JP3303337B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP3303337B2 JP3303337B2 JP18688892A JP18688892A JP3303337B2 JP 3303337 B2 JP3303337 B2 JP 3303337B2 JP 18688892 A JP18688892 A JP 18688892A JP 18688892 A JP18688892 A JP 18688892A JP 3303337 B2 JP3303337 B2 JP 3303337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- switching element
- rubbing
- crystal display
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子、特
にＭＩＭ素子に好適に適用できる構造の改良に関するも
ので、特にラビングにより引きずられたゴミからスイッ
チング素子が破壊されるのを防ぎ、液晶ディスプレイの
生産歩留まりを向上させるものである。
にＭＩＭ素子に好適に適用できる構造の改良に関するも
ので、特にラビングにより引きずられたゴミからスイッ
チング素子が破壊されるのを防ぎ、液晶ディスプレイの
生産歩留まりを向上させるものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、ＭＩＭ素子の定義をしておく。こ
れは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ駆動用の
画素毎に形成されるアクティブ素子に分類される。Ｍｅ
ｔａｌーＩｎｓｕｌａｔｏｒーＭｅｔａｌの構成で、電
気特性の非線形性は双方向ダイオードに良く似た特性を
示すものである。
れは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ駆動用の
画素毎に形成されるアクティブ素子に分類される。Ｍｅ
ｔａｌーＩｎｓｕｌａｔｏｒーＭｅｔａｌの構成で、電
気特性の非線形性は双方向ダイオードに良く似た特性を
示すものである。
【０００３】ここで、以下の説明から、ＭＩＭ素子の下
電極側ヒゲ状突起パターンのことをヒゲラインと記述す
る（但し、課題を解決するための手段を除く）。
電極側ヒゲ状突起パターンのことをヒゲラインと記述す
る（但し、課題を解決するための手段を除く）。
【０００４】従来のＭＩＭの基本プロセスは以下の構成
となる。
となる。
【０００５】（１）まずＴａ金属を成膜して信号ライン
電極とＭＩＭ素子の下電極側ヒゲラインを一体にパター
ン形成する。
電極とＭＩＭ素子の下電極側ヒゲラインを一体にパター
ン形成する。
【０００６】（２）次にＴａ金属パターンを陽極酸化し
て絶縁膜を形成する。
て絶縁膜を形成する。
【０００７】（３）次にＣｒ極薄膜とＩＴＯ薄膜の２層
膜を成膜し、ＭＩＭ素子の反対側電極と画素透明電極を
一体としたパターンを形成する。
膜を成膜し、ＭＩＭ素子の反対側電極と画素透明電極を
一体としたパターンを形成する。
【０００８】従来のＭＩＭ素子構造平面図を図３に示
す。ここで、信号ライン電極１に対してＭＩＭ素子下電
極側ヒゲラインが１０に示すごとく垂直に引き出されて
いる。また、Ｃｒ極薄膜とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン
４が反対側電極と画素透明電極の両方の役目を果たして
いる。ＭＩＭ素子部分は３の領域である。
す。ここで、信号ライン電極１に対してＭＩＭ素子下電
極側ヒゲラインが１０に示すごとく垂直に引き出されて
いる。また、Ｃｒ極薄膜とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン
４が反対側電極と画素透明電極の両方の役目を果たして
いる。ＭＩＭ素子部分は３の領域である。
【０００９】図４が本発明のＭＩＭ素子構造断面図であ
り、１１が下電極、１２が下電極の陽極酸化により形成
された絶縁膜、１３は反対側電極部、１４はガラス基板
である。
り、１１が下電極、１２が下電極の陽極酸化により形成
された絶縁膜、１３は反対側電極部、１４はガラス基板
である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】液晶パネルの表示特性
のうち視野角の上下方向及び左右方向のバランスをとる
必要性があり、ＴＮ型液晶の場合、一般的にラビング方
向が図３の矢印５で示すごとく斜め約４５度となる。
のうち視野角の上下方向及び左右方向のバランスをとる
必要性があり、ＴＮ型液晶の場合、一般的にラビング方
向が図３の矢印５で示すごとく斜め約４５度となる。
【００１１】この場合に、従来のＭＩＭ素子構造断面図
図４に示すように、ラビングにより引きずられたゴミ８
が矢印９の方向に移動し、ＭＩＭ素子の側面部であるテ
ーパー領域７に度当たりする。これにより、テーパー領
域を破損させ、画素欠陥を発生させて生産歩留まり低下
を引き起こすことになる。
図４に示すように、ラビングにより引きずられたゴミ８
が矢印９の方向に移動し、ＭＩＭ素子の側面部であるテ
ーパー領域７に度当たりする。これにより、テーパー領
域を破損させ、画素欠陥を発生させて生産歩留まり低下
を引き起こすことになる。
【００１２】本発明の目的は、ラビングにより引きずら
れたゴミにより破壊されにくいＭＩＭ素子構造を提供し
て、画素欠陥を現象させ、ＭＩＭ液晶ディスプレイの生
産歩留まりを向上させることにある。
れたゴミにより破壊されにくいＭＩＭ素子構造を提供し
て、画素欠陥を現象させ、ＭＩＭ液晶ディスプレイの生
産歩留まりを向上させることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、以下の２項目の内容を特徴とする。
は、以下の２項目の内容を特徴とする。
【００１４】信号電極、前記信号電極に接続するスイッ
チング素子及び前記スイッチング素子に接続する画素電
極を基板上に具備する液晶表示装置において、前記信号
電極からは前記スイッチング素子に接続される突起パタ
ーンが延びており、前記画素電極と前記突起パターンの
先端との間には金属薄膜パターンが設けられており、前
記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子より前記
ラビング方向の上流に位置し、且つ前記ラビング方向に
対して前記スイッチング素子よりも幅広に形成されてな
ることを特徴とする。
チング素子及び前記スイッチング素子に接続する画素電
極を基板上に具備する液晶表示装置において、前記信号
電極からは前記スイッチング素子に接続される突起パタ
ーンが延びており、前記画素電極と前記突起パターンの
先端との間には金属薄膜パターンが設けられており、前
記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子より前記
ラビング方向の上流に位置し、且つ前記ラビング方向に
対して前記スイッチング素子よりも幅広に形成されてな
ることを特徴とする。
【００１５】上記構成において、前記突起パターンは所
定方向に延びており、前記所定方向と前記基板のラビン
グ方向とのなす角度が１０度以内であると好ましく、ま
た、前記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子を
囲むように形成されてなると好ましく、更には、前記突
起パターンにより形成される段差と、前記金属薄膜パタ
ーンにより形成される段差とがほぼ同等であると好まし
い。
定方向に延びており、前記所定方向と前記基板のラビン
グ方向とのなす角度が１０度以内であると好ましく、ま
た、前記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子を
囲むように形成されてなると好ましく、更には、前記突
起パターンにより形成される段差と、前記金属薄膜パタ
ーンにより形成される段差とがほぼ同等であると好まし
い。
【００１６】
【作用】現状のスイッチング素子構造では、スイッチン
グ素子の下電極側ヒゲラインの膜厚は陽極酸化された絶
縁膜も含めて４０００Å程度ある。このヒゲラインの段
差が大きいために、ラビングで引きずられたゴミがヒゲ
ラインの側面のテーパー部に度当たりした時の、ヒゲラ
インのダメージは大きい。ダメージを受ける位置がちょ
うどＭＩＭ素子部であったならば、ＭＩＭ素子が破壊さ
れることになる。
グ素子の下電極側ヒゲラインの膜厚は陽極酸化された絶
縁膜も含めて４０００Å程度ある。このヒゲラインの段
差が大きいために、ラビングで引きずられたゴミがヒゲ
ラインの側面のテーパー部に度当たりした時の、ヒゲラ
インのダメージは大きい。ダメージを受ける位置がちょ
うどＭＩＭ素子部であったならば、ＭＩＭ素子が破壊さ
れることになる。
【００１７】本発明ではヒゲラインと同等の段差の孤立
パターンを、スイッチング素子をコの字状に囲む形状配
置とするかまたはスイッチング素子の近傍でスイッチン
グ素子からラビング方向に沿った場所に配置することに
より、該孤立パターンがスイッチング素子に向かって移
動しているゴミをせき止める防波堤の役目を果たす。
パターンを、スイッチング素子をコの字状に囲む形状配
置とするかまたはスイッチング素子の近傍でスイッチン
グ素子からラビング方向に沿った場所に配置することに
より、該孤立パターンがスイッチング素子に向かって移
動しているゴミをせき止める防波堤の役目を果たす。
【００１８】また、スイッチング素子の下電極側ヒゲラ
インをラビング方向に１０度以内の角度に配置すること
により、下電極側ヒゲラインの伸びている方向をラビン
グで引きずられたゴミの移動方向とほぼ同じにする。故
にヒゲラインの側面のテーパー部をゴミが横切ることは
ないため、スイッチング素子を破壊する確率が格段に小
さくなる。
インをラビング方向に１０度以内の角度に配置すること
により、下電極側ヒゲラインの伸びている方向をラビン
グで引きずられたゴミの移動方向とほぼ同じにする。故
にヒゲラインの側面のテーパー部をゴミが横切ることは
ないため、スイッチング素子を破壊する確率が格段に小
さくなる。
【００１９】以上から、スイッチング素子まで引きずら
れてくるゴミを低減させる作用と、ゴミがスイッチング
素子まで移動してきても、ゴミで引っかかれてダメージ
を受け易い側面のテーパー部を横切ることがないため、
スイッチング素子が破壊されにくくなる。以上のこと
が、回転ラビング方式の場合及びコスリラビングの場合
の両方にあてはまる。
れてくるゴミを低減させる作用と、ゴミがスイッチング
素子まで移動してきても、ゴミで引っかかれてダメージ
を受け易い側面のテーパー部を横切ることがないため、
スイッチング素子が破壊されにくくなる。以上のこと
が、回転ラビング方式の場合及びコスリラビングの場合
の両方にあてはまる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１の本発明のＭ
ＩＭ素子構造平面図と図２の本発明のＭＩＭ素子構造斜
視図に従って説明する。
ＩＭ素子構造平面図と図２の本発明のＭＩＭ素子構造斜
視図に従って説明する。
【００２１】図１において、ＭＩＭ素子側ガラス基板の
パネル組立工程時におけるＰＩなどの配向膜のラビング
をする方向は、以下に述べる理由により一般的に液晶パ
ネル表示画面の斜め約４５度となる。
パネル組立工程時におけるＰＩなどの配向膜のラビング
をする方向は、以下に述べる理由により一般的に液晶パ
ネル表示画面の斜め約４５度となる。
【００２２】理由・・・・・ＴＮ型液晶ディスプレイの
場合には、表示特性で重要な項目である視野角が上下基
板の配向方向と密接に関係している。上下方向の視野角
のバランス及び左右方向のバランスを良くするためのＭ
ＩＭ素子側ガラス基板のラビング方向は、斜め約４５度
近辺が最適となる。
場合には、表示特性で重要な項目である視野角が上下基
板の配向方向と密接に関係している。上下方向の視野角
のバランス及び左右方向のバランスを良くするためのＭ
ＩＭ素子側ガラス基板のラビング方向は、斜め約４５度
近辺が最適となる。
【００２３】ここで、この斜めのラビング方向５に対し
て斜め引き出しＭＩＭ素子下電極側ヒゲライン２を平行
になる向きとするのが、本発明の一番重要なところであ
る。このヒゲラインの金属材料にはＴａを使用してい
る。さらに、ヒゲラインと同じＴａでラビング防波堤孤
立パターン６を、ＭＩＭ素子をコの字状に囲む形状配置
とする。このラビング防波堤用孤立パターン６について
は、図２の本発明のＭＩＭ素子構造斜視図のラビング防
波堤用パターン（その２）１５で示されるようにＭＩＭ
素子の近傍でＭＩＭ素子からラビング方向に沿った場所
に配置する構成でもよい。
て斜め引き出しＭＩＭ素子下電極側ヒゲライン２を平行
になる向きとするのが、本発明の一番重要なところであ
る。このヒゲラインの金属材料にはＴａを使用してい
る。さらに、ヒゲラインと同じＴａでラビング防波堤孤
立パターン６を、ＭＩＭ素子をコの字状に囲む形状配置
とする。このラビング防波堤用孤立パターン６について
は、図２の本発明のＭＩＭ素子構造斜視図のラビング防
波堤用パターン（その２）１５で示されるようにＭＩＭ
素子の近傍でＭＩＭ素子からラビング方向に沿った場所
に配置する構成でもよい。
【００２４】ヒゲライン２につながるＴａの下電極パタ
ーンを陽極酸化して絶縁膜を形成し、その後Ｃｒ極薄膜
とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン４を成膜パターニングす
ることにより、ＭＩＭ素子部ができあがる。２層膜パタ
ーン４とヒゲライン２のクロスするところがＭＩＭ素子
部３であり、交差角度を垂直となるように構成する。こ
こで、２層膜パターン４は、ＭＩＭプロセスの合理化の
ために、フォトパターニング工程を１回減らす目的で２
層膜にしているが、ＭＩＭ素子近傍と画素電極のそれぞ
れの薄膜材料を変えて各々をフォトパターニングするＭ
ＩＭ構造も現在実用化されている。以上が、画素も含む
ＭＩＭ素子の基本的な構成である。
ーンを陽極酸化して絶縁膜を形成し、その後Ｃｒ極薄膜
とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン４を成膜パターニングす
ることにより、ＭＩＭ素子部ができあがる。２層膜パタ
ーン４とヒゲライン２のクロスするところがＭＩＭ素子
部３であり、交差角度を垂直となるように構成する。こ
こで、２層膜パターン４は、ＭＩＭプロセスの合理化の
ために、フォトパターニング工程を１回減らす目的で２
層膜にしているが、ＭＩＭ素子近傍と画素電極のそれぞ
れの薄膜材料を変えて各々をフォトパターニングするＭ
ＩＭ構造も現在実用化されている。以上が、画素も含む
ＭＩＭ素子の基本的な構成である。
【００２５】図２が、ＭＩＭ素子近傍を拡大し、本発明
のＭＩＭ構造を立体的に示したものである。ラビングで
引きずられたゴミ８は移動方向９の方向に移動する。ゴ
ミが最初に遭遇するのがラビング防波堤用孤立パターン
６であり、ほとんどのゴミはここで遮られて先へ進めな
い。すなわち、ＭＩＭ素子まで到達できない。しかしな
がら、１部のしぶといゴミはラビング防波堤用孤立パタ
ーン６を乗り越えてＭＩＭ素子部３を含むヒゲライン２
に到達する。ここで、このしぶといゴミは最初にヒゲラ
イン２の先端にぶつかり、その直後にヒゲライン２に乗
り上げる。この段階でゴミの運動エネルギーの大部分が
消費され、ヒゲライン２の先端もかなりの損傷を受ける
ことになる。しかし、ヒゲライン先端はＭＩＭ素子とは
関係ない領域であり、ＭＩＭ素子には影響ない。ここ
で、一番重要なことは、ゴミがぶつかれば損傷が著しい
部分であるＭＩＭ素子のテーパー領域７が、ゴミの移動
方向に対して真横を向いているため、ゴミがぶつかるこ
とがないということである。
のＭＩＭ構造を立体的に示したものである。ラビングで
引きずられたゴミ８は移動方向９の方向に移動する。ゴ
ミが最初に遭遇するのがラビング防波堤用孤立パターン
６であり、ほとんどのゴミはここで遮られて先へ進めな
い。すなわち、ＭＩＭ素子まで到達できない。しかしな
がら、１部のしぶといゴミはラビング防波堤用孤立パタ
ーン６を乗り越えてＭＩＭ素子部３を含むヒゲライン２
に到達する。ここで、このしぶといゴミは最初にヒゲラ
イン２の先端にぶつかり、その直後にヒゲライン２に乗
り上げる。この段階でゴミの運動エネルギーの大部分が
消費され、ヒゲライン２の先端もかなりの損傷を受ける
ことになる。しかし、ヒゲライン先端はＭＩＭ素子とは
関係ない領域であり、ＭＩＭ素子には影響ない。ここ
で、一番重要なことは、ゴミがぶつかれば損傷が著しい
部分であるＭＩＭ素子のテーパー領域７が、ゴミの移動
方向に対して真横を向いているため、ゴミがぶつかるこ
とがないということである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたことを、効果という点で整理
すると以下となる。
すると以下となる。
【００２７】液晶パネル組立におけるラビング工程は、
現在回転ラビングとこすりラビングの２方式に絞られる
が、いずれの場合も基板上にゴミが乗っている場合に
は、そのゴミをラビングで引きずり、スイッチング素子
部分にゴミをぶつけて素子破壊を引き起こす。本発明に
より、ラビング時にスイッチング素子にゴミが遭遇しに
くくなり、さらにゴミが遭遇してもスイッチング素子の
ウイークポイントであるテーパー領域からゴミがぶつか
ることがないため、スイッチング素子のラビングによる
破壊の確率が格段に減少するものである。別の言い方を
すれば、ラビング方向の流れに逆らわないようにヒゲラ
イン２をラビング方向に合わせるという考え方により、
ヒゲライン２の上のスイッチング素子は、ラビングによ
る破壊から救われるのである。さらに、金属薄膜による
孤立パターン（実施例では、Ｔａのラビング防波堤用孤
立パターン６）を、スイッチング素子をコの字状に囲む
形状配置とすることにより、スイッチング素子の両サイ
ドのテーパー領域７のうちどちらか一方において、Ｃｒ
極薄膜とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン４が断線した場
合、この孤立パターンでつながる。よって、断線により
発生する表示上の画素欠陥の冗長としても使えるため、
その効果は大きい。 故に、以上からアクティブマトリ
クス液晶ディスプレイの生産歩留まりが格段にアップす
るものであるため、その効果は絶大である。
現在回転ラビングとこすりラビングの２方式に絞られる
が、いずれの場合も基板上にゴミが乗っている場合に
は、そのゴミをラビングで引きずり、スイッチング素子
部分にゴミをぶつけて素子破壊を引き起こす。本発明に
より、ラビング時にスイッチング素子にゴミが遭遇しに
くくなり、さらにゴミが遭遇してもスイッチング素子の
ウイークポイントであるテーパー領域からゴミがぶつか
ることがないため、スイッチング素子のラビングによる
破壊の確率が格段に減少するものである。別の言い方を
すれば、ラビング方向の流れに逆らわないようにヒゲラ
イン２をラビング方向に合わせるという考え方により、
ヒゲライン２の上のスイッチング素子は、ラビングによ
る破壊から救われるのである。さらに、金属薄膜による
孤立パターン（実施例では、Ｔａのラビング防波堤用孤
立パターン６）を、スイッチング素子をコの字状に囲む
形状配置とすることにより、スイッチング素子の両サイ
ドのテーパー領域７のうちどちらか一方において、Ｃｒ
極薄膜とＩＴＯ薄膜の２層膜パターン４が断線した場
合、この孤立パターンでつながる。よって、断線により
発生する表示上の画素欠陥の冗長としても使えるため、
その効果は大きい。 故に、以上からアクティブマトリ
クス液晶ディスプレイの生産歩留まりが格段にアップす
るものであるため、その効果は絶大である。
【００２８】
【図１】 実施例のＭＩＭ素子構造平面図。
【図２】 実施例のＭＩＭ素子構造斜視図。
【図３】 従来のＭＩＭ素子構造平面図。
【図４】 従来のＭＩＭ素子構造断面図。
Claims (4)
- 【請求項１】信号電極、前記信号電極に接続するスイッ
チング素子及び前記スイッチング素子に接続する画素電
極を基板上に具備する液晶表示装置において、 前記信号電極からは前記スイッチング素子に接続される
突起パターンが延びており、 前記画素電極と前記突起パターンの先端との間には金属
薄膜パターンが設けられており、 前記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子より前
記ラビング方向の上流に位置し、且つ前記ラビング方向
に対して前記スイッチング素子よりも幅広に形成されて
なることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の液晶表示装置において、 前記突起パターンは所定方向に延びており、前記所定方
向と前記基板のラビング方向とのなす角度が１０度以内
であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装
置において、 前記金属薄膜パターンは、前記スイッチング素子を囲む
ように形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
液晶表示装置において、 前記突起パターンにより形成される段差と、前記金属薄
膜パターンにより形成される段差とがほぼ同等であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18688892A JP3303337B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18688892A JP3303337B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635005A JPH0635005A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3303337B2 true JP3303337B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=16196446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18688892A Expired - Fee Related JP3303337B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303337B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987002370A1 (en) * | 1985-10-11 | 1987-04-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Catalyst for olefin polymerization and process for preparing olefin polymer by using the same |
| EP0279863B1 (en) * | 1986-08-26 | 1992-10-14 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Catalyst for polymerizing alpha-olefin and polymerization process |
| JP2618384B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1997-06-11 | 三井石油化学工業株式会社 | オレフイン重合用固体触媒およびその製法 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18688892A patent/JP3303337B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0635005A (ja) | 1994-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100507271B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US6335211B1 (en) | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display having a wide viewing angle and a method for manufacturing the same | |
| US6462800B1 (en) | Electrode contact structure for a liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| KR100628680B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 | |
| TWI633473B (zh) | 內嵌式觸控液晶顯示裝置及其製作方法 | |
| TW200528815A (en) | Liquid crystal display | |
| US9495047B2 (en) | Liquid crystal display device comprising first and second touch electrodes and method of manufacturing the same | |
| US6429908B1 (en) | Method for manufacturing a gate of thin film transistor in a liquid crystal display device | |
| US20180088366A1 (en) | Array substrates and liquid crystal panels | |
| WO2019085700A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法和显示装置及其制造方法 | |
| JPH05313197A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| CN110349973A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP3303337B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000330123A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH09281498A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20010056591A (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 | |
| US20020019082A1 (en) | Method for fabricating a thin film transistor display | |
| KR20120054785A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20030095222A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display for preventing crosstalk produced between adjacent data line and common electrode | |
| TWM628882U (zh) | 液晶顯示面板的改良結構 | |
| US20240028145A1 (en) | Touch display panel and display device | |
| US11309340B2 (en) | Display panel | |
| JP3300336B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2515868B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2901499B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |