JP3243552B2 - オゾンガスを使用するレジスト除去方法 - Google Patents
オゾンガスを使用するレジスト除去方法Info
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- JP3243552B2 JP3243552B2 JP2463997A JP2463997A JP3243552B2 JP 3243552 B2 JP3243552 B2 JP 3243552B2 JP 2463997 A JP2463997 A JP 2463997A JP 2463997 A JP2463997 A JP 2463997A JP 3243552 B2 JP3243552 B2 JP 3243552B2
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- ozone
- substrate
- ozone gas
- gas
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体装置の製造工程
の一つであるリソグラフィー工程において使用される感
光レジスト膜を除去する方法に関する。
の一つであるリソグラフィー工程において使用される感
光レジスト膜を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィー工程において使用される
レジストは炭素、水素等が結合した有機物である。レジ
スト膜はリソグラフィー工程終了後に酸化による分解反
応、すなわち、酸化によって二酸化炭素と水とに分解さ
れて除去される。
レジストは炭素、水素等が結合した有機物である。レジ
スト膜はリソグラフィー工程終了後に酸化による分解反
応、すなわち、酸化によって二酸化炭素と水とに分解さ
れて除去される。
【０００３】従来、このレジスト膜を除去する方法とし
て、オゾン発生手段において発生したオゾンを含むガス
を液化蒸留してオゾンのみを分離し、この分離した純オ
ゾンガスを被処理物に作用させるようにしたものが知ら
れている(特開平５−１１４５５７号）。
て、オゾン発生手段において発生したオゾンを含むガス
を液化蒸留してオゾンのみを分離し、この分離した純オ
ゾンガスを被処理物に作用させるようにしたものが知ら
れている(特開平５−１１４５５７号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】周知のようにオゾン
は、大気圧下では沸点(−１１２℃)の近傍部に爆発危険
領域がある。このため、液化蒸留し、その気化ガスで純
オゾンを得るようにしている前記従来のものはその取り
扱いが面倒なうえ、液化オゾン温度を沸点近くまでにし
てオゾン蒸気圧を大気圧近傍の圧力で取り出すことがで
きず、負圧状態下でしか取り出せないという問題があっ
た。この結果、取り出しオゾン量の絶対量が少なくなっ
て、高いアッシング効果を得ることができないという問
題がある。
は、大気圧下では沸点(−１１２℃)の近傍部に爆発危険
領域がある。このため、液化蒸留し、その気化ガスで純
オゾンを得るようにしている前記従来のものはその取り
扱いが面倒なうえ、液化オゾン温度を沸点近くまでにし
てオゾン蒸気圧を大気圧近傍の圧力で取り出すことがで
きず、負圧状態下でしか取り出せないという問題があっ
た。この結果、取り出しオゾン量の絶対量が少なくなっ
て、高いアッシング効果を得ることができないという問
題がある。
【０００５】このような点に着目して、本発明は、取り
扱いが容易で、確実にレジスト膜を除去することができ
るレジスト除去方法を提供することを目的とする。
扱いが容易で、確実にレジスト膜を除去することができ
るレジスト除去方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、処理室内に設置した基板支持ステージを
８０℃以下の温度に加熱することにより、処理室内を８
０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基板支持ステ
ージに支持されているレジスト膜付き基板に対して相変
化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを作用させること
を特徴としている。
に、本発明は、処理室内に設置した基板支持ステージを
８０℃以下の温度に加熱することにより、処理室内を８
０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基板支持ステ
ージに支持されているレジスト膜付き基板に対して相変
化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを作用させること
を特徴としている。
【０００７】本発明では、処理室内に設置した基板支持
ステージを８０℃以下の温度に加熱することにより、処
理室内を８０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基
板支持ステージに支持されているレジスト膜付き基板に
対して相変化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを作用
させているので、処理室内の温度が比較的低い温度域で
の基板レジスト膜を確実に除去することができるうえ、
液体から期待への相変化をさせることなく高濃度オゾン
ガスをそのままの状態で取り扱うことができる。これに
よりレジスト除去の作業性を向上させることができる。
ステージを８０℃以下の温度に加熱することにより、処
理室内を８０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基
板支持ステージに支持されているレジスト膜付き基板に
対して相変化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを作用
させているので、処理室内の温度が比較的低い温度域で
の基板レジスト膜を確実に除去することができるうえ、
液体から期待への相変化をさせることなく高濃度オゾン
ガスをそのままの状態で取り扱うことができる。これに
よりレジスト除去の作業性を向上させることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図面は、本発明方法の実施に使用
する装置の一例を示す概略構成図である。この装置は、
オゾン発生器(１)と、シリカゲルを用いたオゾン濃縮器
(２)と、レジスト付き基板を収容して処理するアッシン
グチャンバー(３)と、アッシングチャンバー(３)からの
オゾン排出路(４)に配置したオゾン分解器(５)と、オゾ
ン排出路(４)の終端部に配置した真空ポンプ(６)とを有
している。オゾン発生器(１)への原料ガス供給路(７)は
酸素ボンベ等の酸素供給源(８)に連通接続している。
する装置の一例を示す概略構成図である。この装置は、
オゾン発生器(１)と、シリカゲルを用いたオゾン濃縮器
(２)と、レジスト付き基板を収容して処理するアッシン
グチャンバー(３)と、アッシングチャンバー(３)からの
オゾン排出路(４)に配置したオゾン分解器(５)と、オゾ
ン排出路(４)の終端部に配置した真空ポンプ(６)とを有
している。オゾン発生器(１)への原料ガス供給路(７)は
酸素ボンベ等の酸素供給源(８)に連通接続している。
【０００９】オゾン濃縮器(２)は、ドライアイス等の寒
剤を貯溜している槽(９)内にシリカゲル(10)を充填して
いるカラム(11)を浸漬配置し、槽(９)内を温度指示調節
計(12)で一定温度に維持するように構成してある。そし
て、オゾン発生器(１)とオゾン濃縮器(２)とは、マスフ
ローコントローラ(13)と流路開閉弁(14)とを配置したオ
ゾン供給路(15)とで接続してある。
剤を貯溜している槽(９)内にシリカゲル(10)を充填して
いるカラム(11)を浸漬配置し、槽(９)内を温度指示調節
計(12)で一定温度に維持するように構成してある。そし
て、オゾン発生器(１)とオゾン濃縮器(２)とは、マスフ
ローコントローラ(13)と流路開閉弁(14)とを配置したオ
ゾン供給路(15)とで接続してある。
【００１０】オゾン濃縮器(２)とアッシングチャンバー
(３)とはオゾン取出路(16)で連通接続してあり、このオ
ゾン取出路(16)には流路遮断弁(17)が介装してある。ま
た、このオゾン取出路(16)からオゾン濃度モニター路(1
8)が分岐導出してあり、このオゾン濃度モニター路(18)
に紫外線式オゾンモニター(19)を配置するとともに、オ
ゾン分解器(20)が装着してある。
(３)とはオゾン取出路(16)で連通接続してあり、このオ
ゾン取出路(16)には流路遮断弁(17)が介装してある。ま
た、このオゾン取出路(16)からオゾン濃度モニター路(1
8)が分岐導出してあり、このオゾン濃度モニター路(18)
に紫外線式オゾンモニター(19)を配置するとともに、オ
ゾン分解器(20)が装着してある。
【００１１】図中符号(21)はオゾン取出路(16)に装着し
た圧力計、(22)はアッシングチャンバー(３)の温度を指
示する温度計、(23)はアッシングチャンバー(３)内の圧
力を表示する圧力計、(24)はオゾン排出路(４)でのオゾ
ン分解器(５)の上流側に配置した流路遮断弁である。
た圧力計、(22)はアッシングチャンバー(３)の温度を指
示する温度計、(23)はアッシングチャンバー(３)内の圧
力を表示する圧力計、(24)はオゾン排出路(４)でのオゾ
ン分解器(５)の上流側に配置した流路遮断弁である。
【００１２】この装置では、酸素供給源(８)からの酸素
をオゾン発生器(１)に流通させることによりオゾンガス
を発生させるが、オゾン発生器(１)で生成されるオゾン
ガスの濃度は５〜１０％程度である。このオゾン発生器
(１)で発生したオゾンガスをオゾン濃縮器(２)に送り込
んでカラム(11)内に貯溜されているシリカゲル(10)にオ
ゾンを選択吸着させ、オゾンガスをオゾン濃度８０〜１
００％の状態で貯蔵する。このとき、オゾン濃度モニタ
ー路(18)を開通させて、排出ガス中のオゾン成分をオゾ
ン分解器(20)で分解処理して大気に放出し、オゾン濃度
モニター路(18)を流れるガス中のオゾン濃度が一定濃度
以上になると、シリカゲル(10)での吸着側飽和したもの
として、オゾン濃度モニター路(18)を遮断するととも
に、オゾン発生器(１)でのオゾン生成を停止する。
をオゾン発生器(１)に流通させることによりオゾンガス
を発生させるが、オゾン発生器(１)で生成されるオゾン
ガスの濃度は５〜１０％程度である。このオゾン発生器
(１)で発生したオゾンガスをオゾン濃縮器(２)に送り込
んでカラム(11)内に貯溜されているシリカゲル(10)にオ
ゾンを選択吸着させ、オゾンガスをオゾン濃度８０〜１
００％の状態で貯蔵する。このとき、オゾン濃度モニタ
ー路(18)を開通させて、排出ガス中のオゾン成分をオゾ
ン分解器(20)で分解処理して大気に放出し、オゾン濃度
モニター路(18)を流れるガス中のオゾン濃度が一定濃度
以上になると、シリカゲル(10)での吸着側飽和したもの
として、オゾン濃度モニター路(18)を遮断するととも
に、オゾン発生器(１)でのオゾン生成を停止する。
【００１３】次いでオゾンガス取出路(16)を開通させ
て、オゾン濃縮器(２)に吸着されている高濃度のオゾン
ガスを予め真空状態にしてあるアッシングチャンバー
(３)内に供給し、オゾンガスをアッシングチャンバー
(３)内に大気圧程度の圧力で封入し、このオゾンガスを
アッシングチャンバー(３)内に一定時間滞留させて、オ
ゾンガスでアッシングチャンバー(３)内に装着されてい
るレジスト付き基板を処理し、一定時間経過後にオゾン
排出路(４)からアッシングチャンバー(３)内のガスをオ
ゾン分解器(５)を経て排出する。
て、オゾン濃縮器(２)に吸着されている高濃度のオゾン
ガスを予め真空状態にしてあるアッシングチャンバー
(３)内に供給し、オゾンガスをアッシングチャンバー
(３)内に大気圧程度の圧力で封入し、このオゾンガスを
アッシングチャンバー(３)内に一定時間滞留させて、オ
ゾンガスでアッシングチャンバー(３)内に装着されてい
るレジスト付き基板を処理し、一定時間経過後にオゾン
排出路(４)からアッシングチャンバー(３)内のガスをオ
ゾン分解器(５)を経て排出する。
【００１４】アッシングチャンバー(３)に供給するオゾ
ンガスは室温程度とし、アッシングチャンバー(３)内で
は８０℃以下の温度に加熱した基板支持ステージにレジ
スト膜付き基板を支持させて処理している。ここで、基
板支持ステージの加熱温度を８０℃以下としているの
は、雰囲気温度が８０℃を越えると、オゾンの自己分解
能力が急激に増大するためである。
ンガスは室温程度とし、アッシングチャンバー(３)内で
は８０℃以下の温度に加熱した基板支持ステージにレジ
スト膜付き基板を支持させて処理している。ここで、基
板支持ステージの加熱温度を８０℃以下としているの
は、雰囲気温度が８０℃を越えると、オゾンの自己分解
能力が急激に増大するためである。
【００１５】基板としてシリコンウエハーを使用し、こ
のシリコンウエハーに１９９００Åのレジスト膜を塗布
したものを使用して、オゾン濃度、アッシングチャンバ
ー(３)の内圧、処理時間を変化させた場合の結果を表１
に示す。ここで、資料番号１〜４はバッチ処理したもの
で、時間の後の数字はバッチ数である。また、資料番号
５はオゾンガスを連続的に流通させた場合の結果を示
す。
のシリコンウエハーに１９９００Åのレジスト膜を塗布
したものを使用して、オゾン濃度、アッシングチャンバ
ー(３)の内圧、処理時間を変化させた場合の結果を表１
に示す。ここで、資料番号１〜４はバッチ処理したもの
で、時間の後の数字はバッチ数である。また、資料番号
５はオゾンガスを連続的に流通させた場合の結果を示
す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明は、処理室内に設置した基板支持
ステージを８０℃以下の温度に加熱することにより、処
理室内を８０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基
板支持ステージに支持されているレジスト膜付き基板に
対して相変化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを供給
して基板に形成されているレジスト膜を除去するように
しているので、処理室内の温度が８０℃以下という比較
的低い温度域で基板のレジスト膜を確実に除去すること
ができるうえ、高濃度オゾンガスをそのままの状態で取
り扱うことができ、レジスト除去の作業性を向上させる
ことができる。
ステージを８０℃以下の温度に加熱することにより、処
理室内を８０℃以下の温度雰囲気に維持し、加熱した基
板支持ステージに支持されているレジスト膜付き基板に
対して相変化を伴うことなく濃縮したオゾンガスを供給
して基板に形成されているレジスト膜を除去するように
しているので、処理室内の温度が８０℃以下という比較
的低い温度域で基板のレジスト膜を確実に除去すること
ができるうえ、高濃度オゾンガスをそのままの状態で取
り扱うことができ、レジスト除去の作業性を向上させる
ことができる。
【図１】本発明方法の実施に使用する装置の一例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−188227（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−28921（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−244620（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−150013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 G03F 7/42 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の表面に塗布したレジスト膜を除去
するに当たり、処理室内に設置した基板支持ステージを
８０℃以下に加熱することにより、処理室内を８０℃以
下の温度雰囲気に維持し、加熱した基板支持ステージに
支持されているレジスト膜付き基板に対して相変化を伴
うことなく濃縮したオゾンガスを作用させることを特徴
とするオゾンガスを使用するレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2463997A JP3243552B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | オゾンガスを使用するレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2463997A JP3243552B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | オゾンガスを使用するレジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223611A JPH10223611A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3243552B2 true JP3243552B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=12143711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2463997A Expired - Lifetime JP3243552B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | オゾンガスを使用するレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243552B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053066A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置およびその方法 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP2463997A patent/JP3243552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10223611A (ja) | 1998-08-21 |
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