JP3307485B2 - 異物除去装置 - Google Patents
異物除去装置Info
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- Combined Means For Separation Of Solids (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体や液晶の製造プ
ロセス中でウエハやガラス基板上に付着した微粒子を除
去する装置に関し，洗浄工程を伴わない除去装置に関す
る。
ロセス中でウエハやガラス基板上に付着した微粒子を除
去する装置に関し，洗浄工程を伴わない除去装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では，歩留まりを
向上させるために各工程の前段でウエハ表面に付着した
異物（微粒子）の除去工程がある。この異物の除去は一
般的には薬液や超純水によるウエット洗浄が用いられて
いる。
向上させるために各工程の前段でウエハ表面に付着した
異物（微粒子）の除去工程がある。この異物の除去は一
般的には薬液や超純水によるウエット洗浄が用いられて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ウエッ
ト洗浄においては，薬液や，超純水を使用するため，そ
れらの管理や洗浄装置の設置のためにコストアップにな
るという問題があった。
ト洗浄においては，薬液や，超純水を使用するため，そ
れらの管理や洗浄装置の設置のためにコストアップにな
るという問題があった。
【０００４】本発明は上記従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので，薬液や，超純水を使用する洗浄
工程を不要としてコストダウンを図るとともに，除去し
た異物を組成分析に適した状態に捕集／凝集することを
目的としている。
ためになされたもので，薬液や，超純水を使用する洗浄
工程を不要としてコストダウンを図るとともに，除去し
た異物を組成分析に適した状態に捕集／凝集することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は，請求項１においては，気体を流すこ
とによりノズルの先端が負圧になるようにされたアスピ
レータと，前記ノズルの先端付近に配置され，前記ノズ
ルの先端とステージを相対的に移動させるための位置制
御装置と，前記ノズルの先端部，ステージ及び被検体を
収納する容器と，からなり，前記容器内にイオン化され
た気体を充満し，前記ステージに載置された被検体の表
面を前記アスピレータで掃引して前記被検体に付着した
異物を吸引し，前記アスピレータの一端から吹き出すよ
うに構成したことを特徴としている。
の本発明の構成は，請求項１においては，気体を流すこ
とによりノズルの先端が負圧になるようにされたアスピ
レータと，前記ノズルの先端付近に配置され，前記ノズ
ルの先端とステージを相対的に移動させるための位置制
御装置と，前記ノズルの先端部，ステージ及び被検体を
収納する容器と，からなり，前記容器内にイオン化され
た気体を充満し，前記ステージに載置された被検体の表
面を前記アスピレータで掃引して前記被検体に付着した
異物を吸引し，前記アスピレータの一端から吹き出すよ
うに構成したことを特徴としている。
【０００６】請求項２においては，前記アスピレータの
後段にフィルタを配置して前記異物を捕集／凝集したこ
とを特徴とするものであり，請求項３においては，気体
を流すことによりノズルの先端が負圧になるようにされ
たアスピレータと，前記ノズルの先端付近に配置され，
前記ノズルの先端とステージを相対的に移動させるため
の位置制御装置と，前記ノズルの先端部，ステージ及び
被検体を収納する容器と，からなり，前記容器内にイオ
ン化された気体を充満し，前記ステージに載置された被
検体の表面を前記アスピレータで掃引して前記被検体に
付着した異物を吸引し，前記アスピレータの一端から吹
き出すように構成し，前記位置制御装置に前記被検体上
に存在する異物を１個１個検出し，それぞれ検出した１
個１個の異物の各位置を記憶した位置情報を入力し，そ
の位置情報の座標位置に合わせて被検体を配置し，異物
が存在する箇所のみを選択的に掃引することを特徴とす
るものである。
後段にフィルタを配置して前記異物を捕集／凝集したこ
とを特徴とするものであり，請求項３においては，気体
を流すことによりノズルの先端が負圧になるようにされ
たアスピレータと，前記ノズルの先端付近に配置され，
前記ノズルの先端とステージを相対的に移動させるため
の位置制御装置と，前記ノズルの先端部，ステージ及び
被検体を収納する容器と，からなり，前記容器内にイオ
ン化された気体を充満し，前記ステージに載置された被
検体の表面を前記アスピレータで掃引して前記被検体に
付着した異物を吸引し，前記アスピレータの一端から吹
き出すように構成し，前記位置制御装置に前記被検体上
に存在する異物を１個１個検出し，それぞれ検出した１
個１個の異物の各位置を記憶した位置情報を入力し，そ
の位置情報の座標位置に合わせて被検体を配置し，異物
が存在する箇所のみを選択的に掃引することを特徴とす
るものである。
【０００７】
【作用】請求項１においては，イオン化された気体が被
検体に付着した異物との静電気による吸着力力を弱める
とともに，負圧になったノズルの先端が被検体の表面を
掃引するので被検体に付着した異物が吸引除去される。
請求項２において，吸引された異物は後段に配置された
フィルタに捕集／濃縮されるので組成分析に適した状態
となる。請求項３において，位置制御装置に被検体上の
１個１個の異物の各位置が記憶された位置情報が入力さ
れているのでその位置情報に従って選択的に掃引すると
効率的に異物の除去が可能となる。
検体に付着した異物との静電気による吸着力力を弱める
とともに，負圧になったノズルの先端が被検体の表面を
掃引するので被検体に付着した異物が吸引除去される。
請求項２において，吸引された異物は後段に配置された
フィルタに捕集／濃縮されるので組成分析に適した状態
となる。請求項３において，位置制御装置に被検体上の
１個１個の異物の各位置が記憶された位置情報が入力さ
れているのでその位置情報に従って選択的に掃引すると
効率的に異物の除去が可能となる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の異物除去装置の一実施例を示
す構成図である図において１は吸引ノズル２を有するア
スピレータであり，このアスピレータ１の一端には流量
制御弁３を介して配管が接続され，他端には流量計４が
接続されている。５は真空容器７内に配置されたステー
ジで，このステージ上には例えば半導体ウエハやＬＣＤ
（液晶表示板）等の被検体８が載置される。９は駆動装
置でステージ５をＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させたり，回転
運動を与えることにより被検体８の表面とノズル２の先
端を所定の距離に保ちながら移動して掃引する。
す構成図である図において１は吸引ノズル２を有するア
スピレータであり，このアスピレータ１の一端には流量
制御弁３を介して配管が接続され，他端には流量計４が
接続されている。５は真空容器７内に配置されたステー
ジで，このステージ上には例えば半導体ウエハやＬＣＤ
（液晶表示板）等の被検体８が載置される。９は駆動装
置でステージ５をＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させたり，回転
運動を与えることにより被検体８の表面とノズル２の先
端を所定の距離に保ちながら移動して掃引する。
【０００９】１１は流量計４の信号に基づいて駆動装置
の移動速度を制御する位置制御装置である。１２は真空
ポンプ，１３は電磁弁で真空容器７中の空気を排気す
る。１４はイオナイザー１５によりイオン化された気体
を真空容器中に充満させる。図２は図１に示すアスピレ
ータの一実施例を示すもので，長さ３０ｍｍ程度のボデ
ィ２０に例えば直径３ｍｍ程度の貫通孔２３が形成さ
れ，この貫通孔の途中に略直角方向に例えば入口，出口
の直径が６ｍｍ程度で中に入るに従って径が細くなるテ
ーパ状の貫通孔２３が形成され，その貫通孔２３の途中
にこの孔にほぼ直角に連通する直径１ｍｍ程度の貫通穴
を有するノズル２が形成されている。
の移動速度を制御する位置制御装置である。１２は真空
ポンプ，１３は電磁弁で真空容器７中の空気を排気す
る。１４はイオナイザー１５によりイオン化された気体
を真空容器中に充満させる。図２は図１に示すアスピレ
ータの一実施例を示すもので，長さ３０ｍｍ程度のボデ
ィ２０に例えば直径３ｍｍ程度の貫通孔２３が形成さ
れ，この貫通孔の途中に略直角方向に例えば入口，出口
の直径が６ｍｍ程度で中に入るに従って径が細くなるテ
ーパ状の貫通孔２３が形成され，その貫通孔２３の途中
にこの孔にほぼ直角に連通する直径１ｍｍ程度の貫通穴
を有するノズル２が形成されている。
【００１０】上記の構成において，真空ポンプ１２を駆
動して真空容器７中の空気を排出し，その後図示しない
気体供給手段から流量制御装置１４を介して原子量が１
０以上の気体（例えば空気やＡｒ，Ｎ2ガス）を１気圧
より僅かに高い圧力で充満させ，引き続き毎分２００ｍ
ｌ程度を注入する。次に位置制御装置１１により駆動装
置９を駆動してステージ上の被検体８の表面にノズル２
の先端を例えば２０μｍ程度に近接させ，図示しない気
体供給手段から流量制御装置３を介して例えば毎分３０
０ｍｌ程度の原子量が１０以上の気体（例えば空気やＡ
ｒ，Ｎ2ガス）を貫通孔の一方の側から供給する。その
結果とノズル２の先端が負圧になり，被検体８の表面と
ノズル２の先端を相対的に掃引することにより被検体８
に付着した異物を吸引して除去することができる。
動して真空容器７中の空気を排出し，その後図示しない
気体供給手段から流量制御装置１４を介して原子量が１
０以上の気体（例えば空気やＡｒ，Ｎ2ガス）を１気圧
より僅かに高い圧力で充満させ，引き続き毎分２００ｍ
ｌ程度を注入する。次に位置制御装置１１により駆動装
置９を駆動してステージ上の被検体８の表面にノズル２
の先端を例えば２０μｍ程度に近接させ，図示しない気
体供給手段から流量制御装置３を介して例えば毎分３０
０ｍｌ程度の原子量が１０以上の気体（例えば空気やＡ
ｒ，Ｎ2ガス）を貫通孔の一方の側から供給する。その
結果とノズル２の先端が負圧になり，被検体８の表面と
ノズル２の先端を相対的に掃引することにより被検体８
に付着した異物を吸引して除去することができる。
【００１１】図３はアスピレータ１と真空容器７に注入
する気体をＮ2ガス（原子量１４．０）とした場合と同
じくＨｅガス（原子量４．０）とした場合のキャリアガ
ス流量と吸引流量の関係を示すものであり，矢印Ａ方向
に供給されるガスをキャリアガス流量（Ｓ1），矢印Ｂ
方向に吸入されるガスを吸入流量（Ｓ2）としている。
一般にアスピレータの吸引効率は吸引流量をキャリア流
量で除した比で表わすことができ，通常はＳ2／Ｓ1＜１
であるが，吸引効率を上げることで１に近づけ若しくは
１以上にすることも可能である。
する気体をＮ2ガス（原子量１４．０）とした場合と同
じくＨｅガス（原子量４．０）とした場合のキャリアガ
ス流量と吸引流量の関係を示すものであり，矢印Ａ方向
に供給されるガスをキャリアガス流量（Ｓ1），矢印Ｂ
方向に吸入されるガスを吸入流量（Ｓ2）としている。
一般にアスピレータの吸引効率は吸引流量をキャリア流
量で除した比で表わすことができ，通常はＳ2／Ｓ1＜１
であるが，吸引効率を上げることで１に近づけ若しくは
１以上にすることも可能である。
【００１２】即ち図３において，使用ガスをＨｅとした
場合はキャリアガス流量（Ｓ1）が毎分４００ｍｌ程度
に対して吸入流量（Ｓ2）は毎分３００ｍｌ程度で吸引
効率Ｓ2／Ｓ1は０．７５しかないが，使用ガスをＮ2と
した場合はキャリアガス流量（Ｓ1）が毎分２００ｍｌ
程度に対して吸入流量（Ｓ2）は毎分６００ｍｌ程度と
吸引効率が３となり吸引流量が４倍に飛躍的に向上して
いることが分る。この吸引流量（Ｓ2）は図２に示すノ
ズル２の先端と被検体８のギャップを狭くすると減少す
るが，その減少分は吸引力に転換される。従ってＳ2／
Ｓ1が大きいほど大きな吸引力が得られる。
場合はキャリアガス流量（Ｓ1）が毎分４００ｍｌ程度
に対して吸入流量（Ｓ2）は毎分３００ｍｌ程度で吸引
効率Ｓ2／Ｓ1は０．７５しかないが，使用ガスをＮ2と
した場合はキャリアガス流量（Ｓ1）が毎分２００ｍｌ
程度に対して吸入流量（Ｓ2）は毎分６００ｍｌ程度と
吸引効率が３となり吸引流量が４倍に飛躍的に向上して
いることが分る。この吸引流量（Ｓ2）は図２に示すノ
ズル２の先端と被検体８のギャップを狭くすると減少す
るが，その減少分は吸引力に転換される。従ってＳ2／
Ｓ1が大きいほど大きな吸引力が得られる。
【００１３】上記本発明によれば，イオン化された気体
が被検体に付着した異物との静電気による吸着力力を弱
めるので，比較的簡単な構成で被検体上の異物を除去す
ることができる。なお，被検体上に存在する異物を１個
１個検出し，それぞれ検出した１個１個の異物の各位置
を記憶する手段（例えばＣＤ−ＲＯＭ）を備えた異物位
置検出装置が知られている。その公知の装置を用いて予
め被検体に付着した異物の位置情報を記憶し，その位置
情報を記憶したＣＤ−ＲＯＭを本発明の異物除去装置の
位置制御装置に取り込む。そして異物位置検出装置に取
り付けたと同様の座標位置に被検体の座標位置を合わせ
て配置し，異物が存在する箇所のみを選択的に掃引する
ようにすれば効率のよい異物除去が可能となる。
が被検体に付着した異物との静電気による吸着力力を弱
めるので，比較的簡単な構成で被検体上の異物を除去す
ることができる。なお，被検体上に存在する異物を１個
１個検出し，それぞれ検出した１個１個の異物の各位置
を記憶する手段（例えばＣＤ−ＲＯＭ）を備えた異物位
置検出装置が知られている。その公知の装置を用いて予
め被検体に付着した異物の位置情報を記憶し，その位置
情報を記憶したＣＤ−ＲＯＭを本発明の異物除去装置の
位置制御装置に取り込む。そして異物位置検出装置に取
り付けたと同様の座標位置に被検体の座標位置を合わせ
て配置し，異物が存在する箇所のみを選択的に掃引する
ようにすれば効率のよい異物除去が可能となる。
【００１４】また，被検体に付着した異物の発生原因や
発生個所を知るために異物（元素）の種類のとその大き
さを分析する装置として，本出願人が提案したマイクロ
波誘導プラズマを利用した分析装置が知られている。こ
のマイクロ波誘導プラズマを利用した分析装置について
図４を用いて簡単に説明する。図４において３１はディ
スパーサであり，この中には測定すべき固体微粒子（図
示せず）が付着したフィルタ３２が配置されている。３
３は同じくディスパーサ１内に配置されたアスピレータ
で，フィルタ３２に付着した固体微粒子を吸引し反応管
４に供給する。なお，ディスパーサ３１内は吸引ポンプ
３５により空気が排出された後置換ガス導入口３８から
Ｈｅガスが導入されて大気圧より僅かに高い圧力に維持
されている。３９はキャリアガス（Ｈｅ）導入口，３７
ａ〜３７ｄは開閉弁である。４３はマイクロ波源，４４
はマイクロ波源からのマイクロ波が導入されたキャビテ
ィである。
発生個所を知るために異物（元素）の種類のとその大き
さを分析する装置として，本出願人が提案したマイクロ
波誘導プラズマを利用した分析装置が知られている。こ
のマイクロ波誘導プラズマを利用した分析装置について
図４を用いて簡単に説明する。図４において３１はディ
スパーサであり，この中には測定すべき固体微粒子（図
示せず）が付着したフィルタ３２が配置されている。３
３は同じくディスパーサ１内に配置されたアスピレータ
で，フィルタ３２に付着した固体微粒子を吸引し反応管
４に供給する。なお，ディスパーサ３１内は吸引ポンプ
３５により空気が排出された後置換ガス導入口３８から
Ｈｅガスが導入されて大気圧より僅かに高い圧力に維持
されている。３９はキャリアガス（Ｈｅ）導入口，３７
ａ〜３７ｄは開閉弁である。４３はマイクロ波源，４４
はマイクロ波源からのマイクロ波が導入されたキャビテ
ィである。
【００１５】４６は反応管４の他端に設けられた検出
窓，４７は検出窓４６に向けて設けられた光学窓であ
る。４８は集光系であって凹面鏡４８ａと反射鏡４８ｂ
を有している。４９は反射鏡４８ｂで反射した光を信号
処理部５０に導くスリットである。信号処理部５０には
４本の光ファイバ５０ｃを介してそれぞれ光を受光する
４台の分光器５０ｂ及びこれらの分光器の出力が入力さ
れるＣＰＵが配置されている。
窓，４７は検出窓４６に向けて設けられた光学窓であ
る。４８は集光系であって凹面鏡４８ａと反射鏡４８ｂ
を有している。４９は反射鏡４８ｂで反射した光を信号
処理部５０に導くスリットである。信号処理部５０には
４本の光ファイバ５０ｃを介してそれぞれ光を受光する
４台の分光器５０ｂ及びこれらの分光器の出力が入力さ
れるＣＰＵが配置されている。
【００１６】上記の構成において，マイクロ波源４３か
ら周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波をキャビティ４
４内に導くと，反応管３４内に４０００°Ｋ以上のプラ
ズマが生成される。一方ディスパーサ３１から反応管３
４内に導かれた固体微粒子はプラズマ中で原子化されて
励起され基底状態に落ちるときに発光する。この発光ス
ペクトルは反応管３４から軸方向に取り出され，光学窓
４７を介して集光系４８内に導かれて集光され，その
後，スリット４９を通り分光器５０ｂで分光されてＣＰ
Ｕで信号処理され試料中の元素が測定表示される。とこ
ろで，この様な分析装置ではフィルタ上の微粒子の個数
が少ないと確率的に分析できない元素が出現する。本発
明ではアスピレータの後段にフィルタを配置して単に異
物除去のみに用いるのではなく，複数の被検体から吸引
した異物をフィルタを介して捕集／濃縮する。そして，
捕えた異物（微粒子）を公知の分析装置で分析すること
により異物の組成や元素を特定することができ，発塵源
の特定など，きめの細かな管理を行うことが可能とな
る。
ら周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波をキャビティ４
４内に導くと，反応管３４内に４０００°Ｋ以上のプラ
ズマが生成される。一方ディスパーサ３１から反応管３
４内に導かれた固体微粒子はプラズマ中で原子化されて
励起され基底状態に落ちるときに発光する。この発光ス
ペクトルは反応管３４から軸方向に取り出され，光学窓
４７を介して集光系４８内に導かれて集光され，その
後，スリット４９を通り分光器５０ｂで分光されてＣＰ
Ｕで信号処理され試料中の元素が測定表示される。とこ
ろで，この様な分析装置ではフィルタ上の微粒子の個数
が少ないと確率的に分析できない元素が出現する。本発
明ではアスピレータの後段にフィルタを配置して単に異
物除去のみに用いるのではなく，複数の被検体から吸引
した異物をフィルタを介して捕集／濃縮する。そして，
捕えた異物（微粒子）を公知の分析装置で分析すること
により異物の組成や元素を特定することができ，発塵源
の特定など，きめの細かな管理を行うことが可能とな
る。
【００１７】
【発明の効果】以上詳しく説明したような本発明によれ
ば，イオン化した気体を容器内に充満し被検体に付着し
た異物との静電気による吸着力を弱め，平板に載置され
た試料微粒子をアスピレータで吸引して吹き出すように
構成したので，薬液や，超純水を使用する洗浄工程を不
要としてコストダウンを図るとともに，アスピレータの
後段にフィルタを配置して複数の被検体から吸引した異
物（微粒子）を捕集／濃縮することができる。また，公
知の異物位置検出装置と組み合わせることにより短時間
で異物の除去を行うことができる。
ば，イオン化した気体を容器内に充満し被検体に付着し
た異物との静電気による吸着力を弱め，平板に載置され
た試料微粒子をアスピレータで吸引して吹き出すように
構成したので，薬液や，超純水を使用する洗浄工程を不
要としてコストダウンを図るとともに，アスピレータの
後段にフィルタを配置して複数の被検体から吸引した異
物（微粒子）を捕集／濃縮することができる。また，公
知の異物位置検出装置と組み合わせることにより短時間
で異物の除去を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】アスピレータの構成説明図である。
【図３】アスピレータにＮ2ガスを流した場合とＨｅガ
スを流した場合の吸引流量の比較を示す図である。
スを流した場合の吸引流量の比較を示す図である。
【図４】公知のマイクロ波誘導プラズマを利用した分析
装置を示す構成図である。
装置を示す構成図である。
１ アスピレータ ２ ノズル ３，１４ 流量制御装置 ４ 流量計 ５ ステージ ７ 真空容器 ８ 被検体 ９ 駆動装置 １１ 位置制御装置 １２ 真空ポンプ １３ 電磁弁 １５ イオナイザ
Claims (3)
- 【請求項１】気体を流すことによりノズルの先端が負圧
になるようにされたアスピレータと，前記ノズルの先端
付近に配置され，前記ノズルの先端とステージを相対的
に移動させるための位置制御装置と，前記ノズルの先端
部，ステージ及び被検体を収納する容器と， からなり，前記容器内にイオン化された気体を充満し，
前記ステージに載置された被検体の表面を前記アスピレ
ータで掃引して前記被検体に付着した異物を吸引し，前
記アスピレータの一端から吹き出すように構成したこと
を特徴とする異物除去装置。 - 【請求項２】前記アスピレータの後段にフィルタを配置
して前記異物を捕集／凝集したことを特徴とする請求項
１記載の異物除去装置。 - 【請求項３】気体を流すことによりノズルの先端が負圧
になるようにされたアスピレータと，前記ノズルの先端
付近に配置され，前記ノズルの先端とステージを相対的
に移動させるための位置制御装置と，前記ノズルの先端
部，ステージ及び被検体を収納する容器と， からなり，前記容器内にイオン化された気体を充満し，
前記ステージに載置された被検体の表面を前記アスピレ
ータで掃引して前記被検体に付着した異物を吸引し，前
記アスピレータの一端から吹き出すように構成し，前記
位置制御装置に前記被検体上に存在する異物を１個１個
検出し，それぞれ検出した１個１個の異物の各位置を記
憶した位置情報を入力し，その位置情報の座標位置に合
わせて被検体を配置し，異物が存在する箇所のみを選択
的に掃引することを特徴とする異物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29050393A JP3307485B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 異物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29050393A JP3307485B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 異物除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142437A JPH07142437A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3307485B2 true JP3307485B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17756866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29050393A Expired - Fee Related JP3307485B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 異物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307485B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895782B1 (ko) * | 2003-01-13 | 2009-05-08 | 한국항공우주산업 주식회사 | 튜브 세척 및 검사 시스템 |
| US8620059B2 (en) | 2007-12-13 | 2013-12-31 | Fpinnovations | Characterizing wood furnish by edge pixelated imaging |
| JP5454999B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-03-26 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 塵埃吸引方法及び塵埃吸引装置 |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP29050393A patent/JP3307485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142437A (ja) | 1995-06-02 |
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