JP3278594B2 - 半導体集積回路のテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路のテスト方法

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和幸 草葉
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロコンピュ
ータ等の半導体集積回路に係り、特に製品評価用のテス
トモードに設定するためのテスト回路を内蔵した半導体
集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、マイクロコンピュータ等の半
導体集積回路では、ユーザのための動作モード以外に設
計者が製品評価を行うためのテストモードが設けられて
おり、半導体集積回路をテストモードにするための回路
をテスト回路と呼んでいる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このテ
スト回路には、ユーザからのアクセスを防止する機能が
ないため、ユーザの誤った操作により、ユーザモード以
外の予期しない動作モードに設定されてしまうことがあ
り、誤動作の原因となるという問題点があった。本発明
は、上記課題を解決するためになされたもので、テスト
回路の誤操作を防止することができる半導体集積回路の
テスト方法及び半導体集積回路を提供することを目的と
する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1に記
載のように、半導体ウェハを個々のチップに分離する前
に、第1のチップの外部端子から隣接する第2のチップ
のテスト回路へ所定の信号を供給して、第2のチップを
テストモードに設定し、テスト終了後、前記第1のチッ
プの外部端子から前記第2のチップのテスト回路へ所定
の信号を供給して、前記第2のチップのテストモードを
解除してユーザモードに設定した後に、前記半導体ウェ
ハを個々のチップに分離することにより、第1のチップ
の外部端子と第2のチップのテスト回路を接続していた
配線が切断されるようにしたものである。このように、
個々のチップに分離する前の半導体ウェハの状態で、第
1のチップの外部端子から隣接する第2のチップのテス
ト回路へ所定の信号を供給して、第2のチップをテスト
モードに設定し、テスト終了後に、第1のチップの外部
端子から第2のチップのテスト回路へ信号を供給して、
第2のチップをユーザモードに設定する。この後に、半
導体ウェハを個々のチップに分離することにより、第1
のチップの外部端子と第2のチップのテスト回路を接続
していた配線が切断されるため、テスト回路にアクセス
することができなくなり、テスト回路はユーザモードの
状態を保持し続ける
【0005】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
の形態を示す半導体集積回路のブロック図である。図1
では、複数の半導体集積回路チップ1a,1b,1c,
1dが半導体ウェハ上に形成されたときの状態を示して
いる。
【0006】同一構成の各チップには、自チップを製品
評価用のテストモードに設定するためのテスト回路2、
評価テスト用のROM(リードオンリメモリ)3、四則
演算又は論理演算などを行う演算回路及びアドレス又は
データを保持するレジスタ等の内部回路(不図示)が設
けられている。
【0007】さらに、各チップには、複数の外部端子
(パッド)が設けられている。これらの端子には、リセ
ット用の外部端子RST、隣接するチップのテスト回路
2にテストモード設定信号を供給するための外部端子
A,B,C、電源端子(不図示)、GND端子(不図
示)等がある。
【0008】テスト回路2は、不揮発性メモリセル(E
EPROMセル)11a,11b、セル11a,11b
の出力の論理演算を行う論理回路12、ゲート12の出
力に接続されたバッファ13から構成されている。そし
て、あるチップ内のEEPROMセル11a,11bの
ゲートは、隣接するチップの外部端子A,Bとそれぞれ
接続され、同EEPROMセル11a,11bのソース
は、該隣接チップの外部端子Cと接続されている。よっ
て、あるチップのテスト回路2へのテストモード設定信
号は、隣接するチップの外部端子A,B,Cから配線を
介して供給される。
【0009】次に、このような半導体集積回路に対して
評価テストを実施する手順を説明する。ここでは、チッ
プ1cのテストを例にとって説明する。まず、チップ1
cの端子RSTにリセット信号を入力してROM3をリ
セットした後に、隣接するチップ1bの端子A,Bに0
Vを印加し、チップ1bの端子Cに高電圧(例えば、1
0V)を印加する。これにより、チップ1cのEEPR
OMセル11a,11bに「0」が書き込まれ、セル1
1a,11bの消去が行われる。
【0010】続いて、チップ1bの端子Aに高電圧を印
加し、チップ1bの端子B,Cに0Vを印加する。これ
により、チップ1cのEEPROMセル11aに「1」
が書き込まれる。セル11aに書き込まれた値が
「1」、セル11bに書き込まれた値が「0」となった
ことにより、論理回路12の出力が「H」レベルとな
り、バッファ13の出力、すなわちテスト回路2の出力
である信号Tが「H」レベルとなる。
【0011】チップ1cのROM3は、信号Tが「H」
レベルとなってテストモードに設定されたことを認識す
ると、テストコード(命令)を出力する。テストコード
を受け取ったチップ1cの内部回路は、テストコードに
応じた処理を実行する。この実行結果は、チップ1cの
図示しない外部端子から試験装置に出力される。試験装
置は、受け取った実行結果に基づいてチップ1cを評価
する。こうして、製品評価テストが実施される。なお、
テストモードに設定した後のテストの方法については、
本実施の形態以外の方法でもよいことは言うまでもな
い。
【0012】テスト終了後、チップ1bの端子A,Bに
0Vを印加し、チップ1bの端子Cに高電圧を印加し
て、チップ1cのEEPROMセル11a,11bに
「0」が書き込む。続いて、チップ1bの端子Bに高電
圧を印加し、チップ1bの端子A,Cに0Vを印加す
る。これにより、チップ1cのEEPROMセル11b
に「1」が書き込まれる。
【0013】セル11aに書き込まれた値が「0」、セ
ル11bに書き込まれた値が「1」となったことによ
り、論理回路12の出力が「L」レベルとなり、信号T
が「L」レベルとなる。これで、テストモードが解除さ
れ、チップ1cはユーザモードに設定される。
【0014】以上のような処理を各チップごとに行った
後、ダイシング工程、すなわち半導体ウェハを個々のチ
ップに分離する工程が実施されると、各チップのテスト
回路2と隣接チップの端子A,B,Cとを接続していた
配線が図2に示すように切断される。配線の切断によ
り、テスト回路2にアクセスすることができなくなるの
で、各チップはユーザモードに設定されたままの状態を
維持し、ユーザモード以外の誤った動作モードに設定さ
れることがなくなる。
【0015】なお、チップの分離後、EEPROMセル
11a,11bはユーザモード設定値を保持しているの
で、パッドDの状態を調べることで、そのチップがユー
ザモードになっているか否かを確認することができる。
また、本実施の形態では、EEPROMセルを11a,
11bからなる2ビットで構成しているが、2ビット以
外の構成でもよい。また、本実施の形態では、1チップ
ずつテストを実施しているが、複数のチップを同時にテ
ストしてもよいことは言うまでもない。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、テスト終了後のチップ
の分離により、第1のチップの外部端子と第2のチップ
のテスト回路を接続していた配線が切断されるため、テ
スト回路にアクセスすることができなくなり、テスト回
路はユーザモードの状態に固定される。したがって、ユ
ーザの誤った操作により、ユーザモード以外の予期しな
い動作モードに設定されてしまうことがなくなるので、
テスト回路の誤った操作による誤動作を防止することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す半導体集積回路の
ブロック図である。
【図2】 分離後の各チップの様子を示す図である。
【符号の説明】
1a、1b、1c、1d…半導体集積回路チップ、2…
テスト回路、3…ROM、11a、11b…不揮発性メ
モリセル、12…論理回路、13…バッファ、A、B、
C、D…外部端子、T…テスト信号、RST…外部端子
(リセット端子)。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/822 H01L 27/04

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 評価用のテストモードに設定するテスト
    回路を備えた、半導体ウェハ上の各チップに対し、前記
    テスト回路を用いてテストモードに設定し評価テストを
    実施する半導体集積回路のテスト方法において、 半導体ウェハを個々のチップに分離する前に、第1のチ
    ップの外部端子から隣接する第2のチップのテスト回路
    へ所定の信号を供給して、第2のチップをテストモード
    に設定し、 テスト終了後、前記第1のチップの外部端子から前記第
    2のチップのテスト回路へ所定の信号を供給して、前記
    第2のチップのテストモードを解除してユーザモードに
    設定した後に、前記半導体ウェハを個々のチップに分離
    することにより、第1のチップの外部端子と第2のチッ
    プのテスト回路を接続していた配線が切断されることを
    特徴とする半導体集積回路のテスト方法
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