JP3247888B2 - 電子部品パッケージ及び、電子部品のパッケージの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品パッケー
ジ及び、電子部品のパッケージの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型高密度化に伴い、
産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においても、
ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装でき、しかも安
価な多層配線回路基板が強く要望されてきている。この
ような多層配線回路基板では、各層の微細な配線ピッチ
の配線パターンを層同士で電気的に信頼性高く接続でき
ることが重要である。

【０００３】このような要求に対し、ドリル加工と銅貼
積層板のエッチングや、めっき加工による従来のプリン
ト配線基板の製造方法ではもはやこれらの要求を満足さ
せることは極めて困難となり、新しい構造を備えたプリ
ント配線基板が開発されつつある。

【０００４】現在高密度配線基板として代表的なものを
次に掲げる。

【０００５】第１には、従来の両面あるいは多層配線基
板をコアー基板とし、より小さなバイアホールを有する
絶縁層やよりファインな配線層を積層してゆくビルドア
ップ製法と呼ばれているものがある（本多進”ビルドア
ップ多層配線基板技術の現状と課題”、回路実装学界
誌、Vol.11、No.7、P462-468 (1996)）。

【０００６】この方法では、より小さなバイアホールの
ある絶縁層には、感光性の絶縁材料や化学エッチ可能な
材料を用いてフォトエッチ法やケミカルエッチ法によ
り、小さなあなを形成する。最近ではプラズマあるい
は、レーザで絶縁層に穴を開ける方法も開発されてい
る。レーザの場合は、材料に感光性や化学エッチング特
性を付加する必要がなく絶縁性の材料の選択肢が広がり
都合がよい。

【０００７】第２には、穴に充填した導電性ペーストを
有するプリプレーグに銅箔を積層してゆくスタック製法
がある（岡野裕幸”全層IVH構造を有する樹脂多層基
板”'95マイクロエレクトロニクスシンポジウム、p163
(1995)）（一般的にはビルドアップ多層配線基板として
分類されることが多い）。プリプレーグの代わりに接着
剤付きのフィルムを使ったものも研究されている（竹ノ
内啓一他”ポリイミド多層基板の開発”第１０回回路実
装学術講演大会、講演論文集、p81-82(1996)。

【０００８】第３には薄膜多層を使う方法であり、第１
のビルドアップ方法と類似している。これは、従来のセ
ラミック多層基板をコアー基板としその表面に、無機あ
るいは有機の絶縁層と、鍍金（メッキ）とフォトエッチ
等によりパターン化した導体配線層とを、積層した薄膜
多層基板である。この方法は、薄膜技術を使うために現
在では最も高密度の配線基板の製造方法となっている。
絶縁層に感光性のポリイミドを用いた例がもっとも多
い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、それぞ
れの配線基板の製造方法には欠点がある。

【００１０】ビルドアップ製法は、内層のコアーに、従
来の低密度であるガラスエポキシ多層基板を用いるため
に、より高密度の配線基板が得にくい。 また、より高
密度の配線基板を得るにはビルドアップする絶縁層と配
線層を増やす必要があり、平坦化などが技術的に困難に
なる、あるいはコストが高くなる等の問題がある。

【００１１】また、スタック製法は、より高密度のため
にはある厚みのプリプレーグあるいはフィルム（基材）
に、小さい穴を低コストで開ける困難性を抱えている。

【００１２】また、薄膜多層方法は、薄膜工程を使うも
のであり、コスト的に高価である。

【００１３】本発明は、これらの従来の多層配線基板の
製法の課題を考慮し、低コストで、高密度配線が得ら
れ、しかも製法が容易であり、さらに、できるだけ大き
なワークサイズのコアー基板を用いることのできる電子
部品パッケージ及び、電子部品のパッケージの製造方法
を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の配線基板においては、例えば、第１のバイア
ホールを有する基材層と前記基材層の少なくとも一面に
設けられる第２のバイアホールを有する絶縁層とがあ
り、前記第２のバイアホールの断面積が前記第１のバイ
アホールの断面積より小さく、前記第１及び第２のバイ
アホールが導電性材料で充填されている。

【００１５】このようにすることにより大きなワークサ
イズでファインな配線とファインなバイアホール接続が
可能となり、低コストの配線基板や電子部品が得られ
る。

【００１６】請求項１記載の本発明は、第１のバイアホ
ールを有する基材層と、第２のバイアホールを有する絶
縁層と、前記第２のバイアホールの位置に対応して電極
を有する電子部品とを備え、前記基材層と前記電子部品
との間に前記絶縁層があり、前記第１のバイアホールと
前記第２のバイアホールが接続され、前記第２のバイア
ホールの断面積が前記第１のバイアホールの断面積より
小さく、前記第１及び第２のバイアホールが導電性材料
で充填されていることを特徴とする電子部品パッケージ
である。

【００１７】又、請求項２記載の本発明は、前記電子部
品の電極の大きさが、前記第１のバイアホールの断面積
よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の電子部品
パッケージである。

【００１８】又、請求項３記載の本発明は、前記第１の
バイアホールを基準として、前記第２のバイアホールと
接続されている前記第１のバイアホールの面と反対側の
面には、電極パッドが備えられていることを特徴とする
請求項１記載の電子部品パッケージである。

【００１９】又、請求項４記載の本発明は、前記導電性
材料が、半田付け可能な材料であることを特徴とする請
求項１記載の電子部品パッケージである。

【００２０】又、請求項５記載の本発明は、前記導電性
材料が、導電性ペーストであることを特徴とする請求項
１記載の電子部品パッケージである。

【００２１】又、請求項６記載の本発明は、前記第１の
バイアホールに充填された導電性材料と、前記第２のバ
イアホールに充填された導電性材料とが、同一であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品パッケージであ
る。

【００２２】又、請求項７記載の本発明は、前記第１の
バイアホールに充填された導電性材料と、前記第２のバ
イアホールに充填された導電性材料とが、異なることを
特徴とする請求項１記載の電子部品パッケージである。

【００２３】又、請求項８記載の本発明は、前記絶縁層
及び前記導電性材料が可撓性を有するものであることを
特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子部品パ
ッケージである。

【００２４】又、請求項９記載の本発明は、表面に所定
の電極を有する電子部品を、前記電子部品の電極に対応
する位置に導電性材料が埋め込まれた第１のバイアホー
ルを有する基材層に加熱加圧することで、前記基材層と
前記電子部品との間に第２のバイアホールを有する絶縁
層を備え、かつ前記第２のバイアホールの断面積が前記
第１のバイアホールの断面積より小さく、前記第２のバ
イアホールと前記第１のバイアホールが接続されている
電子部品のパッケージを形成することを特徴とする電子
部品のパッケージの製造方法である。

【００２５】又、請求項１０記載の本発明は、前記絶縁
層は、圧縮性を有する絶縁性樹脂層であることを特徴と
する請求項９記載の電子部品のパッケージの製造方法で
ある。

【００２６】又、請求項１１記載の本発明は、前記絶縁
層は、絶縁性樹脂層であり、且つアラミド不織布を補強
材とするプリプレーグであることを特徴とする請求項１
０記載の電子部品のパッケージの製造方法である。

【００２７】又、請求項１２記載の本発明は、前記第２
のバイアホールに前記導電性材料と同一又は異なる導電
性材料が、予め埋め込まれていることを特徴とする請求
項９記載の電子部品のパッケージの製造方法である。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。

【００２９】図１は本発明に関連する技術の一実施の形
態における両面配線基板の断面図である。第１のバイア
ホール１０３を有する基材層１０１があり、この基材層
１０１の両面に第１のバイアホールよりも断面積が小さ
い第２のバイアホール１０５を有する絶縁層１０４を設
けてある。そのバイアホール１０５の上にはビアパッド
１０６がある。１０７は配線であり、ビアパッドととも
に配線層を形成している。上下の配線層１０７，１０７
は第１のバイアホール１０３と第２のバイアホール１０
５によって電気的に接合され、全体として両面配線基板
を形成している。

【００３０】この様な構造を有するので、第２のバイア
ホール１０５の断面積を小さく作ることができる。

【００３１】また、配線１０７は絶縁層１０４の上に形
成されているが、第２のバイアホール１０５の大きさが
小さいので、そのビアパッド１０６も小さくでき、その
結果、第１のバイアホール１０３の断面積がたとえ大き
くても、それに関係なくファインに（高密度に）作るこ
とができる。

【００３２】その結果、配線間隔１０８を狭くしても第
一、第二バイアホール１０３，１０５と短絡する心配が
ない。

【００３３】さらに、そのように、第１バイアホール１
０３の断面積を大きくできるので、配線基板の製造が容
易になる。

【００３４】基材層１０１は電気的に絶縁性であり、基
板としての機械的強度も兼ね備えていることが好まし
い。

【００３５】ガラス繊維を補強材にしエポキシ樹脂で固
めたガラスエポキシ基板や、アラミド繊維を補強材にし
てエポキシ樹脂で固めたアラミドエポキシ基板でもよ
い。プリント回路基板用として開発された公知の樹脂が
利用できる。

【００３６】第１のバイアホール１０３と第２のバイア
ホール１０５からなるバイアホール１０２には導電性材
料が充填されている。

【００３７】導電性材料としては、銅粉や銀粉を樹脂中
に混ぜ込んだ導電性ペーストを硬化したものや、あるい
は金、銀、銅、鉛等や、それらの合金で出来た金属でも
よい。

【００３８】第１のバイアホール１０３に充填された導
電性材料と、第２のバイアホール１０５に充填されたそ
れとは同一であってもよいしあるいは異なっていてもよ
い。

【００３９】異なっている場合は、例えばそれらの材料
の熱膨張係数の相違を利用して反り等を矯正する事が可
能となる。

【００４０】図１では配線層１０７は絶縁層１０４の外
側に形成してあるが、図２のように更に図１の両面基板
２０１の外側に絶縁層２０２を設け、それによって配線
層１０７を全体の絶縁層（絶縁層１０４と絶縁層２０２
とからなる）の内部に配置させることも可能である。

【００４１】図２のものは多層配線基板を作るときに有
効であり、表面に開けた穴２０３は更に上層あるいは下
層へ接続のためのバイアホールとなる。その穴２０３の
断面積の大きさは自由である。表層に使う場合には絶縁
層２０２はソルダーレジストになる。

【００４２】図１並びに図２の構造の配線基板の製造方
法は後述する。

【００４３】図３は絶縁層３０４を基材層３０１の片面
にのみ設けた実施の形態を示す。３０３は第１のバイア
ホールであり、３０５が断面積の小さい第２のバイアホ
ールである。ビアパッド３０６と配線３０７は配線層を
形成していて絶縁層３０４により配線３０７は大きい第
１のバイアホール３０３に短絡しないためにファインな
配線が可能となる。

【００４４】これまでの例のように絶縁層を設けること
は配線をファインにすることができるほかに配線３０７
の接着強度を確保するうえでも有力な手段である。

【００４５】図４に本発明の多層配線基板（４層配線
板）の断面図を示す。２枚の両面配線基板４０１は図２
で説明したものと同じである。２枚の両面配線基板４０
１，４０１がバイアホール４０３のある基材４０２を介
して機械的且つ電気的に接合されている。バイアホール
４０３は、基材４０２に設けた第１のバイアホール４０
４と、絶縁層４０６に設けた第１のバイアホール４０４
よりも断面積の小さなバイアホール４０５からなってい
る。基材並びにバイアホールの材料は図１で説明したも
のと同じものが使える。

【００４６】上下の両面配線基板４０１は必ずしも本発
明の構造の両面配線基板を用いる必要はない。例えば、
図６に２枚の従来の両面配線基板に本実施の形態の配線
基板の構造を適用した４層配線基板の断面図をあげる。
５０１は従来のバイアホールガラスエポキシ両面配線基
板である。バイアホール５１１により両面の配線５１２
を電気的に接続している。通常バイアホールのなか５１
０は中空であるがここでは樹脂を埋め込んである。２枚
の従来型両面基板５０１がバイアホール４０３のある基
材５０２を介して機械的且つ電気的に接合されている。
バイアホール５０３は、基材５０２に設けた第１のバイ
アホール５０４と、絶縁層５０６に設けた第１のバイア
ホール５０４よりも断面積の小さなバイアホール５０５
とからなっている。基材並びにバイアホールの材料は図
１で説明したものと同じものが使える。

【００４７】図４並びに図６において４層配線基板につ
いて説明したが、本発明はこれに限られないことは容易
に理解できる。同様の構造でより多くの層を重ねてゆく
ことが出きる。

【００４８】以上述べた本発明に関連する技術の実施の
形態の配線基板の製造方法について説明する。

【００４９】まず転写技術を用いた製造方法について説
明する。この方法は図７のような転写媒体を用いる。剥
離可能なように表面を処理した支持体６０１の表面に、
ビアパッド１０６を含む配線１０７等の配線層が形成さ
れる。その形成は、鍍金や蒸着並びにフォトプロセスを
用いた配線形成プロセスで作る。その配線層の上に第２
のバイアホールとなるべき穴６０２を有する絶縁層１０
４を形成する。このような転写媒体６０３を用意する。
具体的にはステンレス支持体の上に鍍金により形成した
銅パターンを形成する。

【００５０】さらに、このような転写媒体を２枚用意
し、図８のように、第１のビアとなるべき穴に導電性ペ
ースト７０２を埋めた未硬化基材７０１を間に挟んで、
真空中で加圧加熱し（図８の（Ａ））、導電性ペースト
並びに基材を硬化し一体化した後、支持体を剥離する
（図８の（Ａ））。未硬化基材７０１は例えばアラミド
不織布にエポキシ樹脂を含浸したアラミドエポキシプリ
プレグを用いることが出きる。導電性ペーストには銅ペ
ーストを用いることができる。穴はレーザで開けてもよ
いし、機械的にドリルで開けてもよい。大きさは未硬化
基材の厚さが１５０μぐらいの場合は１００から３００
μぐらいが作りやすい。アラミドエポキシプリプレグは
内部に空隙が多くあり、加熱加圧すると圧縮されて図８
（Ｂ）の様に基材の厚さは薄くなる。このとき銅ペース
トは第１のバイアホールとともに第２のバイアホールを
形成する。現実には図８（Ｂ）の７０３の部分で銅ペー
ストがはみ出ることがある。導電性ペースト７０２をプ
リプレーグの表面から突き出るようすることも可能であ
る。

【００５１】あるいは導電性ペーストで固化したコーン
状の突起を下側の第２のバイアホール上に形成し、この
突起状導電体で、軟化した樹脂の基材を貫通し、上側の
第２のバイアホールに接続する方法もある。

【００５２】上記の例では未硬化基材としてアラミドエ
ポキシプリプレグを用いたがこれに限られない。例えば
絶縁性のフィルムに接着剤を塗布したシートでもよい
し、シート状の未硬化接着剤でもよい。導電性ペースト
も銅ペーストに限られることはない。例えば金、銀ある
いはカーボン等の導電ペーストも使える。

【００５３】また第１のバイアホール内全てが導電性ペ
ーストである必要もない。例えば、金属ボールを穴に埋
め込んで、第２のバイアホール内に入れた導電性ペース
トにより電気的接合をとってもよい。

【００５４】図７の配線１０７やビアパッド１０６にフ
ァインな物が必要な場合はアディティブ法によって形成
してもよい。即ち鍍金の前に支持体６０１の表面にパタ
ーン化した鍍金レジスト層を形成し導電性の支持体の露
出したところに鍍金膜を析出してゆく。この方法による
とファインで膜厚の厚いパターンが得られる。配線やビ
アパッドを導電ペーストを印刷して作ってもよく、これ
は非常に簡便な方法である。また、転写時に加圧加熱す
る場合は、導電率が加熱だけで硬化したものよりも上昇
する。

【００５５】また、図９のような転写媒体を用いると第
１のバイアホールと第２のバイアホールの電気的な接続
が確実になる。８０１は第２のバイアホールに充填され
た導電性ペーストである。この８０１は印刷で作ること
ができる。勿論鍍金や他の導電性の膜の形成技術とパタ
ーニング技術を用いて形成してもよい。即ち図７の転写
媒体に比較して、小さな第２のバイアホールへの導電性
ペーストの流れ込み不良を防止できる。図１０は図９の
転写媒体を用いた結果できた両面配線基板の断面図を示
している。この場合は第１のバイアホールと第２のバイ
アホールの導電性材料は異なるが勿論同一でもよい。図
１０において両面配線基板の上下のパターンをずらして
描いたが、これは本実施の形態においては上下のパター
ンの位置合わせはラフでよ良いことを示している。つま
り、大きな第１のバイアホールを本発明では作れるの
で、少々ずれても接続性はよい。そして、このように少
々ずれてもかまわないから、ワークサイズの大きなもの
を作り、最後に分割して製品を得ることが可能となる
（ワークサイズの大きなものは、ビアホール同士ずれが
起こりがちであるから、本発明のようにずれが少々あっ
ても確実に接続できるものなら、ワークサイズを十分大
きくとれることになる。）このようにして本発明ではフ
ァインなパターンとバイアホールであるにも関わらず、
大きなワークサイズで製造できるという長所を発揮す
る。

【００５６】次に、本発明に関連する技術の製造方法の
一つとしての、張り付けフィルム工法について説明す
る。図１１に絶縁層１００１と配線１００２とからなる
フレキシブル配線基板を示す。絶縁層１００１はフィル
ムであり、よく使われるのはポリイミドフィルムであ
る。配線１００２は銅箔をフォトエッチでパターン化し
たものである。１００３の穴は第２のバイアホールとな
るべき穴である。エキシマレーザで開けると簡単であ
る。このような構成のものは穴のおおきさは別にして従
来からTABテープとしてよく知られている。図１２にこ
のフレキシブル配線基板を用いた本実施の形態である両
面配線基板の断面図を示す。

【００５７】次に、図１３に、本発明に関連する技術の
製造方法の一つとしての、基材の上に順次積層してゆく
ビルドアップ工法を示す。この工法においては既に硬化
した第１のバイアホール１２０２を有する既に硬化した
基材１２０１を用いる。基材１２０１の上下面に第２の
バイアホール１２０３を有する絶縁層１２０４を形成
し、鍍金あるいは他の導電膜形成方法によって配線１２
０５を作る。この場合第２のバイアホールに充填される
導電性材料は第１のバイアホール内の導電材料と異な
る。

【００５８】図１４、図１５に示す工法はデープ工法に
良くにているが工程の順序が異なる。図１４のように、
銅箔１３０１に第２のバイアホールとなるべき穴１３０
２を有する絶縁層１３０３を上下２枚用意し、その間
に、第１のバイアホールとなるべき穴に未硬化の導電性
ペーストを充填した未硬化の基材を介在させて、加圧加
熱し硬化一体化する（図１５の工程（Ａ））。さらに、
表面の銅箔をエッチングによりパターン化して両面基板
を得る（図１５の工程（Ｂ））。

【００５９】図１６に多層配線基板の製造方法を示す。
第２図で説明したような両面配線基板１５０１を２枚を
用意し、第１のビアとなるべき穴に導電性ペーストを埋
めた未硬化基材１５０２を、あいだに挟んで真空中で加
圧加熱し（図１６の（Ａ））、導電性ペースト並びに基
材を硬化一体化する（図１６の（Ｂ））。このようにし
て４層配線基板が出来上がる。より多層化は容易であ
り、両面になる。両面配線基板をもう一層重ねれば６層
配線基板になり、２枚の４層配線基板を重ねれば８層配
線基板になる。

【００６０】図１７に示した転写媒体は、別の態様の両
面配線基板を作成するのに有効な転写媒体である。支持
体１６０１の表面に離型処理を施し、その上に絶縁層１
６０２を作り、必要な穴１６０６を開け導電体膜からな
る配線１６０３を積層し、更に、第２のバイアホールと
なるべき穴１６０５をあけて転写媒体を作る。このよう
な転写媒体を２枚用意し、第７図で説明した方法と同じ
ように両面配線基板を作ると、図１８のような物が出来
上がる。但し、出来上がった両面基板の表面は平坦であ
る。

【００６１】図５は、転写工法で作った本発明に関連す
る技術による基板を用いた回路部品実装体である。ここ
に４０７はベアーチップ、４０８はバンプ、４０９はア
ンダーフィル、４１０は図４の多層配線基板である。こ
の回路部品実装体は、配線基板の表面が平坦で、半田ブ
リッジが少なくて歩留まりの良いため高密度小型である
にも関わらず安価である。特に、裸のLSIを本発明に関
連する技術による配線基板の上にフリップチップ実装し
た回路部品実装体は小型高速且つ安価であるという特徴
を有する。

【００６２】図１９は、本発明の一実施の形態である半
導体チップなどの電子部品のパッケージの断面図を示し
ている。片面に銅箔パッド１７０６のある第１のバイア
ホール１７０７を有する基材層１７０４と、前記基材層
１７０４の別の片面に設けられる第２のバイアホール１
７０８を有する絶縁層１７０３と、第２のバイアホール
１７０８の位置に対応して電極１７０２を有する半導体
チップ１７０１とが、上下に積層されている。前記第２
のバイアホール１７０８の断面積が前記第１のバイアホ
ール１７０７の断面積より小さく、前記第１及び第２の
バイアホールが導電性材料１７０５で充填されている。
入出力パッド(電極）１７０２は半導体チップの場合は
通常アルミ電極である。基材層１７０４は絶縁性樹脂か
らなる。絶縁層兼保護膜１７０３は半導体チップ上の絶
縁層兼保護膜であり、チッ化シリコンが一般的である。
チッ化シリコン膜の上にポリイミドのコーティングを施
したものも最近多い。

【００６３】基材層の絶縁性樹脂には現在では多くの樹
脂が知られている。エポキシ樹脂が広くこの分野では使
われている。穴を開けるために感光性をもたせた樹脂も
ある。穴を開けるために最近はレーザを用いることがで
きるために樹脂の選択の幅は広がった。電子部品に用い
られる樹脂として吸湿の少ないことが望まれる。そのよ
うな樹脂も多く開発されている。また、半導体に接触す
る樹脂としては不純物の含有量が少ないものが好まし
い。また、熱膨張係数もシリコンのそれに近いものが望
ましいが、単独でそのような材料はないために、充填剤
を混入させることが多い。

【００６４】アルミ電極と導電性材料との良好な電気的
接続はアルミ電極の表面の酸化膜を除去しておく必要が
ある。導電性ペーストをアルミ電極に接触させる前に逆
スパッタあるいは還元処理によりアルミ表面の酸化膜を
除去する。

【００６５】図１９のパッケージは半導体チップのサイ
ズと同じサイズのパッケージであり小型であるとともに
製法が簡単であるので低コストでもある。導電性材料に
は銀あるいは銅ペーストが使用可能であるが、銅ペース
トが好ましい。

【００６６】図２１に別のパッケージの例を示す。導電
性ペースト１７０５が半田付けできるタイプである場合
は図２１の状態でプリント配線板に実装できるパッケー
ジとして扱える。図２０は図１９の配線基板を底面側か
ら見た斜視図である。

【００６７】半田付け可能な導電性ペースト１７０５と
しては銅紛と樹脂ならびに硬化剤よりなり、その銅紛の
含有率が８５重量％以上が好ましい。硬化した後何も処
理しないで半田付け可能な導電性ペーストも市販されて
いる。通常の銅ペーストでも、硬化後表面の樹脂を機械
的にあるいは化学的に取り除くことによりハンダ付けが
可能になる。簡単な方法としては、表面を機械的に研磨
することによりハンダ付けが可能になる。

【００６８】本発明ではハンダ付けにこだわらない。最
近、鉛公害の防止のために半田を使わずに、導電性ペー
ストで電子部品をプリント配線板に搭載組立しようとす
る試みが盛んである。このパッケージはこのような傾向
にも適合するものである。

【００６９】図１９あるいは図２１の構成のパッケージ
の簡単な製造方法は、絶縁性樹脂シートに電子部品の電
極に対応する位置に貫通穴を開け、この穴に導電性ペー
ストを埋め込み加熱加圧して樹脂ならびに導電性ペース
トを硬化接着する方法がある。 このとき、絶縁性樹脂
シートにアラミド不織布を補強材にしたプリプレーグを
用いると、その圧縮性により加熱加圧時に導電性ペース
トが圧縮され硬化後の導電率が大きくなる特質がある。
絶縁性樹脂シートとして樹脂単体を用いてももちろん良
い。加熱加圧時に樹脂が流動し、圧縮性の絶縁性樹脂シ
ートと同様の効果がある。加圧プロセスが大切である。
また、この加圧プロセスによりアルミ電極の酸化膜を破
ることも可能であり、前以て行う酸化膜除去のプロセス
を省くこともできる。この効果を積極的に利用するため
に、導電性ペーストの中に研磨材を混入することも好ま
しい。

【００７０】容易に理解できることであるが、この構造
のパッケージはチップ単位ではなくウエファー単位で処
理できる。ウエファーをチップに分割する前に前記処理
を行い、後に分割すればよい。したがって、パッケージ
コストは大幅に削減される。本発明の構造は記述した製
造方法に限られないことは明らかである。他の製造方法
が多く考えられる。例えば、半導体ウエファーに絶縁性
樹脂をコーティングし、加熱硬化した後にエキシマレー
ザで絶縁背樹脂に貫通穴を開けアルミ電極を露出し、導
電性ペーストを穴に埋め込んで加熱硬化した後表面を研
磨すると言う方法もある。

【００７１】以上述べた様に、本発明に関連する発明と
して、第１の発明は、第１のバイアホールを有する基材
層と前記基材層の少なくとも一面に設けられる第２のバ
イアホールを有する絶縁層とがあり、前記第２のバイア
ホールの断面積が前記第１のバイアホールの断面積より
小さく、前記第１及び第２のバイアホールが導電性材料
で充填されていることを特徴とする配線基板であり、第
１のバイアホールが大きいにも関わらずよりファインな
配線とバイアホール接続が可能となる。

【００７２】また、第２の発明は、上記第１の発明にお
いて導電性材料が導電性ペーストであることを特徴とし
ており、これにより上記第１の発明の構成は容易に実現
できる。

【００７３】また、第３の発明は、上記第１の発明にお
いて第１のバイアホールと第２のバイアホールに充填さ
れた導電性材料が同一であることを特徴としており、製
造が簡単である。

【００７４】また、第４の発明は、第１のバイアホール
と第２のバイアホールに充填された導電性材料が異なる
ことを特徴としており、小さい第２のバイアホールの電
気的接続の信頼性を確保しやすい構成となっている。

【００７５】また、第５の発明は、絶縁層が基材層の両
面に設けられたことを特徴としており、第１のバイアホ
ールが大きいにも関わらずこのバイアホールに邪魔され
ずにファインな配線の両面基板が実現できる。

【００７６】また、第６の発明は、前記絶縁層の外側に
配線部を設けたことを特徴としており表層に使うと有効
である。

【００７７】また、第７の発明は、前記絶縁層の内部に
配線層を設けたことを特徴としており、多層配線基板を
作るのに有効である。

【００７８】また、第８の発明は、前記絶縁層が複数の
層からなることを特徴としており、絶縁層の内部に配線
層を閉じ込める簡単な構成を示している。

【００７９】また、第９の発明は、第１のバイアホール
を有する基材層と前記基材層の少なくとも一面に設けら
れる第２のバイアホールを有する絶縁層とがあり、前記
第２のバイアホールの断面積が前記第１のバイアホール
の断面積より小さく、前記第１及び第２のバイアホール
が導電性材料で充填されている配線層を複数枚重ねたこ
とを特徴としており、各配線層を電気的に接続する第１
のバイアホールは大きいにも関わらず、配線層はファイ
ンな構造を保つことができるため、大変高密度な多層配
線基板になる。

【００８０】また、第１０の発明は、第１のバイアホー
ルを有する基材層と前記基材層の少なくとも一面に設け
られる第２のバイアホールを有する絶縁層とがあり、前
記第２のバイアホールの断面積が前記第１のバイアホー
ルの断面積より小さく、前記第１及び第２のバイアホー
ルが導電性材料で充填されている配線層を有する両面配
線基板あるいは多層配線基板と該配線基板上に実装され
た回路部品とを備えた回路部品実装体であり、高密度の
実装体を得ることができる。

【００８１】また、第１１の発明は、回路部品がベアー
ICを含むことを特徴とする回路部品実装体であり、高密
度で安価なMCMを実現できる。

【００８２】また、第１２の発明は、半導体チップなど
の電子部品のパッケージであり低コストの小型パッケー
ジを提供する。

【００８３】また、第１３の発明は、より低コストの電
子部品のパッケージを提供する。また同請求項１４に記
載の発明は、電極の表面が酸化しやすい電子部品にも適
用できるパッケージを提供する。

【００８４】また、第１５の発明は、より簡単で低コス
トのパッケージを提供する。

【００８５】また、第１６の発明は、熱膨張係数の異な
る基板への搭載の際にも応力を吸収できる接続信頼性の
高いパッケージを提供する。

【００８６】また、第１７の発明は、半田付けのできな
いアルミ電極を有する電子部品のパッケージを供給す
る。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、例えば、第１のバイアホールを有する基
材層と前記基材層の少なくとも一面に設けられる第２の
バイアホールを有する絶縁層とからなっており、前記第
２のバイアホールの断面積が前記第１のバイアホールの
断面積より小さく作ってあるために、第１のバイアホー
ルが大きいにも関わらずファインな配線パターンを形成
することが出来るとともにワークサイズを大きくできる
ために安価な基板を提供する。また、パッケージの場合
でもウエファー単位で処理できるために安価なパーッケ
ージが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関連する技術の一実施の形態における
両面配線基板の断面図

【図２】本発明に関連する技術の一実施の形態におけ
る、配線層を絶縁層の内部に設けた両面配線基板の断面
図

【図３】本発明に関連する技術の一実施の形態におけ
る、絶縁層を基材の片面にのみ設けた配線基板の断面図

【図４】本発明に関連する技術の一実施の形態である多
層配線基板（４層は緯線板）の断面図

【図５】転写工法で作った本発明に関連する技術の一実
施の形態の基板を用いた回路部品実装体を説明するため
の図

【図６】本発明に関連する技術の多層配線基板の他の実
施の形態を説明するための図

【図７】本発明に関連する技術の一実施の形態の転写媒
体の一例を説明するための図

【図８】本発明に関連する技術の一実施の形態の転写工
法の一例を説明するための図

【図９】本発明に関連する技術の一実施の形態の転写媒
体の一例を説明するための図

【図１０】図９の転写媒体を用いた結果できた両面配線
基板の断面図

【図１１】本発明に関連する技術の一実施の形態に用い
るフレキシブル配線基板を示す図

【図１２】フレキシブル配線基板を用いた本発明に関連
する技術の一実施の形態の両面基板の断面図

【図１３】本発明に関連する技術の一実施の形態のビル
ドアップ工法の一例を説明するための図

【図１４】本発明に関連する技術の一実施の形態に用い
る絶縁層付き銅箔を説明するための図

【図１５】図１４の銅箔を用いた工法を示す図

【図１６】本発明に関連する技術の一実施の形態の多層
配線基板の製造法の一例を説明するための図

【図１７】本発明に関連する技術の一実施の形態の転写
媒体を示す図

【図１８】図１７に示した転写媒体を２枚用意して両面
配線基板を作ったものを示す図

【図１９】本発明の一実施の形態の半導体チップなどの
小型パッケージの一例を示す図

【図２０】図１９のパッケージの斜視図

【図２１】本発明の一実施の形態の半導体チップなどの
別の小型パッケージの一例を示す図

【符号の説明】

１０１ 基材層 １０２、１０３、１０５ バイヤホール １０４ 絶縁層 １０６ パッド １０７ 配線部 １０８ 配線間隔 ２０１ 両面基板 ２０２ 絶縁層 ２０３ 穴

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１のバイアホールを有する基材層と、
   第２のバイアホールを有する絶縁層と、前記第２のバイ
   アホールの位置に対応して電極を有する電子部品とを備
   え、前記基材層と前記電子部品との間に前記絶縁層があ
   り、前記第１のバイアホールと前記第２のバイアホール
   が接続され、前記第２のバイアホールの断面積が前記第
   １のバイアホールの断面積より小さく、前記第１及び第
   ２のバイアホールが導電性材料で充填されていることを
   特徴とする電子部品パッケージ。
2. 【請求項２】 前記電子部品の電極の大きさが、前記第
   １のバイアホールの断面積よりも小さいことを特徴とす
   る請求項１記載の電子部品パッケージ。
3. 【請求項３】 前記第１のバイアホールを基準として、
   前記第２のバイアホールと接続されている前記第１のバ
   イアホールの面と反対側の面には、電極パッドが備えら
   れていることを特徴とする請求項１記載の電子部品パッ
   ケージ。
4. 【請求項４】 前記導電性材料が、半田付け可能な材料
   であることを特徴とする請求項１記載の電子部品パッケ
   ージ。
5. 【請求項５】 前記導電性材料が、導電性ペーストであ
   ることを特徴とする請求項１記載の電子部品パッケー
   ジ。
6. 【請求項６】 前記第１のバイアホールに充填された導
   電性材料と、前記第２のバイアホールに充填された導電
   性材料とが、同一であることを特徴とする請求項１記載
   の電子部品パッケージ。
7. 【請求項７】 前記第１のバイアホールに充填された導
   電性材料と、前記第２のバイアホールに充填された導電
   性材料とが、異なることを特徴とする請求項１記載の電
   子部品パッケージ。
8. 【請求項８】 前記絶縁層及び前記導電性材料が可撓性
   を有するものであることを特徴とする請求項１〜７のい
   ずれかに記載の電子部品パッケージ。
9. 【請求項９】 表面に所定の電極を有する電子部品を、
   前記電子部品の電極に対応する位置に導電性材料が埋め
   込まれた第１のバイアホールを有する基材層に加熱加圧
   することで、前記基材層と前記電子部品との間に第２の
   バイアホールを有する絶縁層を備え、かつ前記第２のバ
   イアホールの断面積が前記第１のバイアホールの断面積
   より小さく、前記第２のバイアホールと前記第１のバイ
   アホールが接続されている電子部品のパッケージを形成
   することを特徴とする電子部品のパッケージの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記絶縁層は、圧縮性を有する絶縁性
    樹脂層であることを特徴とする請求項９記載の電子部品
    のパッケージの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記絶縁層は、絶縁性樹脂層であり、
    且つアラミド不織布を補強材とするプリプレーグである
    ことを特徴とする請求項１０記載の電子部品のパッケー
    ジの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第２のバイアホールに前記導電性
    材料と同一又は異なる導電性材料が、予め埋め込まれて
    いることを特徴とする請求項９記載の電子部品のパッケ
    ージの製造方法。