JP3305293B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JP3305293B2 JP3305293B2 JP2000040647A JP2000040647A JP3305293B2 JP 3305293 B2 JP3305293 B2 JP 3305293B2 JP 2000040647 A JP2000040647 A JP 2000040647A JP 2000040647 A JP2000040647 A JP 2000040647A JP 3305293 B2 JP3305293 B2 JP 3305293B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- group
- resist film
- base resin
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成方法
に関し、特に、半導体基板上に半導体素子又は半導体集
積回路を形成するためのレジストパターンを、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を用いて形成するパ
ターン形成方法に関する。
に関し、特に、半導体基板上に半導体素子又は半導体集
積回路を形成するためのレジストパターンを、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を用いて形成するパ
ターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成されたレジスト膜に
対してパターン露光を行なってレジストパターンを形成
する際に用いる露光光としてはＫｒＦエキシマレーザが
実用化されていると共に、ＫｒＦエキシマレーザにより
パターン露光されたレジストパターンを用いて形成され
た半導体素子又は半導体集積回路を有するデバイスが市
場に登場しつつある。
対してパターン露光を行なってレジストパターンを形成
する際に用いる露光光としてはＫｒＦエキシマレーザが
実用化されていると共に、ＫｒＦエキシマレーザにより
パターン露光されたレジストパターンを用いて形成され
た半導体素子又は半導体集積回路を有するデバイスが市
場に登場しつつある。
【０００３】この場合、ＫｒＦエキシマレーザによりパ
ターン露光するためのレジスト材料としては、主とし
て、フェノール系の樹脂を有するものが用いられてい
る。
ターン露光するためのレジスト材料としては、主とし
て、フェノール系の樹脂を有するものが用いられてい
る。
【０００４】ところで、半導体素子又は半導体集積回路
の一層の微細化のためには、露光光としては、ＫｒＦエ
キシマレーザよりも短波長であるＡｒＦエキシマレーザ
が用いられる。ＡｒＦエキシマレーザによりパターン露
光するためのレジスト材料としては、主として、アクリ
ル酸系の樹脂を有するものが検討されている。
の一層の微細化のためには、露光光としては、ＫｒＦエ
キシマレーザよりも短波長であるＡｒＦエキシマレーザ
が用いられる。ＡｒＦエキシマレーザによりパターン露
光するためのレジスト材料としては、主として、アクリ
ル酸系の樹脂を有するものが検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体素子
又は半導体集積回路のより一層の微細化を実現するため
には、露光光としては、ＡｒＦエキシマレーザよりも波
長が短い、Ｘｅ2 レーザ光（波長：１７２ｎｍ帯）、Ｆ
2 レーザ光（波長：１５７ｎｍ帯）、Ｋｒ2 レーザ光
（波長：１４６ｎｍ帯）、ＡｒＫｒレーザ光（波長：１
３４ｎｍ帯）、Ａｒ 2 レーザ光（波長：１２６ｎｍ帯）
又は軟Ｘ線（波長：１３ｎｍ帯、１１ｎｍ帯又は５ｎｍ
帯）等を用いることが必要になる。
又は半導体集積回路のより一層の微細化を実現するため
には、露光光としては、ＡｒＦエキシマレーザよりも波
長が短い、Ｘｅ2 レーザ光（波長：１７２ｎｍ帯）、Ｆ
2 レーザ光（波長：１５７ｎｍ帯）、Ｋｒ2 レーザ光
（波長：１４６ｎｍ帯）、ＡｒＫｒレーザ光（波長：１
３４ｎｍ帯）、Ａｒ 2 レーザ光（波長：１２６ｎｍ帯）
又は軟Ｘ線（波長：１３ｎｍ帯、１１ｎｍ帯又は５ｎｍ
帯）等を用いることが必要になる。
【０００６】そこで、我々は、従来から知られているレ
ジスト材料からなるレジスト膜に対してＦ2 レーザ光を
用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成
してみた。以下、従来から知られているレジスト材料を
用いてレジストパターンを形成する方法について、図６
（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
ジスト材料からなるレジスト膜に対してＦ2 レーザ光を
用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成
してみた。以下、従来から知られているレジスト材料を
用いてレジストパターンを形成する方法について、図６
（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【０００７】まず、レジスト材料としては、下記の組成
を有するものを準備した。
を有するものを準備した。
【０００８】 ベース樹脂：ポリ（（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート）（３０ ｍｏｌ％）−（ｔ−ブチルメタクリレート）（３０ｍｏｌ％）− （メチルメタクリレート）（３０ｍｏｌ％）−（メタクリル酸） （１０ｍｏｌ％）） ２ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【０００９】次に、図６（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１上にスピンコー
トして、０．５μｍの膜厚を持つレジスト膜２を形成す
る。
成を有するレジスト材料を半導体基板１上にスピンコー
トして、０．５μｍの膜厚を持つレジスト膜２を形成す
る。
【００１０】次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト
膜２に対してマスク３を介してＦ2レーザ光４を照射し
てパターン露光を行なう。このようにすると、レジスト
膜２の露光部２ａにおいては酸発生剤から酸が発生する
一方、レジスト膜２の未露光部２ｂにおいては酸が発生
しない。
膜２に対してマスク３を介してＦ2レーザ光４を照射し
てパターン露光を行なう。このようにすると、レジスト
膜２の露光部２ａにおいては酸発生剤から酸が発生する
一方、レジスト膜２の未露光部２ｂにおいては酸が発生
しない。
【００１１】次に、図６（ｃ）に示すように、ホットプ
レートにより、半導体基板１に対して、例えば１００℃
の温度下で６０秒間の加熱を行なう。
レートにより、半導体基板１に対して、例えば１００℃
の温度下で６０秒間の加熱を行なう。
【００１２】次に、レジスト膜２に対して、アルカリ性
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像を行なって、
レジストパターンを形成した。
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像を行なって、
レジストパターンを形成した。
【００１３】ところが、図６（ｄ）に示すように、不良
なパターン形状を持つレジストパターン５が得られた。
なパターン形状を持つレジストパターン５が得られた。
【００１４】このように、レジストパターン５のパター
ン形状が不良になるのは、露光光がＦ2 レーザ光である
場合に限らず、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露
光光の場合にも、同様であった。
ン形状が不良になるのは、露光光がＦ2 レーザ光である
場合に限らず、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露
光光の場合にも、同様であった。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、露光光として１ｎ
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なっ
てレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン
形状が得られるようにすることを目的とする。
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なっ
てレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン
形状が得られるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、レジス
トパターンのパターン形状が不良になる原因は、レジス
ト膜の１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光に対する吸収性が高
いためであると考え、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光に対
する吸収性を低くするための方策について種々の検討を
加えた結果、レジスト材料に、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、
トリフルオロメチル基又はメルカプト基を含ませると、
レジスト膜は１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の露光光に対する
吸収性が低くなることを見出した。
トパターンのパターン形状が不良になる原因は、レジス
ト膜の１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光に対する吸収性が高
いためであると考え、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光に対
する吸収性を低くするための方策について種々の検討を
加えた結果、レジスト材料に、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、
トリフルオロメチル基又はメルカプト基を含ませると、
レジスト膜は１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の露光光に対する
吸収性が低くなることを見出した。
【００１７】そこで、レジスト材料に、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキ
ル基、トリフルオロメチル基又はメルカプト基が含まれ
ると、レジスト材料の１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の露光光
に対する吸収性が低くなる理由について検討した結果、
これらの原子又は基は、レジスト材料が本来有している
露光光の吸収波長のピークを長波長側にシフトさせた
り、又はレジスト材料の短波長帯の露光光に対する吸収
性を低減させたりする性質を有していることが分かっ
た。
シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキ
ル基、トリフルオロメチル基又はメルカプト基が含まれ
ると、レジスト材料の１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の露光光
に対する吸収性が低くなる理由について検討した結果、
これらの原子又は基は、レジスト材料が本来有している
露光光の吸収波長のピークを長波長側にシフトさせた
り、又はレジスト材料の短波長帯の露光光に対する吸収
性を低減させたりする性質を有していることが分かっ
た。
【００１８】以下、図１を参照しながら、レジスト材料
のベース樹脂がアミノ基を含むと、露光光の吸収波長の
ピークが長波長側にシフトする検証例について説明す
る。
のベース樹脂がアミノ基を含むと、露光光の吸収波長の
ピークが長波長側にシフトする検証例について説明す
る。
【００１９】図１は、ポリビニルフェノールの芳香環が
アミノ基で置換されると、露光光の吸収帯がシフトする
ことを説明する図であって、図１において、破線は芳香
環がアミノ基で置換されていないポリビニルフェノール
の吸収波長を示し、実線はポリビニルフェノールの芳香
環がアミノ基で置換されてなるｏ，ｏ−２置換体の吸収
波長を示している。図１から分かるように、アミノ基で
置換していないときには１９０ｎｍ帯であった吸収波長
のピークは、アミノ基で置換したときには長波長側に３
０ｎｍ程度シフトしている。
アミノ基で置換されると、露光光の吸収帯がシフトする
ことを説明する図であって、図１において、破線は芳香
環がアミノ基で置換されていないポリビニルフェノール
の吸収波長を示し、実線はポリビニルフェノールの芳香
環がアミノ基で置換されてなるｏ，ｏ−２置換体の吸収
波長を示している。図１から分かるように、アミノ基で
置換していないときには１９０ｎｍ帯であった吸収波長
のピークは、アミノ基で置換したときには長波長側に３
０ｎｍ程度シフトしている。
【００２０】レジスト膜の吸収波長帯のピークが１９０
ｎｍ帯であると、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ
光に対する透明性は良くないが、吸収波長帯のピークが
１９０ｎｍ帯から約３０ｎｍ長波長側にシフトすると、
Ｆ2 レーザ光に対する透明性は向上する。
ｎｍ帯であると、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ
光に対する透明性は良くないが、吸収波長帯のピークが
１９０ｎｍ帯から約３０ｎｍ長波長側にシフトすると、
Ｆ2 レーザ光に対する透明性は向上する。
【００２１】ところで、特開昭６０−２５４０４１号公
報においても、ベース樹脂中にハロゲン原子の１つであ
るフッ素が含まれたレジスト材料が示されている。この
レジスト材料は、樹脂中に、α−トリフルオロメチルア
クリル酸と電子吸引基を有するアルコールのエステルと
を１繰り返し単位として含んでいるものであって、この
ようにすると、レジスト材料の電子線に対する感度が向
上すると示されている。
報においても、ベース樹脂中にハロゲン原子の１つであ
るフッ素が含まれたレジスト材料が示されている。この
レジスト材料は、樹脂中に、α−トリフルオロメチルア
クリル酸と電子吸引基を有するアルコールのエステルと
を１繰り返し単位として含んでいるものであって、この
ようにすると、レジスト材料の電子線に対する感度が向
上すると示されている。
【００２２】しかしながら、特開昭６０−２５４０４１
号公報は、露光光として電子線を用いているのに対し
て、本願発明は、露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯
の波長を持つ光を用いるので、両者は露光光の波長帯が
全く異なる。また、特開昭６０−２５４０４１号公報
は、電子線に対する感度を向上させる目的で、ベース樹
脂にハロゲン原子を含ませたものであるのに対して、本
願発明は、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光
に対する透明性を向上させる目的で、ベース樹脂に例え
ばハロゲン原子を含ませたものであるから、両者は技術
的思想の点においても全く異なる。
号公報は、露光光として電子線を用いているのに対し
て、本願発明は、露光光として１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯
の波長を持つ光を用いるので、両者は露光光の波長帯が
全く異なる。また、特開昭６０−２５４０４１号公報
は、電子線に対する感度を向上させる目的で、ベース樹
脂にハロゲン原子を含ませたものであるのに対して、本
願発明は、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光
に対する透明性を向上させる目的で、ベース樹脂に例え
ばハロゲン原子を含ませたものであるから、両者は技術
的思想の点においても全く異なる。
【００２３】具体的には、本発明に係るパターン形成方
法は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及び
メルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも１
つの原子又は基を含むレジスト材料を基板上に塗布して
レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト
膜に、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照
射してパターン露光を行なった後、パターン露光された
レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパタ
ーン形成工程とを備えている。
法は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及び
メルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも１
つの原子又は基を含むレジスト材料を基板上に塗布して
レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト
膜に、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光を照
射してパターン露光を行なった後、パターン露光された
レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパタ
ーン形成工程とを備えている。
【００２４】本発明のパターン形成方法によると、レジ
スト材料に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アル
コキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル
基又はメルカプト基が含まれているため、レジスト膜の
露光光の吸収波長域が長波長側にシフトしたり、又はレ
ジスト膜の短波長域の露光光に対する吸収性が低減した
りするので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光の
波長域での吸収性を小さくすることができる。このた
め、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対す
る透明性を高くすることができるので、露光光として１
ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行な
う場合に、良好なパターン形状を持つレジストパターン
を形成することができる。
スト材料に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アル
コキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル
基又はメルカプト基が含まれているため、レジスト膜の
露光光の吸収波長域が長波長側にシフトしたり、又はレ
ジスト膜の短波長域の露光光に対する吸収性が低減した
りするので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光の
波長域での吸収性を小さくすることができる。このた
め、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対す
る透明性を高くすることができるので、露光光として１
ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行な
う場合に、良好なパターン形状を持つレジストパターン
を形成することができる。
【００２５】本発明のパターン形成方法において、原子
又は基は、レジスト材料のベース樹脂の主鎖、ベース樹
脂の側鎖、ベース樹脂のヘテロ環、又はベース樹脂の二
重結合を構成する炭素と結合していることが好ましい。
又は基は、レジスト材料のベース樹脂の主鎖、ベース樹
脂の側鎖、ベース樹脂のヘテロ環、又はベース樹脂の二
重結合を構成する炭素と結合していることが好ましい。
【００２６】本発明のパターン形成方法において、原子
又は基は、レジスト材料のベース樹脂となるアクリル樹
脂のエステル部に結合したハロゲン原子であることが好
ましい。
又は基は、レジスト材料のベース樹脂となるアクリル樹
脂のエステル部に結合したハロゲン原子であることが好
ましい。
【００２７】本発明のパターン形成方法において、レジ
スト材料は、化学増幅型レジストであることが好まし
い。
スト材料は、化学増幅型レジストであることが好まし
い。
【００２８】レジスト材料が化学増幅型レジストである
場合には、原子又は基は、ベース樹脂の酸脱離基、架橋
剤又は溶解阻害剤に含まれていることが好ましい。
場合には、原子又は基は、ベース樹脂の酸脱離基、架橋
剤又は溶解阻害剤に含まれていることが好ましい。
【００２９】本発明のパターン形成方法において、ベー
ス樹脂は、水素原子がフッ素原子により置換された、ポ
リビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル
樹脂、ノボラック樹脂又はこれらの誘導体を含むことが
好ましい。
ス樹脂は、水素原子がフッ素原子により置換された、ポ
リビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル
樹脂、ノボラック樹脂又はこれらの誘導体を含むことが
好ましい。
【００３０】本発明のパターン形成方法は、レジスト膜
形成工程とパターン形成工程との間に、レジスト膜の上
に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基又は
メルカプト基を含む水溶性樹脂からなる水溶性樹脂膜を
形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
形成工程とパターン形成工程との間に、レジスト膜の上
に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基又は
メルカプト基を含む水溶性樹脂からなる水溶性樹脂膜を
形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００３１】この場合、水溶性樹脂は、ポリアクリル
酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン又は
ポリスチレンスルフォン酸であることが好ましい。
酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン又は
ポリスチレンスルフォン酸であることが好ましい。
【００３２】本発明のパターン形成方法は、レジスト膜
形成工程とパターン形成工程との間に、レジスト膜の上
に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基又は
メルカプト基を含む化合物と、水溶性樹脂とからなる水
溶性樹脂膜を形成する工程をさらに備えていることが好
ましい。
形成工程とパターン形成工程との間に、レジスト膜の上
に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基又は
メルカプト基を含む化合物と、水溶性樹脂とからなる水
溶性樹脂膜を形成する工程をさらに備えていることが好
ましい。
【００３３】この場合、化合物は、トリフルオロ酢酸、
トリフルオロメチルスルフォン酸又はフッ素系界面活性
剤であることが好ましい。
トリフルオロメチルスルフォン酸又はフッ素系界面活性
剤であることが好ましい。
【００３４】また、この場合、水溶性樹脂は、ポリアク
リル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
又はポリスチレンスルフォン酸であることが好ましい。
リル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
又はポリスチレンスルフォン酸であることが好ましい。
【００３５】本発明のパターン形成方法において、露光
光は、Ｆ2 レーザ光又はＡｒ2 レーザ光であることが好
ましい。
光は、Ｆ2 レーザ光又はＡｒ2 レーザ光であることが好
ましい。
【００３６】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）第１の実施形
態に係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹
脂として、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合し
ている水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用
いるものである。以下、レジスト材料の組成について具
体的に説明する。
態に係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹
脂として、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合し
ている水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用
いるものである。以下、レジスト材料の組成について具
体的に説明する。
【００３７】 ベース樹脂：ポリ（ｏ，ｏ−ジフルオロ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｐ −（ｔ−ブトキシ）ｏ，ｏ−ジフルオロスチレン） １ｇ 酸発生剤：ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
【００３８】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートして、０．３μｍの膜厚を持つレジスト膜１１を形
成する。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートして、０．３μｍの膜厚を持つレジスト膜１１を形
成する。
【００３９】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜１１の露光部１１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸が発生しない。
膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜１１の露光部１１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸が発生しない。
【００４０】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０ひいてはレジスト膜１１を加熱する。ベース樹脂
は、アルカリ難溶性であるが、酸の存在下で加熱される
と、分解するので、レジスト膜１１における露光部１１
ａはアルカリ水溶液に対して可溶性になる。
板１０ひいてはレジスト膜１１を加熱する。ベース樹脂
は、アルカリ難溶性であるが、酸の存在下で加熱される
と、分解するので、レジスト膜１１における露光部１１
ａはアルカリ水溶液に対して可溶性になる。
【００４１】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【００４２】第１の実施形態によると、ベース樹脂は、
ベンゼン環に結合している水素原子の一部がフッ素原子
で置換されているため、ベンゼン環により決まる光の吸
収波長のピークが長波長側にシフトするので、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小さく
なる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレジス
ト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．０９μ
ｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジストパ
ターンを得ることができた。
ベンゼン環に結合している水素原子の一部がフッ素原子
で置換されているため、ベンゼン環により決まる光の吸
収波長のピークが長波長側にシフトするので、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小さく
なる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレジス
ト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．０９μ
ｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジストパ
ターンを得ることができた。
【００４３】（第１の実施形態の第１変形例）第１の実
施形態の第１変形例は、第１の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベン
ゼン環に結合している水素原子の一部を塩素原子で置換
したものを用いる。
施形態の第１変形例は、第１の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベン
ゼン環に結合している水素原子の一部を塩素原子で置換
したものを用いる。
【００４４】 ベース樹脂：ポリ（ｏ，ｏ−ジクロロ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｐ− （ｔ−ブトキシ）ｏ，ｏ−ジクロロスチレン） １ｇ 酸発生剤：ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
【００４５】（第１の実施形態の第２変形例）第１の実
施形態の第２変形例は、第１の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベン
ゼン環に結合している水素原子の一部を塩素原子で置換
したものを用いる。
施形態の第２変形例は、第１の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベン
ゼン環に結合している水素原子の一部を塩素原子で置換
したものを用いる。
【００４６】 ベース樹脂：ポリ（ｍ，ｍ−ジクロロ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｐ− （ｔ−ブトキシ）ｍ，ｍ−ジクロロスチレン） １ｇ 酸発生剤：ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
【００４７】（第２の実施形態）第２の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
【００４８】 ベース樹脂：ポリ（ｐ−（２，２−ジフルオロビニル）フェノール−ｃｏ−ｐ −（１−エトキシエトキシ）−２，２−ジフルオロスチレン） １ｇ 酸発生剤：ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【００４９】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００５０】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００５１】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【００５２】第２の実施形態によると、ベース樹脂は、
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
【００５３】（第２の実施形態の変形例）第２の実施形
態の変形例は、第２の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖
に結合している水素原子の一部をトリフルオロメチル基
で置換したものを用いる。
態の変形例は、第２の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖
に結合している水素原子の一部をトリフルオロメチル基
で置換したものを用いる。
【００５４】 ベース樹脂：ポリ（ｐ−（α−トリフルオロメチルビニル）フェノール−ｃｏ −ｐ−（１−エトキシエトキシ）−α−トリフルオロメチルス チレン） １ｇ 酸発生剤：ビス（ジシクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【００５５】（第３の実施形態）第３の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部及びベンゼン環に結合している水素原
子の一部をそれぞれフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部及びベンゼン環に結合している水素原
子の一部をそれぞれフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
【００５６】 ベース樹脂：ポリ（ｐ−ヒドロキシヘプタフルオロスチレン−ｃｏ−ｐ−（ｔ −ブトキシ）−ヘプタフルオロスチレン） １ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【００５７】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００５８】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００５９】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【００６０】第３の実施形態によると、ベース樹脂は、
ポリマー主鎖及びベンゼン環に結合している水素原子の
一部がフッ素原子でそれぞれ置換されているため、短波
長域の光に対する吸収性が低減すると共に、ベンゼン環
により決まる光の吸収波長のピークが長波長側にシフト
するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対
する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０
ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるの
で、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達す
るから、０．０８μｍのライン幅を有し良好な断面形状
を有するレジストパターンを得ることができた。
ポリマー主鎖及びベンゼン環に結合している水素原子の
一部がフッ素原子でそれぞれ置換されているため、短波
長域の光に対する吸収性が低減すると共に、ベンゼン環
により決まる光の吸収波長のピークが長波長側にシフト
するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対
する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０
ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるの
で、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達す
るから、０．０８μｍのライン幅を有し良好な断面形状
を有するレジストパターンを得ることができた。
【００６１】（第３の実施形態の変形例）第３の実施形
態の変形例は、第３の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖
に結合している水素原子の一部及びベンゼン環に結合し
ている水素原子の一部をそれぞれアルキル基例えばメチ
ル基で置換したものを用いる。
態の変形例は、第３の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのポリマー主鎖
に結合している水素原子の一部及びベンゼン環に結合し
ている水素原子の一部をそれぞれアルキル基例えばメチ
ル基で置換したものを用いる。
【００６２】 ベース樹脂：ポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチル−ｏ−メチルスチレン−ｃｏ −ｐ−（ｔ−ブトキシ）−α−メチル−ｏ−メチルスチレン） １ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【００６３】（第４の実施形態）第４の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、アクリル樹脂のポリマー主鎖に結合している水素原
子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる。以下、
レジスト材料の組成について具体的に説明する。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、アクリル樹脂のポリマー主鎖に結合している水素原
子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる。以下、
レジスト材料の組成について具体的に説明する。
【００６４】 ベース樹脂：ポリ（α−フルオロアクリル酸−ｃｏ−α−フルオロアクリル酸 テトラヒドロピラニル−ｃｏ−α−フルオロアクリル酸ノルボ ルニル） １ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
【００６５】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００６６】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００６７】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【００６８】第４の実施形態によると、ベース樹脂は、
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
【００６９】（第４の実施形態の変形例）第４の実施形
態の変形例は、第４の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、アクリル樹脂のポリマー主鎖に結合し
ている水素原子の一部が塩素原子で置換されていると共
に、アクリル樹脂のヘテロ環の酸脱離基にニトロ基が含
まれているものを用いる。
態の変形例は、第４の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、アクリル樹脂のポリマー主鎖に結合し
ている水素原子の一部が塩素原子で置換されていると共
に、アクリル樹脂のヘテロ環の酸脱離基にニトロ基が含
まれているものを用いる。
【００７０】 ベース樹脂：ポリ（α−クロロアクリル酸−ｃｏ−α−クロロアクリル酸−３ −ニトロテトラヒドロピラニル−ｃｏ−α−クロロアクリル酸 ノルボルニル） １ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
【００７１】（第５の実施形態）第５の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルアルコールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルアルコールのポリマー主鎖に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
【００７２】 ベース樹脂：ポリ（１，２−ジフルオロ−１−ヒドロキシエチレン−ｃｏ−１ ，２−ジフルオロ−１−ｔ−ブトキシエチレン） １ｇ 酸発生剤：ジフェニルヨードニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【００７３】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００７４】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００７５】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【００７６】第５の実施形態によると、ベース樹脂は、
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
ポリマー主鎖に結合している水素原子の一部がフッ素原
子で置換されているため、短波長域の光に対する吸収性
が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ
光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜
１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高く
なるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に
到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面
形状を有するレジストパターンを得ることができた。
【００７７】（第６の実施形態）第６の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料として、ベース樹脂
がアルキル基例えばメチル基を含むと共に、ベース樹脂
の側鎖と結合している水素原子特にアクリル樹脂のエス
テル部の水素原子がフッ素原子で置換されたものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
パターン形成方法は、レジスト材料として、ベース樹脂
がアルキル基例えばメチル基を含むと共に、ベース樹脂
の側鎖と結合している水素原子特にアクリル樹脂のエス
テル部の水素原子がフッ素原子で置換されたものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。
【００７８】 ベース樹脂：ポリ（（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート）（３０ ｍｏｌ％）−（トリ（トリフルオロメチル）メチルメタクリレー ト）（３０ｍｏｌ％）−（メチルメタクリレート）（３０ｍｏｌ ％）−（メタクリル酸）（１０ｍｏｌ％）） ２ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【００７９】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００８０】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００８１】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像処理を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に溶解する
ので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の未露
光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得られる。
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像処理を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に溶解する
ので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の未露
光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得られる。
【００８２】第６の実施形態によると、ベース樹脂がメ
チル基を含むと共に、ベース樹脂の側鎖の水素原子がフ
ッ素原子で置換されているため、短波長域の光に対する
吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長
を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎ
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性
が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで
十分に到達するから、０．０７μｍのライン幅を有し良
好な断面形状を有するレジストパターンを得ることがで
きた。
チル基を含むと共に、ベース樹脂の側鎖の水素原子がフ
ッ素原子で置換されているため、短波長域の光に対する
吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長
を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎ
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性
が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底部にまで
十分に到達するから、０．０７μｍのライン幅を有し良
好な断面形状を有するレジストパターンを得ることがで
きた。
【００８３】（第６の実施形態の第１変形例）第６の実
施形態の第１変形例は、第６の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ベース樹脂の側鎖と結合して
いる水素原子特にアクリル樹脂のエステル部の水素原子
がフッ素原子で置換されたものを用いる。以下、レジス
ト材料の組成について具体的に説明する。
施形態の第１変形例は、第６の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ベース樹脂の側鎖と結合して
いる水素原子特にアクリル樹脂のエステル部の水素原子
がフッ素原子で置換されたものを用いる。以下、レジス
ト材料の組成について具体的に説明する。
【００８４】 ベース樹脂：ポリ（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート） ２ｇ （化学式は［化１］に示す） 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【００８５】
【化１】
【００８６】（第６の実施形態の第２変形例）第６の実
施形態の第２変形例は、第６の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ベース樹脂の側鎖と結合して
いる水素原子特にアクリル樹脂のエステル部の水素原子
がフッ素原子で置換されたものを用いる。以下、レジス
ト材料の組成について具体的に説明する。
施形態の第２変形例は、第６の実施形態と比べて、レジ
スト材料が異なるのみであるから、以下においては、レ
ジスト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト
材料のベース樹脂として、ベース樹脂の側鎖と結合して
いる水素原子特にアクリル樹脂のエステル部の水素原子
がフッ素原子で置換されたものを用いる。以下、レジス
ト材料の組成について具体的に説明する。
【００８７】 ベース樹脂：ポリ（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピルメ タクリレート） ２ｇ （化学式は［化２］に示す） 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【００８８】
【化２】
【００８９】図７は、第６の実施形態の第１変形例及び
第２変形例並びに従来例に係るレジスト材料を用いて
０．１μｍの膜厚を有するレジスト膜を形成した場合に
おける露光光の波長と透過率との関係を示している。
第２変形例並びに従来例に係るレジスト材料を用いて
０．１μｍの膜厚を有するレジスト膜を形成した場合に
おける露光光の波長と透過率との関係を示している。
【００９０】図７から、第６の実施形態の第１及び第２
の変形例によると、１５７ｎｍ帯の波長（Ｆ2 レーザ
光）に対して、４０％以上の透過率が得られることが分
かる。尚、従来例によると、１５７ｎｍ帯の波長（Ｆ2
レーザ光）に対する透過率は２０％程度である。
の変形例によると、１５７ｎｍ帯の波長（Ｆ2 レーザ
光）に対して、４０％以上の透過率が得られることが分
かる。尚、従来例によると、１５７ｎｍ帯の波長（Ｆ2
レーザ光）に対する透過率は２０％程度である。
【００９１】（第７の実施形態）第７の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料として、ベース樹脂
がアルキル基例えばメチル基を含むと共に、ベース樹脂
の酸脱離基中の水素原子がフッ素原子で置換されたもの
を用いる。以下、レジスト材料の組成について具体的に
説明する。
パターン形成方法は、レジスト材料として、ベース樹脂
がアルキル基例えばメチル基を含むと共に、ベース樹脂
の酸脱離基中の水素原子がフッ素原子で置換されたもの
を用いる。以下、レジスト材料の組成について具体的に
説明する。
【００９２】 ベース樹脂：ポリ（（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−（ ２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート）） ２ｇ （化学式は［化３］に示す） 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【００９３】
【化３】
【００９４】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【００９５】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１における露光部１１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【００９６】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像処理を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に溶解する
ので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の未露
光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得られる。
の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニ
ウムハイドロキサイド現像液を用いて現像処理を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａが現像液に溶解する
ので、図２（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の未露
光部１１ｂからなるレジストパターン１４が得られる。
【００９７】第７の実施形態によると、ベース樹脂がメ
チル基を含むと共に、ベース樹脂の酸脱離基中の水素原
子がフッ素原子で置換されているため、短波長域の光に
対する吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯
の波長を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このた
め、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対す
る透明性が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底
部にまで十分に到達するから、０．０７μｍのライン幅
を有し良好な断面形状を有するレジストパターンを得る
ことができた。
チル基を含むと共に、ベース樹脂の酸脱離基中の水素原
子がフッ素原子で置換されているため、短波長域の光に
対する吸収性が低減するので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯
の波長を持つ光に対する吸収性が小さくなる。このた
め、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対す
る透明性が高くなるので、露光光がレジスト膜１１の底
部にまで十分に到達するから、０．０７μｍのライン幅
を有し良好な断面形状を有するレジストパターンを得る
ことができた。
【００９８】
【００９９】尚、第７の実施形態におけるベース樹脂の
酸脱離基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオ
ロメチル基又はメルカプト基により置換された、ｔ−ブ
チル基、１−エトキシエチル基、ｔ−ブチルオキシカル
ボニル基などが挙げられる。
酸脱離基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオ
ロメチル基又はメルカプト基により置換された、ｔ−ブ
チル基、１−エトキシエチル基、ｔ−ブチルオキシカル
ボニル基などが挙げられる。
【０１００】（第８の実施形態）第８の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合している
水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いると
共に、溶解阻害剤としても、ベンゼン環に結合している
水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる。
以下、レジスト材料の組成について具体的に説明する。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合している
水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いると
共に、溶解阻害剤としても、ベンゼン環に結合している
水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用いる。
以下、レジスト材料の組成について具体的に説明する。
【０１０１】 ベース樹脂：ポリ（ｏ，ｏ−ジフルオロ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｏ ，ｏ−ジフルオロ−ｐ−トリフルオロメトキシスチレン）１ｇ 溶解阻害剤：ビス（ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）−ｍ，ｍ−ジフル オロフェニル）メタン ０．４ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【０１０２】まず、図２（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板１０上にスピンコ
ートしてレジスト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示
すように、レジスト膜１１に対してマスク１２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【０１０３】ところで、ベース樹脂はアルカリ可溶性で
あるが、溶解阻害剤の作用によりレジスト膜１１はアル
カリ難溶性である。そこで、図２（ｃ）に示すように、
半導体基板１０を加熱すると、溶解阻害剤が酸の存在下
で加熱されるため、溶解阻害剤は分解するので、レジス
ト膜１１の露光部１１ａはアルカリ水溶液に対して可溶
性となる。
あるが、溶解阻害剤の作用によりレジスト膜１１はアル
カリ難溶性である。そこで、図２（ｃ）に示すように、
半導体基板１０を加熱すると、溶解阻害剤が酸の存在下
で加熱されるため、溶解阻害剤は分解するので、レジス
ト膜１１の露光部１１ａはアルカリ水溶液に対して可溶
性となる。
【０１０４】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【０１０５】第８の実施形態によると、ベース樹脂及び
溶解阻害剤は、ベンゼン環に結合している水素原子の一
部がフッ素原子で置換されているため、ベンゼン環によ
り決まる光の吸収波長のピークが長波長側にシフトする
ので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する
吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ
帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるので、
露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達するか
ら、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有す
るレジストパターンを得ることができた。
溶解阻害剤は、ベンゼン環に結合している水素原子の一
部がフッ素原子で置換されているため、ベンゼン環によ
り決まる光の吸収波長のピークが長波長側にシフトする
ので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する
吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ
帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高くなるので、
露光光がレジスト膜１１の底部にまで十分に到達するか
ら、０．１μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有す
るレジストパターンを得ることができた。
【０１０６】（第８の実施形態の変形例）第８の実施形
態の変形例は、第８の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのベンゼン環に
結合している水素原子の一部がアミノ基で置換されてい
るものを用いると共に、溶解阻害剤として、シアノ基が
含まれるものを用いる。
態の変形例は、第８の実施形態と比べて、レジスト材料
が異なるのみであるから、以下においては、レジスト材
料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材料のベ
ース樹脂として、ポリビニルフェノールのベンゼン環に
結合している水素原子の一部がアミノ基で置換されてい
るものを用いると共に、溶解阻害剤として、シアノ基が
含まれるものを用いる。
【０１０７】 ベース樹脂：ポリ（ｏ−アミノ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｏ−アミノ −ｐ−メトキシスチレン） １ｇ 溶解阻害剤：ビス（ｐ−（ｔ−ブトキシ）−ｍ−シアノフェニル）メタン ０．４ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルエトキシプロピオネート ４ｇ
【０１０８】（第９の実施形態）第９の実施形態に係る
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、二重結合を構成する炭素にアミノ基が結合してもの
を用いる。以下、レジスト材料の組成について具体的に
説明する。
パターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂とし
て、二重結合を構成する炭素にアミノ基が結合してもの
を用いる。以下、レジスト材料の組成について具体的に
説明する。
【０１０９】 ベース樹脂：ポリ（（１−ビニルオキシ）３−アミノ−２−シクロヘキセン− ｃｏ−ビニルオキシエトキシエタン） １ｇ 酸発生剤：トリメチルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ まず、図２（ａ）に示すように、前記の組成を有するレ
ジスト材料を半導体基板１０上にスピンコートしてレジ
スト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示すように、レ
ジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ
帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露
光を行なう。このようにすると、レジスト膜１１の露光
部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レ
ジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸が発生しな
い。
ジスト材料を半導体基板１０上にスピンコートしてレジ
スト膜１１を形成した後、図２（ｂ）に示すように、レ
ジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ
帯の波長を持つＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露
光を行なう。このようにすると、レジスト膜１１の露光
部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レ
ジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸が発生しな
い。
【０１１０】次に、図２（ｃ）に示すように、半導体基
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１の露光部１１ａはアルカリ水溶液に対して可溶
性になる。
板１０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜１１の露光部１１ａはアルカリ水溶液に対して可溶
性になる。
【０１１１】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜１１
の露光部１１ａが現像液に溶解するので、図２（ｄ）に
示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなる
レジストパターン１４が得られる。
【０１１２】第９の実施形態によると、ベース樹脂は、
二重結合を構成する炭素にアミノ基が結合しているた
め、短波長域の光に対する吸収性が低減するので、１ｎ
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小
さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を
持つ露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレ
ジスト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．１
μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジスト
パターンを得ることができた。
二重結合を構成する炭素にアミノ基が結合しているた
め、短波長域の光に対する吸収性が低減するので、１ｎ
ｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する吸収性が小
さくなる。このため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を
持つ露光光に対する透明性が高くなるので、露光光がレ
ジスト膜１１の底部にまで十分に到達するから、０．１
μｍのライン幅を有し良好な断面形状を有するレジスト
パターンを得ることができた。
【０１１３】（第１０の実施形態）第１０の実施形態に
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂と
して、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。尚、第１〜第９の実施形態は、ポジ型のレジストパ
ターンを形成する場合であったが、第１０の実施形態
は、ネガ型のレジストパターンを形成する場合である。
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂と
して、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合してい
る水素原子の一部をフッ素原子で置換したものを用い
る。以下、レジスト材料の組成について具体的に説明す
る。尚、第１〜第９の実施形態は、ポジ型のレジストパ
ターンを形成する場合であったが、第１０の実施形態
は、ネガ型のレジストパターンを形成する場合である。
【０１１４】 ベース樹脂：ポリ（ｏ，ｏ−ジフルオロ−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｏ ，ｏ−ジフルオロ−ｐ−トリフルオロメトキシスチレン）１ｇ 架橋剤：２，４，６−トリ（Ｎ，Ｎ−ジエトキシメチルアミノ）−１，３，５ −トリアジン ０．３ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルラクテート ４ｇ
【０１１５】まず、図３（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板２０上にスピンコ
ートしてレジスト膜２１を形成した後、図３（ｂ）に示
すように、レジスト膜２１に対してマスク２２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光２３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜２１の露光部２１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜２１の未露光部２１ｂにおいて
は酸が発生しない。
成を有するレジスト材料を半導体基板２０上にスピンコ
ートしてレジスト膜２１を形成した後、図３（ｂ）に示
すように、レジスト膜２１に対してマスク２２を介し
て、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ2 レーザ光２３を照射
してパターン露光を行なう。このようにすると、レジス
ト膜２１の露光部２１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生する一方、レジスト膜２１の未露光部２１ｂにおいて
は酸が発生しない。
【０１１６】次に、図３（ｃ）に示すように、半導体基
板２０を加熱する。ベース樹脂は、アルカリ水溶液に対
して可溶性であるが、酸の存在下で加熱されると、架橋
剤の作用により架橋反応が起こるので、レジスト膜２１
の露光部２１ａはアルカリ難溶性に変化する。
板２０を加熱する。ベース樹脂は、アルカリ水溶液に対
して可溶性であるが、酸の存在下で加熱されると、架橋
剤の作用により架橋反応が起こるので、レジスト膜２１
の露光部２１ａはアルカリ難溶性に変化する。
【０１１７】次に、レジスト膜２１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜２１
の未露光部２１ａが現像液に溶解するので、図３（ｄ）
に示すように、レジスト膜２１の露光部２１ｂからなる
レジストパターン２４が得られる。
の現像液を用いて現像処理を行なうと、レジスト膜２１
の未露光部２１ａが現像液に溶解するので、図３（ｄ）
に示すように、レジスト膜２１の露光部２１ｂからなる
レジストパターン２４が得られる。
【０１１８】第１０の実施形態によると、ベース樹脂
は、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合している
水素原子の一部がフッ素原子で置換されているため、ベ
ンゼン環により決まる光の吸収波長のピークが長波長側
にシフトするので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持
つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高
くなるので、露光光がレジスト膜２１の底部にまで十分
に到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断
面形状を有するレジストパターンを得ることができた。
は、ポリビニルフェノールのベンゼン環に結合している
水素原子の一部がフッ素原子で置換されているため、ベ
ンゼン環により決まる光の吸収波長のピークが長波長側
にシフトするので、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持
つ光に対する吸収性が小さくなる。このため、１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明性が高
くなるので、露光光がレジスト膜２１の底部にまで十分
に到達するから、０．１μｍのライン幅を有し良好な断
面形状を有するレジストパターンを得ることができた。
【０１１９】（第１０の実施形態の変形例）第１０の実
施形態の変形例は、第１０の実施形態と比べて、レジス
ト材料が異なるのみであるから、以下においては、レジ
スト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材
料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベンゼ
ン環に結合している水素原子の一部がメルカプト基で置
換されているものを用いると共に、架橋剤として、アル
コキシ基が含まれるものを用いる。
施形態の変形例は、第１０の実施形態と比べて、レジス
ト材料が異なるのみであるから、以下においては、レジ
スト材料についてのみ説明する。すなわち、レジスト材
料のベース樹脂として、ポリビニルフェノールのベンゼ
ン環に結合している水素原子の一部がメルカプト基で置
換されているものを用いると共に、架橋剤として、アル
コキシ基が含まれるものを用いる。
【０１２０】 ベース樹脂：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−ｃｏ−ｏ−メルカプト−ｐ−メ トキシスチレン） １ｇ 架橋剤：１，３−ジメトキシ−１，２，３−ペンタントリオールトリグリシジ ルエーテル ０．３ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．０１ｇ 溶媒：エチルラクテート ４ｇ
【０１２１】（第１１の実施形態）第１１の実施形態に
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂が
フッ素原子を含んでいると共に、レジスト膜の上にフッ
素原子を含む水溶性樹脂膜を堆積するものである。尚、
第１１の実施形態は、ポジ型のレジストパターンを形成
する場合である。以下、レジスト材料の組成について具
体的に説明する。
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂が
フッ素原子を含んでいると共に、レジスト膜の上にフッ
素原子を含む水溶性樹脂膜を堆積するものである。尚、
第１１の実施形態は、ポジ型のレジストパターンを形成
する場合である。以下、レジスト材料の組成について具
体的に説明する。
【０１２２】 ベース樹脂：ポリ（（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート）（３０ ｍｏｌ％）−（トリ（トリフルオロメチル）メチルメタクリレー ト）（３０ｍｏｌ％）−（メチルメタクリレート）（３０ｍｏｌ ％）−（メタクリル酸）（１０ｍｏｌ％）） ２ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【０１２３】まず、図４（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板３０上にスピンコ
ートして例えば０．５μｍの膜厚を有するレジスト膜３
１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜
３１の上に、フッ素原子を含む水溶性樹脂からなる水溶
性樹脂膜３２を堆積する。
成を有するレジスト材料を半導体基板３０上にスピンコ
ートして例えば０．５μｍの膜厚を有するレジスト膜３
１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜
３１の上に、フッ素原子を含む水溶性樹脂からなる水溶
性樹脂膜３２を堆積する。
【０１２４】水溶性樹脂としては、ポリアクリル酸、ポ
リビニールアルコール、ポリビニールピロリドン又はポ
リスチレンスルフォン酸などの水素原子の全部又は一部
が、フッ素原子などのハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオ
ロメチル基又はメルカプト基により置換されたもの、又
は、［化４］に示すポリマーが挙げられるが、これらに
限られるものではない。
リビニールアルコール、ポリビニールピロリドン又はポ
リスチレンスルフォン酸などの水素原子の全部又は一部
が、フッ素原子などのハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオ
ロメチル基又はメルカプト基により置換されたもの、又
は、［化４］に示すポリマーが挙げられるが、これらに
限られるものではない。
【０１２５】
【化４】
【０１２６】次に、図４（ｃ）に示すように、レジスト
膜３１に対してマスク３３を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光３４を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜３１の露光部３１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜３１の未露光部３１ｂにおいては酸が発生しない。
膜３１に対してマスク３３を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光３４を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜３１の露光部３１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜３１の未露光部３１ｂにおいては酸が発生しない。
【０１２７】次に、図４（ｄ）に示すように、半導体基
板３０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜３１における露光部３１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板３０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜３１における露光部３１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【０１２８】次に、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアン
モニウムハイドロキサイド現像液を用いて、水溶性樹脂
膜３２を除去すると共にレジスト膜３１を現像すると、
図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３１の未露光部３
１ｂからなるレジストパターン３５が得られる。
モニウムハイドロキサイド現像液を用いて、水溶性樹脂
膜３２を除去すると共にレジスト膜３１を現像すると、
図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３１の未露光部３
１ｂからなるレジストパターン３５が得られる。
【０１２９】第１１の実施形態によると、レジスト材料
のベース樹脂及び水溶性樹脂膜３２の両方にフッ素原子
が含まれているため、レジスト膜３１の底部にまで露光
光が確実に到達するので、良好なパターン形状を有する
レジストパターン３５を形成することができる。
のベース樹脂及び水溶性樹脂膜３２の両方にフッ素原子
が含まれているため、レジスト膜３１の底部にまで露光
光が確実に到達するので、良好なパターン形状を有する
レジストパターン３５を形成することができる。
【０１３０】（第１２の実施形態）第１２の実施形態に
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂が
フッ素原子を含んでいると共に、レジスト膜の上に、フ
ッ素原子を含む化合物と水溶性樹脂とからなる水溶性樹
脂膜を堆積するものである。尚、第１２の実施形態も、
ポジ型のレジストパターンを形成する場合である。以
下、レジスト材料の組成について具体的に説明する。
係るパターン形成方法は、レジスト材料のベース樹脂が
フッ素原子を含んでいると共に、レジスト膜の上に、フ
ッ素原子を含む化合物と水溶性樹脂とからなる水溶性樹
脂膜を堆積するものである。尚、第１２の実施形態も、
ポジ型のレジストパターンを形成する場合である。以
下、レジスト材料の組成について具体的に説明する。
【０１３１】 ベース樹脂：ポリ（（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート）（３０ ｍｏｌ％）−（トリ（トリフルオロメチル）メチルメタクリレー ト）（３０ｍｏｌ％）−（メチルメタクリレート）（３０ｍｏｌ ％）−（メタクリル酸）（１０ｍｏｌ％）） ２ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート ０．４ｇ 溶媒：ジグライム ２０ｇ
【０１３２】まず、図４（ａ）に示すように、前記の組
成を有するレジスト材料を半導体基板３０上にスピンコ
ートして例えば０．５μｍの膜厚を有するレジスト膜３
１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜
３１の上に、フッ素原子を含む化合物と水溶性樹脂とか
らなる水溶性樹脂膜３２を堆積する。
成を有するレジスト材料を半導体基板３０上にスピンコ
ートして例えば０．５μｍの膜厚を有するレジスト膜３
１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜
３１の上に、フッ素原子を含む化合物と水溶性樹脂とか
らなる水溶性樹脂膜３２を堆積する。
【０１３３】フッ素原子を含む化合物としては、トリフ
ルオロ酢酸、トリフルオロメチルスルフォン酸又はフッ
素系界面活性剤などが挙げられるが、これらに限られる
ものではない。
ルオロ酢酸、トリフルオロメチルスルフォン酸又はフッ
素系界面活性剤などが挙げられるが、これらに限られる
ものではない。
【０１３４】また、水溶性樹脂としては、ポリアクリル
酸、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン
又はポリスチレンスルフォン酸などが挙げられるが、こ
れらに限られるものではない。
酸、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン
又はポリスチレンスルフォン酸などが挙げられるが、こ
れらに限られるものではない。
【０１３５】次に、図４（ｃ）に示すように、レジスト
膜３１に対してマスク３３を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光３４を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜３１の露光部３１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜３１の未露光部３１ｂにおいては酸が発生しない。
膜３１に対してマスク３３を介して、１５７ｎｍ帯の波
長を持つＦ2 レーザ光３４を照射してパターン露光を行
なう。このようにすると、レジスト膜３１の露光部３１
ａにおいては酸発生剤から酸が発生する一方、レジスト
膜３１の未露光部３１ｂにおいては酸が発生しない。
【０１３６】この場合、水溶性樹脂膜３２にフッ素原子
が含まれているため、水溶性樹脂膜３２は、光強度の大
きい光のみをレジスト膜３１に導く。
が含まれているため、水溶性樹脂膜３２は、光強度の大
きい光のみをレジスト膜３１に導く。
【０１３７】次に、図４（ｄ）に示すように、半導体基
板３０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜３１における露光部３１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
板３０を加熱すると、ベース樹脂は、アルカリ難溶性で
あるが、酸の存在下で加熱されて分解するので、レジス
ト膜３１における露光部３１ａはアルカリ水溶液に対し
て可溶性になる。
【０１３８】次に、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアン
モニウムハイドロキサイド現像液を用いて、水溶性樹脂
膜３２を除去すると共にレジスト膜３１を現像すると、
図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３１の未露光部３
１ｂからなるレジストパターン３５が得られる。
モニウムハイドロキサイド現像液を用いて、水溶性樹脂
膜３２を除去すると共にレジスト膜３１を現像すると、
図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３１の未露光部３
１ｂからなるレジストパターン３５が得られる。
【０１３９】第１２の実施形態によると、レジスト材料
のベース樹脂及び水溶性樹脂膜３２の両方にフッ素原子
が含まれているため、レジスト膜３１の底部にまで露光
光が確実に到達するので、良好なパターン形状を有する
レジストパターン３５を形成することができる。
のベース樹脂及び水溶性樹脂膜３２の両方にフッ素原子
が含まれているため、レジスト膜３１の底部にまで露光
光が確実に到達するので、良好なパターン形状を有する
レジストパターン３５を形成することができる。
【０１４０】
【０１４１】
【０１４２】
【０１４３】
【０１４４】
【０１４５】尚、前記の第１〜第１２の実施形態又はこ
れらの変形例においては、露光光として、１５７ｎｍ帯
の波長を持つＦ2 レーザ光を用いたが、これに代えて、
Ｘｅ2 レーザ光（波長：１７２ｎｍ帯）、Ｋｒ2 レーザ
光（波長：１４６ｎｍ帯）、ＡｒＫｒレーザ光（波長：
１３４ｎｍ帯）、Ａｒ2 レーザ光（波長：１２６ｎｍ
帯）又は軟Ｘ線（波長：１３ｎｍ帯、１１ｎｍ帯又は５
ｎｍ帯）等を用いても、同様の効果が得られる。
れらの変形例においては、露光光として、１５７ｎｍ帯
の波長を持つＦ2 レーザ光を用いたが、これに代えて、
Ｘｅ2 レーザ光（波長：１７２ｎｍ帯）、Ｋｒ2 レーザ
光（波長：１４６ｎｍ帯）、ＡｒＫｒレーザ光（波長：
１３４ｎｍ帯）、Ａｒ2 レーザ光（波長：１２６ｎｍ
帯）又は軟Ｘ線（波長：１３ｎｍ帯、１１ｎｍ帯又は５
ｎｍ帯）等を用いても、同様の効果が得られる。
【０１４６】また、前記の第１〜第１２の実施形態又は
これらの変形例における酸発生剤としては、スルフォニ
ウム塩若しくはヨードニウム塩等のオニウム塩類、スル
ホン酸エステル類、ジアゾジスルフォニルメタン類又は
ケトスルホン化合物等を適宜用いることができる。
これらの変形例における酸発生剤としては、スルフォニ
ウム塩若しくはヨードニウム塩等のオニウム塩類、スル
ホン酸エステル類、ジアゾジスルフォニルメタン類又は
ケトスルホン化合物等を適宜用いることができる。
【０１４７】さらに、前記の第１〜第１２の実施形態又
はこれらの変形例においては、レジスト材料としては、
必要に応じてアミン類などの塩基性化合物又は界面活性
剤などの添加剤が含まれていてもよい。
はこれらの変形例においては、レジスト材料としては、
必要に応じてアミン類などの塩基性化合物又は界面活性
剤などの添加剤が含まれていてもよい。
【０１４８】
【発明の効果】本発明のパターン形成方法によると、１
ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明
性を高くすることができるので、露光光として１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なう場合
に、良好なパターン形状を持つレジストパターンを形成
することができる。
ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ露光光に対する透明
性を高くすることができるので、露光光として１ｎｍ帯
〜１８０ｎｍ帯の光を用いてパターン露光を行なう場合
に、良好なパターン形状を持つレジストパターンを形成
することができる。
【図１】本発明の解決原理を示す図であって、ポリビニ
ルフェノールの芳香環をアミノ基で置換すると、光の吸
収帯がシフトすることを説明する図である。
ルフェノールの芳香環をアミノ基で置換すると、光の吸
収帯がシフトすることを説明する図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１〜第８の実施
形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第９の実施形態に
係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１０又は第１１
の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。
の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面
図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１２の実施形態
に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の前提となるパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態の第１変形例及び第２
変形例並びに従来例に係るレジスト材料を用いて０．１
μｍの膜厚を有するレジスト膜を形成した場合における
露光光の波長と透過率との関係を示す図である。
変形例並びに従来例に係るレジスト材料を用いて０．１
μｍの膜厚を有するレジスト膜を形成した場合における
露光光の波長と透過率との関係を示す図である。
１０ 半導体基板 １１ レジスト膜 １１ａ 露光部 １１ｂ 未露光部 １２ マスク １３ Ｆ2 レーザ光 １４ レジストパターン ２０ 半導体基板 ２１ レジスト膜 ２１ａ 露光部 ２１ｂ 未露光部 ２２ マスク ２３ Ｆ2 レーザ光 ２４ レジストパターン ３０ 半導体基板 ３１ レジスト膜 ３１ａ 露光部 ３１ｂ 未露光部 ３２ 水溶性樹脂膜 ３３ マスク ３４ Ｆ2 レーザ光 ３５ レジストパターン ４０ 半導体基板 ４１ レジスト膜 ４１ａ 露光部 ４１ｂ 未露光部 ４２ マスク ４３ Ｆ2 レーザ光 ４４ レジストパターン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−223861（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−186665（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−231536（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−231537（ＪＰ，Ａ) 「フォトポリマー・テクノロジー」山 岡・永松編（ｓ．63．12．30）日刊工業 新聞社 「微細加工とレジスト」野々垣三郎 著、高分子学会編（ｓ．63．３．20）共 立出版 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (5)
- 【請求項１】 吸収波長ピークを有しており、該吸収波
長ピークを長波長側にシフトさせる基が結合してなるベ
ース樹脂を含む化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布
してレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に、Ｘｅ2レーザ光、Ｆ2レーザ光、Ｋｒ
2レーザ光、ＡｒＫｒレーザ光又はＡｒ2レーザ光を照射
してパターン露光を行なった後、パターン露光された前
記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工
程とを備え、 前記基は、アミノ基、トリフルオロメチル基又はメルカ
プト基である ことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記ベース樹脂は、アクリル酸系の樹脂
又はポリビニルフェノールであることを特徴とする請求
項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記基は、前記ベース樹脂中の酸脱離基
に含まれていることを特徴とする請求項１に記載のパタ
ーン形成方法。 - 【請求項４】 前記基はアミノ基であり、 前記ベース樹脂は芳香環を有しており、 前記アミノ基は前記芳香環を構成する炭素と結合してい
ることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項５】 吸収波長ピークを有しており、該吸収波
長ピークを長波長側にシフトさせる基が結合してなるベ
ース樹脂を含む化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布
してレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に、Ｘｅ 2 レーザ光、Ｆ 2 レーザ光、Ｋｒ
2 レーザ光、ＡｒＫｒレーザ光又はＡｒ 2 レーザ光を照射
してパターン露光を行なった後、パターン露光された前
記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工
程とを備え、 前記基は、フルオロアルキル基 であり且つ前記ベース樹
脂の主鎖と結合していることを特徴とするパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000040647A JP3305293B2 (ja) | 1999-03-09 | 2000-02-18 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-61184 | 1999-03-09 | ||
| JP6118499 | 1999-03-09 | ||
| JP2000040647A JP3305293B2 (ja) | 1999-03-09 | 2000-02-18 | パターン形成方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001214693A Division JP2002072487A (ja) | 1999-03-09 | 2001-07-16 | パターン形成方法 |
| JP2001315598A Division JP3305309B2 (ja) | 1999-03-09 | 2001-10-12 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000321774A JP2000321774A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3305293B2 true JP3305293B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=26402222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000040647A Expired - Fee Related JP3305293B2 (ja) | 1999-03-09 | 2000-02-18 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3305293B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006501A (ja) * | 1999-11-09 | 2002-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| TW527522B (en) * | 1999-11-09 | 2003-04-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type resist composition |
| AU2001244719A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-15 | Daikin Industries Ltd. | Novel fluoropolymer having acid-reactive group and chemical amplification type photoresist composition containing the same |
| US6730452B2 (en) * | 2001-01-26 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Lithographic photoresist composition and process for its use |
| JP2002251014A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| WO2002077709A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist composition |
| JP2003186197A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sony Corp | レジスト材料及び露光方法 |
| JP2003186198A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sony Corp | レジスト材料及び露光方法 |
| JP4530751B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2010-08-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US7867697B2 (en) | 2003-07-24 | 2011-01-11 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and method of forming resist pattern |
| WO2008053697A1 (en) | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for formation of resist pattern |
| JP4818882B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2011-11-16 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5165227B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-03-21 | 東京応化工業株式会社 | 化合物および高分子化合物 |
| WO2020241099A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000040647A patent/JP3305293B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 「フォトポリマー・テクノロジー」山岡・永松編（ｓ．６３．１２．３０）日刊工業新聞社 |
| 「微細加工とレジスト」野々垣三郎著、高分子学会編（ｓ．６３．３．２０）共立出版 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000321774A (ja) | 2000-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6673523B2 (en) | Pattern formation method | |
| JP3305293B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2003122024A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3281612B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3305309B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4233839B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びフォトレジストパターン形成方法 | |
| US6753132B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| JP2005126693A (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
| JP2002072487A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4113341B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2006011373A (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
| JP2008089952A (ja) | 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| US20040029035A1 (en) | Pattern-forming material and method of forming pattern | |
| JP3853168B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3299214B2 (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JP3299215B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2004012511A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3430028B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US6689536B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| US20030091930A1 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| WO2010113370A1 (ja) | 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| WO2010047018A1 (ja) | レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| EP1372033A1 (en) | Pattern forming material and method of pattern formation | |
| JP4958496B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
| US20020037471A1 (en) | Pattern formation material and pattern formation method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |