JP3290789B2 - 電子管用ゲッタ装置 - Google Patents
電子管用ゲッタ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子管用のゲッタ装置
に係り、特に高品位電子管に使用される気化性ゲッタ装
置に関する。
に係り、特に高品位電子管に使用される気化性ゲッタ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、カラーテレビジョン等に使用
される電子管においては、排気終了後の管内の不要な酸
化性ガス等を完全に除去するために、ゲッタ装置が使用
されている。ゲッタ装置は、例えばステンレス等の金属
製のゲッタ容器内に、 Ba-Al合金粉末とNi粉末との混合
粉末からなる所定量のゲッタ材を充填したものであり、
通常排気、封止された電子管内の所定の位置に配設され
る。そして、高周波誘導加熱等の外部からの加熱により
Baを気化（以下、ゲッタフラッシュと記す）させ、管内
壁にBaのゲッタ膜を形成する。しかし、このようなゲッ
タ装置は、電子管の組立て工程で余儀なく所望しない加
熱を被る場合がある。
される電子管においては、排気終了後の管内の不要な酸
化性ガス等を完全に除去するために、ゲッタ装置が使用
されている。ゲッタ装置は、例えばステンレス等の金属
製のゲッタ容器内に、 Ba-Al合金粉末とNi粉末との混合
粉末からなる所定量のゲッタ材を充填したものであり、
通常排気、封止された電子管内の所定の位置に配設され
る。そして、高周波誘導加熱等の外部からの加熱により
Baを気化（以下、ゲッタフラッシュと記す）させ、管内
壁にBaのゲッタ膜を形成する。しかし、このようなゲッ
タ装置は、電子管の組立て工程で余儀なく所望しない加
熱を被る場合がある。
【０００３】例えば、最近の大型電子管やＣＤＴ（カラ
ーディスプレイ用電子管）等においては、高品位化の要
求を満たすための高解像度化の実現により、偏向ヨーク
の周波数の向上が図られ、それによりゲッタ装置をマス
クフレーム等に取付けることを余儀なくされている。す
なわち、従来からゲッタ装置は、電子銃のコンバー部に
ステンレス製のアンテナを介して取付けられてきたが、
偏向ヨーク内に配置されたアンテナのごくわずかの磁性
により、電子銃から発射される電子ビームが影響を受
け、所定の位置にビームが当たらず色ずれが発生すると
いう問題があった。このような問題から、ゲッタ装置の
偏向ヨーク以外のマスクフレーム等への取付けが余儀な
くされている。そして、このようなゲッタ装置の取付け
は、電子管を構成するパネル部とファンネル部との接合
の前に行われ、ゲッタ装置の取付け後、大気中約 450℃
で 1時間程度加熱し、ガラスフリットによりパネル部と
ファンネル部とを封着している。
ーディスプレイ用電子管）等においては、高品位化の要
求を満たすための高解像度化の実現により、偏向ヨーク
の周波数の向上が図られ、それによりゲッタ装置をマス
クフレーム等に取付けることを余儀なくされている。す
なわち、従来からゲッタ装置は、電子銃のコンバー部に
ステンレス製のアンテナを介して取付けられてきたが、
偏向ヨーク内に配置されたアンテナのごくわずかの磁性
により、電子銃から発射される電子ビームが影響を受
け、所定の位置にビームが当たらず色ずれが発生すると
いう問題があった。このような問題から、ゲッタ装置の
偏向ヨーク以外のマスクフレーム等への取付けが余儀な
くされている。そして、このようなゲッタ装置の取付け
は、電子管を構成するパネル部とファンネル部との接合
の前に行われ、ゲッタ装置の取付け後、大気中約 450℃
で 1時間程度加熱し、ガラスフリットによりパネル部と
ファンネル部とを封着している。
【０００４】しかし、通常の Ba-Al合金（例えばBaA
l4 ）粉末とNi粉末との混合粉末（混合重量比 1:1）を
含有するゲッタ材は、上述したように、大気中約 450℃
で 1時間加熱されると酸化し、酸化ニッケル(NiO）を生
ずる。そして、ゲッタ装置内にNiOが生成されると、 Ni
OとBaAl4 とが高温で急激に反応するため、ゲッタフラ
ッシュの際にBaの爆発的な飛散がもたらされ、 NiOの生
成量がさらに多くなると、金属製のゲッタ容器までが溶
断して、ゲッタ材と共に爆発的に飛散するようになる。
このようなBaの爆発的な飛散は、例えばカラーテレビジ
ョン用等の電子管において、耐圧不良等の大きな原因と
なるため、絶対に避けなければならない。以上の理由か
ら、大気中で高温に曝されてもゲッタ材の酸化が起こら
ず、なんら障害を生じないゲッタ装置が必要とされてい
る。
l4 ）粉末とNi粉末との混合粉末（混合重量比 1:1）を
含有するゲッタ材は、上述したように、大気中約 450℃
で 1時間加熱されると酸化し、酸化ニッケル(NiO）を生
ずる。そして、ゲッタ装置内にNiOが生成されると、 Ni
OとBaAl4 とが高温で急激に反応するため、ゲッタフラ
ッシュの際にBaの爆発的な飛散がもたらされ、 NiOの生
成量がさらに多くなると、金属製のゲッタ容器までが溶
断して、ゲッタ材と共に爆発的に飛散するようになる。
このようなBaの爆発的な飛散は、例えばカラーテレビジ
ョン用等の電子管において、耐圧不良等の大きな原因と
なるため、絶対に避けなければならない。以上の理由か
ら、大気中で高温に曝されてもゲッタ材の酸化が起こら
ず、なんら障害を生じないゲッタ装置が必要とされてい
る。
【０００５】従来から、このような目的のために、ゲッ
タ材の表面に有機シランを被覆したゲッタ装置（特開昭
52-84960号公報参照）や、酸化シリコンを被覆したゲッ
タ装置（特開昭 52-139355号公報参照）が提案されてい
る。例えば、特開昭52-84960号公報には、アルキル、ア
リール、アラルキル、アルカリール、または水素を含む
ポリシロキサン等の有機シランにより被覆されたゲッタ
材を有する装置が、大気中 420℃で 1時間の加熱に耐
え、爆発的な飛散を呈することなく、Baを蒸発気化させ
得ることが記されている。
タ材の表面に有機シランを被覆したゲッタ装置（特開昭
52-84960号公報参照）や、酸化シリコンを被覆したゲッ
タ装置（特開昭 52-139355号公報参照）が提案されてい
る。例えば、特開昭52-84960号公報には、アルキル、ア
リール、アラルキル、アルカリール、または水素を含む
ポリシロキサン等の有機シランにより被覆されたゲッタ
材を有する装置が、大気中 420℃で 1時間の加熱に耐
え、爆発的な飛散を呈することなく、Baを蒸発気化させ
得ることが記されている。
【０００６】しかし、このように有機シランにより被覆
されたゲッタ装置は、その使用において次のような欠点
を有している。すなわち、このゲッタ装置は、ゲッタフ
ラッシュの際に主として炭化水素系の気体を多量に放出
し、その放出気体は容易にゲッタ膜に吸着されないた
め、ゲッタフラッシュ後しばらくの間は、管内圧力が0.
133Pa程度の低真空度に放置される。周知のように、多
量の残留ガスは、テレビジョン用電子管等の高電圧が負
荷された空間内では、イオン化された後加速されて陰極
または陽極に衝突する。そして、このようなスパッタリ
ング効果により、陰極上の電子放射性物質の一部分が他
の好ましくない箇所に被着し、耐圧特性を著しく劣化さ
せる結果になることが容易に推察される。
されたゲッタ装置は、その使用において次のような欠点
を有している。すなわち、このゲッタ装置は、ゲッタフ
ラッシュの際に主として炭化水素系の気体を多量に放出
し、その放出気体は容易にゲッタ膜に吸着されないた
め、ゲッタフラッシュ後しばらくの間は、管内圧力が0.
133Pa程度の低真空度に放置される。周知のように、多
量の残留ガスは、テレビジョン用電子管等の高電圧が負
荷された空間内では、イオン化された後加速されて陰極
または陽極に衝突する。そして、このようなスパッタリ
ング効果により、陰極上の電子放射性物質の一部分が他
の好ましくない箇所に被着し、耐圧特性を著しく劣化さ
せる結果になることが容易に推察される。
【０００７】また、特開昭 52-139355号公報において
は、ゲッタ材が酸化シリコン層により被覆されたゲッタ
装置が、大気中約 450℃ 1時間の加熱に耐えることが記
され、さらにこのような酸化シリコン層が、ゲッタ装置
を例えばエチルシリケート溶液中に浸漬した後に残るケ
イ酸塩を、真空中 120℃に加熱することにより得られる
ことが示されている。こうして得られるゲッタ装置は、
以下に示すように、高温酸化に対してある程度の耐酸化
性を示す。すなわち、ゲッタ材表面を酸化シリコン層で
被覆した装置を、大気中で約 450℃ 1時間の加熱をした
後、真空中でゲッタフラッシュをさせた場合、Baの爆発
的な飛散の程度がかなり改善され、少量のゲッタ材の脱
落と一部焼結したゲッタ材の容器外への浮き上がりが認
められる程度とすることができる。
は、ゲッタ材が酸化シリコン層により被覆されたゲッタ
装置が、大気中約 450℃ 1時間の加熱に耐えることが記
され、さらにこのような酸化シリコン層が、ゲッタ装置
を例えばエチルシリケート溶液中に浸漬した後に残るケ
イ酸塩を、真空中 120℃に加熱することにより得られる
ことが示されている。こうして得られるゲッタ装置は、
以下に示すように、高温酸化に対してある程度の耐酸化
性を示す。すなわち、ゲッタ材表面を酸化シリコン層で
被覆した装置を、大気中で約 450℃ 1時間の加熱をした
後、真空中でゲッタフラッシュをさせた場合、Baの爆発
的な飛散の程度がかなり改善され、少量のゲッタ材の脱
落と一部焼結したゲッタ材の容器外への浮き上がりが認
められる程度とすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゲッタ
材中のNiの酸化によるBaの爆発的な飛散とゲッタ材の浮
き上がりは、いかに軽度のものであっても耐圧特性を著
しく劣化させるため、完全に避けなければならない。ま
た、このような爆発的な飛散は、管内の所望しない箇所
への飛散粒子の被着を生起し、耐圧特性の劣化のみなら
ず回路の短絡を引き起こす場合さえある。さらに、ゲッ
タ材の浮き上がりは、管内の不所望な箇所へのBa膜の形
成を引き起こし、これもまた耐圧特性を劣化させる原因
となる。
材中のNiの酸化によるBaの爆発的な飛散とゲッタ材の浮
き上がりは、いかに軽度のものであっても耐圧特性を著
しく劣化させるため、完全に避けなければならない。ま
た、このような爆発的な飛散は、管内の所望しない箇所
への飛散粒子の被着を生起し、耐圧特性の劣化のみなら
ず回路の短絡を引き起こす場合さえある。さらに、ゲッ
タ材の浮き上がりは、管内の不所望な箇所へのBa膜の形
成を引き起こし、これもまた耐圧特性を劣化させる原因
となる。
【０００９】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、耐高温酸化性を有し、使用に際して
ゲッタ材の爆発的な飛散や浮き上がりのような障害を伴
うことのない、高品位電子管用のゲッタ装置を提供する
ことを目的としている。
になされたもので、耐高温酸化性を有し、使用に際して
ゲッタ材の爆発的な飛散や浮き上がりのような障害を伴
うことのない、高品位電子管用のゲッタ装置を提供する
ことを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電子管用ゲッタ
装置は、金属製のゲッタ容器内にゲッタ材を充填してな
る電子管用ゲッタ装置において、前記ゲッタ材は、少な
くとも Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とを含むことを
特徴としている。
装置は、金属製のゲッタ容器内にゲッタ材を充填してな
る電子管用ゲッタ装置において、前記ゲッタ材は、少な
くとも Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とを含むことを
特徴としている。
【００１１】本発明に使用される Ni-Al合金粉末として
は、 Ba-Al合金粉末の組成や Ba-Al合金粉末との混合比
によっても異なるが、基本的にはゲッタフッシュ後の残
渣となる Ni-Al(Ba-Al合金粉末中のAlも含む）が、Niと
Alとの金属間化合物例えばNi3 AlやNiAl等を形成し得る
ような組成比のものを用いるものとする。具体的には、
例えば Ni:Al=75mol%:25mol%や Ni:Al=50mol%:50mol%の
比率で混合溶融した合金を、アトマイズ法等により粉末
化した後、ふるい分けすることにより製造される。Niと
Alとの組成比は、Al量を25〜50mol%程度の範囲で調整し
てもよい。 Ni-Al金粉末の平均粒径は、 3〜 7μm 程度
とすることが好ましい。このような Ni-Al合金粉末にお
いては、ゲッタフラッシュ前の加熱に対して、粉体表面
近傍のAlが酸化することによって、それ以上の酸化すな
わち NiOの生成が抑制される。
は、 Ba-Al合金粉末の組成や Ba-Al合金粉末との混合比
によっても異なるが、基本的にはゲッタフッシュ後の残
渣となる Ni-Al(Ba-Al合金粉末中のAlも含む）が、Niと
Alとの金属間化合物例えばNi3 AlやNiAl等を形成し得る
ような組成比のものを用いるものとする。具体的には、
例えば Ni:Al=75mol%:25mol%や Ni:Al=50mol%:50mol%の
比率で混合溶融した合金を、アトマイズ法等により粉末
化した後、ふるい分けすることにより製造される。Niと
Alとの組成比は、Al量を25〜50mol%程度の範囲で調整し
てもよい。 Ni-Al金粉末の平均粒径は、 3〜 7μm 程度
とすることが好ましい。このような Ni-Al合金粉末にお
いては、ゲッタフラッシュ前の加熱に対して、粉体表面
近傍のAlが酸化することによって、それ以上の酸化すな
わち NiOの生成が抑制される。
【００１２】また、 Ba-Al合金粉末としては、同様な方
法により製造された平均粒径が 210〜50μm 程度のもの
を使用することが好ましい。そして、このような Ba-Al
合金粉末と、上述した Ni-Al合金粉末との混合比率は、
これら合金粉末の組成比を考慮した上で設定するものと
するが、具体的には重量比で 60:40〜 40:60程度の範囲
とすることが好ましい。
法により製造された平均粒径が 210〜50μm 程度のもの
を使用することが好ましい。そして、このような Ba-Al
合金粉末と、上述した Ni-Al合金粉末との混合比率は、
これら合金粉末の組成比を考慮した上で設定するものと
するが、具体的には重量比で 60:40〜 40:60程度の範囲
とすることが好ましい。
【００１３】また、本発明においては、ゲッタ材の流れ
性を上げ、プレスによる充填性を向上させるために、上
記した Ni-Al合金粉末と共に、Ni粉末を併用することが
できる。Ni粉末としては、平均粒径が 1〜 7μm 程度の
ものを使用することが好ましい。また、Ni粉末は、 Ni-
Al合金粉末に対して30重量% 以下程度の範囲で使用する
ことが好ましい。Ni粉末の使用量が Ni-Al合金粉末の40
重量% を超えると、耐高温酸化性が不十分となり、Baの
爆発的な飛散を招くおそれが生じる。
性を上げ、プレスによる充填性を向上させるために、上
記した Ni-Al合金粉末と共に、Ni粉末を併用することが
できる。Ni粉末としては、平均粒径が 1〜 7μm 程度の
ものを使用することが好ましい。また、Ni粉末は、 Ni-
Al合金粉末に対して30重量% 以下程度の範囲で使用する
ことが好ましい。Ni粉末の使用量が Ni-Al合金粉末の40
重量% を超えると、耐高温酸化性が不十分となり、Baの
爆発的な飛散を招くおそれが生じる。
【００１４】本発明の電子管用ゲッタ装置は、上述した
ような Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とを、あるいは
Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とNi粉末とを、所望の
混合比率で機械的に混合し、この混合物を金属製のゲッ
タ容器内に充填して、プレス装置等で加圧することによ
り得られる。
ような Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とを、あるいは
Ba-Al合金粉末と Ni-Al合金粉末とNi粉末とを、所望の
混合比率で機械的に混合し、この混合物を金属製のゲッ
タ容器内に充填して、プレス装置等で加圧することによ
り得られる。
【００１５】
【作用】本発明の電子管用ゲッタ装置においては、ゲッ
タ材として、 Ba-Al合金粉末と共に Ni-Al合金粉末を使
用している。この Ni-Al合金粉末は、大気中での高温加
熱（例えば電子管のパネル部とファンネル部との封着時
の加熱工程）によっても、Alの酸化層（Al2 O 3 ）がNi
の酸化を抑えるため、酸化ニッケル(NiO）の生成を防止
することができる。従って、Baの爆発的な飛散やゲッタ
材の浮き上がりを防止することができ、安定したゲッタ
フラッシュを実現することが可能となる。また、ゲッタ
フラッシュ後においては、従来のゲッタ材と同様に、Ni
とAlとの金属間化合物（NiAl、Ni3 Al等）を生成して安
定化するため、電子管の動作等に対して悪影響を及ぼす
こともない。
タ材として、 Ba-Al合金粉末と共に Ni-Al合金粉末を使
用している。この Ni-Al合金粉末は、大気中での高温加
熱（例えば電子管のパネル部とファンネル部との封着時
の加熱工程）によっても、Alの酸化層（Al2 O 3 ）がNi
の酸化を抑えるため、酸化ニッケル(NiO）の生成を防止
することができる。従って、Baの爆発的な飛散やゲッタ
材の浮き上がりを防止することができ、安定したゲッタ
フラッシュを実現することが可能となる。また、ゲッタ
フラッシュ後においては、従来のゲッタ材と同様に、Ni
とAlとの金属間化合物（NiAl、Ni3 Al等）を生成して安
定化するため、電子管の動作等に対して悪影響を及ぼす
こともない。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の電子管用ゲッタ装置の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１７】実施例１ まず、 Ni:Al=75mol%:25mol%の比率で混合溶融した合金
を、アトマイズ法により粉末化した後にふるい分けし
て、平均粒径が 7μm の Ni-Al合金粉末を作製した。次
に、この Ni-Al合金粉末と、平均粒径が 100μm の Ba-
Al合金粉末（組成比；Ba:Al=55：45（重量比））とを、
重量比で 1:1となるように混合した。
を、アトマイズ法により粉末化した後にふるい分けし
て、平均粒径が 7μm の Ni-Al合金粉末を作製した。次
に、この Ni-Al合金粉末と、平均粒径が 100μm の Ba-
Al合金粉末（組成比；Ba:Al=55：45（重量比））とを、
重量比で 1:1となるように混合した。
【００１８】次に、 Ni-Al合金粉末と Ba-Al合金粉末と
の混合粉末に、窒素の供給放出源として数% の窒化鉄粉
末を加えてゲッタ材とした。このゲッタ材を、外径20m
m、内径10mm、高さ 2.0mmの断面Ｕ字形のステンレス製
環状ゲッタ容器内に充填し、プレス装置により加圧し
て、目的とする窒素放出源を有する発熱型Baゲッタ装置
を作製した。
の混合粉末に、窒素の供給放出源として数% の窒化鉄粉
末を加えてゲッタ材とした。このゲッタ材を、外径20m
m、内径10mm、高さ 2.0mmの断面Ｕ字形のステンレス製
環状ゲッタ容器内に充填し、プレス装置により加圧し
て、目的とする窒素放出源を有する発熱型Baゲッタ装置
を作製した。
【００１９】このようにして得られたゲッタ装置を、大
気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッケル(NiO）の
生成量を測定したところ、ほとんど NiOが生成されてい
ないことが確認された。また、上記大気中での加熱を行
った後のゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設
置し、外部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラ
ッシュを行った。そして、このときのBa飛散量と放出ガ
ス量を測定したところ、フラッシュ開始時間13秒で、Ba
飛散量 120mg、放出ガス量10.6Pa・l と良好な結果が得
られた。これらの値は、従来のBa-Al 合金粉末とNi粉末
との混合粉末を用いたゲッタ装置において、大気中加熱
を行うことなくゲッタフラッシュさせた場合と同様な値
である。また、形成したBa膜の分布を調べたところ、均
一にBaの飛散が行われたことを確認した。
気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッケル(NiO）の
生成量を測定したところ、ほとんど NiOが生成されてい
ないことが確認された。また、上記大気中での加熱を行
った後のゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設
置し、外部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラ
ッシュを行った。そして、このときのBa飛散量と放出ガ
ス量を測定したところ、フラッシュ開始時間13秒で、Ba
飛散量 120mg、放出ガス量10.6Pa・l と良好な結果が得
られた。これらの値は、従来のBa-Al 合金粉末とNi粉末
との混合粉末を用いたゲッタ装置において、大気中加熱
を行うことなくゲッタフラッシュさせた場合と同様な値
である。また、形成したBa膜の分布を調べたところ、均
一にBaの飛散が行われたことを確認した。
【００２０】なお、本発明との比較として、Ba-Al 合金
粉末とNi粉末との混合粉末（重量比=1:1）を用いたゲッ
タ装置を、大気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッ
ケル(NiO）の生成量を酸化増量にて測定したところ、
7.0重量% と多量に NiOが生成されていた。また、この
ゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設置し、外
部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラッシュを
行ったところ、Baの爆発的な飛散が起こり、フラッシュ
開始時間13秒で、Ba飛散量50mg、放出ガス量23.2Pa・l
という結果が得られた。
粉末とNi粉末との混合粉末（重量比=1:1）を用いたゲッ
タ装置を、大気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッ
ケル(NiO）の生成量を酸化増量にて測定したところ、
7.0重量% と多量に NiOが生成されていた。また、この
ゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設置し、外
部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラッシュを
行ったところ、Baの爆発的な飛散が起こり、フラッシュ
開始時間13秒で、Ba飛散量50mg、放出ガス量23.2Pa・l
という結果が得られた。
【００２１】実施例２ Ni:Al=50mol%:50mol%の比率で混合溶融した合金を、ア
トマイズ法により粉末化した後にふるい分けして、平均
粒径が 7μm の Ni-Al合金粉末を作製した。次いで、こ
の Ni-Al合金粉末と、平均粒径が 100μm の Ba-Al合金
粉末とを、重量比で 1:1となるように混合した。
トマイズ法により粉末化した後にふるい分けして、平均
粒径が 7μm の Ni-Al合金粉末を作製した。次いで、こ
の Ni-Al合金粉末と、平均粒径が 100μm の Ba-Al合金
粉末とを、重量比で 1:1となるように混合した。
【００２２】次に、 Ni-Al合金粉末と Ba-Al合金粉末と
の混合粉末に、窒素の供給放出源として数% の窒化鉄粉
末を加えてゲッタ材とした。このゲッタ材を、外径20m
m、内径10mm、高さ 2.0mmの断面Ｕ字形のステンレス製
環状ゲッタ容器内に充填し、プレス装置により加圧し
て、目的とする窒素放出源を有する発熱型Baゲッタ装置
を作製した。
の混合粉末に、窒素の供給放出源として数% の窒化鉄粉
末を加えてゲッタ材とした。このゲッタ材を、外径20m
m、内径10mm、高さ 2.0mmの断面Ｕ字形のステンレス製
環状ゲッタ容器内に充填し、プレス装置により加圧し
て、目的とする窒素放出源を有する発熱型Baゲッタ装置
を作製した。
【００２３】このようにして得られたゲッタ装置を、大
気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッケル(NiO）の
生成量を測定したところ、ほとんど NiOが生成されてい
ないことが確認された。また、上記大気中での加熱を行
った後のゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設
置し、外部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラ
ッシュを行った。そして、このときのBa飛散量と放出ガ
ス量を測定したところ、フラッシュ開始時間13秒で、Ba
飛散量 100mg、放出ガス量 9.8Pa・l と、飛散量は多少
減少するも使用可能な範囲であった。
気中 450℃で 2時間加熱した後、酸化ニッケル(NiO）の
生成量を測定したところ、ほとんど NiOが生成されてい
ないことが確認された。また、上記大気中での加熱を行
った後のゲッタ装置を、真空排気された真空容器内に設
置し、外部から高周波により誘導加熱して、ゲッタフラ
ッシュを行った。そして、このときのBa飛散量と放出ガ
ス量を測定したところ、フラッシュ開始時間13秒で、Ba
飛散量 100mg、放出ガス量 9.8Pa・l と、飛散量は多少
減少するも使用可能な範囲であった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子管用
ゲッタ装置によれば、大気中で高温加熱を行っても、酸
化ニッケルがほとんど生成されないため、Baの爆発的な
飛散やゲッタ容器の酸化を引き起こすことがなく、よっ
て安定して均一なゲッタフラッシュを起こすことができ
る。従って、本発明のゲッタ装置は、高品位の電子管に
対して特に優れた効果を発揮し、電子管の品質および信
頼性の向上に大きく寄与するものである。
ゲッタ装置によれば、大気中で高温加熱を行っても、酸
化ニッケルがほとんど生成されないため、Baの爆発的な
飛散やゲッタ容器の酸化を引き起こすことがなく、よっ
て安定して均一なゲッタフラッシュを起こすことができ
る。従って、本発明のゲッタ装置は、高品位の電子管に
対して特に優れた効果を発揮し、電子管の品質および信
頼性の向上に大きく寄与するものである。
【００２５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 29/94 H01J 7/18
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製のゲッタ容器内にゲッタ材を充填
してなる電子管用ゲッタ装置において、 前記ゲッタ材は、少なくとも Ba-Al合金粉末と Ni-Al合
金粉末とを含むことを特徴とする電子管用ゲッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31963293A JP3290789B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子管用ゲッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31963293A JP3290789B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子管用ゲッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176278A JPH07176278A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3290789B2 true JP3290789B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=18112465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31963293A Expired - Fee Related JP3290789B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 電子管用ゲッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290789B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101747451B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2017-06-27 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 전자 장치용의 개선된 전극들에 대한 제형들 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP31963293A patent/JP3290789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101747451B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2017-06-27 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 전자 장치용의 개선된 전극들에 대한 제형들 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176278A (ja) | 1995-07-14 |
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