JP3257473B2 - 放電ランプ用陰極の製造方法 - Google Patents
放電ランプ用陰極の製造方法Info
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- JP3257473B2 JP3257473B2 JP26519397A JP26519397A JP3257473B2 JP 3257473 B2 JP3257473 B2 JP 3257473B2 JP 26519397 A JP26519397 A JP 26519397A JP 26519397 A JP26519397 A JP 26519397A JP 3257473 B2 JP3257473 B2 JP 3257473B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は放電ランプ用陰極
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】放電ランプの陰極には、放電始動電圧を低
くするという理由から酸化トリウムを含むタングステン
が使われる。しかし、酸化トリウムは動作温度が高いの
で、タングステンの蒸発を招き、電極の先端が磨耗して
変形するという問題や、蒸発したタングステンが発光管
の内面に付着するという問題を起こす。
くするという理由から酸化トリウムを含むタングステン
が使われる。しかし、酸化トリウムは動作温度が高いの
で、タングステンの蒸発を招き、電極の先端が磨耗して
変形するという問題や、蒸発したタングステンが発光管
の内面に付着するという問題を起こす。
【０００３】また、酸化トリウムではなく、バリウム系
のエミッターをタンスグテンに含ませた陰極もある。こ
のバリウム系エミッターは動作温度が低く、すなわち低
い温度で放電動作を起こすことができるので、タングス
テンの蒸発という上記問題を生じさせることは少ない。
その一方で、バリウム系エミッターを外表面、すなわち
発光空間にあまりに多く露出させると、このエミッター
自体が蒸発を起こしかねない。従って、バリウム系エミ
ッターを使った陰極では、このバリウム系エミッターの
発光空間への露出面積を小さくするとともに、陰極の内
部にバリウム系エミッターを蓄積させて、良好に先端の
アーク放出部分まで導くことが必要となる。
のエミッターをタンスグテンに含ませた陰極もある。こ
のバリウム系エミッターは動作温度が低く、すなわち低
い温度で放電動作を起こすことができるので、タングス
テンの蒸発という上記問題を生じさせることは少ない。
その一方で、バリウム系エミッターを外表面、すなわち
発光空間にあまりに多く露出させると、このエミッター
自体が蒸発を起こしかねない。従って、バリウム系エミ
ッターを使った陰極では、このバリウム系エミッターの
発光空間への露出面積を小さくするとともに、陰極の内
部にバリウム系エミッターを蓄積させて、良好に先端の
アーク放出部分まで導くことが必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、バリウム系
エミッターを使った陰極であって、当該バリウム系エミ
ッターの先端露出面積を小さくするとともに、かつ、放
電動作中に良好にエミッターを先端に供給することがで
きる陰極の新規な製造方法に関する。
エミッターを使った陰極であって、当該バリウム系エミ
ッターの先端露出面積を小さくするとともに、かつ、放
電動作中に良好にエミッターを先端に供給することがで
きる陰極の新規な製造方法に関する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる放電ラ
ンプ用陰極の製造方法は、以下の工程で製造することを
特徴とする。すなわち、(１)．基体金属の一端を穴加工
する工程。(２)．この穴にエミッターを含む円柱状の第
１成形品を挿入する工程。(３)．第１成形品の上に、タ
ングステンを主成分とした円筒状の第２成形品を挿入す
るとともに、この第２成形品の穴にエミッターを含む円
柱状の第３成形品を挿入する工程。(４)．この状態で加
圧した後に焼結して、さらに高温加熱状態においてスエ
ージ処理をする工程。(５)．所望の形状に切削加工する
工程。
ンプ用陰極の製造方法は、以下の工程で製造することを
特徴とする。すなわち、(１)．基体金属の一端を穴加工
する工程。(２)．この穴にエミッターを含む円柱状の第
１成形品を挿入する工程。(３)．第１成形品の上に、タ
ングステンを主成分とした円筒状の第２成形品を挿入す
るとともに、この第２成形品の穴にエミッターを含む円
柱状の第３成形品を挿入する工程。(４)．この状態で加
圧した後に焼結して、さらに高温加熱状態においてスエ
ージ処理をする工程。(５)．所望の形状に切削加工する
工程。
【０００６】さらに、前記基体金属の一端に設けられた
穴の内径をｄ０、前記第１成形品の外径をＤ１、及び前
記第２成形品の外径をＤ２とした場合に、ｄ０ ＞ Ｄ
１＝Ｄ２ ＞ ｄ０−（０．１）であることを特徴とす
る。さらに、前記第２成形品の内径をｄ２、前記第３成
形品の外径をＤ３とした場合に、ｄ２ ＞ Ｄ３ ＞
ｄ２−（０．１）であることを特徴とする。さらに、前
記基体金属の穴の深さをＬ０、穴の内径をｄ０とした場
合に、１０×ｄ０ ≧ Ｌ０ ≧ １／（２×ｄ０）で
あることを特徴とする。さらに、前記第１〜第３成形品
の前記基体金属の穴に挿入する前の成形時における圧力
は、１〜２Ｔｏｎ／ｃｍ2 であり、これら成形品を前記
基体金属の穴に挿入した後に加圧する際の圧力は、３〜
１０Ｔｏｎ／ｃｍ2 であることを特徴とする。さらに、
前記における焼結は、１５００〜１７００℃で行われ
ることを特徴とする。
穴の内径をｄ０、前記第１成形品の外径をＤ１、及び前
記第２成形品の外径をＤ２とした場合に、ｄ０ ＞ Ｄ
１＝Ｄ２ ＞ ｄ０−（０．１）であることを特徴とす
る。さらに、前記第２成形品の内径をｄ２、前記第３成
形品の外径をＤ３とした場合に、ｄ２ ＞ Ｄ３ ＞
ｄ２−（０．１）であることを特徴とする。さらに、前
記基体金属の穴の深さをＬ０、穴の内径をｄ０とした場
合に、１０×ｄ０ ≧ Ｌ０ ≧ １／（２×ｄ０）で
あることを特徴とする。さらに、前記第１〜第３成形品
の前記基体金属の穴に挿入する前の成形時における圧力
は、１〜２Ｔｏｎ／ｃｍ2 であり、これら成形品を前記
基体金属の穴に挿入した後に加圧する際の圧力は、３〜
１０Ｔｏｎ／ｃｍ2 であることを特徴とする。さらに、
前記における焼結は、１５００〜１７００℃で行われ
ることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法によって
製造された陰極を示す。基体金属１１はタングステンや
モリブデンなどの高融点金属からなり、先端（陽極と対
向する側）は円錐形状をなしている。この円錐部分の内
部にはバリウム系エミッターを含むエミッター含有部１
２を有し、このエミッター含有部１２から小径のエミッ
ター供給路１３が続いて発光空間に導かれる。基体金属
１１の後端には金属箔溶接部１４が形成される。
製造された陰極を示す。基体金属１１はタングステンや
モリブデンなどの高融点金属からなり、先端（陽極と対
向する側）は円錐形状をなしている。この円錐部分の内
部にはバリウム系エミッターを含むエミッター含有部１
２を有し、このエミッター含有部１２から小径のエミッ
ター供給路１３が続いて発光空間に導かれる。基体金属
１１の後端には金属箔溶接部１４が形成される。
【０００８】図２は上記陰極を使った放電ランプを示
す。発光管２１の中には陰極２２と陽極２３が対向配置
する。陰極２２と陽極２３は後端で金属箔と接続されて
気密に封止される。発光管２１の中には、発光物質とし
て水銀、点灯用ガスとしてアルゴンなどが封入される。
ランプは、例えば、定格２５Ｖ、２５０Ｗの高圧水銀ラ
ンプ、又は定格２５Ｖ１０００Ｗの高圧キセノンランプ
又は高圧水銀ランプである。
す。発光管２１の中には陰極２２と陽極２３が対向配置
する。陰極２２と陽極２３は後端で金属箔と接続されて
気密に封止される。発光管２１の中には、発光物質とし
て水銀、点灯用ガスとしてアルゴンなどが封入される。
ランプは、例えば、定格２５Ｖ、２５０Ｗの高圧水銀ラ
ンプ、又は定格２５Ｖ１０００Ｗの高圧キセノンランプ
又は高圧水銀ランプである。
【０００９】次に、本発明にかかる陰極の製造方法を説
明する。まず、基体金属を製造する。高融点金属である
タングステンを、例えば外径Ｄ０はφ５ｍｍ、長さ３０
ｍｍに切断加工する。次に、この切断加工された基体金
属の一端に内径ｄ０、長さＬ０の穴を設ける。例えばｄ
０が１．５ｍｍ、Ｌ０が６ｍｍである。また、基体金属
の他端には、モリブデンなどの金属箔を溶接するための
加工も行う。この状態の基体金属を図３に示す。そし
て、次の工程まで保管させる。
明する。まず、基体金属を製造する。高融点金属である
タングステンを、例えば外径Ｄ０はφ５ｍｍ、長さ３０
ｍｍに切断加工する。次に、この切断加工された基体金
属の一端に内径ｄ０、長さＬ０の穴を設ける。例えばｄ
０が１．５ｍｍ、Ｌ０が６ｍｍである。また、基体金属
の他端には、モリブデンなどの金属箔を溶接するための
加工も行う。この状態の基体金属を図３に示す。そし
て、次の工程まで保管させる。
【００１０】 まず、第１成形品、第３成形品を製造す
る。バリウム系エミッター粉末とタングステン粉末を所
定量だけ秤量して混合させる。バリウム系エミッターと
は、具体的にはＢａ1.8Ｓｒ0.2Ｃａ1.0ＷＯ６1.0などで
ある。そして、この混合粉末をプレス成形することで第
１成形品、第３成形品を作る。このときのプレス圧力
は、例えば、１Ｔｏｎ〜２Ｔｏｎ／ｃｍ2 である。この
ときの第１成形品は外径Ｄ１、長さＬ１とし、第３成形
品は外径Ｄ３、長さＬ３とする。一例をあげれば、Ｄ１
は１．４、Ｌ１は３．５、Ｄ３は０．４、Ｌ３は２．５
である（単位はすべてｍｍ）。このようにして作った第
１成形品、第３成形品を図４（ａ）、（ｂ）に示す。そ
して、次の工程まで保管する。
る。バリウム系エミッター粉末とタングステン粉末を所
定量だけ秤量して混合させる。バリウム系エミッターと
は、具体的にはＢａ1.8Ｓｒ0.2Ｃａ1.0ＷＯ６1.0などで
ある。そして、この混合粉末をプレス成形することで第
１成形品、第３成形品を作る。このときのプレス圧力
は、例えば、１Ｔｏｎ〜２Ｔｏｎ／ｃｍ2 である。この
ときの第１成形品は外径Ｄ１、長さＬ１とし、第３成形
品は外径Ｄ３、長さＬ３とする。一例をあげれば、Ｄ１
は１．４、Ｌ１は３．５、Ｄ３は０．４、Ｌ３は２．５
である（単位はすべてｍｍ）。このようにして作った第
１成形品、第３成形品を図４（ａ）、（ｂ）に示す。そ
して、次の工程まで保管する。
【００１１】次に、第２成形品を製造する。まず、タン
グステンの粉末粒子を大、中、小を所定量それぞれ秤量
して、均一に混合させる。大きさの一例をあげれば、大
粒子は１０μ７ｇ、中粒子は４μ２ｇ、小粒子は１μ１
ｇである。このように大中小を混合させる理由は先端高
温部分が長期動作において変形しないためである。混合
タングステン粉末は、プレス成形することで第２成形品
を作る。このときのプレス圧力は１Ｔｏｎ〜２Ｔｏｎ／
ｃｍ2 である。この理由は、１Ｔｏｎより低圧だと成形
品はハンドリングできない。また、２Ｔｏｎよりも高い
と基体金属の穴に入れてプレスしても締まりがなく、穴
内にうまく溶接しないからである。このときの第２成形
品は外径Ｄ２、内径ｄ２、長さＬ２とする。一例をあげ
れば、Ｄ２は１．４、ｄ２は０．５、Ｌ２は２．５であ
る（単位はすべてｍｍ）。このようにして作った第２成
形品を図５に示す。そして、次の工程まで保管する。
グステンの粉末粒子を大、中、小を所定量それぞれ秤量
して、均一に混合させる。大きさの一例をあげれば、大
粒子は１０μ７ｇ、中粒子は４μ２ｇ、小粒子は１μ１
ｇである。このように大中小を混合させる理由は先端高
温部分が長期動作において変形しないためである。混合
タングステン粉末は、プレス成形することで第２成形品
を作る。このときのプレス圧力は１Ｔｏｎ〜２Ｔｏｎ／
ｃｍ2 である。この理由は、１Ｔｏｎより低圧だと成形
品はハンドリングできない。また、２Ｔｏｎよりも高い
と基体金属の穴に入れてプレスしても締まりがなく、穴
内にうまく溶接しないからである。このときの第２成形
品は外径Ｄ２、内径ｄ２、長さＬ２とする。一例をあげ
れば、Ｄ２は１．４、ｄ２は０．５、Ｌ２は２．５であ
る（単位はすべてｍｍ）。このようにして作った第２成
形品を図５に示す。そして、次の工程まで保管する。
【００１２】次に、基体金属の穴に第１〜第３成形品を
挿入する。図６に示すように基体金属の穴に第１〜第３
成形品を挿入するが、第１成形品（図中１で示す）を基
体金属１１の穴の奥に挿入して、その次に、第２成形品
（図中２で示す）に設けられた穴の中に第３成形品（図
中３で示す）を挿入してこの組み合わせを基体金属の穴
に挿入する。挿入方法は、第２成形品の穴の中に第３成
形品を挿入した後、この組み合わせを基体金属に挿入し
てもよいが、この方法に限られず、第２成形品を基体金
属の穴の中に挿入した後、第３成形品を挿入してもよ
い。
挿入する。図６に示すように基体金属の穴に第１〜第３
成形品を挿入するが、第１成形品（図中１で示す）を基
体金属１１の穴の奥に挿入して、その次に、第２成形品
（図中２で示す）に設けられた穴の中に第３成形品（図
中３で示す）を挿入してこの組み合わせを基体金属の穴
に挿入する。挿入方法は、第２成形品の穴の中に第３成
形品を挿入した後、この組み合わせを基体金属に挿入し
てもよいが、この方法に限られず、第２成形品を基体金
属の穴の中に挿入した後、第３成形品を挿入してもよ
い。
【００１３】次に、図７に示すように基体金属１１の穴
に挿入された各成形品に対して、パンチ７０を使ってプ
レスする。このときのプレス圧力は、３Ｔｏｎ〜１０Ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 である。この理由は、３Ｔｏｎ以下の場合
は、密度が十分に上がらず点灯中に電極先端が摩耗す
る。１０Ｔｏｎ以上の場合は、パンチが機械強度的に持
たず、また、基体金属１１が割れることがあるからであ
る。
に挿入された各成形品に対して、パンチ７０を使ってプ
レスする。このときのプレス圧力は、３Ｔｏｎ〜１０Ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 である。この理由は、３Ｔｏｎ以下の場合
は、密度が十分に上がらず点灯中に電極先端が摩耗す
る。１０Ｔｏｎ以上の場合は、パンチが機械強度的に持
たず、また、基体金属１１が割れることがあるからであ
る。
【００１４】次に、この状態で焼結処理を行う。焼結の
温度は１５００℃〜１７００℃が好ましい。この理由
は、１５００℃以下の場合は焼結が不十分であり点灯中
に変形を生じ、また、１７００℃以上の場合はエミッタ
ーが蒸発してしまうからである。次に、温度を若干下げ
て、例えば１０００℃〜１５００℃、図７に示したよう
なパンチで加圧する。これにより焼結された各成形品が
さらに高密度となる。
温度は１５００℃〜１７００℃が好ましい。この理由
は、１５００℃以下の場合は焼結が不十分であり点灯中
に変形を生じ、また、１７００℃以上の場合はエミッタ
ーが蒸発してしまうからである。次に、温度を若干下げ
て、例えば１０００℃〜１５００℃、図７に示したよう
なパンチで加圧する。これにより焼結された各成形品が
さらに高密度となる。
【００１５】次に、所望の電極形状をするべく切削加工
を行う。ここでいう所望の電極形状とは基体金属の先端
を円錐形状にすることである。図８は、このようにして
完成した陰極の先端部分を示す。エミッタ含有部１２は
第１成形品よりなり、供給路１３は第３成形品よりな
る。供給路１３の周囲のタングステン１３Ａは第２成形
品よりなる。そして、供給路１３の先端は、その先端面
のみが露出する形状をとることが好ましい。すなわち、
供給路（第３成形品の外径）に相当するだけの平面部を
先端に設けることである。このようにして完成した電極
は、ランプを製造する工程まで湿度のないところで保管
される。
を行う。ここでいう所望の電極形状とは基体金属の先端
を円錐形状にすることである。図８は、このようにして
完成した陰極の先端部分を示す。エミッタ含有部１２は
第１成形品よりなり、供給路１３は第３成形品よりな
る。供給路１３の周囲のタングステン１３Ａは第２成形
品よりなる。そして、供給路１３の先端は、その先端面
のみが露出する形状をとることが好ましい。すなわち、
供給路（第３成形品の外径）に相当するだけの平面部を
先端に設けることである。このようにして完成した電極
は、ランプを製造する工程まで湿度のないところで保管
される。
【００１６】次に、本発明の製造方法による陰極の効果
を表す。(１)本発明の製造方法による陰極を具えた放電
ランプ、すなわち、バリウム系エミッターを含む供給路
とその後端のエミッター含有部を有するもの（以下、
「本発明ランプ」と称する、(２)従来の構造の陰極、す
なわち、バリウム系エミッターを含むものであるが先端
外表面において発光空間に露出された領域の多いもの、
を具えた放電ランプ（以下、「従来ランプ１」と称す
る）、(３)バリウム系エミッターを含むものではなく酸
化トリウムよりなる陰極を具えた放電ランプ（以下、
「従来ランプ２」と称する。ランプは陰極の構造以外は
同一であり、すべて定格電流１０Ａ、定格電力２５０Ｗ
で点灯する。
を表す。(１)本発明の製造方法による陰極を具えた放電
ランプ、すなわち、バリウム系エミッターを含む供給路
とその後端のエミッター含有部を有するもの（以下、
「本発明ランプ」と称する、(２)従来の構造の陰極、す
なわち、バリウム系エミッターを含むものであるが先端
外表面において発光空間に露出された領域の多いもの、
を具えた放電ランプ（以下、「従来ランプ１」と称す
る）、(３)バリウム系エミッターを含むものではなく酸
化トリウムよりなる陰極を具えた放電ランプ（以下、
「従来ランプ２」と称する。ランプは陰極の構造以外は
同一であり、すべて定格電流１０Ａ、定格電力２５０Ｗ
で点灯する。
【００１７】まず、陰極の動作温度を比較すると、本発
明ランプと従来ランプ１は約１５００℃であるのに対
し、従来ランプ２は約２２００℃である。これは、バリ
ウム系エミッターを使ったランプは酸化トリウムに比較
して動作温度が低いので、タングステンの蒸発、電極の
先端が磨耗、変形、蒸発したタングステンの発光管内面
に付着という問題を起こさないことを示す。
明ランプと従来ランプ１は約１５００℃であるのに対
し、従来ランプ２は約２２００℃である。これは、バリ
ウム系エミッターを使ったランプは酸化トリウムに比較
して動作温度が低いので、タングステンの蒸発、電極の
先端が磨耗、変形、蒸発したタングステンの発光管内面
に付着という問題を起こさないことを示す。
【００１８】次に、光出力を相対的に比較すると、従来
ランプ２の光出力を１００としたときに、本発明ランプ
は９５、従来ランプ１は８５となった。これは、従来ラ
ンプ２は陰極先端径が小さいのでアーク輝点も小さくな
るからである。これに対して、本発明ランプは陰極先端
のアーク放出部分が小さいのでアーク輝点も小さくな
り、このため高い光出力を有する。その一方で、従来ラ
ンプ１は陰極先端のアーク放出部分が大きいのでアーク
輝点が広がってしまい、その分だけ光出力が低下してし
まう。
ランプ２の光出力を１００としたときに、本発明ランプ
は９５、従来ランプ１は８５となった。これは、従来ラ
ンプ２は陰極先端径が小さいのでアーク輝点も小さくな
るからである。これに対して、本発明ランプは陰極先端
のアーク放出部分が小さいのでアーク輝点も小さくな
り、このため高い光出力を有する。その一方で、従来ラ
ンプ１は陰極先端のアーク放出部分が大きいのでアーク
輝点が広がってしまい、その分だけ光出力が低下してし
まう。
【００１９】次に、陰極の磨耗程度を比較すると、本発
明ランプは２０００時間点灯後に０．０５ｍｍ、である
のに対し、従来ランプ１は同じ時間で０．３ｍｍ、従来
ランプ２は１０００時間の点灯で０．６ｍｍであった。
本発明ランプが従来ランプ２より極端に磨耗が小さいの
は、前述のように、陰極の動作温度が低いからである。
また、本発明ランプは陰極先端部分が熱伝導性の良いタ
ングステンで囲まれているので後方に熱を良好に逃がす
ことが出来るので従来ランプ１よりも磨耗が小さいもの
と考えられる。
明ランプは２０００時間点灯後に０．０５ｍｍ、である
のに対し、従来ランプ１は同じ時間で０．３ｍｍ、従来
ランプ２は１０００時間の点灯で０．６ｍｍであった。
本発明ランプが従来ランプ２より極端に磨耗が小さいの
は、前述のように、陰極の動作温度が低いからである。
また、本発明ランプは陰極先端部分が熱伝導性の良いタ
ングステンで囲まれているので後方に熱を良好に逃がす
ことが出来るので従来ランプ１よりも磨耗が小さいもの
と考えられる。
【００２０】次に、放電ランプの寿命（光出力が初期値
の５０％）を比較すると、本発明ランプが８０００時
間、従来ランプ１が４０００時間、従来ランプ２が１０
００時間である。
の５０％）を比較すると、本発明ランプが８０００時
間、従来ランプ１が４０００時間、従来ランプ２が１０
００時間である。
【００２１】次に、本発明の他の実施例を示す。図９に
示すように、第１成形品は基体金属の穴の内径よりも、
ずっと小さい外径を有する円柱状よりなり、この第１成
形品はタングステンを主成分とする円筒状の第４成形品
４の穴の中に挿入されて、これら組み合わせ体が基体金
属１１の穴の中に挿入される。従って、第４成形品の外
径Ｄ４は、基体金属１１の穴の内径ｄ０とほぼ等しい値
となり、具体的には、「ｄ０＞ Ｄ４ ＞ ｄ０−
(０．１ｍｍ)」の関係が成り立つ。また、第４成形品の
内径ｄ４は、第１成形品の外径Ｄ１とほぼ等しい値をな
り、具体的には、「ｄ４ ＞ Ｄ１ ＞ ｄ４−(０．
１ｍｍ)」の関係が成り立つ。このような構造とするこ
とで、エミッター含有部の体積は小さくなるが、小さく
ても十分に足りるような場合には、第１成形品の大きさ
に応じて段差のある穴を基体金属に設ける必要がなくな
るという利点を有する。
示すように、第１成形品は基体金属の穴の内径よりも、
ずっと小さい外径を有する円柱状よりなり、この第１成
形品はタングステンを主成分とする円筒状の第４成形品
４の穴の中に挿入されて、これら組み合わせ体が基体金
属１１の穴の中に挿入される。従って、第４成形品の外
径Ｄ４は、基体金属１１の穴の内径ｄ０とほぼ等しい値
となり、具体的には、「ｄ０＞ Ｄ４ ＞ ｄ０−
(０．１ｍｍ)」の関係が成り立つ。また、第４成形品の
内径ｄ４は、第１成形品の外径Ｄ１とほぼ等しい値をな
り、具体的には、「ｄ４ ＞ Ｄ１ ＞ ｄ４−(０．
１ｍｍ)」の関係が成り立つ。このような構造とするこ
とで、エミッター含有部の体積は小さくなるが、小さく
ても十分に足りるような場合には、第１成形品の大きさ
に応じて段差のある穴を基体金属に設ける必要がなくな
るという利点を有する。
【図１】本発明の製造方法によって製造された陰極を示
す。
す。
【図２】本発明の製造方法によって製造された陰極を使
った放電ランプを示す。
った放電ランプを示す。
【図３】基体金属を示す。
【図４】第１成形品、第３成形品を示す。
【図５】第２成形品を示す。
【図６】基体金属の穴に第１〜第３成形品を挿入した状
態を示す。
態を示す。
【図７】プレスする状態を示す。
【図８】陰極の先端の構造を示す。
【図９】本発明の他の実施例を示す。
１ 第１成形品 ２ 第２成形品 ３ 第３成形品 ４ 第４成形品 １１ 基体金属 １２ エミッター含有部 １３ 供給路 ２１ 発光管 ２２ 陰極 ２３ 陽極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 村田 尚英 (56)参考文献 特開 平７−65715（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−129179（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−226648（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/04
Claims (9)
- 【請求項１】 以下の工程で製造することを特徴とする
放電ランプ用陰極の製造方法。 (１)．基体金属の一端を穴加工する工程。 (２)．この穴にバリウム系エミッターを含む円柱状の第
１成形品を挿入する工程。 (３)．第１成形品の上に、タングステンを主成分とした
円筒状の第２成形品を挿入するとともに、この第２成形
品の穴にバリウム系エミッターを含む円柱状の第３成形
品を挿入する工程。 (４)．この状態で加圧した後に焼結して、さらに高温加
熱状態においてスエージ処理をする工程。 (５)．所望の形状に切削加工する工程。 - 【請求項２】前記基体金属の一端に設けられた穴の内径
をｄ０、前記第１成形品の外径をＤ１、及び前記第２成
形品の外径をＤ２とした場合に、 ｄ０ ＞ Ｄ１＝Ｄ２ ＞ ｄ０−（０．１ｍｍ） であることを特徴とする請求項１に記載する放電ランプ
用陰極の製造方法。 - 【請求項３】前記第２成形品の内径をｄ２、前記第３成
形品の外径をＤ３とした場合に、 ｄ２ ＞ Ｄ３ ＞ ｄ２−（０．１ｍｍ） であることを特徴とする請求項１に記載する放電ランプ
用陰極の製造方法。 - 【請求項４】前記基体金属の穴の深さをＬ０、穴の内径
をｄ０とした場合に、 １０×ｄ０ ≧ Ｌ０ ≧ １／（２×ｄ０） であることを特徴とする請求項１に記載する放電ランプ
用陰極の製造方法。 - 【請求項５】前記第１〜第３成形品の前記基体金属の穴
に挿入する前の成形時における圧力は、１〜２Ｔｏｎ／
ｃｍ2 であり、 これら成形品を前記基体金属の穴に挿入した後に加圧す
る際の圧力は、３〜１０Ｔｏｎ／ｃｍ2 であることを特
徴とする請求項１に記載する放電ランプ用陰極の製造方
法。 - 【請求項６】前記(４)における焼結は、１５００〜１７
００℃で行われることを特徴とする請求項１に記載する
放電ランプ用陰極の製造方法。 - 【請求項７】前記(２)の工程において、バリウム系エミ
ッターを含む円柱状の第１成形品は、タングステンを主
成分とした円筒状の第４成形品の穴の中に挿入されて、
これらの組み合わせ体を基体金属の穴に挿入することを
特徴とする請求項１に記載する放電ランプ用陰極の製造
方法。 - 【請求項８】第４成形品の外径をＤ４、基体金属１１の
穴の内径をｄ０とした場合に、 ｄ０ ＞ Ｄ４ ＞ ｄ０−(０．１ｍｍ) であることを特徴とする請求項７に記載する放電ランプ
用陰極の製造方法。 - 【請求項９】 第４成形品の内径をｄ４、第１成形品の
外径をＤ１とした場合に、 ｄ４ ＞ Ｄ１ ＞ ｄ４−(０．１ｍｍ) であることを特徴とする請求項７に記載する放電ランプ
用陰極の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26519397A JP3257473B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電ランプ用陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26519397A JP3257473B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電ランプ用陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167077A JPH1167077A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3257473B2 true JP3257473B2 (ja) | 2002-02-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP26519397A Expired - Fee Related JP3257473B2 (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 放電ランプ用陰極の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3257473B2 (ja) |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP26519397A patent/JP3257473B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH1167077A (ja) | 1999-03-09 |
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