JP3248353B2 - 反射防止膜の設計方法 - Google Patents
反射防止膜の設計方法Info
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- sio
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
工程で行われるフォトリソグラフィの解像度を向上させ
るために用いられる反射防止膜の設計方法に関し、特に
光学定数の異なる複数の材料層が同一基板上に共存する
場合に、いずれの材料層上においても良好な解像度を達
成する方法に関する。
工程で行われるフォトリソグラフィの解像度を向上させ
るために用いられる反射防止膜の設計方法に関し、特に
光学定数の異なる複数の材料層が同一基板上に共存する
場合に、いずれの材料層上においても良好な解像度を達
成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が加速度的に進行
するに伴い、その最小加工寸法も急速に縮小されてい
る。たとえば、量産ラインに移行されている現世代の１
６ＭＤＲＡＭの最小加工寸法は約０．５μｍであるが、
次世代の６４ＭＤＲＡＭでは０．３５μｍ以下、次々世
代の２５６ＭＤＲＡＭでは０．２５μｍ以下に縮小され
るとみられている。
するに伴い、その最小加工寸法も急速に縮小されてい
る。たとえば、量産ラインに移行されている現世代の１
６ＭＤＲＡＭの最小加工寸法は約０．５μｍであるが、
次世代の６４ＭＤＲＡＭでは０．３５μｍ以下、次々世
代の２５６ＭＤＲＡＭでは０．２５μｍ以下に縮小され
るとみられている。
【０００３】この微細化度は、マスク・パターンを形成
するフォトリソグラフィ工程の解像度に大きく依存して
いる。０．３５μｍ〜０．２５μｍ（ディープ・サブミ
クロン）クラスの加工では、ＫｒＦエキシマ・レーザ光
（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光源が必要となる。しか
し、エキシマ・レーザ光のような単色光を用いるプロセ
スでは、ハレーションや定在波効果によるコントラスト
や解像度の低下が顕著に現れる。
するフォトリソグラフィ工程の解像度に大きく依存して
いる。０．３５μｍ〜０．２５μｍ（ディープ・サブミ
クロン）クラスの加工では、ＫｒＦエキシマ・レーザ光
（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光源が必要となる。しか
し、エキシマ・レーザ光のような単色光を用いるプロセ
スでは、ハレーションや定在波効果によるコントラスト
や解像度の低下が顕著に現れる。
【０００４】ハレーションとは、下地材料膜の段差部分
からの反射光により特定の領域の光強度が高くなる現象
であり、実害としてはポジ型フォトレジスト・パターン
におけるくびれの発生が挙げられる。一方、定在波効果
とは、フォトレジスト膜内あるいは下地膜との間で生ず
る多重反射によりフォトレジスト膜の膜厚方向に光強度
分布が生ずる現象であり、実害としてはレジスト・パタ
ーンの側壁面の波状の変形や、基板内におけるレジスト
感度のバラつき等が挙げられる。
からの反射光により特定の領域の光強度が高くなる現象
であり、実害としてはポジ型フォトレジスト・パターン
におけるくびれの発生が挙げられる。一方、定在波効果
とは、フォトレジスト膜内あるいは下地膜との間で生ず
る多重反射によりフォトレジスト膜の膜厚方向に光強度
分布が生ずる現象であり、実害としてはレジスト・パタ
ーンの側壁面の波状の変形や、基板内におけるレジスト
感度のバラつき等が挙げられる。
【０００５】かかるハレーションや定在波効果を低減さ
せるためには、下地材料膜からの反射光を弱めれば良
い。このため、光反射率の高い材料層とフォトレジスト
膜との間に反射防止膜を設けることが今後は必須になる
とみられている。近年、この反射防止膜の構成材料とし
てＳｉＯx Ｎy （酸窒化シリコン）系材料が提案されて
いる。ＳｉＯx Ｎy 系材料は、ＣＶＤによる成膜時のガ
ス組成の制御により組成を細かく調整することができ、
これに伴って光学定数（ｎ，ｋ）（ただし、ｎは複素屈
折率の実数部、ｋは同じく虚数部係数を表す。）を広範
囲に変化させることができるため、あらゆる露光波長、
レジスト材料、下地材料層に対して最適化された反射防
止膜を提供できるというメリットを有している。特に、
エキシマ・レーザ波長域のような遠紫外領域で化学増幅
系レジスト材料を用いるプロセスにおいて、効果的な反
射防止効果を示す膜は極めて少なく、この意味において
もＳｉＯx Ｎy には大きな期待が寄せられている。
せるためには、下地材料膜からの反射光を弱めれば良
い。このため、光反射率の高い材料層とフォトレジスト
膜との間に反射防止膜を設けることが今後は必須になる
とみられている。近年、この反射防止膜の構成材料とし
てＳｉＯx Ｎy （酸窒化シリコン）系材料が提案されて
いる。ＳｉＯx Ｎy 系材料は、ＣＶＤによる成膜時のガ
ス組成の制御により組成を細かく調整することができ、
これに伴って光学定数（ｎ，ｋ）（ただし、ｎは複素屈
折率の実数部、ｋは同じく虚数部係数を表す。）を広範
囲に変化させることができるため、あらゆる露光波長、
レジスト材料、下地材料層に対して最適化された反射防
止膜を提供できるというメリットを有している。特に、
エキシマ・レーザ波長域のような遠紫外領域で化学増幅
系レジスト材料を用いるプロセスにおいて、効果的な反
射防止効果を示す膜は極めて少なく、この意味において
もＳｉＯx Ｎy には大きな期待が寄せられている。
【０００６】上記ＳｉＯx Ｎy 系材料をある特定の材料
層の上で反射防止膜として用いる場合の光学定数（ｎ，
ｋ）の最適化方法については、本願出願人が先にＳＰＩ
Ｅ第１９２７巻、オプティカル／レーザ・マイクロリソ
グラフィＶＩ (Optical/Laser Microlithography VI(１
９９３) , ｐ．２６３〜２７２において記載している。
この方法では、（１）まず、任意のレジスト膜厚と任意
の反射防止膜の膜厚ｄの下で該反射防止膜の光学定数
（ｎ，ｋ）の変化に対するレジスト膜の吸収光量の変化
の軌跡を求め、（２）次に、他の複数のレジスト膜厚に
ついても同様に軌跡を求め、（３）これら各軌跡の共通
領域に存在する光学定数（ｎ，ｋ）を求める。他の異な
る反射防止膜の膜厚ｄについても上述（１）〜（３）の
プロセスを順次行うと、反射防止膜の膜厚に応じて反射
防止膜の最適光学条件（ｎ，ｋ，ｄ）を求めることがで
きる。
層の上で反射防止膜として用いる場合の光学定数（ｎ，
ｋ）の最適化方法については、本願出願人が先にＳＰＩ
Ｅ第１９２７巻、オプティカル／レーザ・マイクロリソ
グラフィＶＩ (Optical/Laser Microlithography VI(１
９９３) , ｐ．２６３〜２７２において記載している。
この方法では、（１）まず、任意のレジスト膜厚と任意
の反射防止膜の膜厚ｄの下で該反射防止膜の光学定数
（ｎ，ｋ）の変化に対するレジスト膜の吸収光量の変化
の軌跡を求め、（２）次に、他の複数のレジスト膜厚に
ついても同様に軌跡を求め、（３）これら各軌跡の共通
領域に存在する光学定数（ｎ，ｋ）を求める。他の異な
る反射防止膜の膜厚ｄについても上述（１）〜（３）の
プロセスを順次行うと、反射防止膜の膜厚に応じて反射
防止膜の最適光学条件（ｎ，ｋ，ｄ）を求めることがで
きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の方法
は、ある特定の単一種類の下地材料層の上で光学条件
（ｎ，ｋ，ｄ）を最適化するものである。しかし、実際
の半導体デバイスの製造プロセス中には、基板上に光学
定数の異なる複数の材料層が露出しており、これらのい
ずれの材料層の上でもレジスト・パターンを形成しなけ
ればならない場合がある。このような場合に、上述の方
法で最適化された反射防止膜を使用しても、ある特定の
材料層の上でしかハレーションや定在波効果が抑制でき
ない虞れがある。この問題を、ＭＯＳ−ＦＥＴのソース
／ドレイン領域（Ｓｉ基板）とゲート電極（高融点金属
シリサイド層）の両方へ臨むコンタクト・ホール・パタ
ーンを形成するプロセスを例として、図１および図１０
を参照しながら説明する。
は、ある特定の単一種類の下地材料層の上で光学条件
（ｎ，ｋ，ｄ）を最適化するものである。しかし、実際
の半導体デバイスの製造プロセス中には、基板上に光学
定数の異なる複数の材料層が露出しており、これらのい
ずれの材料層の上でもレジスト・パターンを形成しなけ
ればならない場合がある。このような場合に、上述の方
法で最適化された反射防止膜を使用しても、ある特定の
材料層の上でしかハレーションや定在波効果が抑制でき
ない虞れがある。この問題を、ＭＯＳ−ＦＥＴのソース
／ドレイン領域（Ｓｉ基板）とゲート電極（高融点金属
シリサイド層）の両方へ臨むコンタクト・ホール・パタ
ーンを形成するプロセスを例として、図１および図１０
を参照しながら説明する。
【０００８】図１は、Ｓｉ基板１上でＳｉＯx からなる
ゲート絶縁膜２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極
３とをパターニングし、その全面をＳｉＯx Ｎy 系膜か
らなる薄い反射防止膜４で被覆し、この上をコンフォー
マルなＳｉＯx 層間絶縁膜５で被覆し、さらにその上を
フォトレジスト膜６で平坦化した状態を示している。い
ま、フォトレジスト膜６の開口予定領域Ｉ，IIにおい
て、ゲート電極３とＳｉ基板１の双方に臨むコンタクト
・ホール・パターンに倣った開口部をフォトリソグラフ
ィにより形成するプロセスを考える。従来の方法では、
反射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄは、ゲー
ト電極３上かＳｉ基板１上のいずれか一方においてのみ
最適化されている。したがって、たとえばゲート電極３
上で最適な光学定数を持つように成膜された反射防止膜
４が、Ｓｉ基板１上で最適な光学定数を持つとは限らな
い。この結果、たとえば図１０に示されるように、ゲー
ト電極３上の開口予定領域Ｉではフォトレジスト膜６に
良好な形状を有するコンタクトホール・パターン７が形
成できても、Ｓｉ基板１上の開口予定領域IIでは定在波
効果が抑制できず、側壁面に波状の変形を生じたコンタ
クトホール・パターン８ｓが形成されてしまう。Ｓｉ基
板１上で光学定数を最適化すれば、これとは逆のことが
生ずる。
ゲート絶縁膜２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極
３とをパターニングし、その全面をＳｉＯx Ｎy 系膜か
らなる薄い反射防止膜４で被覆し、この上をコンフォー
マルなＳｉＯx 層間絶縁膜５で被覆し、さらにその上を
フォトレジスト膜６で平坦化した状態を示している。い
ま、フォトレジスト膜６の開口予定領域Ｉ，IIにおい
て、ゲート電極３とＳｉ基板１の双方に臨むコンタクト
・ホール・パターンに倣った開口部をフォトリソグラフ
ィにより形成するプロセスを考える。従来の方法では、
反射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄは、ゲー
ト電極３上かＳｉ基板１上のいずれか一方においてのみ
最適化されている。したがって、たとえばゲート電極３
上で最適な光学定数を持つように成膜された反射防止膜
４が、Ｓｉ基板１上で最適な光学定数を持つとは限らな
い。この結果、たとえば図１０に示されるように、ゲー
ト電極３上の開口予定領域Ｉではフォトレジスト膜６に
良好な形状を有するコンタクトホール・パターン７が形
成できても、Ｓｉ基板１上の開口予定領域IIでは定在波
効果が抑制できず、側壁面に波状の変形を生じたコンタ
クトホール・パターン８ｓが形成されてしまう。Ｓｉ基
板１上で光学定数を最適化すれば、これとは逆のことが
生ずる。
【０００９】したがって、光学条件の異なる材料層の上
でフォトリソグラフィを行う際にも、あらゆる材料層上
でハレーションや定在波効果が抑制されるように光学定
数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを設定できる反射防止膜の設
計方法が必要とされている。本発明は、かかる反射防止
膜の設計方法を提供することを目的とする。
でフォトリソグラフィを行う際にも、あらゆる材料層上
でハレーションや定在波効果が抑制されるように光学定
数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを設定できる反射防止膜の設
計方法が必要とされている。本発明は、かかる反射防止
膜の設計方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の反射防止膜の設
計方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、光学定数の異なる複数の材料層が露出する基板
上で、これらの材料膜を被覆する透明絶縁膜をパターニ
ングするために反射防止膜を用いてフォトリソグラフィ
を行うに際し、該反射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）（た
だし、ｎは複素振幅屈折率の実数部、ｋは同じく虚数部
係数、ｄは膜厚をそれぞれ表す。）および膜厚ｄを最適
化する際に、前記材料層の各々について定在波効果を所
定量以下に抑制し得る前記反射防止膜の光学定数（ｎ，
ｋ）および膜厚ｄの変化領域を求め、これら各変化領域
の共通部分に含まれる光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄ
を選択することにより前記最適化を行うものである。
計方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、光学定数の異なる複数の材料層が露出する基板
上で、これらの材料膜を被覆する透明絶縁膜をパターニ
ングするために反射防止膜を用いてフォトリソグラフィ
を行うに際し、該反射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）（た
だし、ｎは複素振幅屈折率の実数部、ｋは同じく虚数部
係数、ｄは膜厚をそれぞれ表す。）および膜厚ｄを最適
化する際に、前記材料層の各々について定在波効果を所
定量以下に抑制し得る前記反射防止膜の光学定数（ｎ，
ｋ）および膜厚ｄの変化領域を求め、これら各変化領域
の共通部分に含まれる光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄ
を選択することにより前記最適化を行うものである。
【００１１】上記光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを最
適化する方法としては、ｎ，ｋ，ｄに同時に色々な数値
を代入してマトリクス的に定在波効果をコンピュータ・
シミュレーションにより計算し、最終的にこれが所定量
以下に収束する変化領域を絞り込む方法も可能である。
あるいは、これら３個のパラメータのうちいずれかひと
つを固定すれば、シミュレーションすべきパラメータの
数を減らすことができる。この場合、膜厚ｄを一定とし
て光学定数（ｎ，ｋ）を決定することも理論上は可能で
あるが、より簡便で現実的な方法は、光学定数ｎを固定
した条件下で残る光学定数ｋは膜厚ｄを変化させる方法
である。光学定数（ｎ，ｋ）を本質的に決定するもの
は、反射防止膜の原子組成比であるが、この原子組成比
を変動させてもｎはｋほど大きく変化しないことが経験
的に知られているので、このようなことが可能となる。
適化する方法としては、ｎ，ｋ，ｄに同時に色々な数値
を代入してマトリクス的に定在波効果をコンピュータ・
シミュレーションにより計算し、最終的にこれが所定量
以下に収束する変化領域を絞り込む方法も可能である。
あるいは、これら３個のパラメータのうちいずれかひと
つを固定すれば、シミュレーションすべきパラメータの
数を減らすことができる。この場合、膜厚ｄを一定とし
て光学定数（ｎ，ｋ）を決定することも理論上は可能で
あるが、より簡便で現実的な方法は、光学定数ｎを固定
した条件下で残る光学定数ｋは膜厚ｄを変化させる方法
である。光学定数（ｎ，ｋ）を本質的に決定するもの
は、反射防止膜の原子組成比であるが、この原子組成比
を変動させてもｎはｋほど大きく変化しないことが経験
的に知られているので、このようなことが可能となる。
【００１２】前記定在波効果は、振幅比の値をもって表
す。振幅比とは、図３に示されるように、フォトレジス
ト膜の膜厚に対してフォトレジスト膜中の光吸収量をプ
ロットして得られる曲線（スイング・カーブ）におい
て、任意の膜厚ｄにおける該スイング・カーブの振幅Δ
Ａと、図中に破線で示される該スイング・カーブの振幅
の中心線までの高さＡ（すなわち定在波効果が全く無い
場合の光吸収量）との比として定義される。
す。振幅比とは、図３に示されるように、フォトレジス
ト膜の膜厚に対してフォトレジスト膜中の光吸収量をプ
ロットして得られる曲線（スイング・カーブ）におい
て、任意の膜厚ｄにおける該スイング・カーブの振幅Δ
Ａと、図中に破線で示される該スイング・カーブの振幅
の中心線までの高さＡ（すなわち定在波効果が全く無い
場合の光吸収量）との比として定義される。
【００１３】本発明では、実用的なフォトリソグラフィ
解像度を達成するために、上記振幅比を１０％以内に抑
制し得る変化領域を求める。振幅比の下限は特に限定さ
れるものではないが、余り小さく設定し過ぎると変化領
域の共通部分が見出せなくなる虞れもあるので、異なる
光学定数を有する材料層の数および種類に応じて適宜設
定すれば良い。
解像度を達成するために、上記振幅比を１０％以内に抑
制し得る変化領域を求める。振幅比の下限は特に限定さ
れるものではないが、余り小さく設定し過ぎると変化領
域の共通部分が見出せなくなる虞れもあるので、異なる
光学定数を有する材料層の数および種類に応じて適宜設
定すれば良い。
【００１４】なお、反射防止膜は絶縁膜の上下いずれに
あっても構わない。本発明においては、前記反射防止膜
をＳｉＯx Ｎy 系膜にて構成することが特に好適であ
る。ＳｉＯx Ｎy 系膜は、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置やＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を使用して成膜すること
ができる。このプラズマＣＶＤの代表的な原料ガスとし
ては、ＳｉＨ4 ／Ｏ2 ／Ｎ2 混合ガス、あるいはＳｉＨ
4 ／Ｎ2 Ｏ混合ガスがある。なお、実際に成膜されるＳ
ｉＯx Ｎy 系膜には少量の水素が含まれているため、こ
のことを明示するために、以下の明細書中ではＳｉＯx
Ｎy ：Ｈ膜の表記を用いる。
あっても構わない。本発明においては、前記反射防止膜
をＳｉＯx Ｎy 系膜にて構成することが特に好適であ
る。ＳｉＯx Ｎy 系膜は、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置やＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を使用して成膜すること
ができる。このプラズマＣＶＤの代表的な原料ガスとし
ては、ＳｉＨ4 ／Ｏ2 ／Ｎ2 混合ガス、あるいはＳｉＨ
4 ／Ｎ2 Ｏ混合ガスがある。なお、実際に成膜されるＳ
ｉＯx Ｎy 系膜には少量の水素が含まれているため、こ
のことを明示するために、以下の明細書中ではＳｉＯx
Ｎy ：Ｈ膜の表記を用いる。
【００１５】上記ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の原子組成比は原
料ガスの流量比にもとづいて変化させることができ、こ
れにもとづいて光学定数（ｎ，ｋ）を変化させることが
できる。なお、上記光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄの
好ましい変化範囲は、下地の材料層の種類によって異な
る。すなわち、下地がＳｉ系材料層である場合はｎ＝
１．８〜２．６，ｋ＝０．１〜０．８，ｄ＝２０〜１５
０ｎｍ；下地がＡｌやＣｕの純金属層，シリサイド層ま
たは合金層である場合にはｎ＝１．７８〜２．３８，ｋ
＝０．５５〜１．１５，ｄ＝２０〜４０ｎｍ；下地が高
融点金属層または高融点金属シリサイド層である場合に
はｎ＝１．８〜３．０，ｋ＝０．５〜０．９，ｄ＝１５
〜３５ｎｍである。
料ガスの流量比にもとづいて変化させることができ、こ
れにもとづいて光学定数（ｎ，ｋ）を変化させることが
できる。なお、上記光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄの
好ましい変化範囲は、下地の材料層の種類によって異な
る。すなわち、下地がＳｉ系材料層である場合はｎ＝
１．８〜２．６，ｋ＝０．１〜０．８，ｄ＝２０〜１５
０ｎｍ；下地がＡｌやＣｕの純金属層，シリサイド層ま
たは合金層である場合にはｎ＝１．７８〜２．３８，ｋ
＝０．５５〜１．１５，ｄ＝２０〜４０ｎｍ；下地が高
融点金属層または高融点金属シリサイド層である場合に
はｎ＝１．８〜３．０，ｋ＝０．５〜０．９，ｄ＝１５
〜３５ｎｍである。
【００１６】ところで、光学定数の異なる複数の材料層
が基板の表面に露出している状態は、通常の半導体デバ
イスの製造プロセスの様々な段階で現れる可能性があ
る。典型的には、Ｓｉ基板上にＭＯＳ−ＦＥＴのゲート
電極が形成された時のように、Ｓｉからなる層と配線材
料からなる層が現れる場合がある。ただし、異なる材料
層の数は２つに限られるものではなく、３つ以上であっ
ても良い。
が基板の表面に露出している状態は、通常の半導体デバ
イスの製造プロセスの様々な段階で現れる可能性があ
る。典型的には、Ｓｉ基板上にＭＯＳ−ＦＥＴのゲート
電極が形成された時のように、Ｓｉからなる層と配線材
料からなる層が現れる場合がある。ただし、異なる材料
層の数は２つに限られるものではなく、３つ以上であっ
ても良い。
【００１７】
【作用】本発明の反射防止膜の設計方法では、光学定数
の異なる複数の材料層が露出する基板上であっても、こ
れら材料層の各々について定在波効果を所定量以下、好
ましくは１０％以下に抑制し得る反射防止膜の光学定数
（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを選択するため、いずれの材料
層の上においても反射防止膜に実用上十分な反射防止効
果を発揮させることができる。
の異なる複数の材料層が露出する基板上であっても、こ
れら材料層の各々について定在波効果を所定量以下、好
ましくは１０％以下に抑制し得る反射防止膜の光学定数
（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを選択するため、いずれの材料
層の上においても反射防止膜に実用上十分な反射防止効
果を発揮させることができる。
【００１８】上述の光学条件の選択は、実際には余り大
きく変動しない光学定数ｎを固定してパラメータの数を
減少させた条件で行うことにより、極めて簡便かつ短時
間で行うことができる。前記反射防止膜としてＳｉＯx
Ｎy 系膜を用いると、プラズマＣＶＤにおける成膜ガス
の流量比を変化させることにより、上述のように選択さ
れた光学定数（ｎ，ｋ）を満たす反射防止膜を成膜する
ことができる。
きく変動しない光学定数ｎを固定してパラメータの数を
減少させた条件で行うことにより、極めて簡便かつ短時
間で行うことができる。前記反射防止膜としてＳｉＯx
Ｎy 系膜を用いると、プラズマＣＶＤにおける成膜ガス
の流量比を変化させることにより、上述のように選択さ
れた光学定数（ｎ，ｋ）を満たす反射防止膜を成膜する
ことができる。
【００１９】したがって、たとえばＳｉからなる層と配
線材料からなる層とが露出した基板上において、上述の
ように設計されたＳｉＯx Ｎy 系反射防止膜でこれらの
層を被覆し、この上で透明絶縁膜をパターニングするた
めのフォトリソグラフィを行えば、両層の上で共に良好
な形状を有するフォトレジスト・パターンを形成するこ
とができる。
線材料からなる層とが露出した基板上において、上述の
ように設計されたＳｉＯx Ｎy 系反射防止膜でこれらの
層を被覆し、この上で透明絶縁膜をパターニングするた
めのフォトリソグラフィを行えば、両層の上で共に良好
な形状を有するフォトレジスト・パターンを形成するこ
とができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。実施例１ 本実施例は、本発明をＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・コンタ
クトおよびソース／ドレイン・コンタクトを形成するた
めのレジスト・パターニングをＫｒＦエキシマ・レーザ
・リソグラフィ（露光波長２４８ｎｍ）により行う場合
に、反射防止膜として用いるＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の光学
条件を最適化した例である。本実施例を、図１、図２、
図４および図５を参照しながら説明する。
する。実施例１ 本実施例は、本発明をＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・コンタ
クトおよびソース／ドレイン・コンタクトを形成するた
めのレジスト・パターニングをＫｒＦエキシマ・レーザ
・リソグラフィ（露光波長２４８ｎｍ）により行う場合
に、反射防止膜として用いるＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の光学
条件を最適化した例である。本実施例を、図１、図２、
図４および図５を参照しながら説明する。
【００２１】まず、本実施例においてフォトリソグラフ
ィを行う際の基板の状態は、前出の図１に示されるとお
りである。すなわち、Ｓｉ基板１上でＳｉＯx からなる
ゲート絶縁膜２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極
３とをパターニングし、その全面を薄いＳｉＯx Ｎy ：
Ｈ膜からなる反射防止膜４で被覆し、この上をコンフォ
ーマルなＳｉＯx 層間絶縁膜５で被覆し、さらにその上
をフォトレジスト膜６で平坦化した。
ィを行う際の基板の状態は、前出の図１に示されるとお
りである。すなわち、Ｓｉ基板１上でＳｉＯx からなる
ゲート絶縁膜２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極
３とをパターニングし、その全面を薄いＳｉＯx Ｎy ：
Ｈ膜からなる反射防止膜４で被覆し、この上をコンフォ
ーマルなＳｉＯx 層間絶縁膜５で被覆し、さらにその上
をフォトレジスト膜６で平坦化した。
【００２２】ここで、上記Ｓｉ基板１には、既にイオン
注入によりソース／ドレイン領域となる不純物拡散層が
形成されている。上記ゲート電極３の表面はＷＳｉ
x （タングステン・シリサイド）膜からなる。上記フォ
トレジスト膜６は、化学増幅系ポジ型フォトレジスト材
料ＷＫＲ−ＰＴ１（商品名；和光純薬社製）からなる。
また、上記ＳｉＯx 層間絶縁膜５はコンフォーマルに成
膜されており、ゲート電極上における膜厚Ｄ1 とＳｉ基
板上における膜厚Ｄ2 はいずれも５００ｎｍである。
注入によりソース／ドレイン領域となる不純物拡散層が
形成されている。上記ゲート電極３の表面はＷＳｉ
x （タングステン・シリサイド）膜からなる。上記フォ
トレジスト膜６は、化学増幅系ポジ型フォトレジスト材
料ＷＫＲ−ＰＴ１（商品名；和光純薬社製）からなる。
また、上記ＳｉＯx 層間絶縁膜５はコンフォーマルに成
膜されており、ゲート電極上における膜厚Ｄ1 とＳｉ基
板上における膜厚Ｄ2 はいずれも５００ｎｍである。
【００２３】コンタクト・ホールの開口予定領域Ｉ，II
は、それぞれゲート電極上とＳｉ基板上にある。上記反
射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを決定する
ためのシミューレションにあたって考慮すべき積層系
は、開口予定領域ＩではＷＳｉ x ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／
ＳｉＯx ／フォトレジスト積層系、開口予定領域IIでは
Ｓｉ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx ／フォトレジスト積
層系となる。
は、それぞれゲート電極上とＳｉ基板上にある。上記反
射防止膜の光学定数（ｎ，ｋ）および膜厚ｄを決定する
ためのシミューレションにあたって考慮すべき積層系
は、開口予定領域ＩではＷＳｉ x ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／
ＳｉＯx ／フォトレジスト積層系、開口予定領域IIでは
Ｓｉ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx ／フォトレジスト積
層系となる。
【００２４】上記シミュレーションに用いた各材料の光
学定数（ｎ，ｋ）を以下に示す。 Ｓｉ（Ｓｉ基板１） ：ｎ＝１．５７，ｋ＝３．５８ ＷＳｉx （ゲート電極３） ：ｎ＝１．９３，ｋ＝２．７３ ＳｉＯx （ＳｉＯx 層間絶縁膜５） ：ｎ＝１．５２，ｋ＝０ フォトレジスト（フォトレジスト膜６）：ｎ＝１．８０，ｋ＝０．０１ まず、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜（反射防止膜４）のｎを２．
１０に固定し、ｋとｄを変化させた場合の開口予定領域
Ｉにおける定在波効果を計算した結果を図４に示す。
学定数（ｎ，ｋ）を以下に示す。 Ｓｉ（Ｓｉ基板１） ：ｎ＝１．５７，ｋ＝３．５８ ＷＳｉx （ゲート電極３） ：ｎ＝１．９３，ｋ＝２．７３ ＳｉＯx （ＳｉＯx 層間絶縁膜５） ：ｎ＝１．５２，ｋ＝０ フォトレジスト（フォトレジスト膜６）：ｎ＝１．８０，ｋ＝０．０１ まず、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜（反射防止膜４）のｎを２．
１０に固定し、ｋとｄを変化させた場合の開口予定領域
Ｉにおける定在波効果を計算した結果を図４に示す。
【００２５】同じく、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜（反射防止膜
４）のｎを２．１０に固定し、ｋとｄを変化させた場合
の開口予定領域IIにおける定在波効果を計算した結果を
図５に示す。これら図４と図５は、定在波効果の判断指
標となる振幅比が同じ値になる領域を等高線のように結
んだものであり、各線は１％刻みで表示されている。
４）のｎを２．１０に固定し、ｋとｄを変化させた場合
の開口予定領域IIにおける定在波効果を計算した結果を
図５に示す。これら図４と図５は、定在波効果の判断指
標となる振幅比が同じ値になる領域を等高線のように結
んだものであり、各線は１％刻みで表示されている。
【００２６】図中、斜線を施した２ヵ所は、両図におい
て振幅比が共に２％以下となる共通領域を示すものであ
る。これら共通領域のおおよそ中心の座標（ｋ，ｄ）よ
り、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の好適な光学条件は、ｎ＝２．
１０，ｋ＝０．５６，ｄ＝３０ｎｍ、もしくはｎ＝２．
１０，ｋ＝０．２７，ｄ＝８７ｎｍとなる。前者の光学
条件（ｎ，ｋ）＝（２．１０，０．５６）はＳｉＯ0.67
Ｎ0.22：Ｈの組成により、また後者の光学条件（ｎ，
ｋ）＝（２．１０，０．２７）はＳｉＯ0.75Ｎ0. 25：Ｈ
の組成により、それぞれ達成可能である。ただし、同じ
定在波効果の抑制効果が得られる限りでは、膜厚ｄが小
さいに越したことはないので、ここでは膜厚ｄが３０ｎ
ｍで済む前者の光学条件を選択し、成膜すべき反射防止
膜４の組成をＳｉＯ0.67Ｎ0.22：Ｈと決定した。
て振幅比が共に２％以下となる共通領域を示すものであ
る。これら共通領域のおおよそ中心の座標（ｋ，ｄ）よ
り、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の好適な光学条件は、ｎ＝２．
１０，ｋ＝０．５６，ｄ＝３０ｎｍ、もしくはｎ＝２．
１０，ｋ＝０．２７，ｄ＝８７ｎｍとなる。前者の光学
条件（ｎ，ｋ）＝（２．１０，０．５６）はＳｉＯ0.67
Ｎ0.22：Ｈの組成により、また後者の光学条件（ｎ，
ｋ）＝（２．１０，０．２７）はＳｉＯ0.75Ｎ0. 25：Ｈ
の組成により、それぞれ達成可能である。ただし、同じ
定在波効果の抑制効果が得られる限りでは、膜厚ｄが小
さいに越したことはないので、ここでは膜厚ｄが３０ｎ
ｍで済む前者の光学条件を選択し、成膜すべき反射防止
膜４の組成をＳｉＯ0.67Ｎ0.22：Ｈと決定した。
【００２７】かかる組成の反射防止膜４は、本願出願人
が行った以前の実験より、ＳｉＨ4／Ｎ2 Ｏの流量比を
１．２〜１．３としてプラズマＣＶＤを行うことにより
成膜することができる。成膜条件の一例を以下に記す。 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｎ2 Ｏ流量 ４０ ＳＣＣＭ ガス圧 ３３３ Ｐａ（２．５ Ｔｏｒｒ） ＲＦパワー １９０ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３６０ ℃ 電極間距離 １ ｃｍ（４００ ｍｉｌｓ） この反射防止膜４を用いてＫｒＦエキシマ・レーザ・リ
ソグラフィによるフォトレジスト膜６のパターニングを
行ったところ、図２に示されるように、開口予定領域
Ｉ，IIのいずれにおいても、コンタクト・ホール・パタ
ーンに倣った開口部７，８を良好な形状をもって形成す
ることができた。
が行った以前の実験より、ＳｉＨ4／Ｎ2 Ｏの流量比を
１．２〜１．３としてプラズマＣＶＤを行うことにより
成膜することができる。成膜条件の一例を以下に記す。 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｎ2 Ｏ流量 ４０ ＳＣＣＭ ガス圧 ３３３ Ｐａ（２．５ Ｔｏｒｒ） ＲＦパワー １９０ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３６０ ℃ 電極間距離 １ ｃｍ（４００ ｍｉｌｓ） この反射防止膜４を用いてＫｒＦエキシマ・レーザ・リ
ソグラフィによるフォトレジスト膜６のパターニングを
行ったところ、図２に示されるように、開口予定領域
Ｉ，IIのいずれにおいても、コンタクト・ホール・パタ
ーンに倣った開口部７，８を良好な形状をもって形成す
ることができた。
【００２８】実施例２ 本実施例は、同じくＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・コンタク
トおよびソース／ドレイン・コンタクトを形成するため
のレジスト・パターニングをＫｒＦエキシマ・レーザ・
リソグラフィにより行った例であるが、ＳｉＯx 層間絶
縁膜で基板を一旦平坦化した。本実施例を、図６ないし
図９を参照しながら説明する。
トおよびソース／ドレイン・コンタクトを形成するため
のレジスト・パターニングをＫｒＦエキシマ・レーザ・
リソグラフィにより行った例であるが、ＳｉＯx 層間絶
縁膜で基板を一旦平坦化した。本実施例を、図６ないし
図９を参照しながら説明する。
【００２９】まず、本実施例においてフォトリソグラフ
ィを行う際の基板の状態は、図６に示されるとおりであ
る。すなわち、Ｓｉ基板１１上でＳｉＯx からなるゲー
ト絶縁膜１２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極１
３とをパターニングし、その全面を薄いＳｉＯx Ｎy ：
Ｈ膜からなる反射防止膜１４で被覆し、この上をＳｉＯ
x 層間絶縁膜１５で一旦平坦化し、さらにその上にフォ
トレジスト膜６を形成した。
ィを行う際の基板の状態は、図６に示されるとおりであ
る。すなわち、Ｓｉ基板１１上でＳｉＯx からなるゲー
ト絶縁膜１２とＷ−ポリサイド膜からなるゲート電極１
３とをパターニングし、その全面を薄いＳｉＯx Ｎy ：
Ｈ膜からなる反射防止膜１４で被覆し、この上をＳｉＯ
x 層間絶縁膜１５で一旦平坦化し、さらにその上にフォ
トレジスト膜６を形成した。
【００３０】上記ＳｉＯx 層間絶縁膜５の開口予定領域
Ｉにおける膜厚Ｄ1 は５００ｎｍ、開口予定領域IIにお
ける膜厚Ｄ2 は７００ｎｍである。ここで、実施例１で
上述した各材料層の光学定数を用い、ｎを２．１０に固
定してｋとｄを変化させた場合の開口予定領域Ｉにおけ
る定在波効果の計算結果を図８に、同じく開口予定領域
IIにおける計算結果を図９にそれぞれ示す。
Ｉにおける膜厚Ｄ1 は５００ｎｍ、開口予定領域IIにお
ける膜厚Ｄ2 は７００ｎｍである。ここで、実施例１で
上述した各材料層の光学定数を用い、ｎを２．１０に固
定してｋとｄを変化させた場合の開口予定領域Ｉにおけ
る定在波効果の計算結果を図８に、同じく開口予定領域
IIにおける計算結果を図９にそれぞれ示す。
【００３１】図中、斜線を施した２ヵ所は、両図におい
て振幅比が共に４％以下となる共通領域を示すものであ
る。これら共通領域のおおよそ中心の座標（ｋ，ｄ）よ
り、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の好適な光学条件は、ｎ＝２．
１０，ｋ＝０．６０，ｄ＝２５ｎｍ、もしくはｎ＝２．
１０，ｋ＝０．２７，ｄ＝８２ｎｍとなる。前者の光学
条件（ｎ，ｋ）＝（２．１０，０．６０）はＳｉＯ0.67
Ｎ0.22：Ｈの組成により、また後者の光学条件（ｎ，
ｋ）＝（２．１０，０．２７）はＳｉＯ0.75Ｎ0. 25：Ｈ
の組成により、それぞれ達成可能である。ここでは、膜
厚ｄが２５ｎｍで済む前者の光学条件を選択し、成膜す
べき反射防止膜４の組成をＳｉＯ0.67Ｎ0. 22：Ｈと決定
した。
て振幅比が共に４％以下となる共通領域を示すものであ
る。これら共通領域のおおよそ中心の座標（ｋ，ｄ）よ
り、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の好適な光学条件は、ｎ＝２．
１０，ｋ＝０．６０，ｄ＝２５ｎｍ、もしくはｎ＝２．
１０，ｋ＝０．２７，ｄ＝８２ｎｍとなる。前者の光学
条件（ｎ，ｋ）＝（２．１０，０．６０）はＳｉＯ0.67
Ｎ0.22：Ｈの組成により、また後者の光学条件（ｎ，
ｋ）＝（２．１０，０．２７）はＳｉＯ0.75Ｎ0. 25：Ｈ
の組成により、それぞれ達成可能である。ここでは、膜
厚ｄが２５ｎｍで済む前者の光学条件を選択し、成膜す
べき反射防止膜４の組成をＳｉＯ0.67Ｎ0. 22：Ｈと決定
した。
【００３２】かかる組成の反射防止膜４を用いてＫｒＦ
エキシマ・レーザ・リソグラフィによるフォトレジスト
膜１６のパターニングを行ったところ、図９に示される
ように開口予定領域Ｉ，IIのいずれにおいてもコンタク
ト・ホール・パターンに倣った開口部１７，１８を良好
な形状をもって形成することができた。以上、本発明を
２例の実施例にもとづいて説明したが、本発明はこれら
の実施例に何ら限定されるものではない。
エキシマ・レーザ・リソグラフィによるフォトレジスト
膜１６のパターニングを行ったところ、図９に示される
ように開口予定領域Ｉ，IIのいずれにおいてもコンタク
ト・ホール・パターンに倣った開口部１７，１８を良好
な形状をもって形成することができた。以上、本発明を
２例の実施例にもとづいて説明したが、本発明はこれら
の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３３】たとえば、上述の実施例では共通領域を決
定するための振幅比の範囲を２％以下および４％以下に
設定したが、この値を１０％を超えない範囲でより大き
く設定すれば、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の原子組成比の選択
幅を広げることができる。この他、露光波長、フォトレ
ジスト材料の種類、基板の構成は適宜選択可能である。
定するための振幅比の範囲を２％以下および４％以下に
設定したが、この値を１０％を超えない範囲でより大き
く設定すれば、ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ膜の原子組成比の選択
幅を広げることができる。この他、露光波長、フォトレ
ジスト材料の種類、基板の構成は適宜選択可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の反射防止膜の設計方法を適用すれば、光学定数の異
なる材料層上でも定在波効果を一定レベルに抑制するこ
とができ、フォトレジスト膜の解像を安定化させること
ができる。本発明は、フォトリソグラフィの露光波長の
短波長化に伴って反射防止膜の採用が必須となる中で、
この反射防止膜の実用性能を向上させるものであり、ひ
いては半導体デバイスの微細化、高集積化、高性能化に
大きく貢献するものである。
明の反射防止膜の設計方法を適用すれば、光学定数の異
なる材料層上でも定在波効果を一定レベルに抑制するこ
とができ、フォトレジスト膜の解像を安定化させること
ができる。本発明は、フォトリソグラフィの露光波長の
短波長化に伴って反射防止膜の採用が必須となる中で、
この反射防止膜の実用性能を向上させるものであり、ひ
いては半導体デバイスの微細化、高集積化、高性能化に
大きく貢献するものである。
【図１】ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・コンタクトおよびソ
ース／ドレイン・コンタクトを形成するプロセスにおい
て、フォトリソグラフィを行う前の基板の状態を示す模
式的断面図である。
ース／ドレイン・コンタクトを形成するプロセスにおい
て、フォトリソグラフィを行う前の基板の状態を示す模
式的断面図である。
【図２】図１のフォトレジスト膜にコンタクト・ホール
・パターンに倣った開口部を形成した状態を示す模式的
断面図である。
・パターンに倣った開口部を形成した状態を示す模式的
断面図である。
【図３】振幅比の定義を説明するためのスイング・カー
ブである。
ブである。
【図４】ＷＳｉx ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx （Ｄ1
＝５００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
＝５００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
【図５】Ｓｉ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx （Ｄ2 ＝５
００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波効果
のシミュレーション結果を表す図である。
００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波効果
のシミュレーション結果を表す図である。
【図６】ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート・コンタクトおよびソ
ース／ドレイン・コンタクトを形成する他のプロセスに
おいて、フォトリソグラフィを行う前の基板の状態を示
す模式的断面図である。
ース／ドレイン・コンタクトを形成する他のプロセスに
おいて、フォトリソグラフィを行う前の基板の状態を示
す模式的断面図である。
【図７】図６のフォトレジスト膜にコンタクト・ホール
・パターンに倣った開口部を形成した状態を示す模式的
断面図である。
・パターンに倣った開口部を形成した状態を示す模式的
断面図である。
【図８】ＷＳｉx ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx （Ｄ1
＝５００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
＝５００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
【図９】ＷＳｉx ／ＳｉＯx Ｎy ：Ｈ／ＳｉＯx （Ｄ2
＝７００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
＝７００ｎｍ）／フォトレジスト積層系における定在波
効果のシミュレーション結果を表す図である。
【図１０】図１に示した基板について従来の反射防止膜
を用いてフォトリソグラフィを行い、定在波効果により
断面形状の劣化した開口部が形成された状態を示す模式
的断面図である。
を用いてフォトリソグラフィを行い、定在波効果により
断面形状の劣化した開口部が形成された状態を示す模式
的断面図である。
１，１１ Ｓｉ基板 ３，１３ ゲート電極 ４，１４ 反射防止膜 ５，１５ ＳｉＯx 層間絶縁膜 ６，１６ フォトレジスト膜 ７，１７ （開口予定領域Ｉにおける）開口部 ８，１８ （開口予定領域IIにおける) 開口部 ｄ 反射防止膜の膜厚 Ｄ1 （開口予定領域Ｉにおける）ＳｉＯx 層間絶縁膜の
膜厚 Ｄ2 （開口予定領域IIにおける）ＳｉＯx 層間絶縁膜の
膜厚
膜厚 Ｄ2 （開口予定領域IIにおける）ＳｉＯx 層間絶縁膜の
膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−69122（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299338（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−234109（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−290920（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96231（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−201990（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/11 503
Claims (5)
- 【請求項１】 光学定数の異なる複数の材料層が露出す
る基板上で、これらの材料層を被覆する透明絶縁膜をパ
ターニングするために反射防止膜を用いてフォトリソグ
ラフィを行うに際し、該反射防止膜の光学定数（ｎ，
ｋ）（ただし、ｎは複素振幅屈折率の実数部、ｋは同じ
く虚数部係数をそれぞれ表す。）および膜厚ｄを最適化
する反射防止膜の設計方法であって、 前記最適化は、前記材料層の各々について定在波効果を
所定量以下に抑制し得る前記反射防止膜の光学定数
（ｎ，ｋ）および膜厚ｄの変化領域を求め、これら各変
化領域の共通部分に含まれる光学定数（ｎ，ｋ）および
膜厚ｄを選択することにより行うことを特徴とする反射
防止膜の設計方法。 - 【請求項２】 前記最適化は、光学定数ｎを一定とした
条件下で定在波効果を所定量以下に抑制し得る光学定数
ｋおよび膜厚ｄの変化領域を求めることにより行うこと
を特徴とする請求項１記載の反射防止膜の設計方法。 - 【請求項３】 前記定在波効果を所定量以下に抑制し得
る変化領域を、振幅比を１０％以内に抑制し得る変化領
域として定義することを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の反射防止膜の設計方法。 - 【請求項４】 前記反射防止膜はＳｉＯx Ｎy 系膜より
構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項３の
いずれか１項に記載の反射防止膜の設計方法。 - 【請求項５】 前記光学定数の異なる複数の材料層は、
Ｓｉからなる層と配線材料からなる層であることを特徴
とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の
反射防止膜の設計方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831394A JP3248353B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 反射防止膜の設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831394A JP3248353B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 反射防止膜の設計方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817711A JPH0817711A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3248353B2 true JP3248353B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=15450002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14831394A Expired - Fee Related JP3248353B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 反射防止膜の設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3248353B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033200A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
| EP0885407B1 (en) * | 1996-03-07 | 2001-08-22 | Clariant Finance (BVI) Limited | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
| US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
| US6274295B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
| US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
| US5981145A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light absorbing polymers |
| US6599682B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-07-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for forming a finely patterned photoresist layer |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP14831394A patent/JP3248353B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817711A (ja) | 1996-01-19 |
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