JP3296048B2 - 短波長光源 - Google Patents
短波長光源Info
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- JP3296048B2 JP3296048B2 JP24653893A JP24653893A JP3296048B2 JP 3296048 B2 JP3296048 B2 JP 3296048B2 JP 24653893 A JP24653893 A JP 24653893A JP 24653893 A JP24653893 A JP 24653893A JP 3296048 B2 JP3296048 B2 JP 3296048B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理分野、ある
いは光応用計測制御分野に使用する短波長光源に関する
ものである。
いは光応用計測制御分野に使用する短波長光源に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザーを固体レーザーの励起光
源として用い近赤外光を得たり、非線形結晶を用いた高
効率波長変換によりグリーン、ブルー光源を得ること
が、光情報処理分野や光応用計測制御分野等で要求され
ている。特に光ディスクの高密度記録や画像処理等には
短波長の光源が要求されている。ここで得られる出力光
は横モードがガウシアンで回折限界近くまで集光でき、
縦モードが単一であり、さらに出力が数ｍＷ程度で周波
数的にも時間的にも安定であることが必要である。
源として用い近赤外光を得たり、非線形結晶を用いた高
効率波長変換によりグリーン、ブルー光源を得ること
が、光情報処理分野や光応用計測制御分野等で要求され
ている。特に光ディスクの高密度記録や画像処理等には
短波長の光源が要求されている。ここで得られる出力光
は横モードがガウシアンで回折限界近くまで集光でき、
縦モードが単一であり、さらに出力が数ｍＷ程度で周波
数的にも時間的にも安定であることが必要である。
【０００３】半導体レーザーを励起光源として、安定な
近赤外光や短波長光源を得るには、半導体レーザー励起
固体レーザーや共振器内部に波長変換素子を挿入して高
調波を得る内部共振器型の固体レーザーが有力である。
近赤外光や短波長光源を得るには、半導体レーザー励起
固体レーザーや共振器内部に波長変換素子を挿入して高
調波を得る内部共振器型の固体レーザーが有力である。
【０００４】図９に、半導体レーザー励起固体レーザー
の内部共振器型短波長光源の概略構成図を示す。半導体
レーザー９０１から放射された光は、コリメートレンズ
９０２により平行ビームに変換され、フォーカシングレ
ンズ９０３によりレーザー材料（例えばNd:YVO4)９０４
に集光される。レーザー材料９０４の入射側端面には半
導体レーザーの波長(809nm)に対し無反射(AR)コート、
発振波長(1.064μm)及び高調波の波長(532nm)に対し高
反射(HR)コートが施してある。反対側の端面には1.064
μm及び532nmに対しＡＲコートが施してある。出力ミラ
ー９０５には波長1.064μmに対し反射率99.7%のコーテ
ィングが施してあり、出力ミラー９０５とレーザー材料
９０４の入射側端面で基本波1.064μmの共振器を構成す
る。基本波1.064μmの光は非線形光学結晶ＫＴＰ（KTiO
PO4）９０６により532nmのグリーン光に波長変換され
る。ここで用いられる共振器は定在波型の共振器のため
得られるグリーン光は、レーザー結晶９０４と出力ミラ
ー９０５の両方向に出射される。
の内部共振器型短波長光源の概略構成図を示す。半導体
レーザー９０１から放射された光は、コリメートレンズ
９０２により平行ビームに変換され、フォーカシングレ
ンズ９０３によりレーザー材料（例えばNd:YVO4)９０４
に集光される。レーザー材料９０４の入射側端面には半
導体レーザーの波長(809nm)に対し無反射(AR)コート、
発振波長(1.064μm)及び高調波の波長(532nm)に対し高
反射(HR)コートが施してある。反対側の端面には1.064
μm及び532nmに対しＡＲコートが施してある。出力ミラ
ー９０５には波長1.064μmに対し反射率99.7%のコーテ
ィングが施してあり、出力ミラー９０５とレーザー材料
９０４の入射側端面で基本波1.064μmの共振器を構成す
る。基本波1.064μmの光は非線形光学結晶ＫＴＰ（KTiO
PO4）９０６により532nmのグリーン光に波長変換され
る。ここで用いられる共振器は定在波型の共振器のため
得られるグリーン光は、レーザー結晶９０４と出力ミラ
ー９０５の両方向に出射される。
【０００５】従来の共振器構造では、レーザー材料９０
４の入射端面には532nmに対しＨＲコート、出力ミラー
９０５にはＡＲコートが施されていた。そのため得られ
るグリーン光は、約２倍の出力が得られていた。
４の入射端面には532nmに対しＨＲコート、出力ミラー
９０５にはＡＲコートが施されていた。そのため得られ
るグリーン光は、約２倍の出力が得られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザー励起内
部共振器型固体レーザーによるグリーン光発生におい
て、共振器が定在波型のため得られる高調波光が共振器
の両方向に得られる。励起側すなわち半導体レーザーの
入射側のミラーまたは固体レーザーの端面に、高調波光
に対して高反射率のコーティングが施されていたり、施
されていなくとも幾分かの反射が存在したりすると、出
力ミラー側から得られる高調波光が単一偏光で得られな
くなる。
部共振器型固体レーザーによるグリーン光発生におい
て、共振器が定在波型のため得られる高調波光が共振器
の両方向に得られる。励起側すなわち半導体レーザーの
入射側のミラーまたは固体レーザーの端面に、高調波光
に対して高反射率のコーティングが施されていたり、施
されていなくとも幾分かの反射が存在したりすると、出
力ミラー側から得られる高調波光が単一偏光で得られな
くなる。
【０００７】波長変換材料が複屈折結晶で有る場合、波
長変換材料が位相板としても働くため、波長変換材料を
通過した光は偏光方向が楕円偏光や円偏光に変換されて
しまう。従来の方法では共振器の励起側からの反射光が
波長変換材料により直線偏光から楕円偏光や円偏光に変
換される。そのため出力ミラーから得られる高調波はも
はや直線偏光ではなくなってしまう。
長変換材料が位相板としても働くため、波長変換材料を
通過した光は偏光方向が楕円偏光や円偏光に変換されて
しまう。従来の方法では共振器の励起側からの反射光が
波長変換材料により直線偏光から楕円偏光や円偏光に変
換される。そのため出力ミラーから得られる高調波はも
はや直線偏光ではなくなってしまう。
【０００８】一方波長変換された高調波光を光ディスク
や計測用の光源として用いる場合、単一偏光（直線偏
光）の光が要求される。
や計測用の光源として用いる場合、単一偏光（直線偏
光）の光が要求される。
【０００９】そこで本発明は半導体レーザー励起内部共
振器型固体レーザーに於て、単一偏光の高調波光を安定
に得る短波長光源を提供する。
振器型固体レーザーに於て、単一偏光の高調波光を安定
に得る短波長光源を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、 （１）励起用半導体レーザーと、レーザー材料を含む共
振器内部に非線形光学材料を備えた内部共振器構造を備
え、レーザー材料が半導体レーザーと非線形光学材料の
間に位置し、レーザー材料の厚みが非線形光学結晶によ
り波長変換された高調波光に対してλ板またはλ／２板
として作用するように制御することにより、単一偏光す
なわち直線偏光の高調波出力を得ようとするものであ
る。
振器内部に非線形光学材料を備えた内部共振器構造を備
え、レーザー材料が半導体レーザーと非線形光学材料の
間に位置し、レーザー材料の厚みが非線形光学結晶によ
り波長変換された高調波光に対してλ板またはλ／２板
として作用するように制御することにより、単一偏光す
なわち直線偏光の高調波出力を得ようとするものであ
る。
【００１１】
【作用】本発明は、半導体レーザー励起内部共振器型固
体レーザーにおいて、波長変換により得られた高調波光
がレーザー材料の励起用半導体レーザー側の面で反射す
る際に、レーザ材料の厚みが高調波光に対してλ板また
はλ／２板として作用するように制御されているため、
出力ミラーから出射する光を単一偏光すなわち直線偏光
で得ることが可能となった。
体レーザーにおいて、波長変換により得られた高調波光
がレーザー材料の励起用半導体レーザー側の面で反射す
る際に、レーザ材料の厚みが高調波光に対してλ板また
はλ／２板として作用するように制御されているため、
出力ミラーから出射する光を単一偏光すなわち直線偏光
で得ることが可能となった。
【００１２】
【実施例】図１に本発明のレーザー装置の概略構成図を
示す。
示す。
【００１３】半導体レーザー１０１から放射された光
は、コリメートレンズ１０２により平行ビームに変換さ
れ、フォーカシングレンズ１０３によりレーザー材料
（例えばNd:YVO4)１０４に集光される。レーザー材料N
d:YVO4１０４の両端面には基本波1.064μmと高調波532n
mに対して無反射(AR)コートが施してある。入力ミラー
１０５には半導体レーザーの波長(809nm)及び高調波(53
2nm)に対しARコート、発振波長(1.064μm)に対し高反射
(HR)コートが、また出力ミラー１０６には高調波(532n
m)に対しARコート、発振波長(1.064μm)に対しHRコート
が施されている。入力ミラー１０５及び出力ミラー１０
６の間で基本波は共振し、非線形光学結晶KTiOPO4（Ｋ
ＴＰ）１０７で基本波は波長変換される。非線形光学結
晶１０７の両端面にも基本波1.064μmと高調波532nmに
対して無反射ARコートが施してある。
は、コリメートレンズ１０２により平行ビームに変換さ
れ、フォーカシングレンズ１０３によりレーザー材料
（例えばNd:YVO4)１０４に集光される。レーザー材料N
d:YVO4１０４の両端面には基本波1.064μmと高調波532n
mに対して無反射(AR)コートが施してある。入力ミラー
１０５には半導体レーザーの波長(809nm)及び高調波(53
2nm)に対しARコート、発振波長(1.064μm)に対し高反射
(HR)コートが、また出力ミラー１０６には高調波(532n
m)に対しARコート、発振波長(1.064μm)に対しHRコート
が施されている。入力ミラー１０５及び出力ミラー１０
６の間で基本波は共振し、非線形光学結晶KTiOPO4（Ｋ
ＴＰ）１０７で基本波は波長変換される。非線形光学結
晶１０７の両端面にも基本波1.064μmと高調波532nmに
対して無反射ARコートが施してある。
【００１４】ここで、半導体レーザー１０１はレーザー
結晶１０４のｃ軸方向に偏光方向を持って励起し、基本
波1.064μmは共振器内で定在波として存在するため波長
変換された高調波光はＫＴＰ１０７の両方向に得られ
る。この両方向に得られる光は直線偏光（単一偏光）
で、ＫＴＰ結晶１０７のｅ方向（異常屈折率方向）の偏
光成分をもって得られる。しかしながら、レーザー結晶
Nd:YVO4１０４は１軸性結晶で異方性を持っていて、ま
たＫＴＰ結晶１０７の主軸とは４５度の角度をもって置
かれている。そのため波長変換された高調波光は、Nd:Y
VO4１０４を通過すると円偏光や楕円偏光に変換されて
しまう。Nd:YVO4１０４を通過した光がNd:YVO4１０４の
端面や入力ミラー１０５において反射すると、入力ミラ
ー１０５において反射した光はＫＴＰ結晶１０７を通過
して出力ミラー１０６に導かれる。ＫＴＰ結晶１０７も
複屈折性を持った２軸結晶であるため、結果として出力
ミラー１０６方向から得られる高調波光は直線偏光でな
くなる。
結晶１０４のｃ軸方向に偏光方向を持って励起し、基本
波1.064μmは共振器内で定在波として存在するため波長
変換された高調波光はＫＴＰ１０７の両方向に得られ
る。この両方向に得られる光は直線偏光（単一偏光）
で、ＫＴＰ結晶１０７のｅ方向（異常屈折率方向）の偏
光成分をもって得られる。しかしながら、レーザー結晶
Nd:YVO4１０４は１軸性結晶で異方性を持っていて、ま
たＫＴＰ結晶１０７の主軸とは４５度の角度をもって置
かれている。そのため波長変換された高調波光は、Nd:Y
VO4１０４を通過すると円偏光や楕円偏光に変換されて
しまう。Nd:YVO4１０４を通過した光がNd:YVO4１０４の
端面や入力ミラー１０５において反射すると、入力ミラ
ー１０５において反射した光はＫＴＰ結晶１０７を通過
して出力ミラー１０６に導かれる。ＫＴＰ結晶１０７も
複屈折性を持った２軸結晶であるため、結果として出力
ミラー１０６方向から得られる高調波光は直線偏光でな
くなる。
【００１５】本発明のように各光学部品の各端面に、高
調波の波長532nmに対しARコートが施してあると、得ら
れるグリーン光はＫＴＰで波長変換された光の内、出力
ミラー方向に変換された光だけなので、偏光方向は直線
偏光に保たれる。励起光、基本波及び高調波の様子を図
３に示す。
調波の波長532nmに対しARコートが施してあると、得ら
れるグリーン光はＫＴＰで波長変換された光の内、出力
ミラー方向に変換された光だけなので、偏光方向は直線
偏光に保たれる。励起光、基本波及び高調波の様子を図
３に示す。
【００１６】図２は、入力ミラーがNd:YVO4のＬＤ入射
側端面に形成されたＬＤ励起内部共振器型固体レーザー
の概略構成図である。
側端面に形成されたＬＤ励起内部共振器型固体レーザー
の概略構成図である。
【００１７】半導体レーザー２０１から放射された光
は、コリメートレンズ２０２により平行ビームに変換さ
れ、フォーカシングレンズ２０３によりレーザー材料
（例えばNd:YVO4)２０４に集光される。レーザー材料２
０４の入射端面には、半導体レーザーの波長(809nm)及
び高調波(532nm)に対しARコート、基本波1.064μmに対
しHRコートが、また反対の端面には基本波1.064μmと高
調波532nmに対してARコートが施してある。出力ミラー
２０５には高調波(532nm)に対しARコート、発振波長(1.
064μm)に対しHRコートが施されている。レーザー材料N
d:YVO4２０４のＬＤ入射端面と出力ミラー２０５の間で
基本波は共振し、非線形光学結晶KTiOPO4（ＫＴＰ）２
０６で基本波は波長変換される。非線形光学結晶２０６
の両端面にも基本波1.064μmと高調波532nmに対して無
反射(AR)コートが施してある。
は、コリメートレンズ２０２により平行ビームに変換さ
れ、フォーカシングレンズ２０３によりレーザー材料
（例えばNd:YVO4)２０４に集光される。レーザー材料２
０４の入射端面には、半導体レーザーの波長(809nm)及
び高調波(532nm)に対しARコート、基本波1.064μmに対
しHRコートが、また反対の端面には基本波1.064μmと高
調波532nmに対してARコートが施してある。出力ミラー
２０５には高調波(532nm)に対しARコート、発振波長(1.
064μm)に対しHRコートが施されている。レーザー材料N
d:YVO4２０４のＬＤ入射端面と出力ミラー２０５の間で
基本波は共振し、非線形光学結晶KTiOPO4（ＫＴＰ）２
０６で基本波は波長変換される。非線形光学結晶２０６
の両端面にも基本波1.064μmと高調波532nmに対して無
反射(AR)コートが施してある。
【００１８】概略構成図１と同様に、基本波は共振器内
で定在波として存在するため波長変換された高調波光は
ＫＴＰ２０６の両方向に得られる。この両方向に得られ
る光は直線偏光（単一偏光）であるが、Nd:YVO4２０４
を通過すると円偏光や楕円偏光に変換されてしまう。N
d:YVO4２０４を通過した光がNd:YVO4２０４のＬＤ入射
側端面で反射すると、光はＫＴＰ結晶２０６を通過して
出力ミラー２０５に導かれる。ＫＴＰ結晶２０６も複屈
折性を持った２軸結晶であるため、結果として出力ミラ
ー２０５方向から得られる高調波光は直線偏光でなくな
る。
で定在波として存在するため波長変換された高調波光は
ＫＴＰ２０６の両方向に得られる。この両方向に得られ
る光は直線偏光（単一偏光）であるが、Nd:YVO4２０４
を通過すると円偏光や楕円偏光に変換されてしまう。N
d:YVO4２０４を通過した光がNd:YVO4２０４のＬＤ入射
側端面で反射すると、光はＫＴＰ結晶２０６を通過して
出力ミラー２０５に導かれる。ＫＴＰ結晶２０６も複屈
折性を持った２軸結晶であるため、結果として出力ミラ
ー２０５方向から得られる高調波光は直線偏光でなくな
る。
【００１９】本発明のように各光学部品の各端面に、高
調波の波長532nmに対しＡＲコートが施してあると、出
力ミラーから得られるグリーン光はＫＴＰで波長変換さ
れた光の内、出力ミラー方向に変換された光だけなの
で、偏光方向は直線偏光に保たれる。励起光、基本波及
び高調波の様子を図４に示す。
調波の波長532nmに対しＡＲコートが施してあると、出
力ミラーから得られるグリーン光はＫＴＰで波長変換さ
れた光の内、出力ミラー方向に変換された光だけなの
で、偏光方向は直線偏光に保たれる。励起光、基本波及
び高調波の様子を図４に示す。
【００２０】さらに本発明のように、ＫＴＰの端面また
はNd:YVO4の端面にＨＲコートを施し、非線形結晶によ
り波長変換された高調波光がレーザー結晶Nd:YVO4を通
過せずに反射させ、出力ミラーより取り出しても、高調
波光を直線偏光に保持する事が出来る。概略構成図５、
６を用いて、説明する。
はNd:YVO4の端面にＨＲコートを施し、非線形結晶によ
り波長変換された高調波光がレーザー結晶Nd:YVO4を通
過せずに反射させ、出力ミラーより取り出しても、高調
波光を直線偏光に保持する事が出来る。概略構成図５、
６を用いて、説明する。
【００２１】概略構成図１において、各光学素子の端面
に高調波光に対してARコートを施して、レーザー材料を
通過し、直線偏光でない高調波光が出力ミラー方向に反
射してこないように構成した。概略構成図５では、非線
形光学結晶ＫＴＰ５０３のＬＤ側端面に高調波532nmに
対してHRコートを施してあり、概略構成図６では、レー
ザー材料Nd:YVO4６０２の出力ミラー側端面にHRコート
が施してある。そのため、ＫＴＰ結晶のｅ方向に偏光方
向を持つ高調波光は、ＫＴＰまたはNd:YVO4の各端面で
反射し、偏光方向が保たれたまま再びＫＴＰ結晶のｅ方
向の偏光成分で透過し、出力ミラー５０４または６０４
より直線偏光（単一偏光）として取り出すことが出来
る。
に高調波光に対してARコートを施して、レーザー材料を
通過し、直線偏光でない高調波光が出力ミラー方向に反
射してこないように構成した。概略構成図５では、非線
形光学結晶ＫＴＰ５０３のＬＤ側端面に高調波532nmに
対してHRコートを施してあり、概略構成図６では、レー
ザー材料Nd:YVO4６０２の出力ミラー側端面にHRコート
が施してある。そのため、ＫＴＰ結晶のｅ方向に偏光方
向を持つ高調波光は、ＫＴＰまたはNd:YVO4の各端面で
反射し、偏光方向が保たれたまま再びＫＴＰ結晶のｅ方
向の偏光成分で透過し、出力ミラー５０４または６０４
より直線偏光（単一偏光）として取り出すことが出来
る。
【００２２】概略構成図１、２において、レーザー材料
１０４の厚みが、高調波光に対してλ／２板の位相板ま
たは単にλ板として作用する厚さであっても出力ミラー
１０６または２０５から出射される高調波の偏向は直線
偏向に（単一偏向）に保たれる。レーザー結晶１０４が
λ板またはλ／２板として作用する場合、ＫＴＰ結晶の
ｅ方向偏光として得られた高調波光はNd:YVO4を往復す
ると、再びｅ方向の直線偏光となるため、出力ミラーよ
り得られる高調波光は直線偏光となる。そのため、レー
ザー材料端面の反射を考慮する必要もなく、安定に直線
偏光の高調波を得ることが出来る。
１０４の厚みが、高調波光に対してλ／２板の位相板ま
たは単にλ板として作用する厚さであっても出力ミラー
１０６または２０５から出射される高調波の偏向は直線
偏向に（単一偏向）に保たれる。レーザー結晶１０４が
λ板またはλ／２板として作用する場合、ＫＴＰ結晶の
ｅ方向偏光として得られた高調波光はNd:YVO4を往復す
ると、再びｅ方向の直線偏光となるため、出力ミラーよ
り得られる高調波光は直線偏光となる。そのため、レー
ザー材料端面の反射を考慮する必要もなく、安定に直線
偏光の高調波を得ることが出来る。
【００２３】また、概略構成図１、２において、各光学
部品はＫＴＰ結晶により波長変換された光に対してARコ
ートがなされているので、高調波は入力ミラーやNd:YVO
4から半導体レーザーに戻る。本発明はこの光を無駄な
く、出力や縦モード等の高調波をモニタするために利用
することで、安定な高調波出力を得ることが可能とな
る。
部品はＫＴＰ結晶により波長変換された光に対してARコ
ートがなされているので、高調波は入力ミラーやNd:YVO
4から半導体レーザーに戻る。本発明はこの光を無駄な
く、出力や縦モード等の高調波をモニタするために利用
することで、安定な高調波出力を得ることが可能とな
る。
【００２４】その概略構成図を図７、８に示す。概略構
成図７において入力ミラー１０５から出射される高調波
はフォーカシングレンズ１０３を通ってダイクロイック
ミラー１０８により分岐される。ダイクロイックミラー
ー１０８には、励起光に対してARコート、高調波に対し
てHRコートが施してある。分岐された光はモニタ１０９
に導かれる。ここでは、モニタ１０９には、パワーメー
タを設置し、高調波の出力が一定になるように半導体レ
ーザー１０１の電源にフィードバックされ、出力安定化
がなされた。なお、モニタ１０９は、光スペクトルアナ
ライザーのような縦モードを観測するものでもよい。同
様に、概略構成図８においても、Nd:YVO 4２０４から出
射された高調波はダイクロイックミラー２０７により分
岐されモニタ２０８に導かれる。ここで用いられたモニ
タ２０８も概略構成図７で用いられたものと同じであ
る。概略構成図７においても、モニタとしてパワメータ
を用いることで出力の安定化が図れた。
成図７において入力ミラー１０５から出射される高調波
はフォーカシングレンズ１０３を通ってダイクロイック
ミラー１０８により分岐される。ダイクロイックミラー
ー１０８には、励起光に対してARコート、高調波に対し
てHRコートが施してある。分岐された光はモニタ１０９
に導かれる。ここでは、モニタ１０９には、パワーメー
タを設置し、高調波の出力が一定になるように半導体レ
ーザー１０１の電源にフィードバックされ、出力安定化
がなされた。なお、モニタ１０９は、光スペクトルアナ
ライザーのような縦モードを観測するものでもよい。同
様に、概略構成図８においても、Nd:YVO 4２０４から出
射された高調波はダイクロイックミラー２０７により分
岐されモニタ２０８に導かれる。ここで用いられたモニ
タ２０８も概略構成図７で用いられたものと同じであ
る。概略構成図７においても、モニタとしてパワメータ
を用いることで出力の安定化が図れた。
【００２５】なお、本実施例において固体レーザーには
Nd:YVO4、非線形光学結晶にはＫＴＰを用いたが、レー
ザー材料にNd:YAGやNd:GGGやNd:YLF等の他の固体レーザ
ー結晶を用い、非線形光学結晶に他の有機無機の非線形
結晶やLiNbO3、LiTaO3等の分極反転型波長変換素子を用
いても、本発明と同様の効果が得られる。また、自己高
調波発生結晶であるNYABやNd:LNなどにおいても同様の
効果が得られる。
Nd:YVO4、非線形光学結晶にはＫＴＰを用いたが、レー
ザー材料にNd:YAGやNd:GGGやNd:YLF等の他の固体レーザ
ー結晶を用い、非線形光学結晶に他の有機無機の非線形
結晶やLiNbO3、LiTaO3等の分極反転型波長変換素子を用
いても、本発明と同様の効果が得られる。また、自己高
調波発生結晶であるNYABやNd:LNなどにおいても同様の
効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】半導体レーザー励起固体レーザーにおい
て、内部共振器により波長変換された高調波に対して、
各光学部品の表面にARコートを施すことで、出力ミラー
より得られる高調波の偏光方向が直線偏光（単一偏光）
に保つことができる。
て、内部共振器により波長変換された高調波に対して、
各光学部品の表面にARコートを施すことで、出力ミラー
より得られる高調波の偏光方向が直線偏光（単一偏光）
に保つことができる。
【００２７】また、ＫＴＰの端面やNd:YVO4の端面にHR
コートを施すことで、Nd:YVO4による偏光方向の楕円化
を防ぐことができ、出力ミラーより直線偏光の高調波を
えることができる。
コートを施すことで、Nd:YVO4による偏光方向の楕円化
を防ぐことができ、出力ミラーより直線偏光の高調波を
えることができる。
【００２８】また、半導体レーザー方向に出射される高
調波を出力モニタとして利用することで出力の安定化が
図れる。
調波を出力モニタとして利用することで出力の安定化が
図れる。
【図１】本発明の半導体レーザー励起内部共振器型固体
レーザーの概略構成図
レーザーの概略構成図
【図２】本発明の半導体レーザー励起内部共振器型固体
レーザーの概略構成図
レーザーの概略構成図
【図３】図１における、励起光、基本波及び高調波の様
子を示した図
子を示した図
【図４】図２における、励起光、基本波及び高調波の様
子を示した図
子を示した図
【図５】（ａ）は本発明の図１の構成図において、ＫＴ
Ｐ結晶の端面に高反射率コートを施した場合の、励起
光、基本波及び高調波の様子を示した図 （ｂ）は本発明の図２の構成図において、ＫＴＰ結晶の
端面に高反射率コートを施した場合の、励起光、基本波
及び高調波の様子を示した図
Ｐ結晶の端面に高反射率コートを施した場合の、励起
光、基本波及び高調波の様子を示した図 （ｂ）は本発明の図２の構成図において、ＫＴＰ結晶の
端面に高反射率コートを施した場合の、励起光、基本波
及び高調波の様子を示した図
【図６】（ａ）は本発明の図１の構成図において、Nd:Y
VO4の端面に高反射率コートを施した場合の、励起光、
基本波及び高調波の様子を示した図 （ｂ）は本発明の図２の構成図において、Nd:YVO4の端
面に高反射率コートを施した場合の、励起光、基本波及
び高調波の様子を示した図
VO4の端面に高反射率コートを施した場合の、励起光、
基本波及び高調波の様子を示した図 （ｂ）は本発明の図２の構成図において、Nd:YVO4の端
面に高反射率コートを施した場合の、励起光、基本波及
び高調波の様子を示した図
【図７】本発明の半導体レーザー励起内部共振器型固体
レーザーの概略構成図
レーザーの概略構成図
【図８】本発明の半導体レーザー励起内部共振器型固体
レーザーの概略構成図
レーザーの概略構成図
【図９】従来の半導体レーザー励起固体レーザーの内部
共振器型短波長光源の概略構成図
共振器型短波長光源の概略構成図
１０１ 半導体レーザー １０２ コリメートレンズ １０３ フォーカシングレンズ １０４ Nd:YVO4 １０５ 入力ミラー １０６ 出力ミラー １０７ ＫＴＰ ２０１ 半導体レーザー ２０２ コリメートレンズ ２０３ フォーカシングレンズ ２０４ Nd:YVO4 ２０５ 出力ミラー ２０６ ＫＴＰ ３０１ 入力ミラー ３０２ Nd:YVO4 ３０３ ＫＴＰ ３０４ 出力ミラー ４０１ Nd:YVO4 ４０２ ＫＴＰ ４０３ 出力ミラー ５０１ 入力ミラー ５０２ Nd:YVO4 ５０３ ＫＴＰ ５０４ 出力ミラー ６０１ 入力ミラー ６０２ Nd:YVO4 ６０３ ＫＴＰ ６０４ 出力ミラー １０８ ダイクロイックミラー １０９ モニタ ２０７ ダイクロイックミラー ２０８ モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/00 - 3/30
Claims (1)
- 【請求項１】励起用半導体レーザーと、レーザー材料を
含む共振器内部に非線形光学材料が置かれた内部共振器
型短波長光源において、前記レーザー材料が前記半導体
レーザーと前記非線形光学材料の間に位置し、前記レー
ザー材料の厚みが前記非線形光学結晶により波長変換さ
れた高調波光に対してλ板またはλ／２板として作用す
るように制御されていることを特徴とする短波長光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24653893A JP3296048B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 短波長光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24653893A JP3296048B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 短波長光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106682A JPH07106682A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3296048B2 true JP3296048B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=17149903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24653893A Expired - Fee Related JP3296048B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 短波長光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3296048B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145924B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-12-05 | Shimadzu Corporation | Solid laser apparatus |
| JP5075382B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-11-21 | パナソニック株式会社 | レーザ発振装置 |
| JP5159783B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-03-13 | 三菱電機株式会社 | 波長変換素子および波長変換レーザ装置 |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP24653893A patent/JP3296048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106682A (ja) | 1995-04-21 |
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