JP3255871B2 - パルスヒーター及び半導体チップ実装ボードの製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は急速な昇温及び降温
が可能なパルスヒーターに関し、特に、半導体の組み立
て工程において使用される、半導体チップ実装ボード製
造用のパルスヒーター（ボンダー用ヒーター）に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体の組み立て工程において、半導体
チップ実装ボードを製造するために種々のヒーターが用
いられている。現在の通信機やパーソナルコンピュータ
の小型化、薄型化、高性能化への要求が高まるなか、新
しいボンディング技術が求められている。その中でも特
に、ＩＣチップ等の半導体チップを基板に実装するため
の新しいボンディング技術として、フリップチップボン
ドと呼ばれるワイヤーレスボンディング方法が注目され
ており、従来のワイヤーボンディング方法と比較して大
幅にＩＣの実装効率（ＩＣチップ面積／ＩＣパッケージ
面積）を向上させるさせることができると言う利点があ
る。

【０００３】この方法はＩＣチップ内の配線部と基板と
の間にハンダバンプや金バンプ等の導電性ボンディング
材を置き、ヒーターにより前記材料を加熱溶融してＩＣ
チップと基板とをボンディングするものである。そし
て、金バンプが存在するボンディング部分全体を加熱に
より急速に昇温（例えば常温から４５０℃まで２秒間で
昇温）して導電性ボンディング材を熱溶融させ、そして
ボンディング部分を冷却により急速に降温（例えば４５
０℃から１００℃まで１０秒で降温）して導電性ボンデ
ィング材を固化させることが可能なパルスヒ−ターを必
要とする。この急速昇降温はＩＣチップ等を熱から保護
するためにも必要である。このようなパルスヒーター
（以下、ヒーターと言うことがある）の発熱体として、
従来、モリブデンやチタン、ニッケルクロム合金、窒化
アルミニウムに白金パラジウム膜を焼き付けたものが用
いられていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モリブ
デンやチタンを発熱体として用いたヒ−ターにあって
は、電気比抵抗が非常に低いために急速昇温時に大電流
を必要とし、そのために誘導磁場が発生し、正確な位置
合わせを必要とするヒーターの位置を狂わせてしまう虞
があった。また、またヒーター部分は約４５０℃まで加
熱されるために酸化されやすく耐久性がなく、更に金属
製であるため高温での塑性変形が大きく、数μｍ程度の
表面精度を確保できないという問題点があった。また、
ニッケルクロム合金を用いたヒーターにあっては、モリ
プデンやチタンを用いたヒーターと比較すると、耐酸化
性は若干良くなるものの、熱伝導率が低いために均熱性
が非常に悪く、ボンディングの接続不良が起こりやすく
製品としての歩留まりが上がらない。更に、熱伝導率が
低いため、急速昇温時に必要な最大投入電力が大きく、
また降温に要する時間がかかり、１回のボンディング処
理に多くの時間を要し、コストパフォ−マンスが低下す
る他、金属製であるため高温での塑性変形が大きく、数
μｍ程度の表面精度を確保できないという問題点があっ
た。

【０００５】また、窒化アルミニウムに白金パラジウム
膜を焼き付けてなるヒーターにあっては、白金パラジウ
ム薄膜の電気抵抗を大きくするために膜厚を薄くしてあ
り、そのために昇温時に断線が起こりやすく、均熱性も
非常に悪くボンディング部分に接続不良が起こりやす
く、製品としての歩留まりが上がらないうえ、断線がい
つ発生するか予測できず、信頼性に劣るという問題点が
あった。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、その課題は、急速な昇降温が可能であり、ヒー
ターヘッドの位置ずれが起こる虞がなく、ヒーター断線
の虞がなく、十分な表面精度を有し、ボンディング部分
の接続不良がなく、コストパフォーマンスに優れたパル
スヒーター及び半導体チップ実装ボードの製法を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる課題は、発熱体
と、該発熱体に通電して発熱体を昇温させるための電極
と、発熱体を冷却して降温させるための冷却孔と、発熱
体からの熱を断熱するためのベース材とを備え、前記発
熱体が炭化珪素から構成されているとともに、発熱体が
昇温と降温とを繰り返すパルスヒーターとすることで解
決される。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明に係わるパルスヒーターの一実施形態例
の平面図であって、図２は図１に示すパルスヒーターの
要部に沿って階段状に切断した断面図であり、図３は、
図１及び図２に示すパルスヒーターに用いられている発
熱体の斜視図である。図１〜図３に示すパルスヒーター
１０は、発熱体１と、該発熱体１に通電して発熱体１を
昇温させるための電極４と、発熱体１を強制冷却して降
温させるための冷却孔８などの冷却手段と、発熱体１か
らの熱を断熱するために発熱体１の片面側に設けられた
電気絶縁性のベース材２とを備え、発熱体１が炭化珪素
から構成されているとともに、発熱体１とベース材２が
半導体チップを吸着するための吸着孔７ａを有し、前記
冷却孔８が前記ベース材２に形成され、発熱体１が昇温
と降温とを交互に繰り返すものである。そして、図１及
び図２に示す例では、複数個（４個）の冷却孔８はベー
ス材２を貫通する貫通孔として形成され、吸着孔７ａは
ベース材２と発熱体１とを貫通している。

【０００９】本発明者等は、鋭意検討した結果、炭化珪
素、特に燒結体密度が２．５ｇ／ｃｍ³以上で室温（２
５゜Ｃ）での電気比抵抗が１〜１００Ω・ｃｍである炭
化珪素燒結体により発熱体を構成させれば前述の課題を
解決できるパルスヒーターが得られることを知見した。
焼結体密度が２．５ｇ／ｃｍ³以上であれば炭化珪素粒
子間の結合力が充分であり、高温での機械強度も高いこ
とから、ボンディング時の荷重により発熱体が破損する
虞がなく、高温時での塑性変形がなく数μｍの表面精度
が容易に得られる。なお、炭化珪素の理論密度は３．２
１ｇ／ｃｍ³である。

【００１０】また、炭化珪素燒結体の室温での電気比抵
抗は１〜１００Ω・ｃｍであることが望ましい。このよ
うな電気比抵抗であれば、金属ヒーターのように大電流
が流れないので、リード線３に電磁誘導からくる応力が
働いてヒーターヘッドの位置が狂う虞がない。

【００１１】これに対して、室温での電気比抵抗が１Ω
・ｃｍ未満であると、急速昇温するために大電力を投入
することが必要となり、大電流が流れてリード線に電磁
誘導からくる応力が働きヒーターヘッドの位置が狂う虞
がある他、大電流が発熱体に集中してヒーターが破損
し、また所定の抵抗値とするためには発熱体を薄肉化し
なければならず、ボンディング時の圧力（通常５０Ｋｇ
／ｃｍ²程度）により破損する虞がある。一方、室温で
の電気比抵抗が１００Ω・ｃｍを超えると大電圧を投入
しなければならず、このために特別の電源が必要となる
ためである。

【００１２】更に、発熱体を形成する炭化珪素焼結体は
室温での熱伝導率が１０ＯＷ／ｍ・Ｋ以上であることが
好ましい。上述したように発熱体を形成する炭化珪素焼
結体の焼結密度は２．５ｇ／ｃｍ³以上と緻密質であ
り、しかも後述するように焼結助剤無添加で焼結できる
ので、粒界に存在する不純物が少なく微細で均一な組織
が得られ、よって１０ＯＷ／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率
が得られる。従って、この炭化珪素焼結体から成る発熱
体を備えたパルスヒーターは均熱性に優れたものとな
り、ボンディング部分の接続不良がなく製品歩留まりが
高くなり、更に冷却に要する時間が短く１回のボンディ
ング処理時間が短縮されコストパフォーマンスが高くな
る他、急速昇温時又は急速降温時においても熱衝撃で破
損する虞がない。

【００１３】燒結体密度２．５ｇ／ｃｍ³以上で電気比
抵抗１〜１００Ω・ｃｍである炭化珪素燒結体は、平均
粒径０．１〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と０．１μ
ｍ以下の第２の炭化珪素粉末とを混合し、これを燒結す
る方法により得られる。この方法によれば、１〜１００
Ω・ｃｍの範囲の電気比抵抗を示す炭化珪素を得ること
が容易である。このような炭化珪素燒結体の製造方法
は、特開平４ー６５３６１号公報に開示されているが、
本発明においては電気比抵抗が１〜１００Ω・ｃｍと大
きいものを用いることが望ましい。前記特性を有する炭
化珪素燒結体を製造するために、平均粒径が０．１〜１
０μｍの第１の炭化珪素粉末と平均粒径が０．１μｍ以
下の第２の炭化珪素微粉末とを用意する。ここで、第１
の炭化珪素粉末としては、一般に使用されているもので
よく、例えばシリカ還元法、アチソン法等の方法によっ
て製造されたものが用いられ、その結晶相としては非晶
質、α型、β型のいすれであってもよいが、電気比抵抗
値を１〜１００Ω・ｃｍに調整する容易さからはα型の
ものが好適である。

【００１４】第２の炭化珪素粉末としては、非酸化性雰
囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素
と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力
を１気圧未満から０．ｌトルの範囲で制御しつつ気相反
応させることによって得られたのを使用する。結晶相と
しては非晶質、α型、β型のいずれであってもよい。こ
のようにして得られた炭化珪素微粉末は焼結性が非常に
優れているために、上記第１の炭化珪素粉末と混合する
のみで、焼結助剤を添加することなく高純度かつ緻密質
の炭化珪素焼結体を得ることができるようになる。

【００１５】次に、上記第１の炭化珪素粉末と第２の炭
化珪素粉末とを混合して混合物とする。混合比率は所定
の電気比低抗値（１〜１００Ω・ｃｍ）となるよう予め
予備実験で求めておく。その後、上記混合物を所望の形
状に成形し、得られた成形体を１８００〜２４００℃の
温度で焼結して焼結体を得て、これを発熱体とする。焼
結方法、焼結時の雰囲気はいずれも制限されない。

【００１６】本発明のパルスヒーターには、断熱性と電
気絶縁性とを有するベース材２が前記発熱体と組み合わ
されて設けられことが好ましい。このようなベース材は
セラミックスから構成されることが望ましい。セラミッ
クスとして、窒化珪素（Ｓｉ ₃Ｎ₄）、カルシウムシリケ
ート（ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、サイアロン等を例示するこ
とができる。ベース材を発熱体の片面側に接して設けれ
ば、発熱体の昇温時における熱逃げが少なく、小さな投
入電力での急速昇温が可能となり、またパルスヒーター
を取り付けた金属部への熱逃げも少なくなるために、金
属部の熱膨張によるヒーターの位置ずれも少ない。ま
た、発熱体が機械的に補強され、ボンディング時の荷重
により破損することがない。

【００１７】２組以上の電極をパルスヒーターに設ける
ことが好ましい。例えば、図１に示すように電極を２組
（左右の各々に２個ずつの電極）設けると、電流は２本
のリード線３、３に分かれて２個の電極４、４から発熱
体１の左右方向に分散して流れる。従って、電極を２組
以上有する発熱体１の発熱温度分布は、電極が１組の場
合と比較して均一となり、発熱体１の熱衝撃による破損
が起こりにくい。

【００１８】次に、本発明に係わるパルスヒーターを用
いて、半導体チップ実装ボードを製造する方法について
説明する。図４は、パルスヒーターを用いて半導体チッ
プ実装ボードを製造する方法を説明するための側面図で
あり、図５は、得られた半導体チップ実装ボードを示す
断面図である。半導体チップ実装ボードの製造のため
に、発熱体１の上に、図４に示すように、伝熱板９を更
に設けたパルスヒーターを用意する。そして、半導体チ
ップ２０と、該半導体チップ２０と基板２２との間に配
置された導電性ボンディング材２１と、基板２２とを、
前記伝熱板９を介して発熱体１により加熱し加圧して導
電性ボンディング材２１を溶融し、次いで発熱体１を冷
却して導電性ボンディング材２１を固化させることによ
り、半導体チップ２０と基板２２とを導電性ボンディン
グ材２１によりボンディングする方法である。なお、導
電性ボンディング材２１は基板２２の上に予め設けられ
ている。

【００１９】パルスヒーターを用いて半導体チップ実装
ボードを製造する方法を更に詳細に説明する。半導体チ
ップ等の被ボンディング材を吸着するための吸着孔を持
っている伝熱板９を発熱体１の下面に取り付けたパルス
ヒーターを用いることが望ましい。この伝熱板９は発熱
体１の熱を半導体チップ２０、導電性ボンディング材２
１、基板２２に均一に伝熱するためのものである。伝熱
板９は伝熱性、耐熱性、熱衝撃性に優れていることが必
要であって、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の
セラミック製であることが好ましい。

【００２０】伝熱板９が設けられたパルスヒーターを半
導体チップ２０の上に重ねて、パルスヒーターの吸着孔
７ａと、該吸着孔７ａに連通する伝熱板９の吸着孔とを
真空引きして伝熱板９の下面上に半導体チップ２０を吸
着する。次いで、半導体チップ２０を吸着したパルスヒ
ーターは、基板２２の所望位置に移動させられる。

【００２１】基板２２の上にパルスヒーターを重ねた
後、通電して発熱体１を発熱させるとももに、ベース材
２の上面に圧力を加えて、半導体チップ２０、導電性ボ
ンディング材２１、基板２２とを加熱加圧する。この加
熱により、導電性ボンディング材２１は発熱体１からの
熱により数秒で溶融する。この急速加熱のために、半導
体チップ２０、基板２２は過熱から保護される。次い
で、発熱体１を数秒で急速冷却する。この急速冷却によ
って導電性ボンディング材２１は数秒で固化する。この
急速冷却は、半導体チップ２０、基板２２を過熱から保
護すると共に、１サイクルのボンディング処理時間を短
縮するために必要である。発熱体１の急速冷却は、冷却
孔８より発熱体１の表面に高圧の圧縮空気等を吹きかけ
るなどにより行う。次いで、半導体チップ２０等への加
圧を止め、また、吸着孔７ａと伝熱板９の吸着孔とに空
気を供給して半導体チップ２０の真空引きを止め、パル
スヒーターを半導体チップ２０の表面から離脱させる。
その結果、導電性ボンディング材２１を介して半導体チ
ップ２０と基板２２とがボンディングされた半導体チッ
プ実装ボードが得られる。以上によりパルスヒーターは
１サイクルのボンディング処理を終り、次のボンディン
グ処理サイクルに移って、前記のボンディング処理を繰
り返す。

【００２２】導電性ボンディング材２１として、ハンダ
バンプ、金バンプ等が挙げられる。このようなボンディ
ング材は加熱によって溶融し、冷却によって固化する性
質を持っている。

【００２３】発熱体１を急速昇降温させる為に、発熱体
１の熱容量は小さいことが好ましい。従って、発熱体１
のヒーター面の厚みｔ₁（図３に図示）は、約１〜３ｍ
ｍであることが好ましい。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を理解しやすくするために、実
施例について説明する。 ー実施例ー パルスヒーターの発熱体を次のようにして製造した。四
塩化珪素とエチレンとを原料ガスとし、プラズマＣＶＤ
法により、平均粒径０．０１μｍ、ＢＥＴ比表面積９６
ｍ²／ｇの非晶質炭化珪素超微粉末を得た。この炭化珪
素超微粉末５重量％と市販のα型炭化珪素粉末（平均粒
径０．７μｍ、ＢＥＴ比表面積１３ｍ²／ｇ）９５重量
％とを、メタノール中に分散させ、さらにボールミルで
１２時間混合した。次いで、この混合物を乾燥し、成
形、ホットプレス燒結した。燒結条件は、アルゴン雰囲
気下で、燒結温度２２００゜Ｃ、プレス圧４００ｋｇ／
ｍ²で、９０分間であった。燒結体の密度は３．１ｇ／
ｍ³、室温での電気比抵抗は、３Ω・ｃｍ（４端子
法）、室温での熱伝導率が１６５Ｗ／ｍＫ（レーザーフ
ラッシュ法）の燒結体を得た。

【００２５】次に、前記炭化珪素燒結体を加工すること
により、図３に示すように、半導体チップを吸着するた
めの吸着孔（直径２ｍｍ）７ａと、伝熱板９を吸着する
ための吸着孔７ｂと凸状に形成されたヒーター面とを有
し、炭化珪素燒結体から成る発熱体１を得た。該発熱体
１は、図３に示すように、その両側にベース材２に締結
するための袖部を有し、該袖部には締結孔５ａと電極取
付孔４ａが形成されたものであった。なお、吸着孔７
ａ、７ｂはベース材２と発熱体１を貫通している。発熱
体１のヒーター面の大きさは２７×２７ｍｍであり、そ
の厚みｔ₁は１．５ｍｍであった。

【００２６】図１、２に示すように、前記発熱体１の上
面に、断熱性が高く、耐熱衝撃に優れた窒化珪素燒結体
をベース材２として重ねた。なお、ベース材２は発熱体
１を冷却するための冷却孔８を貫通孔として備えたもの
であった。そして、締結孔５ａにＭ３ボルトを挿通し
て、ベース材２と発熱体１とを締結した。また、電極取
付孔４ａにＭ２ボルト４ｂを挿通し、該ボルト４ｂの先
端付近にリード線３の端部をナットにより固定すること
により電極４を形成した。電極４は左右２カ所ずつにニ
ッケル製リード線３を接続することにより２組とした。
その結果、図１、２に示す構造を有する本発明に係わる
パルスヒーターが得られた。

【００２７】該パルスヒーターの性能を、急速昇温試
験、ヒーター面の均熱性試験、急速冷却試験により試験
した。これらの試験は、３相、ＡＣ２００Ｖ、３０アン
ペアを通電できる電源に、端子Ａ、Ｂを接続し、図６に
示すように、ヒーター面に取り付けたＫ熱電対６で測定
した温度で制御して行った。

【００２８】ー急速昇温試験ー 図７に示すように、最大投入電力量を８００〜１６５０
Ｗの範囲で変えた時の、２秒間で常温（２５゜Ｃ）から
昇温できる温度（ヒーター面温度）を測定した。その結
果を図７に示した。その結果、本発明に係わるパルスヒ
ーターの発熱体１は、図７に示すように、１７５０Ｗの
投入電力により、常温から４５０゜Ｃまで２秒で昇温で
きることが判った。則ち、本発明に係わるパルスヒータ
ーは急速昇温性に優れた。

【００２９】ーヒーター面の均熱性試験ー 常温から２秒間で４５０゜Ｃまで昇温できる電流を発熱
体１に流し、４５０゜Ｃに５秒間保持した時のヒーター
面の温度分布をサーモビュアにより詳細に測定した。ま
た、比較のため、白金パラジュームを焼き付けたＡｌＮ
から成る発熱体を有するヒーター（比較例１）とニッケ
ルクロム合金（ＳＵＳ）製の発熱体を有するヒーター
（比較例２）についても同じ条件でヒーター面の温度分
布を測定した。ヒーター面の温度測定位置（ａ）〜
（ｉ）を図６に示し、その測定位置における温度の測定
結果を表１に示す。

【００３０】ー急速冷却試験ー 常温から４５０゜Ｃまで２秒間でヒーター面を昇温し、
４５０゜Ｃに１０秒間保持した。次いで、コンプレッサ
ーにて圧縮した高圧の空気を発熱体１の上面に冷却孔８
から吹き付けた。この時の空気吹き付け量は９０リット
ル／分であった。この降温条件下で、ヒーター面を１０
０゜Ｃまで冷却するに要する冷却時間を測定した。比較
のため、前記比較例１と前記比較例２のヒーターについ
ても、同じ条件で冷却時間を測定した。その結果を表１
に併せ示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１に示すように、ヒーター面の均熱性試
験において、比較例１、２のヒーターは、その面内での
温度むら（ΔＴ）が５４゜Ｃ、９７゜Ｃであった。これ
に対して、実施例のヒーターのヒーター面内の温度むら
（ΔＴ）はわずかに５゜Ｃであった。則ち、実施例のヒ
ーターは、比較例１、２のヒーターと比較して、ヒータ
ー面内の温度分布の均一性に優れた。また、表１に示す
ように、急速冷却試験において、比較例１、２のヒータ
ーは１００゜Ｃまで冷却するのに２４、７８秒を要し
た。これに対して、実施例のヒーターは、わずかに９秒
で４５０゜Ｃから１００゜Ｃまで降温できた。則ち、実
施例のヒーターは、比較例１、２のヒーターと比較し
て、熱応答性が早く、急速降温ができることが判った。

【００３３】前記の実施例のヒーターの発熱体１の下面
に、図４に示すように、吸着孔７ｂを利用して伝熱板９
を吸着により取り付けたパルスヒーターを用意した。こ
のパルスヒーターは、急速昇温性、急速降温性、均熱性
に優れるために、ＬＳＩチップを基板にボンディングす
るために好適に用いることができた。そして、得られた
半導体チップ実装ボードは、ヒーターヘッドの位置ずれ
等によって生じる接続不良を有さなかった。従って、こ
の半導体チップボンディング用パルスヒーターはコスト
パフォーマンスに優れた。また、長期使用によっても、
発熱体は破損しなかった。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるパ
ルスヒーター及び半導体チップ実装ボードの製法によれ
ば次の効果が得られる。 （１）炭化珪素より成る発熱体は、熱伝導率が非常に良
いので熱応答性が早く、短時間に熱的平衡に達する。そ
のため、ヒーターの均熱性が非常に良くなり、ボンディ
ングによる接続不良が大幅に低減される。結果的にコス
トパフォーマンスに非常に優れる。また、容易に急速昇
降温が可能なので、半導体チップを基板にボンディング
させるためのヒーターとして好適である。 （２）発熱体が熱衝撃により破損することがないので、
耐久性に優れたヒーターである。 （３）炭化珪素の比抵抗を適切な値とすることができる
ので、金属ヒーターのように大電流が流れない。従っ
て、リード線に電磁誘導からくる応力が働き、ヒーター
ヘッドの位置が狂う心配がないので、製品の歩留まりが
大幅に向上する。また、特殊な電源を必要としないの
で、装置としてのコストが低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係わるパルスヒーターの一実施形態
例を説明する平面図である。

【図２】 図１に示すパルスヒーターを階段状に切断し
た断面図である。

【図３】 図１に示すパルスヒーターの発熱体を説明す
る斜視図である。

【図４】 本発明に係わる半導体チップ実装ボードの製
法を説明するための側面図である。

【図５】 半導体チップ実装ボードの断面図である。

【図６】 発熱体表面の温度測定位置を示す図である。

【図７】 最大投入電力と２秒後のヒーター温度との関
係を示すグラフである。

【符号の説明】 １・・発熱体、２・・ベース材、３・・リード線、４・
・電極、４ａ・・電極取付孔、４ｂ・・電極取付ボル
ト、５ａ・・締結孔、５ｂ・・締結ボルト、５ｃ・・締
結ナット、６・・熱電対、７ａ・・半導体チップ吸着用
吸着孔、７ｂ・・伝熱板吸着用吸着孔、８・・冷却孔、
９・・伝熱板、１０・・パルスヒーター、２０・・半導
体チップ、２１・・導電性ボンディング材、２２・・基
板、３０・・受圧板

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−60139（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−80635（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−93041（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/60 H05B 3/14

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発熱体と、該発熱体に通電して発熱体を
   昇温させるための電極と、発熱体を降温させるための冷
   却孔と、発熱体からの熱を断熱するためのベース材とを
   備え、前記発熱体が炭化珪素から構成されているととも
   に、発熱体が昇温と降温とを繰り返すことを特徴とする
   パルスヒーター。
2. 【請求項２】 燒結体密度が２．５ｇ／ｃｍ³以上で室
   温での電気比抵抗が１〜１００Ω・ｃｍである炭化珪素
   燒結体から構成されている発熱体を備えていることを特
   徴とするパルスヒーター。
3. 【請求項３】 発熱体が、平均粒径０．１〜１０μｍの
   第１の炭化珪素粉末と０．１μｍ以下の第２の炭化珪素
   粉末とを混合し、これを燒結して得た炭化珪素燒結体を
   用いて構成されていることを特徴とする請求項１又は２
   記載のパルスヒーター。
4. 【請求項４】 請求項１記載のパルスヒーターの発熱体
   の上に伝熱板を設け、半導体チップと、該半導体チップ
   と基板との間に配置された導電性ボンディング材と、基
   板とを前記伝熱板を介して発熱体により加熱し加圧する
   ことにより、半導体チップと基板とを導電性ボンディン
   グ材によりボンディングすることを特徴とする半導体チ
   ップ実装ボードの製法。