ＋Δｆ0)とすると、被露光点３９での積
算露光量ΣＥは、ほぼ次のようになる。 ΣＥ＝ΔＥ・（ｆ0 ＋Δｆ0)・Ｄ／｛（β0 ＋α）Ｖ｝ （７）Then, when there is no magnification error, the wafer 19
Scanning speed is β 0 V, and the frequency of pulse emission of the light source 1 is f
0 , assuming that the average value of the exposure energy of one pulse is ΔE, the integrated exposure amount ΣE 0 at the point 39 to be exposed on the wafer 19 in FIG. It is assumed that the integrated exposure amount ΔE 0 is the target exposure amount. ΣE 0 = ΔE · f 0 · D / (β 0 · V) (6) Next, when the magnification error in the scanning direction is α, the wafer 1
Assuming that the scanning speed of No. 9 is (β 0 + α) V and the frequency of the pulse light emission of the light source 1 is (f 0 + Δf 0 ), the integrated exposure amount ΣE at the point 39 to be exposed is substantially as follows. {E = ΔE · (f 0 + Δf 0 ) · D / {(β 0 + α) V} (7)
【００３６】この場合、ウエハ１９の走査速度が変化し
た場合でも、積算露光量ΣＥは目標露光量であるΣＥ0
と等しいことが要求される。従って、（６）式の右辺と
（７）式の右辺とを等しいとおくことにより、次式が得
られる。 ｆ0 ／β0 ＝（ｆ0 ＋Δｆ0)／（β0 ＋α） （８） これは、積算露光量ΣＥを目標露光量に維持するために
は、光源１の発振周波数ｆ（＝ｆ0 ＋Δｆ0)を、図４
（ｃ）に示すように、ウエハ１９の走査速度（β 0 ＋
α）Ｖに比例させる必要があることを意味する。そこ
で、スリットスキャン露光方式で露光を行う際に、主制
御系１６は、レチクルステージ制御部１７及びウエハス
テージ制御部２５を介してそれぞれレチクルステージ１
２及びウエハ側のＸＹステージ２１の走査速度を設定す
るのと並行して、トリガー制御部２９を介して光源１の
発振周波数ｆをウエハ１９の走査速度に比例する値に設
定する。これにより、ウエハ１９の走査速度を変えた場
合でも、ウエハ１９の各点での積算露光量が目標露光量
になる。In this case, the scanning speed of the wafer 19 changes.
The integrated exposure amount ΔE is the target exposure amount ΔE0
Is required to be equal to Therefore, the right side of equation (6)
By making the right side of equation (7) equal, the following equation is obtained.
Can be f0/ Β0= (F0+ Δf0) / (Β0+ Α) (8) This is to maintain the integrated exposure amount ΔE at the target exposure amount.
Is the oscillation frequency f of the light source 1 (= f0+ Δf0) And FIG.
As shown in (c), the scanning speed of the wafer 19 (β 0+
α) means that it is necessary to make it proportional to V. There
When performing exposure using the slit scan exposure method,
The control system 16 includes a reticle stage control unit 17 and a wafer
Each reticle stage 1 via the stage controller 25
2 and the scanning speed of the XY stage 21 on the wafer side are set.
At the same time, the light source 1 is
The oscillation frequency f is set to a value proportional to the scanning speed of the wafer 19.
Set. Thus, when the scanning speed of the wafer 19 is changed,
In any case, the integrated exposure amount at each point of the wafer 19 is equal to the target exposure amount.
become.
【００３７】なお、上述実施例では、光源１の発振周波
数ｆをウエハ１９の走査速度に比例させているが、光源
１の発振周波数を一定の値ｆ0 に固定して、各パルス光
の光量の平均値をウエハ１９の走査速度に反比例するよ
うに変更しても良い。光量の制御方法としては、光源１
の電源電圧を制御する方法や、透過率をほぼ連続的に変
更できる可変ＮＤフィルターをレーザビームの光路に配
設する方法等が考えられる。また、露光光の光源がパル
ス発振型の光源ではなく、水銀ランプのような連続発光
型の光源である場合には、積算露光量を目標露光量に設
定するには、ウエハの走査速度に反比例するように露光
光の光量を制御する方法が用いられる。尚、倍率制御部
３５（駆動部３４と圧力制御部３６との少なくとも一
方）を用いて非走査方向の倍率誤差γを補正するとき、
走査方向の倍率も変動し得る。このような場合は、走査
方向の倍率変化量を考慮して前述の如き露光量制御を行
うことが望ましい。In the above-described embodiment, the oscillation frequency f of the light source 1 is proportional to the scanning speed of the wafer 19. However, the oscillation frequency of the light source 1 is fixed at a constant value f 0 and the light amount of each pulse light is fixed. May be changed so as to be inversely proportional to the scanning speed of the wafer 19. As a method of controlling the light amount, the light source 1
And a method of disposing a variable ND filter capable of changing the transmittance almost continuously in the optical path of the laser beam. When the light source of the exposure light is not a pulse oscillation type light source but a continuous emission type light source such as a mercury lamp, setting the integrated exposure amount to the target exposure amount is inversely proportional to the wafer scanning speed. In this case, a method of controlling the amount of exposure light is used. When correcting the magnification error γ in the non-scanning direction using the magnification control unit 35 (at least one of the driving unit 34 and the pressure control unit 36),
The magnification in the scanning direction can also vary. In such a case, it is desirable to perform the exposure amount control as described above in consideration of the magnification change amount in the scanning direction.
【００３８】次に、本発明の他の実施例につき図５を参
照して説明する。本実施例では図１の投影露光装置をそ
のまま使用するが、その露光時の動作が異なっている。
図５は、本例の露光対象とするウエハを示し、この図５
において、ショット領域ＳＢ１及びＳＢ２には既にチッ
プパターンが形成されていると共に、ショット領域ＳＢ
１にはＸ方向に２列にウエハマーク４１Ａ〜４１Ｄ及び
４２Ａ〜４２Ｄが形成されている。他のショット領域に
も同様にウエハマークが形成されている。例えばショッ
ト領域ＳＢ１へレチクルのパターン像を露光する際に
は、スリット状の露光領域３８に対して−Ｘ方向にウエ
ハを走査する。そのスリット状の露光領域３８は図１の
ウエハ１９上の露光領域３８と同じものである。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the projection exposure apparatus of FIG. 1 is used as it is, but the operation at the time of exposure is different.
FIG. 5 shows a wafer to be exposed in this example.
In the example, the chip patterns are already formed in the shot areas SB1 and SB2, and
In FIG. 1, two rows of wafer marks 41A to 41D and 42A to 42D are formed in the X direction. Similarly, wafer marks are formed in other shot areas. For example, when exposing the reticle pattern image to the shot area SB1, the wafer is scanned in the −X direction with respect to the slit-shaped exposure area 38. The slit-shaped exposure area 38 is the same as the exposure area 38 on the wafer 19 in FIG.
【００３９】また、図１のオフ・アクシスのアライメン
ト系としてのＦＩＡ系３０の観察領域が図５の２個の観
察領域３０Ａ及び３０Ｂであり、図１のＦＩＡ系３１の
観察領域が図５の２個の観察領域３１Ａ及び３１Ｂであ
る。即ち、観察領域３０Ａ及び３０Ｂは露光領域３８に
対して走査が始まる側にあり、観察領域３１Ａ及び３１
Ｂは露光領域３８に対して走査が終わった側にある。本
例の露光領域３８に対してショット領域ＳＢ１を走査す
る際に、観察領域３０Ａ及び３０Ｂをそれぞれウエハマ
ーク４１Ａ〜４１Ｄ及び４２Ａ〜４２Ｄが通過するよう
になっている。そこで、図１のＦＩＡ系３０では順次ウ
エハマーク４１Ａ及び４２Ａ、ウエハマーク４１Ｂ及び
４２Ｂ、‥‥のＹ方向の間隔ＬＹを計測する。更に、Ｆ
ＩＡ系３０では、順次ウエハマーク４１Ａ及び４１Ｂ、
ウエハマーク４２Ａ及び４２Ｂ等のＸ方向の間隔ＰＸを
計測する。The observation regions of the FIA system 30 as the off-axis alignment system of FIG. 1 are two observation regions 30A and 30B of FIG. 5, and the observation region of the FIA system 31 of FIG. These are two observation areas 31A and 31B. That is, the observation areas 30A and 30B are on the side where scanning starts with respect to the exposure area 38, and the observation areas 31A and 31B
B is on the side where scanning has been completed with respect to the exposure area 38. When scanning the shot area SB1 with respect to the exposure area 38 of the present example, the wafer marks 41A to 41D and 42A to 42D pass through the observation areas 30A and 30B, respectively. Therefore, the FIA system 30 in FIG. 1 sequentially measures the distance LY in the Y direction between the wafer marks 41A and 42A and the wafer marks 41B and 42B,. Further, F
In the IA system 30, the wafer marks 41A and 41B,
The distance PX between the wafer marks 42A and 42B in the X direction is measured.
【００４０】この計測結果が図１の主制御系１６に供給
され、主制御系１６では、ウエハマーク４１Ａ〜４１Ｄ
及び４２Ａ〜４２ＤのＹ方向及びＸ方向の間隔から、シ
ョット領域ＳＢ１内の各部のＸ方向及びＹ方向の倍率変
化を順次算出する。そして、露光領域３８に対して−Ｘ
方向にショット領域ＳＢ１を走査して露光を行う際に、
ウエハマークのＸ方向及びＹ方向の間隔を先読みするこ
とにより、次に露光する部分の倍率変化を算出し、Ｘ方
向及びＹ方向の倍率変化の補正を行いながらショット領
域ＳＢ１への露光を行う。本例でも、Ｘ方向の倍率変化
の補正はウエハの走査速度の補正で行われ、Ｙ方向の倍
率変化の補正は投影光学系１８の投影倍率の補正で行わ
れる。The measurement result is supplied to the main control system 16 shown in FIG.
, And the magnification changes in the X and Y directions of each part in the shot area SB1 are sequentially calculated from the intervals in the Y and X directions of 42A to 42D. Then, -X is applied to the exposure area 38.
When the exposure is performed by scanning the shot area SB1 in the direction,
By pre-reading the distance between the wafer mark in the X direction and the Y direction, the magnification change of the portion to be exposed next is calculated, and the shot area SB1 is exposed while correcting the magnification change in the X direction and the Y direction. Also in this example, the correction of the magnification change in the X direction is performed by correcting the scanning speed of the wafer, and the correction of the magnification change in the Y direction is performed by correcting the projection magnification of the projection optical system 18.
【００４１】なお、露光領域３８に対してウエハをＸ方
向に走査する際には、図１のＦＩＡ系３１を使用してウ
エハマークの座標を先読みする。このように本例によれ
ば、露光時にウエハマークの座標を先読みし、先読みし
た結果に基づいて走査方向及び非走査方向の倍率誤差を
補正して露光を行うことができるため、予めウエハの各
ショット領域の伸縮率を計測する必要がなく、露光時間
を短縮できる。また、各ショット領域ＳＢ１等を分割し
たブロック別に倍率変化の補正を行うことができるた
め、各ショット領域のディストーションをも補正するこ
とができる。When the wafer is scanned in the X direction with respect to the exposure area 38, the coordinates of the wafer mark are read in advance using the FIA system 31 shown in FIG. As described above, according to this example, the coordinates of the wafer mark are pre-read at the time of exposure, and magnification errors in the scanning direction and the non-scanning direction can be corrected based on the pre-read result, so that exposure can be performed. There is no need to measure the expansion / contraction ratio of the shot area, and the exposure time can be reduced. Further, since the magnification change can be corrected for each block obtained by dividing each shot area SB1 and the like, the distortion of each shot area can also be corrected.
【００４２】なお、図１の実施例では、予めウエハ１９
上のウエハマークの座標位置を計測し、この計測結果を
統計処理して各ショット領域の倍率変化を求めている
が、その統計処理方式とダイ・バイ・ダイ方式で倍率変
化を計測して補正を行う方式とを組み合わせてもよい。
即ち、予めウエハ全体の倍率変化及びディストーション
の変化を統計処理により求めておき、各ショット領域へ
の露光の前に、倍率制御部３５及びステージ制御部１
７，２５に、それぞれ非走査方向及び走査方向の倍率誤
差の補正を行っておく。次に、各ショット領域毎に改め
て、ダイ・バイ・ダイ方式で倍率変化及びディストーシ
ョンの計測を行って、残留倍率誤差及び残留ディストー
ションを求め、露光時にそれぞれ倍率補正を行う。この
方式では、ショット領域毎に倍率及びディストーション
が大きく変化している場合に、スループットの向上が図
れる。In the embodiment shown in FIG.
The coordinate position of the upper wafer mark is measured, and this measurement result is statistically processed to determine the change in magnification for each shot area. The change in magnification is measured by the statistical processing method and die-by-die method and corrected. May be combined.
That is, a change in magnification and a change in distortion of the entire wafer are obtained in advance by statistical processing, and before exposure to each shot area, the magnification control unit 35 and the stage control unit 1 are exposed.
Correction of magnification errors in the non-scanning direction and in the scanning direction is performed on 7, 7 respectively. Next, the magnification change and distortion are measured again by the die-by-die method for each shot area, the residual magnification error and residual distortion are obtained, and magnification correction is performed at the time of exposure. In this method, the throughput can be improved when the magnification and distortion vary greatly for each shot area.
【００４３】また、露光時の照射エネルギーによる、投
影光学系１８の倍率変化については、予め照射エネルギ
ーと投影光学系１８の倍率変化との関係を求めておく。
そして、露光量モニター部２８で検出される積算露光量
等に基づいて、その投影光学系１８の倍率変化を相殺す
るように、倍率制御部３５を介して投影光学系１８の倍
率を補正すればよい。As for the change in magnification of the projection optical system 18 due to the irradiation energy at the time of exposure, the relationship between the irradiation energy and the change in magnification of the projection optical system 18 is determined in advance.
Then, based on the integrated exposure amount and the like detected by the exposure amount monitor unit 28, the magnification of the projection optical system 18 is corrected via the magnification control unit 35 so as to cancel the change in magnification of the projection optical system 18. Good.
【００４４】なお、本発明は上述実施例に限定されず、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る
ことは勿論である。なお、上述実施例によれば、非走査
方向の倍率誤差を投影光学系の投影倍率の補正により補
正し、走査方向の倍率誤差をマスク（レチクル１１）と
基板（ウエハ１９）との相対速度の調整により補正して
いるため、マスクから基板への走査方向の投影倍率と、
マスクから基板への非走査方向の投影倍率とをそれぞれ
独立に補正できる利点がある。また、基板上のショット
領域毎の倍率補正ができるため、複数の露光装置を用い
た場合の装置間のマッチング精度が向上する。 The present invention is not limited to the above-described embodiment.
It goes without saying that various configurations can be taken without departing from the gist of the present invention. According to the above-described embodiment, the non-scanning
The magnification error in the direction is compensated by correcting the projection magnification of the projection optical system.
Correct the magnification error in the scanning direction with the mask (reticle 11).
Corrected by adjusting the relative speed with respect to the substrate (wafer 19)
Therefore, the projection magnification in the scanning direction from the mask to the substrate,
The projection magnification in the non-scanning direction from the mask to the substrate
There is an advantage that correction can be made independently. Also shot on the board
Since multiple magnifications can be corrected for each area,
In this case, the matching accuracy between the devices is improved.
【００４５】[0045]
【発明の効果】本発明によれば、重ね合わせ露光時に、
マッチング精度を向上できる。According to the present invention, at the time of overlay exposure,
Matching accuracy can be improved.
【００４６】また、マスクステージと基板ステージとの
相対速度が変化した場合でも、基板上の各点での積算露
光量を目標露光量にすることができ、パターニング精度
が向上する。 Even when the relative speed between the mask stage and the substrate stage changes , the integrated exposure amount at each point on the substrate can be made the target exposure amount, and the patterning accuracy is improved.
【図１】本発明の実施例において使用される投影露光装
置を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a projection exposure apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図２】図１のウエハ１９の露光面のショット領域の倍
率変化の状態を示す拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a state of a change in magnification of a shot area on an exposure surface of a wafer 19 in FIG.
【図３】レチクル１１及びウエハ１９を走査する際の説
明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram when scanning a reticle 11 and a wafer 19;
【図４】（ａ）はウエハ上の露光領域を示す拡大平面
図、（ｂ）はその露光領域の走査方向の照度分布を示す
図、（ｃ）はパルス発振型の光源の発振周波数ｆとウエ
ハの走査速度との関係を示す図である。4A is an enlarged plan view showing an exposure region on a wafer, FIG. 4B is a diagram showing an illuminance distribution of the exposure region in a scanning direction, and FIG. 4C is a diagram showing the oscillation frequency f of a pulse oscillation type light source; FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship with a scanning speed of a wafer.
【図５】本発明の他の実施例のウエハ上のショット領域
を示す拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view showing a shot area on a wafer according to another embodiment of the present invention.
１ 光源 ２ ビーム整形光学系 ４ フライアイレンズ ５ ビームスプリッター ７ 視野絞り １１ レチクル １２ レチクルステージ １５，２５ レーザ干渉計 １６ 主制御系 １７ レチクルステージ制御部 １８ 投影光学系 １９ ウエハ ２１ ＸＹステージ ２５ ウエハステージ制御部 ３５ 倍率制御部 Reference Signs List 1 light source 2 beam shaping optical system 4 fly eye lens 5 beam splitter 7 field stop 11 reticle 12 reticle stage 15, 25 laser interferometer 16 main control system 17 reticle stage control unit 18 projection optical system 19 wafer 21 XY stage 25 wafer stage control Unit 35 Magnification control unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−116735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128713（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−68185（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65222（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−232616（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−277612（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62871（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291016（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 G03F 9/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-58-116735 (JP, A) JP-A-63-128713 (JP, A) JP-A-3-68185 (JP, A) JP-A-2- 65222 (JP, A) JP-A-61-232616 (JP, A) JP-A-4-196513 (JP, A) JP-A-4-277612 (JP, A) JP-A-5-62871 (JP, A) JP-A-6-291016 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 G03F 9/00
Claims (15)
照明光学系と、前記照明領域に対して転写用のパターン
が形成されたマスクを保持して所定の走査方向に移動す
るマスクステージと、前記照明領域内の前記マスクのパ
ターン像を感光性の基板上に投影する投影光学系と、前
記基板を保持して前記マスクの移動と同期して前記走査
方向と共役な方向に移動する基板ステージとを有し、前
記所定形状の照明領域に対して前記マスク及び前記基板
を移動することにより、前記マスクのパターンを用いて
前記基板を走査露光する投影露光装置において、 前記投影光学系の投影倍率を補正する結像特性補正手段
と、前記マスクステージと前記基板ステージとの相対速
度を補正するステージ相対速度補正手段と、前記露光光
の単位面積及び単位時間当りの露光エネルギーを調整す
る露光量制御手段とを設け、前記基板上に転写されるパターンに 前記走査方向に垂直
な方向の倍率誤差が生じないように前記結像特性補正手
段により前記投影光学系の投影倍率を補正し、前記基板
上に転写されるパターンに前記走査方向の倍率誤差が生
じないように前記ステージ相対速度補正手段により前記
マスクステージと前記基板ステージとの相対速度を調整
するとともに、 前記マスクステージと前記基板ステージとの相対速度が
調整されたときに、前記基板に対する露光量が目標露光
量になるように前記露光量制御手段で前記露光光の露光
エネルギーを調整する ことを特徴とする投影露光装置。An illumination optical system for illuminating an illumination area having a predetermined shape with exposure light, and a mask having a pattern for transfer formed on the illumination area is moved in a predetermined scanning direction. A mask stage, a projection optical system for projecting a pattern image of the mask in the illumination area onto a photosensitive substrate, and a conjugate with the scanning direction in synchronization with the movement of the mask while holding the substrate. and a substrate stage which moves in a direction, by moving the mask and the substrate relative to the illumination area of the predetermined shape, in a projection exposure apparatus for scanning exposing the substrate using the pattern of the mask, the Imaging characteristic correction means for correcting the projection magnification of the projection optical system, stage relative speed correction means for correcting the relative speed between the mask stage and the substrate stage, and the exposure light
Exposure energy per unit area and unit time
Exposure amount control means, and correcting the projection magnification of the projection optical system by the imaging characteristic correction means so that a magnification error in a direction perpendicular to the scanning direction does not occur in the pattern transferred on the substrate. , The substrate
A magnification error in the scanning direction occurs in the pattern transferred on
Flip with said adjusted by the stage relative speed correcting means and said mask stage relative speed between the substrate stage so as not, a relative speed between the mask stage and the substrate stage
When adjusted, the exposure amount for the substrate is adjusted to the target exposure
Exposure of the exposure light by the exposure control means so that
A projection exposure apparatus for adjusting energy .
ることにより前記基板を露光する投影露光装置におい
て、 前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影するため
の投影光学系と、 前記露光によって前記基板上に転写されるパターンの転
写倍率を調整する調整手段と、 該調整手段による転写倍率の調整に応じて、前記基板に
対する露光量制御を行う露光量制御手段と、 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 2. A projection exposure apparatus for exposing the substrate by projecting an image of a pattern of a mask onto a substrate, comprising: a projection optical system for projecting an image of the pattern of the mask onto the substrate; Adjusting means for adjusting a transfer magnification of a pattern transferred onto the substrate by the adjusting means, and an exposure amount controlling means for controlling an exposure amount on the substrate in accordance with the adjustment of the transfer magnification by the adjusting means. Characteristic projection exposure apparatus.
スクと前記基板とを相対的に移動する移動手段をさらに
備え、 前記調整手段は、前記転写倍率を調整するために、前記
マスクと前記基板との相対速度を調整することを特徴と
する請求項２記載の投影露光装置。 3. The apparatus according to claim 2 , further comprising a moving unit that relatively moves the mask and the substrate to scan and expose the substrate, wherein the adjusting unit adjusts the transfer magnification by adjusting the mask and the substrate. 3. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein a relative speed with respect to the substrate is adjusted.
るために、前記投影光学系の投影倍率を調整することを
特徴とする請求項２又は３記載の投影露光装置。 Wherein said adjusting means for adjusting the transfer magnification, a projection exposure apparatus according to claim 2 or 3, wherein the adjusting the projection magnification of the projection optical system.
スクと前記基板とを相対的に移動する移動手段をさらに
備え、 前記調整手段は、前記基板の移動方向の転写倍率を調整
するために、前記マスクと前記基板との相対速度を調整
し、前記基板の移動方向に垂直な方向の転写倍率を調整
するために、前記投影光学系の投影倍率を調整すること
を特徴とする請求項２記載の投影露光装置。5. The apparatus according to claim 1 , further comprising: moving means for relatively moving the mask and the substrate for scanning and exposing the substrate, wherein the adjusting means adjusts a transfer magnification in a moving direction of the substrate. And adjusting a projection magnification of the projection optical system in order to adjust a relative speed between the mask and the substrate and adjust a transfer magnification in a direction perpendicular to a moving direction of the substrate. The projection exposure apparatus according to claim 1.
パルス発振するビーム源をさらに備え、 前記露光量制御手段は、前記ビーム源のパルス発振の周
波数を調整することを特徴とする請求項２〜５の何れか
一項記載の投影露光装置。 6. The apparatus according to claim 2 , further comprising a beam source for oscillating an exposure beam for exposing said substrate, wherein said exposure amount control means adjusts a frequency of pulse oscillation of said beam source. The projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5.
される露光ビームのエネルギー調整を行うことを特徴と
する請求項２〜５の何れか一項記載の投影露光装置。 Wherein said exposure control means is a projection exposure apparatus according to any one of claims 2-5, characterized in that performing the energy adjustment of the exposure beam irradiated on the substrate.
らに備え、 前記露光量制御手段は、前記ビーム源に供給される電圧
を調整して、前記露光ビームのエネルギー調整を行うこ
とを特徴とする請求項７記載の投影露光装置。 8. The apparatus according to claim 1 , further comprising a beam source for emitting said exposure beam, wherein said exposure amount control means adjusts a voltage supplied to said beam source to adjust energy of said exposure beam. A projection exposure apparatus according to claim 7.
の光路に配置された透過率可変のフィルタを用いて、前
記露光ビームのエネルギー調整を行うことを特徴とする
請求項７記載の投影露光装置。 9. The projection exposure apparatus according to claim 7, wherein said exposure amount control means adjusts the energy of said exposure beam using a variable transmittance filter disposed in an optical path of said exposure beam. apparatus.
露光装置を用いて前記基板を露光する工程を含むことを
特徴とする素子製造方法。 10. A device manufacturing method, comprising a step of exposing the substrate using the projection exposure apparatus according to claim 1. Description:
することにより前記基板を露光する投影露光方法におい
て、 前記基板上に転写されるパターンの転写倍率の調整に応
じて、前記基板に対する露光量制御を行うことを特徴と
する投影露光方法。 11. A projection exposure method for exposing the substrate by projecting an image of a mask pattern onto the substrate, the method comprising: exposing the substrate to light in accordance with adjustment of a transfer magnification of a pattern transferred onto the substrate. A projection exposure method characterized by performing control.
基板とは相対的に移動し、 前記転写倍率の調整は、前記基板の露光中における前記
マスクと前記基板との相対速度を調整することによって
行なわれることを特徴とする請求項１１記載の投影露光
方法。 12. The method according to claim 12 , wherein the mask and the substrate move relatively during exposure of the substrate, and the transfer magnification is adjusted by adjusting a relative speed between the mask and the substrate during exposure of the substrate. 12. The projection exposure method according to claim 11, wherein the projection exposure is performed.
投影される前記マスクのパターンの像の投影倍率を調整
することによって行なわれることを特徴とする請求項１
１又は１２記載の投影露光方法。 13. The apparatus according to claim 1 , wherein the adjustment of the transfer magnification is performed by adjusting a projection magnification of an image of the pattern of the mask projected on the substrate.
13. The projection exposure method according to 1 or 12.
基板とは相対的に移動し、 前記基板の移動方向の前記転写倍率を調整するために前
記マスクと前記基板との相対速度が調整され、前記基板
の移動方向に垂直な方向の前記転写倍率を調整するため
に前記基板上に投影される前記マスクのパターンの像の
投影倍率が調整されることを特徴とする請求項１３記載
の投影露光方法。 14. The mask and the substrate move relatively during exposure of the substrate, and the relative speed between the mask and the substrate is adjusted to adjust the transfer magnification in the direction of movement of the substrate. 14. The projection according to claim 13, wherein a projection magnification of an image of the pattern of the mask projected on the substrate is adjusted to adjust the transfer magnification in a direction perpendicular to a moving direction of the substrate. Exposure method.
投影露光方法を用いて前記基板を露光する工程を含むこ
とを特徴とする素子製造方法。 15. An element manufacturing method, comprising a step of exposing the substrate using the projection exposure method according to claim 11. Description:
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062193A JP3309871B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method |
| JP2000116479A JP3375076B2 (en) | 1993-04-27 | 2000-04-18 | Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method |
| US10/268,907 US6753948B2 (en) | 1993-04-27 | 2002-10-11 | Scanning exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062193A JP3309871B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116479A Division JP3375076B2 (en) | 1993-04-27 | 2000-04-18 | Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310399A JPH06310399A (en) | 1994-11-04 |
| JP3309871B2 true JP3309871B2 (en) | 2002-07-29 |
Family
ID=14278918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10062193A Expired - Fee Related JP3309871B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Projection exposure method and apparatus, and element manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309871B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5710619A (en) * | 1995-10-31 | 1998-01-20 | Anvik Corporation | Large-area, scan-and-repeat, projection patterning system with unitary stage and magnification control capability |
| WO1999018604A1 (en) * | 1997-10-07 | 1999-04-15 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| US6235438B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| KR101503992B1 (en) | 2003-04-09 | 2015-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| TWI474132B (en) | 2003-10-28 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | Optical illumination device, projection exposure device, exposure method and device manufacturing method |
| TWI519819B (en) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | Light beam converter, optical illuminating apparatus, exposure device, and exposure method |
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| JP5449672B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-03-19 | 株式会社ニコン | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
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| KR101476370B1 (en) | 2010-02-19 | 2014-12-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
| JP5960198B2 (en) | 2013-07-02 | 2016-08-02 | キヤノン株式会社 | Pattern forming method, lithographic apparatus, lithographic system, and article manufacturing method |
| JP7222623B2 (en) | 2018-07-23 | 2023-02-15 | キヤノン株式会社 | Pattern forming method and article manufacturing method |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10062193A patent/JP3309871B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06310399A (en) | 1994-11-04 |
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