JP3272815B2 - Resist sensitivity adjustment apparatus and method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レジスト感度調整装置
および方法に関し、特に、塗布されたレジストの膜厚分
布，塗布後のベーキング条件およびベーキング後の冷却
条件のバラツキ等の影響を補正して、高精度なレジスト
パターンの形成を可能にするためのレジスト感度調整装
置および方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for adjusting the sensitivity of a resist, and more particularly to a method and a method for correcting the influence of variations in the thickness distribution of a coated resist, baking conditions after coating and cooling conditions after baking. The present invention relates to a resist sensitivity adjusting device and method for enabling formation of a highly accurate resist pattern.

【０００２】[0002]

【従来の技術】１６ＭＤＲＡＭ，６４ＭＤＲＡＭ等をは
じめとする集積度の非常に高い半導体素子の製造におい
て、あるいはそれら半導体素子の製造に用いるマスクの
製造において、微細なレジストパターンを高精度に形成
する必要性がある。2. Description of the Related Art It is necessary to form a fine resist pattern with high precision in the manufacture of highly integrated semiconductor devices such as 16M DRAMs and 64M DRAMs, or in the manufacture of masks used in the manufacture of these semiconductor devices. There is.

【０００３】このレジストパターン形成工程は、一般的
に、次のようになる。 レジスト塗布→プリベーク→冷却→露光→現像→ポスト
ベーク なお、露光工程と現像工程との間に、露光後ベーク工程
及び冷却工程を行う場合もある。The resist pattern forming process is generally as follows. Resist coating → pre-bake → cooling → exposure → development → post-bake In some cases, a post-exposure bake step and a cooling step may be performed between the exposure step and the development step.

【０００４】ここで、微細なレジストパターンを形成す
るにあたって、基板面内のレジストに関する特性（以
下、特徴量という）に基板面内分布（基板面内のばらつ
き）を与える要因として、以下のようなものが考えられ
る。Here, in forming a fine resist pattern, the following factors are given as factors that give characteristics (hereinafter referred to as "features") relating to the resist in the substrate surface within the substrate surface (variations in the substrate surface). Things are conceivable.

【０００５】 (i ) レジスト塗布工程：基板面内の塗布膜厚分布の発
生 (ii) プリベーク工程：基板面内の熱容量等のベーク条
件の局所的な違いに起因するベーク温度分布の発生 (iii)プリベーク後の冷却工程：基板面内の放熱特性等
の冷却条件の局所的な違いに起因する冷却速度分布の発
生 (iv) 露光工程：基板面内の局所的なレジストパターン
の違いに起因する露光比率分布の発生（３％の領域もあ
れば９７％の領域もある） これらの特徴量の面内分布については、１つのみが支配
要因になり他のものは無視できる場合も、いくつかが複
合する場合も考えられる。さらには、基板面内のばらつ
きだけでなく、基板間のばらつきも考えられる。そし
て、これらの特徴量の面内分布は、すべて実効的には各
領域のレジスト感度差として作用する。(I) Resist coating step: generation of coating film thickness distribution in substrate surface (ii) Pre-bake step: generation of baking temperature distribution due to local difference in baking conditions such as heat capacity in substrate surface (iii) ) Cooling process after pre-bake: Generation of cooling rate distribution due to local differences in cooling conditions such as heat radiation characteristics within the substrate surface. (Iv) Exposure process: Due to local differences in resist pattern within the substrate surface. Occurrence of exposure ratio distribution (3% area and 97% area) Regarding the in-plane distribution of these features, there are cases where only one is the dominant factor and others can be ignored. May be combined. Furthermore, not only variations within the substrate plane but also variations between substrates are conceivable. All of the in-plane distributions of these feature amounts effectively act as resist sensitivity differences in each region.

【０００６】例えば電子線レジストを５″ガラス板上に
約５００ｎｍの厚さに塗布し、２００℃，２０分の条件
でベーキングした後、ガラス板を縦置きにして冷却をし
た際、このガラス板の面内におけるレジスト感度の分布
は図７（ａ）のようになる。また、同様に塗布，ベーキ
ングした後、平置きにして冷却した際のレジスト感度分
布は図７（ｂ）のようになる。このようなガラス板の面
内の各部分のレジスト感度差の発生は、レジストのガラ
ス転移温度である１３２℃近辺を通過する際の冷却速
度、特に冷却速度の積分値に強い関係があることが判明
している。図７（ａ）のＡ点，Ｂ点および図７（ｂ）に
おけるＡ´点，Ｂ´点の冷却特性を、それぞれ図８
（ａ）および図８（ｂ）に示す。図に示されるように、
ガラス転移温度の前後において急激に冷却されるほど、
レジスト感度は高くなることが判る。For example, an electron beam resist is applied on a 5 ″ glass plate to a thickness of about 500 nm, baked at 200 ° C. for 20 minutes, and then cooled by placing the glass plate vertically. 7A shows the distribution of the resist sensitivity in the plane of FIG. The occurrence of such a difference in the resist sensitivity of each portion in the plane of the glass plate has a strong relationship with the cooling rate when passing through the vicinity of 132 ° C., which is the glass transition temperature of the resist, in particular, the integrated value of the cooling rate. The cooling characteristics at points A and B in FIG. 7A and points A ′ and B ′ in FIG. 7B are shown in FIG.
(A) and FIG. 8 (b). As shown in the figure,
The more rapidly it cools around the glass transition temperature,
It can be seen that the resist sensitivity increases.

【０００７】基板面内にレジスト感度差が発生した場
合、これは現像時のレジストパターンの加工精度を低下
させるように作用するため、微細なレジストパターンを
高精度に形成することは困難である。When a difference in resist sensitivity occurs in the substrate surface, this acts to reduce the processing accuracy of the resist pattern during development, and it is difficult to form a fine resist pattern with high precision.

【０００８】このように、１６ＭＤＲＡＭ，６４ＤＲＡ
Ｍ等に対応する微細なレジストパターンを高精度に形成
するためには、前述した各種要因の影響を取り除く必要
がある。現在では、冷却時のレジスト膜厚を均一化する
技術を中心に改善が進んでいるが、有効な解決手段は提
供されていないのが実情である。As described above, the 16MDRAM, 64DRA
In order to form a fine resist pattern corresponding to M or the like with high accuracy, it is necessary to remove the influence of the various factors described above. At present, improvements have been made mainly on a technique for making the resist film thickness uniform at the time of cooling, but no effective solution has been provided yet.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情を
考慮してなされたもので、基板面内のレジスト感度のば
らつきを低減し、さらに、基板間においてレジスト感度
を均一化するためのレジスト感度調整装置および方法を
提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances. It is an object to provide a sensitivity adjustment device and method.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト感
度調整装置は、レジスト感度に関連する１つのあるいは
複数の特徴量の基板面内分布を獲得し、これら基板面内
分布を用いて総合現像補正時間分布を決定するための補
正量決定手段と、レジストが塗布されベークされた直後
の基板に対して、当該基板の各領域ごとに、与えられた
前記総合現像補正時間分布に基づいて決定される所定の
加熱条件に従って熱を与えて冷却速度を制御するための
冷却速度制御手段とを備えてなることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A resist sensitivity adjusting apparatus according to the present invention obtains in-plane distribution of one or a plurality of characteristic amounts related to resist sensitivity, and uses these in-plane distributions to perform comprehensive development. Correction amount determining means for determining a correction time distribution, and a substrate immediately after resist is applied and baked, which is determined for each region of the substrate based on the given comprehensive development correction time distribution. Cooling rate control means for controlling a cooling rate by applying heat in accordance with predetermined heating conditions.

【００１１】好ましくは、前記補正量決定手段は、前記
特徴量を検出するための少なくとも１つのセンサー手段
を有し、このセンサー手段を用いて前記特徴量の基板面
内分布を測定するように構成しても良い。また、好まし
くは、前記補正量決定手段は、前記特徴量分布の基礎と
なるデータを外部から入力するための入力手段を有し、
このデータからデジタル処理により関連する特徴量分布
を求めるように構成しても良い。また、前記補正量決定
手段は、前記特徴量分布を外部から入力するための入力
手段を有しても良い。Preferably, the correction amount determining means has at least one sensor means for detecting the characteristic amount, and measures the in-plane distribution of the characteristic amount using the sensor means. You may. Preferably, the correction amount determining means has an input means for externally inputting data serving as a basis of the feature amount distribution,
A configuration may be adopted in which a related feature amount distribution is obtained from this data by digital processing. Further, the correction amount determination means may include an input means for externally inputting the feature amount distribution.

【００１２】ここで、前記特徴量には、レジスト塗布膜
厚、ベーク後の基板温度、基板冷却速度または露光比率
を用いると好ましい。また、前記冷却速度制御手段は、
ガラス転移温度を含む所定の温度範囲において、冷却速
度制御を行ってもよい。この場合、前記温度範囲を、ガ
ラス転移温度±５０℃の範囲にするとさらに好ましい。Here, it is preferable to use a resist coating film thickness, a substrate temperature after baking, a substrate cooling rate, or an exposure ratio as the characteristic amount. Further, the cooling rate control means includes:
The cooling rate control may be performed in a predetermined temperature range including the glass transition temperature. In this case, it is more preferable that the temperature range is set to a range of a glass transition temperature ± 50 ° C.

【００１３】また、前記冷却速度制御手段は、ハロゲン
ランプを集光させてスポット状にした熱エネルギービー
ムを出力し、これをＸＹ軸自由に走査させるスキャンス
ポットビーム手段を有し、これを用いて当該熱エネルギ
ービームを当該基板のレジスト面または裏面から照射し
て、当該基板の各領域ごとに所定の加熱条件で熱を与え
るように構成しても良い。さらに、この場合、前記冷却
速度制御手段は、前記スキャンスポットビーム手段を用
いて、当該熱エネルギービームを当該基板に照射する
際、当該熱エネルギービームの移動速度あるいは強度の
少なくとも一方を変えることにより、各領域に与える熱
量を制御するようにすれば好ましい。The cooling rate control means has a scan spot beam means for outputting a spot-shaped thermal energy beam by condensing the halogen lamp and scanning the XY axis freely. The thermal energy beam may be irradiated from the resist surface or the back surface of the substrate to apply heat to each region of the substrate under predetermined heating conditions. Further, in this case, the cooling rate control means, using the scan spot beam means, when irradiating the substrate with the thermal energy beam, by changing at least one of the moving speed or intensity of the thermal energy beam, It is preferable to control the amount of heat applied to each region.

【００１４】また、前記冷却速度制御手段は、前記総合
現像補正時間分布を用いて、当該基板の各領域ごとに目
標冷却速度Ｖs を決定するための冷却速度決定手段と、
当該目標冷却速度Ｖs に基づいて、基板に熱を加えて冷
却速度制御を行うための加熱制御手段とを有してもよ
い。ここで、前記加熱制御手段は、前記目標冷却速度Ｖ
s を用いて、当該基板の各領域ごとに加熱条件を決定す
るための加熱条件決定部と、当該加熱条件に従って基板
に熱を加えて冷却速度制御を行うための加熱手段とを有
してもよい。これらの場合、前記レジスト感度調整装置
は、冷却温度制御中の冷却速度Ｖm をモニターするため
の冷却速度モニター手段と、基板の各領域ごとに、目標
の冷却速度Ｖs と冷却速度のモニター値Ｖm との差分ｄ
Ｖをその都度加算してこの差分ｄＶの積分値ＳｄＶを算
出し、前回の目標冷却速度Ｖs (n-1) からこの差分ｄＶ
の積分値ＳｄＶを減じて今回の目標冷却速度Ｖs (n) を
算出し、この冷却速度Ｖs (n) を前記加熱制御手段に与
えるための積分値制御手段とをさらに有し、前記加熱制
御手段は、その都度与えられた目標冷却速度Ｖs (n)を
用いて、基板に熱を加えて冷却速度制御を行うように構
成すれば、さらに効果的である。The cooling rate control means includes: a cooling rate determining means for determining a target cooling rate Vs for each area of the substrate using the total development correction time distribution;
A heating control means for controlling the cooling rate by applying heat to the substrate based on the target cooling rate Vs may be provided. Here, the heating control means is configured to set the target cooling rate V
Using s, a heating condition determining unit for determining a heating condition for each region of the substrate, and a heating unit for controlling a cooling rate by applying heat to the substrate according to the heating condition. Good. In these cases, the resist sensitivity adjusting device includes a cooling speed monitor for monitoring the cooling speed Vm during the cooling temperature control, and a target cooling speed Vs and a monitoring value Vm of the cooling speed for each region of the substrate. Difference d
V is added each time to calculate an integrated value SdV of the difference dV, and the difference dV is calculated from the previous target cooling speed Vs (n-1).
And an integral value control means for calculating the current target cooling rate Vs (n) by subtracting the integral value SdV of the heating control means from the current cooling rate Vs (n) to the heating control means. Is more effective if the cooling rate is controlled by applying heat to the substrate using the target cooling rate Vs (n) given each time.

【００１５】また、本発明に係るレジスト感度調整方法
は、レジスト感度に関連する１つのあるいは複数の特徴
量の基板面内分布を獲得するステップと、これら基板面
内分布を用いて総合現像補正時間分布を決定するステッ
プと、前記総合現像補正時間分布に基づいて、当該基板
の各領域ごとの加熱条件を決定するステップと、レジス
トが塗布されベークされた直後の基板に対して、当該基
板の各領域ごとに、前記決定された所定の加熱条件に従
って熱を与えて冷却速度を制御するためのステップとか
らなることを特徴とする。Further, in the method of adjusting the resist sensitivity according to the present invention, a step of obtaining an in-plane distribution of one or a plurality of characteristic amounts related to the resist sensitivity, and a total development correction time using the in-plane distribution of the substrate. Determining the distribution; determining the heating conditions for each region of the substrate based on the total development correction time distribution; and A step of applying heat in accordance with the determined predetermined heating condition to control a cooling rate for each region.

【００１６】[0016]

【作用】本発明では、前記冷却速度制御手段は、測定に
より、またはデータ入力により、あるいは入力したデー
タに処理を施すことにより、レジスト感度に関連する特
徴量の基板面内分布、例えばレジスト塗布膜厚、ベーク
後の基板温度、基板冷却速度または露光比率等を得る。
そして、これら特徴量の基板面内分布を、基板の各領域
の現像補正時間を表す現像補正時間分布に換算する。特
徴量が複数ある場合は、それぞれに対応する現像補正時
間分布を加算して、総合現像補正時間分布を決定する。According to the present invention, the cooling rate control means performs measurement, data input, or processing of the input data to thereby distribute the characteristic amount related to the resist sensitivity in the substrate surface, for example, the resist coating film. The thickness, substrate temperature after baking, substrate cooling rate, exposure ratio, and the like are obtained.
Then, the in-plane distribution of these features is converted into a development correction time distribution representing the development correction time of each region of the substrate. When there are a plurality of feature amounts, the corresponding development correction time distributions are added to determine a total development correction time distribution.

【００１７】総合現像補正時間分布が与えられた前記冷
却速度制御手段は、これを基にして、基板の各領域ごと
の加熱条件を決定する。そして、このレジストが塗布さ
れベークされた直後の基板に対して、当該基板の各領域
ごとに、決定された加熱条件に従って所定のタイミング
で熱を加えて冷却速度を制御する。The cooling rate control means to which the comprehensive development correction time distribution is given determines heating conditions for each region of the substrate based on the cooling speed control means. Then, the cooling rate is controlled by applying heat to the substrate immediately after the resist is applied and baked at a predetermined timing in accordance with the determined heating condition for each region of the substrate.

【００１８】これにより、各工程において受けたあるい
は受ける実効的なレジスト感度への影響を取り除いて、
基板面内の各領域のレジスト感度を均一にすることが可
能となる。また、均一なレジスト感度が得られるので、
レジスト現像時間を一律固定することが可能になる。従
って、微細なレジストパターンを精度良く形成すること
が可能となる。In this way, the influence on the effective resist sensitivity received or received in each step is removed, and
It is possible to make the resist sensitivity uniform in each region in the substrate plane. Also, since uniform resist sensitivity can be obtained,
The resist development time can be fixed uniformly. Therefore, a fine resist pattern can be formed with high accuracy.

【００１９】ここで、前記冷却速度制御手段が、ガラス
転移温度を含む所定の温度範囲において、特に、ガラス
転移温度±５０℃の範囲で冷却速度制御を行った場合、
レジスト感度はガラス転移温度付近の冷却速度、特にそ
の範囲の冷却速度の積分値に強い関係があるので、冷却
速度制御によるレジスト感度の調整は効果的なものとな
る。Here, when the cooling rate control means controls the cooling rate in a predetermined temperature range including the glass transition temperature, particularly in the range of the glass transition temperature ± 50 ° C.,
Since the resist sensitivity has a strong relationship with the cooling rate near the glass transition temperature, particularly the integrated value of the cooling rate in that range, the adjustment of the resist sensitivity by controlling the cooling rate becomes effective.

【００２０】また、前記スキャンスポットビーム手段を
用いて当該基板の各領域ごとに所定の加熱条件で熱を与
える場合、ＸＹ軸自由に走査でき、さらにこの熱エネル
ギービームの移動速度あるいは強度を変えて各領域に与
える熱量を調整できるので、効果的な加熱操作を行うこ
とができる。When heat is applied to each area of the substrate by using the scan spot beam means under predetermined heating conditions, scanning can be freely performed on the X and Y axes, and the moving speed or intensity of the thermal energy beam can be changed. Since the amount of heat applied to each region can be adjusted, an effective heating operation can be performed.

【００２１】さらに、このレジスト感度調整装置に、前
記冷却速度モニター手段および前記積分値制御手段を設
けた場合、冷却速度に関してフィードバック制御を実施
することができるので、さらに精度良くレジスト感度を
調整することが可能となる。Further, when the cooling speed monitoring means and the integral value control means are provided in the resist sensitivity adjusting device, feedback control can be performed with respect to the cooling speed, so that the resist sensitivity can be adjusted more precisely. Becomes possible.

【００２２】[0022]

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。なお、対応する部分には同一番号を付して、詳細な
説明は省略する。ここで、以下の説明で用いる特徴量と
は、例えば塗布膜厚、ベーク後の基板温度（以下、ベー
ク後温度と略記する）、基板冷却速度（以下、冷却速度
と略記する）あるいは露光比率等のレジスト感度に関連
する量のことをいうものとする。Embodiments will be described below with reference to the drawings. Corresponding parts have the same reference numerals allotted, and detailed description thereof will not be repeated. Here, the characteristic amount used in the following description includes, for example, a coating film thickness, a substrate temperature after baking (hereinafter abbreviated as a temperature after baking), a substrate cooling rate (hereinafter abbreviated as a cooling rate), an exposure ratio, and the like. Means the amount related to the resist sensitivity of

【００２３】図１は、本発明の第１の実施例に係るレジ
スト感度調整装置を示すブロック図である。この装置
は、センサー部６を含む補正量決定部８，加熱手段１２
を含む冷却速度制御部１０からなる。この装置により処
理される基板２は、支持台４に設置され、センサー部６
による測定を受け、そして、支持台４上で冷却されると
共に、加熱手段１２による加熱を受ける。FIG. 1 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting apparatus according to a first embodiment of the present invention. This device includes a correction amount determining unit 8 including a sensor unit 6, a heating unit 12
The cooling speed control unit 10 includes The substrate 2 to be processed by this apparatus is placed on a support 4 and a sensor unit 6
, And is cooled on the support table 4 and is heated by the heating means 12.

【００２４】このレジスト感度調整装置の動作について
説明する。この装置の動作は、概略的には、補正量決定
操作及び冷却速度制御操作からなる。本実施例では、特
徴量には、例えば塗布膜厚、ベーク後温度あるいは冷却
速度等のレジスト感度に関連する測定可能な物理量を用
いるものとする。なお、このレジスト感度調整工程後に
施される現像工程におけるプロセスパラメータである現
像時間は固定されているものとし、これを基準現像時間
Ｔs とする。 （i ）補正量決定操作 補正量決定部８は、センサー部６および支持台４のいず
れかあるいは両方を走査させながら、センサー部６によ
り所定の特徴量Ｆ1 （例えば塗布膜厚）の基板面内分布
Ｆ1 （ｘ，ｙ）を測定する。ここで、ｘ，ｙは、基板を
細分化して形成された各操作（例えば測定等）の単位で
ある小領域のｘ座標，ｙ座標を表すこととする。以下、
各領域といった場合、処理される基板のを細分化された
各小領域のことをいうものとする。なお、細分化領域の
大きさは、基板のレジストパターン精度等にあわせて適
宜設定することができる。The operation of the resist sensitivity adjusting device will be described. The operation of this device roughly includes a correction amount determination operation and a cooling speed control operation. In the present embodiment, a measurable physical quantity related to the resist sensitivity, such as a coating film thickness, a temperature after baking, or a cooling rate, is used as the feature quantity. The developing time, which is a process parameter in the developing step performed after the resist sensitivity adjusting step, is assumed to be fixed, and is referred to as a reference developing time Ts. (I) Correction Amount Determination Operation The correction amount determination unit 8 scans one or both of the sensor unit 6 and the support table 4 and scans a predetermined characteristic amount F1 (for example, a coating film thickness) in the substrate plane by the sensor unit 6. The distribution F1 (x, y) is measured. Here, x and y represent the x-coordinate and y-coordinate of a small area which is a unit of each operation (for example, measurement or the like) formed by dividing the substrate. Less than,
In the case of each area, it means each small area obtained by subdividing the substrate to be processed. Note that the size of the subdivision region can be appropriately set in accordance with the resist pattern accuracy of the substrate and the like.

【００２５】得られた特徴量面内分布データを、予め格
納されている基準データを用いて、基板の各領域ごとの
現像補正時間を表す現像補正時間分布ｄＴ1 （ｘ，ｙ）
に換算する。すなわち、特徴量Ｆ1 が変動するとその作
用によりレジスト感度が変動し、それにより必要な現像
時間が基準現像時間Ｔs から変動することから、各領域
ごとに、特徴量Ｆ1 の変動分を前記基準データを用いて
上記現像時間Ｔs からの変動分を示す現像補正時間ｄＴ
1 に換算して、これをレジスト感度の変動分の尺度とし
て用いるわけである。なお、この基準データは、各特徴
量ごとに予め実験等により求めておく。The obtained feature amount in-plane distribution data is converted into a development correction time distribution dT 1 (x, y) representing a development correction time for each region of the substrate by using reference data stored in advance.
Convert to That is, when the feature value F1 fluctuates, the resist sensitivity fluctuates due to the action, and the required development time fluctuates from the reference development time Ts. And a development correction time dT indicating a variation from the development time Ts.
This is converted to 1 and used as a measure of the variation in resist sensitivity. Note that this reference data is obtained in advance by experiment or the like for each feature amount.

【００２６】さらに、複数の特徴量に関して補正を行う
場合には、同様に、他の各特徴量（例えばベーク後温度
等）ごとに基板面内分布Ｆ2 （ｘ，ｙ），Ｆ3 （ｘ，
ｙ）…を測定し、予め格納されているそれぞれに対応す
る基準データを用いて、それぞれに対応する現像補正時
間分布ｄＴ2 （ｘ，ｙ）…，ｄＴ3 （ｘ，ｙ）…を求め
る。Further, when correcting a plurality of feature values, similarly, the in-plane distributions F2 (x, y) and F3 (x, y) for each of the other feature values (for example, the temperature after baking).
y) are measured, and the corresponding development correction time distributions dT2 (x, y), dT3 (x, y) are determined using the reference data stored in advance.

【００２７】次に、各特徴量の変動がレジスト感度に与
える影響は相互に独立であるものとして、各特徴量ごと
に得られた現像補正時間分布ｄＴi （ｘ，ｙ）を加算
し、これを総合現像補正時間分布ｄＴtotal （ｘ，ｙ）
とする。なお、加算する場合に、所定の重み付け係数を
乗じても良い。あるいは、他の所定の数式を用いても良
い。Next, assuming that the influence of the variation of each feature value on the resist sensitivity is mutually independent, the development correction time distribution dTi (x, y) obtained for each feature value is added, and this is added. Total development correction time distribution dTtotal (x, y)
And When adding, a predetermined weighting coefficient may be multiplied. Alternatively, another predetermined mathematical formula may be used.

【００２８】そして、この総合現像補正時間分布ｄＴto
tal （ｘ，ｙ）を、冷却速度制御部１０に伝える。 （ii）冷却速度制御操作 ここでは、冷却速度を変動させた場合、これがレジスト
感度を変動するように作用することに着目し、各領域ご
とに、前述の各特徴量の変動の重畳により生じたレジス
ト感度の変動を打ち消すように冷却速度を変動させて、
レジスト感度の面内均一化を図る。すなわち、各領域ご
とに、レジスト感度の変動分の尺度として用いた総合現
像補正時間ｄＴtotal に基づいて、これを打ち消すよう
に冷却速度を制御するわけである。The total development correction time distribution dTto
tal (x, y) is transmitted to the cooling rate control unit 10. (Ii) Cooling rate control operation Here, when the cooling rate is varied, attention is paid to the fact that this acts to vary the resist sensitivity. By changing the cooling rate so as to cancel the fluctuation of the resist sensitivity,
The resist sensitivity is made uniform within the surface. That is, for each region, the cooling rate is controlled so as to cancel this, based on the total development correction time dTtotal used as a measure of the variation in the resist sensitivity.

【００２９】あらかじめ、種々の基準現像時間Ｔs およ
び所定の総合現像補正時間ｄＴtotal に対応する冷却速
度制御データを実験等により求めておき、冷却速度制御
部１０にセットしておくものとする。この冷却速度制御
データは、基準現像時間Ｔsを打ち消して（変動させ
て）、基板上各領域の必要な現像時間が基準現像時間Ｔ
s に等しくなるように冷却速度変動（それによるレジス
ト感度の変動）を与えるためのデータであり、最終的に
は後述するような加熱手段１２を制御するデータであ
る。It is assumed that cooling speed control data corresponding to various reference development times Ts and a predetermined total development correction time dTtotal are obtained in advance by experiments or the like and set in the cooling speed control unit 10. This cooling rate control data negates (or fluctuates) the reference development time Ts, and the required development time of each area on the substrate is calculated based on the reference development time Ts.
This is data for giving a cooling speed variation (variation in resist sensitivity thereby) so as to be equal to s, and is finally data for controlling the heating means 12 as described later.

【００３０】補正量決定部８から総合現像補正時間分布
ｄＴtotal （ｘ，ｙ）が与えられた冷却速度制御部１０
は、各領域ごとに、基準現像時間Ｔs ，総合現像補正時
間ｄＴtotal を基に、上記冷却速度制御データのうちか
ら該当する冷却速度制御データを決定する。そして、こ
の冷却速度制御データに従って、加熱手段１２を駆動
し、加熱手段１２および支持台４のいずれかあるいは両
方を走査させながら、支持台４上で放熱して冷却してい
る基板の各領域に所定のタイミングで熱を与え、これに
より冷却速度を調整する。The cooling rate control unit 10 to which the total development correction time distribution dTtotal (x, y) is given from the correction amount determination unit 8
Determines the corresponding cooling speed control data from the above cooling speed control data for each area based on the reference development time Ts and the total development correction time dTtotal. The heating means 12 is driven in accordance with the cooling rate control data, and while scanning one or both of the heating means 12 and the support 4, the heat is radiated on the support 4 and the respective areas of the substrate are cooled. Heat is applied at a predetermined timing, thereby adjusting the cooling rate.

【００３１】以上の操作により、前記各特徴量の面内ば
らつきにより変動を受けたレジスト感度に逆の変動を与
えて、基板面内の各領域のレジスト感度を均一にするこ
とが可能となる。By the above-described operations, the resist sensitivities changed by the in-plane variations of the characteristic amounts are given opposite fluctuations, so that the resist sensitivities of the respective regions on the substrate surface can be made uniform.

【００３２】また、基準現像時間Ｔs に基づいて制御す
るので、基板間のバラツキについても、これを除去して
均一なレジスト感度を与えることができる。ここで、同
ロット内の各基板は同一の分布特性を示すものとして、
２枚目以降の基板２に対しては冷却速度制御操作のみを
行うようにしても良い。この場合、２枚目以降の補正量
決定操作を省くことができ効率的である。In addition, since the control is performed based on the reference development time Ts, the uniformity of the resist sensitivity can be provided by removing the variation between the substrates. Here, assuming that each substrate in the same lot shows the same distribution characteristic,
Only the cooling speed control operation may be performed on the second and subsequent substrates 2. In this case, the correction amount determination operation for the second and subsequent sheets can be omitted, which is efficient.

【００３３】また、十分安定した（ばらつき具合も安定
した）製造プロセスについては、ロットが異なっても同
一の分布特性を示すものとして、最初の１ロットの２枚
目以降の補正量決定操作をすべて省くことも可能であ
る。さらには、用いる冷却速度制御データを固定して、
前述の補正量決定操作を完全に省くことも可能である。For a manufacturing process that is sufficiently stable (variation is also stable), it is assumed that the same distribution characteristic is exhibited even if the lot is different, and all the correction amount determination operations for the second and subsequent sheets of the first lot are performed. It is also possible to omit it. Furthermore, fixing the cooling rate control data to be used,
It is also possible to completely omit the correction amount determination operation described above.

【００３４】ただし、特徴量として冷却速度を用いる場
合は、冷却曲線を測定した後の既に冷却した基板に対し
てはもはや冷却速度制御操作を行うことができないの
で、１枚目は先行基板とし、少なくとも同ロット内は同
一の冷却曲線を示すものとして、２枚目以降に対して冷
却速度制御操作を行うものとする。However, when the cooling rate is used as the characteristic quantity, the cooling rate control operation can no longer be performed on the already cooled substrate after measuring the cooling curve. At least in the same lot, the same cooling curve is shown, and the cooling speed control operation is performed for the second and subsequent sheets.

【００３５】ここで、図１においては、センサー部６と
加熱手段１２とは基板２から見て反対方向に設けられて
いるが、これらが基板２から見て同方向にあっても良
い。また、測定する特徴量が複数の場合、センサー部６
には各特徴量の測定に対応するセンサーが含まれるが、
それらは基板２から見て同方向にあっても、反対方向に
あっても構わない。Here, in FIG. 1, the sensor section 6 and the heating means 12 are provided in opposite directions as viewed from the substrate 2, but they may be in the same direction as viewed from the substrate 2. If there are a plurality of feature amounts to be measured, the sensor unit 6
Includes sensors corresponding to the measurement of each feature,
They may be in the same direction as viewed from the substrate 2 or in the opposite direction.

【００３６】次に、冷却速度制御について、さらに詳し
く説明する。まず、加熱手段１２としては、スキャンス
ポットビームを用るのが好ましい。このスキャンスポッ
トビームは、光熱エネルギー源として使用するハロゲン
ランプ等から発生された光を集光してスポット状にし、
このスポット状にした熱エネルギービーム（以下、スポ
ットビームという）をＸＹ軸自由に走査して対象物に照
射するものである。Next, the cooling rate control will be described in more detail. First, it is preferable to use a scan spot beam as the heating means 12. This scan spot beam condenses light generated from a halogen lamp or the like used as a photothermal energy source into a spot shape,
The spot-shaped thermal energy beam (hereinafter, referred to as a spot beam) irradiates an object by freely scanning on the XY axes.

【００３７】支持台４上に設置されている基板２は、放
熱し冷却している。この基板２に対して、各領域ごと
に、スポットビームを走査し所定のタイミングで照射し
て、冷却速度を変動させる。The substrate 2 installed on the support 4 radiates heat and is cooled. The substrate 2 is scanned with a spot beam for each region and irradiated at a predetermined timing to change the cooling rate.

【００３８】各領域ごとのスポットビームの照射に関し
ては、前述の冷却速度制御データに従って、ラスタース
キャン的な走査あるいはベクトルスキャン的な走査によ
り、基板の所定の領域にスポットビームを持っていき、
所定の時間だけ照射する操作を繰り返すようにすれば良
い。このとき、照射強度を変えて照射量を調整しても良
いし、スポットビームの走査速度を変えて照射量を調整
しても良い。また、これらの組み合わせで照射量を調整
しても良い。Regarding the irradiation of the spot beam for each area, the spot beam is brought to a predetermined area of the substrate by raster scan or vector scan according to the cooling rate control data.
The operation of irradiating for a predetermined time may be repeated. At this time, the irradiation amount may be adjusted by changing the irradiation intensity, or the irradiation amount may be adjusted by changing the scanning speed of the spot beam. Further, the irradiation amount may be adjusted by a combination of these.

【００３９】ここで、レジスト感度は、レジストのガラ
ス転移温度である１３２℃近辺を通過する際の冷却速
度、特に、ガラス転移温度近辺を通過する際の冷却速度
の積分値に強い関係がある。従って、冷却速度は、ガラ
ス転移温度近辺で制御するのが望ましく、好ましくはガ
ラス転移温度±５０℃の範囲で制御するのが良い。Here, the resist sensitivity has a strong relationship with the cooling rate when the resist passes around 132 ° C., which is the glass transition temperature of the resist, and in particular, the integral value of the cooling rate when passing around the glass transition temperature. Therefore, the cooling rate is desirably controlled near the glass transition temperature, and is preferably controlled within the range of the glass transition temperature ± 50 ° C.

【００４０】なお、前述の冷却速度制御では、冷却は放
熱による冷却に任せ、加熱により冷却速度を遅くするよ
うに制御するものであったが、積極的に冷却させる冷却
板あるいは冷却器等の冷却手段をさらに設け、加熱手段
および冷却手段を併用して冷却速度制御を行っても良
い。この場合、冷却速度制御可能な変動範囲が広がると
いう利点、あるいは加熱手段の操作を簡易にできるとい
う利点等がある。In the above-described cooling rate control, cooling is performed by cooling by radiation, and the cooling rate is controlled to be reduced by heating. However, cooling such as a cooling plate or a cooler for actively cooling is performed. Means may be further provided, and the cooling rate may be controlled by using both the heating means and the cooling means. In this case, there is an advantage that the fluctuation range in which the cooling rate can be controlled is widened, or that the operation of the heating unit can be simplified.

【００４１】以上のように、冷却速度、特に、レジスト
ガラス転移点付近を通過するときの冷却速度を各領域ご
とに制御することにより、各工程において受けたあるい
は受ける実効的なレジスト感度への影響を取り除いて、
基板面内の各領域のレジスト感度を均一にすることが可
能となる。また、均一なレジスト感度が得られるので、
レジスト現像時間を一律固定することが可能になる。従
って、微細なレジストパターンを精度良く形成すること
が可能となる。As described above, by controlling the cooling rate, particularly the cooling rate when passing through the vicinity of the resist glass transition point, for each region, the influence on the effective resist sensitivity received or received in each process is controlled. And remove
It is possible to make the resist sensitivity uniform in each region in the substrate plane. Also, since uniform resist sensitivity can be obtained,
The resist development time can be fixed uniformly. Therefore, a fine resist pattern can be formed with high accuracy.

【００４２】図２は、図１の装置の補正量決定部８に入
力手段９を含ませた一例である。この装置の基本的な構
成および動作は図１の装置の動作と同一であり、詳細な
説明は省略する。FIG. 2 shows an example in which the input means 9 is included in the correction amount determining section 8 of the apparatus shown in FIG. The basic configuration and operation of this device are the same as those of the device of FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted.

【００４３】ここでは、予め外部の測定装置より測定さ
れた特徴量分布のデータがある場合、図２のように入力
手段９を設け、これにより補正量決定部８ｂへ当該デー
タを入力できるように構成したものである。例えば、レ
ジスト膜厚分布データが既に他の装置により測定されて
いる場合、このデータを用いれば、レジスト膜厚分布の
測定を省略することができる。In this case, when there is feature distribution data previously measured by an external measuring device, an input means 9 is provided as shown in FIG. 2 so that the data can be inputted to the correction amount determining section 8b. It is composed. For example, when the resist thickness distribution data has already been measured by another apparatus, the use of this data can omit the measurement of the resist film thickness distribution.

【００４４】図３は、本発明の第２の実施例に係るレジ
スト感度調整装置を示すブロック図である。この装置
は、この装置の操作後の露光工程において基板面内の局
所的なレジストパターンの違いによる露光比率分布に起
因する実行的なレジスト感度差の発生を予め逆に補正し
ておくための装置であり、パターンデータ入力部７を含
む補正量決定部８ｃと、加熱手段１２を含む冷却速度制
御部１０とを具備してなる。なお、基板２，支持台４お
よび加熱手段１２については、図１と同様である。FIG. 3 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a second embodiment of the present invention. This apparatus reversely corrects in advance the occurrence of an effective resist sensitivity difference caused by an exposure ratio distribution due to a local resist pattern difference in a substrate surface in an exposure step after operation of the apparatus. And a correction amount determining unit 8 c including the pattern data input unit 7 and a cooling speed control unit 10 including the heating unit 12. The substrate 2, the support 4 and the heating means 12 are the same as in FIG.

【００４５】このレジスト感度調整装置の動作について
説明する。この装置の動作は、図１の装置と同様に、概
略的には、補正量決定操作及び冷却速度制御操作からな
る。本実施例では、特徴量には、露光比率等の測定が不
可能なあるいは困難な量で、何らかのデータから求める
ことができる量を扱うものとする。なお、以下の説明に
は特徴量として露光比率を用いる。The operation of the resist sensitivity adjusting device will be described. The operation of this device roughly includes a correction amount determination operation and a cooling speed control operation, as in the device of FIG. In the present embodiment, it is assumed that the feature amount is an amount that is impossible or difficult to measure such as an exposure ratio and that can be obtained from some data. In the following description, an exposure ratio is used as a feature value.

【００４６】まず、補正量決定操作に関して説明する。
後に行う現像工程における現像時間は固定されているも
のとし、これを基準現像時間Ｔs とする。補正量決定部
８ｃは、パターンデータ入力部７から外部の情報記憶媒
体に格納されているレジストのパターンデータを読み込
み、デジタル処理により、露光比率分布Ｆ4 （ｘ，ｙ）
を算出する。First, the correction amount determining operation will be described.
It is assumed that the developing time in the later developing step is fixed, and this is set as a reference developing time Ts. The correction amount determination unit 8c reads the resist pattern data stored in the external information storage medium from the pattern data input unit 7, and performs exposure processing on the exposure ratio distribution F4 (x, y) by digital processing.
Is calculated.

【００４７】得られた露光比率の面内分布データを、予
め格納されている基準データを用いて、現像補正時間分
布ｄＴ4 （ｘ，ｙ）に換算する。そして、この現像補正
時間分布ｄＴ4 （ｘ，ｙ）を総合現像補正時間分布ｄＴ
total （ｘ，ｙ）として、冷却速度制御部１０に伝え
る。The in-plane distribution data of the obtained exposure ratio is converted into a development correction time distribution dT4 (x, y) using reference data stored in advance. Then, this development correction time distribution dT4 (x, y) is converted to the total development correction time distribution dT.
This is transmitted to the cooling rate control unit 10 as total (x, y).

【００４８】なお、特徴量が複数ある場合に、それぞれ
に対応する現像補正時間分布を加算等するのは、第１の
実施例と同様である。ここで、以降の冷却速度制御操作
は図１の実施例と同様であり、詳細な説明は簡略化のた
めに省略する。In the case where there are a plurality of feature amounts, the addition of the development correction time distribution corresponding to each feature amount is the same as in the first embodiment. Here, the subsequent cooling speed control operation is the same as that of the embodiment of FIG. 1, and the detailed description is omitted for simplification.

【００４９】本実施例において、冷却速度、特に、レジ
ストガラス転移点付近を通過するときの冷却速度を各領
域ごとに制御することにより、後の露光工程において露
光比率の面内ばらつきにより変動を受けるであろう実効
的なレジスト感度に予め逆の変動を与えて、基板面内の
各領域の露光工程後の実効的なレジスト感度を均一にす
ることが可能となる。In this embodiment, the cooling rate, particularly the cooling rate when passing through the vicinity of the transition point of the resist glass, is controlled for each region, so that the exposure ratio varies in the subsequent exposure process due to the in-plane variation of the exposure ratio. In this case, the effective resist sensitivity may be changed in advance in reverse to uniformize the effective resist sensitivity of each region in the substrate surface after the exposure process.

【００５０】図４は、本発明の第３の実施例に係るレジ
スト感度調整装置を示すブロック図である。この装置
は、図１の装置および図３の装置を組み合わせた装置で
あり、センサー部６およびパターンデータ入力部７を含
む補正量決定部８ｄと加熱手段１２を含む冷却速度制御
部１０からなる。なお、基板２，支持台４および加熱手
段１２については、図１と同様である。FIG. 4 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a third embodiment of the present invention. This apparatus is a combination of the apparatus shown in FIG. 1 and the apparatus shown in FIG. 3, and includes a correction amount determining unit 8 d including a sensor unit 6 and a pattern data input unit 7, and a cooling speed control unit 10 including a heating unit 12. The substrate 2, the support 4 and the heating means 12 are the same as in FIG.

【００５１】このレジスト感度調整装置の動作について
説明する。この装置の動作は、概略的には、補正量決定
操作及び冷却速度制御操作からなる。まず、補正量決定
操作に関して説明する。後に行う現像工程におけるプロ
セスパラメータである現像時間は固定されているものと
し、これを基準現像時間Ｔsとする。The operation of the resist sensitivity adjusting device will be described. The operation of this device roughly includes a correction amount determination operation and a cooling speed control operation. First, the correction amount determination operation will be described. The development time, which is a process parameter in the development step performed later, is assumed to be fixed, and this is set as a reference development time Ts.

【００５２】補正量決定部８ｄは、必要な特徴量Ｆi の
基板面内分布Ｆi （ｘ，ｙ）を得る。これは、センサー
部６により特徴量Ｆi の基板面内分布Ｆi （ｘ，ｙ）を
測定し、あるいは、パターンデータ入力部７から所定の
データを読み込み、特徴量Ｆj の基板面内分布Ｆj
（ｘ，ｙ）を算出することによりなされる。The correction amount determining section 8d obtains the required in-plane distribution Fi (x, y) of the characteristic amount Fi. This means that the sensor unit 6 measures the distribution Fi (x, y) of the feature amount Fi in the substrate plane, or reads predetermined data from the pattern data input unit 7 and obtains the distribution Fj of the characteristic amount Fj in the substrate plane.
This is done by calculating (x, y).

【００５３】また、予め外部の測定装置より測定された
特徴量分布のデータがある場合、図２を用いて前述した
ように入力手段９を設け、これにより当該データＦk
（ｘ，ｙ）を入力しても良い。In the case where there is feature distribution data previously measured by an external measuring device, the input means 9 is provided as described above with reference to FIG.
(X, y) may be input.

【００５４】得られたそれぞれの特徴量の面内分布デー
タを、予め格納されているそれぞれの特徴量に対応する
基準データを用いて、現像補正時間分布ｄＴi （ｘ，
ｙ）に換算する。Using the obtained in-plane distribution data of each characteristic amount, the development correction time distribution dTi (x,
y).

【００５５】次に、各特徴量の変動がレジスト感度に与
える影響は相互に独立であるものとして、各特徴量ごと
に得られた現像補正時間分布ｄＴi （ｘ，ｙ）を加算等
し、これを総合現像補正時間分布ｄＴtotal （ｘ，ｙ）
とする。Next, assuming that the influence of the variation of each feature amount on the resist sensitivity is mutually independent, the development correction time distribution dTi (x, y) obtained for each feature amount is added, and the like. To the total development correction time distribution dTtotal (x, y)
And

【００５６】そして、この総合現像補正時間分布ｄＴto
tal （ｘ，ｙ）を、冷却速度制御部１０に伝える。な
お、冷却速度制御操作以降は図１の実施例と同様であ
り、詳細な説明は簡略化のために省略する。The total development correction time distribution dTto
tal (x, y) is transmitted to the cooling rate control unit 10. The operation after the cooling speed control operation is the same as that of the embodiment of FIG. 1, and the detailed description is omitted for simplification.

【００５７】本実施例により、冷却速度、特に、レジス
トガラス転移点付近を通過するときの冷却速度を各領域
ごとに制御することにより、基板面内の各領域のレジス
ト感度を均一にすることが可能となる。According to the present embodiment, by controlling the cooling rate, particularly, the cooling rate when passing through the vicinity of the resist glass transition point, for each region, the resist sensitivity in each region within the substrate surface can be made uniform. It becomes possible.

【００５８】図５は、図１のレジスト感度調整装置をよ
り具体的に構成した一例である。この装置は、レジスト
膜厚分布および冷却速度分布を冷却速度制御により補正
して、レジスト感度を基板面内均一化する装置であり、
レジスト膜厚センサー部１６ａ、レジスト膜厚分布モニ
ター部２０ａ，第１現像補正時間決定部２１ａ，第１基
準データ記憶部２２ａ，温度センサー部１６ｂ，冷却速
度モニター部２０ｂ，第２現像補正時間決定部２１ｂ，
第２基準データ記憶部２２ｂ，総合現像補正時間２３，
冷却速度決定部２４，冷却速度データ記憶部２５，スキ
ャンスポットビーム制御部２６，照射データ記憶部２７
およびスキャンスポットビーム部１２ａからなる。な
お、基板２，支持台４およびスキャンスポットビーム部
１２ａのスキャンスポットビームについては、第１の実
施例の説明と同様である。ここで、レジスト膜厚センサ
ー部１６ａに含まれる膜厚センサーは、レーザー干渉等
の原理に基づいて構成されたものでも良い。また、温度
センサー部１６ｂに含まれる温度センサーは、赤外線検
出等によるものでも良い。FIG. 5 shows an example of a more specific configuration of the resist sensitivity adjusting device of FIG. This apparatus corrects the resist film thickness distribution and the cooling rate distribution by cooling rate control, and makes the resist sensitivity uniform within the substrate surface.
Resist film thickness sensor section 16a, resist film thickness distribution monitor section 20a, first development correction time determination section 21a, first reference data storage section 22a, temperature sensor section 16b, cooling rate monitor section 20b, second development correction time determination section 21b,
Second reference data storage unit 22b, total development correction time 23,
Cooling speed determination unit 24, cooling speed data storage unit 25, scan spot beam control unit 26, irradiation data storage unit 27
And a scan spot beam portion 12a. The scan spot beams of the substrate 2, the support 4 and the scan spot beam portion 12a are the same as those described in the first embodiment. Here, the film thickness sensor included in the resist film thickness sensor section 16a may be configured based on a principle such as laser interference. Further, the temperature sensor included in the temperature sensor section 16b may be a sensor based on infrared detection or the like.

【００５９】次に、この装置の動作について説明する。
ここで、後に行う現像工程におけるプロセスパラメータ
である現像時間は固定されているものとし、これを基準
現像時間Ｔs とする。Next, the operation of this device will be described.
Here, it is assumed that the development time, which is a process parameter in the development step performed later, is fixed, and is set as a reference development time Ts.

【００６０】まず、補正量決定用の先行基板を用いて補
正量決定操作を行う。レジスト膜厚分布モニター部２０
ａは、レジスト膜厚センサー部１６ａおよび支持台４の
いずれかあるいは両方を走査させながら、レジスト膜厚
センサー部１６ａに含まれる膜厚センサーにより塗布膜
厚の基板面内分布Ｆd （ｘ，ｙ）を測定する。First, a correction amount determining operation is performed using the preceding substrate for determining the correction amount. Resist film thickness distribution monitor 20
a is a distribution Fd (x, y) of the coating film thickness on the substrate surface by a film thickness sensor included in the resist film thickness sensor portion 16a while scanning one or both of the resist film thickness sensor portion 16a and the support 4; Is measured.

【００６１】得られた塗布膜厚の面内分布データを、第
１基準データ記憶部２２ａに格納されている基準データ
を用いて、第１現像補正時間分布ｄＴd （ｘ，ｙ）に換
算する。The obtained in-plane distribution data of the coating film thickness is converted into a first development correction time distribution dTd (x, y) using the reference data stored in the first reference data storage section 22a.

【００６２】この基準データの内容および現像補正時間
の求め方としては、次のようなものが考えられる。 （ａ）膜厚の実測値と現像補正時間との対象テーブルを
用意しておき、各領域ごとに対象テーブルから現像補正
時間を決定する。 （ｂ）基準膜厚分布および対応する基準現像補正時間分
布を用意しておき、膜厚分布の実測値と基準膜厚分布と
が一致する場合は、前記基準現像補正時間分布データを
そのまま採用する。膜厚分布の実測値と基準膜厚分布と
が一致しない場合は、各領域ごとに、膜厚分布の実測値
と基準膜厚分とを比較して、所定の変換数式あるいは所
定の変換テーブルを用いて、前記基準現像補正時間分布
の該当部分のデータを調整する。The contents of the reference data and the method of obtaining the development correction time are as follows. (A) A target table of the actual measured value of the film thickness and the development correction time is prepared, and the development correction time is determined from the target table for each area. (B) A reference film thickness distribution and a corresponding reference development correction time distribution are prepared, and when the measured value of the film thickness distribution matches the reference film thickness distribution, the reference development correction time distribution data is used as it is. . When the measured value of the film thickness distribution does not match the reference film thickness distribution, the measured value of the film thickness distribution is compared with the reference film thickness for each region, and a predetermined conversion formula or a predetermined conversion table is obtained. To adjust the data of the corresponding part of the reference development correction time distribution.

【００６３】なお、これらの基準データは、各種条件
（関連する製造上の種々のパラメータ）ごと、各特徴量
ごとに予め実験等により求めておく。そして、この第１
現像補正時間分布ｄＴd （ｘ，ｙ）を総合現像補正時間
算出部に伝える。Note that these reference data are obtained in advance by experiments or the like for each condition (various parameters related to manufacturing) and for each feature amount. And this first
The development correction time distribution dTd (x, y) is transmitted to the total development correction time calculation unit.

【００６４】一方、冷却速度モニター部２０ｂは、温度
センサー部１６ｂおよび支持台４のいずれかあるいは両
方を走査させながら、温度センサー部１６ｂに含まれる
温度センサーにより基板温度の基板面内分布Ｆt （ｘ，
ｙ）を測定する。さらに、所定の時間ｔ経過後に再度基
板温度の基板面内分布Ｆt ´（ｘ，ｙ）を測定し、これ
らから冷却速度の基板面内分布ｄＴv （ｘ，ｙ）を測定
する。On the other hand, the cooling rate monitor section 20b scans one or both of the temperature sensor section 16b and the support base 4 while scanning the substrate temperature distribution Ft (x) by the temperature sensor included in the temperature sensor section 16b. ,
Measure y). Further, after a lapse of a predetermined time t, the substrate temperature distribution Ft '(x, y) of the substrate temperature is measured again, and the cooling speed distribution dTv (x, y) of the substrate speed is measured therefrom.

【００６５】得られた冷却速度の面内分布データを、第
２基準データ記憶部２２ｂに格納されている基準データ
を用いて、第２現像補正時間分布ｄＴv （ｘ，ｙ）に換
算する。The obtained in-plane distribution data of the cooling rate is converted into a second development correction time distribution dTv (x, y) using the reference data stored in the second reference data storage section 22b.

【００６６】そして、この第２現像補正時間分布ｄＴv
（ｘ，ｙ）を総合現像補正時間算出部に伝える。総合現
像補正時間２３は、与えられた第１現像補正時間分布ｄ
Ｔd （ｘ，ｙ）および第１現像補正時間分布ｄＴv
（ｘ，ｙ）を加算して、総合現像補正時間分布ｄＴtota
l （ｘ，ｙ）を算出し、冷却速度決定部２４に与える。The second development correction time distribution dTv
(X, y) is transmitted to the total development correction time calculation unit. The total development correction time 23 is a given first development correction time distribution d.
Td (x, y) and first development correction time distribution dTv
(X, y) is added to obtain a total development correction time distribution dTtota
l (x, y) is calculated and given to the cooling rate determining unit 24.

【００６７】これで、レジスト塗布膜厚のばらつきおよ
び冷却速度のばらつきにより受ける影響を、レジスト感
度の実効的な変動分の尺度である総合現像補正時間分布
ｄＴtotal （ｘ，ｙ）として求めたわけである。Thus, the influence of the variation of the resist coating film thickness and the variation of the cooling rate is obtained as a total development correction time distribution dTtotal (x, y) which is a measure of the effective variation of the resist sensitivity. .

【００６８】次に、冷却速度決定部２４は、与えられた
総合現像補正時間分布ｄＴtotal （ｘ，ｙ）および設定
されている基準現像時間Ｔs を用いて、各領域ごとに、
冷却速度データ記憶部２５に格納されている該当する冷
却速度データを検索する。なお、このとき検索キーとし
てさらに他のパラメータを用いても良い。Next, the cooling rate determination unit 24 uses the given total development correction time distribution dTtotal (x, y) and the set reference development time Ts to determine
The corresponding cooling speed data stored in the cooling speed data storage unit 25 is searched. At this time, another parameter may be used as a search key.

【００６９】この冷却速度データは、例えば次のように
現像時間に対して冷却速度データが設定されたものを用
いる。 この場合、総合現像補正時間分布ｄＴtotal （ｘ，ｙ）
および基準現像時間Ｔs を加算した現像時間をキーとし
て検索する。例えば、Ｔs ＝５分、ある領域（ｘ，ｙ）
においてｄＴtotal ＝０分とした場合、現像時間は５分
すなわち基準現像時間Ｔs となるので、テーブルから冷
却速度１０℃／１０分が得られるが、この場合、結果的
に制御は施されないことになる。また、Ｔs ＝５分、あ
る領域（ｘ´，ｙ´）においてｄＴtotal ＝−１分とし
た場合、現像時間は４分となるので、テーブルから冷却
速度２０℃／１０分が得られる。As the cooling rate data, for example, data in which the cooling rate data is set with respect to the developing time as follows is used. In this case, the total development correction time distribution dTtotal (x, y)
A search is performed using the development time obtained by adding the reference development time Ts and the key as a key. For example, Ts = 5 minutes, a certain area (x, y)
In the case of dTtotal = 0 minutes, the development time is 5 minutes, that is, the reference development time Ts, so that a cooling rate of 10 ° C./10 minutes can be obtained from the table. In this case, however, no control is performed. . When Ts = 5 minutes and dTtotal = -1 minute in a certain area (x ', y'), the developing time is 4 minutes, and a cooling rate of 20 ° C./10 minutes can be obtained from the table.

【００７０】冷却速度決定部２４は、このようにして決
定した各領域ごとの冷却速度データを、スキャンスポッ
トビーム制御部２６に与える。スキャンスポットビーム
制御部２６は、与えられた冷却速度データをキーとし
て、照射データ記憶部２７に記憶されている照射データ
を検索する。なお、このとき検索キーとしてさらに他の
パラメータを用いても良い。The cooling rate determining section 24 gives the cooling rate data for each area determined in this way to the scan spot beam control section 26. The scan spot beam control unit 26 searches the irradiation data stored in the irradiation data storage unit 27 using the given cooling speed data as a key. At this time, another parameter may be used as a search key.

【００７１】この照射データは、スキャンスポットビー
ム部１２を制御するためのデータであり、スポットビー
ムの照射条件、例えば照射するタイミングあるいはスポ
ットビームの走査速度等が記述されている。例えば、前
述のようにある領域（ｘ，ｙ）においてｄＴtotal ＝０
分に対応する冷却速度データ２０℃／１０分が得られた
場合、照射データには制御に関して何も記述されていな
い。また、ある領域（ｘ´，ｙ´）においてｄＴtotal
＝−１分に対応する冷却速度２０℃／１０分が得られた
場合、照射データは例えば、３分ごとに０．１秒間のス
ポットビームの照射を行う操作に対応するような制御デ
ータが記述されている。The irradiation data is data for controlling the scan spot beam unit 12, and describes irradiation conditions of the spot beam, for example, irradiation timing or scanning speed of the spot beam. For example, dTtotal = 0 in a certain region (x, y) as described above.
When cooling rate data of 20 ° C./10 minutes corresponding to minutes is obtained, nothing is described in the irradiation data regarding control. Also, dTtotal in a certain area (x ′, y ′)
When a cooling rate of 20 ° C./10 minutes corresponding to = −1 minute is obtained, the irradiation data describes, for example, control data corresponding to an operation of irradiating a spot beam for 0.1 second every 3 minutes. Have been.

【００７２】この照射データは、予め実験等により作成
しておく。その際、前述のように、特にレジストガラス
転移点付近を通過するときの冷却速度を制御すると望ま
しい。The irradiation data is created in advance by experiments or the like. At that time, as described above, it is desirable to control the cooling rate particularly when passing through the vicinity of the resist glass transition point.

【００７３】以上で、冷却速度制御の準備が整ったこと
になる。次に、補正量決定用の先行基板を支持台２から
取り除き、処理する基板を支持台２にセットする。Thus, the preparation for the cooling rate control is completed. Next, the preceding substrate for determining the correction amount is removed from the support 2, and the substrate to be processed is set on the support 2.

【００７４】スキャンスポットビーム制御部２６は、獲
得した照射データによりスキャンスポットビーム部１２
を制御し、基板の各領域に所定のタイミング等で熱を加
えて、冷却速度を制御する。The scan spot beam control section 26 controls the scan spot beam section 12 according to the acquired irradiation data.
To control the cooling rate by applying heat to each region of the substrate at a predetermined timing or the like.

【００７５】さらに、同じ照射データを用いて必要枚数
だけ基板を処理する。以上で、本装置の動作を終了す
る。このように、冷却速度、特に、レジストガラス転移
点付近を通過するときの冷却速度を各領域ごとに制御す
ることにより、レジスト膜厚の面内変動および冷却速度
の面内変動により実効的に変動を受けた各領域のレジス
ト感度が調整され、基板面内において均一なレジスト感
度が得られる。Further, the required number of substrates are processed using the same irradiation data. This is the end of the operation of the present apparatus. As described above, by controlling the cooling rate, particularly the cooling rate when passing through the vicinity of the resist glass transition point, for each region, it is possible to effectively fluctuate due to the in-plane fluctuation of the resist film thickness and the in-plane fluctuation of the cooling rate. The resist sensitivities of the respective regions that have received the light are adjusted, and uniform resist sensitivities can be obtained within the substrate surface.

【００７６】この実施例では、レジスト塗布膜厚および
冷却速度を特徴量として用いたが、温度センサーを備え
ているので、簡単な修正でベーク後温度を特徴量として
加えることが可能である。In this embodiment, the film thickness of the resist coating and the cooling rate are used as the characteristic values. However, since the temperature sensor is provided, the temperature after baking can be added as the characteristic value by a simple correction.

【００７７】また、塗布膜厚、ベーク後温度、冷却速度
等あるいは露光比率等のパラメータのうちの任意のいく
つかを対象とする装置を構成することは容易に実施する
ことができる。この場合の、構成および動作に関する説
明は、簡略化のために省略する。Further, it is easy to construct an apparatus which targets any one of parameters such as a coating film thickness, a temperature after baking, a cooling rate and an exposure ratio. The description of the configuration and operation in this case is omitted for simplification.

【００７８】図６は、本発明の第４の実施例に係るレジ
スト感度調整装置であり、図５の装置にフィードバック
手段を設けて構成した一例である。この装置は、基板冷
却中に冷却速度をモニターして、フィードバック制御
し、レジスト感度の基板面内均一化をより精度良く実現
させる装置であり、レジスト膜厚センサー部１６ａ、レ
ジスト膜厚分布モニター部２０ａ，第１現像補正時間決
定部２１ａ，第１基準データ記憶部２２ａ，温度センサ
ー部１６ｂ，冷却速度モニター部２０ｂ，第２現像補正
時間決定部２１ｂ，第２基準データ記憶部２２ｂ，総合
現像補正時間２３，冷却速度決定部２４，積分値制御部
３０，冷却速度データ記憶部２５，スキャンスポットビ
ーム制御部２６，照射データ記憶部２７およびスキャン
スポットビーム部１２ａからなる。すなわち、基本的な
構成は図５の装置と同一であるが、積分値制御部３０を
設けた点に特徴がある。FIG. 6 shows a resist sensitivity adjusting apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, which is an example in which feedback means is provided in the apparatus shown in FIG. This apparatus monitors the cooling rate during substrate cooling, performs feedback control, and more accurately realizes uniformity of the resist sensitivity in the substrate surface. The resist film thickness sensor section 16a and the resist film thickness distribution monitor section Reference numeral 20a, a first development correction time determination unit 21a, a first reference data storage unit 22a, a temperature sensor unit 16b, a cooling speed monitor unit 20b, a second development correction time determination unit 21b, a second reference data storage unit 22b, a total development correction It comprises a time 23, a cooling rate determining section 24, an integral value control section 30, a cooling rate data storage section 25, a scan spot beam control section 26, an irradiation data storage section 27 and a scan spot beam section 12a. That is, the basic configuration is the same as that of the apparatus shown in FIG. 5, but is characterized in that the integral value control unit 30 is provided.

【００７９】この装置の動作について説明する。基本的
な動作は前述した図５の装置の動作と同一であるので、
ここでは、冷却速度決定部２４により、各領域ごとの冷
却速度（以下、目標冷却速度という）Ｖs が決定された
後の動作について説明する。The operation of this device will be described. Since the basic operation is the same as the operation of the device of FIG. 5 described above,
Here, the operation after the cooling rate determination unit 24 determines the cooling rate (hereinafter, referred to as a target cooling rate) Vs for each area will be described.

【００８０】前述のように、レジスト感度は、レジスト
のガラス転移温度である１３２℃近辺を通過する際の冷
却速度、特に、ガラス転移温度近辺を通過する際の冷却
速度の積分値に強い関係がある。従って、冷却速度は、
ガラス転移温度近辺において、常に所定の冷却速度でな
くても良く、ある範囲での冷却速度の積分値が一定であ
れば良い。As described above, the resist sensitivity has a strong relationship with the cooling rate when passing through the glass transition temperature of about 132 ° C., particularly the integral value of the cooling rate when passing through the glass transition temperature. is there. Therefore, the cooling rate is
In the vicinity of the glass transition temperature, the cooling rate does not always need to be the predetermined cooling rate, and it is sufficient that the integrated value of the cooling rate in a certain range is constant.

【００８１】この点に着目し、冷却制御中に、冷却速度
モニター部２０ｂを用いて冷却速度をモニターして、制
御部３０にフィードバックし、モニターされた冷却速度
Ｖmが目標冷却速度Ｖs と異なったときは、制御部３０
は目標の冷却速度Ｖs を修正し、この修正された目標冷
却速度Ｖs ´をスキャンスポットビーム制御手段２６に
与え、スキャンスポットビーム制御手段２６はこの目標
冷却速度Ｖs ´を用いて冷却制御する。Focusing on this point, during the cooling control, the cooling speed is monitored by using the cooling speed monitoring unit 20b and fed back to the control unit 30, and the monitored cooling speed Vm differs from the target cooling speed Vs. When the control unit 30
Corrects the target cooling rate Vs, and supplies the corrected target cooling rate Vs 'to the scan spot beam control means 26, which performs cooling control using the target cooling rate Vs'.

【００８２】このループを所定の回数（ｎ回）繰り返し
て、最終的に、冷却速度Ｖm の積分値を目標の冷却速度
Ｖs ×ｎに一致させる。所定の回数ｎは、適宜設定する
ことができる。また、目標冷却速度Ｖs を切り替える間
隔は、一定でなくても良い。This loop is repeated a predetermined number of times (n times), and finally, the integral value of the cooling speed Vm is made to coincide with the target cooling speed Vs × n. The predetermined number n can be set as appropriate. The interval at which the target cooling rate Vs is switched may not be constant.

【００８３】具体的には、制御部３０は、基板の各領域
ごとに、目標の冷却速度Ｖs と冷却速度Ｖm との差分ｄ
Ｖをその都度加算して差分ｄＶの積分値を算出し、前回
の目標冷却速度Ｖs (n-1) からこの差分ｄＶの積分値Ｓ
ｄＶを減じて今回の目標冷却速度Ｖs (n) を算出する。
そして、この冷却速度Ｖs （ｎ）をスキャンスポットビ
ーム制御手段２６に与えるようにすれば好ましい。More specifically, the control unit 30 determines the difference d between the target cooling speed Vs and the cooling speed Vm for each region of the substrate.
V is added each time to calculate the integral value of the difference dV, and the integral value S of the difference dV is calculated from the previous target cooling speed Vs (n-1).
By subtracting dV, the current target cooling speed Vs (n) is calculated.
It is preferable that the cooling speed Vs (n) be given to the scan spot beam control means 26.

【００８４】このように構成すれば、さらに精度良く冷
却速度制御を行うことができ、それにより、基板面内に
おいてさらに均一なレジスト感度分布を得ることができ
る。ここで、本発明は、ＥＢレジストに限らず、フォト
レジト、Ｘ線レジストにも適用可能である。With this configuration, the cooling rate can be controlled with higher accuracy, and a more uniform resist sensitivity distribution can be obtained in the substrate surface. Here, the present invention is applicable not only to EB resist but also to photoresist and X-ray resist.

【００８５】また、プリベーク後の冷却工程に限らず、
露光後ベーク工程後の冷却工程にも適用可能である。本
発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。In addition to the cooling step after pre-baking,
The present invention is also applicable to a cooling step after a post-exposure bake step. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented with various modifications without departing from the scope of the invention.

【００８６】[0086]

【発明の効果】本発明によれば、レジストパターン精度
に関係するレジスト感度に影響を及ぼす各種要因を現像
直前に逆補正することにより取り除き、大幅なレジスト
パターン精度の改善が達成できる。According to the present invention, various factors affecting the resist sensitivity relating to the resist pattern accuracy can be removed by inversely correcting the resist pattern immediately before development, and a significant improvement in the resist pattern accuracy can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施例に係るレジスト感度調整
装置を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】第１の実施例の変形例を示すブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram showing a modification of the first embodiment.

【図３】本発明の第２の実施例に係るレジスト感度調整
装置を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第３の実施例に係るレジスト感度調整
装置を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a third embodiment of the present invention.

【図５】第１の実施例をさらに具体的に構成した一例を
示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing an example in which the first embodiment is configured more specifically.

【図６】本発明の第４の実施例に係るレジスト感度調整
装置を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a resist sensitivity adjusting device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図７】電子線レジスト塗布，ベーキング，冷却後のガ
ラス板面内レジスト感度分布である。FIG. 7 is a resist sensitivity distribution in a glass plate surface after application of an electron beam resist, baking, and cooling.

【図８】図７の基板各点における冷却特性である。FIG. 8 shows cooling characteristics at each point of the substrate in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２…基板、 ４…支持台、 ６…センサー部、 ８…補正量決定部、 １０…冷却速度制御部、 １２…加熱手段。 2 ... substrate, 4 ... support base, 6 ... sensor section, 8 ... correction amount determination section, 10 ... cooling speed control section, 12 ... heating means.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521 G03F 7/30 501 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20 521 G03F 7/30 501

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】レジスト感度に関連する１つのあるいは複
数の特徴量の基板面内分布を獲得し、これら基板面内分
布を用いて総合現像補正時間分布を決定するための補正
量決定手段と、 レジストが塗布されベークされた直後の基板に対して、
当該基板の各領域ごとに、与えられた前記総合現像補正
時間分布に基づいて決定される所定の加熱条件に従って
熱を与えて冷却速度を制御するための冷却速度制御手段
とを備えてなることを特徴とするレジスト感度調整装
置。1. A correction amount determining means for acquiring an in-plane distribution of one or a plurality of feature amounts related to resist sensitivity, and determining an overall development correction time distribution using the in-plane distribution of the substrate; For the substrate just after the resist is applied and baked,
A cooling rate control unit for controlling a cooling rate by applying heat in accordance with a predetermined heating condition determined based on the given overall development correction time distribution for each area of the substrate. Characteristic resist sensitivity adjustment device. 【請求項２】前記補正量決定手段は、前記特徴量を検出
するための少なくとも１つのセンサー手段を有し、この
センサー手段を用いて前記特徴量の基板面内分布を測定
することを特徴とする請求項１に記載の装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein said correction amount determining means has at least one sensor means for detecting said characteristic amount, and measures a distribution of said characteristic amount in a substrate plane using said sensor means. The apparatus of claim 1, wherein: 【請求項３】前記補正量決定手段は、前記特徴量分布の
基礎となるデータを外部から入力するための入力手段を
有し、このデータからデジタル処理により関連する特徴
量分布を求めることを特徴とする請求項１または２に記
載の装置。3. The method according to claim 1, wherein the correction amount determining means includes input means for externally inputting data serving as a basis of the characteristic amount distribution, and obtains a related characteristic amount distribution from the data by digital processing. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein 【請求項４】前記補正量決定手段は、前記特徴量分布を
外部から入力するための入力手段を有することを特徴と
する請求項１に記載の装置。4. The apparatus according to claim 1, wherein said correction amount determining means has an input means for externally inputting said characteristic amount distribution. 【請求項５】前記特徴量は、レジスト塗布膜厚、ベーク
後の基板温度、基板冷却速度または露光比率であること
を特徴とする請求項１に記載の装置。5. The apparatus according to claim 1, wherein the characteristic amount is a resist coating film thickness, a substrate temperature after baking, a substrate cooling rate, or an exposure ratio. 【請求項６】前記冷却速度制御手段は、ガラス転移温度
を含む所定の温度範囲において、冷却速度制御を行うこ
とを特徴とする請求項１に記載の装置。6. The apparatus according to claim 1, wherein said cooling rate control means controls the cooling rate in a predetermined temperature range including a glass transition temperature. 【請求項７】前記温度範囲は、ガラス転移温度±５０℃
の範囲であることを特徴とする請求項６に記載の装置。7. The temperature range is a glass transition temperature ± 50 ° C.
7. The apparatus according to claim 6, wherein: 【請求項８】前記冷却速度制御手段は、ハロゲンランプ
を集光させてスポット状にした熱エネルギービームを出
力し、これをＸＹ軸自由に走査させるスキャンスポット
ビーム手段を有し、これを用いて当該熱エネルギービー
ムを当該基板のレジスト面または裏面から照射して、当
該基板の各領域ごとに所定の加熱条件で熱を与えること
を特徴とする請求項１に記載の装置。8. The cooling rate control means has a scan spot beam means for outputting a spot-shaped thermal energy beam by condensing a halogen lamp and scanning it freely on the XY axes. The apparatus according to claim 1, wherein the thermal energy beam is irradiated from a resist surface or a back surface of the substrate to apply heat to each region of the substrate under predetermined heating conditions. 【請求項９】前記冷却速度制御手段は、前記スキャンス
ポットビーム手段を用いて、当該熱エネルギービームを
当該基板に照射する際、当該熱エネルギービームの移動
速度あるいは強度の少なくとも一方を変えることによ
り、各領域に与える熱量を制御することを特徴とする請
求項８に記載の装置。9. The cooling rate control means, when irradiating the substrate with the thermal energy beam using the scan spot beam means, changes at least one of a moving speed and an intensity of the thermal energy beam. The apparatus according to claim 8, wherein the amount of heat applied to each area is controlled. 【請求項１０】前記冷却速度制御手段は、前記総合現像
補正時間分布を用いて、当該基板の各領域ごとに目標冷
却速度Ｖs を決定するための冷却速度決定手段と、当該
目標冷却速度Ｖs に基づいて、基板に熱を加えて冷却速
度制御を行うための加熱制御手段とを有することを特徴
とする請求項１に記載の装置。10. A cooling rate control means for determining a target cooling rate Vs for each area of the substrate using the comprehensive development correction time distribution, and a cooling rate determining means for determining the target cooling rate Vs. 2. The apparatus according to claim 1, further comprising heating control means for controlling a cooling rate by applying heat to the substrate based on the heat. 【請求項１１】前記加熱制御手段は、前記目標冷却速度
Ｖs を用いて、当該基板の各領域ごとに加熱条件を決定
するための加熱条件決定部と、当該加熱条件に従って基
板に熱を加えて冷却速度制御を行うための加熱手段とを
有することを特徴とする請求項１０に記載の装置。11. A heating control means for determining a heating condition for each region of the substrate using the target cooling rate Vs, and applying heat to the substrate according to the heating condition. 11. The apparatus according to claim 10, further comprising heating means for performing a cooling rate control. 【請求項１２】前記レジスト感度調整装置は、冷却温度
制御中の冷却速度Ｖm をモニターするための冷却速度モ
ニター手段と、基板の各領域ごとに、目標の冷却速度Ｖ
s と冷却速度のモニター値Ｖm との差分ｄＶをその都度
加算してこの差分ｄＶの積分値ＳｄＶを算出し、前回の
目標冷却速度Ｖs (n-1) からこの差分ｄＶの積分値Ｓｄ
Ｖを減じて今回の目標冷却速度Ｖs (n) を算出し、この
冷却速度Ｖs (n) を前記加熱制御手段に与えるための積
分値制御手段とをさらに有し、 前記加熱制御手段は、その都度与えられた目標冷却速度
Ｖs (n) を用いて、基板に熱を加えて冷却速度制御を行
うことを特徴とする請求項１０または１１に記載の装
置。12. The resist sensitivity adjusting device according to claim 1, wherein said resist sensitivity adjusting device includes a cooling speed monitoring means for monitoring a cooling speed Vm during cooling temperature control, and a target cooling speed V for each region of the substrate.
s and the difference dV between the monitoring value Vm of the cooling rate are added each time to calculate an integral value SdV of the difference dV, and the integral value Sd of the difference dV is calculated from the previous target cooling speed Vs (n-1).
V, the current target cooling rate Vs (n) is calculated, and the cooling rate Vs (n) is further provided to the heating control means with integral value control means. 12. The apparatus according to claim 10, wherein a cooling rate is controlled by applying heat to the substrate using the target cooling rate Vs (n) given each time. 【請求項１３】レジスト感度に関連する１つのあるいは
複数の特徴量の基板面内分布を獲得するステップと、 これら基板面内分布を用いて総合現像補正時間分布を決
定するステップと、 前記総合現像補正時間分布に基づいて、当該基板の各領
域ごとの加熱条件を決定するステップと、 レジストが塗布されベークされた直後の基板に対して、
当該基板の各領域ごとに、前記決定された所定の加熱条
件に従って熱を与えて冷却速度を制御するためのステッ
プとからなることを特徴とするレジスト感度調整方法。13. A step of obtaining an in-plane distribution of one or a plurality of feature amounts related to resist sensitivity; a step of determining an overall development correction time distribution using these in-plane distributions; Determining the heating conditions for each region of the substrate based on the correction time distribution; and
Controlling the cooling rate by applying heat in accordance with the determined predetermined heating condition for each region of the substrate.