JP3287303B2 - 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品Info
- Publication number
- JP3287303B2 JP3287303B2 JP06397798A JP6397798A JP3287303B2 JP 3287303 B2 JP3287303 B2 JP 3287303B2 JP 06397798 A JP06397798 A JP 06397798A JP 6397798 A JP6397798 A JP 6397798A JP 3287303 B2 JP3287303 B2 JP 3287303B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- ceramic
- composition
- dielectric
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
- C04B2235/3218—Aluminium (oxy)hydroxides, e.g. boehmite, gibbsite, alumina sol
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
- C04B2235/3463—Alumino-silicates other than clay, e.g. mullite
- C04B2235/3481—Alkaline earth metal alumino-silicates other than clay, e.g. cordierite, beryl, micas such as margarite, plagioclase feldspars such as anorthite, zeolites such as chabazite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
- C04B2235/365—Borosilicate glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器組成物お
よびそれを用いたセラミック電子部品に関し、特にマイ
クロ波やミリ波などの高周波領域で高いＱ値を有し、温
度補償用低温焼結誘電体磁器組成物として有用なガラス
セラミックス材料としての誘電体磁器組成物およびそれ
を用いた積層コンデンサなどのセラミック電子部品に関
するものである。
よびそれを用いたセラミック電子部品に関し、特にマイ
クロ波やミリ波などの高周波領域で高いＱ値を有し、温
度補償用低温焼結誘電体磁器組成物として有用なガラス
セラミックス材料としての誘電体磁器組成物およびそれ
を用いた積層コンデンサなどのセラミック電子部品に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信の高周波化、高速化に伴い、
高周波で高Ｑ値を有する誘電体磁器が要求されている。
従来、高周波で高Ｑ値の材料としては、Ｂａ−Ｎｄ−Ｐ
ｂ−Ｔｉ−Ｏなどの共振器材料が、低温焼結基板材料と
してはアルミナほうケイ酸ガラスセラミック基板が知ら
れている。
高周波で高Ｑ値を有する誘電体磁器が要求されている。
従来、高周波で高Ｑ値の材料としては、Ｂａ−Ｎｄ−Ｐ
ｂ−Ｔｉ−Ｏなどの共振器材料が、低温焼結基板材料と
してはアルミナほうケイ酸ガラスセラミック基板が知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、共振器
材料においてはＱは高いが、１０５０℃以下の低温焼結
が困難であり、Ａｇ，Ｃｕなどの電極材料を使用できな
い。また、低温焼結のアルミナガラスセラミックスで
は、Ｑが低いという問題を有している。
材料においてはＱは高いが、１０５０℃以下の低温焼結
が困難であり、Ａｇ，Ｃｕなどの電極材料を使用できな
い。また、低温焼結のアルミナガラスセラミックスで
は、Ｑが低いという問題を有している。
【０００４】それゆえに、本発明の主たる目的は、低温
焼結が可能で高周波領域において高いＱ値を有し、温度
特性が良好である新規な誘電体磁器組成物およびセラミ
ック電子部品を提供することである。
焼結が可能で高周波領域において高いＱ値を有し、温度
特性が良好である新規な誘電体磁器組成物およびセラミ
ック電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる誘電体磁
器組成物は、ＳｉＯ 2 と、Ｂ 2 Ｏ 3 およびＫ 2 Ｏのうち
少なくとも一方とを含有し、ＳｉＯ 2 と、Ｂ 2 Ｏ 3 と、
Ｋ 2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ 2 ，Ｂ 2 Ｏ 3 ，
Ｋ 2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｆ（６５，３５，
０）、点Ｇ（６５，２０，１５）、点Ｈ（８５，０，１
５）および点Ｉ（８５，１５，０）を頂点とした多角形
で囲まれた領域内にあるケイ酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ
−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、ＴｉＯ2 とからなり、ケイ
酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、
ＴｉＯ 2 との重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓ
ｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ 2 ）が、３元
組成図において、点Ａ（１００，０，０）、点Ｂ（３
０，７０，０）および点Ｃ（３０，０，７０）を頂点と
した多角形で囲まれた領域内にある、誘電体磁器組成物
である。本発明にかかる誘電体磁器組成物において、ケ
イ酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック
と、ＴｉＯ2 との重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
が、３元組成図において、点Ａ′（１００，０，０）、
点Ｂ′（３０，７０，０）、点Ｃ′（３０，３０，４
０）および点Ｄ′（８０，０，２０）を頂点とした多角
形で囲まれた領域内にあることが好ましい。また、本発
明にかかる誘電体磁器組成物において、ケイ酸塩ガラス
と、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、ＴｉＯ2 と
の重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）が、３元組成図にお
いて、点Ａ″（１００，０，０）、点Ｂ″（４０，６
０，０）、点Ｃ″（３０，６５，５）、点Ｄ″（３０，
５０，２０）および点Ｅ（８５，０，１５）を頂点とし
た多角形で囲まれた領域内にあることがより好ましい。
また、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｋ
2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ
2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｊ（７５，２４．
５，０．５）、点Ｋ（７５，２２，３）、点Ｌ（８５，
１２，３）および点Ｍ（８５，１４．５，０．５）を頂
点とした多角形で囲まれた領域内にあることが好まし
い。さらに、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3
およびＫ2 Ｏのうち少なくとも一方とを含有する主成分
１００ｗｔ％に対して、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2
Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ3 およびそれらの化合物の
うち少なくとも１種を５ｗｔ％以下の割合で含有するこ
とが好ましい。また、本発明にかかる誘電体磁器組成物
において、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックは、モル
％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）が、
３元組成図において、点Ｎ（１００，０，０）、点Ｏ
（５０，５０，０）、点Ｐ（０，５０，５０）および点
Ｑ（０，０，１００）を頂点とした多角形で囲まれた領
域内にあることが好ましい。また、本発明にかかるセラ
ミック電子部品は、上述のうちのいずれかの誘電体磁器
組成物を用いて形成された誘電体層を含む、セラミック
電子部品である。さらに、本発明にかかる積層セラミッ
クコンデンサは、上述のうちのいずれかの誘電体磁器組
成物を用いて形成された誘電体層を含む、積層セラミッ
クコンデンサである。
器組成物は、ＳｉＯ 2 と、Ｂ 2 Ｏ 3 およびＫ 2 Ｏのうち
少なくとも一方とを含有し、ＳｉＯ 2 と、Ｂ 2 Ｏ 3 と、
Ｋ 2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ 2 ，Ｂ 2 Ｏ 3 ，
Ｋ 2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｆ（６５，３５，
０）、点Ｇ（６５，２０，１５）、点Ｈ（８５，０，１
５）および点Ｉ（８５，１５，０）を頂点とした多角形
で囲まれた領域内にあるケイ酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ
−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、ＴｉＯ2 とからなり、ケイ
酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、
ＴｉＯ 2 との重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓ
ｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ 2 ）が、３元
組成図において、点Ａ（１００，０，０）、点Ｂ（３
０，７０，０）および点Ｃ（３０，０，７０）を頂点と
した多角形で囲まれた領域内にある、誘電体磁器組成物
である。本発明にかかる誘電体磁器組成物において、ケ
イ酸塩ガラスと、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック
と、ＴｉＯ2 との重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
が、３元組成図において、点Ａ′（１００，０，０）、
点Ｂ′（３０，７０，０）、点Ｃ′（３０，３０，４
０）および点Ｄ′（８０，０，２０）を頂点とした多角
形で囲まれた領域内にあることが好ましい。また、本発
明にかかる誘電体磁器組成物において、ケイ酸塩ガラス
と、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、ＴｉＯ2 と
の重量％で示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）が、３元組成図にお
いて、点Ａ″（１００，０，０）、点Ｂ″（４０，６
０，０）、点Ｃ″（３０，６５，５）、点Ｄ″（３０，
５０，２０）および点Ｅ（８５，０，１５）を頂点とし
た多角形で囲まれた領域内にあることがより好ましい。
また、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｋ
2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ
2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｊ（７５，２４．
５，０．５）、点Ｋ（７５，２２，３）、点Ｌ（８５，
１２，３）および点Ｍ（８５，１４．５，０．５）を頂
点とした多角形で囲まれた領域内にあることが好まし
い。さらに、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3
およびＫ2 Ｏのうち少なくとも一方とを含有する主成分
１００ｗｔ％に対して、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2
Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ3 およびそれらの化合物の
うち少なくとも１種を５ｗｔ％以下の割合で含有するこ
とが好ましい。また、本発明にかかる誘電体磁器組成物
において、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックは、モル
％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）が、
３元組成図において、点Ｎ（１００，０，０）、点Ｏ
（５０，５０，０）、点Ｐ（０，５０，５０）および点
Ｑ（０，０，１００）を頂点とした多角形で囲まれた領
域内にあることが好ましい。また、本発明にかかるセラ
ミック電子部品は、上述のうちのいずれかの誘電体磁器
組成物を用いて形成された誘電体層を含む、セラミック
電子部品である。さらに、本発明にかかる積層セラミッ
クコンデンサは、上述のうちのいずれかの誘電体磁器組
成物を用いて形成された誘電体層を含む、積層セラミッ
クコンデンサである。
【０００６】本発明の上述の目的，その他の目的，特徴
および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細
な説明から一層明らかとなろう。
および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細
な説明から一層明らかとなろう。
【０００７】
【実施例】（実施例１）ガラス成分の出発原料としてＳ
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備し、
これらをＳｉＯ2 ／Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９／２
（ｗｔ％）のガラス組成となるように混合した後、得ら
れた混合物を１５００〜１７５０℃の温度下で溶融させ
て溶融ガラスを作製した。この溶融ガラスを冷却ロール
にて急冷した後粉砕して、ガラス粉末を得た。次に、セ
ラミック成分の出発原料としてＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 お
よびＡｌ（ＯＨ）3 をそれぞれ準備し、これらをＭｇＯ
／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ＝６４／３１／５（ｍｏｌ％）
のセラミック組成となるように秤量し、湿式混合した
後、乾燥し、１２００〜１５５０℃で焼成し、セラミッ
クを得た。このセラミックを粉砕して、セラミック粉末
を得た。次に、ガラス粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セ
ラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末を表１に示す組成となるよ
うに調合し、ジルコニアボールミルなどで３〜４時間湿
式混合してガラス粉末とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミ
ック粉末およびＴｉＯ2粉末の均質な混合粉末を得た。
その後、これら混合粉末に有機バインダーおよび溶媒の
トルエンを添加混合して、ボールミルで十分混練し、均
一に分散させて減圧下で脱泡処理してスラリーを調整し
た。なお、バインダー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒク
ル類は、通常用いられるもので十分であり、その成分に
ついては特別の限定を要しない。そして、そのスラリー
からドクターブレードを用いたキャスティング法によ
り、フィルム上に０．２ｍｍ厚のセラミックグリーンシ
ートを作製し、このセラミックグリーンシートを乾燥さ
せた後、フィルムから剥がし、これを打ち抜いて所定の
大きさのセラミックグリーンシートとした。そしてこの
セラミックグリーンシートを複数枚積層し、プレス成形
してセラミック成形体とした。次に、これらのセラミッ
ク成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇温し、表１に示す
温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。これら
のセラミック焼結体について、比誘電率、Ｑ、温度特性
を評価した。すなわち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６３
５ｍｍの試料を用い、接動法にて、３ＧＨｚの条件で、
比誘電率、Ｑを評価した。また、１０ｍｍ×１０ｍｍ×
０．５ｍｍ両面にＩｎＧａ電極を塗布した試料を用い、
ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓ、
基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電容量の温度特性
（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表２に示す。なお、
表中、試料番号に＊印を付したもの以外は、好ましい組
成範囲のものである。
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備し、
これらをＳｉＯ2 ／Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９／２
（ｗｔ％）のガラス組成となるように混合した後、得ら
れた混合物を１５００〜１７５０℃の温度下で溶融させ
て溶融ガラスを作製した。この溶融ガラスを冷却ロール
にて急冷した後粉砕して、ガラス粉末を得た。次に、セ
ラミック成分の出発原料としてＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 お
よびＡｌ（ＯＨ）3 をそれぞれ準備し、これらをＭｇＯ
／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ＝６４／３１／５（ｍｏｌ％）
のセラミック組成となるように秤量し、湿式混合した
後、乾燥し、１２００〜１５５０℃で焼成し、セラミッ
クを得た。このセラミックを粉砕して、セラミック粉末
を得た。次に、ガラス粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セ
ラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末を表１に示す組成となるよ
うに調合し、ジルコニアボールミルなどで３〜４時間湿
式混合してガラス粉末とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミ
ック粉末およびＴｉＯ2粉末の均質な混合粉末を得た。
その後、これら混合粉末に有機バインダーおよび溶媒の
トルエンを添加混合して、ボールミルで十分混練し、均
一に分散させて減圧下で脱泡処理してスラリーを調整し
た。なお、バインダー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒク
ル類は、通常用いられるもので十分であり、その成分に
ついては特別の限定を要しない。そして、そのスラリー
からドクターブレードを用いたキャスティング法によ
り、フィルム上に０．２ｍｍ厚のセラミックグリーンシ
ートを作製し、このセラミックグリーンシートを乾燥さ
せた後、フィルムから剥がし、これを打ち抜いて所定の
大きさのセラミックグリーンシートとした。そしてこの
セラミックグリーンシートを複数枚積層し、プレス成形
してセラミック成形体とした。次に、これらのセラミッ
ク成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇温し、表１に示す
温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。これら
のセラミック焼結体について、比誘電率、Ｑ、温度特性
を評価した。すなわち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６３
５ｍｍの試料を用い、接動法にて、３ＧＨｚの条件で、
比誘電率、Ｑを評価した。また、１０ｍｍ×１０ｍｍ×
０．５ｍｍ両面にＩｎＧａ電極を塗布した試料を用い、
ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓ、
基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電容量の温度特性
（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表２に示す。なお、
表中、試料番号に＊印を付したもの以外は、好ましい組
成範囲のものである。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】表２から明らかなように、本発明にかかる
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
【００１１】（実施例２）ガラス成分の出発原料として
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3、Ｎａ
2 ＣＯ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＣＯ3 、Ｚｎ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2
Ｏ3 をそれぞれ準備し、これらを表３のガラス組成とな
るように混合した後、得られた混合物を１５００〜１７
５０℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを作製した。こ
の溶融ガラスを冷却ロールにて急冷した後粉砕して、ガ
ラス粉末を得た。次に、セラミック成分の出発原料とし
てＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 をそれぞ
れ準備し、これらをＭｇＯ／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ＝６
４／３１／５（ｍｏｌ％）のセラミック組成となるよう
に秤量し、湿式混合した後、乾燥し、１２００〜１５５
０℃で焼成し、セラミックを得た。このセラミックを粉
砕して、セラミック粉末を得た。次に、ガラス粉末／Ｓ
ｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末＝
６０／３０／１０重量比となるように調合し、ジルコニ
アボールミルなどで３〜４時間湿式混合してガラス粉末
とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末およびＴｉＯ
2 粉末の均質な混合粉末を得た。その後、これら混合粉
末に有機バインダーおよび溶媒のトルエンを添加混合し
て、ボールミルで十分混練し、均一に分散させて減圧下
で脱泡処理してスラリーを調整した。なお、バインダ
ー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクル類は、通常用いら
れるもので十分であり、その成分については特別の限定
を要しない。そして、そのスラリーから、ドクターブレ
ードを用いたキャスティング法により、フィルム上に
０．２ｍｍ厚のセラミックグリーンシートを作製し、こ
のセラミックグリーンシートを乾燥させた後、フィルム
から剥がし、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミッ
クグリーンシートとした。そしてこのセラミックグリー
ンシートを複数枚積層し、プレス成形してセラミック成
形体とした。次に、これらのセラミック成形体を２００
℃／ｈｒの速度で昇温し、表４に示す温度で２時間焼成
し、セラミック焼結体を得た。これらのセラミック焼結
体について、比誘電率、Ｑ、温度特性を評価した。すな
わち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６３５ｍｍの試料を用
い、接動法にて、３ＧＨｚの条件で、比誘電率、Ｑを評
価した。また、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍ両面に
ＩｎＧａ電極を塗布した試料を用い、ＬＣＲメーターに
て周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓ、基準温度２０℃で
−２５〜８５℃の静電容量の温度特性（ＴＣＣ）を評価
した。その結果を表４に示す。なお表中、試料番号に＊
印を付したもの以外は、好ましい組成範囲のものであ
る。
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3、Ｎａ
2 ＣＯ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＣＯ3 、Ｚｎ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 およびＮｄ2
Ｏ3 をそれぞれ準備し、これらを表３のガラス組成とな
るように混合した後、得られた混合物を１５００〜１７
５０℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを作製した。こ
の溶融ガラスを冷却ロールにて急冷した後粉砕して、ガ
ラス粉末を得た。次に、セラミック成分の出発原料とし
てＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 をそれぞ
れ準備し、これらをＭｇＯ／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ＝６
４／３１／５（ｍｏｌ％）のセラミック組成となるよう
に秤量し、湿式混合した後、乾燥し、１２００〜１５５
０℃で焼成し、セラミックを得た。このセラミックを粉
砕して、セラミック粉末を得た。次に、ガラス粉末／Ｓ
ｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末＝
６０／３０／１０重量比となるように調合し、ジルコニ
アボールミルなどで３〜４時間湿式混合してガラス粉末
とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末およびＴｉＯ
2 粉末の均質な混合粉末を得た。その後、これら混合粉
末に有機バインダーおよび溶媒のトルエンを添加混合し
て、ボールミルで十分混練し、均一に分散させて減圧下
で脱泡処理してスラリーを調整した。なお、バインダ
ー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクル類は、通常用いら
れるもので十分であり、その成分については特別の限定
を要しない。そして、そのスラリーから、ドクターブレ
ードを用いたキャスティング法により、フィルム上に
０．２ｍｍ厚のセラミックグリーンシートを作製し、こ
のセラミックグリーンシートを乾燥させた後、フィルム
から剥がし、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミッ
クグリーンシートとした。そしてこのセラミックグリー
ンシートを複数枚積層し、プレス成形してセラミック成
形体とした。次に、これらのセラミック成形体を２００
℃／ｈｒの速度で昇温し、表４に示す温度で２時間焼成
し、セラミック焼結体を得た。これらのセラミック焼結
体について、比誘電率、Ｑ、温度特性を評価した。すな
わち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６３５ｍｍの試料を用
い、接動法にて、３ＧＨｚの条件で、比誘電率、Ｑを評
価した。また、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍ両面に
ＩｎＧａ電極を塗布した試料を用い、ＬＣＲメーターに
て周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓ、基準温度２０℃で
−２５〜８５℃の静電容量の温度特性（ＴＣＣ）を評価
した。その結果を表４に示す。なお表中、試料番号に＊
印を付したもの以外は、好ましい組成範囲のものであ
る。
【００１２】
【表３】
【００１３】
【表４】
【００１４】表４から明らかなように、本発明にかかる
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
【００１５】（実施例３）ガラス成分の出発原料として
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備
し、これらをＳｉＯ2 ／Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９
／２（ｗｔ％）のガラス組成となるように混合した後、
得られた混合物を１５００〜１７５０℃の温度下で溶融
させて溶融ガラスを作製した。この溶融ガラスを冷却ロ
ールにて急冷した後粉砕して、ガラス粉末を得た。次
に、セラミック成分の出発原料としてＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 およびＭｇＣＯ3 をそれぞれ準備し、これらを表５
のセラミック組成となるように秤量し、湿式混合した
後、乾燥し、１２００〜１５５０℃で焼成し、セラミッ
クを得た。このセラミックを粉砕して、セラミック粉末
を得た。次に、ガラス粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セ
ラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末＝６０／３０／１０重量比
となるように調合し、ジルコニアボールミルなどで３〜
４時間湿式混合してガラス粉末とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ
系セラミック粉末およびＴｉＯ2 粉末の均質な混合粉末
を得た。その後、これら混合粉末に有機バインダーおよ
び溶媒のトルエンを添加混合して、ボールミルで十分混
練し、均一に分散させて減圧下で脱泡処理してスラリー
を調整した。なお、バインダー、溶媒、可塑剤などの有
機ビヒクル類は、通常用いられるもので十分であり、そ
の成分については特別の限定を要しない。そして、その
スラリーからドクターブレードを用いたキャスティング
法により、フィルム上に０．２ｍｍ厚のセラミックグリ
ーンシートを作製し、このセラミックグリーンシートを
乾燥させた後、フィルムから剥がし、これを打ち抜いて
所定の大きさのセラミックグリーンシートとした。そし
てこのセラミックグリーンシートを複数枚積層し、プレ
ス成形してセラミック成形体とした。次に、これらのセ
ラミック成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇温し、表６
に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。
これらのセラミック焼結体について、比誘電率、Ｑ、温
度特性を評価した。すなわち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×
０．６３５ｍｍの試料を用い、接動法にて、３ＧＨｚの
条件で、比誘電率、Ｑを評価した。また、１０ｍｍ×１
０ｍｍ×０．５ｍｍ両面にＩｎＧａ電極を塗布した試料
を用い、ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖ
ｒｍｓ、基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電容量の
温度特性（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表６に示
す。なお表中、試料番号に＊印を付したもの以外は、好
ましい組成範囲のものである。
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備
し、これらをＳｉＯ2 ／Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９
／２（ｗｔ％）のガラス組成となるように混合した後、
得られた混合物を１５００〜１７５０℃の温度下で溶融
させて溶融ガラスを作製した。この溶融ガラスを冷却ロ
ールにて急冷した後粉砕して、ガラス粉末を得た。次
に、セラミック成分の出発原料としてＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 およびＭｇＣＯ3 をそれぞれ準備し、これらを表５
のセラミック組成となるように秤量し、湿式混合した
後、乾燥し、１２００〜１５５０℃で焼成し、セラミッ
クを得た。このセラミックを粉砕して、セラミック粉末
を得た。次に、ガラス粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セ
ラミック粉末／ＴｉＯ2 粉末＝６０／３０／１０重量比
となるように調合し、ジルコニアボールミルなどで３〜
４時間湿式混合してガラス粉末とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ
系セラミック粉末およびＴｉＯ2 粉末の均質な混合粉末
を得た。その後、これら混合粉末に有機バインダーおよ
び溶媒のトルエンを添加混合して、ボールミルで十分混
練し、均一に分散させて減圧下で脱泡処理してスラリー
を調整した。なお、バインダー、溶媒、可塑剤などの有
機ビヒクル類は、通常用いられるもので十分であり、そ
の成分については特別の限定を要しない。そして、その
スラリーからドクターブレードを用いたキャスティング
法により、フィルム上に０．２ｍｍ厚のセラミックグリ
ーンシートを作製し、このセラミックグリーンシートを
乾燥させた後、フィルムから剥がし、これを打ち抜いて
所定の大きさのセラミックグリーンシートとした。そし
てこのセラミックグリーンシートを複数枚積層し、プレ
ス成形してセラミック成形体とした。次に、これらのセ
ラミック成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇温し、表６
に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。
これらのセラミック焼結体について、比誘電率、Ｑ、温
度特性を評価した。すなわち、５０ｍｍ×５０ｍｍ×
０．６３５ｍｍの試料を用い、接動法にて、３ＧＨｚの
条件で、比誘電率、Ｑを評価した。また、１０ｍｍ×１
０ｍｍ×０．５ｍｍ両面にＩｎＧａ電極を塗布した試料
を用い、ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖ
ｒｍｓ、基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電容量の
温度特性（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表６に示
す。なお表中、試料番号に＊印を付したもの以外は、好
ましい組成範囲のものである。
【００１６】
【表５】
【００１７】
【表６】
【００１８】表６から明らかなように、本発明にかかる
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物は、１０５０℃
以下の比較的低い温度で焼成しても、焼結性が良く、高
Ｑであり、温度特性も良好である。
【００１９】（実施例４）本発明の誘電体磁器組成物を
用いた積層セラミックコンデンサの製造方法を以下に示
す。ガラス成分の出発原料としてＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 お
よびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備し、これらをＳｉＯ2 ／
Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９／２（ｗｔ％）のガラス
組成となるように混合した後、得られた混合物を１５０
０〜１７５０℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを作製
した。この溶融ガラスを冷却ロールにて急冷した後粉砕
して、ガラス粉末を得た。次に、セラミック成分の出発
原料としてＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3
をそれぞれ準備し、これらをＭｇＯ／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2
Ｏ3 ＝６４／３１／５（ｍｏｌ％）のセラミック組成と
なるように秤量し、湿式混合した後、乾燥し、１２００
〜１５５０℃で焼成し、セラミックを得た。このセラミ
ックを粉砕して、セラミック粉末を得た。次に、ガラス
粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末／ＴｉＯ
2 粉末を表７に示す組成となるように調合し、ジルコニ
アボールミルなどで３〜４時間湿式混合してガラス粉末
とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末およびＴｉＯ
2粉末の均質な混合粉末を得た。その後、これら混合粉
末に有機バインダーおよび溶媒のトルエンを添加混合し
て、ボールミルで十分混練し、均一に分散させて減圧下
で脱泡処理してスラリーを調整した。なお、バインダ
ー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクル類は、通常用いら
れるもので十分であり、その成分については特別の限定
を要しない。そして、そのスラリーからドクターブレー
ドを用いたキャスティング法により、フィルム上に１０
〜１００μｍ厚のセラミックグリーンシートを作製し、
このセラミックグリーンシートを乾燥させた後、フィル
ムから剥がし、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミ
ックグリーンシートとした。そしてこのセラミックグリ
ーンシート上にＡｇ電極を印刷乾燥し、容量値１０ｐＦ
となるよう複数枚積層し、プレス成形して成形体とし
た。次に、これらの成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇
温し、表７に示す温度で１時間焼成し、セラミック焼結
体を得た。これらのセラミック焼結体について、容量
値、Ｑ、温度特性を評価した。すなわち、インピーダン
スアナライザにて、１ＧＨｚの条件で、容量値、Ｑを評
価した。また、ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電
圧１Ｖｒｍｓ、基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電
容量の温度特性（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表８
に示す。
用いた積層セラミックコンデンサの製造方法を以下に示
す。ガラス成分の出発原料としてＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 お
よびＫ2 ＣＯ3 をそれぞれ準備し、これらをＳｉＯ2 ／
Ｂ2 Ｏ3 ／Ｋ2 Ｏ＝７９／１９／２（ｗｔ％）のガラス
組成となるように混合した後、得られた混合物を１５０
０〜１７５０℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを作製
した。この溶融ガラスを冷却ロールにて急冷した後粉砕
して、ガラス粉末を得た。次に、セラミック成分の出発
原料としてＭｇＣＯ3 、ＳｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3
をそれぞれ準備し、これらをＭｇＯ／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2
Ｏ3 ＝６４／３１／５（ｍｏｌ％）のセラミック組成と
なるように秤量し、湿式混合した後、乾燥し、１２００
〜１５５０℃で焼成し、セラミックを得た。このセラミ
ックを粉砕して、セラミック粉末を得た。次に、ガラス
粉末／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末／ＴｉＯ
2 粉末を表７に示す組成となるように調合し、ジルコニ
アボールミルなどで３〜４時間湿式混合してガラス粉末
とＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック粉末およびＴｉＯ
2粉末の均質な混合粉末を得た。その後、これら混合粉
末に有機バインダーおよび溶媒のトルエンを添加混合し
て、ボールミルで十分混練し、均一に分散させて減圧下
で脱泡処理してスラリーを調整した。なお、バインダ
ー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクル類は、通常用いら
れるもので十分であり、その成分については特別の限定
を要しない。そして、そのスラリーからドクターブレー
ドを用いたキャスティング法により、フィルム上に１０
〜１００μｍ厚のセラミックグリーンシートを作製し、
このセラミックグリーンシートを乾燥させた後、フィル
ムから剥がし、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミ
ックグリーンシートとした。そしてこのセラミックグリ
ーンシート上にＡｇ電極を印刷乾燥し、容量値１０ｐＦ
となるよう複数枚積層し、プレス成形して成形体とし
た。次に、これらの成形体を２００℃／ｈｒの速度で昇
温し、表７に示す温度で１時間焼成し、セラミック焼結
体を得た。これらのセラミック焼結体について、容量
値、Ｑ、温度特性を評価した。すなわち、インピーダン
スアナライザにて、１ＧＨｚの条件で、容量値、Ｑを評
価した。また、ＬＣＲメーターにて周波数１ＭＨｚ、電
圧１Ｖｒｍｓ、基準温度２０℃で−２５〜８５℃の静電
容量の温度特性（ＴＣＣ）を評価した。その結果を表８
に示す。
【００２０】
【表７】
【００２１】
【表８】
【００２２】表８から明らかなように、本発明にかかる
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物を用いた積層セ
ラミックコンデンサは、低温焼結可能でＡｇなどの電極
を使用でき、高Ｑであり、温度特性を容易にコントロー
ルできる。
温度補償用の低温焼結誘電体磁器組成物を用いた積層セ
ラミックコンデンサは、低温焼結可能でＡｇなどの電極
を使用でき、高Ｑであり、温度特性を容易にコントロー
ルできる。
【００２３】表２、表４、および表６から明らかなよう
に、本発明によれば、１０５０℃以下の比較的低い温度
で焼成可能であり、たとえば３ＧＨｚにてεｒ＜３０、
Ｑ＞５００であり、ＴＣＣ±５００である温度補償用の
誘電体磁器組成物を得ることができる。
に、本発明によれば、１０５０℃以下の比較的低い温度
で焼成可能であり、たとえば３ＧＨｚにてεｒ＜３０、
Ｑ＞５００であり、ＴＣＣ±５００である温度補償用の
誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２４】次に、ガラス／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セ
ラミック／ＴｉＯ2 の組成範囲を限定した理由を図１の
３元組成図に基づいて説明する。ガラスとＳｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
は、図１に示す３元組成図において、点Ａ（１００，
０，０）、点Ｂ（３０，７０，０）および点Ｃ（３０，
０，７０）で囲まれた領域内にあることが好ましい。本
発明の範囲外では、表２の試料１１および試料１２から
明らかなように１０５０℃以下の温度で焼結不可能とな
るため、好ましくない。さらに、ガラスとＳｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
は、図１に示す３元組成図において、点Ａ′（１００，
０，０）、点Ｂ′（３０，７０，０）、点Ｃ′（３０，
３０，４０）および点Ｄ′（８０，０，２０）で囲まれ
た領域内にあることが好ましい。本領域内においては、
表２の試料１、２、４および５から明らかなように温度
特性が±３００ｐｐｍ／℃の範囲内となり、温度特性が
良好である。さらに、ガラスとＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系
セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラス，Ｓｉ−Ｍ
ｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）は、図１に示す
３元組成図において、点Ａ″（１００，０，０）、点
Ｂ″（４０，６０，０）、点Ｃ″（３０，６５，５）、
点Ｄ″（３０，５０，２０）および点Ｅ（８５，０，１
５）で囲まれた領域内にあることがより好ましい。本領
域内においては、表２の試料１、６〜９から明らかなよ
うに温度特性が±１００ｐｐｍ／℃の範囲内となり、さ
らに温度特性が良好である。
ラミック／ＴｉＯ2 の組成範囲を限定した理由を図１の
３元組成図に基づいて説明する。ガラスとＳｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
は、図１に示す３元組成図において、点Ａ（１００，
０，０）、点Ｂ（３０，７０，０）および点Ｃ（３０，
０，７０）で囲まれた領域内にあることが好ましい。本
発明の範囲外では、表２の試料１１および試料１２から
明らかなように１０５０℃以下の温度で焼結不可能とな
るため、好ましくない。さらに、ガラスとＳｉ−Ｍｇ−
Ａｌ−Ｏ系セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラ
ス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）
は、図１に示す３元組成図において、点Ａ′（１００，
０，０）、点Ｂ′（３０，７０，０）、点Ｃ′（３０，
３０，４０）および点Ｄ′（８０，０，２０）で囲まれ
た領域内にあることが好ましい。本領域内においては、
表２の試料１、２、４および５から明らかなように温度
特性が±３００ｐｐｍ／℃の範囲内となり、温度特性が
良好である。さらに、ガラスとＳｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系
セラミックおよびＴｉＯ2 の組成比（ガラス，Ｓｉ−Ｍ
ｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック，ＴｉＯ2 ）は、図１に示す
３元組成図において、点Ａ″（１００，０，０）、点
Ｂ″（４０，６０，０）、点Ｃ″（３０，６５，５）、
点Ｄ″（３０，５０，２０）および点Ｅ（８５，０，１
５）で囲まれた領域内にあることがより好ましい。本領
域内においては、表２の試料１、６〜９から明らかなよ
うに温度特性が±１００ｐｐｍ／℃の範囲内となり、さ
らに温度特性が良好である。
【００２５】次に、ガラスの組成範囲を限定した理由を
図２の３元組成図に基づいて以下に説明する。本発明に
かかる誘電体磁器組成物に含まれるガラスはケイ酸塩ガ
ラスであることが好ましい。そして、ケイ酸塩ガラス
は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの組成
比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図２に示す３元
組成図において、点Ｆ（６５，３５，０）、点Ｇ（６
５，２０，１５）、点Ｈ（８５，０，１５）および点Ｉ
（８５，１５，０）で囲まれた領域内にあることが好ま
しい。この範囲外の領域Ｘ、領域Ｙでは、表４に示した
試料１３および試料１６からわかるように、Ｑ値は３Ｇ
Ｈｚにおいて５００以下と低くなり好ましくない。ま
た、領域Ｚでは、表４に示した試料２３からわかるよう
に、１０５０℃以下での焼結が不可能となるため好まし
くない。さらに、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏとの
組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）は、図２に示す
３元組成図において、点Ｊ（７５，２４．５，０．
５）、点Ｋ（７５，２２，３）、点Ｌ（８５，１２，
３）および点Ｍ（８５，１４．５，０．５）で囲まれた
領域内にあることが好ましい。本領域内では、表３に示
した試料２４、試料２５、試料２６および試料２７から
かわるように軟化点が７５０℃〜９４０℃にあるため、
９５０℃以下の温度で形成でき作業性が良好であり、電
極材料など、他の材料との反応性が非常に小さい。さら
に、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2
Ｏの少なくとも一方とを含む主成分１００ｗｔ％に対し
て、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂ
ａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｎｄ2 Ｏ3およびそれらの化合物の少なくとも１種を５
ｗｔ％以下の割合で含有することが好ましい。本添加剤
の限定理由は表４のＱ値、温度特性（ＴＣＣ）からわか
るように、主成分１００ｗｔ％に対し、１１種のうち少
なくとも１種の添加剤を５ｗｔ％以下の割合で添加させ
ても、Ｑ値および温度特性が顕著に劣化せず、良好な特
性が得られるからである。
図２の３元組成図に基づいて以下に説明する。本発明に
かかる誘電体磁器組成物に含まれるガラスはケイ酸塩ガ
ラスであることが好ましい。そして、ケイ酸塩ガラス
は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの組成
比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図２に示す３元
組成図において、点Ｆ（６５，３５，０）、点Ｇ（６
５，２０，１５）、点Ｈ（８５，０，１５）および点Ｉ
（８５，１５，０）で囲まれた領域内にあることが好ま
しい。この範囲外の領域Ｘ、領域Ｙでは、表４に示した
試料１３および試料１６からわかるように、Ｑ値は３Ｇ
Ｈｚにおいて５００以下と低くなり好ましくない。ま
た、領域Ｚでは、表４に示した試料２３からわかるよう
に、１０５０℃以下での焼結が不可能となるため好まし
くない。さらに、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏとの
組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）は、図２に示す
３元組成図において、点Ｊ（７５，２４．５，０．
５）、点Ｋ（７５，２２，３）、点Ｌ（８５，１２，
３）および点Ｍ（８５，１４．５，０．５）で囲まれた
領域内にあることが好ましい。本領域内では、表３に示
した試料２４、試料２５、試料２６および試料２７から
かわるように軟化点が７５０℃〜９４０℃にあるため、
９５０℃以下の温度で形成でき作業性が良好であり、電
極材料など、他の材料との反応性が非常に小さい。さら
に、ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2
Ｏの少なくとも一方とを含む主成分１００ｗｔ％に対し
て、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂ
ａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、
Ｎｄ2 Ｏ3およびそれらの化合物の少なくとも１種を５
ｗｔ％以下の割合で含有することが好ましい。本添加剤
の限定理由は表４のＱ値、温度特性（ＴＣＣ）からわか
るように、主成分１００ｗｔ％に対し、１１種のうち少
なくとも１種の添加剤を５ｗｔ％以下の割合で添加させ
ても、Ｑ値および温度特性が顕著に劣化せず、良好な特
性が得られるからである。
【００２６】次に、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック
材料の組成範囲を限定した理由を図３の３元組成図に基
づいて以下に説明する。Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミ
ック材料の組成比（ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）
は、図３に示す３元組成図において、点Ｎ（１００，
０，０）、点Ｏ（５０，５０，０）、点Ｐ（０，５０，
５０）および点Ｑ（０，０，１００）で囲まれた領域内
にあることが好ましい。この範囲内では表６からわかる
ように３ＧＨｚにおいて５００を上回るＱ値が得られる
のに対し、この範囲外では、表６に示した試料４９から
わかるように、Ｑ値が低くなり好ましくない。
材料の組成範囲を限定した理由を図３の３元組成図に基
づいて以下に説明する。Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミ
ック材料の組成比（ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）
は、図３に示す３元組成図において、点Ｎ（１００，
０，０）、点Ｏ（５０，５０，０）、点Ｐ（０，５０，
５０）および点Ｑ（０，０，１００）で囲まれた領域内
にあることが好ましい。この範囲内では表６からわかる
ように３ＧＨｚにおいて５００を上回るＱ値が得られる
のに対し、この範囲外では、表６に示した試料４９から
わかるように、Ｑ値が低くなり好ましくない。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、低温焼結が可能であり、高周波領域において、
低誘電率、高Ｑで、温度特性が良好な誘電体磁器組成物
およびセラミック電子部品を得ることができる。
よれば、低温焼結が可能であり、高周波領域において、
低誘電率、高Ｑで、温度特性が良好な誘電体磁器組成物
およびセラミック電子部品を得ることができる。
【図１】ケイ酸塩ガラス／Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラ
ミック／ＴｉＯ2 の組成範囲を示す３元組成図である。
ミック／ＴｉＯ2 の組成範囲を示す３元組成図である。
【図２】ガラスの組成範囲を示す３元組成図である。
【図３】Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックの組成範囲
を示す３元組成図である。
を示す３元組成図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 3/12 ３３３ Ｃ０４Ｂ 35/16 Ｚ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/00 C04B 35/14 - 35/22 C04B 35/46 - 35/478 C03C 3/089 H01B 3/08 - 3/12
Claims (8)
- 【請求項１】 ＳｉＯ 2 と、Ｂ 2 Ｏ 3 およびＫ 2 Ｏのう
ち少なくとも一方とを含有し、前記ＳｉＯ 2 と、前記Ｂ
2 Ｏ 3 と、前記Ｋ 2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ
2 ，Ｂ 2 Ｏ 3 ，Ｋ 2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｆ
（６５，３５，０）、点Ｇ（６５，２０，１５）、点Ｈ
（８５，０，１５）および点Ｉ（８５，１５，０）を頂
点とした多角形で囲まれた領域内にあるケイ酸塩ガラス
と、Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、ＴｉＯ2 と
からなり、前記ケイ酸塩ガラスと、前記Ｓｉ−Ｍｇ−Ａ
ｌ−Ｏ系セラミックと、前記ＴｉＯ 2 との重量％で示す
組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラ
ミック，ＴｉＯ 2 ）が、３元組成図において、点Ａ（１
００，０，０）、点Ｂ（３０，７０，０）および点Ｃ
（３０，０，７０）を頂点とした多角形で囲まれた領域
内にある、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記ケイ酸塩ガラスと、前記Ｓｉ−Ｍｇ
−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、前記ＴｉＯ2 との重量％で
示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系
セラミック，ＴｉＯ2 ）が、３元組成図において、点
Ａ′（１００，０，０）、点Ｂ′（３０，７０，０）、
点Ｃ′（３０，３０，４０）および点Ｄ′（８０，０，
２０）を頂点とした多角形で囲まれた領域内にある、請
求項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記ケイ酸塩ガラスと、前記Ｓｉ−Ｍｇ
−Ａｌ−Ｏ系セラミックと、前記ＴｉＯ2 との重量％で
示す組成比（ケイ酸塩ガラス，Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系
セラミック，ＴｉＯ2 ）が、３元組成図において、点
Ａ″（１００，０，０）、点Ｂ″（４０，６０，０）、
点Ｃ″（３０，６５，５）、点Ｄ″（３０，５０，２
０）および点Ｅ（８５，０，１５）を頂点とした多角形
で囲まれた領域内にある、請求項１に記載の誘電体磁器
組成物。 - 【請求項４】 前記ＳｉＯ2 と、前記Ｂ2 Ｏ3 と、前記
Ｋ2 Ｏとの重量％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，
Ｋ2 Ｏ）が、３元組成図において、点Ｊ（７５，２４．
５，０．５）、点Ｋ（７５，２２，３）、点Ｌ（８５，
１２，３）および点Ｍ（８５，１４．５，０．５）を頂
点とした多角形で囲まれた領域内にある、請求項１に記
載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記ケイ酸塩ガラスは、ＳｉＯ2 と、 Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏのうち少なくとも一方とを含有す
る主成分１００ｗｔ％に対して、 Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎ
ｄ2 Ｏ3 およびそれらの化合物のうち少なくとも１種を
５ｗｔ％以下の割合で含有する、請求項１ないし請求項
４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｏ系セラミック
は、 モル％で示す組成比（ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）
が、３元組成図において、点Ｎ（１００，０，０）、点
Ｏ（５０，５０，０）、点Ｐ（０，５０，５０）および
点Ｑ（０，０，１００）を頂点とした多角形で囲まれた
領域内にある、請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物を用いて形成した誘電体層を含
む、セラミック電子部品。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物を用いて形成した誘電体層を含
む、積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06397798A JP3287303B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
| US09/258,638 US6316374B1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic element produced from the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06397798A JP3287303B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240760A JPH11240760A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3287303B2 true JP3287303B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=13244863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06397798A Expired - Lifetime JP3287303B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6316374B1 (ja) |
| JP (1) | JP3287303B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3407716B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2003-05-19 | 株式会社村田製作所 | 複合積層電子部品 |
| DE10041554C2 (de) * | 2000-08-24 | 2003-02-27 | Heraeus Gmbh W C | Schichtverbund mit einer Isolationsschicht |
| US6900150B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-05-31 | Cts Corporation | Ceramic composition and method |
| US20070123410A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Morena Robert M | Crystallization-free glass frit compositions and frits made therefrom for microreactor devices |
| CN111675531B (zh) * | 2020-07-01 | 2022-07-19 | 山西省玻璃陶瓷科学研究所（有限公司） | 一种bmt-bzt复合新型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507418B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1996-06-12 | 旭硝子株式会社 | 回路基板用組成物 |
| US5024975A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Co., Inc. | Crystallizable, low dielectric constant, low dielectric loss composition |
| US5212121A (en) * | 1990-06-13 | 1993-05-18 | Mitsui Mining Company, Limited | Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates |
| US5206190A (en) * | 1990-09-04 | 1993-04-27 | Aluminum Company Of America | Dielectric composition containing cordierite and glass |
| US5079194A (en) * | 1990-10-11 | 1992-01-07 | Aluminum Company Of America | Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition |
| JPH0723252B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1995-03-15 | 日本電気株式会社 | 低温焼結性低誘電率無機組成物 |
| US5141899A (en) * | 1991-08-26 | 1992-08-25 | Aluminum Company Of America | Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package containing titanium silicate glass and crystal inhibitor |
| US5242867A (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-07 | Industrial Technology Research Institute | Composition for making multilayer ceramic substrates and dielectric materials with low firing temperature |
| JPH05254923A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Hitachi Ltd | セラミック組成物及びセラミック回路基板 |
| US5498580A (en) * | 1993-03-30 | 1996-03-12 | Sumitomo Metal Industries Ltd. | Ceramic substrate and a method for producing the same |
| US5578533A (en) * | 1993-10-01 | 1996-11-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Ceramic color composition and process for producing a curved surface glass sheet employing it |
| US5821181A (en) * | 1996-04-08 | 1998-10-13 | Motorola Inc. | Ceramic composition |
| JP3419291B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP06397798A patent/JP3287303B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-26 US US09/258,638 patent/US6316374B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11240760A (ja) | 1999-09-07 |
| US6316374B1 (en) | 2001-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4108836B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002104870A (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| EP0960866B1 (en) | Ceramic substrate composition and ceramic circuit component | |
| JP3287303B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 | |
| JP2000143332A (ja) | 低温焼成ガラスセラミックス | |
| JP3419291B2 (ja) | 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板 | |
| JP2781500B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| KR100401943B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 유전체 세라믹의 제조방법 | |
| JP2781503B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP3002613B2 (ja) | マイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ製造のための誘電体磁器組成物及びその製法並びに該誘電体磁器組成物を用いて得られるマイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ及びそれらの製造方法 | |
| JP3085625B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100636543B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JP2781501B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2781502B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP2003095740A (ja) | ガラスセラミック誘電体材料および焼結体 | |
| JP4442077B2 (ja) | 高周波部品用磁器組成物 | |
| JPH11228216A (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた通信機器用デバイス | |
| JP3193157B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| WO2024004822A1 (ja) | 低温焼成セラミック及び電子部品 | |
| KR100823217B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 | |
| JPH0859344A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3411190B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH11171640A (ja) | 低温焼結基板組成物 |