JP3272835B2 - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造における半
導体基板の平坦加工を行う場合の半導体装置の製造方法
及び半導体製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus for flattening a semiconductor substrate in semiconductor manufacturing.

【０００２】近年、半導体装置の高性能化に伴い高集積
化、超微細化が進んで多層による立体積層配線が行わ
れ、その処理が複雑化している。この立体積層配線のた
めには積層する薄膜の各々で平坦化、平滑化する必要が
ある。In recent years, as the performance of semiconductor devices has become higher, higher integration and ultrafineness have progressed, and multilayer three-dimensional wiring has been performed, and the processing thereof has become more complicated. For this three-dimensional laminated wiring, it is necessary to flatten and smooth each of the laminated thin films.

【０００３】[0003]

【従来の技術】従来より、半導体装置を構成する場合に
おいて半導体基板上に薄膜が形成され、薄膜には大別し
て配線層と絶縁層に分けられる。そして、積層配線構造
とする場合にはパターニングされた配線を各層で整列さ
せるための絶縁層の平坦性が特に重要となる。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device is constructed, a thin film is formed on a semiconductor substrate, and the thin film is roughly divided into a wiring layer and an insulating layer. In the case of a stacked wiring structure, the flatness of the insulating layer for aligning the patterned wiring in each layer is particularly important.

【０００４】絶縁薄膜層の形成にはＣＶＤ（ケミカル・
ベーパー・デポジション）や回転コーティング方法等が
用いられ、これらを複合して成膜する場合には時間とコ
ストが累積される。The formation of an insulating thin film layer is performed by CVD (chemical
Vapor deposition) and a spin coating method are used, and when these are combined to form a film, time and cost are accumulated.

【０００５】また、配線層の平坦性も重要であり、パタ
ーンの凹凸がそのまま絶縁層の膜厚や複合プロセスに影
響を与える。配線薄膜層の形成にはＣＶＤやＰＶＤ（フ
ィジカル・ベーパー・デポジション）等が用いられる
が、微小な穴への埋め込みと膜厚確保を同時に行い、し
かも電気的特性の優れた金属薄膜の形成が困難であるこ
とから、配線薄膜層は平坦性よりもむしろステップカバ
レッジのカバレッジ率での膜厚比が重要視される。[0005] Further, the flatness of the wiring layer is also important, and the unevenness of the pattern directly affects the thickness of the insulating layer and the composite process. For forming the wiring thin film layer, CVD or PVD (physical vapor deposition) is used, but it is necessary to simultaneously fill the small holes and secure the film thickness, and to form a metal thin film having excellent electrical characteristics. Because of the difficulty, the thickness ratio of the wiring thin film layer at the step coverage coverage rate is more important than the flatness.

【０００６】従来、半導体製造において平坦加工につい
ては機械研磨をベースとした化学研磨法が知られてい
る。これは、機械研磨の要素と化学反応とを組み合わせ
たものであるが、機械研磨に重点がおかれ、化学反応の
効果は補佐的なものとされている。[0006] Conventionally, a chemical polishing method based on mechanical polishing has been known for flattening in semiconductor manufacturing. This is a combination of mechanical polishing elements and chemical reactions, but the emphasis is on mechanical polishing, and the effects of chemical reactions are considered to be auxiliary.

【０００７】ここで、図７に、従来の研磨方法の説明図
を示す。図７（Ａ）は概略斜視図であり、図７（Ｂ）は
概念断面図である。図７（Ａ），（Ｂ）において、処理
槽１１内に、平面精度を保証された回転自在の剛性円盤
（定盤）１２が設けられておた、該剛性円盤１２上には
研磨布１３が設けられる。この処理槽１１の底面には所
定数の廃液回収口１４ａ，１４ｂが形成されている。FIG. 7 is an explanatory view of a conventional polishing method. FIG. 7A is a schematic perspective view, and FIG. 7B is a conceptual sectional view. 7 (A) and 7 (B), a rotatable rigid disk (surface plate) 12 having planar accuracy is provided in a processing tank 11, and a polishing cloth 13 is provided on the rigid disk 12. Is provided. A predetermined number of waste liquid recovery ports 14a and 14b are formed on the bottom surface of the processing tank 11.

【０００８】剛性円盤１２の上方には、試料としての半
導体基板１５が着脱自在に固定された回転ヘッド１６が
剛性円盤１２に対して上下動自在に配設され、回転ヘッ
ド１６は一方向の移動部１７に取り付けられた固定部１
８に固定されている。また、回転ヘッド１６の近傍であ
って、剛性円盤１２には噴射口が向けられた２つのノズ
ル１９，２０が配置される。例えば、ノズル１９は半導
体基板１５の研磨面と化学的な反応をする溶剤１９ａを
噴射するもので、ノズル２０は半導体基板１５に付着し
た溶剤１９ａや生成不純物を除去するための純水等の洗
浄水２０ａを噴射するものである。A rotary head 16 to which a semiconductor substrate 15 as a sample is detachably fixed is disposed above the rigid disk 12 so as to be vertically movable with respect to the rigid disk 12, and the rotary head 16 moves in one direction. Fixed part 1 attached to part 17
8 is fixed. In the vicinity of the rotary head 16, two nozzles 19 and 20, each having an injection port, are arranged on the rigid disk 12. For example, the nozzle 19 sprays a solvent 19a that chemically reacts with the polished surface of the semiconductor substrate 15, and the nozzle 20 cleans the solvent 19a adhered to the semiconductor substrate 15 and pure water for removing generated impurities. This is for injecting water 20a.

【０００９】なお、剛性円盤１２及び溶剤１９ａは一般
的に温度調節器（図示せず）で温度管理される。The temperature of the rigid disk 12 and the solvent 19a is generally controlled by a temperature controller (not shown).

【００１０】図７に示す研磨は、剛性円盤１２が回転
し、その平面上を回転ヘッド１６（半導体基板１５）が
自転すると共に、移動部１７により移動しながら行われ
る。このとき、ノズル１９からは溶剤１９ａが供給され
る。溶剤１９は、平坦を得体面を構成する材料が選択さ
れる。供給される溶剤１９は剛性円盤１２の研磨箇所に
集中的に噴射され、処理槽１１の廃液回収口１４ａ，１
４ｂより回収される。The polishing shown in FIG. 7 is performed while the rigid disk 12 rotates, the rotating head 16 (semiconductor substrate 15) rotates on its plane, and the moving part 17 moves. At this time, the solvent 19a is supplied from the nozzle 19. As the solvent 19, a material which can obtain flatness and constitute a body surface is selected. The supplied solvent 19 is intensively jetted to the polishing portion of the rigid disk 12, and the waste liquid recovery ports 14 a, 1
4b.

【００１１】研磨加工が終了すると、半導体基板１５は
ノズル２０からの洗浄水２０ａにより溶剤１９ａや生成
不純物が除去される。When the polishing is completed, the solvent 19 a and the generated impurities are removed from the semiconductor substrate 15 by the cleaning water 20 a from the nozzle 20.

【００１２】そして、回転ヘッド１６が半導体基板１５
を別ユニットに受け渡すために剛性円盤１２上から移動
し、移動後に研磨布１３を洗浄して状態維持を管理す
る。The rotary head 16 is connected to the semiconductor substrate 15
Is moved from above the rigid disk 12 to transfer it to another unit, and after the movement, the polishing pad 13 is washed to maintain the state.

【００１３】続いて、図８に、従来の他の研磨方法の説
明図を示す。図中、図７と同一構成部分には同一符号を
付す。図８において、一方向の移動部１７が他方向の移
動部２１に取り付けられており、移動部１７，２１によ
りＸＹロボットが構成される。また、処理槽１１の近傍
に、第２の処理槽２２が配置され、この第２の処理槽２
２内に回転自在な第２の剛性円盤２３が設けられる。第
２の剛性円盤２３上には粒度の小さい第２の研磨布２４
が設けられる。すなわち、剛性円盤１２（研磨布１３）
が荒加工用の定盤とし、第２の剛性円盤２３（台２の研
磨布２４）が荒仕上げ加工用の定盤とするものである。
なお、図中、ノズル２０は省略してある。FIG. 8 is an explanatory view of another conventional polishing method. In the figure, the same components as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 8, the moving unit 17 in one direction is attached to the moving unit 21 in the other direction, and the moving units 17 and 21 constitute an XY robot. In addition, a second processing tank 22 is disposed near the processing tank 11, and the second processing tank 2
2, a rotatable second rigid disk 23 is provided. On the second rigid disk 23, a second abrasive cloth 24 having a small particle size is provided.
Is provided. That is, the rigid disk 12 (polishing cloth 13)
Is a surface plate for roughing, and the second rigid disk 23 (polishing cloth 24 of the table 2) is a surface plate for rough finishing.
Note that, in the drawing, the nozzle 20 is omitted.

【００１４】図８に示す研磨は、回転ヘッド１６（半導
体基板１５）をＸＹロボット（移動部１７，２１）によ
り剛性円盤１２と第２の剛性円盤２３とに移動させて、
機械研磨による荒加工と荒仕上げ加工の別々の加工を行
って半導体基板１５のうねりを除去するものである。ま
た、更なる平面度を得たい場合には精密仕上げの工程に
移行される。すなわち、２つの粒度の異なる研磨布１
３，２４が設けられた剛性円盤１２，２３よりＣＶＤや
ＰＶＤで生じる膜表面のうねりを除去すると共に、平面
粒度を求めるものである。In the polishing shown in FIG. 8, the rotary head 16 (semiconductor substrate 15) is moved to the rigid disk 12 and the second rigid disk 23 by the XY robot (moving parts 17, 21).
The undulation of the semiconductor substrate 15 is removed by performing separate processing of rough processing and rough finishing by mechanical polishing. If it is desired to obtain further flatness, the process is shifted to a precision finishing process. That is, two polishing cloths 1 having different particle sizes.
The purpose of the present invention is to remove the undulation of the film surface caused by CVD or PVD from the rigid disks 12 and 23 provided with 3, 24, and to obtain the planar grain size.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示すよ
うな研磨は、剛性円盤１２と溶剤１９ａが温度管理され
ているが、研磨部分での温度が把握されておらず温度管
理が十分とはいえない。一方、研磨中に溶剤１９ａが噴
射されて剛性円盤１２上では該溶剤１９ａが一瞬貯る状
態となるが、上述のように研磨部分での温度が把握され
ておらず、化学反応で発生する熱により熱エネルギが増
加する。これにより、溶剤１９ａによる化学研磨で発生
する汚染物質や液劣化により反応形態が変化し、安定し
た化学反応と研磨加工を行うことができず、歩留り低下
による低コスト化を図ることができないという問題があ
る。However, in the polishing as shown in FIG. 7, the temperature of the rigid disk 12 and the solvent 19a is controlled, but the temperature at the polished portion is not grasped and the temperature control is sufficient. I can't say. On the other hand, the solvent 19a is sprayed during the polishing, and the solvent 19a is temporarily stored on the rigid disk 12. However, as described above, the temperature at the polishing portion is not grasped, and the heat generated by the chemical reaction is not detected. As a result, heat energy increases. As a result, the form of the reaction changes due to contaminants and liquid deterioration generated by the chemical polishing by the solvent 19a, and a stable chemical reaction and polishing cannot be performed, and the cost cannot be reduced due to a decrease in yield. There is.

【００１６】また、図８に示すように荒加工と荒仕上げ
加工等の複数の研磨工程を必要とする場合に、各工程の
ための処理槽２２をそれぞれ設置して行うことは、研磨
の処理時間や工数が増加すると共に、制御が複雑化しコ
スト高になるという問題がある。When a plurality of polishing steps such as roughing and rough finishing are required as shown in FIG. 8, it is necessary to provide processing tanks 22 for the respective steps to perform polishing processing. There is a problem that the control becomes complicated and the cost increases as the time and man-hours increase.

【００１７】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、安定した化学反応と研磨加工、及び、処理時
間、工数の削減による低コスト化、制御の簡易化による
低コスト化を図る半導体装置の製造方法及び半導体製造
装置を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is a semiconductor device which achieves stable chemical reaction and polishing, and reduces costs by reducing processing time and man-hours, and reducing costs by simplifying control. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、請求項１では配線層及び絶縁層が形成される
半導体基板であって、回転部に取り付けられ、処理槽内
の回転自在な定盤上の研磨部材で化学反応研磨のための
溶剤を供給しつつ機械的研磨が行われる該半導体基板を
使用する半導体装置の製造方法において、前記半導体基
板の前記研磨部材上での研磨の際に、研磨部分で第１の
溶剤を所定量保持させつつ供給する工程と、該研磨部分
での前記第１の溶剤の温度を測定する工程と、測定温度
に応じて、前記第１の溶剤とは独立して温度調節された
温度の異なる第２の溶剤を供給する工程と、を含む。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate on which a wiring layer and an insulating layer are formed; In a method of manufacturing a semiconductor device using the semiconductor substrate, wherein mechanical polishing is performed while supplying a solvent for chemical reaction polishing with a polishing member on a simple platen, polishing of the semiconductor substrate on the polishing member is performed. A step of supplying the first solvent while holding a predetermined amount in the polishing portion; a step of measuring the temperature of the first solvent in the polishing portion; and a step of measuring the temperature of the first solvent in the polishing portion. Independently supplying a second solvent having a different temperature and adjusted in temperature.

【００１９】また、本発明の半導体製造装置は、請求項
２では、配線層及び絶縁層が形成される半導体基板であ
って、回転部に取り付けられ、処理槽内の回転自在な定
盤上の研磨部材で化学反応研磨のための溶剤を供給しつ
つ機械的研磨が行われる半導体製造装置において、前記
半導体基板の前記研磨部材での研磨部分に、第１の溶剤
を供給する第１の液供給部と、前記定盤の周囲に設けら
れ、供給される溶剤を該研磨部材上で所定量保持させる
液保持部と、該研磨部分での溶剤の温度を検知する温度
検知部と、検知温度に応じて、前記第１の溶剤に混合さ
せて所定温度とするための第２の溶剤の温度を調節する
温度調節部と、温度調節された前記第２の溶剤を供給す
る第２の液供給部と、を有する。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising a semiconductor substrate on which a wiring layer and an insulating layer are formed, the semiconductor substrate being mounted on a rotating part and being rotatable in a processing tank. In a semiconductor manufacturing apparatus in which mechanical polishing is performed while supplying a solvent for chemical reaction polishing with a polishing member, a first liquid supply for supplying a first solvent to a polishing portion of the semiconductor substrate with the polishing member. Part, a liquid holding part provided around the surface plate and holding a supplied solvent on the polishing member by a predetermined amount, a temperature detection part for detecting the temperature of the solvent in the polishing part, and a detection temperature. Accordingly, a temperature control unit for controlling the temperature of the second solvent to be mixed with the first solvent to obtain a predetermined temperature, and a second liquid supply unit for supplying the temperature-controlled second solvent And

【００２０】[0020]

【作用】上述のように請求項１及び２の発明では、研磨
部分での温度を温度検知部により検出して、常に温度が
一定になるように温度調節した他の溶剤を第２の液供給
部より供給する。これにより、熱エネルギの増加が回避
され、安定した化学反応と研磨加工を行うことが可能と
なり、歩留り向上による低コスト化を図ることが可能と
なる。 As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the temperature of the polishing portion is detected by the temperature detector, and another solvent whose temperature is adjusted so that the temperature is always constant is supplied to the second liquid. Supplied from the department. Thereby, an increase in heat energy can be avoided, stable chemical reaction and polishing can be performed, and cost reduction can be achieved by improving yield.
Become.

【００２１】[0021]

【実施例】図１に、本発明の第１実施例の構成図を示
す。図１は、半導体製造工程における半導体製造装置の
研磨装置３１を示したものであり、機械研磨の要素と化
学反応とを組み合わせて配線層と絶縁層が形成される半
導体基板の平坦研磨の処理を行うものである。FIG. 1 shows a configuration diagram of a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a polishing apparatus 31 of a semiconductor manufacturing apparatus in a semiconductor manufacturing process, and performs a flat polishing process of a semiconductor substrate on which a wiring layer and an insulating layer are formed by combining a mechanical polishing element and a chemical reaction. Is what you do.

【００２２】図１において、底部に所定数の廃液回収口
３２ａ，３２ｂが形成された処理槽３２内に、剛性円盤
の定盤３３が回転自在（回転軸は省略する）に配置さ
れ、定盤３３上に研磨部材である研磨布３４が設けられ
る。そして、定盤の周囲には液保持部であるリング３５
（図２において説明する）が設けられる。In FIG. 1, a rigid disk surface plate 33 is rotatably arranged (rotation shaft is omitted) in a processing tank 32 having a predetermined number of waste liquid recovery ports 32a and 32b formed at the bottom. A polishing cloth 34 as a polishing member is provided on 33. A ring 35 serving as a liquid holding unit is provided around the surface plate.
(Described in FIG. 2) are provided.

【００２３】定盤３３（研磨布３４）の上方には回転部
である回転ヘッド３６にチャッキングされた研磨試料で
ある半導体基板（半導体ウェハ）３７が位置される。こ
の回転ヘッド３６は、図示しないが、図７に示すような
固定部を介して一方向の移動部に取り付けられて研磨布
３４上で移動可能であると共に、定盤３３に対して上下
動自在に設けられる。Above the surface plate 33 (polishing cloth 34), a semiconductor substrate (semiconductor wafer) 37 which is a polishing sample chucked by a rotating head 36 as a rotating portion is located. Although not shown, the rotary head 36 is attached to a moving part in one direction via a fixed part as shown in FIG. 7 and is movable on the polishing pad 34 and is movable up and down with respect to the surface plate 33. Is provided.

【００２４】また、この回転ヘッド３６の近傍には、研
磨部分に化学研磨を行うための溶剤３８ａ（例えば、過
酸化水素水、稀硝酸等）を供給するための第１の液供給
部である第１のノズル３９が配置されると共に、温度調
節された溶剤３８ｂ（後述する）を噴射させる第２のノ
ズル４０が配置される。また、研磨布３４の所定位置の
上方に温度調節された溶剤３８ｂを噴射する第３のノズ
ル４１が配置される。この第２及び第３のノズル４０，
４１により第２の供給部を構成する。In the vicinity of the rotary head 36, there is a first liquid supply unit for supplying a solvent 38a (for example, aqueous hydrogen peroxide, dilute nitric acid, etc.) for performing chemical polishing on the polishing part. A first nozzle 39 is arranged, and a second nozzle 40 for jetting a solvent 38b (described later) whose temperature is adjusted is arranged. In addition, a third nozzle 41 that injects the solvent 38 b whose temperature has been adjusted is disposed above a predetermined position of the polishing pad 34. The second and third nozzles 40,
41 constitutes a second supply unit.

【００２５】一方、溶剤３８ａが流量調整器４２，４３
に供給される。流量調整器４２からは第１のノズル３９
に供給されると共に、温度調節器４４により設定温度で
調節（冷却）される調節部４４ａを介して第３のノズル
４１に供給されて温度調節された溶剤３８ｂを噴射す
る。また、流量調整器４３からは調節部４４ａを介して
第２のノズル４０に供給されて温度調節された溶剤３８
ｂを噴射する。On the other hand, the solvent 38a is supplied to the flow controllers 42 and 43.
Supplied to From the flow controller 42, the first nozzle 39
Is supplied to the third nozzle 41 through a control unit 44a which is controlled (cooled) at a set temperature by a temperature controller 44, and the temperature of the solvent 38b is jetted. Further, the solvent 38 supplied from the flow controller 43 to the second nozzle 40 via the controller 44a and temperature-controlled is supplied to the second nozzle 40.
Inject b.

【００２６】また、研磨部分の近傍には温度センサ４５
が配置され、温度測定器４６を介して、温度データが制
御装置４７に送る。この温度センサ４５及び温度測定器
４６により温度検知部を構成する。制御装置４７は、そ
れぞれの流量調整器４２，４３をコントロールする。A temperature sensor 45 is provided near the polished portion.
Is arranged, and the temperature data is sent to the control device 47 via the temperature measuring device 46. The temperature sensor 45 and the temperature measuring device 46 constitute a temperature detecting unit. The control device 47 controls the respective flow regulators 42 and 43.

【００２７】ここで、図２に、図１の処理槽の部分断面
図を示す。図２（Ａ）において、回転軸３３ａにより回
転される定盤３３の側部周囲に外壁となるリング３５が
設けられており、リング３５はその側面及び底部に所定
数の液抜き孔３５ａが形成される。すなわち、このリン
グ３５は第１〜第３のノズル３９〜４１より噴射される
溶剤３８ａ，３８ｂを一定時間貯えておくもので、液抜
き孔３５ａより一定量排出する。排出は処理槽３２内で
行われ、廃液回収口３２ａ，３２ｂより排水される。Here, FIG. 2 shows a partial sectional view of the processing tank of FIG. In FIG. 2A, a ring 35 serving as an outer wall is provided around a side portion of the surface plate 33 rotated by the rotating shaft 33a, and the ring 35 has a predetermined number of liquid drain holes 35a formed on the side surface and bottom portion. Is done. That is, the ring 35 stores the solvents 38a and 38b ejected from the first to third nozzles 39 to 41 for a certain period of time, and discharges a certain amount from the liquid drain hole 35a. The discharge is performed in the processing tank 32, and the liquid is discharged from the waste liquid recovery ports 32a and 32b.

【００２８】また、図２（Ｂ）は他のリング形状の場合
を示したもので、定盤３３の外周に、処理槽３２の底部
まで円筒状のリング４８を設けたものである。この場
合、リング４８は廃液回収口３２ａ，３２ｂの内側に配
置される。そして、リング４８７の上方部分に所定数の
液抜き溝４８ａが形成される。すなわち、リング４８内
で溶剤３８ａ，３８ｂを一定時間、一定量貯えておき、
液抜き溝４８ａより一定量排出して廃液回収口３２ａ，
３２ｂより排水されるものである。FIG. 2B shows another ring shape, in which a cylindrical ring 48 is provided on the outer periphery of the surface plate 33 to the bottom of the processing tank 32. In this case, the ring 48 is disposed inside the waste liquid recovery ports 32a and 32b. Then, a predetermined number of liquid drain grooves 48a are formed in the upper part of the ring 487. That is, a certain amount of the solvent 38a, 38b is stored in the ring 48 for a certain time,
A predetermined amount is discharged from the liquid drain groove 48a, and the waste liquid collecting port 32a,
It is drained from 32b.

【００２９】なお、定盤３３と流量調整器４２，４３に
供給される溶剤３８ａとは一般的に温度管理がなされて
いる。The temperature of the surface plate 33 and the solvent 38a supplied to the flow controllers 42 and 43 are generally controlled.

【００３０】図１に戻り、このような研磨装置３１は、
回転する定盤３３の研磨布３４上に回転ヘッド３６によ
り自転する半導体基板３７が当接して研磨される際、第
１のノズル３８より溶剤３８ａが当接して研磨される
際、第１のノズル３９より溶剤３８ａが噴射されて供給
される。溶剤３８ａはリング３５内で液抜き孔３５ａよ
り一定量排出されながら貯まり、研磨布３４上で一定時
間保持される。すなわち、一定量保持された後にはリン
グ３５の底部及び側面の液抜き孔３５ａで供給量と排出
量とが一定となり、研磨布３４上では常にクリーンな溶
剤３８ａが供給されることになる。Referring back to FIG. 1, such a polishing apparatus 31
When the semiconductor substrate 37 which rotates by the rotary head 36 is brought into contact with the polishing cloth 34 of the rotating platen 33 and polished, the first nozzle 38 is brought into contact with the solvent 38a and polished. From 39, a solvent 38a is injected and supplied. The solvent 38 a is accumulated in the ring 35 while being discharged from the liquid drain hole 35 a by a fixed amount, and is held on the polishing pad 34 for a fixed time. That is, after the fixed amount is maintained, the supply amount and the discharge amount become constant at the liquid drain holes 35a at the bottom and side surfaces of the ring 35, and the clean solvent 38a is always supplied on the polishing pad 34.

【００３１】これにより半導体基板３７は、研磨布３４
による機械的研磨と溶剤３８ａによる化学反応研磨とが
行われる。溶剤３８ａと基板との化学反応では熱が発生
し、この熱が温度差のある溶剤３８ａに吸収されると反
応時に与えられる熱エネルギが増加して反応形態が変化
することから、温度上昇を温度センサ４５により検出す
る。この温度上昇の信号が温度測定器４６より制御装置
４７に送られると、制御装置４７が流量調整器４２，４
３を制御して、温度上昇分に相当する溶剤３８ａの流量
を増加させる。As a result, the semiconductor substrate 37 is
Polishing and chemical reaction polishing by the solvent 38a are performed. In the chemical reaction between the solvent 38a and the substrate, heat is generated, and when this heat is absorbed by the solvent 38a having a temperature difference, the heat energy given at the time of the reaction increases and the reaction form changes. It is detected by the sensor 45. When this temperature rise signal is sent from the temperature measuring device 46 to the control device 47, the control device 47
3 is controlled to increase the flow rate of the solvent 38a corresponding to the temperature rise.

【００３２】これにより、増加した流量が温度調節器４
４により所定の設定値で温度調節された調節部４４ａを
通って温度調節された溶剤３８ｂが、回転ヘッド３６の
近傍の第２のノズル４０及び定盤３３の周辺の第３のノ
ズル４１より噴射されて供給される。このため、研磨部
分の温度上昇を回避することができる。As a result, the increased flow rate is
The solvent 38b whose temperature has been adjusted through the adjusting unit 44a whose temperature has been adjusted to a predetermined set value by 4 is ejected from the second nozzle 40 near the rotary head 36 and the third nozzle 41 around the surface plate 33. Supplied and supplied. For this reason, a rise in the temperature of the polished portion can be avoided.

【００３３】このように、溶剤３８ａを研磨布３４上に
一定量供給すると同時に一定量廃液させることにより、
化学反応によって生じる汚染物質や劣化液を常に洗い流
すことができると共に、化学反応部分の温度の検出が容
易となって温度上昇を回避することができ、安定した化
学反応と研磨加工を同時に行うことができる。従って、
半導体製造における歩留りが向上し、低コスト化を図る
ことができるものである。As described above, by supplying a fixed amount of the solvent 38a onto the polishing pad 34 and simultaneously discharging a fixed amount of the solvent 38a,
Contaminants and degraded liquids generated by chemical reactions can be washed away at all times, and the temperature of chemical reaction parts can be easily detected and temperature rise can be avoided, enabling stable chemical reaction and polishing at the same time. it can. Therefore,
The yield in semiconductor manufacturing can be improved and cost can be reduced.

【００３４】なお、上記第１実施例において、溶剤３８
ａに砥粒を含ませてもよく、この場合に例えば第１及び
第３のノズル３９，４１より砥粒入の溶剤３８ａ，３８
ｂを供給し、第２のノズル４０より砥粒を含まない溶剤
３８ｂを供給してもよい。また、上記実施例では第１の
ノズル３９と第２及び第３のノズル４０，４１とからの
溶剤供給のタイミングを温度センサ４５、温度測定器器
４６によって異ならせているが、化学反応による温度上
昇分が予め把握できるものであれば、第１〜第３のノズ
ル４９〜４１の溶剤供給を同時にし、温度センサ４５に
より誤差監視させるようにしてもよい。In the first embodiment, the solvent 38
a may contain abrasive grains. In this case, for example, the first and third nozzles 39 and 41 supply solvents 38a and 38 containing abrasive grains.
b, and the solvent 38 b containing no abrasive particles may be supplied from the second nozzle 40. In the above embodiment, the timing of supplying the solvent from the first nozzle 39 and the second and third nozzles 40 and 41 is made different by the temperature sensor 45 and the temperature measuring instrument 46. If the rise can be grasped in advance, the solvent supply to the first to third nozzles 49 to 41 may be performed at the same time, and the error may be monitored by the temperature sensor 45.

【００３５】次に、図３に、本発明の第２実施例の研磨
方法の説明図を示す。ここで、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示
す回転ヘッド３６は、上下動自在な固定側５１のヘッド
固定部５２に球面軸受５３（エアバッグ等でもよい）を
介して回転ヘッド３６が取り付けられる。ヘッド固定部
５２は、回転ヘッド３６に対して固定及び解除が自在で
あり、解除時に回転ヘッド３６が自由度を有する状態と
なる。なお、回転ヘッド３６のチャッキング面と定盤３
３面とは０．１〜１μｍの平行度を有するものである。Next, FIG. 3 is an explanatory view of a polishing method according to a second embodiment of the present invention. Here, the rotary head 36 shown in FIGS. 3A to 3C is attached to a head fixing portion 52 of a fixed side 51 which can move up and down via a spherical bearing 53 (may be an airbag or the like). Can be The head fixing portion 52 can be freely fixed and released with respect to the rotary head 36, and the rotary head 36 has a degree of freedom when released. The chucking surface of the rotary head 36 and the platen 3
The three surfaces have a parallelism of 0.1 to 1 μm.

【００３６】また、回転ヘッド３６近傍には第１及び第
２の給液ノズル５４，５５が配置される。第１の給液ノ
ズル５４は例えば砥粒を含む温度管理された溶剤５４ａ
（ケミカル液、酸、アルカリ、有機、水等）を噴射し、
第２の給液ノズル５５は例えば砥粒を含まない温度管理
された溶剤５５ａ（ケミカル液、酸、アルカリ、有機、
水等）を噴射する。さらに、回転ヘッド３６にチャッキ
ングされた半導体基板３７に洗浄水５６ａを噴射する第
３の給液ノズル５６が配置されると共に、研磨布３４に
洗浄水５７ａを噴射する第４の給液ノズル５７が配置さ
れる。なお、他の構成は従来構成と同様である。In the vicinity of the rotary head 36, first and second liquid supply nozzles 54 and 55 are arranged. The first liquid supply nozzle 54 is, for example, a temperature-controlled solvent 54a containing abrasive grains.
(Chemical liquid, acid, alkali, organic, water, etc.)
The second liquid supply nozzle 55 is, for example, a solvent 55a (chemical liquid, acid, alkali, organic,
Water, etc.). Further, a third liquid supply nozzle 56 for injecting the cleaning water 56a to the semiconductor substrate 37 chucked by the rotary head 36 is disposed, and a fourth liquid supply nozzle 57 for injecting the cleaning water 57a to the polishing pad 34 is provided. Is arranged. The other configuration is the same as the conventional configuration.

【００３７】この場合の研磨方法は、まず図３（Ａ）に
示すように、回転ヘッド３６がヘッド固定部５２により
固定されており、回転する定盤３３（研磨布３４）上に
自転しながら所定圧力で荷重されて半導体基板３７が当
接する。これと同時に第１の給液ノズル５４より砥粒を
含む温度管理された溶剤５４ａが供給されることによ
り、半導体基板３７上の膜形成で生じるうねりを平坦化
する荒加工研磨（第１の研磨）が行われる。As shown in FIG. 3A, the polishing method in this case is such that the rotating head 36 is fixed by a head fixing part 52, and rotates on a rotating surface plate 33 (polishing cloth 34). The semiconductor substrate 37 comes into contact with a load at a predetermined pressure. Simultaneously with this, a temperature-controlled solvent 54a containing abrasive grains is supplied from the first liquid supply nozzle 54, so that rough processing polishing (first polishing) for flattening waviness caused by film formation on the semiconductor substrate 37 is performed. ) Is performed.

【００３８】荒加工研磨が終了すると、図３（Ｂ）に示
すように、ヘッド固定部５２（回転ヘッド３６）が上昇
し、第３の給液ノズル５６より半導体基板３７の研磨面
に洗浄溝５６ａを噴射して洗浄すると共に、ウェット状
態を保持させる。これと同時に、第４の給液ノズル３７
より研磨布３４に洗浄水５７ａを噴射してクリーニング
を行う。なお、半導体基板３７をウェット状態とする方
法及び手順は本実施例に限られるものではない。When the rough polishing is completed, as shown in FIG. 3B, the head fixing portion 52 (rotating head 36) is raised, and the third liquid supply nozzle 56 allows the cleaning groove to be formed on the polished surface of the semiconductor substrate 37. The cleaning is performed by spraying 56a, and the wet state is maintained. At the same time, the fourth liquid supply nozzle 37
Cleaning water is sprayed onto the polishing cloth 34 to perform cleaning. The method and procedure for bringing the semiconductor substrate 37 into a wet state are not limited to the present embodiment.

【００３９】そして、図３（Ｃ）に示すように、ヘッド
固定部５２が回転ヘッド３６の固定を解除して、回転ヘ
ッド３６を固定側５１に対して球面軸受５３により自由
に動作できるように自由度をもたせた状態とする。そし
て、回転ヘッド３６に所定の圧力を加えながら半導体基
板３７を研磨布３４に当接させると同時に、第２の給液
ノズル５５より砥粒を含まない溶剤５５ａを供給して平
面粗度研磨（第２の研磨）が行われる。Then, as shown in FIG. 3C, the head fixing part 52 releases the fixing of the rotary head 36 so that the rotary head 36 can be freely operated with respect to the fixed side 51 by the spherical bearing 53. The state has a degree of freedom. Then, the semiconductor substrate 37 is brought into contact with the polishing pad 34 while applying a predetermined pressure to the rotating head 36, and at the same time, a solvent 55 a containing no abrasive grains is supplied from the second liquid supply nozzle 55 to planarize the surface roughness ( Second polishing) is performed.

【００４０】このように、同一の定盤３３上で２回（こ
れ以上でもよい）の研磨加工を行っており、省スペース
であると共に、仕上げ加工までの処理時間が短縮され、
また制御するパラメータ数が減少することから制御が簡
易化されて低コスト化を図ることができるものである。As described above, the polishing is performed twice (or more) on the same platen 33, so that the space is saved and the processing time until the finishing is shortened.
Further, since the number of parameters to be controlled is reduced, the control is simplified and cost can be reduced.

【００４１】次に、図４に、本発明の第３実施例におけ
る研磨方法の構成図を示す。図４において、処理槽３２
内に配置される定盤３３の回転軸（図示せず）を垂直方
向に対して角度θ（０＜θ≦９０°）に傾け、これに対
応させて回転ヘッド３６の回転軸３６ａを同方向に同角
度のθに傾けて配設したものである。Next, FIG. 4 shows a configuration diagram of a polishing method according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 4, the treatment tank 32
The rotation axis (not shown) of the surface plate 33 disposed in the inside is inclined at an angle θ (0 <θ ≦ 90 °) with respect to the vertical direction, and the rotation axis 36a of the rotation head 36 is correspondingly rotated in the same direction. At the same angle θ.

【００４２】そして、定盤３３の高位置に第１のノズル
３９を配設する。この場合、処理槽３２の底部には該定
盤３３の低位置方向に廃液回収口３２ａが形成されてい
れば十分である。なお、他の構成は従来構成と同様であ
る。Then, a first nozzle 39 is disposed at a high position on the surface plate 33. In this case, it is sufficient that a waste liquid recovery port 32a is formed at the bottom of the processing tank 32 in the direction of the low position of the platen 33. The other configuration is the same as the conventional configuration.

【００４３】研磨は、半導体基板３７を研磨布３４に当
接させて機械的研磨を行うと同時に、第１のノズル３９
より溶剤３８ａを供給して化学反応研磨を行う。研磨布
３４を流れ落ちた溶剤３８ａは廃液回収口３２ａより排
出される。なお、化学反応研磨を行わない場合には第１
のノズル３９より洗浄水（純水等）を供給すればよい。In the polishing, the semiconductor substrate 37 is brought into contact with the polishing cloth 34 to perform mechanical polishing, and at the same time, the first nozzle 39
The solvent 38a is supplied to perform the chemical reaction polishing. The solvent 38a that has flowed down the polishing cloth 34 is discharged from the waste liquid recovery port 32a. When chemical reaction polishing is not performed, the first
Cleaning water (pure water or the like) may be supplied from the nozzle 39 of FIG.

【００４４】このように、定盤３３と回転ヘッド３６を
傾けることは、半導体基板３７に加えられる圧力は定盤
３３面に対して斜方向の成分分力がかけられることとな
り、研磨時に研磨布３４をドレッシングさせることとな
る。また、定盤３３の高位置より常にクリーンな溶剤３
８ａ又は洗浄水を供給することになると共に、必要量の
み研磨面に残り、過剰量が定盤３３のてい位置へ流れる
ことになる。As described above, when the surface plate 33 and the rotary head 36 are tilted, the pressure applied to the semiconductor substrate 37 exerts a component component in an oblique direction with respect to the surface of the surface plate 33. 34 will be dressed. In addition, a solvent 3 which is always cleaner than the high position of the surface plate 33.
8a or the cleaning water is supplied, and only a necessary amount remains on the polishing surface, and an excess amount flows to the position of the platen 33.

【００４５】これにより、反応、研磨で発生した汚染物
質による再汚染が防止された安定した化学反応と研磨加
工が可能となり、歩留り向上による低コスト化を図るこ
とができるものである。As a result, a stable chemical reaction and polishing can be performed while preventing recontamination by contaminants generated in the reaction and polishing, and the cost can be reduced by improving the yield.

【００４６】なお、上記第３実施例では、研磨布３４を
定盤３３の上部とした場合を基準とし傾斜させた場合を
示したが、これを１８０°回転させた研磨布３４を定盤
３３の下部とした場合を基準としてもよい。また、第１
のノズル３９の位置は、液自体を一定方向に流れるよう
にすればよく、定盤３３の何れの位置に配置してもよ
い。In the third embodiment, the case where the polishing pad 34 is tilted with reference to the case where the polishing pad 34 is located above the platen 33 is shown. May be used as a reference. Also, the first
The position of the nozzle 39 may be such that the liquid itself flows in a fixed direction, and may be arranged at any position on the surface plate 33.

【００４７】次に、図５に、本発明の第４実施例におけ
る定盤の構成図を示す。図５（Ａ）は定盤の平面図、図
５（Ｂ）は処理槽内の側部断面図である。Next, FIG. 5 shows a configuration diagram of a surface plate according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 5A is a plan view of a surface plate, and FIG. 5B is a side sectional view in a processing tank.

【００４８】図５（Ａ），（Ｂ）において、処理槽３２
内配設される定盤３３を、回転軸３３ａを有する単一の
第１の円盤６１、該第１の円盤６１の外周に所定のギア
比でギア結合された所定数（図５では８個）の第２の円
盤６２₁ 〜６２₈ 、及び第２の円盤６２₁ 〜６２₈ の外
周にそれぞれ所定のギア比でギア結合された単一の第３
の円盤６３に分割したものである。この場合、第２の円
盤６２₁ 〜６２₈は遊星歯車の役割をなす。そして、駆
動手段である駆動ローラ６４によりベルト６５を介して
第３の円盤６３を回転させるものである。5A and 5B, the processing tank 32
The internally disposed surface plate 33 is provided with a single first disk 61 having a rotating shaft 33a, and a predetermined number of gears connected to the outer periphery of the first disk 61 at a predetermined gear ratio (8 in FIG. 5). the second disc 62) of ₁ to 62 _8, and a second disc 62 _{1-62 8} single third respectively on the outer periphery is gear-connected in a predetermined gear ratio
Of the disk 63. In this case, the second disk 62 _{1-62 8} forms a role of planetary gears. Then, the third disk 63 is rotated via a belt 65 by a driving roller 64 as a driving means.

【００４９】また、第１〜第３の円盤６１，６２_１〜６
２_８，６３上にはそれぞれ粒度の異なる研磨布６６，６
７₁ 〜６７₈ ，６８が設けられる。また、第２の円盤６
２_１〜６２_８に対する第１及び第３の円盤６１，６３間
には給排水口６９がそれぞれ形成される。Further, the first to third disks 61, 62 _{1 to} 6
2 _8, 63 different polishing cloth each particle size is over 66,6
7 _{1-67 8,} 68 are provided. Also, the second disk 6
Between 2 ₁ first for -62 _8, and the third disk 61 and 63 water supply and drainage port 69 is formed, respectively.

【００５０】このような定盤３３は、駆動ローラ６４に
よりベルト６５を介して第３の円盤６３が回転され、こ
れにより個々の第２の円盤６２_１〜６２_８が回転され、
さらにこれにより第１の円盤６１が回転される。これら
の回転が同速になるようにギア比が設定される。[0050] Such surface plate 33, the drive roller 64 a third plate 63 is rotated via the belt 65, thereby the second disc ₆₂ 1-62 ₈ individual is rotated,
Further, thereby, the first disk 61 is rotated. The gear ratio is set so that these rotations are at the same speed.

【００５１】すなわち、同一の定盤３３上には粒度の異
なる研磨布６６，６７₁ 〜６７₈ ，６８が回転されるこ
ととなり、粒度の粗い研磨布より順次研磨を行う。この
とき給排水口６９の何れかより溶剤を供給し、又排水す
ることにより化学反応研磨をも行うものである。That is, polishing cloths 66, 67 _{1 to} 67 ₈ , 68 having different grain sizes are rotated on the same platen 33, and polishing is sequentially performed from polishing cloths having coarser grain sizes. At this time, the solvent is supplied from any of the water supply / drain ports 69 and drained to perform chemical reaction polishing.

【００５２】これにより、荒加工から仕上げ加工まで同
一の定盤３３上で行うことができ、省スペース化できる
と共に、処理時間の削減、制御の簡易化による低コスト
化を図ることができるものである。As a result, it is possible to perform from roughing to finishing on the same platen 33, to save space, to reduce processing time, and to reduce costs by simplifying control. is there.

【００５３】なお、第２の円盤を第１の円盤６１の同心
円上に一体のものとし、その下面に所定数の遊星歯車の
軸を嵌合させることにより、それぞれの遊星歯車の回転
で単一の第２の円盤を回転させてもよい。この場合にお
いても第１〜第３の円盤間には給排水口が形成されるも
のである。The second disk is integrally formed on the concentric circle of the first disk 61, and a predetermined number of planetary gear shafts are fitted on the lower surface of the second disk, so that the rotation of each planetary gear causes a single rotation. May be rotated. Also in this case, a water supply / drain port is formed between the first to third disks.

【００５４】続いて、図６に、第４実施例の他の実施意
における定盤の構成図を示す。図６（Ａ）は定盤の平面
図、図６（Ｂ）は処理槽内の側部断面図である。Next, FIG. 6 shows a block diagram of a surface plate according to another embodiment of the fourth embodiment. FIG. 6A is a plan view of a surface plate, and FIG. 6B is a side sectional view of the inside of a processing tank.

【００５５】図６（Ａ），（Ｂ）において、処理槽３２
内で定盤３３を、同心円状に第１〜第４の円盤７１〜７
４にそれぞれ所定のギア比でギア結合させて分割し、第
１〜第４の円盤７１〜７４上には粒度の異なる研磨布７
５〜７８をそれぞれ設けたものである。この場合、第１
〜第４の円盤７１〜７４間には給破水口７９が形成され
る。6A and 6B, the processing tank 32
The surface plate 33 is concentrically formed with the first to fourth disks 71 to 7.
4 is divided into gears at predetermined gear ratios, and polishing cloths 7 having different particle sizes are placed on the first to fourth disks 71 to 74.
5 to 78 are provided. In this case, the first
A breakwater opening 79 is formed between the fourth disk 71 to the fourth disk 74.

【００５６】そして、第４の円盤７４を駆動手段である
駆動ギア８０により回転させると共に、第１の円盤７１
を回転軸３３ａを介して逆回転させることにより、第１
及び第３の円盤７１，７３と、第２及び第４の円盤７
２，７４とが回転される。この場合のギア比は、各第１
〜第４の円盤７１〜７４の周速が同じなる数値で設定さ
れる。Then, the fourth disk 74 is rotated by a driving gear 80 as a driving means, and the first disk 71 is rotated.
Is rotated in reverse through the rotation shaft 33a,
And third disks 71 and 73, and second and fourth disks 7
2, 74 are rotated. The gear ratio in this case is
-The peripheral speeds of the fourth disks 71 to 74 are set to the same numerical values.

【００５７】この定盤３３による研磨加工は図５と同様
に粒度の大きな研磨布より小さい順に行うもので、これ
により荒加工から仕上げ加工まで同一の定盤３３上で行
うことができ、省スペース化できると共に、処理時間の
削減、制御の簡易化による低コスト化を図ることができ
るものである。The polishing by the surface plate 33 is performed in the order of smaller polishing cloths having larger grain sizes, as in FIG. 5, so that the roughing to the finishing can be performed on the same surface plate 33, and the space can be saved. It is possible to reduce processing time and cost by simplification of control.

【００５８】[0058]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、請求項１
及び２の発明では、研磨部分での温度を温度検知部によ
り検出して、常に温度が一定になるように温度調節した
他の溶剤を第２の液供給部より供給することにより、熱
エネルギの増加が回避され、安定した化学反応と研磨加
工を行うことができ、歩留り向上による低コスト化を図
ることができる。 According to the present invention as described above, claim 1
In the inventions of (2) and (3), the temperature in the polishing portion is detected by the temperature detection unit, and another solvent whose temperature is adjusted so that the temperature is always constant is supplied from the second liquid supply unit. The increase can be avoided, stable chemical reaction and polishing can be performed, and cost reduction can be achieved by improving yield .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図２】図１の処理槽の部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the processing tank of FIG.

【図３】本発明の第２実施例の研磨方法の説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view of a polishing method according to a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第３実施例における研磨方法の構成図
である。FIG. 4 is a configuration diagram of a polishing method according to a third embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第４実施例における定盤の構成図であ
る。FIG. 5 is a configuration diagram of a surface plate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図６】第４実施例の他の実施例における定盤の構成図
である。FIG. 6 is a configuration diagram of a surface plate according to another embodiment of the fourth embodiment.

【図７】従来の研磨方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a conventional polishing method.

【図８】従来の他の研磨方法の説明図である。FIG. 8 is an explanatory view of another conventional polishing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３１ 研磨装置 ３２ 処理槽 ３２ａ，３２ｂ 廃液回収口 ３３ 定盤 ３４ 研磨布 ３５，４８ リング ３６ 回転ヘッド ３７ 半導体基板 ３８，３８ａ，３８ｂ 溶剤 ３９ 第１のノズル ４０ 第２のノズル ４１ 第３のノズル ４２，４３ 流量調整器 ４４ 温度調節器 ４４ａ 調節部 ４５ 温度センサ ４６ 温度測定器 ４７ 制御装置 ５２ ヘッド固定部 ５３ 球面軸受 ６１，６１₁ 〜６２₈ ，６３ 第１の円盤 ６９，７９ 給排水口 ７１〜７４ 第１〜第４の円盤Reference Signs List 31 polishing apparatus 32 processing tank 32a, 32b waste liquid collecting port 33 surface plate 34 polishing cloth 35, 48 ring 36 rotating head 37 semiconductor substrate 38, 38a, 38b solvent 39 first nozzle 40 second nozzle 41 third nozzle 42 , 43 flow regulator 44 temperature controller 44a adjusting unit 45 temperature sensor 46 temperature measuring device 47 the control device 52 head fixing portion 53 the spherical bearing 61, 61 ₁ to 62 _8, 63 first disk 69 and 79 water supply and drainage port 71 to 74 First to fourth disks

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−39497（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−66565（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−156635（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−99073（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−240925（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−199832（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−40265（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−55156（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−146647（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 622 H01L 21/304 621 H01L 21/68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-51-39497 (JP, A) JP-A-3-66565 (JP, A) JP-A-2-156635 (JP, A) JP-A-62 99073 (JP, A) JP-A-2-240925 (JP, A) JP-A-2-199832 (JP, A) JP-A-58-40265 (JP, A) JP-A-3-55156 (JP, U) 60-146647 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/304 622 H01L 21/304 621 H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 配線層及び絶縁層が形成される半導体基
板であって、回転部に取り付けられ、処理槽内の回転自
在な定盤上の研磨部材で化学反応研磨のための溶剤を供
給しつつ機械的研磨が行われる該半導体基板を使用する
半導体装置の製造方法において、 前記半導体基板の前記研磨部材上での研磨の際に、研磨
部分で第１の溶剤を所定量保持させつつ供給する工程
と、 該研磨部分での前記第１の溶剤の温度を測定する工程
と、 測定温度に応じて、前記第１の溶剤とは独立して温度調
節された温度の異なる第２の溶剤を供給する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A semiconductor substrate on which a wiring layer and an insulating layer are formed.
The to a plate, attached to a rotating part, while the Solvent for the reaction polishing with a polishing member rotatable platen in the treatment tank and subjected <br/> feed mechanical polishing is carried out the method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor base plate, wherein during polishing on the polishing member of a semiconductor board, and supplying the first SOLVENTS with abrasive section while a predetermined amount held, said Measuring the temperature of the first solvent at the polishing portion; and controlling the temperature independently of the first solvent according to the measured temperature.
Supplying a second solvent having a reduced temperature . 2. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 【請求項２】 配線層及び絶縁層が形成される半導体基
板であって、回転部に取り付けられ、処理槽内の回転自
在な定盤上の研磨部材で化学反応研磨のための溶剤を供
給しつつ機械的研磨が行われる半導体製造装置におい
て、 前記半導体基板の前記研磨部材での研磨部分に、第１の
溶剤を供給する第１の液供給部と、 前記定盤の周囲に設けられ、供給される溶剤を該研磨部
材上で所定量保持させる液保持部と、 該研磨部分での溶剤の温度を検知する温度検知部と、 検知温度に応じて、前記第１の溶剤に混合させて所定温
度とするための第２の溶剤の温度を調節する温度調節部
と、温 度調節された前記第２の溶剤を供給する第２の液供給
部と、 を有することを特徴とする半導体製造装置。2. A semiconductor substrate on which a wiring layer and an insulating layer are formed.
A plate, attached to the rotating portion, the semiconductor mechanical polishing is performed Solvent for chemical reactions polishing with a polishing member rotatable platen in the treatment tank provided <br/> sheet while being in the manufacturing apparatus, the said abrasive portion of the polishing member of a semiconductor base plate, a first liquid supply section for supplying the first <br/> SOLVENTS, provided around the fixed plate, is supplied Solvent to the polishing section
A liquid holding portion for a predetermined amount held on wood, a temperature detector for detecting the temperature of the solvent in the abrasive section, in accordance with the detected temperature, for a predetermined temperature by mixing the first SOLVENTS temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the second SOLVENTS
When the second liquid supply to supply the temperature adjusted second SOLVENTS
The semiconductor manufacturing apparatus characterized by comprising: a part, the.