JP3243583B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の画素を縦横に配
列し、各画素毎にスイッチング素子を配してアクティブ
マトリクス駆動する液晶表示装置に関する発明である。
【0002】
【従来の技術】近年高精細な画像表示を目的とし、膨大
な数の画素を高周波数で駆動する手段としてアクティブ
マトリクス型の駆動方法が知られている。この方式は、
各画素毎にスイッチング素子、例えばトランジスタを配
し、ドレイン電極を各画素の画素電極に接続し、各列毎
にソース電極を、各行毎にゲート電極を共通に接続し、
1走査線ずつ選択して順次ゲート電極をオンし、同時に
各表示信号線に映像信号を入力し、選択された走査線に
接続されたトランジスタを介して画素電極に映像信号を
入力して表示を行なう方式である。
【0003】図に従来のアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の回路図を示す。図中1は走査信号線、2は
表示信号線、4は画素のスイッチングを行なう薄膜トラ
ンジスタ(以下「TFT」と記す)、7は液晶、10は
表示信号線のスイッチングを行なうTFT、11は垂直
シフトレジスタ、12は水平シフトレジスタ、9は映像
信号線である。
【0004】図の回路において、ある走査信号線1が
選択され、該走査信号線1に接続しているTFTのゲ
トがオンになる。同時に水平シフトレジスタ12が順
次出力線から出力し、TFT10のゲートを順次オンす
る。TFT10のソースは映像信号線9に接続してお
り、オンした期間に映像信号を表示信号線2に転送す
る。転送されてきた映像信号はTFT4を介して画素電
極に入力され、次の信号が入力されるまで、各液晶セル
に液晶容量CLCとして保持される。この1水平走査を順
次走査線毎に行ない、1画面の表示を行なう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】液晶容量として保持さ
れた電圧は、各液晶セルに映像信号VLC(t)を転送
する表示信号線2の電圧変化により変動するという問題
が有った。各画素電極と表示信号線2との間の寄生容量
をCDS、表示信号線2の電圧変化(映像信号電圧)を
ΔV とすると、液晶電圧の変動ΔVLCは次式で表
わされる。
【0006】
【数1】 上記電圧変化ΔVLCは、ある画素に着目すると、その画
素に信号電圧が印加さ、液晶セルにある電荷が充電さ
れたとしても、同一の表示信号線により映像信号が他の
走査信号線に接続された画素に転送されると、上述の数
1式に従ってその画素の信号電荷が変化することにな
る。TN型液晶は実効駆動電圧で、強誘電性液晶は閾値
電圧により、それぞれ透過状態が決定する。従って、上
記の様な画素の電荷の変動は、所望の液晶の透過状態を
得られないことになる。
【0007】上記TN液晶を用いた場合について更に説
明する。例えば、1フレーム毎にその信号電圧の極性を
変えて信号を印加する(液晶にDC成分が印加されるの
を防止する)場合であるが、液晶自身は、AC電圧成分
に対応して動作するのである。従って、実効電圧Vrms
は、2フレーム分の時間をtF,液晶に転送される信号
電圧をVLC(t)とすると、
【0008】
【数2】 で表される。
【0009】しかしながら、あるラインの画素映像信号
は、上述数1式により、ΔVLC2だけ信号レベルが変化
し、その結果、上記数2式で示した実効電圧Vrmsが変
化し、もはや黒レベルを維持できなくなる。すなわち上
記数2式は、
【0010】
【数3】 のように変化してしまい、実効電圧が変化する。
【0011】いずれにしても、その結果、本来のレベル
を表示していなければいけないあるラインの表示レベル
は、上記数1式に従う電圧変化により別の信号レベルま
で徐々に変化し、もはや、本来のレベルを維持できなく
なってしまう。
【0012】また、このような電圧変化は、一般のテレ
ビ映像信号の様にその信号レベルがリニアに変化する場
合には更に複雑になる。しかも、変動する方向が、表示
信号が入力された画素の信号レベルに近づく方向である
ことから、画素間、或いは走査信号線間の映像ににじみ
が発生し、映像の境界が不明瞭になってくる。このにじ
みは、画面上では、縦縞のスミアとして現れ、画質を著
しく損ねる結果となる。
【0013】更に、画素サイズが小さくなり表示装置が
高精細になる程、その電圧変化が無視できなくなる。こ
れは画素サイズが小さくなることにより、表示信号線と
各画素電極間の寄生容量CDSが液晶容量CLCの減少
分ほど小さくならないために、液晶容量CLCが小さく
なった分、寄生容量CDSの影響が大きくなるためであ
る。
【0014】上記の様な電圧変化ΔVLCを0にするに
は、CDSを0にすることが先ず考えられるが、基本的に
に示した様な回路構成においては0にすることは不
可能である。次に、表示信号線の電圧変化そのものを小
さくすることが考えられるが、そのためには、全容量に
対する表示信号線の寄生容量CSの割合を小さくするこ
とが必要である。しかしながら、表示信号線の寄生容量
そのものは、配線の幅を狭くすることである程度小さく
なるものの、液晶側の容量CDS、CLCに比べるとはるか
に大きい。また、CDSも画素部の構成や大きさが決まれ
ばある程度決定されるので、この容量を大きくすること
も不可能である。
【0015】そこでさらに、液晶容量CLCを大きくす
る方向が考えられる。このために、現存のTN型液晶セ
ル構成に見られる様に液晶容量CLCと並列にCLC
比べ容量の大きな補助容量を形成することが考えられ
る。しかしながら、上記したように、液晶容量CLC
寄生容量C の差が大き過ぎるために、その影響を無
くすためには、同程度或いはそれ以上の補助容量を付加
する必要があり、画素部への表示信号転送の負荷が増大
することになる。画素数が増加し、1走査信号線当たり
にかけられる時間が短くなると、いたずらに負荷容量を
大きく形成することはできなくなる。
【0016】即ち、今後、急速に普及すると考えられる
ハイビジョン用ディスプレイの様に、高精細且つ高速の
駆動が要求されるものについて、前記電圧変化ΔVLC
の問題がますます顕著に現れてくるものと考えられる。
【0017】更に言えば、表示部の画素数を、垂直走査
線450本×水平走査線(表示信号線)600本とした
場合、この水平画素数を持った表示パネルをNTSC信
号で走査した場合、1水平画素(実際には各表示信号線
に寄生する寄生容量)への充電にかけられる時間は、約
90[nsec.]しかない。この時間内に映像入力信
号電荷を表示信号線寄生容量に蓄積する必要がある。蓄
積すべき信号電荷は、パネルとしての表示性能、とりわ
け、階調数をどの程度要求されるかによって決まってく
る。すなわち、表示すべき階調数の1階調分に相当する
信号電圧以上の信号電圧の転送とりこぼしがあると、そ
のパネルの階調特性はもはや維持できなくなる。今後液
晶表示パネルの分野においても、ますます高階調性が要
求されてくるものと思われる。液晶の駆動電圧振幅自体
は、大きく変化しないと思われるので、その場合、1階
調を識別するための信号電圧は、ますます小さくなる。
例えば、液晶の駆動電圧振幅を±5[V]とした場合、
その液晶の電圧−透過率曲線の変化を考慮した場合、表
示階調数を64階調程度実現するためには、20〜30
[mV]前後の信号電圧の差を読み取らなければならな
い。
【0018】例えば、スイッチングするトランジスタを
全てP型MOSのみで構成した場合について考える。入
力される信号の振幅は、3〜13[V]である。この場
合、液晶セルの対向電極の電位は、ほぼ8[V]に設定
した。信号を転送するスイッチングトランジスタを駆動
するゲートパルスの駆動振幅は、0〜15[V]とし
た。
【0019】ここで、表示信号線寄生容量のリセット電
圧を、3[V、及び8[V]に設定したところ、図4
に示したように、特に、入力信号が小さい場合、リセッ
ト電圧によって表示信号線寄生容量への充電率に差が生
じた。これは先述したように、リセット電圧の違いによ
り、表示信号線寄生容量側が、トランジスタのドレイン
として作用するか、ソースとして作用するかによると考
えられる。
【0020】以上の検討の結果、本発明者等は、高画
質、高階調の液晶表示パネルを実現するための手段とし
て、本発明を得るに至ったのである。
【0021】また、本発明の構成において、表示信号線
のリセット電位を最適化することで、映像入力信号の画
素容量への転送能力を、トランジスタを著しく大きくす
るなどの特別な工夫をすることなく向上させることがで
き、表示階調性能を向上させることができる。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の行及び
複数の列に沿って配置した画素毎にスイッチング素子と
して第1薄膜トランジスタと第2薄膜トランジスタとを
直列に接続して備え、該第2薄膜トランジスタに接続さ
れた画素電極、該第1薄膜トランジスタを行毎に共通に
接続した走査信号線、及び、列毎に共通に接続した表示
信号線を有するアクティブマトリクス型液晶表示素子
と、映像信号線と、上記走査信号線に走査信号を印加す
る垂直シフトレジスタと、上記各列に対応する出力線を
備えた水平シフトレジスタと、を有し、各表示信号線が
上記映像信号線と第3薄膜トランジスタを介して接続さ
れ、各第3薄膜トランジスタのゲート電極が上記水平シ
フトレジスタの各出力線及び対応する列の各画素の第2
薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、各表示信号
線がリセットトランジスタを介してリセット信号線に接
続され、該リセットトランジスタのゲート電極が、対応
する列の次に映像信号がサンプリングされる列の出力線
に接続され、さらに、1水平走査期間の走査期間におい
て、該当する行の第1薄膜トランジスタを全てオンし、
水平シフトレジスタより各出力線に順次サンプリング信
号を出力して各列の第3薄膜トランジスタ及び第2薄膜
トランジスタを順次オンし、該第3薄膜トランジスタを
介して上記映像信号線より映像信号をサンプリングし、
各表示信号線、第1薄膜トランジスタ、第2薄膜トラン
ジスタを介して各画素電極に該映像信号を転送すると同
時に、各第3トランジスタのオンに同期して、先行して
映像信号をサンプリングした列のリセットトランジスタ
をオンし、該リセットトランジスタを介してリセット信
号線より当該列の表示信号線にリセット信号を入力し
て、表示信号線の電位を一定値にリセットする手段と、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置である
【0023】
【作用】本発明の構成によると、シフトレジスタとリセ
ット手段とを利用して表示信号線を可能な限り一定電位
に保持(リセット)することにより、上記した電圧変化
による変動を抑える、或いは影響の程度を一定にするこ
とで目立たなくすることができる。
【0024】
【実施例】図1に本発明の液晶表示装置の基本構成を備
えた参考例の回路図を示す。図中1は走査信号線、2は
表示信号線、3は第2TFT制御信号線、4は第1TF
、5は第2TFT、7は液晶、9は映像信号線、10
は表示信号線SWである第3TFT、11は垂直シフト
レジスタ、12は水平シフトレジスタ、13はリセット
信号線、14はリセットトランジスタ制御信号線、15
はリセットトランジスタである。
【0025】本参考例において、表示信号線の電位制
御手段として具体的にはリセットトランジスタ15を介
してリセット信号線13に接続し、リセットトランジス
タ制御信号線14によりリセットトランジスタ15の
ートをオンして表示信号線の電位を一定に保持するこ
とができる
【0026】図2に本発明の液晶表示装置の回路を示
す。本発明は、リセットトランジスタ15がドレインを
表示信号線2に、ゲートを隣接画素の第2TFT制御信
号線3’に接続し、ソースを共通にリセット信号線13
に接続した装置である。従って、第2TFT制御信号線
3’に水平シフトレジスタ12からゲートオンの信号が
入力されると、第3TFT10’がオンして映像信号が
表示信号線2’に印加されると同時に、リセットトラン
ジスタ15のゲートがオンし、リセット信号が表示信号
線2に入力され、リセットされる。その結果、リセット
期間が次の表示信号線2’への映像信号の入力期間に行
なわれることになり、特にリセット期間を必要とせず、
周波数を減らすことなくリセットを行なうことができ
る。
【0027】リセット電圧を8[V]として実際にアク
ティブマトリクス液晶表示素子を駆動したところ、縦方
向の画像のスミアは全く観察されなかった。ちなみに、
この時の液晶素子の駆動条件は、駆動電圧3〜13
[V]、液晶セルの対向電極電位を8[V]、1フレー
ム毎に信号電圧の極性を反転させるフレーム反転駆動方
法をとった。また、映像入力信号は、上記数3式に基づ
き、あらかじめ補正をかけて入力している。 (実施例2)実施例1と同様に、画素数460×600
(R+G+B)の液晶パネルを作成し、NTSC映像信
号を用いて映像表示を行った。
【0028】リセット電圧を6[V]として実際にアク
ティブマトリクス液晶表示素子を駆動したところ、縦方
向の画像のスミアは全く観察されなかった。ちなみに、
この時の液晶素子の駆動条件は、駆動電圧±8〜
[V]、液晶セルの対向電極電位を0[V]、1フレー
ム及び1水平走査期間毎に信号電圧の極性を反転させる
フレーム&1H反転駆動方法をとった。また、映像入力
信号は、上記数3式に基づく補正は特にかけていなかっ
たが、駆動電圧の振幅が大きくなる他は実施例1と大き
な差は認められなかった。
【0029】また、特に液晶材料として、TN(Twi
sted Nematic)液晶を用いた場合は、その
駆動方法は、中心電圧に対して、正負の信号を入力する
いわゆる交流駆動をするが、その場合、正負の信号のバ
ランスが崩れたままに表示を続けると、液晶分子にDC
成分が印加されることになり、液晶中の不純物イオンの
再配列による液晶分子の焼きつきが徐々に生じ、フリッ
カが目立ち始め、最後には完全に動作しなくなってしま
う現象が生じる。
【0030】そこで、本実施例において、リセット電圧
を6[V]とした理由は、映像入力信号に上記数3式に
基づいた補正をかけていないため、どうしてもDC成分
を除去することができないため、そのDC成分をキャン
セルするために実際に液晶セルにかかる実効電圧を計算
し、DC成分を極小にする電圧として設定した。 (実施例4)本発明第4の実施例を示す。本実施例にお
いて、映像信号を各表示信号線寄生容量及び画素容量に
転送するトランジスタのサイズは、W/L=50/2
[μm](W;ゲート幅、L;ゲート長)、チャネルタ
イプはP型MOSとした。。
【0031】本実施例では、トランジスタを形成する活
性層として、絶縁層上の単結晶シリコン層(SOI層)
を用いた。このような基板の製法としては、ガラス基板
上に堆積した非晶質シリコンや多結晶シリコン膜をエネ
ルギービームにより再結晶化したものや、絶縁膜上に単
結晶シリコンウェハーを貼りあわせた基板などを用いる
ことができる。
【0032】入力するビデオ信号振幅は3〜13
[V]、液晶の対向電極の電圧は、8[V]、スイッチ
ングトランジスタを駆動するためのシフトレジスタの駆
動電圧振幅は0〜15[V]とした。
【0033】また、表示信号線のリセット電圧は3
[V]に設定した。
【0034】また、液晶の表示は、ノーマリーホワイト
(入力信号がないスタンバイ状態で白表示)表示とし
た。
【0035】本実施例において作成した液晶表示パネル
においては、縦縞のスミアは全く観察されなかった。
【0036】また、この結果、特に、映像入力信号が低
い場合、すなわち、表示としては、黒表示に近いところ
での階調性が向上し、入力ビデオ信号全体として、60
階調の液晶表示パネルが実現できた。
【0037】これは、入力ビデオ信号が低い場合におい
て、表示信号線寄生容量への充電が充分に行われたため
と考えられる。
【0038】また、特に液晶材料として、TN(Twi
sted Nematic)液晶を用いた場合は、その
駆動方法は、中心電圧に対して、正負の信号を入力する
いわゆる交流駆動をするが、その場合、正負の信号のバ
ランスが崩れたままに表示を続けると、液晶分子にDC
成分が印加されることになり、液晶中の不純物イオンの
再配列による液晶分子の焼きつきが徐々に生じ、フリッ
カが目立ち始め、最後には完全に動作しなくなってしま
う現象が生じる。
【0039】本実施例による液晶表示パネルにおいて
は、フリッカが著しく減少し、液晶の焼きつきの無い長
寿命のパネルを実現することができた。
【0040】これは、対向電極の中心電圧に対して、特
に、負側の(入力信号の低いレベル)の映像入力信号の
転送能力が向上し、正負の信号のバランスがよりとれる
ようになったためであると考えられる。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置では、表示信号線の電位変動による影響が極力抑え
られているために、縦縞のスミアが解決或いは抑制さ
れ、良好な表示を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の参考例の回路図である。
【図2】本発明の液晶表示装置の回路図である。
【図3】従来の液晶表示装置の回路図である。
【図4】本発明に係る、リセット電圧と表示信号線寄生
容量の充電率との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 走査信号線 2、2’ 表示信号線 3、3’ 第2TFT制御信号線 4、4’ 第1TFT 5、5’ 第2TFT 7 液晶 9 映像信号線 10、10’ 第3TFT 11 垂直シフトレジスタ 12 水平シフトレジスタ 13 リセット信号線 14 リセットトランジスタ制御信号線 15、15’ リセットトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/133 550 G02F 1/1368 G09G 3/36

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の行及び複数の列に沿って配置した
    画素毎にスイッチング素子として第1薄膜トランジスタ
    と第2薄膜トランジスタとを直列に接続して備え、該第
    2薄膜に接続された画素電極、該第1薄膜トランジスタ
    を行毎に共通に接続した走査信号線、及び、列毎に共通
    に接続した表示信号線を有するアクティブマトリクス型
    液晶表示素子と、 映像信号線と、 上記走査信号線に走査信号を印加する垂直シフトレジス
    タと、 上記各列に対応する出力線を備えた水平シフトレジスタ
    と、を有し、 各表示信号線が上記映像信号線と第3薄膜トランジスタ
    を介して接続され、各第3薄膜トランジスタのゲート電
    極が上記水平シフトレジスタの各出力線及び対応する列
    の各画素の第2薄膜トランジスタのゲート電極に接続さ
    れ、 各表示信号線がリセットトランジスタを介してリセット
    信号線に接続され、該リセットトランジスタのゲート電
    極が、対応する列の次に映像信号がサンプリングされる
    列の出力線に接続され、さらに、 1水平走査期間の走査期間において、該当する行の第1
    薄膜トランジスタを全てオンし、水平シフトレジスタよ
    り各出力線に順次サンプリング信号を出力して各列の第
    3薄膜トランジスタ及び第2薄膜トランジスタを順次オ
    ンし、該第3薄膜トランジスタを介して上記映像信号線
    より映像信号をサンプリングし、各表示信号線、第1薄
    膜トランジスタ、第2薄膜トランジスタを介して各画素
    電極に該映像信号を転送すると同時に、各第3薄膜トラ
    ンジスタのオンに同期して、先行して映像信号をサンプ
    リングした列のリセットトランジスタをオンし、該リセ
    ットトランジスタを介してリセット信号線より当該列の
    表示信号線にリセット信号を入力して、表示信号線の電
    位を一定値にリセットする手段と、 を有すること を特徴とするアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
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