JP3249218B2 - How to detect resist scum - Google Patents
How to detect resist scumInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造等
で使用されるフォトレジストのスカムを検査するレジス
トスカムの検出方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting a resist scum for inspecting a scum of a photoresist used in manufacturing a semiconductor device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置はその集積度が高まる
につれて微細化がますます進んでいる。この微細化で最
も重要な位置を占めている技術の一つに露光技術（フォ
トリソグラフィー技術）がある。中でもフォトレジスト
は微細なパターンを形成する上で非常に重要である。以
下、フォトレジストを用いたパターン形成について図３
を参照しながら説明する。フォトレジストとしては一般
的に用いられているポジ型フォトレジストを例にとる。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been increasingly miniaturized as the degree of integration has increased. One of the most important technologies in miniaturization is an exposure technology (photolithography technology). Above all, photoresist is very important in forming a fine pattern. FIG. 3 shows a pattern formation using a photoresist.
This will be described with reference to FIG. As the photoresist, a commonly used positive photoresist is taken as an example.
【０００３】図３（ａ）はパターンを形成しようとする
基板たとえばシリコン基板１にポジ型フォトレジスト２
を１μｍ塗布した状態を示す断面図である。必要に応じ
てレジスト塗布前に密着性を強化するためにＨＭＤＳ処
理を行う。次に、溶剤を揮発させるために９０〜１００
℃でベークを行う。図３（ｂ）は露光装置で露光を行っ
た状態を示す断面図である。ポジ型フォトレジストでは
光が照射された領域は現像により溶解する。図３（ｃ）
は現像後の状態を示す断面図である。この後、エッチン
グやイオン注入といった処理が行われる。FIG. 3A shows a positive photoresist 2 on a substrate on which a pattern is to be formed, for example, a silicon substrate 1.
1 is a cross-sectional view showing a state where 1 μm is applied. If necessary, an HMDS process is performed before the application of the resist in order to enhance the adhesion. Next, 90 to 100 is used to evaporate the solvent.
Bake at ℃. FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state where exposure has been performed by the exposure apparatus. In a positive photoresist, the area irradiated with light is dissolved by development. FIG. 3 (c)
FIG. 3 is a sectional view showing a state after development. Thereafter, processes such as etching and ion implantation are performed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら最新のフ
ォトレジストであっても現像後にレジスタパターンの裾
部分などにレジストがパーティクルあるいは薄膜状に残
ることがある。これは一般的にレジストのスカムと呼ば
れている。このスカムが発生すると以下のような問題が
起こる。まず、次工程のドライエッチングの際にスカム
によりパターンのエッチングが行われず、パターンがシ
ョートする場合がある。また、次工程がイオン注入工程
であれば、所望の位置に注入が行われない場合がある。
特に、注入時の加速エネルギーが２０Ｋｅｖといった低
い場合に注入が阻止され、デバイス特性に不具合を生じ
る。However, even with the latest photoresist, the resist may remain in the form of particles or thin films at the bottom of the register pattern after development. This is generally called resist scum. When this scum occurs, the following problems occur. First, the pattern may not be etched by scum at the time of dry etching in the next step, and the pattern may be short-circuited. If the next step is an ion implantation step, implantation may not be performed at a desired position.
In particular, when the acceleration energy at the time of implantation is as low as 20 Kev, the implantation is prevented, and a problem occurs in device characteristics.
【０００５】従来のレジストスカムの検出方法として
は、図３（ｃ）に示すパターン形成後のウェハを目視検
査することが行われている。ところがこの方法では、ス
カムが３０ｎｍ程度と非常に薄い場合は検出できない。
３０ｎｍ以下のスカムはほとんど透明であるからであ
る。また、目視検査では定量的な評価が不可能である。
このため、レジストの違いによるスカムの発生割合の違
いなどはまったく知ることができない。As a conventional method for detecting a resist scum, a visual inspection is performed on a wafer after a pattern is formed as shown in FIG. However, this method cannot detect when the scum is as thin as about 30 nm.
This is because scum of 30 nm or less is almost transparent. Further, quantitative evaluation cannot be performed by visual inspection.
For this reason, the difference in the rate of scum generation due to the difference in resist cannot be known at all.
【０００６】そこでこの発明の目的は、３０ｎｍ程度の
薄膜状のスカムを検出することができるレジストスカム
の検出方法を提供するものである。An object of the present invention is to provide a method for detecting a resist scum capable of detecting a thin film scum of about 30 nm.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１のレジストスカ
ムの検出方法は、半導体基板上にフォトレジストを塗布
し、前記基板を露光，現像しパターンを形成する際に、
前記基板に対して前記レジストの現像後に生じるレジス
トスカムを検出するレジストスカムの検出方法であっ
て、レジストパターンを形成する工程と、前記レジスト
パターン形成工程で発生するレジストスカムに対する飛
程が２０ｎｍより小さい条件でイオン注入を行う工程
と、前記レジストスカムによりイオン注入が行われなか
った部分を検出する工程とを含むものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a resist scum, comprising: applying a photoresist on a semiconductor substrate; exposing and developing the substrate to form a pattern;
A resist scum detection method for detecting resist scum generated after development of the resist on the substrate, wherein a step of forming a resist pattern and a range for the resist scum generated in the resist pattern forming step are smaller than 20 nm. The method includes a step of performing ion implantation under conditions and a step of detecting a portion where ion implantation has not been performed by the resist scum.
【０００８】請求項２のレジストスカムの検出方法は、
請求項１記載のレジストスカムの検出方法において、前
記イオン注入が行われなかった部分を検出する工程は、
前記イオン注入された基板を酸化する工程と、前記イオ
ン注入された部分と前記レジストスカムにより前記イオ
ン注入が行われなかった部分とにおける酸化膜厚に対す
る干渉色の違いを検出する工程とを含むものである。 請
求項３のレジストスカムの検出方法は、請求項１記載の
レジストスカムの検出方法において、前記イオン注入が
行われなかった部分を検出する工程は、前記イオン注入
された不純物を活性化し拡散層を形成する工程と、前記
イオン注入された部分と前記レジストスカムにより前記
イオン注入が行われなかった部分とにおける前記拡散層
の電気抵抗値の違いを検出する工程とを含むものであ
る。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a resist scum.
The method for detecting a resist scum according to claim 1, wherein
The step of detecting a portion where the ion implantation has not been performed includes:
Oxidizing the ion-implanted substrate;
The ion-implanted part and the resist scum
Of the oxide film thickness in the area where no implantation was performed
And detecting a difference in interference color. Contract
The method for detecting a resist scum according to claim 3 is the method according to claim 1.
In the method for detecting a resist scum, the ion implantation may include:
The step of detecting a portion that has not been performed is performed by the ion implantation.
Activating the doped impurities to form a diffusion layer;
The ion-implanted part and the resist scum
The diffusion layer in a portion where ion implantation has not been performed.
Detecting the difference in the electrical resistance value of the
You.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１のレジストスカムの検出方法によれ
ば、３０ｎｍ以下といった目視では検出不可能なレジス
トスカムを容易に検出することが可能となる。請求項２
のレジストスカムの検出方法によれば、レジストスカム
を酸化膜厚に対する干渉色の違いとして検出できる。 請
求項３のレジストスカムの検出方法によれば、レジスト
スカムを拡散層の電気抵抗値の違いとして検出できる。
また、レジストスカムを定量的に検出することも可能と
なる。According to the method for detecting a resist scum according to the first aspect , it is possible to easily detect a resist scum which is not visually detectable, such as 30 nm or less. Claim 2
According to the method for detecting the resist scum,
Can be detected as a difference in interference color with respect to the oxide film thickness. Contract
According to the resist scum detection method of claim 3, the resist scum can be detected as a difference in electric resistance value of the diffusion layer .
Further, the resist scum can be quantitatively detected.
【００１０】[0010]
【実施例】第１の実施例 この発明の第１の実施例のレジストスカムの検出方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図１は第１の実
施例におけるレジストスカムの検出方法を示すものであ
る。図１（ａ）は、半導体基板として例えばｎ型シリコ
ン基板１上に、フォトレジストとして例えばｇ線用ポジ
型フォトレジスト２を塗布した状態を示している。図１
（ｂ）はフォトリソグラフィー技術によりフォトレジス
ト２を開口した状態の断面図である。露光にはＮＡ＝
０．５のｇ線ステッパを用いる。図１（ｂ）において黒
く塗りつぶした部分はレジストスカム３である。レジス
トスカム３の膜厚は一般的に２０〜３０ｎｍである。な
お、本実施例では開口部の大きさは２μｍ×１０μｍと
した。これはレジストスカムが最も発生しやすいパター
ンである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A method for detecting a resist scum according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a method for detecting a resist scum in the first embodiment. FIG. 1A shows a state in which, for example, a positive photoresist 2 for g-line is applied as a photoresist on an n-type silicon substrate 1 as a semiconductor substrate. FIG.
FIG. 2B is a cross-sectional view showing a state where the photoresist 2 is opened by the photolithography technique. NA =
Use a 0.5 g-line stepper. In FIG. 1B, a portion painted black is a resist scum 3. The thickness of the resist scum 3 is generally 20 to 30 nm. In this embodiment, the size of the opening is 2 μm × 10 μm. This is a pattern in which resist scum is most likely to occur.
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すようにイオン注入
を行う。注入種は例えばＡｓであり、加速エネルギーは
２０ＫｅＶである。注入量は５×１０15ｃｍ-2である。
この時、注入されたイオンのフォトレジスト中での飛程
は約２０ｎｍである。よって、レジストスカム３が存在
するところではシリコン基板１にＡｓイオン４が注入さ
れない。注入後の状態を図１（ｄ）に示す。図１（ｄ）
でレジストスカムにより注入が一部阻止された部分５
は、正常に注入された部分６より注入領域が小さい。Next, ion implantation is performed as shown in FIG. The implanted species is, for example, As, and the acceleration energy is 20 KeV. The injection amount is 5 × 10 15 cm −2 .
At this time, the range of the implanted ions in the photoresist is about 20 nm. Therefore, As ions 4 are not implanted into the silicon substrate 1 where the resist scum 3 exists. The state after the injection is shown in FIG. Fig. 1 (d)
5 where injection was partially blocked by resist scum
Has a smaller implantation area than the normally implanted portion 6.
【００１２】この後、酸素プラズマによるアッシングで
フォトレジスト２を剥離する。そして洗浄を経た後、シ
リコン基板１の酸化を行う。酸化は１０００℃のウェッ
ト酸化を３０分行う。このとき、レジスト２で保護され
た部分およびスカム３によりＡｓイオン４が注入されて
いない領域の酸化膜厚は２００ｎｍである。一方、Ａｓ
イオン４が注入されている領域５，６では増速酸化と呼
ばれる現象が起こる。これは不純物注入が行われたシリ
コン基板は酸化速度が増加する現象である。よってＡｓ
イオン４が注入された領域５，６の酸化膜厚は注入され
ていない領域より厚くなる。本実施例の場合、２４０ｎ
ｍである。この状態を図１（ｅ）に示す。Thereafter, the photoresist 2 is removed by ashing using oxygen plasma. After cleaning, the silicon substrate 1 is oxidized. The oxidation is performed at 1000 ° C. for 30 minutes. At this time, the oxide film thickness of the portion protected by the resist 2 and the region where the As ions 4 are not implanted by the scum 3 is 200 nm. On the other hand, As
In the regions 5 and 6 into which the ions 4 are implanted, a phenomenon called accelerated oxidation occurs. This is a phenomenon in which the oxidation rate of a silicon substrate into which impurities have been implanted increases. So As
The oxide film thickness of the regions 5 and 6 into which the ions 4 have been implanted is thicker than the regions where the ions 4 have not been implanted. In the case of this embodiment, 240n
m. This state is shown in FIG.
【００１３】このように、酸化膜厚に違いがあれば干渉
色に違いが発生する。イオン注入が行われ、増速酸化が
起こった部分の２４０ｎｍのシリコン酸化膜７，８の干
渉色は白色光の下では赤色である。一方増速酸化が起こ
っていない部分の２００ｎｍのシリコン酸化膜９の干渉
色は黄色である。よって、Ａｓイオン４が注入され増速
酸化が起こった領域と、レジスト２およびスカム３によ
り注入されていない領域とを目視で区別することができ
る。As described above, if there is a difference in the oxide film thickness, a difference occurs in the interference color. The interference color of the 240 nm silicon oxide films 7 and 8 in the portion where the ion implantation has been performed and the accelerated oxidation has occurred is red under white light. On the other hand, the interference color of the 200 nm silicon oxide film 9 in the portion where the accelerated oxidation has not occurred is yellow. Therefore, it is possible to visually distinguish a region where As ions 4 have been implanted and accelerated oxidation has occurred from a region where the ions have not been implanted by the resist 2 and the scum 3.
【００１４】図１（ｆ）は酸化後のウェハを上からみた
図である。図１（ｆ）においてレジストスカムが無かっ
た部分７は干渉色は赤色である。パターン形状はレジス
トパターンと同じ長方形を保っている。一方スカムが存
在した領域８ではパターン形状が他と異なっている。よ
ってウェハを目視検査し、パターン形状が変形している
部分を検出することでレジストスカムの発生を知ること
ができる。特に本発明では従来検出が不可能であった、
３０ｎｍ以下の薄膜状のスカムを検出することができ
る。FIG. 1F is a view of the oxidized wafer as viewed from above. In FIG. 1F, the interference color of the portion 7 where there is no resist scum is red. The pattern shape keeps the same rectangle as the resist pattern. On the other hand, in the area 8 where the scum exists, the pattern shape is different from the others. Therefore, the occurrence of the resist scum can be known by visually inspecting the wafer and detecting the portion where the pattern shape is deformed. In particular, in the present invention, detection was conventionally impossible.
A thin film scum of 30 nm or less can be detected.
【００１５】第２の実施例 この発明の第２の実施例について図面を参照しながら説
明する。図２は第２の実施例におけるレジストスカムの
検出方法を示すものである。図２（ａ）は、開口パター
ンを形成した状態の断面図である。半導体基板として、
例えば高抵抗のｉ型シリコン基板１を用いる。フォトレ
ジストとして、例えば１μｍのｉ線用ポジ型フォトレジ
スト２を用いる。露光はＮＡ＝０．５のｉ線ステッパを
用いる。図２（ａ）において黒く塗りつぶした部分はレ
ジストスカム３が発生していることを示している。レジ
ストスカム３の膜厚は一般的に２０〜３０ｎｍである。Second Embodiment A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows a method for detecting registration scum in the second embodiment. FIG. 2A is a cross-sectional view showing a state where an opening pattern is formed. As a semiconductor substrate,
For example, a high-resistance i-type silicon substrate 1 is used. As the photoresist, for example, a positive photoresist 2 for i-line of 1 μm is used. The exposure uses an i-line stepper with NA = 0.5. In FIG. 2A, a black portion indicates that the resist scum 3 is generated. The thickness of the resist scum 3 is generally 20 to 30 nm.
【００１６】図２（ｂ）は開口パターンを上からみた図
である。パターンは幅が５μｍで長さが１００μｍの配
線パターンとなっている。図２（ｃ）はイオン注入を行
った後の状態を示す断面図である。注入種はＡｓであ
る。加速エネルギーは２０ＫｅＶ、注入量は５×１０15
ｃｍ-2である。この時、注入されたイオンのフォトレジ
スト中での飛程は約２０ｎｍである。よってレジストス
カム３が存在するところでは、シリコン基板１にＡｓイ
オンが注入されない。FIG. 2B is a view of the opening pattern as viewed from above. The pattern is a wiring pattern having a width of 5 μm and a length of 100 μm. FIG. 2C is a cross-sectional view showing a state after ion implantation. The implanted species is As. The acceleration energy is 20 KeV and the injection amount is 5 × 10 15
cm -2 . At this time, the range of the implanted ions in the photoresist is about 20 nm. Therefore, As ions are not implanted into the silicon substrate 1 where the resist scum 3 exists.
【００１７】この後、フォトレジストの剥離、洗浄を経
た後、熱処理を行い注入された不純物を活性化する。図
２（ｄ）は熱処理を行った後の状態を示す断面図であ
る。この熱処理により導伝性の拡散層が形成され、拡散
層による配線パターンが形成される。このとき、パター
ン形成時にレジストスカムが存在した部分は注入が行わ
れていない。このため熱処理を行っても拡散層は形成さ
れない。あるいは形成されていてもその範囲が他と比べ
て狭くなる。つまりレジストスカムの存在した配線パタ
ーンはレジストスカムの部分で拡散層が途絶えるか、あ
るいは狭くなっている。この様子を上からみた図を図２
（ｅ）に示す。Thereafter, after the photoresist is removed and washed, a heat treatment is performed to activate the implanted impurities. FIG. 2D is a cross-sectional view showing a state after the heat treatment. By this heat treatment, a conductive diffusion layer is formed, and a wiring pattern is formed by the diffusion layer. At this time, the portion where the resist scum was present at the time of pattern formation was not implanted. Therefore, no diffusion layer is formed even if heat treatment is performed. Alternatively, even if it is formed, its range becomes narrower than others. That is, in the wiring pattern in which the resist scum exists, the diffusion layer is interrupted or narrowed at the resist scum. Figure 2 shows this situation from above.
(E).
【００１８】次に、この拡散層による配線パターンの抵
抗値を測定する。測定は測定用のプローブを配線パター
ンの両端に接触させ、その両端に５Ｖの電圧を印加して
行う。このときレジストパターンが正常に形成され、拡
散層による配線パターンが正常に形成されている配線パ
ターンでのシート抵抗値は約３０Ω／□である。一方、
レジストスカムにより拡散層が途絶えている配線パター
ンのシート抵抗値は約２０００Ω／□である。シート抵
抗値がこのように異なれば両者を区別することは容易で
ある。よって電気抵抗値の高い配線パターンを検出する
ことで、パターン形成時のレジストスカムを検出するこ
とができる。また、このような配線パターンをウェハ全
面に形成し、抵抗値を測定することでレジストスカムの
定量的な評価が可能となる。Next, the resistance value of the wiring pattern by the diffusion layer is measured. The measurement is performed by bringing a probe for measurement into contact with both ends of the wiring pattern and applying a voltage of 5 V to both ends. At this time, the sheet resistance value of the wiring pattern in which the resist pattern is normally formed and the wiring pattern of the diffusion layer is normally formed is about 30 Ω / □. on the other hand,
The sheet resistance of the wiring pattern in which the diffusion layer is interrupted by the resist scum is about 2000 Ω / □. If the sheet resistance values are different as described above, it is easy to distinguish between the two. Therefore, by detecting a wiring pattern having a high electric resistance value, a resist scum at the time of pattern formation can be detected. Further, by forming such a wiring pattern on the entire surface of the wafer and measuring the resistance value, it is possible to quantitatively evaluate the resist scum.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上のようにこの発明は、レジストパタ
ーンを形成する工程と、レジストパターン形成工程で発
生するレジストスカムに対する飛程が２０ｎｍより小さ
い条件でイオン注入を行う工程と、レジストスカムによ
りイオン注入が行われなかった部分を検出する工程とを
含むので、レジストスカムによりイオン注入が阻止され
た部分と正常に注入された部分とを作り出し、現像直後
では検出困難なレジストスカムを容易に検出することが
できる。請求項２では、イオン注入された部分とされて
いない部分との酸化速度の差を利用し、異なる酸化膜厚
を形成することにより、干渉色の違いによってレジスト
スカムを検出できる。請求項３では、同様のイオン注入
で拡散層による配線パターンを形成し、レジストスカム
により注入が行われなかった配線パターンでは抵抗値が
高くなることを利用して、レジストスカムを検出でき
る。また配線パターンをウェハ全面に形成することでレ
ジストスカムの発生を定量的に評価することが可能とな
る。As described above, the present invention provides a process for forming a resist pattern, a process for performing ion implantation under the condition that a range for a resist scum generated in the resist pattern forming process is smaller than 20 nm, Detecting the portion where the implantation has not been performed, so that the portion where the ion implantation is prevented by the resist scum and the portion where the ion implantation is normally performed are created, and the resist scum which is difficult to detect immediately after development is easily detected. be able to. According to the second aspect, a resist scum can be detected based on a difference in interference color by forming a different oxide film thickness by utilizing a difference in oxidation rate between a portion where ions are implanted and a portion where ions are not implanted. According to the third aspect of the present invention, a wiring pattern formed of a diffusion layer is formed by the same ion implantation, and the resist scum can be detected by utilizing the fact that the resistance value of the wiring pattern not implanted by the resist scum is increased. Further, by forming the wiring pattern on the entire surface of the wafer, it is possible to quantitatively evaluate the occurrence of resist scum.
【００２０】また、同様のイオン注入で拡散層による配
線パターンを形成し、レジストスカムにより注入が行わ
れなかった配線パターンでは抵抗値が高くなることを利
用して、現像直後では検出困難なレジストスカムを容易
に検出することができる。また配線パターンをウェハ全
面に形成することでレジストスカムの発生を定量的に評
価することが可能となる。A wiring pattern formed of a diffusion layer is formed by the same ion implantation, and the resistance scum is difficult to detect immediately after development by utilizing the fact that the resistance value becomes high in the wiring pattern not implanted by the resist scum. Can be easily detected. Further, by forming the wiring pattern on the entire surface of the wafer, it is possible to quantitatively evaluate the occurrence of resist scum.
【図１】第１の実施例におけるレジストスカムの検出方
法を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for detecting a resist scum in a first embodiment.
【図２】第２の実施例におけるレジストスカムの検出方
法を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method for detecting a resist scum in a second embodiment.
【図３】従来のフォトリソグラフィーによるパターン形
成方法を示す図である。FIG. 3 is a view showing a conventional pattern forming method by photolithography.
１ シリコン基板 ２ フォトレジスト ３ レジストスカム ４ Ａｓイオン ５ スカムにより一部分だけ注入された領域 ６ 正常に注入された領域 ７，８，９ シリコン酸化膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 silicon substrate 2 photoresist 3 resist scum 4 As ion 5 region implanted only partially by scum 6 region implanted normally 7, 8, 9 silicon oxide film
Claims (3)
し、前記基板を露光，現像しパターンを形成する際に、
前記基板に対して前記レジストの現像後に生じるレジス
トスカムを検出するレジストスカムの検出方法であっ
て、レジストパターンを形成する工程と、前記レジスト
パターン形成工程で発生するレジストスカムに対する飛
程が２０ｎｍより小さい条件でイオン注入を行う工程
と、前記レジストスカムによりイオン注入が行われなか
った部分を検出する工程とを含むことを特徴とするレジ
ストスカムの検出方法。When a photoresist is applied on a semiconductor substrate and the substrate is exposed and developed to form a pattern,
A resist scum detection method for detecting resist scum generated after development of the resist on the substrate, wherein a step of forming a resist pattern and a range for the resist scum generated in the resist pattern forming step are smaller than 20 nm. A method for detecting a resist scum, comprising: a step of performing ion implantation under conditions; and a step of detecting a portion where the ion implantation has not been performed by the resist scum.
検出する工程は、前記イオン注入された基板を酸化する
工程と、前記イオン注入された部分と前記レジストスカ
ムにより前記イオン注入が行われなかった部分とにおけ
る酸化膜厚に対する干渉色の違いを検出する工程とを含
む請求項１記載のレジストスカムの検出方法。2. The step of detecting a portion where the ion implantation is not performed includes a step of oxidizing the ion-implanted substrate and a step of not performing the ion implantation by the ion-implanted portion and the resist scum. Detecting the difference in the interference color with respect to the oxide film thickness in the portion where the resist scum has changed.
検出する工程は、前記イオン注入された不純物を活性化
し拡散層を形成する工程と、前記イオン注入された部分
と前記レジストスカムにより前記イオン注入が行われな
かった部分とにおける前記拡散層の電気抵抗値の違いを
検出する工程とを含む請求項１記載のレジストスカムの
検出方法。3. The step of detecting a portion where the ion implantation has not been performed includes a step of activating the ion-implanted impurity to form a diffusion layer, and a step of forming the diffusion layer by the ion-implanted portion and the resist scum. Detecting a difference in electric resistance value of the diffusion layer between a portion where the implantation has not been performed and a portion where the implantation has not been performed.
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