JP3293724B2 - Beam blanking equipment for charged particle beam equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡や電子
ビーム描画装置などの電子ビーム装置、集束イオンビー
ム装置などのイオンビーム装置に用いられるビームブラ
ンキング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a beam blanking apparatus used for an electron beam apparatus such as a scanning electron microscope and an electron beam drawing apparatus, and an ion beam apparatus such as a focused ion beam apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】荷電粒子線装置として現在用いられてい
る装置としては、走査電子顕微鏡，透過型電子顕微鏡，
電子プローブマイクロアナライザー，電子ビームテスタ
ー，電子ビーム描画装置，集束イオンビーム装置などが
あげられる。これらの装置では、ビームを特定期間試料
に照射しないために、ビームブランキング装置が必要と
されるが、各装置では、ビームブランキング装置の性
能，機能はそれぞれ異なる。例えば、電子ビームテスタ
ーにおいては、サブピコセコンド〜数ナノセコンドのパ
ルスビームを得ることができる機能が必要となる。2. Description of the Related Art Devices currently used as charged particle beam devices include scanning electron microscopes, transmission electron microscopes,
Examples include an electron probe microanalyzer, an electron beam tester, an electron beam drawing apparatus, and a focused ion beam apparatus. In these devices, a beam blanking device is required in order not to irradiate the sample with the beam for a specific period, but the performance and function of the beam blanking device differ in each device. For example, an electron beam tester needs a function capable of obtaining a pulse beam of subpicoseconds to several nanoseconds.

【０００３】また、測長を目的とする走査電子顕微鏡で
は、電子ビームの走査の帰線期間にビームをカットし、
極力試料へのチャージアップや試料汚染などの試料ダメ
ージを軽減する目的でビームブランキングが用いられて
いる。さらに、透過型電子顕微鏡では、単にビームシャ
ッターとして用いる用途もある。In a scanning electron microscope for the purpose of length measurement, a beam is cut during a retrace period of scanning of an electron beam.
Beam blanking is used to reduce sample damage such as charge-up of the sample and sample contamination as much as possible. Further, in a transmission electron microscope, there is also a use simply as a beam shutter.

【０００４】一般に使用されているビームブランキング
装置の基本構成を図１に示す。図中１はビーム径制限絞
り、２は静電型の偏向器、３はブランキング絞りであ
る。この構成で、ビーム径制限絞り１の開口径を２
Ｄ_０、ブランキング絞り３の開口径を２Ｒ、ビーム源あ
るいはビームのクロスオーバー点をＣとし、Ｃと偏向器
２の中心までの距離をＳ、偏向器２の中心からブランキ
ング絞り３までの距離をＬとすると、ビームがブランキ
ングされる条件は、偏向器２によるビームの偏向角をθ
とすると、次の通りとなる。FIG. 1 shows a basic configuration of a generally used beam blanking apparatus. In the drawing, 1 is a beam diameter limiting aperture, 2 is an electrostatic deflector, and 3 is a blanking aperture. With this configuration, the aperture diameter of the beam diameter limiting aperture 1 is set to 2
D ₀ , the aperture diameter of the blanking diaphragm 3 is 2R, the beam source or the crossover point of the beam is C, the distance between C and the center of the deflector 2 is S, and the distance from the center of the deflector 2 to the blanking diaphragm 3 is Assuming that the distance is L, the beam blanking condition is that the deflection angle of the beam by the deflector 2 is θ.
Then, it becomes as follows.

【０００５】θ＞θ_０ 上記でθ_０は最小必要偏向角であり、α_０がビーム径制
限絞り１が規定するビーム開き角、Ｂがブランキング絞
り３上のビームの半径とすると、次式が導かれる。Θ> θ ₀ where θ ₀ is the minimum required deflection angle, α ₀ is the beam opening angle defined by the beam diameter limiting aperture 1, and B is the beam radius on the blanking aperture 3. Is led.

【０００６】θ_０＝（Ｂ＋Ｒ）／Ｌ Ｂ＝（Ｓ＋Ｌ）α_０ このような式から、ビームブランキング装置を組み込む
場所が自ずと決まってくる。例えば、焦点距離の可変範
囲が大きいレンズの下方にビームブランキング装置を組
み込むと、上式のＢが大きく変わることになり、ブラン
キング条件を常に満足することが困難となる。従って、
熱電子銃を用いた走査電子顕微鏡を例にとると、電子銃
と第１コンデンサレンズとの間にビームブランキング装
置を組み込む構成が普通となる。Θ ₀ = (B + R) / LB = (S + L) α _{0 From} such a formula, the place where the beam blanking device is to be incorporated is determined naturally. For example, if a beam blanking device is installed below a lens having a large variable range of the focal length, B in the above equation changes greatly, and it is difficult to always satisfy the blanking condition. Therefore,
Taking a scanning electron microscope using a thermal electron gun as an example, a configuration in which a beam blanking device is incorporated between the electron gun and the first condenser lens is common.

【０００７】図２は熱電子銃を用いた走査電子顕微鏡の
要部を示しており、４は熱電子放射フィラメント５、ウ
ェーネルト電極６、接地電位の陽極７より構成される熱
電子銃であり、８は第１コンデンサレンズである。図１
に示したビーム径制限絞り１、偏向器２、ブランキング
電極３より成るビームブランキング装置は電子銃４と第
１コンデンサレンズ８との間に配置される。FIG. 2 shows a main part of a scanning electron microscope using a thermoelectron gun. Reference numeral 4 denotes a thermoelectron gun comprising a thermoelectron emission filament 5, a Wehnelt electrode 6, and an anode 7 at a ground potential. 8 is a first condenser lens. FIG.
The beam blanking device including the beam diameter limiting diaphragm 1, the deflector 2, and the blanking electrode 3 is disposed between the electron gun 4 and the first condenser lens 8.

【０００８】図３は電界放射型電子銃を用いた走査電子
顕微鏡を示しており、９は電界放射エミッタ１０、引出
電極１１、フォーカス電極１２、加速電極１３より成る
電界放射型電子銃であり、１４は対物レンズ、１５は試
料である。対物レンズ１４の前面にはブランキング絞り
を兼用した対物レンズ絞り１６が設けられている。この
ような構成では、エミッタ１０の直下に配置される引出
電極１１、フォーカス電極１２、加速電極１３より成る
ガンレンズを、上記した式におけるＢが大幅に変わらな
いような焦点距離の範囲内で用いる必要がある。FIG. 3 shows a scanning electron microscope using a field emission type electron gun. Reference numeral 9 denotes a field emission type electron gun comprising a field emission emitter 10, an extraction electrode 11, a focus electrode 12, and an acceleration electrode 13. 14 is an objective lens and 15 is a sample. On the front surface of the objective lens 14, an objective lens stop 16 also serving as a blanking stop is provided. In such a configuration, a gun lens composed of the extraction electrode 11, the focus electrode 12, and the acceleration electrode 13 disposed immediately below the emitter 10 is used within the range of the focal length such that B in the above equation does not significantly change. There is a need.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】図２で示した熱電子銃
を用いた走査電子顕微鏡では、長い高圧碍子を介してフ
ィラメント５とウェーネルト電極６などのユニットと、
陽極７が組み立てられており、機械的な同軸度が悪い。
しかも、射出されるビーム開き角が１０^−２ｒａｄ程度
である。この横を向いた細いビームを後段のレンズの光
軸に向けるために電子銃の軸合わせ装置がブランキング
装置と同じ場所に組み込まれている。しかしながら、ビ
ーム径制限絞り１を通過できたビームは、軸合わせ可能
であるが、通過できないビームは軸合わせ装置をいかに
調節しても絞りを通過させることはできない。従って、
実際の装置にあっては、ビーム径制限絞り１の直径を１
mm以下にすることは困難である。この結果、θ_０が大き
くならざるを得ないので、ブランキング条件を満足する
には、偏向器の偏向感度を大きくするか、偏向信号強度
を大きくしなければならない。In a scanning electron microscope using a thermoelectron gun shown in FIG. 2, a unit such as a filament 5 and a Wehnelt electrode 6 are interposed via a long high-pressure insulator.
The anode 7 is assembled, and the mechanical coaxiality is poor.
In addition, the beam opening angle to be emitted is about 10 ⁻² rad. In order to direct the thin beam directed sideways to the optical axis of the subsequent lens, an axis aligning device of the electron gun is incorporated in the same place as the blanking device. However, a beam that has passed through the beam diameter limiting aperture 1 can be aligned, but a beam that cannot pass cannot be passed through the aperture no matter how the alignment apparatus is adjusted. Therefore,
In an actual apparatus, the diameter of the beam diameter limiting aperture 1 is set to 1
It is difficult to make it less than mm. As a result, since θ ₀ must be increased, the deflection sensitivity of the deflector or the intensity of the deflection signal must be increased to satisfy the blanking condition.

【００１０】図３に示した電界放射型電子銃を用いた走
査電子顕微鏡では、ガンレンズの焦点距離可変範囲に制
限ができる結果、対物レンズ１４を通過する荷電粒子線
電流（プローブ電流）の可変範囲が著しく狭くなる欠点
が生ずる。電子ビームテスターのようにプローブ電流を
変える必要のない装置では、この点は問題とならない
が、一般の走査電子顕微鏡では、プローブ電流可変範囲
のような装置の基本性能をブランキング装置の組み込み
のために犠牲にすることはできない。このため、プロー
ブ電流可変用のレンズを追加することになり、全体のコ
ストアップを招く欠点があった。In the scanning electron microscope using the field emission type electron gun shown in FIG. 3, the variable range of the focal length of the gun lens can be limited, so that the charged particle beam current (probe current) passing through the objective lens 14 can be varied. The disadvantage is that the range is significantly reduced. This is not a problem for devices that do not need to change the probe current, such as an electron beam tester.However, in a general scanning electron microscope, the basic performance of the device, such as the probe current variable range, is determined by incorporating a blanking device. Cannot be sacrificed. For this reason, a lens for changing the probe current is added, and there is a disadvantage that the overall cost is increased.

【００１１】更に、走査電子顕微鏡においては、加速電
圧の可変範囲が大きいことに伴うブランキング動作上の
問題点がある。すなわち、汎用走査電子顕微鏡では、加
速電圧は０．５ｋＶ〜３０ｋＶの範囲で変えられ、ま
た、測長走査電子顕微鏡でも０．５ｋＶ〜３ｋＶの範囲
で変えられる。ここで、偏向器に信号を供給したときの
偏向角について考察する。静電型偏向ではＶｄの偏向信
号が供給され、磁界型偏向器ではＩｄの偏向信号が供給
されると、θは簡単な電子光学理論により、次の式の通
りとなる。Further, in the scanning electron microscope, there is a problem in blanking operation due to a large variable range of the acceleration voltage. That is, in a general-purpose scanning electron microscope, the acceleration voltage can be changed in a range of 0.5 kV to 30 kV, and in a length measurement scanning electron microscope, it can be changed in a range of 0.5 kV to 3 kV. Here, the deflection angle when a signal is supplied to the deflector will be considered. When a deflection signal of Vd is supplied in the electrostatic type deflection and a deflection signal of Id is supplied in the magnetic field type deflector, θ is expressed by the following equation according to a simple electro-optic theory.

【００１２】[0012]

【数１】 (Equation 1)

【００１３】上式で（１）式は静電偏向の場合、（２）
式は磁界偏向の場合で、Ｅ（ｚ）は電場の強さ、Ｂ
（ｚ）は磁場の強さ、ｅ（ｚ）は偏向器に±１Ｖ加えた
ときにできる軸上偏向電界、ｂ（ｚ）は偏向器に±１Ａ
加えたときにできる軸上偏向磁束密度である。また、偏
向感度Ｆは次の（３）式、（４）式で表される。なお、
（３）式は静電偏向の場合、（４）式は磁界偏向の場合
である。In the above equation, equation (1) is for the case of electrostatic deflection, and (2)
The equation is for magnetic field deflection, E (z) is the electric field strength, B
(Z) is the strength of the magnetic field, e (z) is the on-axis deflection electric field generated when ± 1 V is applied to the deflector, and b (z) is ± 1 A to the deflector.
This is the on-axis deflection magnetic flux density that is generated when the magnetic field is added. The deflection sensitivity F is represented by the following equations (3) and (4). In addition,
Equation (3) is for electrostatic deflection, and Equation (4) is for magnetic field deflection.

【００１４】[0014]

【数２】 (Equation 2)

【００１５】上記（３），（４）式から、偏向感度Ｆは
偏向板あるいは偏向コイルの形状のみの関数であること
が分かる。従来のブランキング装置は、加速電圧に拘ら
ず同一の偏向器で用を足していた。換言すれば、加速電
圧が大幅に変化するにも拘らず、同一の偏向感度Ｆを有
した偏向器でブランキングを行っていた。また、偏向信
号（ＶｄまたはＩｄ）を加速電圧（Ｖａ）に連動して、 Ｖｄ＝ｋＶａ …（５） Ｉｄ＝ｋ´√（Ｖａ） …（６） とすることにより、加速電圧に拘らず、一定のθが得ら
れるようにしたブランキング装置も一般的であった。こ
れは、このような連動をしないと、低加速電圧のとき、
θが大きくなりすぎ、偏向されたビームが通路壁に衝突
して散乱され、通路壁の汚染やチャージアップ、それに
よるビーム位置の変動を起こしたり、散乱ビームがブラ
ンキング絞りを通り抜けて完全なブランキングができな
くなることを防ぐためである。From the above equations (3) and (4), it can be seen that the deflection sensitivity F is a function of only the shape of the deflection plate or the deflection coil. The conventional blanking device uses the same deflector regardless of the acceleration voltage. In other words, blanking is performed by a deflector having the same deflection sensitivity F, despite a large change in the acceleration voltage. Further, the deflection signal (Vd or Id) is linked with the acceleration voltage (Va), and Vd = kVa (5) Id = k′√ (Va) (6) A blanking device in which a constant θ is obtained is also common. This is because if you do not make such a link, at low accelerating voltage,
θ becomes too large, the deflected beam collides with the passage wall and is scattered, causing contamination or charge-up of the passage wall, thereby causing a change in the beam position, or a scattered beam passing through the blanking aperture to completely block the beam. This is to prevent the ranking from being lost.

【００１６】前記した偏向信号と加速電圧とを連動させ
ることおよび偏向感度を一定としたブランキングシステ
ムの問題点を以下に述べる。一般にブランキング用パル
ス電源は必ずノイズ成分を有している。このノイズは図
４に示すように出力電圧または電流がハイレベルの時も
ローレベルの時も同一の大きさである。従って、ハイレ
ベルからローレベルに遷移したときのビームを利用する
電子ビームテスターであれ、ローレベルのときのビーム
を利用する測長走査電子顕微鏡であれ、このノイズによ
り試料上の電子ビームプローブの照射位置は変動する。
この変動をΔとすると、図５から明らかなように、静電
偏向器の場合には次の式が導かれる。Problems of the blanking system in which the deflection signal and the acceleration voltage are linked and the deflection sensitivity is kept constant will be described below. Generally, a pulse power supply for blanking always has a noise component. This noise has the same magnitude when the output voltage or current is at a high level and when it is at a low level, as shown in FIG. Therefore, regardless of whether the electron beam tester uses a beam at the time of transition from a high level to a low level or a length-measuring scanning electron microscope that uses a beam at a low level, the electron beam probe on the sample is irradiated by this noise. The position fluctuates.
Assuming that this variation is Δ, the following equation is derived in the case of an electrostatic deflector, as is apparent from FIG.

【００１７】Δ＝Ｍ（ｓθ）δＶｄ／Ｖｄ …（７） また、磁界型偏向器の場合には、次の式が導かれる。 Δ＝Ｍ（ｓθ）δＩｄ／Ｉｄ …（８） ここで、Ｍはブランキング装置より下方のレンズ１６の
総合倍率、ｓは光源から偏向器２までの距離である。Δ = M (sθ) δVd / Vd (7) In the case of a magnetic field deflector, the following equation is derived. Δ = M (sθ) δId / Id (8) where M is the total magnification of the lens 16 below the blanking device, and s is the distance from the light source to the deflector 2.

【００１８】（５）式を（７）式に代入し、（６）式を
（８）式に代入すると、次の式が得られ、Δの加速電圧
依存性が分かる。 Δ＝Ｍ（ｓθ）δＶｄ／ｋＶａ …（９） Δ＝Ｍ（ｓθ）δＩｄ／ｋ´√（Ｖａ） …（１０） ここで、θ，δＶｄ，δＩｄは、加速電圧Ｖａに拘らず
一定としたから、Δは結局、Ｖａまたは√（Ｖａ）の逆
数に比例することになる。Δは低周波から高周波まで含
み、後者はスポットサイズを事実上増大させる。最近で
は、半導体試料のように表面が絶縁体で覆われた試料を
観察するために低加速電圧での使用が盛んな走査電子顕
微鏡においては、Δによる分解能の低下は深刻な問題と
なっていた。又、電界放射型電子銃走査電子顕微鏡にお
いては、Ｍが１に近く、ほとんど縮小効果がないので、
Δが大きくなりやすい。換言すれば、最低加速電圧（〜
０．５ｋＶ）においても、Δを装置分解能（測長走査電
子顕微鏡では〜５ｎｍ）の数分の一以下に抑えられるビ
ームブランキング装置は存在しなかった。By substituting equation (5) into equation (7) and substituting equation (6) into equation (8), the following equation is obtained, and the acceleration voltage dependence of Δ can be found. Δ = M (sθ) δVd / kVa (9) Δ = M (sθ) δId / k′√ (Va) (10) Here, θ, δVd, and δId are constant regardless of the acceleration voltage Va. Therefore, Δ is eventually proportional to the reciprocal of Va or √ (Va). Δ includes low to high frequencies, the latter effectively increasing the spot size. In recent years, in a scanning electron microscope, which is frequently used at a low accelerating voltage for observing a sample whose surface is covered with an insulator such as a semiconductor sample, a decrease in resolution due to Δ has become a serious problem. . In a field emission electron gun scanning electron microscope, M is close to 1 and there is almost no reduction effect.
Δ tends to increase. In other words, the lowest accelerating voltage (~
Even at 0.5 kV), there was no beam blanking device capable of suppressing Δ to a fraction of the device resolution (〜5 nm for a length-measuring scanning electron microscope).

【００１９】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ブランキング信号のノイズによる
影響を少なくすることができる荷電粒子線のブランキン
グ装置を実現するにある。The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to realize a charged particle beam blanking apparatus which can reduce the influence of noise of a blanking signal.

【００２０】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の荷電
粒子線装置におけるブランキング装置は、荷電粒子線源
からの荷電粒子線を集束レンズで集束して試料に照射す
ると共に、偏向手段によって荷電粒子線の走査を行うよ
うにした荷電粒子線装置において、試料を照射するビー
ムの電流を制限するための絞りとその上方に形成された
荷電粒子線のクロスオーバー点との間にブランキングの
ための偏向器を配置し、前記絞りとその下方の荷電粒子
線の走査のための偏向手段との間にブランキングのため
の絞りを設けるように構成したことを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a blanking apparatus in a charged particle beam apparatus, wherein a charged particle beam from a charged particle beam source is focused by a focusing lens to irradiate a sample and deflecting means. In a charged particle beam device that scans a charged particle beam by using
Aperture and the charged particle beam which is formed thereabove to limit the beam current blanking between the crossover point
The deflector is arranged for, the diaphragm and the charged particle therebelow
For blanking between the deflecting means for scanning the line
Is characterized in that the stop is provided.

【００２１】本発明の請求項２の荷電粒子線装置におけ
るブランキング装置は、ブランキングのための偏向器と
して静電型の偏向器を用い、この偏向器を構成する一対
の偏向電極の間の距離は、荷電粒子線の加速電圧とプロ
ーブ電流に応じて変化させられることを特徴としてい
る。The blanking device in the charged particle beam apparatus according to claim 2 of the present invention, using an electrostatic deflector as the deflector for blanking, between the pair of deflection electrodes constituting the deflector The distance is changed according to the accelerating voltage of the charged particle beam and the probe current.

【００２２】本発明の請求項３の荷電粒子線装置におけ
るブランキング装置は、ブランキングのための偏向器と
して磁界型の偏向器を用い、この偏向器を構成する一対
の偏向コイルの間の距離は、荷電粒子線の加速電圧とプ
ローブ電流に応じて変化させられることを特徴としてい
る。The blanking device in the charged particle beam apparatus according to claim 3 of the present invention uses a magnetic field type deflector as the deflector for blanking, the distance between the pair of deflection coils constituting the deflector Is characterized in that it can be changed according to the acceleration voltage of the charged particle beam and the probe current.

【００２３】本発明の請求項４の荷電粒子線装置におけ
るブランキング装置は、ブランキングのための偏向器と
して静電型の偏向器を用い、この偏向器は、偏向感度の
異なる複数の偏向電極から成り、複数の偏向電極は加速
電圧に応じて使用される組み合わせが切り換えられるこ
とを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the blanking device of the charged particle beam apparatus, an electrostatic deflector is used as a deflector for blanking , and the deflector has a deflection sensitivity.
It comprises a plurality of different deflecting electrodes, and the plurality of deflecting electrodes are characterized in that the combination used can be switched according to the acceleration voltage.

【００２４】本発明の請求項５の荷電粒子線装置におけ
るブランキング装置は、ブランキングのための偏向器
は、静電型の偏向器であり、この偏向器は、平行平板対
向偏向電極と、その偏向電極の上下に同じ対向距離を有
する平行平板型シールド電極とより構成され、偏向電極
とシールド電極を微小ギャップを介して一体化したこと
を特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, in the blanking device of the charged particle beam apparatus, the deflector for blanking is an electrostatic deflector, and the deflector comprises a parallel plate opposed deflection electrode ; It comprises parallel plate-type shield electrodes having the same opposing distance above and below the deflection electrode, and is characterized in that the deflection electrode and the shield electrode are integrated via a minute gap.

【００２５】[0025]

【作用】請求項１の発明では、試料を照射するビームの
電流を制限するための絞りとその上方に形成された荷電
粒子線のクロスオーバー点との間にブランキングのため
の偏向器を配置する。また、試料を照射するビームの電
流を制限するための絞りとその下方の荷電粒子線の走査
のための偏向手段との間にブランキングのための絞りを
設ける。According to the first aspect of the present invention , the beam for irradiating the sample is
For blanking between the crossover point of the diaphragm and the charged particle beam which is formed thereabove to limit the current
Placing of the deflector. In addition, the power of the beam
Throttling to limit the flow and scanning of the charged particle beam below it
A diaphragm for blanking is provided between the deflecting means and the deflecting means.

【００２６】請求項２の発明は、偏向器を構成する一対
の偏向電極の間の距離を荷電粒子線の加速電圧とプロー
ブ電流に応じて変化させる。請求項３の発明は、偏向器
を構成する一対の偏向コイルの間の距離を荷電粒子線の
加速電圧とプローブ電流に応じて変化させる。According to a second aspect of the present invention, the distance between the pair of deflection electrodes constituting the deflector is changed according to the acceleration voltage of the charged particle beam and the probe current. According to a third aspect of the present invention, the distance between the pair of deflection coils constituting the deflector is changed according to the acceleration voltage of the charged particle beam and the probe current.

【００２７】請求項４の発明は、ブランキングのための
偏向器として偏向感度の異なる複数の偏向電極を用い、
複数の偏向電極の使用の組合わせを加速電圧に応じて切
り換える。請求項５の発明は、ブランキングのための偏
向器を平行平板対向偏向電極と偏向電極の上下に同じ対
向距離を有する平行平板型シールド電極とより構成し、
偏向電極とシールド電極を微小ギャップを介して一体化
した。According to a fourth aspect of the present invention, a plurality of deflection electrodes having different deflection sensitivities are used as a deflector for blanking.
The combination of the use of the plurality of deflection electrodes is switched according to the acceleration voltage. The invention according to claim 5 is characterized in that the deflector for blanking is constituted by a parallel plate opposed deflection electrode and a parallel plate shield electrode having the same opposed distance above and below the deflection electrode,
The deflection electrode and the shield electrode were integrated via a minute gap.

【００２８】[0028]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図６は本発明の一実施例である走査電子顕
微鏡を示しており、２１は電子銃エミッタである。電子
銃エミッタ２１から発生した電子ビームは、第１コンデ
ンサレンズ２２，第２コンデンサレンズ２３，開き角制
御レンズ２４，対物レンズ２５によって試料２６上に細
く集束される。また、電子ビームは、偏向コイル２７，
２８によって偏向され、試料２６上の電子ビームの照射
位置は走査される。試料２６への電子ビームの照射によ
って発生した２次電子は、図示していない２次電子検出
器によって検出される。検出器の検出信号は、適宜増幅
された後、陰極線管（図示せず）に供給される。このよ
うな構成の動作は次の通りである。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 6 shows a scanning electron microscope according to one embodiment of the present invention, and 21 is an electron gun emitter. The electron beam generated from the electron gun emitter 21 is narrowly focused on the sample 26 by the first condenser lens 22, the second condenser lens 23, the opening angle control lens 24, and the objective lens 25. Further, the electron beam is transmitted to the deflection coil 27,
The irradiation position of the electron beam on the sample 26 is scanned by being deflected by 28. Secondary electrons generated by the irradiation of the sample 26 with the electron beam are detected by a secondary electron detector (not shown). The detection signal of the detector is supplied to a cathode ray tube (not shown) after being appropriately amplified. The operation of such a configuration is as follows.

【００２９】さて、エミッタ２１から放射された電子ビ
ームは第１コンデンサレンズ２２で集束され第１クロス
オーバーを作る。この第１クロスオーバーから拡がった
電子ビームは、散乱防止絞り２９で不要な部分を切り取
られ、第２コンデンサレンズ２３に入射する。第２コン
デンサレンズ２３によって第２クロスオーバーＣがブラ
ンキングのための偏向器（以下、ブランキング偏向器、
または単に偏向器と呼ぶ）３０の前段に形成される。ブ
ランキング偏向器３０に偏向信号が供給されていないと
き、電子ビームは偏向器内を直進し、対物レンズ絞り３
１を照射する。対物レンズ絞り３１上の電子ビームの径
を２Ｂ₀ とする。直径が２Ｄ₀ の対物レンズ絞り３１を
通過した電子ビームの電流が試料を照射する電流、すな
わちプローブ電流Ｉｐとなる（よって、対物レンズ絞り
３１は、試料を照射するビームの電流を制限するための
絞りである）。上記２段のコンデンサレンズの焦点距離
を変えることにより、プローブ電流Ｉｐの大きさを制御
することができる。The electron beam emitted from the emitter 21 is focused by the first condenser lens 22 to form a first crossover. Unnecessary portions of the electron beam spread from the first crossover are cut off by the anti-scattering diaphragm 29 and are incident on the second condenser lens 23. The second crossover C is blocked by the second condenser lens 23.
Deflector for blanking (hereinafter, blanking deflector,
Or simply referred to as a deflector) . B
When no deflection signal is supplied to the ranking deflector 30, the electron beam travels straight in the deflector and the objective lens aperture 3
Irradiate 1. The diameter of the electron beam on the objective lens diaphragm 31 is 2B ₀ . The current of the electron beam passing through the objective lens aperture 31 having a diameter of 2D ₀ becomes the current for irradiating the sample, that is, the probe current Ip (therefore, the objective lens aperture).
31 is for limiting the current of the beam irradiating the sample
Aperture) . The magnitude of the probe current Ip can be controlled by changing the focal length of the two-stage condenser lens.

【００３０】この際、Ｃ点は光軸に沿って移動するが、
第２コンデンサレンズ２３とブランキング偏向器３０の
間の空間にこのクロスオーバー点Ｃが形成されるよう
に、第１コンデンサレンズ２２の焦点距離ｆ１，第２コ
ンデンサレンズ２３の焦点距離ｆ２の大きさを適宜調整
する。大きな電流Ｉｐを得るときには、Ｃ点は下方に移
動するのが普通である。この時、対物レンズ絞り３１上
の電子ビームの径Ｂ_０は最小となる。At this time, the point C moves along the optical axis.
The size of the focal length f1 of the first condenser lens 22 and the focal length f2 of the second condenser lens 23 so that the crossover point C is formed in the space between the second condenser lens 23 and the blanking deflector 30. Is adjusted appropriately. When obtaining a large current Ip, the point C usually moves downward. At this time, the diameter B ₀ of the electron beam on the objective lens diaphragm 31 is minimized.

【００３１】対物レンズ絞り３１より上方の光学系に軸
不正があると、絞り３１上の電子ビームの中心は横にず
れる。多少のずれを許容できるように（Ｂ_０）ｍｉｎ＞
Ｄ_０としてある。クロスオーバー点Ｃの像が開き角制御
レンズ２４と対物レンズ２５によって試料２６上に形成
される。開き角制御レンズ２４の倍率をｍ_ａ、対物レン
ズ２５の倍率をｍ_ｏｌとし、ｍ_ｏｌをｍ_ａの従属変数と
する。なお、この従属変数とは、ｍ_ａを勝手に変えたと
き、試料上にフォーカスするという条件からｍ _ｏｌが定
まるという意味である。簡単な計算から、次の式が導か
れる。The axis is located on the optical system above the objective lens diaphragm 31.
If there is a fraud, the center of the electron beam on the diaphragm 31 will not be horizontal
It is. (B₀) Min>
D₀There is. Open angle control of image at crossover point C
Formed on sample 26 by lens 24 and objective lens 25
Is done. The magnification of the opening angle control lens 24 is m_a, Objective lens
The magnification of 25_olAnd m_olM_aDependent variable and
I do. Note that the dependent variable is m_aWas changed without permission
From the condition of focusing on the sample _olIs fixed
It means completely. From a simple calculation, the following formula is derived
It is.

【００３２】ｍ_ｏｌ＝ｂ／（ｌ＋ｍ_ａ・ａ） 上式でｌはレンズ間距離、ｂは対物レンズ２５と試料２
６との間の距離、ａはクロスオーバーＣと開き角制御レ
ンズとの間の距離である。対物レンズ絞り３１がＣ点に
対して張る角の半分をα_ａとする。また、試料２６に照
射される電子ビームの開き角をα_ｉとすると、次の関係
がある。[0032] _{m ol = b / (l +} m a · a) l above formulas inter-lens distance, b is the objective lens 25 and the sample 2
6, a is the distance between the crossover C and the aperture angle control lens. Half corners objective aperture 31 is spanned against point C and alpha _a. When the opening angle of the electron beam irradiated on the sample 26 is α _i , the following relationship is established.

【００３３】ｍ_ａ・ｍ_ｏｌ＝α_ａ／α_ｉ 前記した（７），（８）式から、次の式が得られる。[0033] _{m a · m ol = α a} / α i and (7), from equation (8), the following equation is obtained.

【００３４】[0034]

【数３】 (Equation 3)

【００３５】上式から導かれるように、ｍ_ａを変えるこ
とによってα_ｉを変えることができる。周知のごとく、
プローブ径を最小にするα_{ｉ（ｏｐｔ）}が存在する。α
_{ｉ（ ｏｐｔ）}は装置の操作条件である加速電圧，プロー
ブ電流、装置定数であるレンズ系の収差係数，電子ビー
ムのエネルギ幅などの関数である。[0035] As can be derived from the above equation, it is possible to change the alpha _i by changing the m _a. As we all know,
There is α _{i (opt)} that minimizes the probe diameter. α
_{i ( opt)} is a function such as an accelerating voltage and a probe current which are operation conditions of the apparatus, an aberration coefficient of a lens system which is an apparatus constant, an energy width of an electron beam, and the like.

【００３６】ところで、操作条件を変えてもα_i ＝α
_i(opt)の関係を常に満たすようにｍ_aを制御することが
できる。開き角制御レンズ２４を出た電子ビームは、距
離Ｌに配置されたブランキングのための絞り（以下、ブ
ランキング絞りと呼ぶ）３２を通過する。ブランキング
絞り３２の半径Ｒはこの位置における最大ビーム半径Ｂ
より大きく設定されている。電子ビームは２段の偏向コ
イル２７，２８によって対物レンズ２５の中心を偏向支
点とする走査がなされる。図７（ａ）には、偏向コイル
２７，２８に印加される走査信号の波形が示されてい
る。なお、図７（ｂ）はブランキング信号である。By the way, even if the operating conditions are changed, α _i = α
_i the relation _(opt) always meet to be able to control the m _a. The electron beam that has exited the opening angle control lens 24 is supplied to a stop for blanking (hereinafter, referred to as a block) disposed at a distance L.
It passes through 32. The radius R of the blanking stop 32 is the maximum beam radius B at this position.
It is set larger. The electron beam is scanned by the two-stage deflection coils 27 and 28 using the center of the objective lens 25 as a deflection fulcrum. FIG. 7A shows the waveform of the scanning signal applied to the deflection coils 27 and 28. FIG. 7B shows a blanking signal.

【００３７】この走査信号波形は、水平走査と垂直走査
では形が同じで時間スケールが異なっている。この走査
信号は単純な鋸歯状波ではなく、一周期の間に走査期間
Ｔｓと走査の帰線期間Ｔｒとが設けられている。この帰
線期間Ｔｒの間、試料照射ビームは一か所に止まってい
るため、試料の走査領域の左端および左上隅のドーズ量
（Ｉｐ×Ｔｒ）が他の走査領域内の点に比べて極めて大
きくなる。この様子を図８に示す。図８（ａ）は走査領
域を示し、図８（ｂ）はＸ方向のドーズ量分布、図８
（ｃ）はＹ方向ドーズ量分布を示す。The scanning signal waveforms have the same shape and different time scales in horizontal scanning and vertical scanning. This scanning signal is not a simple saw-tooth wave, but includes a scanning period Ts and a scanning retrace period Tr during one cycle. During this retrace period Tr, the sample irradiation beam remains at one place, so that the dose (Ip × Tr) at the left end and the upper left corner of the sample scanning region is extremely large as compared with points in other scanning regions. growing. This is shown in FIG. 8A shows a scanning area, FIG. 8B shows a dose distribution in the X direction, and FIG.
(C) shows the dose distribution in the Y direction.

【００３８】絶縁体試料の場合、ドーズ量に応じて帯電
が生じるため、表面上に電荷の不均一による電界が生
じ、一次ビームを不正の偏向する。この帯電と放電は、
試料の表面状態や時間によって変化するため、測長走査
電子顕微鏡においては、測長値の再現性を損なうことに
なる。また、電子ビームの照射に伴って発生するコンタ
ミネーション（汚染）がドース量の多い点で増える。コ
ンタミネーションが厚く滞積すると、像観察後の半導体
製造フロセスにおいても完全除去が困難であり、結果と
して、デバイス製造の歩留まりを悪化させる。In the case of an insulator sample, charge is generated in accordance with the dose, so that an electric field is generated on the surface due to non-uniform charge, and the primary beam is incorrectly deflected. This charge and discharge
Since it changes depending on the surface state and time of the sample, the reproducibility of the measured value is impaired in a length-measuring scanning electron microscope. In addition, contamination (contamination) generated by the irradiation of the electron beam increases at a point where the dose amount is large. If the contamination accumulates thickly, it is difficult to completely remove the contamination even in a semiconductor manufacturing process after image observation, and as a result, the yield of device manufacturing is deteriorated.

【００３９】そこで、帰線期間中照射電流をブランキン
グするようにブランキング偏向器３０に図７（ｂ）にブ
ランキング信号を印加する。この時、ドーズ量分布は図
９に示すように均一になる。図９で図９（ａ）は走査領
域を示し、図９（ｂ）はＸ方向のドーズ量分布、図９
（ｃ）はＹ方向ドーズ量分布を示す。このため、不均一
電場は生じなくなり、測長ＳＥＭにおける測長再現性が
向上することになる。Therefore, a blanking signal is applied to the blanking deflector 30 in FIG. 7B so as to blank the irradiation current during the flyback period. At this time, the dose distribution becomes uniform as shown in FIG. 9A shows the scanning area, FIG. 9B shows the dose distribution in the X direction, and FIG.
(C) shows the dose distribution in the Y direction. Therefore, a non-uniform electric field is not generated, and the reproducibility of the length measurement in the length measurement SEM is improved.

【００４０】次に、図６におけるブランキング条件を求
める。まず、ｍ_ａａは開き角制御レンズ２４によるＣ点
の像位置、（α_ａ／ｍ_ａ）は開き角制御レンズ２４から
出るビームの開き角である。これを用いると次の式が導
かれる。Next, the blanking condition in FIG. 6 is obtained. First, m _a a is the image position of point C by the aperture angle control lens 24, and (α _a / m _a ) is the aperture angle of the beam emitted from the aperture angle control lens 24. Using this leads to the following equation:

【００４１】Ｂ＝（Ｌ＋ｍ_ａａ）（α_ａ／ｍ_ａ） なお、α_ａ＝Ｄ_０（ａ−ｔ）である。従って次の式が導
かれる。 Ｂ＝Ｋ・Ｄ_０ ただし、Ｋは次の式で表される。B = (L + m _aa ) (α _a / m _a ) where α _a = D ₀ (at). Therefore, the following equation is derived. B = K · D ₀ where K is represented by the following equation.

【００４２】[0042]

【数４】 (Equation 4)

【００４３】次に偏向角をθとすると、対物レンズ絞り
３１の中心を通る軌道の光軸となす角度γ_１およびこの
軌道が開き角制御レンズに入射する高さｈ_１は、次の通
りである。Next, assuming that the deflection angle is θ, the angle γ ₁ that forms the optical axis of the trajectory passing through the center of the objective lens diaphragm 31 and the height h ₁ at which this trajectory enters the opening angle control lens are as follows. is there.

【００４４】γ_１＝ｓθ／（ａ−ｔ） ｈ_１＝ｔγ_１＝（ｓｔ／（ａ−ｔ））θ この軌道が開き角制御レンズ２４を出た後、光軸となす
角度をγ_２、また、ブランキング絞り３２上での高さを
ｈ_２とすると、次の式が導かれる。Γ ₁ = sθ / (at) h ₁ = tγ ₁ = (st / (at)) θ After the trajectory exits the opening angle control lens 24, the angle formed with the optical axis is γ ₂ Further, when the height of the on blanking aperture 32 and h _2, is derived the following equation.

【００４５】[0045]

【数５】 (Equation 5)

【００４６】従って、ブランキング条件ｈ_２＞Ｂ＋Ｒを
θに関する条件に書き直すと、以下の関係となる。 θ≧θ_０ ただし、θ_０＝（ａ／ｓ）｛（ＫＤ_０＋Ｒ）／（Ｋｔ＋
ｌ）｝である。一方、図６の場合には、Ｍ＝ｍ_ａ・ｍ
_ｏｌであり、（１１）式により、Ｍ＝α_ａ／α_ｉであ
る。ここでθ／θ_０＝γ（ブランキング安全率＞１）と
おく。この時、Δは、（７），（８）式から次のように
書き表すことができる。Therefore, if the blanking condition h ₂ > B + R is rewritten as a condition relating to θ, the following relationship is obtained. θ ≧ θ ₀ where θ ₀ = (a / s) ｛(KD ₀ + R) / (Kt +
l)｝. On the other hand, in the case of FIG. 6, M = m _a · m
_ol , and according to the equation (11), M = α _a / α _i . Here, it is assumed that θ / θ ₀ = γ (blanking safety factor> 1). At this time, Δ can be expressed as follows from equations (7) and (8).

【００４７】[0047]

【数６】 (Equation 6)

【００４８】上記（１４）式は静電偏向の場合、（１
５）式は磁界偏向の場合である。本発明の第１の要件で
ある「偏向器３０を点Ｃと対物レンズ絞り３１の間に配
置する」を満たせば、（１４），（１５）式より「Δは
偏向位置を変えても変わらない」という重要な特性が得
られることが分かる。なお、偏向器３０がビーム径制限
絞り２９の下にある図１のシステムでは、Δはｓに比例
する。The above equation (14) indicates that (1)
Equation 5) is for the case of magnetic field deflection. If the first requirement of the present invention, that is, "the deflector 30 is disposed between the point C and the objective lens diaphragm 31" is satisfied, then "[Delta] changes even when the deflection position is changed, from formulas (14) and (15). It can be seen that an important characteristic of "no" is obtained. In the system shown in FIG. 1 in which the deflector 30 is located below the beam diameter limiting aperture 29, Δ is proportional to s.

【００４９】本発明の第２の要件は、（３），（４）式
の偏向感度Ｆを加速電圧に比例して切り替える」ことで
ある。この時、θは静電偏向の場合次の式となる。The second requirement of the present invention is that the deflection sensitivity F in the equations (3) and (4) is switched in proportion to the acceleration voltage. At this time, θ is given by the following equation in the case of electrostatic deflection.

【００５０】[0050]

【数７】 (Equation 7)

【００５１】また、磁界偏向の場合には次の式となる。In the case of magnetic field deflection, the following equation is obtained.

【００５２】[0052]

【数８】 (Equation 8)

【００５３】上の２式から明らかなように、偏向角は一
定の偏向信号Ｖｄ（Ｉｄ）の下で加速電圧に拘らず一定
となる。この時、（１４），（１５）式中のγおよ
び［］内は加速電圧の直接の関数ではなくなり、従って
「Δは加速電圧を切り替えても一定となる。」という本
発明の目的が達せられる。As is apparent from the above two equations, the deflection angle becomes constant under a constant deflection signal Vd (Id) regardless of the acceleration voltage. At this time, γ and [] in the expressions (14) and (15) are not a direct function of the acceleration voltage, and therefore, the object of the present invention that “Δ is constant even when the acceleration voltage is switched” is achieved. Can be

【００５４】図１０〜図１２は、偏向感度Ｆに関し、Ｆ
＝ｋＶａ、あるいは、Ｆ＝ｋ√（Ｖａ）を実現する静電
型偏向器の構造が示されており、図１０は正面図、図１
１は電極構造の平面図と操作回路とを含めた図、図１２
は側面図である。これらの図において、同形の一対の静
電電極４０および２対のシールド電極４１，４２を端面
を整列させて対向させる。偏向電極４０と上下のシール
ド電極４１，４２間は薄い絶縁体４３で絶縁されてい
る。これらの電極は適宜の方法で固定一体化されてい
る。FIGS. 10 to 12 show the deflection sensitivity F.
= KVa, or the structure of an electrostatic deflector realizing F = k√ (Va), FIG. 10 is a front view, and FIG.
1 is a diagram including a plan view of an electrode structure and an operation circuit, FIG.
Is a side view. In these figures, a pair of electrostatic electrodes 40 of the same shape and two pairs of shield electrodes 41 and 42 are opposed to each other with their end faces aligned. The deflection electrode 40 and the upper and lower shield electrodes 41 and 42 are insulated by a thin insulator 43. These electrodes are fixed and integrated by an appropriate method.

【００５５】一対の下部シールド電極４２には、ピッチ
が同じの右ネジ４４と左ネジ４５が切ってある。この一
体化された左右の偏向電極ユニットに送りネジ４６を嵌
め込む。送りネジ４６はジョイント４７を介してモータ
軸４８に結合されている。また、シールド電極４２のＹ
方向両端には、三角突起４９が設けられている。三角突
起４９を外部に設けた一対のガイドレール５０に嵌合
し、Ｘ方向に移動可能に構成する。A pair of lower shield electrodes 42 are provided with a right screw 44 and a left screw 45 having the same pitch. The feed screw 46 is fitted into the integrated left and right deflection electrode units. The feed screw 46 is connected to a motor shaft 48 via a joint 47. The Y of the shield electrode 42
Triangular protrusions 49 are provided at both ends in the direction. The triangular projection 49 is fitted to a pair of guide rails 50 provided outside, and is configured to be movable in the X direction.

【００５６】モータ軸４８は電子光学カラム壁５１を貫
通してパルスモータ５２に接続されている。パルスモー
タ５２はパルスジェネレータ５３から駆動パルスが送ら
れるモータドライブ電源５４によって駆動される。パル
スジェネレータ５３から発生するパルス値（Ｎ値）は、
コンピュータ５５によって制御されるが、コンピュータ
５５には操作パネル５６から加速電圧Ｖａと、プローブ
電流Ｉｐについての各値が供給される。The motor shaft 48 passes through the electron optical column wall 51 and is connected to the pulse motor 52. The pulse motor 52 is driven by a motor drive power supply 54 to which a drive pulse is sent from a pulse generator 53. The pulse value (N value) generated from the pulse generator 53 is
Controlled by the computer 55, the computer 55 is supplied from the operation panel 56 with the acceleration voltage Va and the probe current Ip.

【００５７】このような構成で、設定された加速電圧Ｖ
ａ、プローブ電流Ｉｐに応じてパルスモータ５２を駆動
し、モータ軸４８を回転させる。このモータ軸４８の回
転によって、シールド電極４２は光軸に軸対称に移動
し、その結果、静電偏向電極４０の間隔２ｇは適宜変化
させられる。ここで、間隔２ｇに対する偏向感度値Ｆ
は、電界計算ないしは実験的に求めることができる。図
１３はこの実験によって求められた偏向感度値Ｆであ
る。With such a configuration, the set acceleration voltage V
a, The pulse motor 52 is driven according to the probe current Ip, and the motor shaft 48 is rotated. Due to the rotation of the motor shaft 48, the shield electrode 42 moves axially symmetrically with respect to the optical axis, and as a result, the distance 2g between the electrostatic deflection electrodes 40 is appropriately changed. Here, the deflection sensitivity value F for the interval 2 g
Can be calculated by an electric field or experimentally. FIG. 13 shows the deflection sensitivity value F obtained by this experiment.

【００５８】偏向電極４０がＹ方向に無限に長く、シー
ルド電極４１，４２もＹ，Ｚ方向に無限に長く、絶縁ギ
ャップが無限小の場合には、軸上偏向電界Ｅ（ｘ）ｚは
解析的に求めることができ、ｈを偏向電極４０のＺ軸に
沿った長さとすると、次の式が導かれる。When the deflection electrode 40 is infinitely long in the Y direction, the shield electrodes 41 and 42 are also infinitely long in the Y and Z directions, and the insulating gap is infinitely small, the on-axis deflection electric field E (x) z is analyzed. When h is the length of the deflection electrode 40 along the Z axis, the following equation is derived.

【００５９】[0059]

【数９】 (Equation 9)

【００６０】上式の関係から（３），（４）式を用いて
偏向感度Ｆを計算で求めると、Ｆ＝ｈ／２ｇとなる。実
際の電極では、２ｇが大きくなると、図１３に示すよう
に偏向感度Ｆは理想カーブよりも大きくなる。このこと
は、一定の範囲のＦの可変幅を得るのに必要な２ｇの変
化幅が大きくなることを意味するので、できるだけ理想
形に近付けることが必要である。When the deflection sensitivity F is obtained by calculation using the equations (3) and (4) based on the above equation, F = h / 2g. In an actual electrode, as 2 g increases, the deflection sensitivity F becomes larger than the ideal curve as shown in FIG. This means that the change width of 2 g required to obtain a variable range of F within a certain range becomes large, and therefore it is necessary to approach the ideal shape as much as possible.

【００６１】次に、２ｇの制御の方法について述べる。
θ≧θ_０の関係と、（１６），（１７）式から、下記の
式が導かれる。Next, a control method of 2 g will be described.
The following equation is derived from the relationship of θ ≧ θ ₀ and the equations (16) and (17).

【００６２】[0062]

【数１０】 (Equation 10)

【００６３】（１９）式の（）内はプローブ電流を切り
替えるとき、Ｃ点の位置が変化するので大きさが異なる
が、加速電圧を変えてもほとんど変化しない。すなわ
ち、偏向感度は２ｇ，ｈと他の構造因子の関数となる。
従って、２ｇ制御の手順は次のステップで行うことにな
る。When the probe current is changed, the position in the point C is changed when the probe current is changed. That is, the deflection sensitivity is a function of 2g, h and other structural factors.
Therefore, the procedure of the 2g control is performed in the next step.

【００６４】［第１ステップ］ビーム条件（ＶａとＩ
ｐ）を操作パネルから与える。 ［第２ステップ］（１８）式に従って必要な偏向感度Ｆ
を計算する。[First Step] Beam conditions (Va and I
p) is given from the operation panel. [Second step] Required deflection sensitivity F according to equation (18)
Is calculated.

【００６５】［第３ステップ］偏向感度Ｆを与える２ｇ
をｈやその他の構造因子から求める。 ［第４ステップ］モータにパルスを送り、上の２ｇ値を
実現する。[Third Step] 2 g for giving deflection sensitivity F
From h and other structural factors. [Fourth Step] A pulse is sent to the motor to realize the above 2g value.

【００６６】上記第２ステップは、ＶａとＩｐの可能な
全ての組み合わせについて必要なＦ値を予め計算したテ
ーブルを作成しておくことができる。第３ステップも図
１３よりＦと２ｇのテーブル化が可能である。第４ステ
ップでは、２ｇ値は１パルス当たりの２ｇの変化幅Δ
（２ｇ）が分かっているので、Ｎ＝２ｇ／Δ（２ｇ）よ
り、パルス数Ｎに換算することができる。従って、第
２，３，４ステップのテーブルを一本化し、（Ｉｐ，Ｖ
ａ）に対するパルス数Ｎのテーブルとしておけば、制御
が容易となる。In the second step, a table can be created in which necessary F values are calculated in advance for all possible combinations of Va and Ip. Also in the third step, the table of F and 2g can be tabulated from FIG. In the fourth step, the 2g value is a change width Δ of 2g per pulse.
Since (2g) is known, it can be converted into the pulse number N from N = 2g / Δ (2g). Accordingly, the tables of the second, third, and fourth steps are unified, and (Ip, V
If a table of the number of pulses N for a) is provided, control becomes easy.

【００６７】図１１のコンピュータ５５は、操作パネル
５６から（Ｉｐ，Ｖａ）のコードを受け取り、上記テー
ブルを索引して対応するＮ値を求め出力する。パルスジ
ェネレータ５３は指定されたＮ値に基づき、Ｎ個のパル
スを発生する。モータドライブ電源５４はパルス信号を
受け取り、モータ５２ヘを駆動するパルス電流に変換す
る。こうして設定された２ｇを持つ偏向器４０によれ
ば、（１９）式より必要な偏向角θ_０のγ（＞１）倍の
偏向がなされ、ビームは確実にブランキングされる。更
に、そのときのΔは、（１８）式で与えられ、加速電圧
を切り替えてもΔの変動はほとんど無くなる。ただし、
Ｉｐ切り替えに伴うΔの変動は残存する。この原因は、
（１４）式の［］の項による。この変動幅は実用上差支
えない程度（１ｍｍ以下）に抑えることが可能である。The computer 55 shown in FIG. 11 receives the code (Ip, Va) from the operation panel 56, searches the above table, finds the corresponding N value, and outputs it. The pulse generator 53 generates N pulses based on the designated N value. The motor drive power supply 54 receives the pulse signal and converts it into a pulse current for driving the motor 52. According to the deflector 40 having 2 g set in this way, the deflection is performed by γ (> 1) times the required deflection angle θ ₀ according to the equation (19), and the beam is reliably blanked. Further, Δ at that time is given by Expression (18), and even if the acceleration voltage is switched, there is almost no change in Δ. However,
The change of Δ accompanying the switching of Ip remains. This is because
According to the item [] in the equation (14). This fluctuation width can be suppressed to a level that does not hinder practical use (1 mm or less).

【００６８】次に磁界型偏向器の場合について述べる。
磁界型の場合は、図１４（ａ）に示したようなセラミッ
ク性の２ｇ可変機構の対向平面にブランキング用のコイ
ル６０を貼り付ける。コイル６０およびセラミック体６
１は薄い金属で覆い、帯電防止を施す。セラミック体６
１にはナット６２が埋め込まれ、このナット６２には図
１０に示したような送りネジ４６が貫通させられてい
る。なお、図１４（ｂ）にコイル６０の断面形状を示
す。磁界偏向の場合には、（１９）式のＶａ／Ｖｄの項
が√（Ｖａ）／Ｉｄに変わるので、Ｆの可変幅（従って
２ｇの可変幅）を小さくできる利点がある。Next, the case of a magnetic field type deflector will be described.
In the case of the magnetic field type, a blanking coil 60 is attached to a facing surface of a ceramic 2g variable mechanism as shown in FIG. Coil 60 and ceramic body 6
1 is covered with a thin metal to provide antistatic. Ceramic body 6
A nut 62 is embedded in 1, and a feed screw 46 as shown in FIG. FIG. 14B shows a cross-sectional shape of the coil 60. In the case of magnetic field deflection, the term Va / Vd in equation (19) changes to √ (Va) / Id, so that there is an advantage that the variable width of F (and thus the variable width of 2 g) can be reduced.

【００６９】上記した実施例では、静電偏向の場合には
Ｆ＝ｋＶａとし、磁界偏向の場合には、Ｆ＝ｋ´√（Ｖ
ａ）とすることにより、ΔをＶａによらず一定とした。
このために２ｇ可変機構を設け、Ｖａに応じてほぼ連続
的に２ｇを変化させる必要がある。この代わりに、偏向
感度の異なる偏向器を数個Ｚ軸に沿って並べておき、加
速電圧を例えば２倍変えるごとに偏向器の方も切り替え
るようにしても良い。この場合のΔの加速電圧に対する
変化をグラフにすると、図１５のようになる。すなわ
ち、Δは加速電圧に対し一定とならず、鋸歯状に変化す
る。In the above embodiment, F = kVa for electrostatic deflection, and F = k′√ (V
By setting a), Δ was kept constant regardless of Va.
For this purpose, it is necessary to provide a 2g variable mechanism and change the 2g almost continuously according to Va. Instead, several deflectors having different deflection sensitivities may be arranged along the Z-axis, and the deflector may be switched every time the acceleration voltage is changed, for example, twice. FIG. 15 is a graph showing the change of Δ with respect to the acceleration voltage in this case. That is, Δ is not constant with respect to the acceleration voltage, but changes in a sawtooth shape.

【００７０】しかしΔのピーク値がプローブ径の数分の
一以下になるようにできれば問題はない。図１５は加速
電圧が０．５ｋＶから８ｋＶまで変化する走査電子顕微
鏡の場合、Δの２倍の変化を許すとしたとき、Ｆが２倍
ずつ異なる４段の偏向器が必要であることを示す。図の
Δの最小値は、第１の実施例におけるΔと同程度の大き
さである。従って、Δの最大値は２×Δｍｉｎとなる。
この値が許されないときには、（１４），（１５）式の
δＶｄまたはδＩｄを半分にするか分母のＶｄあるいは
Ｉｄを半減することを考える。増幅器のノイズは一般に
次の式で表される。However, there is no problem if the peak value of Δ can be set to be a fraction of the probe diameter or less. FIG. 15 shows that in the case of a scanning electron microscope in which the accelerating voltage changes from 0.5 kV to 8 kV, a four-stage deflector in which F is doubled by 2 times is required if a change of twice Δ is allowed. . The minimum value of Δ in the figure is approximately the same as Δ in the first embodiment. Therefore, the maximum value of Δ is 2 × Δmin.
When this value is not allowed, it is considered that δVd or δId in the equations (14) and (15) is halved or Vd or Id of the denominator is halved. The noise of an amplifier is generally expressed by the following equation.

【００７１】[0071]

【数１１】 [Equation 11]

【００７２】上式でｅ_ｎ（ｆ）は使用するＩＣの種類で
決まるノイズ電圧の周波数分布である。従って、δＶｄ
を小さくするには、帯域ｆ_ｃを落とすしかない。ｆ_ｃを
小さくすると早いブランキングができなくなる。そこで
水平走査に対する帰線期間のブランキングをあきらめ、
垂直走査のブランキングのみを行うようにすれば、δＶ
ｄを数分の一以下に減らすことができる。ＴＶ周波数で
の走査の場合、垂直ブランキングに必要な帯域は〜１０
ｋＨｚ程度以下にすることができる。[0072] In the above equation _e n (f) is the frequency distribution of the noise voltage determined by the type of IC used. Therefore, δVd
To the smaller it is only drop the band f _c. If _fc is reduced, quick blanking cannot be performed. Therefore, giving up blanking during the retrace period for horizontal scanning,
If only vertical scanning blanking is performed, δV
d can be reduced to a fraction or less. In the case of scanning at the TV frequency, the band required for vertical blanking is
It can be lower than about kHz.

【００７３】図１６に多段式偏向器を示す。４枚の偏向
電極Ｄ_１〜Ｄ_４は、シールド電極６５によってシールド
される。６６は対物レンズ絞りである。各偏向電極Ｄ_１
〜Ｄ _４の厚みの比は、２：１：１：４としてあり、先に
述べたように十分なシールド板長があればそのまま偏向
感度比となる。図１７に示した表のように、加速電圧を
２倍ずつに区切り、各区分に対応して用いる偏向器を組
み合わせる。例えば、加速電圧が２．０〜４．０ｋＶの
時には偏向器Ｄ_１とＤ_２とＤ_３を用いる、あるいは、Ｄ
_４だけを用いても良い。この時、合成された偏向感度は
１＋１＋２＝４となる。かくすれば、次の比率の４つの
偏向器を用いることにより、全体の厚みを薄くできる
上、各段偏向器のｓ値の違いによる必要偏向角θ０のバ
ラつきを小さくできる。FIG. 16 shows a multi-stage deflector. 4 deflections
Electrode D₁~ D₄Is shielded by the shield electrode 65
Is done. Reference numeral 66 denotes an objective lens stop. Each deflection electrode D₁
~ D ₄The thickness ratio is 2: 1: 1: 4.
As mentioned, if there is sufficient shield plate length, it is deflected as it is
It becomes the sensitivity ratio. As shown in the table of FIG.
Divide by two and set up deflectors to be used for each section.
Combine. For example, when the acceleration voltage is 2.0 to 4.0 kV,
Sometimes deflector D₁And D₂And D₃Or D
₄May be used alone. At this time, the combined deflection sensitivity is
1 + 1 + 2 = 4. Thus, the following ratio of four
The overall thickness can be reduced by using a deflector
Above, the required deflection angle θ0 due to the difference in s value of each stage deflector
Latte can be reduced.

【００７４】ｈ_１：ｈ_２：ｈ_３：ｈ_４＝１：２：３：４ 次に偏向器の選択方法について述べる。図１８に示すよ
うに、各段偏向器の電極Ｄ_１〜Ｄ_４はリレーＲ_１Ａ，Ｂ
〜Ｒ_４Ａ，Ｂに接続されている。リレーがＯＦＦの時
は、電極はパルス電源６７のアースに接続され、リレー
がＯＮになるとリレーＲ_ｉＡ（ｉ＝１〜ｎ）は＋Ｖｄ
に、リレーＲ_ｉＢは−Ｖｄの出力回路に接続される。リ
レーの選択は図１９に示したリレー選択回路で行う。加
速電圧をオペレータが指定すると、そのレンジに応じて
図２０の真理値表に示した２ビットの（Ｃ１，Ｃ２）信
号を作成する。この場合、コンピュータを用いても良い
し、ハードロジックで行っても良い。マルチプレクサー
６８は、この２ビット信号（Ｃ１，Ｃ２）に応じて図２
０に示した真理値表に従った出力を行う。スイッチング
トランジスター６９はこの出力が１の時導通し、リレー
駆動コイル７０に電流が流れリレーをＯＮにする。出力
が０の場合、トランジルターはカッチオフになり、リレ
ー電流が０になってリレーはＯＦＦになる。H ₁ : h ₂ : h ₃ : h ₄ = 1: 2: 3: 4 Next, a method of selecting a deflector will be described. As shown in FIG. 18, the electrodes D _{1 to} D ₄ of the deflectors of the respective stages are connected to relays R ₁ A, B
To R ₄ A, B. When the relay is OFF, the electrodes are connected to the ground of the pulsed power supply 67, the relay is turned ON relay _R i A (i = _1~n) is + Vd
The relay _{R i} B is connected to the output circuit of -Vd. The selection of the relay is performed by the relay selection circuit shown in FIG. When the operator specifies the acceleration voltage, a 2-bit (C1, C2) signal shown in the truth table of FIG. 20 is created according to the range. In this case, a computer may be used or hardware logic may be used. The multiplexer 68 responds to the two-bit signal (C1, C2) as shown in FIG.
Output is performed according to the truth table shown in FIG. The switching transistor 69 conducts when this output is 1, and a current flows through the relay drive coil 70 to turn on the relay. If the output is zero, the transilter is cut off, the relay current is zero, and the relay is off.

【００７５】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビームの
場合を主として説明したが、イオンビームにも本発明を
同様に適用することができる。Although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although the case of an electron beam has been mainly described, the present invention can be similarly applied to an ion beam.

【００７６】[0076]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
の発明は、試料を照射するビームの電流を制限するため
の絞りとその上方に形成された荷電粒子線のクロスオー
バー点との間にブランキング偏向器を配置し、前記絞り
とその下方の荷電粒子線の走査のための偏向手段との間
にブランキング絞りを設けるように構成したので、ブラ
ンキング電源のノイズに基づく試料上のプローブ位置変
動量Δが偏向器位置に依存しなくなった。また、ブラン
キング偏向器による荷電粒子線の偏向量が僅かですむた
めに、偏向器を小型に構成でき、既存の荷電粒子線の光
学系をほとんど変更することなしにビームブランキング
装置を組み込むことができる。As described above, according to the first aspect of the present invention,
Invention limits the current of the beam illuminating the sample
Blanking between the deflecting means for blanking the ranking deflector arranged, scanning of the diaphragm and the charged particle beam thereunder between the crossover point of the diaphragm and the charged particle beam which is formed on the upper Since the diaphragm is provided, the probe position variation Δ on the sample based on the noise of the blanking power supply does not depend on the deflector position. Also, since the amount of deflection of the charged particle beam by the blanking deflector is small, the deflector can be configured in a small size, and the beam blanking device can be incorporated without changing the existing charged particle beam optical system. .

【００７７】本発明の請求項２と３の発明では、偏向電
極や偏向コイルの間隔を荷電粒子線の加速電圧やプロー
ブ電流に応じて変化させるように構成したので、ビーム
の最小必要偏向量をＢ＋Ｒとし、安全率をｒとした場
合、ブランキング絞り上でのビーム移動量を常時ｒ（Ｂ
＋Ｒ）に保つことができる。また、試料上のプローブ位
置変動量Δを加速電圧によらずに一定とすることが可能
となり、ノイズによるプローブの太りやゆれをプローブ
径の数分の一以下にすることができる。According to the second and third aspects of the present invention, the distance between the deflection electrode and the deflection coil is changed in accordance with the acceleration voltage of the charged particle beam and the probe current. When B + R and the safety factor are r, the beam movement amount on the blanking aperture is always r (B
+ R). In addition, the probe position variation Δ on the sample can be made constant regardless of the acceleration voltage, and the thickness and fluctuation of the probe due to noise can be reduced to a fraction of the probe diameter.

【００７８】本発明の請求項４の発明では、ブランキン
グ偏向器として偏向感度の異なる複数の偏向電極を用
い、複数の偏向電極の使用の組合わせを加速電圧に応じ
て切り換えるように構成したので、請求項２や３と同様
な効果を得ることができる。In the invention of claim 4 of the present invention, a plurality of deflection electrodes having different deflection sensitivities are used as blanking deflectors, and the combination of the use of the plurality of deflection electrodes is switched according to the acceleration voltage. The same effects as those of the second and third aspects can be obtained.

【００７９】本発明の請求項５の発明は、ブランキング
偏向器を平行平板対向偏向電極と偏向電極の上下に同じ
対向距離を有する平行平板型シールド電極とより構成
し、偏向電極とシールド電極を微小ギャップを介して一
体化したので、コンパクトなブランキング偏向器を提供
できる。According to a fifth aspect of the present invention, the blanking deflector comprises a parallel plate opposed deflecting electrode and a parallel plate shield electrode having the same distance above and below the deflecting electrode. Since they are integrated via a small gap, a compact blanking deflector can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来のビームブランキング装置の基本構成を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a conventional beam blanking device.

【図２】従来の熱電子銃を用いた走査電子顕微鏡の要部
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope using a conventional thermoelectron gun.

【図３】従来の電界放射型電子銃を用いた走査電子顕微
鏡の要部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a main part of a scanning electron microscope using a conventional field emission electron gun.

【図４】ブランキング用パルス電源のノイズを示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing noise of a blanking pulse power supply.

【図５】プローブ位置変動量Δを求めるための光学図で
ある。FIG. 5 is an optical diagram for obtaining a probe position variation Δ.

【図６】本発明に基づくブランキング装置を備えた走査
電子顕微鏡の一実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an embodiment of a scanning electron microscope provided with a blanking device according to the present invention.

【図７】偏向コイルに供給される走査信号とブランキン
グ信号を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a scanning signal and a blanking signal supplied to a deflection coil.

【図８】試料の走査領域におけるビームのドーズ量を示
す図である。FIG. 8 is a diagram showing a dose of a beam in a scanning region of a sample.

【図９】試料の走査領域におけるビームのドーズ量を示
す図である。FIG. 9 is a diagram showing a dose of a beam in a scanning region of a sample.

【図１０】本発明に用いられる静電型のブランキング偏
向電極の構造を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a structure of an electrostatic blanking deflection electrode used in the present invention.

【図１１】図１０の周辺構成と操作回路を含めた図であ
る。11 is a diagram including a peripheral configuration and an operation circuit of FIG. 10;

【図１２】図１０の側面図である。FIG. 12 is a side view of FIG. 10;

【図１３】電極間隔に対する偏向感度値の関係を示す図
である。FIG. 13 is a diagram showing a relationship between a deflection sensitivity value and an electrode interval.

【図１４】本発明に用いられる静電型のブランキング偏
向電極の構造を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a structure of an electrostatic blanking deflection electrode used in the present invention.

【図１５】プローブ位置変動量Δの加速電圧に対する変
化を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a change in a probe position fluctuation amount Δ with respect to an acceleration voltage.

【図１６】本発明に用いられる多段式静電偏向器を示す
図である。FIG. 16 is a diagram showing a multi-stage electrostatic deflector used in the present invention.

【図１７】加速電圧に応じた複数の偏向電極の組み合わ
せを示す表である。FIG. 17 is a table showing a combination of a plurality of deflection electrodes according to an acceleration voltage.

【図１８】多段式偏向器の電極の選択回路を示す図であ
る。FIG. 18 is a diagram showing an electrode selection circuit of the multi-stage deflector.

【図１９】リレー選択回路を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating a relay selection circuit.

【図２０】真理値表を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing a truth table.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１ 電子銃エミッタ ２２ 第１コンデンサレンズ ２３ 第２コンデンサレンズ ２４ 開き角制御レンズ ２５ 対物レンズ ２６ 試料 ２７，２８ 偏向コイル ２９ 散乱防止絞り ３０ ブランキング用偏向器 ３１ 対物レンズ絞り ３２ ブランキング絞り Reference Signs List 21 electron gun emitter 22 first condenser lens 23 second condenser lens 24 opening angle control lens 25 objective lens 26 sample 27, 28 deflection coil 29 anti-scattering stop 30 blanking deflector 31 objective lens stop 32 blanking stop

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 37/28 H01J 37/147 H01J 37/09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01J 37/28 H01J 37/147 H01J 37/09

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 荷電粒子線源からの荷電粒子線を集束レ
ンズで集束して試料に照射すると共に、偏向手段によっ
て荷電粒子線の走査を行うようにした荷電粒子線装置に
おいて、試料を照射するビームの電流を制限するための 絞りとそ
の上方に形成された荷電粒子線のクロスオーバー点との
間にブランキングのための偏向器を配置し、前記絞りと
その下方の荷電粒子線の走査のための偏向手段との間に
ブランキングのための絞りを設けるように構成した荷電
粒子線装置におけるブランキング装置。We claim: 1. The charged particle beam from the charged particle beam source is focused by the focusing lens irradiates a sample, a charged particle beam apparatus that performs scanning of the charged particle beam by the deflecting means, illuminating the sample A deflector for blanking is arranged between an aperture for limiting the beam current and a crossover point of a charged particle beam formed above the aperture, and the aperture and
A blanking device in a charged particle beam device configured to provide an aperture for blanking between the charged particle beam and a deflection unit for scanning a charged particle beam thereunder. 【請求項２】 前記ブランキングのための偏向器は、静
電型の偏向器であり、この偏向器を構成する一対の偏向
電極の間の距離は、荷電粒子線の加速電圧とプローブ電
流に応じて変化させられる請求項１記載の荷電粒子線装
置におけるブランキング装置。2. A deflector for the blanking is electrostatic deflectors, the distance between the pair of deflection electrodes constituting the deflector, the accelerating voltage and the probe current of the charged particle beam The blanking device in the charged particle beam device according to claim 1, wherein the blanking device is changed in accordance with the value. 【請求項３】 前記ブランキングのための偏向器は、磁
界型の偏向器であり、この偏向器を構成する一対の偏向
コイルの間の距離は、荷電粒子線の加速電圧とプローブ
電流に応じて変化させられる請求項１記載の荷電粒子線
装置におけるブランキング装置。3. A deflector for the blanking is magnetic type deflector, the distance between the pair of deflection coils constituting the deflector, according to the acceleration voltage and the probe current of the charged particle beam The blanking device in the charged particle beam device according to claim 1, which is changed by changing. 【請求項４】 前記ブランキングのための偏向器は、静
電型の偏向器であり、この偏向器は、偏向感度の異なる
複数の偏向電極から成り、複数の偏向電極は加速電圧に
応じて使用される組み合わせが切り換えられる請求項１
記載の荷電粒子線装置におけるブランキング装置。4. A deflector for the blanking is electrostatic deflector, this deflector is composed of a plurality of deflection electrodes having different deflection sensitivity, the plurality of deflection electrodes in accordance with the acceleration voltage 2. The combination used is switched.
A blanking device in the charged particle beam device according to the above. 【請求項５】 前記ブランキングのための偏向器は、静
電型の偏向器であり、この偏向器は、平行平板対向偏向
電極と、その偏向電極の上下に同じ対向距離を有する平
行平板型シールド電極とより構成され、偏向電極とシー
ルド電極を微小ギャップを介して一体化した請求項１記
載の荷電粒子線装置におけるブランキング装置。5. A deflector for the blanking is electrostatic deflector, this deflector, a parallel plate deflection electrode, a parallel plate having the same opposing distance above and below the deflection electrode 2. A blanking device in a charged particle beam device according to claim 1, comprising a shield electrode, wherein the deflection electrode and the shield electrode are integrated via a minute gap.