JP3241030B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の構造
に関する。The present invention relates to a structure of a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置の構造としては、特願
平01−015511号に示され、図２に示されるような構造が
知られていた。図２は従来の半導体装置の構造を基板側
から見た図であり、1は少なくとも表面が絶縁されてい
る基板でその絶縁表面上に2の装置外部との配線パター
ン及び3の装置内部の配線パターンが、5の半導体素子の
電極上に形成されている金属突起4に相対するように形
成されている。8は絶縁樹脂であり、半導体素子5と、基
板1はこの絶縁樹脂によって、配線パターンと、金属突
起の電気的接続を保ったまま、接着している。一般に半
導体素子の電極ピッチは50〜200μmであり、外部装置と
の結線を行う際は、さらにそのピッチを拡大し、図2の2
に示されるような配線パターンを形成することが多かっ
た。6は基板の端面を示し、7は基板端面と半導体素子の
距離を示す。従来の半導体装置の構造を液晶パネルに応
用した例を図3に示す。11は基板ガラスであり、16の対
向ガラスとの間に液晶が封入されている。11の基板ガラ
ス上には、図2で説明したような方式に従って、駆動用
半導体素子15が実装されている。12は駆動用半導体素子
へ入力信号を送出するための入力配線パターンであり、
17のフレキシブルコネクターと異方性導電膜、ハンダ付
け等で接続され、外部回路と接続されていた。また駆動
用半導体素子15からの出力は出力配線パターン13を通し
て液晶封入部へ導かれ、液晶駆動のための信号を液晶に
印加していた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a structure of a semiconductor device, a structure shown in Japanese Patent Application No. 01-015511 and shown in FIG. 2 has been known. FIG. 2 is a view of the structure of a conventional semiconductor device as viewed from the substrate side. Reference numeral 1 denotes a substrate having at least an insulated surface. The pattern is formed so as to face the metal protrusion 4 formed on the electrode of the semiconductor element 5. Reference numeral 8 denotes an insulating resin, and the semiconductor element 5 and the substrate 1 are adhered to each other by the insulating resin while maintaining the electrical connection between the wiring pattern and the metal protrusion. In general, the electrode pitch of a semiconductor element is 50 to 200 μm, and when connecting to an external device, the pitch is further expanded to 2 in FIG.
In many cases, a wiring pattern as shown in FIG. 6 indicates an end face of the substrate, and 7 indicates a distance between the end face of the substrate and the semiconductor element. FIG. 3 shows an example in which the structure of a conventional semiconductor device is applied to a liquid crystal panel. 11 is a substrate glass, and liquid crystal is sealed between the substrate glass and 16. The driving semiconductor element 15 is mounted on the substrate glass 11 according to the method described with reference to FIG. 12 is an input wiring pattern for transmitting an input signal to the driving semiconductor element,
The 17 flexible connectors were connected by anisotropic conductive films, soldering, etc., and were connected to external circuits. The output from the driving semiconductor element 15 was guided to the liquid crystal enclosure through the output wiring pattern 13, and a signal for driving the liquid crystal was applied to the liquid crystal.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置の構造では、図3で示されるように、半導体素子の
出力配線パターンすなわち装置内部の配線パターンと半
導体素子をはさんで基板端面側に入力配線パターンすな
わち装置外部との配線パターンを有するような構造にな
っているために、基板端面と半導体素子の距離7が必然
的に長くなってしまうという問題点を有していた。一般
に基板は、例えば液晶表示装置であれば液晶表示部、イ
メージセンサーであれば、フォトダイオード及び駆動回
路等、その装置にとって必要不可決な部分をできる限り
大きくし、実装部等はできる限り小さくし、基板からの
装置の取り効率を上げようとするため、できるだけ基板
端面と半導体素子の距離7のようなスペースは削除する
設計が行われる。そのため、従来の半導体装置の構造で
は基板からの装置の取り効率が悪いという問題点を有し
ていたのである。However, in the structure of the conventional semiconductor device, as shown in FIG. 3, the output wiring pattern of the semiconductor element, that is, the wiring pattern inside the device and the semiconductor element are sandwiched between the semiconductor element and the end face of the substrate. Since the structure has an input wiring pattern, that is, a wiring pattern to the outside of the device, there is a problem that the distance 7 between the substrate end face and the semiconductor element is necessarily long. In general, the substrate should be as large as possible, such as a liquid crystal display part for a liquid crystal display device, and a photodiode and a drive circuit for an image sensor, and the mounting parts and the like should be as small as possible. In order to increase the efficiency of removing the device from the substrate, a design is made to eliminate as much as possible a space such as the distance 7 between the substrate end face and the semiconductor element. Therefore, the conventional semiconductor device has a problem that the efficiency of removing the device from the substrate is low.
【０００４】そこで、本発明では前述のような問題点を
解決するために、基板端面と半導体素子の距離7をでき
る限り小さくし、基板からの装置の取り効率をできるだ
け高めるような半導体装置の構造を提供することを目的
としている。Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention reduces the distance 7 between the end face of the substrate and the semiconductor element as much as possible and increases the efficiency of removing the device from the substrate as much as possible. It is intended to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、第１及び第２の半導体素子と、前記第１の半導体素
子の電極と電気的に接続されてなる配線パターンが形成
されてなる基板と、を有する半導体装置であって、前記
配線パターンは、当該配線パターンの線幅が広がること
によりなるピッチ変換部を有し、前記ピッチ変換部が前
記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との間に位
置してなることを特徴とする。この半導体装置におい
て、前記ピッチ変換された配線パターンは、前記基板の
端部まで最短の長さで設けられてなることを特徴とす
る。また、前記配線パターンは、入力用の配線パターン
と出力用の配線パターンとを有し、前記ピッチ変換部は
前記入力用の配線パターンに設けられてなることを特徴
とする。また、前記出力用の配線パターンのピッチは、
前記入力用の配線パターンのピッチよりも狭いことを特
徴とする。A semiconductor device according to the present invention comprises first and second semiconductor elements, and a wiring pattern electrically connected to electrodes of the first semiconductor element. A wiring board, wherein the wiring pattern has a pitch conversion section formed by increasing a line width of the wiring pattern, wherein the pitch conversion section includes the first semiconductor element and the second semiconductor element. It is characterized by being located between the semiconductor element. In this semiconductor device, the pitch-converted wiring pattern is provided with a shortest length up to an end of the substrate. Further, the wiring pattern has an input wiring pattern and an output wiring pattern, and the pitch converter is provided in the input wiring pattern. The pitch of the output wiring pattern is
The pitch is smaller than the pitch of the input wiring pattern.
【０００６】[0006]
【作用】本発明では、フェースダウン実装されている半
導体素子から外部へ引き出される配線パターンを半導体
素子の側面から多く引き出す構造としたので、半導体素
子の電極ピッチを、外部との接続が容易に得られるよう
に配線パターンのピッチを拡大する部分が半導体素子と
基板端ぶの間ではなく、半導体素子の側方を用いること
ができるため、半導体素子と基板端部の距離が短くなる
という作用を有する。According to the present invention, the wiring pattern extending from the semiconductor element mounted face-down to the outside is drawn out from the side of the semiconductor element, so that the electrode pitch of the semiconductor element can be easily obtained. Since the portion where the pitch of the wiring pattern is enlarged can be used not between the semiconductor element and the edge of the substrate but on the side of the semiconductor element, the distance between the semiconductor element and the edge of the substrate is shortened. .
【０００７】[0007]
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づき、詳細に説
明する。図1は、本発明による半導体装置の構造を基板
側から見た図である。1は基板であり、少なくとも表面
が絶縁された、金属、ガラス、セラミックス等が用いら
れることが多い。図1では、ガラス等の透明基板を用い
た例で説明する。基板上には、半導体素子5を基板外部
と接続するための装置外部との配線パターン2と、基板
上に形成された回路との接続を行うための装置内部の配
線パターン3とが形成されている。これらの配線パター
ンは、通常、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔａ等の金属やITO等の金属
酸化物をフォトパターニングして形成するか、導電イン
クを印刷して形成することが多い。装置内部の配線パタ
ーン3のピッチは、基板1上に形成される回路のピッチ
が、半導体素子5上に形成されている金属突起4のピッチ
と同程度か、それ以下であるため、パターン設計上素直
に引きまわせば良いため問題無いが、装置外部との接続
は、通常、金属突起4のピッチより広くなければ、接続
しにくく、かつ半導体素子に供給する電源等は低インピ
ーダンスを求められることが多いため、装置外部との配
線パターン2はできる限り幅広く設計することが多い。
装置外部との配線パターン4は半導体素子5の側面方向へ
引き出されており、こうすることで、配線パターンのピ
ッチの拡大および低インピーダンス化すなわちパターン
の幅広化を行っているのである。当然、半導体素子5の
外部接続用金属突起も装置外部との配線パターン2に相
対する位観に形成されている。通常、半導体素子の側向
は何も形成されないムダなスペースであることが多いの
で、ここに装置外部との接続場所を形成することにな
る。こうすることによって、6の基板端面と、半導体素
子5との距離7は、半導体素子5の基板端面6側に装置外部
との接続場所を設ける方式に比較して、基板端面と半導
体素子の距離7を充分に短くすることができるのであ
る。図1では、4本の装置外部との配線パターンを示した
が、その数はもちろん半導体素子、半導体装置によって
も異なるし、パターンの引き出しも、図のように半導体
素子の側面方向を中心に行えばよく、四角、及び一部は
半導体素子と基板端面とを結ぶ領域に存在してもかまわ
ない。要は、いかに、半導体素子側面のムダなスペース
を装置外部との接続パターンの引きまわしに用いれるか
を考えた設計を行えば良いのである。半導体素子5は、8
の絶縁樹脂によって基板1と接着しているのであるが、
さらにこの様子をわかりやすくするために、図1のA−
A′断面図を図4に示す。図4中で、5は半導体素子を示
し、その電極9上に、例えばＣｒ−Ｃｕ，Ｔｉ−Ｐｄ等
の金属を被着した後、金属突起4を形成する。金属突起4
は、Ａｕ，Ｃｕ，ハンダ等の金属であり、電気メッキ，
スパッタ等で形成されることが多い。電極9は、半導体
素子に供給する電源、入力信号、あるいは出力信号を半
導体素子外部へ取り出す接続部である。4の金属突起
が、基板1上の装置外部との配線パターン2及び装置内部
の配線パターン3に、絶縁樹脂8の接着力で押しつけられ
ている。ここでは、接着剤による半導体素子のフリップ
チップ実装についての例で説明したが、従来から行われ
ているハンダバンプによる共晶接続法や、金属突起の代
替物質を印刷等で形成する方法でもかまわない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on embodiments. FIG. 1 is a view of a structure of a semiconductor device according to the present invention as viewed from a substrate side. Reference numeral 1 denotes a substrate, which is often made of metal, glass, ceramic, or the like, at least having an insulated surface. FIG. 1 illustrates an example using a transparent substrate such as glass. On the substrate, a wiring pattern 2 for connecting the semiconductor element 5 to the outside of the substrate and a wiring pattern 3 for connecting the circuit formed on the substrate to the outside of the device are formed. I have. These wiring patterns are usually formed by photo-patterning a metal such as Cr, Ni, or Ta, or a metal oxide such as ITO, or by printing a conductive ink in many cases. The pitch of the wiring pattern 3 inside the device is similar to or less than the pitch of the metal protrusions 4 formed on the semiconductor element 5 because of the circuit pitch formed on the substrate 1. There is no problem because it can be pulled straight, but connection to the outside of the device is usually difficult to connect unless it is wider than the pitch of the metal protrusions 4, and low impedance is required for the power supply etc. supplied to the semiconductor element Therefore, the wiring pattern 2 to the outside of the device is often designed as wide as possible.
The wiring pattern 4 to the outside of the device is drawn out toward the side surface of the semiconductor element 5, and thereby, the pitch of the wiring pattern is increased and the impedance is reduced, that is, the pattern is widened. Naturally, the external connection metal projection of the semiconductor element 5 is also formed in a position facing the wiring pattern 2 to the outside of the device. Usually, the side of the semiconductor element is a wasteful space in which nothing is formed, so that a connection place with the outside of the device is formed here. By doing so, the distance 7 between the substrate end face 6 and the semiconductor element 5 is smaller than the distance between the substrate end face and the semiconductor element as compared with the method of providing a connection place with the outside of the device on the substrate end face 6 side of the semiconductor element 5. 7 can be made sufficiently short. In FIG. 1, four wiring patterns with the outside of the device are shown, but the number differs depending on the semiconductor element and the semiconductor device, and the pattern is drawn out centering on the lateral direction of the semiconductor element as shown in the figure. For example, the square and a part thereof may exist in a region connecting the semiconductor element and the end face of the substrate. The point is that the design should be made in consideration of how the wasteful space on the side of the semiconductor element is used for routing the connection pattern to the outside of the device. The semiconductor element 5 is 8
Is bonded to the substrate 1 by the insulating resin.
To make this situation easier to understand, A-
FIG. 4 shows an A ′ cross-sectional view. In FIG. 4, reference numeral 5 denotes a semiconductor element, on which a metal such as Cr—Cu or Ti—Pd is deposited on an electrode 9 and then a metal projection 4 is formed. Metal protrusion 4
Is a metal such as Au, Cu, solder, etc.
Often formed by sputtering or the like. The electrode 9 is a connection part for extracting a power supply, an input signal, or an output signal supplied to the semiconductor element to the outside of the semiconductor element. The metal projection 4 is pressed against the wiring pattern 2 with the outside of the device and the wiring pattern 3 inside the device on the substrate 1 by the adhesive force of the insulating resin 8. Here, an example of flip-chip mounting of a semiconductor element using an adhesive has been described, but a conventional eutectic connection method using solder bumps or a method of forming a substitute material for metal protrusions by printing or the like may be used.
【０００８】さらに、本発明の半導体装置の構造を液晶
パネルに応用した例を図5に示す。11は基板ガラスであ
り、前述の基板に相等し、16の対向ガラスとの間に液晶
が封入されている。11の基板ガラス上には図1で説明し
たような方式に従ってパネルの駆動用半導体素子15が実
装されている。12は駆動用半導体素子へ入力信号を送出
するための入力配線パターンであり、13は駆動用半導体
素子からの出力をパネルに出力するための出力配線バタ
ーンであり、それぞれ、装置外部との配線パターン2及
び装置内部の配線パターン3に相等する。入力配線パタ
ーンは図示されるように、駆動用半導体素子間の空スペ
ースで接続ピッチを拡大し、17のフレキシブルコネクタ
ーと異方性導電膜で実装，接続される。これは、何もフ
レキシブルコネクターを用いなくとも、ハンダ付け，ワ
イヤーボンディング等既知の実装手段を用いても良い。FIG. 5 shows an example in which the structure of the semiconductor device of the present invention is applied to a liquid crystal panel. Reference numeral 11 denotes a substrate glass, which is equivalent to the above-described substrate, and has liquid crystal sealed between the glass and the opposite glass 16. A panel driving semiconductor element 15 is mounted on the substrate glass 11 according to the method described with reference to FIG. Reference numeral 12 denotes an input wiring pattern for transmitting an input signal to the driving semiconductor element, and reference numeral 13 denotes an output wiring pattern for outputting an output from the driving semiconductor element to a panel. 2 and the wiring pattern 3 inside the device. As shown in the figure, the connection pitch of the input wiring pattern is increased by an empty space between the driving semiconductor elements, and the input wiring pattern is mounted and connected to 17 flexible connectors and an anisotropic conductive film. For this, known mounting means such as soldering and wire bonding may be used without using any flexible connector.
【０００９】[0009]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の構造では、半導体素子がフェースダウン実装されて
いる基板上で半導体素子の基板端面側の側面側から多く
の装置外部との配線パターンを引き出し、そこで、装置
外部との接続をとるようにしたので以下の効果を有す
る。As described above, in the structure of the semiconductor device according to the present invention, a large number of wiring patterns from the side of the semiconductor element end face to the outside of the device are mounted on the substrate on which the semiconductor element is mounted face down. Is brought out, and the connection with the outside of the apparatus is taken. Therefore, the following effects are obtained.
【００１０】(1) 半導体素子と基板端面との距離を小
さくすることができるため、基板寸法を小さくでき、基
板の原板からの取り効率が向上するので、基板のコスト
を低下させることができる。これは、基板の面積当りの
コストの高いようなアクティブマトリクス液晶パネル基
板、イメージセンサー用基板等において著しい効果とな
る。(1) Since the distance between the semiconductor element and the end face of the substrate can be reduced, the dimensions of the substrate can be reduced, and the efficiency of removing the substrate from the original plate can be improved, so that the cost of the substrate can be reduced. This is a remarkable effect in an active matrix liquid crystal panel substrate, an image sensor substrate, or the like that requires a high cost per substrate area.
【００１１】(2) 半導体素子側面の基板上のスペース
は一般的に広いため、配線パターンが太く形成でき、イ
ンピ−ダンスを低下させることができる。(2) Since the space on the substrate on the side surface of the semiconductor element is generally large, the wiring pattern can be formed thick, and the impedance can be reduced.
【００１２】(3) 基板寸法が小さくなるため、基板性
能に関係のない部分が小さくでき、基板を用いた製品の
商品価値を高めることができる。液晶パネル等では、額
渕と呼ばれる部位に相等し、ここが小さい程、商品価値
は高まる。(3) Since the size of the substrate is reduced, a portion irrelevant to the performance of the substrate can be reduced, and the commercial value of a product using the substrate can be increased. In a liquid crystal panel or the like, it is equivalent to a part called forehead, and the smaller the area, the higher the commercial value.
【００１３】(4) 基板寸法が小さくなるため、製品の
重量を減らすことができる。小型製品程、その効果は大
きい。(4) Since the size of the substrate is reduced, the weight of the product can be reduced. The effect is greater for smaller products.
【図１】本発明による半導体装置の構造を、基板裏面よ
り見た平面図である。FIG. 1 is a plan view of the structure of a semiconductor device according to the present invention as viewed from the back surface of a substrate.
【図２】従来の半導体装置の構造を基板裏面より見た平
面図である。FIG. 2 is a plan view of the structure of a conventional semiconductor device as viewed from the back surface of a substrate.
【図３】従来の半導体装置の構造を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a structure of a conventional semiconductor device.
【図４】本発明による半導体装置の構造を示す断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view showing a structure of a semiconductor device according to the present invention.
【図５】本発明による半導体装置の構造を示す斜視図で
ある。FIG. 5 is a perspective view showing a structure of a semiconductor device according to the present invention.
1………基 板 2………装置外部との配線パターン 3………装置内部の配線パターン 4………金属突起 5………半導体素子 6………基板端面 7………基板端面と半導体素子の距離 8………絶縁樹脂 9………電 極 11………基板ガラス 12………入力配線パターン 13………出力配線パターン 15………駆動用半導体素子 16………対向ガラス 17………フレキシブルコネクター 1 …………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… Board edge 7 Distance of semiconductor element 8 Insulating resin 9 Electrode 11 Substrate glass 12 Input wiring pattern 13 Output wiring pattern 15 Driving semiconductor element 16 Opposing glass 17 ……… Flexible connector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/11 H01L 21/60 311 H01L 23/12 H05K 1/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 1/11 H01L 21/60 311 H01L 23/12 H05K 1/02
Claims (4)
配線パターンが形成されてなる基板と、 を有する半導体装置であって、 前記配線パターンは、当該配線パターンの線幅が広がる
ことによりなるピッチ変換部を有し、前記ピッチ変換部
が前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との間
に位置してなることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device, comprising: a first and a second semiconductor element; and a substrate on which a wiring pattern electrically connected to an electrode of the first semiconductor element is formed. The wiring pattern has a pitch conversion unit formed by increasing the line width of the wiring pattern, and the pitch conversion unit is located between the first semiconductor element and the second semiconductor element. Characteristic semiconductor device.
前記基板の端部まで最短の長さで設けられてなることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置。2. The wiring pattern whose pitch has been converted,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided with a shortest length up to an end of the substrate.
ーンと出力用の配線パターンとを有し、前記ピッチ変換
部は前記入力用の配線パターンに設けられてなることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装
置。3. The wiring pattern according to claim 1, wherein the wiring pattern has an input wiring pattern and an output wiring pattern, and the pitch conversion unit is provided on the input wiring pattern. Alternatively, the semiconductor device according to claim 2.
前記入力用の配線パターンのピッチよりも狭いことを特
徴とする請求項３に記載の半導体装置。4. A pitch of the output wiring pattern,
4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the pitch is smaller than a pitch of the input wiring pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP25310698A Division JP3058151B2 (en) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | Semiconductor device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236163A JP2000236163A (en) | 2000-08-29 |
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| JP (1) | JP3241030B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101426969B (en) * | 2006-04-28 | 2011-08-10 | 东丽株式会社 | Process for producing woven carbon fiber fabric |
-
2000
- 2000-01-11 JP JP2000002576A patent/JP3241030B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101426969B (en) * | 2006-04-28 | 2011-08-10 | 东丽株式会社 | Process for producing woven carbon fiber fabric |
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| JP2000236163A (en) | 2000-08-29 |
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