JP3260213B2 - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JP3260213B2 JP3260213B2 JP19237593A JP19237593A JP3260213B2 JP 3260213 B2 JP3260213 B2 JP 3260213B2 JP 19237593 A JP19237593 A JP 19237593A JP 19237593 A JP19237593 A JP 19237593A JP 3260213 B2 JP3260213 B2 JP 3260213B2
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- aluminum nitride
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- nitride substrate
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属回路と金属放熱板
を有する窒化アルミニウム基板からなる回路基板の改良
に関するものであって、電子部品のパワーモジュール等
に使用されるものである。
を有する窒化アルミニウム基板からなる回路基板の改良
に関するものであって、電子部品のパワーモジュール等
に使用されるものである。
【０００２】近年、ロボットやモーター等の産業機器の
高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力
モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生す
る熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放
散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々
な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導を有す
るセラミックス基板が利用できるようになったため、基
板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのま
まあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実
装する構造も採用されつつある。
高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力
モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生す
る熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放
散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々
な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導を有す
るセラミックス基板が利用できるようになったため、基
板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのま
まあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実
装する構造も採用されつつある。
【０００３】金属とセラミックスを接合する方法には種
々あるが、回路基板の製造という点からは、Ｍｏ−Ｍｎ
法、活性金属ろう付け法、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタ
ライズ法等があげられる。
々あるが、回路基板の製造という点からは、Ｍｏ−Ｍｎ
法、活性金属ろう付け法、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタ
ライズ法等があげられる。
【０００４】特に大電力モジュール基板では、従来のア
ルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミニウム基板が
注目されており、銅板の接合方法としては、銅板と窒化
アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材（以
下、単に「ろう材」という）を介在させ、加熱処理して
接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60-177
634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミニウ
ム基板と銅板を銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度以上
で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093 号公
報）等がある。
ルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミニウム基板が
注目されており、銅板の接合方法としては、銅板と窒化
アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材（以
下、単に「ろう材」という）を介在させ、加熱処理して
接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60-177
634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミニウ
ム基板と銅板を銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度以上
で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093 号公
報）等がある。
【０００５】活性金属ろう付け法は、ＤＢＣ法に比べて
以下の利点がある。 （１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化ア
ルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応
力が小さい。 （２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対する耐久性が大である。
以下の利点がある。 （１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化ア
ルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応
力が小さい。 （２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対する耐久性が大である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性金
属ろう付け法を用いても、ヒートショックやヒートサイ
クルなどの熱衝撃、熱履歴によって生じる損傷に対して
十分な耐久性があるとはいえず新しい技術の提案が待た
れていた。そこで、金属放熱板（通常は窒化アルミニウ
ム基板の下面に設けられる）の体積を金属回路（通常は
窒化アルミニウム基板の上面に設けられる）の体積の５
０〜９０％となるように調整したり（特開昭63-24815号
公報）、金属放熱板の厚さを金属回路のそれの５０％以
下にする（特開平5-170564号公報）ことによってある程
度は改善された。
属ろう付け法を用いても、ヒートショックやヒートサイ
クルなどの熱衝撃、熱履歴によって生じる損傷に対して
十分な耐久性があるとはいえず新しい技術の提案が待た
れていた。そこで、金属放熱板（通常は窒化アルミニウ
ム基板の下面に設けられる）の体積を金属回路（通常は
窒化アルミニウム基板の上面に設けられる）の体積の５
０〜９０％となるように調整したり（特開昭63-24815号
公報）、金属放熱板の厚さを金属回路のそれの５０％以
下にする（特開平5-170564号公報）ことによってある程
度は改善された。
【０００７】しかし、これらの技術においては、金属回
路と金属放熱板の材質は共に銅であるので、両者の体積
を変えることは熱膨張による応力のバランスが異なった
ものとなる。その結果、接合体自体の耐熱衝撃性は良好
であるが、金属放熱板にベース銅板を半田付けする際の
急激な温度上昇によって回路基板の反りの変化量が著し
くなって金属放熱板とベース銅板との間に隙間ができ、
その部分が半田付け後にボイドとなる危険性があった。
路と金属放熱板の材質は共に銅であるので、両者の体積
を変えることは熱膨張による応力のバランスが異なった
ものとなる。その結果、接合体自体の耐熱衝撃性は良好
であるが、金属放熱板にベース銅板を半田付けする際の
急激な温度上昇によって回路基板の反りの変化量が著し
くなって金属放熱板とベース銅板との間に隙間ができ、
その部分が半田付け後にボイドとなる危険性があった。
【０００８】本発明者らは、以上のような問題を解消す
るには、金属回路と金属放熱板の熱膨張係数を違えれば
よいことを見いだし、本発明を完成させたものである。
るには、金属回路と金属放熱板の熱膨張係数を違えれば
よいことを見いだし、本発明を完成させたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、窒
化アルミニウム基板の一方の面に銅又はアルミニウム製
の金属回路、他方の面にはアルミニウム又は銅製の金属
放熱板が設けられてなるものであって、上記金属回路と
上記金属放熱板との熱膨張係数差が６〜８×１０ -6 ／℃
であることを特徴とする回路基板である。
化アルミニウム基板の一方の面に銅又はアルミニウム製
の金属回路、他方の面にはアルミニウム又は銅製の金属
放熱板が設けられてなるものであって、上記金属回路と
上記金属放熱板との熱膨張係数差が６〜８×１０ -6 ／℃
であることを特徴とする回路基板である。
【００１０】以下、さらに詳しく本発明について説明す
ると、本発明で使用される窒化アルミニウム基板は、ホ
ットプレス法、常圧焼結法等の常法によって製造された
もので十分であり、また、その際に使用される窒化アル
ミニウム粉末についても特別なものである必要はなく、
金属アルミニウム直接窒化法、アルミナ還元窒化法、気
相法等で製造されたものが使用される。窒化アルミニウ
ム基板の焼結密度としては、機械的強度及び電気特性の
点から、相対密度９５％以上であることが望ましい。
ると、本発明で使用される窒化アルミニウム基板は、ホ
ットプレス法、常圧焼結法等の常法によって製造された
もので十分であり、また、その際に使用される窒化アル
ミニウム粉末についても特別なものである必要はなく、
金属アルミニウム直接窒化法、アルミナ還元窒化法、気
相法等で製造されたものが使用される。窒化アルミニウ
ム基板の焼結密度としては、機械的強度及び電気特性の
点から、相対密度９５％以上であることが望ましい。
【００１１】窒化アルミニウム基板の一方の面に金属回
路及び他方の面に放熱金属板を形成する方法としては、
窒化アルミニウム基板と金属板との接合体をエッチング
する方法、金属板から打ち抜かれた金属回路及び／又は
放熱金属板のパターンを窒化アルミニウム基板に接合す
る方法等によって行うことでき、これらの際における金
属板又はパターンと窒化アルミニウム基板との接合方法
としては、活性金属ろう付け法やＤＢＣ法等を採用する
ことができる。なお、金属回路又は金属放熱板がアルミ
ニウム製である場合には、以下のろう材である必要はな
い。
路及び他方の面に放熱金属板を形成する方法としては、
窒化アルミニウム基板と金属板との接合体をエッチング
する方法、金属板から打ち抜かれた金属回路及び／又は
放熱金属板のパターンを窒化アルミニウム基板に接合す
る方法等によって行うことでき、これらの際における金
属板又はパターンと窒化アルミニウム基板との接合方法
としては、活性金属ろう付け法やＤＢＣ法等を採用する
ことができる。なお、金属回路又は金属放熱板がアルミ
ニウム製である場合には、以下のろう材である必要はな
い。
【００１２】活性金属ろう付け法におけるろう材の金属
成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時の窒化アルミニウ
ム基板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分と
する。この活性金属成分は、窒化アルミニウム基板と反
応して酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろ
う材と窒化アルミニウム基板との結合を強固なものにす
る。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウムやこれ
らの化合物である。これらの比率としては、銀６９〜７
５重量部と銅２５〜３１重量部の合計量１００重量部あ
たり活性金属３〜３５重量部である。
成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時の窒化アルミニウ
ム基板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分と
する。この活性金属成分は、窒化アルミニウム基板と反
応して酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろ
う材と窒化アルミニウム基板との結合を強固なものにす
る。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウムやこれ
らの化合物である。これらの比率としては、銀６９〜７
５重量部と銅２５〜３１重量部の合計量１００重量部あ
たり活性金属３〜３５重量部である。
【００１３】活性金属ろう付け法で使用されるろう材ペ
ーストは、上記ろう材の金属成分に有機溶剤及び必要に
応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、バンバリミ
キサー、万能混合器、らいかい機等で混合することによ
って調整することができる。有機溶剤としては、メチル
セルソルブ、エチルセルソルブ、テルピネオール、イソ
ホロン、トルエン等、また有機結合剤としては、エチル
セルロース、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレ
ート等が使用される。
ーストは、上記ろう材の金属成分に有機溶剤及び必要に
応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、バンバリミ
キサー、万能混合器、らいかい機等で混合することによ
って調整することができる。有機溶剤としては、メチル
セルソルブ、エチルセルソルブ、テルピネオール、イソ
ホロン、トルエン等、また有機結合剤としては、エチル
セルロース、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレ
ート等が使用される。
【００１４】本発明は、窒化アルミニウム基板に設けら
れる金属回路と金属放熱板とを異種の材料で構成し、両
者の熱膨張係数を違えたことが大きな特徴である。従来
技術においては、電気伝導性等の点から、金属回路の材
質は、無酸素銅又はそれに僅かな酸素を混入させたタフ
ピッチ銅が好ましく使用されている。このような銅の熱
膨張係数は、文献値とほぼ等しく１７×１０-6／℃であ
り、窒化アルミニウム基板の４．５×１０-6／℃よりも
大きいので回路基板に熱が加えられたときに熱応力が発
生していた。
れる金属回路と金属放熱板とを異種の材料で構成し、両
者の熱膨張係数を違えたことが大きな特徴である。従来
技術においては、電気伝導性等の点から、金属回路の材
質は、無酸素銅又はそれに僅かな酸素を混入させたタフ
ピッチ銅が好ましく使用されている。このような銅の熱
膨張係数は、文献値とほぼ等しく１７×１０-6／℃であ
り、窒化アルミニウム基板の４．５×１０-6／℃よりも
大きいので回路基板に熱が加えられたときに熱応力が発
生していた。
【００１５】すなわち、銅板と窒化アルミニウム基板と
の接合を行うには、少なくともろう材の溶融温度以上の
加熱とその後の冷却が必要となるので銅と窒化アルミニ
ウムの接合界面に数百℃以上の温度差に相当する熱応力
がかかった。また、回路基板として完成された後も、そ
れをベース銅板に取りつける半田付け時や、半導体素子
からの発熱、周囲の温度差による熱衝撃等によって熱応
力がかかる機会が多かった。
の接合を行うには、少なくともろう材の溶融温度以上の
加熱とその後の冷却が必要となるので銅と窒化アルミニ
ウムの接合界面に数百℃以上の温度差に相当する熱応力
がかかった。また、回路基板として完成された後も、そ
れをベース銅板に取りつける半田付け時や、半導体素子
からの発熱、周囲の温度差による熱衝撃等によって熱応
力がかかる機会が多かった。
【００１６】本発明においては、金属放熱板の熱膨張係
数が金属回路のそれよりも小さいときに生じる熱応力
は、金属回路／金属放熱板の体積比を変えることによっ
て軽減することができる。すなわち、急激な温度変化が
あっても、金属回路の熱膨張による伸びは金属放熱板に
よって抑えられるので、回路基板の反りの変位量はとて
も小さくなり１００μｍ以下となる。この場合における
低熱膨張材料としては、モリブデン、タングステン、
鉄、ニッケル、コバルト等や、銅にこれらの成分が添加
された合金が使用される。
数が金属回路のそれよりも小さいときに生じる熱応力
は、金属回路／金属放熱板の体積比を変えることによっ
て軽減することができる。すなわち、急激な温度変化が
あっても、金属回路の熱膨張による伸びは金属放熱板に
よって抑えられるので、回路基板の反りの変位量はとて
も小さくなり１００μｍ以下となる。この場合における
低熱膨張材料としては、モリブデン、タングステン、
鉄、ニッケル、コバルト等や、銅にこれらの成分が添加
された合金が使用される。
【００１７】一方、金属放熱板の熱膨張係数が金属回路
のそれよりも大きい場合、その熱膨張差から生じる応力
は、金属回路／金属放熱板の体積比を変えることによっ
て同様に軽減することができる。この場合においては、
金属回路よりも放熱金属板の方が熱膨張による応力が大
きくなるので、厚みをかなり薄くすることが可能とな
り、低熱抵抗性が特に要求される使用態様に好適とな
る。しかしながら、熱膨張の大きい材料は、それが小さ
い材料に比べて種類は少なく、またその他の特性や製造
の容易性等を考慮すると、金属回路を銅製とした場合に
金属放熱板はアルミニウム製又は銀製となる。
のそれよりも大きい場合、その熱膨張差から生じる応力
は、金属回路／金属放熱板の体積比を変えることによっ
て同様に軽減することができる。この場合においては、
金属回路よりも放熱金属板の方が熱膨張による応力が大
きくなるので、厚みをかなり薄くすることが可能とな
り、低熱抵抗性が特に要求される使用態様に好適とな
る。しかしながら、熱膨張の大きい材料は、それが小さ
い材料に比べて種類は少なく、またその他の特性や製造
の容易性等を考慮すると、金属回路を銅製とした場合に
金属放熱板はアルミニウム製又は銀製となる。
【００１８】以上のように、本発明においては、金属回
路と金属放熱板との熱膨張係数の大小関係はいずれであ
ってもよいが、両者の差としては、４×１０-6／℃以上
特に６〜８×１０-6／℃であることが望ましい。
路と金属放熱板との熱膨張係数の大小関係はいずれであ
ってもよいが、両者の差としては、４×１０-6／℃以上
特に６〜８×１０-6／℃であることが望ましい。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体
的に説明する。参考例１〜３ 比較例１〜２ 銀粉末７５重量部、銅粉末２５重量部、ジルコニウム粉
末５重量部、 水素化チタン粉末５重量部、テルピネオ
ール１５重量部及び有機結合剤としてポリイソブチルメ
タアクリレートのトルエン溶液を固形分で１．５重量部
加えてよく混練し、ろう材ペーストを調整した。このろ
う材ペーストを６０×３０×０．６５ｍｍの窒化アルミ
ニウム基板の両面にスクリーン印刷によって全面に塗布
した。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2
とした。
的に説明する。参考例１〜３ 比較例１〜２ 銀粉末７５重量部、銅粉末２５重量部、ジルコニウム粉
末５重量部、 水素化チタン粉末５重量部、テルピネオ
ール１５重量部及び有機結合剤としてポリイソブチルメ
タアクリレートのトルエン溶液を固形分で１．５重量部
加えてよく混練し、ろう材ペーストを調整した。このろ
う材ペーストを６０×３０×０．６５ｍｍの窒化アルミ
ニウム基板の両面にスクリーン印刷によって全面に塗布
した。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2
とした。
【００２０】次いで、ろう材ペーストの塗布された窒化
アルミニウム基板の両面に、６０×３０×０．２５ｍｍ
の表１に示す各種金属板を接触配置してから炉に投入
し、高真空中、温度９００℃で３０分加熱した後、２℃
/ 分の降温速度で冷却して接合体を製造した。得られた
接合体について、その金属の種類に従い、以下の手順で
金属回路及び金属放熱板を形成した。
アルミニウム基板の両面に、６０×３０×０．２５ｍｍ
の表１に示す各種金属板を接触配置してから炉に投入
し、高真空中、温度９００℃で３０分加熱した後、２℃
/ 分の降温速度で冷却して接合体を製造した。得られた
接合体について、その金属の種類に従い、以下の手順で
金属回路及び金属放熱板を形成した。
【００２１】すなわち、金属板が銅である場合には、接
合体の銅板上にＵＶ硬化タイプのエッチングレジストを
スクリーン印刷で回路パターンに塗布後、塩化第２銅溶
液を用いてエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解
除去し、さらにエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶
液で剥離して形成させた。一方、金属板がモリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はステンレス（ＳＵＳ
３０４）の場合には、エッチング液として塩化第２鉄溶
液を用い、それ以外は同様にして行った。
合体の銅板上にＵＶ硬化タイプのエッチングレジストを
スクリーン印刷で回路パターンに塗布後、塩化第２銅溶
液を用いてエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解
除去し、さらにエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶
液で剥離して形成させた。一方、金属板がモリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はステンレス（ＳＵＳ
３０４）の場合には、エッチング液として塩化第２鉄溶
液を用い、それ以外は同様にして行った。
【００２２】これらのエッチング処理後の回路基板に
は、金属回路間等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒
化アルミニウム基板との反応物があるので、それを温度
６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬
して除去した。
は、金属回路間等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒
化アルミニウム基板との反応物があるので、それを温度
６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬
して除去した。
【００２３】実施例１〜２ 比較例３ アルミニウム粉末１３重量部、シリコン粉末８７重量
部、テルピネオール１５重量部及び有機結合剤としてポ
リイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分
で１．５重量部加えてよく混練してペーストを調整し
た。このペーストを６０×３０×０．６５ｍｍの窒化ア
ルミニウム基板の両面にスクリーン印刷で全面に塗布し
た。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2 と
した。
部、テルピネオール１５重量部及び有機結合剤としてポ
リイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分
で１．５重量部加えてよく混練してペーストを調整し
た。このペーストを６０×３０×０．６５ｍｍの窒化ア
ルミニウム基板の両面にスクリーン印刷で全面に塗布し
た。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2 と
した。
【００２４】次いで、ペーストの塗布された窒化アルミ
ニウム基板の両面に、６０×３０×０．２５ｍｍの表１
に示す各種金属板を接触配置してから炉に投入し、高真
空中、温度５８０℃で３０分加熱した後、２℃/ 分の降
温速度で冷却して接合体を製造した。得られた接合体に
ついて、金属板が銅である場合には、上記と同様にして
金属回路及び金属放熱板を形成し、また金属板がアルミ
ニウム（Ａｌ）である場合には、エッチング液として過
酸化水素水と硫酸の混合溶液を用い、それ以外は上記と
同様にして行った。
ニウム基板の両面に、６０×３０×０．２５ｍｍの表１
に示す各種金属板を接触配置してから炉に投入し、高真
空中、温度５８０℃で３０分加熱した後、２℃/ 分の降
温速度で冷却して接合体を製造した。得られた接合体に
ついて、金属板が銅である場合には、上記と同様にして
金属回路及び金属放熱板を形成し、また金属板がアルミ
ニウム（Ａｌ）である場合には、エッチング液として過
酸化水素水と硫酸の混合溶液を用い、それ以外は上記と
同様にして行った。
【００２５】これら一連の処理を経て製作された回路基
板について、ヒートサイクル（熱衝撃）試験を行った。
ヒートサイクル試験は、気中、−４０℃×３０分保持
後、２５℃×１０分間放置、さらに１２５℃×３０分保
持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとして行い、
金属回路又は金属放熱板が剥離開始したヒートサイクル
回数を測定した。また、室温から２６０℃に加熱したと
きの回路基板の反りの変位を非接触式レーザー変位計で
測定した。これらの結果を表１に示す。
板について、ヒートサイクル（熱衝撃）試験を行った。
ヒートサイクル試験は、気中、−４０℃×３０分保持
後、２５℃×１０分間放置、さらに１２５℃×３０分保
持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとして行い、
金属回路又は金属放熱板が剥離開始したヒートサイクル
回数を測定した。また、室温から２６０℃に加熱したと
きの回路基板の反りの変位を非接触式レーザー変位計で
測定した。これらの結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明の回路基板は、温度変化による反
りの変位が著しく小さく、しかも熱衝撃や熱履歴に対す
る耐久性すなわち耐ヒートサイクル性が大である。
りの変位が著しく小さく、しかも熱衝撃や熱履歴に対す
る耐久性すなわち耐ヒートサイクル性が大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/02 H05K 1/03 610
Claims (1)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基板の一方の面に銅又
はアルミニウム製の金属回路、他方の面にはアルミニウ
ム又は銅製の金属放熱板が設けられてなるものであっ
て、上記金属回路と上記金属放熱板との熱膨張係数差が
６〜８×１０ -6 ／℃であることを特徴とする回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19237593A JP3260213B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19237593A JP3260213B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745915A JPH0745915A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3260213B2 true JP3260213B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=16290250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19237593A Expired - Fee Related JP3260213B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260213B2 (ja) |
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| JP5944688B2 (ja) * | 2012-02-22 | 2016-07-05 | ローム株式会社 | パワーモジュール半導体装置 |
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1993
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