JP3297650B2 - 半導体処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数種の処理液の供給
を受けて処理を行なう処理部を備える半導体処理処理装
置に関し、特に、処理部へ供給される処理液の濃度を、
複数種の処理液に対して濃度測定できるようにした半導
体処理装置に関する。
を受けて処理を行なう処理部を備える半導体処理処理装
置に関し、特に、処理部へ供給される処理液の濃度を、
複数種の処理液に対して濃度測定できるようにした半導
体処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この半導体処理装置では、半導体ウェハ
を洗浄するための処理槽の下部に連通接続される洗浄液
供給管に、薬液としてアンモニア（ＮＨ3）、過酸化水
素（Ｈ2Ｏ2）、フッ酸（ＨＦ）と塩酸（ＨＣｌ）等とイ
オンを脱した水である純水とが、所定の比率で混合調製
されて洗浄液として供給される。この洗浄液供給管の途
中には、管内を流れる洗浄液に光を照射し、透過した光
の所定波長における強度（透過光強度）を測定するため
の透過光測定用光学部が配設される。この光学部は、光
源と、管内の洗浄液に前記光源の光を照射・透過させる
ための間隙をもつ光透過部（以下、セル部と称する）を
備えたフローセルと、前記セル部を透過した光の強度を
検出する光検出器からなる光検出部とから構成される。
を洗浄するための処理槽の下部に連通接続される洗浄液
供給管に、薬液としてアンモニア（ＮＨ3）、過酸化水
素（Ｈ2Ｏ2）、フッ酸（ＨＦ）と塩酸（ＨＣｌ）等とイ
オンを脱した水である純水とが、所定の比率で混合調製
されて洗浄液として供給される。この洗浄液供給管の途
中には、管内を流れる洗浄液に光を照射し、透過した光
の所定波長における強度（透過光強度）を測定するため
の透過光測定用光学部が配設される。この光学部は、光
源と、管内の洗浄液に前記光源の光を照射・透過させる
ための間隙をもつ光透過部（以下、セル部と称する）を
備えたフローセルと、前記セル部を透過した光の強度を
検出する光検出器からなる光検出部とから構成される。
【０００３】上記のような構成の半導体洗浄装置におい
て洗浄液の濃度を測定するには、以下の方法がある。
て洗浄液の濃度を測定するには、以下の方法がある。
【０００４】第１の方法は、フローセルへ入射する所定
波長の光の強度（入射光強度Ｉ0）と、洗浄液供給管を
流れる洗浄液の透過光強度Ｉmを測定し、ランベルト−
ベールの法則（Lambert-Beer'sLaw）に基づいて、洗浄
液の濃度を算出する。具体的には、測定された入射光強
度Ｉ0と洗浄液の透過光強度Ｉmとを下記（１）式に代入
する。ただし、式中における記号ｋは、洗浄液が光を吸
収する度合いを表す各洗浄液固有の吸光係数（／ｍｍ・
％）、記号ｄは、流体を透過する光の強度を測定するフ
ローセルに設けられたセル部の長さ、すなわち透過光の
光路長（ｍｍ）、記号ｃは、洗浄液の濃度（％）であ
る。 ｃ＝−１／ｋｄ・ｌｎ（Ｉm／Ｉ0） ・・・・・ （１）
波長の光の強度（入射光強度Ｉ0）と、洗浄液供給管を
流れる洗浄液の透過光強度Ｉmを測定し、ランベルト−
ベールの法則（Lambert-Beer'sLaw）に基づいて、洗浄
液の濃度を算出する。具体的には、測定された入射光強
度Ｉ0と洗浄液の透過光強度Ｉmとを下記（１）式に代入
する。ただし、式中における記号ｋは、洗浄液が光を吸
収する度合いを表す各洗浄液固有の吸光係数（／ｍｍ・
％）、記号ｄは、流体を透過する光の強度を測定するフ
ローセルに設けられたセル部の長さ、すなわち透過光の
光路長（ｍｍ）、記号ｃは、洗浄液の濃度（％）であ
る。 ｃ＝−１／ｋｄ・ｌｎ（Ｉm／Ｉ0） ・・・・・ （１）
【０００５】第２の方法は、半導体洗浄装置で半導体ウ
ェハを洗浄してないときに、洗浄液供給管を流れる純水
の透過光強度ＩCを予め測定しておく。次に、半導体ウ
ェハを洗浄しているときに、洗浄液供給管を流れる洗浄
液の透過光強度Ｉmを測定し、ランベルト−ベールの法
則に基づき、すなわち、測定された純水の透過光強度Ｉ
Cと洗浄液の透過光強度Ｉmとを下記（２）式に代入する
ことによって、洗浄液の濃度を算出する。 ｃ＝−１／ｋ’ｄ・ｌｎ（Ｉm／Ｉc） ・・・・・ （２） ただし、記号ｋ’は、互いに等しい光路長のセル部にお
いて、光が純水を透過したときの光強度に対して定義さ
れた各洗浄液固有の吸光係数である。
ェハを洗浄してないときに、洗浄液供給管を流れる純水
の透過光強度ＩCを予め測定しておく。次に、半導体ウ
ェハを洗浄しているときに、洗浄液供給管を流れる洗浄
液の透過光強度Ｉmを測定し、ランベルト−ベールの法
則に基づき、すなわち、測定された純水の透過光強度Ｉ
Cと洗浄液の透過光強度Ｉmとを下記（２）式に代入する
ことによって、洗浄液の濃度を算出する。 ｃ＝−１／ｋ’ｄ・ｌｎ（Ｉm／Ｉc） ・・・・・ （２） ただし、記号ｋ’は、互いに等しい光路長のセル部にお
いて、光が純水を透過したときの光強度に対して定義さ
れた各洗浄液固有の吸光係数である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法で濃度測定する従来装置には、次のような問題点
がある。第１の方法と第２の方法のいずれの方法で濃度
測定するにせよ、洗浄液の種類ごとに吸光係数（第１の
方法では洗浄液が光を吸収する度合いを表す各洗浄液固
有の吸光係数ｋ、第２の方法では互いに等しい光路長に
て純水を透過したときの光強度に対して定義された各洗
浄液固有の吸光係数ｋ’）が違うので、各種の洗浄液の
薬液供給部ごとに、個々の洗浄液に専用の濃度測定装置
を設けているので、部品点数が増え、装置の価格が増大
する要因になっていた。
た方法で濃度測定する従来装置には、次のような問題点
がある。第１の方法と第２の方法のいずれの方法で濃度
測定するにせよ、洗浄液の種類ごとに吸光係数（第１の
方法では洗浄液が光を吸収する度合いを表す各洗浄液固
有の吸光係数ｋ、第２の方法では互いに等しい光路長に
て純水を透過したときの光強度に対して定義された各洗
浄液固有の吸光係数ｋ’）が違うので、各種の洗浄液の
薬液供給部ごとに、個々の洗浄液に専用の濃度測定装置
を設けているので、部品点数が増え、装置の価格が増大
する要因になっていた。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、複数種の処理液の供給を受けて処理を
行なう半導体処理装置にて、複数種の処理液の濃度を測
定するにつけ、従来よりも、部品点数を少なく、装置価
格も軽減化できるようにした半導体処理装置を提供する
ことを目的とする。
たものであって、複数種の処理液の供給を受けて処理を
行なう半導体処理装置にて、複数種の処理液の濃度を測
定するにつけ、従来よりも、部品点数を少なく、装置価
格も軽減化できるようにした半導体処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、複数種の薬液タンクを有し、複数種の処理液を供給
する薬液供給部と、複数種の処理液により処理を行なう
処理部と、薬液供給部から供給される処理液を前記処理
部へ供給する処理液供給管とを備える半導体処理装置に
おいて、前記複数種の薬液タンクと前記処理液供給管の
間に介し、前記複数種の薬液タンクを前記処理液供給管
へ接続する分岐管と、各薬液タンクごとに、各薬液タン
クから前記処理液供給管への流路を開閉制御する操作弁
と、前記操作弁を制御する制御部と、分岐管と前記処理
部との間に設けられ、処理液を透過する光強度を検出す
る透過光測定用光学部と、各処理液に固有の吸光係数ま
たは、各処理液に固有の処理液の濃度に対応づけての透
過光強度に関する検量線データを保存しており、前記制
御部から与えられた操作弁の制御情報を基に、処理液供
給管を流れる処理液に対応する前記吸光係数または前記
検量線データから、前記透過光測定用光学部が検出する
透過光強度より、処理配管を流れる処理液の濃度を得る
濃度算出部とを備えることを特徴とする半導体処理装置
である。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、複数種の薬液タンクを有し、複数種の処理液を供給
する薬液供給部と、複数種の処理液により処理を行なう
処理部と、薬液供給部から供給される処理液を前記処理
部へ供給する処理液供給管とを備える半導体処理装置に
おいて、前記複数種の薬液タンクと前記処理液供給管の
間に介し、前記複数種の薬液タンクを前記処理液供給管
へ接続する分岐管と、各薬液タンクごとに、各薬液タン
クから前記処理液供給管への流路を開閉制御する操作弁
と、前記操作弁を制御する制御部と、分岐管と前記処理
部との間に設けられ、処理液を透過する光強度を検出す
る透過光測定用光学部と、各処理液に固有の吸光係数ま
たは、各処理液に固有の処理液の濃度に対応づけての透
過光強度に関する検量線データを保存しており、前記制
御部から与えられた操作弁の制御情報を基に、処理液供
給管を流れる処理液に対応する前記吸光係数または前記
検量線データから、前記透過光測定用光学部が検出する
透過光強度より、処理配管を流れる処理液の濃度を得る
濃度算出部とを備えることを特徴とする半導体処理装置
である。
【０００９】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
前記操作弁を制御する制御部が、薬液供給部にある複数
種の薬液タンクのうち所要の薬液タンクからの流路の操
作弁を開けると、前記制御部から与えられた操作弁の制
御情報に基づいて、濃度算出部では、処理液供給管を流
れる処理液に対応する前記吸光係数または前記検量線デ
ータから、透過光測定用光学部が検出する透過光強度よ
り、処理配管を流れる処理液の濃度を算出する。操作弁
を制御する制御部が、先とは別の薬液タンクからの流路
の操作弁を開けると、前記制御部から与えられた先とは
別の操作弁の制御情報に基づいて、濃度算出部では、処
理液供給管を流れる先とは別の処理液に対応する前記吸
光係数または前記検量線データから、透過光測定用光学
部が検出する透過光強度より、処理配管を流れる先とは
別の処理液の濃度を算出する。
前記操作弁を制御する制御部が、薬液供給部にある複数
種の薬液タンクのうち所要の薬液タンクからの流路の操
作弁を開けると、前記制御部から与えられた操作弁の制
御情報に基づいて、濃度算出部では、処理液供給管を流
れる処理液に対応する前記吸光係数または前記検量線デ
ータから、透過光測定用光学部が検出する透過光強度よ
り、処理配管を流れる処理液の濃度を算出する。操作弁
を制御する制御部が、先とは別の薬液タンクからの流路
の操作弁を開けると、前記制御部から与えられた先とは
別の操作弁の制御情報に基づいて、濃度算出部では、処
理液供給管を流れる先とは別の処理液に対応する前記吸
光係数または前記検量線データから、透過光測定用光学
部が検出する透過光強度より、処理配管を流れる先とは
別の処理液の濃度を算出する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１１】まず最初に、本発明の半導体処理装置につ
いて概略を説明する。図１は、本発明の一実施例である
濃度測定方法を使用した、複数の洗浄液によって半導体
ウェハを順に洗浄処理する半導体洗浄装置での洗浄工程
を示す図である。この半導体洗浄装置では、一般的にＲ
ＣＡ洗浄法として知られる方法を用いて洗浄を行ない、
一例として以下の洗浄液と時間とで処理を順に行なう。 （１）純水リンス １０分 （２）アンモニア（ＮＨ3 ）・過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
１０分 （３）純水リンス ２０分 （４）フッ酸（ＨＦ） ５分 （５）純水リンス ２０分 （６）塩酸（ＨＣｌ）・過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ） １０
分 （７）純水リンス ２０分
いて概略を説明する。図１は、本発明の一実施例である
濃度測定方法を使用した、複数の洗浄液によって半導体
ウェハを順に洗浄処理する半導体洗浄装置での洗浄工程
を示す図である。この半導体洗浄装置では、一般的にＲ
ＣＡ洗浄法として知られる方法を用いて洗浄を行ない、
一例として以下の洗浄液と時間とで処理を順に行なう。 （１）純水リンス １０分 （２）アンモニア（ＮＨ3 ）・過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
１０分 （３）純水リンス ２０分 （４）フッ酸（ＨＦ） ５分 （５）純水リンス ２０分 （６）塩酸（ＨＣｌ）・過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ） １０
分 （７）純水リンス ２０分
【００１２】このような処理工程の中で、各洗浄処理
（２），（４），（６）の前工程にあたる純水リンス
（１），（３），（５）時に純水の透過光強度Ｉc （Ｉ
c1 ，Ｉc 2 ，Ｉc3 ）を測定し、次に、各洗浄液の透過
光強度Ｉm （Ｉm1 ，Ｉm2 ，Ｉm3）を測定する。そし
て、各純水の透過光強度Ｉc と対応する洗浄液の透過光
強度Ｉをそれぞれ上記（２）式に代入することにより、
各洗浄液の濃度Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を算出する。
（２），（４），（６）の前工程にあたる純水リンス
（１），（３），（５）時に純水の透過光強度Ｉc （Ｉ
c1 ，Ｉc 2 ，Ｉc3 ）を測定し、次に、各洗浄液の透過
光強度Ｉm （Ｉm1 ，Ｉm2 ，Ｉm3）を測定する。そし
て、各純水の透過光強度Ｉc と対応する洗浄液の透過光
強度Ｉをそれぞれ上記（２）式に代入することにより、
各洗浄液の濃度Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を算出する。
【００１３】次に、本発明の一実施例について詳細に説
明する。図２は、本発明の一実施例である半導体洗浄装
置の概略構成を示す図である。
明する。図２は、本発明の一実施例である半導体洗浄装
置の概略構成を示す図である。
【００１４】図中、符号１０は、洗浄液が流れる洗浄液
供給管である。この洗浄液供給管１０の始端には、イオ
ンを脱した水である純水が所定圧力で供給され、終端に
は、供給された洗浄液により半導体ウェハを洗浄処理す
る処理槽等からなる洗浄処理部２０が配設される。
供給管である。この洗浄液供給管１０の始端には、イオ
ンを脱した水である純水が所定圧力で供給され、終端に
は、供給された洗浄液により半導体ウェハを洗浄処理す
る処理槽等からなる洗浄処理部２０が配設される。
【００１５】洗浄液供給管１０の途中には、洗浄液を調
合するために、所定量の薬液を供給するための薬液供給
部４０が分岐管３０を介して接続されている。薬液供給
部４０は、４個の薬液タンク４１ａ〜４１ｄと、各薬液
タンク内の薬液を圧送するためのポンプＰと、分岐流路
を開閉制御する供給弁と、薬液の流量を調節する流量調
節弁を含む操作弁４２ａ〜４２ｄとを備えている。本実
施例では、一例として、各薬液タンク４１ａ〜４１ｄに
フッ酸（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）、塩酸（ＨＣｌ）がその順に貯蔵されてい
る。
合するために、所定量の薬液を供給するための薬液供給
部４０が分岐管３０を介して接続されている。薬液供給
部４０は、４個の薬液タンク４１ａ〜４１ｄと、各薬液
タンク内の薬液を圧送するためのポンプＰと、分岐流路
を開閉制御する供給弁と、薬液の流量を調節する流量調
節弁を含む操作弁４２ａ〜４２ｄとを備えている。本実
施例では、一例として、各薬液タンク４１ａ〜４１ｄに
フッ酸（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）、塩酸（ＨＣｌ）がその順に貯蔵されてい
る。
【００１６】この薬液供給部４０は制御部５０によって
制御される。具体的には、制御部５０は、例えば図１に
示したような順序で処理を実行するために、薬液供給部
４０の各操作弁４２ａ〜４２ｄを制御する。この制御部
５０は、処理プログラムを記憶したＲＯＭ５１、プログ
ラムを解釈実行するＣＰＵ５２、各処理の実行過程で作
業領域として使用されるＲＡＭ５３、制御状態等を表示
するＣＲＴ５４、および双方向にデータを転送可能なイ
ンターフェイス５５等から構成されている。
制御される。具体的には、制御部５０は、例えば図１に
示したような順序で処理を実行するために、薬液供給部
４０の各操作弁４２ａ〜４２ｄを制御する。この制御部
５０は、処理プログラムを記憶したＲＯＭ５１、プログ
ラムを解釈実行するＣＰＵ５２、各処理の実行過程で作
業領域として使用されるＲＡＭ５３、制御状態等を表示
するＣＲＴ５４、および双方向にデータを転送可能なイ
ンターフェイス５５等から構成されている。
【００１７】洗浄処理部２０と分岐管との間の洗浄液供
給管１０には、流体（純水または洗浄液）の透過光強度
を測定するための透過光測定用光学部６０が設けられ
る。これは、紫外から赤外領域まで含む光を放射するハ
ロゲンランプ等の光源６１、前記光源６１の光を洗浄液
供給管１０中の流体に照射・透過させるためのセル長ｄ
をもつ光透過部からなるフローセル６２、およびフロー
セル６２を透過した所定波長の光強度を検出する光強度
検出器６３等から構成される。洗浄液の濃度測定には、
必要に応じて、光源６１から照射された光中に含まれる
紫外光および／または赤外光が使用される。光強度検出
器６３としては、紫外光を使用する場合には、紫外光に
対する感度が高いＧａＰ等の半導体素子や紫外光電管が
用いられ、また赤外光を使用する場合には、赤外光に対
する感度が高いＰｂＳ等の半導体素子が用いられる。
給管１０には、流体（純水または洗浄液）の透過光強度
を測定するための透過光測定用光学部６０が設けられ
る。これは、紫外から赤外領域まで含む光を放射するハ
ロゲンランプ等の光源６１、前記光源６１の光を洗浄液
供給管１０中の流体に照射・透過させるためのセル長ｄ
をもつ光透過部からなるフローセル６２、およびフロー
セル６２を透過した所定波長の光強度を検出する光強度
検出器６３等から構成される。洗浄液の濃度測定には、
必要に応じて、光源６１から照射された光中に含まれる
紫外光および／または赤外光が使用される。光強度検出
器６３としては、紫外光を使用する場合には、紫外光に
対する感度が高いＧａＰ等の半導体素子や紫外光電管が
用いられ、また赤外光を使用する場合には、赤外光に対
する感度が高いＰｂＳ等の半導体素子が用いられる。
【００１８】光強度検出器６３で検出された透過光強度
は濃度算出部７０に与えられる。濃度算出部７０は、制
御部５０から与えられた操作弁４２ａ〜４２ｄの制御情
報を基に洗浄液供給管１０を流れる流体の種類を判別し
て、該当する洗浄液に応じた濃度算出処理を決定すると
ともに、光強度検出器６３から与えられた透過光強度に
基づき被測定洗浄液の濃度を算出する。この濃度算出部
７０は、濃度算出処理プログラムを記憶したＲＯＭ７
１、前記プログラムを実行するＣＰＵ７２、主に演算等
の作業領域として使用されるＲＡＭ７３、算出された濃
度等を表示するＣＲＴ７４、およびインターフェース７
５等で構成されている。
は濃度算出部７０に与えられる。濃度算出部７０は、制
御部５０から与えられた操作弁４２ａ〜４２ｄの制御情
報を基に洗浄液供給管１０を流れる流体の種類を判別し
て、該当する洗浄液に応じた濃度算出処理を決定すると
ともに、光強度検出器６３から与えられた透過光強度に
基づき被測定洗浄液の濃度を算出する。この濃度算出部
７０は、濃度算出処理プログラムを記憶したＲＯＭ７
１、前記プログラムを実行するＣＰＵ７２、主に演算等
の作業領域として使用されるＲＡＭ７３、算出された濃
度等を表示するＣＲＴ７４、およびインターフェース７
５等で構成されている。
【００１９】次に、上述した半導体洗浄装置における濃
度測定を図３に示したフローチャートを参照して説明す
る。
度測定を図３に示したフローチャートを参照して説明す
る。
【００２０】ステップＳ１では、薬液供給部４０の操作
弁４２ａ〜４２ｄの操作弁制御情報を制御部５０が取得
する。
弁４２ａ〜４２ｄの操作弁制御情報を制御部５０が取得
する。
【００２１】ステップＳ２では、ステップＳ１で取得し
た操作弁制御情報から全ての操作弁が閉止されているか
を判断し、ＮＯであればいずれかの洗浄液が使用されて
いる状態と判断して、後述するステップＳ４以降の処理
を行い、ＹＥＳであればどの洗浄液も使用されていない
純水だけが流れている状態と判断する。本実施例では、
ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄工程（２）の前処理の純水リンス
工程（１）は、１０分間行なわれるので、この純水だけ
が流れる状態が１０分間続く。
た操作弁制御情報から全ての操作弁が閉止されているか
を判断し、ＮＯであればいずれかの洗浄液が使用されて
いる状態と判断して、後述するステップＳ４以降の処理
を行い、ＹＥＳであればどの洗浄液も使用されていない
純水だけが流れている状態と判断する。本実施例では、
ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄工程（２）の前処理の純水リンス
工程（１）は、１０分間行なわれるので、この純水だけ
が流れる状態が１０分間続く。
【００２２】ステップＳ３では、純水の透過光強度ＩC
を測定する。測定は、純水リンスが行なわれる２０分の
間、適宜の周期で繰り返し行なわれ、各測定値の平均値
が透過光強度ＩC として濃度算出部７０のＲＡＭ７３に
保存される。
を測定する。測定は、純水リンスが行なわれる２０分の
間、適宜の周期で繰り返し行なわれ、各測定値の平均値
が透過光強度ＩC として濃度算出部７０のＲＡＭ７３に
保存される。
【００２３】そして、洗浄工程が次のＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2
洗浄工程（２）に移ると、濃度算出部７０はステップＳ
１で得られた操作弁制御情報（ここでは、操作弁４２
ｂ，４２ｃが開、操作弁４２ａ，４２ｄが閉）を基に、
現在使用されている洗浄液の種類を判別する。すなわ
ち、ステップＳ２ではＮＯ（全操作弁が閉止状態でな
い）と判断されてステップＳ４に進み、ここでＹＥＳ
（操作弁４２ｂ，４２ｃが開、操作弁４２ａ，４２ｄが
閉）と判断されることにより、ステップＳ５以降のＮＨ
3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度算出処理に移る。
洗浄工程（２）に移ると、濃度算出部７０はステップＳ
１で得られた操作弁制御情報（ここでは、操作弁４２
ｂ，４２ｃが開、操作弁４２ａ，４２ｄが閉）を基に、
現在使用されている洗浄液の種類を判別する。すなわ
ち、ステップＳ２ではＮＯ（全操作弁が閉止状態でな
い）と判断されてステップＳ４に進み、ここでＹＥＳ
（操作弁４２ｂ，４２ｃが開、操作弁４２ａ，４２ｄが
閉）と判断されることにより、ステップＳ５以降のＮＨ
3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度算出処理に移る。
【００２４】ステップＳ５では、ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄
液の透過光強度Ｉm を測定する。ここでも、上述した純
水の透過光強度の測定と同様に、所定の洗浄時間（１０
分）の間、透過光強度Ｉm が繰り返し測定され、その平
均値がＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の透過光強度Ｉm として
濃度算出部７０のＲＡＭ７３に保存される。
液の透過光強度Ｉm を測定する。ここでも、上述した純
水の透過光強度の測定と同様に、所定の洗浄時間（１０
分）の間、透過光強度Ｉm が繰り返し測定され、その平
均値がＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の透過光強度Ｉm として
濃度算出部７０のＲＡＭ７３に保存される。
【００２５】ステップＳ６では、ステップＳ３で得られ
た純水の透過光強度ＩC と、ステップＳ５で得られたＮ
Ｈ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の透過光強度Ｉm とを使い、予め
定められたＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度算出処理に従
って濃度を算出する。この濃度算出処理については後述
する。
た純水の透過光強度ＩC と、ステップＳ５で得られたＮ
Ｈ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の透過光強度Ｉm とを使い、予め
定められたＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度算出処理に従
って濃度を算出する。この濃度算出処理については後述
する。
【００２６】ステップＳ７では、ステップＳ６で求めら
れたＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度をＣＲＴ７４に表示
する。
れたＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ2 洗浄液の濃度をＣＲＴ７４に表示
する。
【００２７】次の純水リンス工程（３）では、上述のス
テップＳ１〜Ｓ３の処理により、新たに純水の透過光強
度ＩC が測定される。そして、次のＨＦ洗浄工程（４）
では、ステップＳ１から、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ８と進む。ス
テップＳ８でＨＦ洗浄液が使われていると判断される
と、ステップＳ９でＨＦ洗浄液の透過光強度Ｉm が測定
され、次のステップＳ１０で、直前に求められた純水の
透過光強度ＩC と、ＨＦ洗浄液の透過光強度Ｉm とを使
い、ＨＦ洗浄液の濃度算出処理に従って濃度を算出す
る。
テップＳ１〜Ｓ３の処理により、新たに純水の透過光強
度ＩC が測定される。そして、次のＨＦ洗浄工程（４）
では、ステップＳ１から、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ８と進む。ス
テップＳ８でＨＦ洗浄液が使われていると判断される
と、ステップＳ９でＨＦ洗浄液の透過光強度Ｉm が測定
され、次のステップＳ１０で、直前に求められた純水の
透過光強度ＩC と、ＨＦ洗浄液の透過光強度Ｉm とを使
い、ＨＦ洗浄液の濃度算出処理に従って濃度を算出す
る。
【００２８】以下、同様に、所定の洗浄処理の直前の純
水リンス工程で、純水の透過光強度を測定し、この透過
光強度と当該洗浄液の透過光強度とを使って、所定の濃
度算出処理に従って洗浄液の濃度が算出される。
水リンス工程で、純水の透過光強度を測定し、この透過
光強度と当該洗浄液の透過光強度とを使って、所定の濃
度算出処理に従って洗浄液の濃度が算出される。
【００２９】以上のように、濃度算出処理において基準
となる純水の透過光強度を、当該洗浄工程の直前の純水
リンス工程で測定しているので、純水の透過光強度を測
定してから、被測定洗浄液の透過光強度を測定するまで
の時間は極めて短い。したがって、この間の光源の光量
の変動等は僅かであり、洗浄液の濃度を精度よく測定す
ることができる。また、純水の透過光強度は、純水リン
ス工程の最中に測定されるので、純水の透過光強度を測
定するために洗浄装置を停止させる必要もない。
となる純水の透過光強度を、当該洗浄工程の直前の純水
リンス工程で測定しているので、純水の透過光強度を測
定してから、被測定洗浄液の透過光強度を測定するまで
の時間は極めて短い。したがって、この間の光源の光量
の変動等は僅かであり、洗浄液の濃度を精度よく測定す
ることができる。また、純水の透過光強度は、純水リン
ス工程の最中に測定されるので、純水の透過光強度を測
定するために洗浄装置を停止させる必要もない。
【００３０】次に、洗浄液の濃度算出処理を、ＨＦ洗浄
液を例に、簡単に説明する。濃度算出処理は、上述した
濃度算出式（２）を用いて算出する手法と、検量線を用
いて求める手法とが例示される。
液を例に、簡単に説明する。濃度算出処理は、上述した
濃度算出式（２）を用いて算出する手法と、検量線を用
いて求める手法とが例示される。
【００３１】上述のＨＦ洗浄液の濃度測定では、濃度算
出式（２）を用いている。すなわち、純水リンス工程
（３）時のステップＳ３で求められた純水の透過光強度
ＩC と、ステップＳ９で求められたＨＦ洗浄液の透過光
強度Ｉm を濃度算出式（２）に代入して、濃度ｃを求め
る。このとき、吸光係数ｋ’としては、ＨＦ溶液固有の
値が設定されている。
出式（２）を用いている。すなわち、純水リンス工程
（３）時のステップＳ３で求められた純水の透過光強度
ＩC と、ステップＳ９で求められたＨＦ洗浄液の透過光
強度Ｉm を濃度算出式（２）に代入して、濃度ｃを求め
る。このとき、吸光係数ｋ’としては、ＨＦ溶液固有の
値が設定されている。
【００３２】検量線を用いて濃度を求める方法について
は、まず、検量線データを次のように作成する。始め
に、純水と濃度の異なる複数のＨＦ洗浄液を用意し、赤
外光に対する純水の透過光強度、各ＨＦ洗浄液の透過光
強度を測定する。そして、純水の透過光強度に対する各
ＨＦ洗浄液の透過光強度比Ｔを算出し、各透過光強度比
ＴにＨＦ洗浄液の濃度ｃを対応づけて、濃度演算部７０
のＲＡＭ７３に保存する。図４は、検量線データとし
て、透過光強度比Ｔと濃度ｃの関係を示した図である。
は、まず、検量線データを次のように作成する。始め
に、純水と濃度の異なる複数のＨＦ洗浄液を用意し、赤
外光に対する純水の透過光強度、各ＨＦ洗浄液の透過光
強度を測定する。そして、純水の透過光強度に対する各
ＨＦ洗浄液の透過光強度比Ｔを算出し、各透過光強度比
ＴにＨＦ洗浄液の濃度ｃを対応づけて、濃度演算部７０
のＲＡＭ７３に保存する。図４は、検量線データとし
て、透過光強度比Ｔと濃度ｃの関係を示した図である。
【００３３】ＨＦ洗浄液の濃度を求めるとき（図３ステ
ップＳ１０）は、まず、ステップＳ３で測定した純水の
透過光強度Ｉcと、ステップＳ９で測定したＨＦ洗浄液
の透過光強度Ｉm との比Ｔ１を算出する。そして、濃度
演算部７０のＲＡＭ７３において、比Ｔ１と等しい透過
光強度比Ｔを検索し、それに対応する濃度ｃを得る。
ップＳ１０）は、まず、ステップＳ３で測定した純水の
透過光強度Ｉcと、ステップＳ９で測定したＨＦ洗浄液
の透過光強度Ｉm との比Ｔ１を算出する。そして、濃度
演算部７０のＲＡＭ７３において、比Ｔ１と等しい透過
光強度比Ｔを検索し、それに対応する濃度ｃを得る。
【００３４】なお、上述した実施例では、基準となる純
水の透過光強度を被測定洗浄液を使用する洗浄工程の直
前の純水リンス工程で測定したが、本発明はこれに限定
されず、純水の透過光強度を該当洗浄工程の直後の純水
リンス工程で測定してもよい。
水の透過光強度を被測定洗浄液を使用する洗浄工程の直
前の純水リンス工程で測定したが、本発明はこれに限定
されず、純水の透過光強度を該当洗浄工程の直後の純水
リンス工程で測定してもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、複数種の処理液の供給を受けて処理を行なう
半導体処理装置にて、複数種の処理液の濃度を測定する
につけ、操作弁の制御情報に基づいて、濃度算出部で
は、処理液供給管を流れる処理液に対応する前記吸光係
数または前記検量線データから、透過光測定用光学部が
検出する透過光強度より、処理配管を流れる処理液の濃
度を算出するようにしたので、処理液の数に相当する台
数の濃度測定する手段を必要とせず、部品点数を少な
く、装置価格も軽減化できる。
によれば、複数種の処理液の供給を受けて処理を行なう
半導体処理装置にて、複数種の処理液の濃度を測定する
につけ、操作弁の制御情報に基づいて、濃度算出部で
は、処理液供給管を流れる処理液に対応する前記吸光係
数または前記検量線データから、透過光測定用光学部が
検出する透過光強度より、処理配管を流れる処理液の濃
度を算出するようにしたので、処理液の数に相当する台
数の濃度測定する手段を必要とせず、部品点数を少な
く、装置価格も軽減化できる。
【図１】本発明が適用される一例である半導体洗浄工程
の工程図である。
の工程図である。
【図２】本発明を適用した一実施例に係る半導体洗浄装
置の概略構成を示す図である。
置の概略構成を示す図である。
【図３】実施例装置の濃度測定手順を示すフローチャー
トである。
トである。
【図４】濃度測定に用いられる検量線の模式図である。
【符号の説明】 １０… 洗浄液供給管 ４０… 薬液供給部 ５０… 制御部 ６０… 透過光測定用光学部 ７０… 濃度算出部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数種の薬液タンクを有し、複数種の処
理液を供給する薬液供給部と、 複数種の処理液により処理を行なう処理部と、 薬液供給部から供給される処理液を前記処理部へ供給す
る処理液供給管とを備える半導体処理装置において、 前記複数種の薬液タンクと前記処理液供給管の間に介
し、前記複数種の薬液タンクを前記処理液供給管へ接続
する分岐管と、 各薬液タンクごとに、各薬液タンクから前記処理液供給
管への流路を開閉制御する操作弁と、 前記操作弁を制御する制御部と、分岐管と前記処理部と
の間に設けられ、処理液を透過する光強度を検出する透
過光測定用光学部と、 各処理液に固有の吸光係数または、各処理液に固有の処
理液の濃度に対応づけての透過光強度に関する検量線デ
ータを保存しており、前記制御部から与えられた操作弁
の制御情報を基に、処理液供給管を流れる処理液に対応
する前記吸光係数または前記検量線データから、前記透
過光測定用光学部が検出する透過光強度より、処理配管
を流れる処理液の濃度を得る濃度算出部とを備えること
を特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11593299A JP3297650B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11593299A JP3297650B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187038A Division JP3032410B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340186A JPH11340186A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3297650B2 true JP3297650B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=14674764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11593299A Expired - Fee Related JP3297650B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297650B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100399012C (zh) * | 2000-05-22 | 2008-07-02 | 上村工业株式会社 | 用于无电复合镀敷溶液的自动分析和控制*** |
| JP4654534B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2011-03-23 | 上村工業株式会社 | 無電解複合ニッケルめっき液の自動分析・管理装置 |
| JP4658917B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-03-23 | 株式会社堀場製作所 | 半導体製造システム用分析装置 |
| DE102012204680B4 (de) | 2012-03-23 | 2019-04-25 | Olympus Winter & Ibe Gmbh | Verfahren und System zur Spüllösungsversorgung bei endoskopischen Eingriffen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03251744A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Tonen Corp | 洗浄機能を備えた有機物濃度測定装置 |
| JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11593299A patent/JP3297650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11340186A (ja) | 1999-12-10 |
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