JP3244181B2 - Method of forming fine pattern - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a fine pattern, and more particularly to a method for forming a fine pattern on a workpiece with high precision and efficiency in a fine processing step such as a semiconductor process. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。例えば、カラー液晶ディスプレー（ＬＣＤ）
に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通常、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理からなる
フォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返すこと
により製造されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the processing steps of a thin film transistor, a thin film diode, a solar cell, a thin film sensor, various semiconductor elements, etc., a fine pattern is formed on a workpiece, and then the workpiece is processed by etching. That was being done. For example, color liquid crystal display (LCD)
The thin film transistor (TFT) used in the above is usually manufactured by repeating a photolithography process including resist coating, exposure, development, and etching about 4 to 6 times.
【０００３】また、上述のフォトリソグラフィー法とは
異なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるプリント配線、回路パターンの
形成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターン
の形成に際しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷
法等が用いられている。Further, unlike the above-described photolithography method, a printing method in which a resist pattern is formed on a workpiece by printing and the etching process is repeated is widely used. In forming a printed wiring and a circuit pattern by this printing method or forming a resist pattern for etching a metal plate, a screen printing method, an offset printing method, or the like is used.
【０００４】また、基板上に形成した有機レジスト膜を
所定の微細パターンを有するフォトマスクを介して露光
・現像してマスキング層とし、このマスキング層が形成
されていない部分（凹部）にメッキ層を形成し、次に、
このメッキ層を被加工物に転写してレジストパターンを
形成し、その後、エッチング処理を行う方法がある。An organic resist film formed on a substrate is exposed and developed through a photomask having a predetermined fine pattern to form a masking layer, and a plating layer is formed on a portion (recess) where the masking layer is not formed. Form, then
There is a method in which the plating layer is transferred to a workpiece to form a resist pattern, and thereafter, an etching process is performed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
４０インチあるいは７０インチといった大型のＬＣＤを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。However, when a large LCD such as 40 inches or 70 inches is manufactured by the photolithography method, a dedicated apparatus including a large exposure apparatus used in the photolithography process is required. The costs are enormous.
【０００６】一方、上述の印刷法は、印刷によるレジス
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のＬＣＤ製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が２００μｍ未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。On the other hand, the above-mentioned printing method can relatively easily cope with the manufacture of a large-sized LCD as described above by repeatedly forming a resist pattern by printing and etching. However, in the printing method, the printing pattern is easily deformed due to the influence of the fluidity of the ink, the pressure of the plate, etc., and that a part of the ink does not transfer to the workpiece and remains on the plate. Poor dimensional accuracy and reproducibility,
There is a problem that the image is not suitable for forming a fine pattern having a size of less than 200 μm.
【０００７】さらに、凹部内のメッキ層を被加工物に転
写してレジストパターンを形成する方法では、基板上に
形成されたマスキング層が有機レジストからなるため、
被加工物へのメッキ層の転写回数（耐刷回数）が低いと
いう問題があった。本発明は、上述のような事情に鑑み
てなされたものであり、線幅が微細であるとともに、膜
厚も適度な微細パターンを高い精度で効率よく形成する
ことのできる微細パターンの形成方法を提供することを
目的とする。Further, in the method of forming a resist pattern by transferring a plating layer in a recess to a workpiece, a masking layer formed on a substrate is made of an organic resist.
There has been a problem that the number of transfers of the plating layer to the workpiece (the number of times of printing) is low. The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and has a fine line width and a film thickness, a method for forming a fine pattern capable of efficiently forming a fine pattern with an appropriate thickness with high accuracy. The purpose is to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は少なくとも表面が導電性を示す基板
上に形成した無機レジスト膜上に有機レジストを成膜
し、所望の微細パターンを有するフォトマスクを介して
該有機レジスト膜を露光・現像して前記無機レジスト膜
上に有機レジストパターンを形成し、該有機レジストパ
ターンを介して前記無機レジスト膜をエッチングして前
記基板上に無機レジストからなるマスキング層を形成
し、更に有機レジストを除去し、その後、前記基板のマ
スキング層非形成部にメッキ層を形成し、該メッキ層を
被加工物に転写させ、その後同様のメッキ層を形成し、
繰り返し該メッキ層を被加工物に転写させるような構成
とした。According to the present invention, an organic resist is formed on an inorganic resist film formed on a substrate having at least a conductive surface, and a desired fine pattern is formed. Exposing and developing the organic resist film through a photomask having an organic resist pattern on the inorganic resist film, etching the inorganic resist film through the organic resist pattern to form an inorganic resist on the substrate. forming a masking layer made of resist, further organic resist is removed, then, to form a main Tsu key layer on the masking layer non-formation portion of the substrate, is transferred to the plating layer to the workpiece, then a similar plating Form a layer,
The configuration was such that the plating layer was repeatedly transferred to the workpiece .
【０００９】[0009]
【作用】基板表面に形成された無機レジスト膜上には有
機レジスト膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の
微細パターンを有するフォトマスクを介して露光・現像
されて有機レジストパターンとされ、この有機レジスト
パターンを介して無機レジスト膜がエッチングされてマ
スキング層が形成され、その後、基板のマスキング層非
形成部に形成されたメッキ層は被加工物に転写される。
これにより、基板上には無機レジストからなるマスキン
グ層が形成され、基板のマスキング層非形成部にメッキ
層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する際のマ
スキング層の耐久性が高く、一つの基板の耐刷回数が大
幅に増大する。An organic resist film is formed on an inorganic resist film formed on a substrate surface, and the organic resist film is exposed and developed through a photomask having a desired fine pattern to form an organic resist pattern. The masking layer is formed by etching the inorganic resist film via the organic resist pattern, and then the plating layer formed on the portion of the substrate where the masking layer is not formed is transferred to the workpiece.
As a result, a masking layer made of an inorganic resist is formed on the substrate, a plating layer is formed on a portion of the substrate where no masking layer is formed, and the durability of the masking layer when transferring this plating layer to a workpiece is high. In addition, the number of times a single substrate can be printed is greatly increased.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の微細パターン形成に使用す
るマスキング層を備えた基板の形成方法を説明するため
の図である。図１において、導電性を有する基板１に無
機レジスト層２を形成し、この無機レジスト層２上にネ
ガレジストである有機レジスト層３を形成する（図１
（ａ））。次に、有機レジスト層３に所定の黒部パター
ン４ａを備えたフォトマスク４を重ね、このフォトマス
ク４を介して有機レジスト層３に紫外線を照射する（図
１（ｂ））。その後、現像して有機レジスト層３のうち
黒部パターン４ａにより紫外線が照射されなかった部分
の有機レジスト層３を除去して凹部３ａを有する有機レ
ジストパターン３′を形成する（図１（ｃ））。そし
て、有機レジストパターン３′の凹部３ａを介して無機
レジスト層２をエッチングし（図１（ｄ））、その後、
有機レジストパターン３′を除去することにより無機レ
ジストからなり凹部２ａを有するマスキング層２′を形
成する（図１（ｅ））。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view for explaining a method of forming a substrate having a masking layer used for forming a fine pattern according to the present invention. In FIG. 1, an inorganic resist layer 2 is formed on a substrate 1 having conductivity, and an organic resist layer 3 as a negative resist is formed on the inorganic resist layer 2.
(A)). Next, a photomask 4 having a predetermined black portion pattern 4a is overlaid on the organic resist layer 3, and the organic resist layer 3 is irradiated with ultraviolet rays through the photomask 4 (FIG. 1B). Thereafter, the organic resist layer 3 is developed to remove the organic resist layer 3 in a portion of the organic resist layer 3 which has not been irradiated with ultraviolet rays by the black portion pattern 4a, thereby forming an organic resist pattern 3 'having a concave portion 3a (FIG. 1 (c)). . Then, the inorganic resist layer 2 is etched through the concave portion 3a of the organic resist pattern 3 '(FIG. 1 (d)).
By removing the organic resist pattern 3 ', a masking layer 2' made of an inorganic resist and having a concave portion 2a is formed (FIG. 1E).
【００１１】図２は上述のようにして形成されたマスキ
ング層を備える基板を用いての微細パターンの形成方法
を説明するための図である。図２において、まず、導電
性を有する基板１のマスキング層２′非形成部（凹部２
ａ）にメッキ層５を形成する（図１（ａ））。このメッ
キ層５は、図示のようにマスキング層２′よりも若干突
出するように、すなわち、メッキ層５の層厚がマスキン
グ層２′の層厚よりも大となるように形成される。通
常、メッキ層５のマスキング層２′からの突出量は０．
１〜０．５μｍ程度が好ましい。その後、メッキ層５と
被加工物６とを密着させ（図１（ｂ））、メッキ層５を
被加工物６に転写させて微細パターンを形成する（図１
（ｃ））。FIG. 2 is a diagram for explaining a method of forming a fine pattern using a substrate having a masking layer formed as described above. In FIG. 2, first, the masking layer 2 ′ non-formed portion (the concave portion 2) of the substrate 1 having conductivity is formed.
In FIG. 1A, a plating layer 5 is formed (FIG. 1A). The plating layer 5 is formed so as to slightly protrude from the masking layer 2 'as shown in the drawing, that is, so that the layer thickness of the plating layer 5 is larger than the layer thickness of the masking layer 2'. Normally, the amount of protrusion of the plating layer 5 from the masking layer 2 'is 0.1 mm.
It is preferably about 1 to 0.5 μm. Thereafter, the plating layer 5 is brought into close contact with the workpiece 6 (FIG. 1B), and the plating layer 5 is transferred to the workpiece 6 to form a fine pattern (FIG. 1).
(C)).
【００１２】このように、本発明ではマスキング層が無
機レジストからなっているため、マスキング層の凹部に
メッキ層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する
際にマスキング層が基板から剥離することがなく、上記
の転写操作を繰り返し行うことができる。そして、図３
に示されるようにメッキ層５からなる微細パターンが形
成された被加工物６（図３（ａ））は、メッキ層５をレ
ジストとしてエッチング処理がなされ（図３（ｂ））、
その後、メッキ層５が被加工物６から剥離される（図３
（ｃ））。As described above, in the present invention, since the masking layer is made of an inorganic resist, a plating layer is formed in a concave portion of the masking layer, and when the plating layer is transferred to a workpiece, the masking layer is peeled from the substrate. The transfer operation described above can be performed repeatedly without performing the above. And FIG.
The workpiece 6 (FIG. 3A) on which the fine pattern composed of the plating layer 5 is formed as shown in FIG. 3 is etched using the plating layer 5 as a resist (FIG. 3B).
Thereafter, the plating layer 5 is peeled from the workpiece 6 (FIG. 3).
(C)).
【００１３】また、図４に示されるように、被加工物６
として表面にフォトレジスト７を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、図２のようにして被加工物６
のフォトレジスト７上にメッキ層５からなる微細パター
ンを形成し（図４（ａ））、メッキ層５をフォトマスク
としてフォトレジスト７の露光・現像を行う（図４
（ｂ））。その後、メッキ層５がフォトレジスト７から
剥離され（図４（ｃ））、フォトレジスト７を介して被
加工物６のエッチング処理がなされ（図４（ｄ））、そ
の後、フォトレジスト７が被加工物６から剥離される
（図４（ｅ））。Further, as shown in FIG.
The surface of which is coated with a photoresist 7 can be used. In this case, as shown in FIG.
A fine pattern consisting of the plating layer 5 is formed on the photoresist 7 (FIG. 4A), and the photoresist 7 is exposed and developed using the plating layer 5 as a photomask (FIG. 4).
(B)). Thereafter, the plating layer 5 is peeled off from the photoresist 7 (FIG. 4C), and the workpiece 6 is etched through the photoresist 7 (FIG. 4D). It is peeled from the workpiece 6 (FIG. 4E).
【００１４】また、基板として導電性のない基板に導電
膜を形成したものを用いて図１に示されるのと同様の操
作により、基板の導電膜上述にマスキング層を形成する
ことができる。また、図５に示されるように、基板とし
て導電性を有するブランケット１１を使用することがで
きる。この場合、ブランケット１１の周面に、図１に示
されるのと同様にして所定パターンでマスキング層１
２′を形成し、マスキング層非形成部（凹部）１２ａに
メッキ層１５を形成する。そして、ブランケット１１を
被加工物１６上で回転動させてメッキ層１５を被加工物
１６に転写して微細パターンを形成することができる。
また、導電性のないブランケットの周面に導電膜を形成
し、図５に示されるのと同様にして導電膜上にマスキン
グ層を形成し、マスキング層非形成部（凹部）にメッキ
層を形成することもできる。Further, the masking layer can be formed as described above with reference to FIG. 1 by using a substrate obtained by forming a conductive film on a non-conductive substrate. In addition, as shown in FIG. 5, a blanket 11 having conductivity can be used as a substrate. In this case, the masking layer 1 is formed on the peripheral surface of the blanket 11 in a predetermined pattern in the same manner as shown in FIG.
2 'is formed, and a plating layer 15 is formed in the masking layer non-forming portion (recess) 12a. Then, the blanket 11 is rotated on the workpiece 16 to transfer the plating layer 15 to the workpiece 16 to form a fine pattern.
Also, a conductive film is formed on the peripheral surface of the non-conductive blanket, a masking layer is formed on the conductive film in the same manner as shown in FIG. 5, and a plating layer is formed on the masking layer non-formed portion (recess). You can also.
【００１５】さらに、本発明では被加工物のメッキ層が
転写される面に予め粘着層を形成しておいてもよい。本
発明においては、導電性を有する基板としてステンレス
等の金属板、鉄鋼、亜鉛およびその合金、銅およびその
合金、マグネシウムおよびその合金等を使用することが
できる。また、非導電性の基板としては、ガラス板、プ
ラスチック、樹脂フィルム等を使用することがでる。そ
して、このような非導電性の基板に設けられる導電膜
は、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、カーボ
ン等により形成することができる。また、マスキング層
が形成される基板面、あるいはマスキング層が形成され
る非導電性基板上の導電膜面は、ある程度の鏡面処理が
施されていることが好ましい。これは、上述のようにメ
ッキ層を被加工物に転写するに際して、メッキ層を基板
から容易に剥離させるためである。Further, in the present invention, an adhesive layer may be formed in advance on the surface of the workpiece to which the plating layer is to be transferred. In the present invention, a metal plate such as stainless steel, steel, zinc and its alloy, copper and its alloy, magnesium and its alloy, and the like can be used as the conductive substrate. Further, as the non-conductive substrate, a glass plate, a plastic, a resin film, or the like can be used. The conductive film provided on such a non-conductive substrate can be formed using tin oxide, indium tin oxide (ITO), carbon, or the like. In addition, it is preferable that the mirror surface treatment is performed to some extent on the substrate surface on which the masking layer is formed or on the conductive film surface on the non-conductive substrate on which the masking layer is formed. This is because the plating layer is easily separated from the substrate when the plating layer is transferred to the workpiece as described above.
【００１６】マスキング層を構成する無機レジスト膜
は、シリカ（ＳｉＯ2）薄膜、チッ化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）薄膜、酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）、９６％アルミ
ナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステライト薄膜等の電気
絶縁性の高い薄膜であってよい。このような無機レジス
ト膜は、例えばイオンプレーティング法、真空蒸着法、
スパッタリング法、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の
各種の薄膜形成法により基板１上に形成することができ
る。このように形成される無機レジスト膜（マスキング
層）の厚さは、０．１０〜１．０μｍ程度が好ましい。The inorganic resist film constituting the masking layer includes a silica (SiO 2 ) thin film, silicon nitride (SiN)
x) A thin film having a high electrical insulation property such as a thin film, tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), a 96% alumina thin film, a beryllia thin film, a forsterite thin film, etc. may be used. Such an inorganic resist film is, for example, an ion plating method, a vacuum deposition method,
It can be formed on the substrate 1 by various thin film forming methods such as a sputtering method and a chemical vapor deposition method (CVD method). The thickness of the inorganic resist film (masking layer) thus formed is preferably about 0.10 to 1.0 μm.
【００１７】無機レジスト膜上に形成される有機レジス
ト膜は公知の有機フォトレジストを使用することがで
き、例えばゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール
等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げるこ
とができる。メッキ層の形成材料としては、電気メッキ
材料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料（高分
子材料）等の導電性材料を使用することができる。As the organic resist film formed on the inorganic resist film, a known organic photoresist can be used, for example, a film obtained by adding a photosensitive agent such as dichromate to gelatin, casein, polyvinyl alcohol or the like. be able to. As a material for forming the plating layer, a metal generally used for an electroplating material or a conductive material such as an organic material (polymer material) can be used.
【００１８】金属材料としては、特にメッキ層の成膜性
に優れることよりＮｉ，Ｃｒ，Ｆｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｓｎまたはこれらの化合物、合金類等を好適
に使用することができる。また、有機材料（高分子材
料）としては、例えばピロールやチオフェンを用いて電
極上に形成されるポリピロール、ポリチエニレンの導電
性高分子被膜を用いることができる。As the metal material, Ni, Cr, Fi, Au, Ag, C,
u, Zn, Sn or their compounds, alloys and the like can be suitably used. As the organic material (polymer material), for example, a conductive polymer film of polypyrrole or polythienylene formed on an electrode using pyrrole or thiophene can be used.
【００１９】このようなメッキ層は、上述のようにマス
キング層よりも若干突出するように形成される。これに
より、メッキ層が被加工物と確実に接触して転写が確実
に行われることになる。次に、実験例を示して本発明を
更に詳細に説明する。 （実験例）ステンレス製の基板（ＳＵＳ３０４、厚さ
０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）の表面
に、ＥＢ蒸着法により膜厚１５００ÅのＳｉＯ2薄膜を
形成した。次に、このＳｉＯ2 薄膜上にスピンコート法
（回転数２０００ｒｐｍ）によりネガレジストＯＭＲ８
５（東京応化工業（株）製、粘度３５ｃｐ）を塗布し、
８０〜９０℃にて２５分間の熱処理（プリベーク）を行
ってネガレジスト膜（厚さ１．０μｍ）を形成した。Such a plating layer is formed so as to slightly protrude from the masking layer as described above. As a result, the plated layer is reliably brought into contact with the workpiece, so that the transfer is reliably performed. Next, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples. (Experimental Example) A 1500 ° -thick SiO 2 thin film was formed on the surface of a stainless steel substrate (SUS304, thickness 0.1 mm, size 150 mm × 150 mm) by EB evaporation. Next, a negative resist OMR8 is formed on this SiO 2 thin film by a spin coating method (2,000 rpm).
5 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., viscosity 35 cp)
Heat treatment (prebaking) was performed at 80 to 90 ° C. for 25 minutes to form a negative resist film (thickness: 1.0 μm).
【００２０】次に、このネガレジスト膜に線幅５μｍの
所定形状の微細パターンを有するフォトマスクを介して
常温で紫外線を照射して露光を行い、その後、現像、乾
燥し、さらに１５０℃にて３０分間の熱処理（ポストベ
ーク）を行ってレジストパターンを形成した。そして、
このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング
装置を用いてＳｉＯ2 薄膜のエッチングを行い、ＯＭＲ
剥離液（１２０℃）に約２分間浸漬してレジストパター
ンを剥離し、ＳｉＯ2 薄膜からなるマスキング層を形成
した。Next, the negative resist film is exposed to ultraviolet rays at room temperature through a photomask having a fine pattern of a predetermined shape having a line width of 5 μm, and is exposed to light. Heat treatment (post-bake) for 30 minutes was performed to form a resist pattern. And
Using this resist pattern as a mask, the SiO 2 thin film is etched using a dry etching apparatus, and the OMR
The resist pattern was stripped by dipping in a stripping solution (120 ° C.) for about 2 minutes to form a masking layer made of a SiO 2 thin film.
【００２１】次に、Ｎｉ板を陽極、基板を陰極とし、下
記の条件で基板のマスキング層非形成部にＮｉメッキ層
（厚さ１μｍ）を形成し、水洗後、乾燥した。 ・メッキ浴組成 … 硫酸ニッケル：２４０〜３４０ｇ
／ｌ 塩化ニッケル：４５ｇ／ｌ 硼 酸 ：３０〜３８ｇ／ｌ ・メッキ浴ｐＨ … ３〜４ ・メッキ浴温度 … ４０〜６０℃ ・電流密度 … ２．５〜５Ａ／cm2 そして、この基板上にセロテープを貼り付け、その後、
このセロテープを剥離してＮｉメッキ層をセロテープに
転写した。この転写において、ＳｉＯ2 薄膜からなるマ
スキング層はセロテープに取られることなくステンレス
基板上に在った。このようなメッキ・転写操作を反復し
たところ、反復回数が１００回となるまでマスキング層
の剥離はみられず、優れた耐刷性が確認された。 （比較例）実験例と同様の基板上にかけ流し法により有
機レジスト・カゼイン感光液Ｒ−１５（富士薬品工業
（株）製、粘度２０ｃｐ）を塗布し、赤外線を照射して
乾燥させて有機レジスト・カゼイン膜（厚さ１．０μ
ｍ）を形成した。Next, using a Ni plate as an anode and a substrate as a cathode, a Ni plating layer (thickness: 1 μm) was formed on the portion of the substrate where no masking layer was formed under the following conditions, washed with water, and dried.・ Plating bath composition… Nickel sulfate: 240-340g
/ L Nickel chloride: 45 g / l Boric acid: 30-38 g / l-Plating bath pH ... 3-4-Plating bath temperature ... 40-60 ° C-Current density ... 2.5-5 A / cm 2 And on this substrate Paste the cellophane tape, then
The cellophane tape was peeled off, and the Ni plating layer was transferred to the cellophane tape. In this transfer, the masking layer composed of the SiO 2 thin film was present on the stainless steel substrate without being adhered to the cellophane tape. When such plating / transfer operations were repeated, no peeling of the masking layer was observed until the number of repetitions reached 100, and excellent printing durability was confirmed. (Comparative Example) An organic resist casein photosensitive solution R-15 (manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd., viscosity: 20 cp) was applied on the same substrate as in the experimental example by a casting method, and dried by irradiating infrared rays.・ Casein membrane (thickness 1.0μ)
m) was formed.
【００２２】次に、実験例で使用したフォトマスクを介
して常温で紫外線を照射して有機レジスト・カゼイン膜
の露光を行い、その後、６０〜６５℃の水で現像を行
い、４００℃にて２分間の熱処理（ポストベーク）を行
ってレジストパターン（マスキング層）を形成した。そ
して、実験例と同様にして基板のマスキング層非形成部
にＮｉメッキ層を形成した。そして、実験例と同様にし
てＮｉメッキ層をセロテープに転写したところ、２回目
のメッキ・転写操作においてマスキング層が剥離してセ
ロテープに取られてしまい、反復性のないことが確認さ
れた。Next, the organic resist casein film is exposed by irradiating ultraviolet rays at room temperature through the photomask used in the experimental example, and then developed with water at 60 to 65 ° C. Heat treatment (post-bake) was performed for 2 minutes to form a resist pattern (masking layer). Then, a Ni plating layer was formed on the portion of the substrate where no masking layer was formed in the same manner as in the experimental example. Then, when the Ni plating layer was transferred to cellophane tape in the same manner as in the experimental example, it was confirmed that the masking layer was peeled off and taken up by cellophane tape in the second plating / transfer operation, and that there was no repeatability.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板表面に形成された無機レジスト膜上には有機レジスト
膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の微細パター
ンを有するフォトマスクを介して露光・現像されて有機
レジストパターンとされ、この有機レジストパターンを
介して無機レジスト膜がエッチングされて基板上には無
機レジストからなるマスキング層が形成され、基板のマ
スキング層非形成部にメッキ層を形成し、このメッキ層
を被加工物に転写する際のマスキング層の耐久性が高
く、一つの基板の耐刷回数が大幅に増大する。As described in detail above, according to the present invention, an organic resist film is formed on an inorganic resist film formed on a substrate surface, and this organic resist film is used as a photomask having a desired fine pattern. Exposed and developed to form an organic resist pattern, the inorganic resist film is etched through the organic resist pattern, a masking layer made of an inorganic resist is formed on the substrate, and plating is performed on a portion of the substrate where no masking layer is formed. When a layer is formed and the plating layer is transferred to a workpiece, the durability of the masking layer is high, and the number of times of printing on one substrate is greatly increased.
【図１】図１は本発明の微細パターン形成に使用するマ
スキング層を備えた基板の形成方法を説明するための図
である。FIG. 1 is a view for explaining a method for forming a substrate having a masking layer used for forming a fine pattern according to the present invention.
【図２】図２は本発明の微細パターンの形成方法を説明
するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a method for forming a fine pattern according to the present invention.
【図３】図３は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an etching process on a workpiece on which a fine pattern is formed.
【図４】図４は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an etching process on a workpiece on which a fine pattern is formed.
【図５】図５は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。FIG. 5 is a view for explaining another example of the fine pattern forming method of the present invention.
１ 基板 ２ 無機レジスト膜 ２′ マスキング層 ２ａ 凹部（マスキング層非形成部） ３ 有機レジスト膜 ３′ 有機レジストパターン ４ フォトマスク ５ メッキ層 ６ 被加工物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Inorganic resist film 2 'Masking layer 2a Depressed part (masking layer non-forming part) 3 Organic resist film 3' Organic resist pattern 4 Photomask 5 Plating layer 6 Workpiece
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−194488（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−30196（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−2394（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−119791（ＪＰ，Ａ) 特公 昭35−2329（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/20 G02F 1/1343 G02F 1/136 500 G03F 7/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-59-194488 (JP, A) JP-A-2-30196 (JP, A) JP-A-64-2394 (JP, A) JP-A 60-194 119791 (JP, A) JP-B 35-2329 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/20 G02F 1/1343 G02F 1/136 500 G03F 7/26
Claims (1)
形成した無機レジスト膜上に有機レジストを成膜し、所
望の微細パターンを有するフォトマスクを介して該有機
レジスト膜を露光・現像して前記無機レジスト膜上に有
機レジストパターンを形成し、該有機レジストパターン
を介して前記無機レジスト膜をエッチングして前記基板
上に無機レジストからなるマスキング層を形成し、更に
有機レジストを除去し、その後、前記基板のマスキング
層非形成部にメッキ層を形成し、該メッキ層を被加工物
に転写させ、その後同様のメッキ層を形成し、繰り返し
該メッキ層を被加工物に転写させることを特徴とする微
細パターンの形成方法。An organic resist is formed on an inorganic resist film formed on a substrate having at least a surface having conductivity, and the organic resist film is exposed and developed through a photomask having a desired fine pattern. the inorganic resist film and the organic resist pattern is formed on, and etching the inorganic resist film via an organic resist pattern to form a masking layer made of an inorganic resist on the substrate, further
The organic resist is removed, then main Tsu key layer is formed on the masking layer non-formation portion of the substrate, the plated layer is transferred to the workpiece, then to form a similar plating layer, repeating
A method for forming a fine pattern , comprising transferring the plating layer to a workpiece .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4495291A JP3244181B2 (en) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | Method of forming fine pattern |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04282890A JPH04282890A (en) | 1992-10-07 |
| JP3244181B2 true JP3244181B2 (en) | 2002-01-07 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244181B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407345B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-06-18 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of production thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217245A (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sharp Corp | Electronic component and its manufacturing method |
| JP4654383B2 (en) * | 2005-03-11 | 2011-03-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Stencil mask and manufacturing method thereof |
| CN102540565B (en) * | 2012-03-20 | 2015-04-08 | 友达光电（苏州）有限公司 | Color filtering substrate with functions of solar battery and display panel |
-
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- 1991-03-11 JP JP4495291A patent/JP3244181B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6407345B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-06-18 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of production thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04282890A (en) | 1992-10-07 |
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