JP3278786B2 - シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 - Google Patents

シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法

Info

Publication number
JP3278786B2
JP3278786B2 JP28398393A JP28398393A JP3278786B2 JP 3278786 B2 JP3278786 B2 JP 3278786B2 JP 28398393 A JP28398393 A JP 28398393A JP 28398393 A JP28398393 A JP 28398393A JP 3278786 B2 JP3278786 B2 JP 3278786B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
quartz crucible
hole
quartz
jig
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP28398393A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06239632A (ja
Inventor
義行 辻
均 竹内
臣 武下
Original Assignee
三菱マテリアルクォーツ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱マテリアルクォーツ株式会社 filed Critical 三菱マテリアルクォーツ株式会社
Priority to JP28398393A priority Critical patent/JP3278786B2/ja
Publication of JPH06239632A publication Critical patent/JPH06239632A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3278786B2 publication Critical patent/JP3278786B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002Crucibles or containers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/09Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
    • C03B19/095Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多結晶シリコンを溶融し
て単結晶シリコンを引上げる際に用いられる石英ルツボ
とその製造方法に関する。詳しくは、ルツボの持運びや
シリコン単結晶引上げ装置への装着などを容易にするた
めルツボの吊下げ用係合手段を設けた石英ルツボとその
製造方法に関する。
【0002】
【従来技術およびその課題】従来、半導体用シリコン単
結晶は、加熱用のカーボンルツボに石英ルツボを内装
し、該石英ルツボに原料の多結晶シリコンを入れて加熱
溶融し、このシリコン融液から単結晶シリコンを引上げ
る方法によって主に製造されている。上記石英ルツボの
形状は、目的とするシリコン単結晶の大きさによっても
異なるが、典型的には口径および高さが約40cm程度
の大きさで平底ないし緩い湾曲状の底部に有するもので
ある。このようなルツボは、石英粉体を原料とし、回転
モールドアーク溶融法によって主に製造されるが、製造
法の都合上、石英ルツボそれ自体は搬送を補助するため
の手段を有していない。しかしシリコン単結晶の大型化
に伴いルツボも大口径化する傾向にあり、例えば口径2
4インチ 、重量30Kg程度の大きさの石英ルツボが製造さ
れており、その重量と大きさのために持運びやカーボン
ルツボへの装着が問題となっている。すなわち、石英ル
ツボはガラス製品であるために衝撃に弱いので機械的に
把持して移送するのが難しく、しかも従来の石英ルツボ
には取手などの手段が設けられていないために吊下げて
移送することもできず、専ら作業員による人手によって
持ち運ぶため、安全性や汚染の問題がある。
【0003】ちなみに、石英ルツボの側壁に透孔を穿設
したシリコン単結晶引上げ装置が特公平1−54318
号公報に記載されているが(図7参照)、この装置にお
ける石英ルツボの透孔11は単結晶シリコン引上げ時に
発生したSiO2 ガスを外部に放出させる目的のために
設けたもので、当然に石英ルツボ10を収容するカーボ
ンルツボ50にも前記透孔11に連通する透孔51が開
けられている。従ってこの透孔11を石英ルツボの吊上
げに利用しようとしても、透孔11と51は連通してい
るために、例えば、ルツボ内周面側から透孔11に吊上
げ用治具を差し込むと、その先端がカーボンルツボ50
の透孔51に突き出してカーボンルツボ50に係合する
ために石英ルツボ10をカーボンルツボ50から抜き出
すことができない。このように上記石英ルツボはルツボ
上部に孔を有するものであるが、この孔はガス放出を目
的としたものであり、しかもその構成はルツボの吊上げ
には利用できない。
【0004】また特開昭53−88674号公報にも、
ルツボ上端に通孔を設けた単結晶引上げ装置が記載され
ているが、この通孔は溶融物をルツボの外側に溢れ出さ
せるためのものであり、従って、ルツボの上端には通孔
を囲む環状容器が一体に形成されており、吊上用係合孔
とは明らかに異なるものである。
【0005】以上のように、従来は、石英ルツボの移送
や引上げ装置への着脱を容易に行えるように、石英ルツ
ボに吊下げ用の係合手段を設けたものは知られていな
い。これは、従来の石英ルツボは比較的小型であるため
に人手による作業で足り、係合手段を設けて取扱いの機
械化を図る必要性に乏しかったこと、また製造工程の制
約から係合手段を設けるのが難しかい事情によるもと思
われる。
【0006】
【発明の解決課題】本発明は従来の石英ルツボにおける
上記課題を解決したものであり、石英ルツボ上部側壁に
吊下げ用係合手段の孔または凹凸部を設け、その移送お
よび引上げ装置への着脱を容易にした石英ルツボを提供
するものである。
【0007】本発明によれば以下の構成からなるシリコ
ン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法が提供され
る。 (1)回転モールド法によって石英ルツボを製造する際
に、回転モールド側壁に成形治具を挿入する孔を設け、
この孔を貫通して回転モールド内周面に堆積した石英粉
体層に成形治具を挿入した状態とし、該石英粉体層を加
熱溶融してルツボを成形した後に成形治具を引き抜くこ
とにより、石英ルツボの側壁上部に形成した貫通孔ない
し係合用凹部を有することを特徴とするシリコン単結晶
引上げ用石英ルツボ。 (2)カーボンルツボから突出する石英ルツボ上端部分
の側壁に貫通孔が設けられている上記(1)の石英ルツ
ボ。 (3)石英ルツボに装入されるシリコン融液の液面レベ
ルより上方であって、該石英ルツボがカーボンルツボに
内装された状態で該カーボンルツボによって閉塞される
位置に貫通孔が設けられている上記(1)の石英ルツボ。 (4)回転モールド法による石英ルツボの製造方法にお
いて、回転モールド側壁に成形治具を挿入する孔を設
け、この孔を貫通して回転モールド内周面に堆積した石
英粉体層に成形治具を挿入した状態とし、該石英粉体層
を加熱溶融してルツボの成形操作を行い、ルツボ成形後
に成形治具を引き抜くことにより、石英ルツボの側壁上
部に係合手段の孔ないし凹部を形成することを特徴とす
るシリコン単結晶引上げ用石英ルツボの製造方法。
【0008】
【具体的説明】以下、本発明を図面に示す実施例を参照
して詳細に説明する。なお、突起を設けたものは参考例
である。図1(A)(B)は石英ルツボの上部側壁に係合孔
を設けた例を示す外観図であり、図2(A)(B)はその吊
上げ状態を示す断面図、図3は係合手段として突起を設
けた例を示す外観図、図4は係合手段として凹部を形成
した例、図5(A)(B)(C) は吊上げ治具の外観図、図
6は製造方法の説明図である。
【0009】本発明の石英ルツボはシリコン単結晶引上
げに用いられるものである。シリコン単結晶の引上げに
おいて、原料の多結晶シリコンは不純物が混入しないよ
うに高純度の石英によって製造した石英ルツボに装入し
た状態で加熱溶融される。この引上装置には、石英ルツ
ボを伝熱性良く保持するためにカーボンルツボが設けら
れており、さらに該カーボンルツボを回転しながら上下
動する機構と、該カーボンルツボを囲む加熱手段が設け
られている。石英ルツボはカーボンルツボに嵌着され、
該カーボンルツボと一体に回転されながら徐々に下降さ
れることによりシリコン融液から単結晶シリコンが引き
上げられる。
【0010】このように、石英ルツボはその外周から均
一に加熱されるようにカーボンルツボの内周面に密着し
て嵌合される。このカーボンルツボへの着脱および持運
びを容易に行えるように、本発明の石英ルツボは、その
側壁上部に吊上用の係合手段が設けられている。上記係
合手段としては、ルツボ側壁に貫通された係合孔あるい
は係合用凹部ないし突起が形成される。
【0011】ルツボ側壁上部に穿設された係合手段とし
ての貫通孔は、吊上用の係合治具が該貫通孔に挿入され
たときに、石英ルツボが内装されているカーボンルツボ
に該治具が係合しない位置に設けられる。具体的には図
1および図2に示すように、石英ルツボ10の上端11
をカーボンルツボ20から突き出す高さとし、このカー
ボンルツボから突き出す上端部分11に貫通孔12を設
ける。このように、カーボンルツボ20から突き出す石
英ルツボ上端11に貫通孔12を設ければ、図2(A) に
示すように、該貫通孔12に吊上用の治具30を係合す
る際に、カーボンルツボ20に妨げられずに治具30を
石英ルツボ10の外周側から挿入することができるの
で、貫通孔12の位置確認が容易であり、しかも治具3
0の先端が貫通孔12から突出してもカーボンルツボ2
0と接触しないので、治具30と貫通孔12の係合作業
が容易であり、石英ルツボ10のカーボンルツボ20へ
の着脱を迅速に行うことができる。
【0012】また係合用貫通孔12は、図2(B) に示す
ように、石英ルツボ10に装入されるシリコン融液60
の液面レベルより上方であって、該石英ルツボ10がカ
ーボンルツボ20に内装された状態で該貫通孔12が該
カーボンルツボによって閉塞される位置、即ち、カーボ
ンルツボ20に設けられたガス抜き用の孔などに係合し
ない位置に係合用貫通孔12を設けても良い。この場合
には吊上用の係合治具30はルツボの内周面側から貫通
孔12に挿入される。石英ルツボ10がカーボンルツボ
20に内装された状態で、該孔12はカーボンルツボ内
周面によって閉塞されているので、治具30が孔12に
押し込まれた際に、その先端がカーボンルツボ20に突
出して係合することがなく、石英ルツボ10をカーボン
ルツボ20から容易に引き抜くことができる。また治具
30の先端が石英ルツボ側壁から突出さないように治具
30を貫通孔12に挿入した状態で石英ルツボ10を吊
下げれば、係合治具10の先端がカーボンルツボ20に
衝突せずに石英ルツボ10を該カーボンルツボ20に装
着することができる。
【0013】係合手段の他の形状としては、図3に示す
ように突起13でも良く、または図4に示すように、十
分な係合深さが確保できれば凹部14でも良い。係合用
突起13は、石英ルツボ10をカーボンルツボ20に着
脱する際に、その妨げにならないよう、石英ルツボ10
のカーボンルツボ20から突出す上端部外周に設けられ
る。図3はカーボンルツボ20から突き出す石英ルツボ
上端部11の外周に係合用突起13を設けた例である。
また係合用凹部14は、図4に示すように、石英ルツボ
10の内周面に設ける場合にはシリコン融液の液面レベ
ルよりも上方に形成され、また石英ルツボ10の外周面
に設ける場合にはカーボンルツボから突出した上端部分
に形成される。
【0014】係合用の上記貫通孔12、突起13および
凹部14は何れも石英ルツボ10を安定に吊上げること
ができるように、石英ルツボの回転中心に対して対称に
設けるのが好ましい。図1(A) は貫通孔12を左右対称
に設けた例であり、図1(B)は該孔12を石英ルツボの
回転中心に対して120度の間隔で3か所に設けた例で
ある。必要に応じ、該係合手段を4か所以上に設けても
良い。また、これら貫通孔12、突起13および凹部1
4の形状はとくに限定されず、円、矩形、半月形、楕円
形など適宜な形状で良いが、係合用治具30に適合する
形状であることが好ましい。
【0015】一例として、係合治具30の先端31を僅
かに上方に張り出す形状とし、この先端形状よりやや大
きな貫通孔12を設ければ、係合治具30を石英ルツボ
10の外周側から貫通孔12に挿入して吊上げた時に、
治具先端31が石英ルツボ10の内周面に張り出して貫
通孔12に係合するので、治具30が貫通孔12から外
れる虞がない。
【0016】吊上げ用係合治具30の具体例を図5(A)
(B)(C) に示す。図5(A) の例は、吊具35の下端に三
又の係合爪32を設けたものであり、各爪32はフリジ
ョイント33を介してぶら下げられているので、各爪3
3を押し広げてその先端31が石英ルツボ10の貫通孔
12または凹部14に挿入される。また図5(B) は円板
状の吊具35から係合爪32を垂下させた例である。該
係合爪32は等間隔に3本設けられ、かつ側方に向かっ
て往復動自在に装着されている。該係合爪32は内側に
向かって移動され、その先端が石英ルツボ10の貫通孔
12または凹部14に係合され、また係合位置から外側
に向かって移動して貫通孔12ないし凹部14から外れ
る。図5(C) は水平に吊下げられた環状の吊具35に係
合棒34を着脱自在に装着した例であり、3本の係合棒
34が等間隔に中心に向かって挿着されている。吊具3
5が石英ルツボ10の上端を囲む位置に挿入されるまで
係合棒34は予め引き出されており、その後、係合棒3
4が内側に差し込まれ、その先端が貫通孔12または凹
部14に係合される。これらの吊具35は、好ましくは
ホイストや走行台車によって搬送自在に支持されてお
り、係合爪32が石英ルツボ10の貫通孔12または凹
部14に係合した状態で該石英ルツボを吊上げ、目的の
地点に移送する。なお、係合用突起13を設けた例につ
いても同様の吊上搬送手段を用いることができる。
【0017】次に、上記係合用貫通孔12または凹部1
4の形成方法の一例を図6に示す。図示する方法は回転
モールドによって石英ルツボ10を製造する際に同時に
上記貫通孔等を形成する方法であり、回転モールド40
の上端に棒状の成形治具(成形棒)42を挿入する成形
用の孔41を設け、この孔41に成形棒42を挿入して
その先端を回転モールド40の内側に突出させ、この状
態で石英粉体を回転モールド内周面に堆積させて石英粉
体層43に成形棒42の先端が挿入された状態とする。
該石英粉体層43をアーク放電などにより加熱してその
内周側から溶融しガラス化する。また必要に応じ、加熱
時に回転モールドに設けた吸引路44を通じて石英粉体
層内部を排気する。ルツボ成形後に成形棒42を引き抜
くことにより石英ルツボの上端に貫通孔12が形成され
る。なお成形棒42の突出長さをやや短くし石英粉体層
43から突出さないようにすれば、係合用凹部を形成す
ることができる。
【0018】なお、上記貫通孔12および凹部14は、
上記方法によらず、ルツボ成形後にコアドリルまたはレ
ーザー光線などで穿設することができるが、回転モール
ド法による上記方法では、成形後に穿孔加工する必要が
なく、加工時の損傷を避けることができる。また係合手
段の突起を形成する場合には、予め高純度の石英部材に
よって突起を形成ておき、これを石英ルツボに溶着させ
ればよい。
【0019】なお必要に応じ、上記係合用の貫通孔ない
し凹部に、石英ルツボに関する情報を表示する機能を兼
用させてもよい。例えば石英ルツボの等級(不純物含有
量)に応じて貫通孔や凹部の配置や形状を変え、吊具の
係合治具をこれと対応する形状にすれば、石英ルツボの
吊上げ機能と共に等級識別機能をも発揮することができ
る。
【0020】
【発明の効果】本発明の石英ルツボは、吊上用の係合手
段を有するので石英ルツボを機械的手段によって安全、
確実に搬送することができる。また単結晶引上装置への
着脱も容易に行うことができる。さらに、石英ルツボを
機械的手段に搬送できるので、人手による作業の省力化
および石英ルツボの汚染を防止することができる。また
本発明の石英ルツボは、カーボンルツボとの装着部分に
は突起などの障害物が形成されないので、カーボンルツ
ボとの密着性が損なわれず、熱伝導率を均一かつ効率的
に維持することができ、従って均一な品質で純度の高い
単結晶シリコンを引上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)(B) 上部側壁に係合孔を設けた石英
ルツボの外観図。
【図2】(A)(B) 石英ルツボの吊上げ状態を示す
断面図。
【図3】 係合手段の突起を設けた石英ルツボの外観
図。
【図4】 係合手段の凹部を形成した石英ルツボの概略
断面図。
【図5】(A)(B)(C) 吊上げ治具の外観図。
【図6】 本発明に係る石英ルツボの製造方法の説明
図。
【図7】 従来のシリコン単結晶引上げ装置の概略断面
図。
【符号の説明】
10−石英ルツボ、11−石英ルツボ上端、12−貫通
孔、13−突起、14−凹部、20−カーボンルツボ、
30−係合用治具、32−係合爪、34−係合棒、35
−吊具、40−回転モールド、41−孔、42−成形
棒、43−石英粉体層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−107587(JP,A) 特開 平3−28185(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03B 20/00 C30B 29/06 C30B 15/10

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転モールド法によって石英ルツボを製
    造する際に、回転モールド側壁に成形治具を挿入する孔
    を設け、この孔を貫通して回転モールド内周面に堆積し
    た石英粉体層に成形治具を挿入した状態とし、該石英粉
    体層を加熱溶融してルツボを成形した後に成形治具を引
    き抜くことにより、石英ルツボの側壁上部に形成した貫
    通孔ないし係合用凹部を有することを特徴とするシリコ
    ン単結晶引上げ用石英ルツボ。
  2. 【請求項2】 カーボンルツボから突出する石英ルツボ
    上端部分の側壁に貫通孔が設けられている請求項1の石
    英ルツボ。
  3. 【請求項3】 石英ルツボに装入されるシリコン融液の
    液面レベルより上方であって、該石英ルツボがカーボン
    ルツボに内装された状態で該カーボンルツボによって閉
    塞される位置に貫通孔が設けられている請求項1の石英
    ルツボ。
  4. 【請求項4】 回転モールド法による石英ルツボの製造
    方法において、回転モールド側壁に成形治具を挿入する
    孔を設け、この孔を貫通して回転モールド内周面に堆積
    した石英粉体層に成形治具を挿入した状態とし、該石英
    粉体層を加熱溶融してルツボの成形操作を行い、ルツボ
    成形後に成形治具を引き抜くことにより、石英ルツボの
    側壁上部に係合手段の孔ないし凹部を形成することを特
    徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ルツボの製造方
    法。
JP28398393A 1992-12-26 1993-10-18 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法 Expired - Lifetime JP3278786B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28398393A JP3278786B2 (ja) 1992-12-26 1993-10-18 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-92864 1992-12-26
JP9286492 1992-12-26
JP28398393A JP3278786B2 (ja) 1992-12-26 1993-10-18 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06239632A JPH06239632A (ja) 1994-08-30
JP3278786B2 true JP3278786B2 (ja) 2002-04-30

Family

ID=26434245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28398393A Expired - Lifetime JP3278786B2 (ja) 1992-12-26 1993-10-18 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3278786B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7556764B2 (en) 2005-11-09 2009-07-07 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica vessel with nozzle and method of making
JP5738549B2 (ja) * 2009-07-22 2015-06-24 株式会社Sumco 包装済石英ガラスルツボ用クレーン装置およびこの装置を用いる包装済石英ガラスルツボの梱包方法
CN102325927B (zh) 2009-12-11 2014-03-12 日本超精石英株式会社 氧化硅玻璃坩埚
JP5773382B2 (ja) * 2010-12-29 2015-09-02 株式会社Sumco シリカガラスルツボ及びその製造方法
CN116674061B (zh) * 2023-07-21 2024-04-30 东海县太阳光新能源有限公司 一种适应陶瓷坩埚的自动化生产设备及其生产方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06239632A (ja) 1994-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100408906B1 (ko) 제로전위단결정의수율을향상시키는방법
US5976247A (en) Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance
JP4345624B2 (ja) チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法
JP4103593B2 (ja) 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法
JP3278786B2 (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ルツボとその製造方法
EP0364899A1 (en) Apparatus and process for growing crystals of semiconductor materials
JPH03285893A (ja) 結晶引上装置
KR100482702B1 (ko) 단결정인상장치
JP3016126B2 (ja) 単結晶の引き上げ方法
EP0219776A1 (en) Crucible recovering method and apparatus therefor
JP2004083322A (ja) Cz原料供給方法及び供給治具
JP3129572B2 (ja) 黒鉛るつぼハンドリング装置
US20030024467A1 (en) Method of eliminating near-surface bubbles in quartz crucibles
JPH0523580Y2 (ja)
JPH09175882A (ja) 単結晶引上げ装置の部材取扱方法、単結晶引上げ装置の部材取扱機構、及び単結晶引上げ装置の部材取扱治具
CN210974923U (zh) 一种直拉法单晶用真空吸盘
JP3028767B2 (ja) T字型種結晶および保持治具
JPH11171685A (ja) シリコン単結晶引上装置
JP2816346B2 (ja) 単結晶成長装置における材料搬送方法
JP2990662B2 (ja) 単結晶引上装置
JPH01282191A (ja) 単結晶製造方法
JP2785578B2 (ja) シリコン単結晶の引上げ装置
JPH02212396A (ja) 金属間化合物の製造方法
JPS58500805A (ja) 結晶成長炉からの結晶の処理装置及び処理方法
JP3677890B2 (ja) 結晶の取り出し・移送方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term