JP3220176B2 - Drawing data creation method, data conversion method, and data conversion device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置な
どのための回路設計パターンデータから電子線描画装置
のための描画データを作成する技術、ことに、設計パタ
ーンデータの圧縮を行う技術に関し、例えば半導体記憶
装置のように繰返しパターンを数多く含むもののための
描画データ作成に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for creating drawing data for an electron beam drawing apparatus from circuit design pattern data for a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique for compressing design pattern data. For example, the present invention relates to drawing data creation for a device including a large number of repetitive patterns such as a semiconductor memory device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置の大規模化、微細化
に伴い、電子線描画装置を利用してマスク又はウェーハ
にパターンを描画する技術が採用されている。論理設
計、回路設計およびレイアウト設計によって作成された
ＬＳＩデバイスのための設計パターンデータを用いて所
定のパターンを電子線描画装置でマスク又はウェーハ上
に描画するには、斯るパターンデータを電子線描画装置
用の描画データに変換しなければならない。このような
変換は、設計パターンデータにより規定されるパターン
における図形の重なりに基因する多重露光によって描画
精度が低下しないようにするための重なり除去、設計パ
ターンデータにより規定される図形を拡大又は縮小して
描画したいような場合のための寸法補正、描画時におけ
る電子線の散乱による近接効果の補正、上述のパターン
を電子線描画装置にとって描画可能な基本図形に分解す
る処理などを行うためである。上記したデータ変換は、
通常大形計算機で行われる。2. Description of the Related Art With the enlargement and miniaturization of semiconductor integrated circuit devices, a technique of drawing a pattern on a mask or a wafer using an electron beam drawing apparatus has been adopted. To draw a predetermined pattern on a mask or a wafer by an electron beam drawing apparatus using design pattern data for an LSI device created by logic design, circuit design and layout design, the pattern data is drawn by electron beam drawing. It must be converted to drawing data for the device. Such conversion includes removing overlaps to prevent a decrease in drawing accuracy due to multiple exposure caused by overlapping of figures in a pattern defined by design pattern data, and expanding or reducing a figure defined by design pattern data. This is for performing dimensional correction for the case where the user wants to draw by hand, correction of the proximity effect due to scattering of the electron beam at the time of drawing, processing for decomposing the above-mentioned pattern into basic figures that can be drawn by an electron beam drawing apparatus, and the like. The above data conversion,
This is usually done on a large computer.

【０００３】ところで、ＬＳＩデバイスの大規模化並び
に微細化に伴って電子線描画装置が処理するデー多量は
増大の一途を辿っている。従来の電子線描画技術では、
設計パターンデータを描画データに変換するとき、描画
データへの変換対象とされる設計パターンデータにより
規定される図形の全てに対して逐一描画データへの変換
が行われていた。従って、データ変換に必要な計算機処
理時間や描画データ量が増大し、ＤＲＡＭなどのような
高集積化されたＬＳＩデバイスについては描画データへ
の変換を効率的に行うことができなくなってきている。
そこで、描画データ量を減らすために描画データの圧縮
を行う技術が提案されている。斯る技術について記載さ
れた文献の例としては特開昭５７−１２２５２９号公報
（１９８２年７月３０日公開）がある。斯る技術は設計
パターンデータから変換されたパターン全体のための先
描画データに規定される繰返しパターンを認識し、同一
パターンを含む領域に対してはその全てを代表するパタ
ーンを登録しておき、これを要所で利用するようにし
て、実際に描画のときに必要なデータ量を圧縮しようと
するものである。[0003] With the scale-up and miniaturization of LSI devices, the amount of data processed by an electron beam lithography system is steadily increasing. In conventional electron beam drawing technology,
When converting the design pattern data into the drawing data, all the graphics specified by the design pattern data to be converted into the drawing data are converted into the drawing data one by one. Therefore, the computer processing time required for data conversion and the amount of drawing data have increased, and it has become impossible to efficiently convert drawing data into highly integrated LSI devices such as DRAMs.
Therefore, a technique for compressing drawing data in order to reduce the amount of drawing data has been proposed. An example of a document describing such a technique is JP-A-57-122529 (published on July 30, 1982). Such a technique recognizes a repetitive pattern defined in the pre-drawing data for the entire pattern converted from the design pattern data, and registers a pattern representing all of the same pattern in an area including the same pattern, This is used at important points to try to compress the amount of data required for actual drawing.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術においては、設計パターンデータから認識される全て
の図形を一旦描画データに変換してからデータ圧縮を行
うものであるから、最終的に描画に利用される描画デー
タを得るまでの計算機処理時間は低減されない。また、
このデータ圧縮技術を直接設計パターンデータの圧縮に
適用すると、データ変換により得られる描画データによ
って規定されるパターンに不所望な不連続や不所望な重
なりが生じる不具合のあることが本発明により見出され
た。即ち、上述したように、描画データは２重露光防止
のための重なりの除去された図形の集合としてパターン
を規定しているため、データ圧縮の対象となる繰返しパ
ターンは隣接する図形に対して重なりのないものとして
把握されるようになっている。一方、設計パターンデー
タにおいては繰返しの単位となる繰返しパターンと隣接
する図形とは、図形の拡大／縮小を考慮したり、パター
ンを矩形の図形の集合として定義したりする性質上一般
的に重なりを持っているからである。However, in the prior art, all figures recognized from the design pattern data are once converted into drawing data and then data compression is performed. The computer processing time until the drawing data to be obtained is not reduced. Also,
The present invention has found that when this data compression technique is directly applied to the compression of design pattern data, the pattern defined by the drawing data obtained by the data conversion has an undesirable discontinuity or an undesirable overlap. Was done. That is, as described above, since the drawing data defines a pattern as a set of figures from which overlap is removed to prevent double exposure, a repeated pattern to be subjected to data compression overlaps with an adjacent figure. It has come to be understood as something without. On the other hand, in the design pattern data, a repetition pattern which is a unit of repetition and a figure adjacent thereto generally have an overlap due to the nature of taking into account the enlargement / reduction of the figure and defining the pattern as a set of rectangular figures. Because they have.

【０００５】そこで、本発明者は、図形の重なりを考慮
して直接設計パターンデータにより規定される繰返しパ
ターンもしくは２度以上繰返されるパターンを認識して
データを圧縮する技術の必要性を見出した。The present inventor has found a need for a technique for compressing data by recognizing a repetitive pattern specified directly by design pattern data or a pattern repeated twice or more in consideration of the overlapping of figures.

【０００６】本発明の１つの目的は、設計パターンデー
タから電子線描画データの作成に当たり、設計パターン
データにより規定される繰返しパターン若しくは複数の
同一パターンとそれらに隣接する図形との重なり具合を
考慮しながらデータ圧縮して効率的に描画データを得る
ことができる描画データの作成方法及びデータ変換方法
並びにデータ変換装置を提供することにある。One object of the present invention is to create electron beam drawing data from design pattern data by taking into account the degree of overlap between a repetitive pattern or a plurality of identical patterns defined by the design pattern data and a figure adjacent thereto. It is an object of the present invention to provide a drawing data creation method, a data conversion method, and a data conversion device capable of efficiently obtaining drawing data by compressing data.

【０００７】本発明の別の目的は、描画データの作成時
間並びに描画データ量を削減することができる描画デー
タの作成方法及びデータ変換方法並びにデータ変換装置
を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a drawing data creation method, a data conversion method, and a data conversion device capable of reducing the drawing data creation time and the drawing data amount.

【０００８】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【００１０】すなわち、描画すべきパターンは通常、複
数個の規則的に配列された単位セルに分割される繰返し
部と、その繰返し部に隣接している非繰返し部とを含ん
でいる。設計パターンデータは、繰返し部に対応し、単
位セルのための少なくとも１つの繰返しパターンを相隣
る繰返しパターン間に重なりを設けて規定する繰返しデ
ータ部と、非繰返し部に対応する非繰返しデータ部とを
含んでいる。本発明の一側面においては、設計パターン
データから、繰返しパターンを特定する繰返し情報が生
成され、これに基づいて繰返し図形枠が生成される。繰
返し図形枠は、繰返しパターンから切り出された単位領
域を規定し、この単位領域は相隣る単位領域間に重なり
を設けないように繰返し配置することにより前記パター
ンの前記繰返し部の一部と同等になるものである。ま
た、繰返し情報に基づいて、単位セルの１つおよび少な
くともその単位セルに隣合う単位セルのデータを選択
し、それらの単位セルのデータを展開することにより処
理対象繰返しパターンデータが生成される。この処理対
象繰返しパターンデータおよび非繰返しパターンデータ
部が図形処理操作されて処理済み繰返しパターンデータ
および処理済み非繰返しデータ部が生成され、処理済み
繰返しパターンデータの内で、前記１つの単位セルのた
めの処理済み繰返しパターンデータの、前記図形繰返し
枠の中に存在する部分を抽出し、それから基本パターン
データが形成される。この基本パターンデータは、前記
パターンの繰返し部を描画するために繰返し用いられ
る。That is, a pattern to be drawn usually includes a repetitive portion divided into a plurality of regularly arranged unit cells, and a non-repeating portion adjacent to the repetitive portion. The design pattern data corresponds to a repetition part, and a repetition data part defining at least one repetition pattern for a unit cell by providing an overlap between adjacent repetition patterns, and a non-repetition data part corresponding to a non-repetition part And In one aspect of the present invention, repetition information for specifying a repetition pattern is generated from design pattern data, and a repetitive graphic frame is generated based on the repetition information. The repetitive graphic frame defines a unit area cut out from the repetitive pattern, and this unit area is equivalent to a part of the repetitive portion of the pattern by repeatedly arranging the unit areas so as not to overlap between adjacent unit areas. It becomes something. In addition, based on the repetition information, one of the unit cells and data of at least the unit cell adjacent to the unit cell are selected, and the data of the unit cells are expanded to generate processing target repeated pattern data. The processing target repetition pattern data and the non-repetition pattern data portion are subjected to graphic processing operations to generate a processed repetition pattern data and a processed non-repetition data portion. Is extracted from the processed repetition pattern data in the above described repetition frame, and basic pattern data is formed therefrom. This basic pattern data is repeatedly used to draw a repeated portion of the pattern.

【００１１】設計パターンデータから把握される繰返し
パターンはそれに隣接する図形と部分的に重なってお
り、そのような設計パターンデータの要所に対して倍率
変更、鏡面反転／回転、重なり除去、パターン補正など
の図形処理が施される場合を想定すると、繰返し情報並
びに繰返しパターンデータから基本パターンデータを生
成するに際しては、繰返しパターンデータとその繰返し
パターンの重なり範囲に応じてその繰返しパターンの周
りに存在する繰返しパターンのデータをも含めて展開し
ながら基本パターンデータを生成することが望ましい。
一方、繰返しパターンデータによって特定される繰返し
部において、それに隣接する非繰返し部との境界近傍部
分では、非繰返し部との個別的な規則性を保ってその外
周部パターンデータを生成する必要がある。The repetitive pattern grasped from the design pattern data partially overlaps the figure adjacent thereto, and the magnification, mirror reversal / rotation, overlap removal, pattern correction are applied to the key points of such design pattern data. Assuming that graphic processing such as is performed, when generating basic pattern data from the repetition information and the repetition pattern data, the basic pattern data exists around the repetition pattern according to the overlapping range of the repetition pattern data and the repetition pattern. It is desirable to generate the basic pattern data while developing the data including the data of the repeating pattern.
On the other hand, in the repetitive portion specified by the repetitive pattern data, in the vicinity of the boundary with the non-repetitive portion adjacent thereto, it is necessary to generate the outer peripheral portion pattern data while maintaining the individual regularity with the non-repetitive portion. .

【００１２】また、本発明の他の側面によれば、回路の
設計パターンデータから把握される非繰返し部、又は非
繰返し部に隣接する繰返しパターン部の外周部などに対
しては、設計パターンデータ又は設計パターンデータと
その他の指定情報（例えばデータ圧縮の対象とするかど
うかの基準情報）に基づいて、複数存在する同一パター
ンを認識して、その同一パターンの領域を画定させる配
置情報を取得し、この配置情報に基づいて、周囲の図形
との規則的な連続性を保持させて同一パターンの１個の
単位領域に対応する遍在基本パターンデータを生成し、
さらに、前記遍在基本パターンと配置情報に基づいて前
記同一パターンに対応する描画データを生成するように
してもよい。このようにすることにより、非繰返しパタ
ーン部、又は非繰返し部に隣接する繰返し部の外周部に
対しても設計パターンデータの圧縮が可能になり、その
ような領域に含まれる図形を全て展開して描画データを
作成しなくても済むようになる。According to another aspect of the present invention, a design pattern data is stored in a non-repeated portion grasped from circuit design pattern data or an outer peripheral portion of a repeated pattern portion adjacent to the non-repeated portion. Alternatively, based on the design pattern data and other designation information (for example, reference information on whether or not to be a target of data compression), a plurality of identical patterns are recognized, and arrangement information for defining an area of the same pattern is acquired. Based on this arrangement information, generate ubiquitous basic pattern data corresponding to one unit area of the same pattern while maintaining regular continuity with surrounding graphics;
Further, drawing data corresponding to the same pattern may be generated based on the ubiquitous basic pattern and the arrangement information. By doing so, it is possible to compress the design pattern data also to the non-repeated pattern portion or the outer peripheral portion of the repetitive portion adjacent to the non-repeated portion, and expand all the figures included in such an area. It is not necessary to create drawing data.

【００１３】前記繰返し部に対応する描画データの生成
では、繰返し部に含まれるパターン相互間の規則性を保
持したまま基本パターンに含まれる図形の重なり除去並
びにパターン補正等を行う処理を含むことができる。The generation of the drawing data corresponding to the repetitive portion may include a process of removing overlap of figures included in the basic pattern and correcting the pattern while maintaining regularity between the patterns included in the repetitive portion. it can.

【００１４】さらに、上記のようにして得られた描画デ
ータに従ってマスクやウェーハにマスクパターンが描画
されることにより、半導体集積回路装置が形成される。Furthermore, a semiconductor integrated circuit device is formed by drawing a mask pattern on a mask or a wafer according to the drawing data obtained as described above.

【００１５】[0015]

【作用】上記した手段によれば、設計パターンデータに
含まれる規則性を認識することにより、繰返しパターン
や同一パターンが把握される。そして、それらのパター
ンから図形の重なり除去やパターン補正等の処理を考慮
して、重なりなく画定された単位領域のための基本パタ
ーンデータなどを生成する。こうすることにより、当該
基本パターンデータとその繰返し情報などに基づいて、
二重露光防止のための重なり除去やパターン補正などの
描画装置のための描画データへの変換処理を行えばよ
い。したがって、設計パターンデータに含まれる全ての
図形に対する、逐次描画データへの変換処理は必要とさ
れない。これにより、描画データ作成のための処理時間
の短縮を達成し、さらに基本パターンに対応する描画デ
ータの繰返し表現によるデータ圧縮によって、描画デー
タ量の削減も達成する。According to the above-described means, a repetition pattern or the same pattern is grasped by recognizing the regularity included in the design pattern data. Then, from such patterns, basic pattern data and the like for a unit area defined without overlapping are generated in consideration of processes such as overlap removal of patterns and pattern correction. By doing so, based on the basic pattern data and its repetition information, etc.,
What is necessary is just to perform the conversion processing to the drawing data for the drawing apparatus such as the overlap removal and the pattern correction for preventing the double exposure. Therefore, it is not necessary to sequentially convert all figures included in the design pattern data into drawing data. As a result, the processing time for creating the drawing data can be reduced, and the amount of the drawing data can be reduced by compressing the drawing data corresponding to the basic pattern by repeated expression.

【００１６】[0016]

【実施例】先ず、半導体集積回路装置の開発製造過程に
おける本発明方法の位置付けを図１を参照しながら説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the positioning of the method of the present invention in the process of developing and manufacturing a semiconductor integrated circuit device will be described with reference to FIG.

【００１７】半導体集積回路装置の開発は、その仕様が
決定された後に論理設計や回路設計などが行われ、それ
に基づいてレイアウト設計が行われる。これによって半
導体集積回路装置の所要の設計パターンデータが取得さ
れる。これに基づいて半導体集積回路装置を製造すると
きは、同データを電子線描画データ変換システム１に与
えて、描画データに変換する。そしてこの描画データに
基づいて電子線描画装置２でマスク又はウェーハにパタ
ーンを描画し、このようにして形成される各種マスクパ
ターンを利用して所定の製造プロセスを経ることによっ
て所望の半導体集積回路装置が形成される。本発明に係
る電子線描画データ作成方法は電子線描画データ変換シ
ステム１に反映される。In the development of a semiconductor integrated circuit device, a logic design, a circuit design, and the like are performed after the specification is determined, and a layout design is performed based on the design. Thereby, required design pattern data of the semiconductor integrated circuit device is obtained. When manufacturing a semiconductor integrated circuit device based on this, the same data is given to the electron beam drawing data conversion system 1 and converted into drawing data. Then, a pattern is drawn on a mask or a wafer by the electron beam drawing apparatus 2 based on the drawing data, and a predetermined manufacturing process is performed by using various mask patterns formed in this manner, thereby obtaining a desired semiconductor integrated circuit device. Is formed. The electron beam drawing data creation method according to the present invention is reflected in the electron beam drawing data conversion system 1.

【００１８】例えば上記手法によって形成される半導体
集積回路装置の一例は図２のチップ平面図で示される。
同図に示される半導体集積回路装置は、繰返しパターン
を数多く含むものであり、例えばＤＲＡＭやマスクＲＯ
Ｍのような半導体メモリとさる。For example, an example of a semiconductor integrated circuit device formed by the above method is shown in a plan view of a chip in FIG.
The semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 1 includes a large number of repetitive patterns, such as a DRAM and a mask RO.
It is a semiconductor memory like M.

【００１９】この半導体集積回路装置は、シリコンのよ
うな半導体基板１０の表面に、４個のメモリセルアレイ
１１〜１４を備え、それらに含まれるメモリセルをアド
レシングするためのローアドレスデコーダ１５，１６及
びカラムアドレスデコーダ１７、アドレシングされるメ
モリセルのビット線をコモンデータ線などに導通させる
ためのカラム選択回路１９，２０、ビット線に読出され
る情報を増幅するセンスアンプアレイ２１〜２４、内部
タイミング信号を生成するタイミングジェネレータ２５
などが中央部に配置され、その外側にはデータやアドレ
ス信号などを外部とやりとりするためのバッファ回路２
６が多数設けられ、それらバッファ回路などはボンディ
ングパッド２７に結合されている。This semiconductor integrated circuit device includes four memory cell arrays 11 to 14 on the surface of a semiconductor substrate 10 such as silicon, and row address decoders 15 and 16 for addressing memory cells included therein, and A column address decoder 17, column selection circuits 19 and 20 for conducting bit lines of a memory cell to be addressed to a common data line and the like, sense amplifier arrays 21 to 24 for amplifying information read to the bit lines, internal timing signals Generator 25 that generates
And a buffer circuit 2 for exchanging data and address signals with the outside.
6 are provided, and the buffer circuits and the like are connected to bonding pads 27.

【００２０】このメモリのための設計パターンデータは
例えば図３に示されるような階層構造を持つ。この階層
構造は、繰返しパターンを規定するデータを含むメモリ
セルのためのデータセル３０を単位とし、メモリセルの
規則的な配置（例えば等間隔で２次元に繰返し配置）に
より構成されるメモリセルアレイ（繰返し部）のための
アレイデータ部（繰返しデータ部）３１と、非繰返し部
のための非繰返しデータ部３２とを含む。例えば設計パ
ターンデータ中のアレイデータ部３１がデータ圧縮の対
象となる。図２のチップ平面図に対応させると、前記繰
返し単位となるデータセル３０はＬＳＩメモリの場合に
はメモリセル（以下一般的に単位セルとも記す）のパタ
ーンを規定するものであり、前記アレイデータ部３１は
メモリセルアレイ１１〜１４（以下一般的に繰返し部と
も記す）に相当する。The design pattern data for the memory has, for example, a hierarchical structure as shown in FIG. In this hierarchical structure, a memory cell array (eg, two-dimensionally repeated at regular intervals) of memory cells is used as a unit of a data cell 30 for a memory cell including data defining a repeating pattern. An array data section (repeated data section) 31 for the repetitive section and a non-repeated data section 32 for the non-repeated section are included. For example, the array data section 31 in the design pattern data is a target of data compression. According to the chip plan view of FIG. 2, the data cell 30 serving as a repeating unit defines a pattern of a memory cell (hereinafter, also generally referred to as a unit cell) in the case of an LSI memory. The unit 31 corresponds to the memory cell arrays 11 to 14 (hereinafter, also generally referred to as a repeating unit).

【００２１】ここで、図２に示される半導体集積回路装
置の作成に用いられる１つのマスクパターンのための設
計パターンデータは、例えば図４に示されるように、ア
レイデータ部３１を構成するデータセル３０のパターン
データ３０Ｐと、チップ上における各データセル３０の
配置座標（例えば対応アレイデータ部内における座標）
３０Ａ、並びに非繰返しデータ部３２のパターンデータ
３２Ｐとを含む。尚、図４において、データ３０Ｐは各
アレイデータ部３１のチップ上における配置座標を、デ
ータ３２Ｐは非繰返しデータ部３２のチップ上における
配置座標を含む。Here, the design pattern data for one mask pattern used for producing the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 2 is, for example, a data cell constituting the array data portion 31 as shown in FIG. 30 pattern data 30P and the arrangement coordinates of each data cell 30 on the chip (for example, the coordinates in the corresponding array data section)
30A, and the pattern data 32P of the non-repeated data section 32. In FIG. 4, data 30P includes the arrangement coordinates of each array data section 31 on the chip, and data 32P includes the arrangement coordinates of the non-repeated data section 32 on the chip.

【００２２】上記のような設計パターンデータを入力し
て電子線描画装置２のための電子線描画データを作成す
る電子線描画データ変換システム１は、例えば図５に示
されるように、設計パターンデータを受けてその中に含
まれる繰返しパターンを規定する部分関にする繰返し情
報を生成し、繰返し図形枠を設定する繰返し情報生成／
繰返し図形枠設定部４０、この繰返し情報生成／繰返し
図形枠設定部４０の出力に基づき、重なり除去、寸法補
正等の処理が施される成長パターンデータを生成するた
めの代表処理対象パターンデータ生成部４１、該生成部
４１の出力を入力して相隣る図形間の重なり除去や所定
の図形の寸法補正及び近接効果補正などを行い、基本パ
ターンを生成する図形処理／基本パターン生成部４２、
図形処理／基本パターン生成４２での処理結果に対して
描画のための基本図形への分解などの処理を行う電子線
描画データ生成部４３によって構成される。このデータ
生成部４３から得られるデータが描画データであり、電
子線描画装置２の描画制御部４４に与えられ、その制御
に従って露光部４５がマスクやウェーハ上にパターンを
描画する。An electron beam lithography data conversion system 1 for inputting the above design pattern data and creating electron beam lithography data for the electron beam lithography apparatus 2 includes, for example, as shown in FIG. , And generates repetition information to be used as a partial relation for defining a repetition pattern included therein, and generates repetition information for setting a repetitive graphic frame.
A repetitive graphic frame setting unit 40, a representative processing target pattern data generating unit for generating growth pattern data to be subjected to processing such as overlap removal and dimensional correction based on the output of the repetitive information generation / repetitive graphic frame setting unit 40 41, a graphic processing / basic pattern generation unit 42 which receives an output of the generation unit 41, performs overlap removal between adjacent graphics, corrects dimensions of a predetermined graphic, corrects a proximity effect, and generates a basic pattern.
An electron beam drawing data generation unit 43 that performs processing such as decomposition into a basic figure for drawing on the processing result of the figure processing / basic pattern generation 42. The data obtained from the data generating unit 43 is drawing data, which is given to the drawing control unit 44 of the electron beam drawing apparatus 2, and the exposure unit 45 draws a pattern on a mask or a wafer according to the control.

【００２３】次に前記システム１による描画データの作
成例を、図５に示される夫々の機能実現手段における処
理即ち、繰返し情報生成／繰返し図形枠設定、代表
処理対象パターンデータ生成、図形処理／基本パター
ン生成、電子線描画データ生成、に従って順を追って
説明する。Next, an example of the creation of drawing data by the system 1 will be described with reference to the processing in the respective function realizing means shown in FIG. 5, that is, generation of repeated information / setting of a repeated figure frame, generation of representative processing target pattern data, figure processing / basic processing. The description will be given in order according to the pattern generation and the electron beam drawing data generation.

【００２４】システム１に入力される設計パターンデー
タにおいて、アレイデータ３１を構成する各データセル
３０により規定される単位セルに含まれる繰返しパター
ンは隣接する単位セルに含まれる繰返しパターンまたは
隣接する非繰返し部に含まれる図形と部分的に重複して
おり、両者は相互に接続するようになっている。例えば
メモリセルアレイに含まれるポリシリコンゲートのため
の設計パターンデータにより規定されるパターンを示す
図６において１点鎖線で囲まれる相互に部分的に重なっ
ている領域がメモリセル１３０（設計パターンデータに
おけるデータセル３０に対応）を構成し、各メモリセル
１３０における繰返しパターンは夫々矩形の複数個の図
形を含んでいる。隣接するメモリセル１３０においては
繰返しパターン間の接続部となる矩形の図形の一部が重
なっている。この図形の重なりは、単位セルの倍率変更
などを行っても隣接単位セルに含まれる繰返しパターン
同士の接続を確実に維持できるようにするためである。
尚、本願発明において、「単位セルのための少なくとも
１つの繰り返しパターンを相隣る繰り返しパターン間に
重なりを設けて規定する繰り返しデータ部」とは、例え
ば図６において相隣る『メモリセル１３０』同士の重な
りを意図している。 In the design pattern data input to the system 1, the repeating pattern included in the unit cell defined by each data cell 30 constituting the array data 31 is the repeating pattern included in the adjacent unit cell or the adjacent non-repeating pattern. The figure partially overlaps with the figure included in the section, and both are connected to each other. For example, in FIG. 6, which shows a pattern defined by the design pattern data for the polysilicon gate included in the memory cell array, a partially overlapping region surrounded by a dashed line is the memory cell 130 (data in the design pattern data). (Corresponding to cell 30), and the repeating pattern in each memory cell 130 includes a plurality of rectangular figures. In the adjacent memory cell 130, a part of a rectangular figure serving as a connection portion between repetition patterns overlaps. Overlap of this shape is to be performed, such as magnification changing unit cells to be reliably maintain the connection of the repeating pattern with each other are included in the adjacent unit cell.
In the present invention, “at least a unit cell is used.
One repeating pattern between adjacent repeating patterns
"Repeated data part specified by providing overlap"
For example, the overlap between adjacent “memory cells 130” in FIG.
Is intended.

【００２５】 繰返し情報生成／繰返し図形枠設定Generation of repetitive information / setting of repetitive graphic frame

【００２６】単位セルを特定する情報を含む設計パター
ンデータが与えられると、設計パターンデータにおい
て、同一パターンを規定するデータセルが２つ以上存在
するかどうか、もしそうである場合にそれらのパターン
（繰返しパターン）の配置がどのようであるか等を表す
繰返し情報を生成する。例えば、図４に示されるような
情報フォーマットを参照すると、単位セルのパターンデ
ータ３０Ｐと単位セルの配置座標３０Ａとから繰返し情
報を生成する。When design pattern data including information for specifying a unit cell is provided, it is determined whether there are two or more data cells defining the same pattern in the design pattern data, and if so, those patterns ( It generates repetition information indicating the arrangement of the repetition pattern). For example, referring to an information format as shown in FIG. 4, repeated information is generated from the unit cell pattern data 30P and the unit cell arrangement coordinates 30A.

【００２７】図８を参照して繰返し情報生成の処理手順
の一例を説明する。与えられた設計パターンデータをサ
ーチし、同一パターンを規定する複数個のデータセルを
選択する（８−１）。次いで選択されたデータセルが規
定するパターン毎に配置座標を求める（８−２）。次ぎ
に、選択されたデータセルをパターン毎にＸ座標、Ｙ座
標でソートし、同一パターンを含む隣接領域（単位領域
と呼ぶ）の座標間隔を求める（８−３）。求めた間隔が
一定かどうか判断し（８−４）、一定であれば、同じパ
ターンが連続して繰返されているので、繰返されるパタ
ーンを含む単位領域の開始座標、繰返し回数、繰返し間
隔をステップ８−２、８−３で求めた情報を用いて求め
（８−５）、連続繰返しパターンデータの圧縮を行う
（８−６）。ステップ８−４において、間隔が一定でな
ければ、同一パターンを含む単位領域の面積がある予め
定められた値（任意に定められる）より大きいかどうか
を判断し（８−７）、大きければ非連続繰返しパターン
データの圧縮を行う（８−８）。ステップ８−７におい
て、大きくなればデータ圧縮はしない。Referring to FIG. 8, an example of a processing procedure for generating repeated information will be described. A given design pattern data is searched to select a plurality of data cells defining the same pattern (8-1). Next, arrangement coordinates are obtained for each pattern defined by the selected data cell (8-2). Next, the selected data cells are sorted by the X coordinate and the Y coordinate for each pattern, and the coordinate interval of an adjacent area (called a unit area) including the same pattern is obtained (8-3). It is determined whether the obtained interval is constant (8-4). If the interval is constant, the same pattern is continuously repeated, so the start coordinates, the number of repetitions, and the repetition interval of the unit area including the pattern to be repeated are set in steps. Using the information obtained in 8-2 and 8-3, it is obtained (8-5), and the continuous repetition pattern data is compressed (8-6). In step 8-4, if the interval is not constant, it is determined whether the area of the unit region including the same pattern is larger than a predetermined value (arbitrarily determined) (8-7). The compression of the continuously repeated pattern data is performed (8-8). In step 8-7, data compression is not performed if the data size becomes larger.

【００２８】従って、繰返し情報は、設計パターンデー
タにおいて規定される繰返しパターンを多数含んでいる
領域を相互に重ならずしかも夫々１つの繰返しパターン
から端の図形の一部を除いた繰返しパターンの実質的な
部分を含む複数個の領域に（単位領域）に画定するため
の情報であり、単位領域の開始座標、繰返し回数、並び
に繰返し間隔を含むことがある。例えば図６において５
０が１個の単位領域（繰返し図形枠とも記す）であり、
これは、繰返し間隔Ｐｘ，Ｐｙによって規定され、且
つ、メモリセル（単位セル）１３０に含まれる繰返しパ
ターンの部分的重複を排除するよう端部の図形の一部は
除去されるように決定される（ステップ８−５参照）。
したがって、メモリアレイにおける繰返しパターンの集
合は図７に示されるような単位領域（繰返し図形枠）５
０の集合と考えることができる。相隣る単位領域（繰返
し図形枠）５０の連続性すなわち接続状態は保持され、
しかも重複しない。このような単位領域（繰返し図形
枠）５０は、例えば繰返しパターン相互間での同一図形
（矩形）の直交する２つの方向（Ｘ方向並びにＹ方向と
称する）夫々の繰返し周期（以下単にピッチという）に
基づいて決定される。例えば図６において単位領域（繰
返し図形枠）５０のＸ方向長さＰｘは隣接メモリセル
（単位セル）に含まれる繰返しパターンにおける同一図
形のＸ方向ピッチと同一とし、同様に単位領域（繰返し
図形枠）５０のＹ方向長さＰｙは隣接パターン間の同一
図形のＹ方向ピッチと同一とすることができる。Therefore, the repetition information does not overlap regions including a large number of repetition patterns defined in the design pattern data, and furthermore, the repetition information substantially excludes a part of the end figure from one repetition pattern. This is information for defining (unit area) in a plurality of areas including a target portion, and may include a start coordinate of the unit area, the number of repetitions, and a repetition interval. For example, in FIG.
0 is one unit area (also referred to as a repetitive graphic frame),
This is defined by the repetition intervals Px and Py, and is determined so that a part of the figure at the end is removed so as to eliminate a partial overlap of the repetition pattern included in the memory cell (unit cell) 130. (See Step 8-5).
Therefore, a set of repeating patterns in the memory array is composed of unit areas (repeating graphic frames) 5 as shown in FIG.
It can be thought of as a set of zeros. The continuity of the adjacent unit area (repeated graphic frame) 50, that is, the connection state is maintained.
Moreover, there is no overlap. Such a unit area (repeated graphic frame) 50 has, for example, a repetition period (hereinafter simply referred to as a pitch) in each of two orthogonal directions (referred to as X direction and Y direction) of the same graphic (rectangle) between the repeated patterns. Is determined based on For example, in FIG. 6, the X direction length Px of the unit area (repeated graphic frame) 50 is the same as the X direction pitch of the same graphic in the repeated pattern included in the adjacent memory cell (unit cell). The length Py in the Y direction of 50) can be the same as the Y direction pitch of the same figure between adjacent patterns.

【００２９】 代表処理対象パターンデータ生成Generation of representative processing target pattern data

【００３０】前記繰返し図形枠５０を規定するための繰
返し情報に基づいて、後刻多くの場合に施される設計パ
ターンデータの要所に対して倍率変更、鏡面反転、回
転、重なり除去、および／またはパターン補正等が施さ
れても隣接する単位領域に含まれるパターン間の接続が
重なりなく維持されるように、隣接する繰返しパターン
間の接続状態に応じて特定の繰返し図形枠（単位領域）
５０に隣合う単位領域、例えば隣接してこれを取り囲む
ｍ列ｎ行分の単位領域（繰返し図形枠）も含めて（例え
ばコンピュータのワークメモリ上に）パターンデータを
展開することにより代表処理対象パターンデータを生成
する（ｍ，ｎ；正整数）。このようにして得られる単位
領域（繰返し図形枠）５０に含まれるパターンは各単位
セルにおいて非繰返し部の影響を受けない限りその他の
単位領域（繰返し図形枠）５０のパターンを代表するこ
とができる。Based on the repetition information for defining the repetitive graphic frame 50, magnification change, mirror reversal, rotation, overlap removal, and / or reversal of key points of design pattern data to be performed in many cases later. A specific repeating graphic frame (unit area) according to the connection state between adjacent repeating patterns so that connections between patterns included in adjacent unit areas are maintained without overlapping even if pattern correction or the like is performed.
By expanding the pattern data (for example, on a work memory of a computer) including a unit area adjacent to 50, for example, a unit area (repeated graphic frame) of m columns and n rows surrounding and surrounding the unit pattern, the representative processing target pattern is obtained. Generate data (m, n; positive integer). The pattern included in the unit area (repeated graphic frame) 50 obtained in this manner can represent the pattern of another unit area (repeated graphic frame) 50 in each unit cell as long as the pattern is not affected by the non-repeated part. .

【００３１】 図形処理／基本パターンデータ生成Graphic processing / Basic pattern data generation

【００３２】処理対象パターンデータ生成部４１で得ら
れたアレイデータ部３１の代表処理対象パターンデータ
並びに非繰返しデータ部のパターンデータに対して図形
の重なり除去及び寸法補正を行う。The representative pattern data of the array data section 31 and the pattern data of the non-repeated data section obtained by the pattern data generating section 41 are subjected to graphic overlap removal and dimensional correction.

【００３３】このようにして図形処理されたデータに対
して近接効果補正（描画時の電子線の散乱により描画精
度が劣化することを防ぐための補正）を行い、処理済み
繰返しパターンデータ及び処理済み非繰返しデータ部を
与える。上記図形処理、近接効果補正は、公知の技術で
ある（例えばそれぞれＰｒｏｃ．ＩＥＤＭ，ｐｐ５５８
−５６１，Ｄｅｃ．１９８３，Ｐｒｏｃ．１８ｔｈＤＡ
Ｃｏｎｆ，Ｊｕｎｅ１９８１，ｐｐ５６３−５７０参
照）。得られた処理済みパターンデータのうち、代表処
理対象パターンデータの中の、上述した特定の単位領域
の、すなわち中央の単位領域のためのパターンデータを
抽出し、これを基本パターンデータとする。この抽出さ
れた中央の単位領域のためのパターンデータは、処理済
み繰返しパターンデータの図形繰返し枠内に存在する部
分に相当する。Proximity effect correction (correction for preventing the drawing accuracy from deteriorating due to scattering of electron beams at the time of drawing) is performed on the data subjected to the graphic processing in this manner, and the processed repetitive pattern data and the processed Give a non-repeated data part. The graphic processing and the proximity effect correction are known techniques (for example, Proc. IEDM, pp 558, respectively).
-561, Dec. 1983, Proc. 18thDA
Conf, June 1981, pp 563-570). Among the obtained processed pattern data, the pattern data for the above-described specific unit area, that is, the central unit area, in the representative processing target pattern data is extracted, and is used as basic pattern data. The extracted pattern data for the central unit area corresponds to a portion of the processed repetitive pattern data that exists in the graphic repetition frame.

【００３４】従って、図９に示すデータにおいてアレイ
データ部３１の中央部分に含まれる多数の繰返し図形枠
５０により規定される繰返しパターンに対応するデータ
は、前記繰返し情報ＲＥＰＤＡＴＡと基本パターンデー
タ５１によってデータ圧縮される。Therefore, in the data shown in FIG. 9, the data corresponding to the repetition pattern defined by a large number of repetitive graphic frames 50 included in the center portion of the array data portion 31 is represented by the repetition information REPDATA and the basic pattern data 51. Compressed.

【００３５】図１０に示されるようにアレイ部（繰返し
部）１３１における外周部は非繰返し部１３２に含まれ
るパターンとの接続条件によって個別化されることが予
想されるため、前記基本パターンデータ５１によってそ
のパターンを規定することはできない。斯る外周部をど
の範囲までとするかは非繰返し部１３２のパターンが、
どの程度アレイ部１３１の内部に食い込んで接続するか
によって決定される。図９に示すデータにおいては、非
繰返しデータ部３２により規定される非繰返し部１３２
のパターンがアレイデータ部３１で規定されるアレイ部
１３１の最外周のみの１個またはそれ以上の繰返し図形
枠（単位領域）５０を超えては内部に食い込まない場合
が一例として示される。この場合に最外周の繰返し図形
枠内のパターンはその内側で隣接する繰返し図形枠のパ
ターンに対し影響を与えるから、隣接する両者の境界部
分のパターンの状態および単位セルの面積の広さを考慮
して最外周の繰返し図形枠内のパターンデータが決定さ
れる（図８ステップ８−７参照）。As shown in FIG. 10, the outer peripheral portion of the array portion (repeated portion) 131 is expected to be individualized depending on the connection condition with the pattern included in the non-repeated portion 132, so that the basic pattern data 51 Cannot define the pattern. The range of the outer peripheral portion is determined by the pattern of the non-repeating portion 132,
It is determined according to the degree of biting into the inside of the array unit 131 for connection. In the data shown in FIG. 9, a non-repeated part 132 defined by a non-repeated data part 32
Is shown as an example where the pattern does not penetrate beyond one or more repetitive graphic frames (unit areas) 50 only on the outermost periphery of the array section 131 defined by the array data section 31. In this case, since the pattern in the outermost repeated graphic frame affects the pattern of the adjacent repeated graphic frame on the inner side, the state of the pattern at the boundary between the adjacent two and the area of the unit cell are taken into consideration. Then, the pattern data in the outermost repetitive graphic frame is determined (see step 8-7 in FIG. 8).

【００３６】従って、アレイ部１３１を規定するパター
ンデータは、図９に示されるように、最外周の繰返し図
形枠内のパターンデータ５３（非繰返し部１３２のデー
タの一部として取り扱われてもよい）、基本パターンデ
ータ５１、及び繰返し情報ＲＥＰＤＡＴＡを含む。これ
により、入力された設計パターンデータに対して描画デ
ータ作成前にデータ圧縮が施される。Therefore, as shown in FIG. 9, the pattern data defining the array portion 131 may be handled as a part of the pattern data 53 (the data of the non-repeated portion 132) in the outermost repeated figure frame. ), Basic pattern data 51, and repetition information REPDATA. Thus, data compression is performed on the input design pattern data before creating the drawing data.

【００３７】 電子線描画データ生成Generation of electron beam drawing data

【００３８】図形処理／基本パターン生成部４２により
得られたパターンデータは前記電子線描画装置２の描画
単位である基本図形（台形パターン）を含むデータフォ
ーマット変更等を介して電子線描画データとして出力さ
れる。このようにして出力される描画データは、描画デ
ータ生成前にデータ圧縮されたパターンデータに基づい
て作成されており、描画データ自体も繰返しパターン部
分に関してデータ圧縮されている。即ち、繰返しパター
ンに対応する描画データは電子線描画装置内のメモリに
格納されていて、当該パターンの描画に際してその描画
データをメモリから読出して描画処理に供せられるよう
になる。The pattern data obtained by the graphic processing / basic pattern generator 42 is output as electron beam drawing data via a data format change including a basic figure (trapezoidal pattern) which is a drawing unit of the electron beam drawing apparatus 2. Is done. The drawing data output in this manner is created based on the pattern data that has been compressed before the drawing data is generated, and the drawing data itself is also subjected to data compression with respect to the repeated pattern portion. That is, the writing data corresponding to the repetitive pattern is stored in the memory in the electron beam writing apparatus, and when writing the pattern, the writing data is read from the memory and used for the writing process.

【００３９】次にアレイ部（繰返し部）に対するデータ
圧縮処理（繰返し情報生成、基本パターン生成）の別の
例を図１１，図１２に基づいて説明する。Next, another example of data compression processing (repetition information generation and basic pattern generation) for the array section (repetition section) will be described with reference to FIGS.

【００４０】図１１，図１２の例では、繰返し図形枠２
５０を、単位セル２３０の配置を規定する座標系の原点
を図面上左下にしてＸ，Ｙ方向に夫々単位セルの横およ
び縦の繰返し間隔に相当する大きさＰｘ，Ｐｙで設定す
る。この場合には単位セル２３０に含まれる繰返しパタ
ーンは繰返し図形枠２５０からＸ方向およびＹ方向にＰ
ｘおよび／またはＰｙ離れた領域に存在することがあ
り、また、１つの単位セルとその周辺の単位セルとの接
続関係も考慮する必要がある。In the example of FIGS. 11 and 12, the repetitive graphic frame 2
The size 50 is set in the X and Y directions with the sizes Px and Py corresponding to the horizontal and vertical repetition intervals of the unit cell, respectively, with the origin of the coordinate system defining the arrangement of the unit cells 230 at the lower left in the drawing. In this case, the repeating pattern included in unit cell 230 is P from the repetitive graphic frame 250 in the X and Y directions.
It may exist in a region apart from x and / or Py, and it is necessary to consider the connection relationship between one unit cell and unit cells around it.

【００４１】図１２はＸ方向に着目した図であり、長方
形は単位セルのパターンの存在する領域を表し、２本の
縦の線ＦＲ１１からＦＲ１２の区間は、繰返し枠のＸ方
向の長さを代表的に表す。繰返し枠内には対応の単位セ
ルのパターン以外にその周辺の単位セルの繰返しパター
ンの一部も含まれている。例えば図１２において、斜線
を施した単位セルのパターンに対応する繰返し枠に着目
すれば、同繰返し枠は、その左右夫々２列分の単位セル
の繰返しパターンの一部も含む。そこで、基本パターン
を得るために、５列の単位セルのためのデータ（Ｙ方向
についても同様であるから、正しくは５行×５列の単位
セルのためのデータ）を展開し、これを代表処理パター
ンデータとする。この代表処理パターンデータを図形処
理した後、中心の単位セルのデータを繰返し図形枠で切
り出す。この切り出されたデータが基本パターンデータ
２５１である。FIG. 12 is a view focusing on the X direction. A rectangle indicates an area where a unit cell pattern exists, and a section between two vertical lines FR11 to FR12 indicates the length of the repeating frame in the X direction. Representatively represented. The repetition frame includes a part of the repetition pattern of the peripheral unit cells in addition to the corresponding unit cell pattern. For example, in FIG. 12, if attention is paid to a repetition frame corresponding to a hatched unit cell pattern, the repetition frame includes a part of the repetition pattern of the unit cells for two columns on each of the left and right sides. Therefore, in order to obtain a basic pattern, data for unit cells in five columns (because the same is true for the Y direction, data for unit cells in 5 rows × 5 columns, to be correct) is developed. Processing pattern data. After performing the graphic processing on the representative processing pattern data, the data of the central unit cell is repeatedly cut out in a graphic frame. The extracted data is the basic pattern data 251.

【００４２】アレイ部の外周部については、図１２から
わかるように、外周２列分の単位セルはそれらのセルと
周辺のセルとの重なり数（重なり状態）がアレイ部の中
央部と異なり、圧縮対象とはならない。また、外周２列
分には外周４列分の単位セルのパターンの一部が含まれ
ている。そこで、アレイ部の外周２列とその内部の接続
を考慮して、アレイ部の外周４列分の単位セルのための
データセルを展開し、アレイ部の外の図形のデータと合
成する。合成データはパターンの図形処理後、外周４列
の内側２列分を除いて描画データへの変換対象データと
して採用される。これにより、アレイ部においてデータ
圧縮可能な領域はアレイ部の外周２列分を除いた部分に
なる。As can be seen from FIG. 12, regarding the outer peripheral portion of the array portion, the number of overlaps (overlapping state) of the unit cells of the outer peripheral two rows with those of the peripheral cells differs from that of the central portion of the array portion. Not subject to compression. The outer two rows include a part of the unit cell pattern for the outer four rows. Therefore, in consideration of the connection between the outer two rows of the array section and the inside of the array section, data cells for the unit cells corresponding to the four outer rows of the array section are developed and combined with figure data outside the array section. After the graphic processing of the pattern, the combined data is adopted as data to be converted into drawing data except for the inner two rows of the outer four rows. As a result, the data compressible area in the array section is a section excluding two rows on the outer periphery of the array section.

【００４３】図１３，図１４の例はアレイ部のデータ圧
縮可能領域を拡大する手法である。即ち、単位セル３３
０の図形存在領域を取得し、その中心からＸ方向および
Ｙ方向にＰｘ／２，Ｐｙ／２の距離で繰返し図形枠３５
０を決定する。図１２と同様にＸ方向に着目した図１４
を参照して解るように、この場合には、Ｘ方向長さが２
本の縦線ＦＲ２１からＦＲ２２の距離によって代表的に
現される繰返し図形枠には、対応の単位セルのパターン
以外にその周辺の単位セル（図１４では左右１列の単位
セル）のパターンの一部も含まれている（Ｙ方向につい
ても同様である）。そこで、基本パターンを得るため
に、３列の単位セルのためのデータ（Ｙ方向についても
同様であるから、正しくは３行×３列の単位セルのため
のデータ）を展開し、これを代表処理パターンデータと
する。この代表処理パターンデータを図形処理した後、
中心の単位セルのデータを繰返し図形枠で切り出す。こ
の切り出されたデータが基本パターンデータ３５１であ
る。FIGS. 13 and 14 show a technique for expanding the data compressible area of the array section. That is, the unit cell 33
0 is obtained and the figure frame 35 is repeated at a distance of Px / 2 and Py / 2 in the X and Y directions from the center.
Determine 0. FIG. 14 focusing on the X direction as in FIG.
In this case, the length in the X direction is 2
In the repetitive graphic frame typically represented by the distance between the vertical lines FR21 and FR22, not only the corresponding unit cell pattern but also the pattern of the peripheral unit cells (unit cells in one row on the left and right in FIG. 14). (The same applies to the Y direction). Therefore, in order to obtain a basic pattern, data for a unit cell in three columns is developed (correctly, data for a unit cell in three rows × three columns, because the same applies to the Y direction). Processing pattern data. After performing graphic processing on this representative processing pattern data,
The data of the center unit cell is repeatedly cut out with the figure frame. The cut-out data is the basic pattern data 351.

【００４４】アレイ部の外周部については、図１４から
も解るように、外周１列分の単位セルはそれらのセルと
周辺のセルとの重なり数（重なり状態）がアレイ部の中
央部と異なり、圧縮対象とはならない。また、外周１列
分には外周２列分の単位セルのパターンの一部が含まれ
ている。そこで、アレイ部の外周１列とその内部の接続
を考慮して、アレイ部の外周２列分の単位セルのための
データセルを展開し、アレイ部の外の図形のデータと合
成する。合成データはパターンの図形処理後、外周２列
の内側１列分を除き、描画データへの変換対象データと
して採用される。これにより、アレイ部においてデータ
圧縮可能な領域はアレイ部の外周１列分を除いた部分に
なる。As can be seen from FIG. 14, with respect to the outer peripheral portion of the array portion, the number of overlaps (overlapping state) of these cells with the peripheral cells is different from that of the central portion of the array portion. , Are not subject to compression. In addition, a part of the pattern of the unit cell of two rows of the outer circumference is included in the one row of the outer circumference. Therefore, in consideration of one row of the outer periphery of the array section and the connection inside the array section, data cells for unit cells corresponding to two rows of the outer periphery of the array section are developed and combined with figure data outside the array section. After the graphic processing of the pattern, the combined data is adopted as data to be converted into drawing data, except for the inner one row of the outer two rows. As a result, the data compressible region in the array portion is a portion excluding one row on the outer periphery of the array portion.

【００４５】次に、前記アレイ部の外周の領域に関する
データ圧縮の別の手法例を説明する。Next, another example of data compression for the outer peripheral area of the array section will be described.

【００４６】上記説明では当該外周部の領域に対しては
その図形を全て展開して、アレイ部の外側や内側の図形
と合成処理を行って変換対象データを得たが、本実施例
では、斯る領域に対しては、設計パターンデータや外部
図形の侵入状態などを示す情報に基づいて、夫々の単位
セルに共通であって部分的な同一パターンを切り出す。In the above description, all the graphics are developed in the outer peripheral area, and the data to be converted is obtained by performing the synthesizing process with the graphics outside and inside the array section. With respect to such an area, based on design pattern data and information indicating an intrusion state of an external figure, a common pattern partially common to each unit cell is cut out.

【００４７】例えば図１５に示されるように非繰返し部
４３２に隣接するアレイ部の外周に位置する単位セル４
３０において、非繰返し部からランダムに侵入してくる
図形に干渉しない同一パターン６０を切り出す。同一パ
ターンを認識するときに必要とされる外部侵入図形の情
報は設計パターンデータとは別途に与えてもよいし、ま
た、夫々の繰返しパターンにおいて外部から侵入する図
形の範囲を指定するような情報を予めパターンデータに
繰返しパターンの座標情報と共に保有させてもよい。同
一パターン６０の認識はそのような付加情報と単位セル
の繰返しパターンから認識され、その認識状態は同一パ
ターン６０の範囲を画定する図形枠の配置規則によって
与えられる。この図形枠に対しても上記同様に必要な図
形加工を経て遍在基本パターンを生成する。このよう
に、アレイ部の外周部に含まれる単位セルのデータに対
して各単位セルに共通の遍在基本パターンを利用するこ
とにより、データ圧縮が可能になる。尚、斯る手法は非
繰返し部４３２に対しても適用することができる。For example, as shown in FIG. 15, the unit cell 4 located on the outer periphery of the array portion adjacent to the non-repeated portion 432
In step 30, the same pattern 60 that does not interfere with the figure randomly entering from the non-repeated portion is cut out. The information on the external invading figures required when recognizing the same pattern may be given separately from the design pattern data, or information specifying the range of the figure invading from the outside in each repetition pattern. May be stored in the pattern data in advance together with the coordinate information of the repeated pattern. The recognition of the same pattern 60 is recognized from such additional information and the repeating pattern of the unit cell, and the recognition state is given by the arrangement rule of the graphic frame defining the range of the same pattern 60. A ubiquitous basic pattern is generated for this graphic frame through necessary graphic processing in the same manner as described above. As described above, by using the ubiquitous basic pattern common to the unit cells with respect to the data of the unit cells included in the outer peripheral portion of the array unit, the data can be compressed. Note that such a method can be applied to the non-repetitive section 432 as well.

【００４８】 上記実施例によれば以下の作用効果がある。According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

【００４９】 （１）設計パターンデータにおいて規則的に配置されて
いるアレイ部のような繰返しパターンを認識し、この認
識に基づいて繰返しパターン相互間の部分的重複を排除
するように繰返し図形枠を決定すると共に、同図形の繰
返し情報を取得し、その枠の単位セルとの接続状態を考
慮するために、接続状態に応じて、特定単位セルのパタ
ーンの周りに単位セルのパターンを必要分配置して、必
要な図形加工を行った後、中心部の繰返し図形枠内部の
パターンを用いて基本パターンデータを生成する。ま
た、アレイ部の外周部に対しては外側からの図形の侵入
や内側の単位セルとの接続状態を考慮して当該外周部の
図形を全て展開した状態で必要な図形加工を行ってその
部分における描画データへの変換対象データを取得す
る。したがって、入力された設計パターンデータに対
し、アレイ部を規定する描画データへの変換対象データ
は、アレイ部の外周部におけるデータ、１個の繰返し図
形枠に含まれるデータから生成される基本パターンデー
タ、及び繰返し図形枠の繰返し情報ＲＥＰＤＡＴＡによ
って特定可能な状態にまでデータ圧縮することができ
る。(1) A repetitive pattern such as an array portion regularly arranged in the design pattern data is recognized, and based on this recognition, a repetitive graphic frame is formed so as to eliminate a partial overlap between the repetitive patterns. In addition to the determination, the repetition information of the same figure is acquired, and in order to consider the connection state with the unit cell of the frame, the necessary unit cell patterns are arranged around the specific unit cell pattern according to the connection state. Then, after performing necessary graphic processing, basic pattern data is generated by using a pattern inside the repetitive graphic frame at the center. In addition, in consideration of the intrusion of a figure from the outside and the connection state with the unit cell inside, necessary graphic processing is performed on the outer peripheral portion of the array portion in a state where all the outer peripheral portions are expanded, and the outer peripheral portion is subjected to necessary graphic processing. To acquire the data to be converted into the drawing data in. Therefore, the data to be converted from the input design pattern data into the drawing data defining the array portion is the data at the outer peripheral portion of the array portion, the basic pattern data generated from the data contained in one repetitive graphic frame. , And data can be compressed to a state that can be specified by the repetition information REPDATA of the repetitive graphic frame.

【００５０】 （２）上記作用効果により、描画データへの変換対象デ
ー多量の削減、さらには描画デー多量を低減することが
できる。例えば１ＭビットＤＲＡＭに対してはそのデー
タ量を従来の約半分にまで低減することができた。(2) By the above operation and effect, it is possible to reduce the amount of data to be converted into drawing data, and further reduce the amount of drawing data. For example, the data amount of a 1-Mbit DRAM can be reduced to about half that of the prior art.

【００５１】 （３）上記作用効果（１）により、描画データへの変換
対象データが圧縮されているため、描画データへの変換
処理に必要なデータ転送や演算処理などの計算機処理時
間を低減することができる。例えば１ＭビットＤＲＡＭ
に対してはその計算機処理時間を従来の半分以下にまで
短縮することができた。(3) Due to the effect (1), since the data to be converted into the drawing data is compressed, computer processing time such as data transfer and arithmetic processing required for the conversion into the drawing data is reduced. be able to. For example, 1Mbit DRAM
, The computer processing time could be reduced to less than half of the conventional one.

【００５２】 （４）アレイ部の外周部や非繰返し部に対しても部分的
に遍在若しくは不当間隔で存在する同一パターンを認識
して同一パターンに対応する遍在基本パターンデータを
生成し、その基本パターンデータとそれらの繰返し情報
とに基づいて描画データへの変換対象データを圧縮する
処理を付加することにより、アレイ部の外周部や非繰返
し部に対してその図形を全て展開して描画データ変換対
象データを得る場合に比べ、更に一層効率的に且つデー
タ量を少なくして描画データを得ることができる。(4) Recognizing the same pattern that is partially ubiquitous or at an irregular interval even in the outer peripheral portion and the non-repeated portion of the array portion, and generating ubiquitous basic pattern data corresponding to the same pattern, By adding a process of compressing data to be converted into drawing data based on the basic pattern data and their repetition information, all the figures are developed and drawn on the outer peripheral portion of the array portion and the non-repetitive portion. Drawing data can be obtained even more efficiently and with a reduced data amount as compared with the case of obtaining data for data conversion.

【００５３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof. No.

【００５４】例えば上記実施例では繰返しパターンの具
体的な一例としてメモリセルに含まれるポリシリコンゲ
ートのパターンを示したが、本発明はそれに限定される
ものではなく、アルミニウム配線層、拡散層など、半導
体集積回路の製造過程で必要とされる各種のマスクのパ
ターン生成に同じように適用することができる。また、
設計パターンデータのデータフォーマットは上記実施例
で説明したものに限定されず適宜変更可能である。For example, in the above embodiment, the pattern of the polysilicon gate included in the memory cell was shown as a specific example of the repetition pattern. However, the present invention is not limited to this. The present invention can be similarly applied to pattern generation of various masks required in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. Also,
The data format of the design pattern data is not limited to that described in the above embodiment, and can be changed as appropriate.

【００５５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＤＲＡ
ＭなどのメモリＬＳＩのマスクパターンの形成に適用し
た場合について説明したが、本発明はそれに限定される
ものではなく、繰返しパターンによって構成される回路
部分を比較的多く含む半導体集積回路、例えばＲＡＭや
ＲＯＭなどを含む１チップ型マイクロコンピュータや、
周辺コントローラなどの半導体集積回路のためのマスク
パターンデータの形成に広く適用することができる。ま
た、本発明は半導体集積回路ばかりでなく配線基板など
所定のパターンを必要とするものを対象とする電子線描
画データの作成にも適用することができる。In the above description, the invention made mainly by the present inventor is described in the field of application DRA,
Although the description has been given of the case where the present invention is applied to the formation of a mask pattern of a memory LSI such as M, the present invention is not limited thereto. A one-chip microcomputer including a ROM,
The present invention can be widely applied to formation of mask pattern data for a semiconductor integrated circuit such as a peripheral controller. Further, the present invention can be applied not only to a semiconductor integrated circuit but also to the creation of electron beam drawing data for a device requiring a predetermined pattern such as a wiring board.

【００５６】[0056]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００５７】すなわち、繰返しパターンを相隣るパター
ン間に重なりを設けて規定する繰返しデータ部と、パタ
ーンの非繰返し部に対応する非繰返しデータ部とを含む
設計パターンデータから、繰返しパターンを特定する繰
返し情報を取得し、これに基づいて繰返しパターンの規
則的な連続性を保持させて、相互に重複しない特定の単
位領域を確定する繰返し図形枠などを求め、同枠で規定
されるパターンに対して図形処理を施して、繰返し部を
描画するための基本パターンを生成するから、設計パタ
ーンデータに含まれる全ての図形に対する逐次描画デー
タへの変換処理が必要とされず、描画データ作成のため
の計算機処理時間の短縮、描画データへの変換対象デー
タ量の削減、そして描画データ量の削減を達成すること
ができるという効果がある。That is, a repetition pattern is specified from design pattern data including a repetition data portion defining a repetition pattern by providing an overlap between adjacent patterns and a non-repetition data portion corresponding to a non-repetition portion of the pattern. Obtain repetition information, based on this, keep the regular continuity of the repetition pattern, find a repetitive graphic frame etc. that determines specific unit areas that do not overlap each other, and Since the basic pattern for drawing the repetitive portion is generated by performing the graphic processing, the conversion processing to the sequential drawing data for all the figures included in the design pattern data is not required. The effects of reducing computer processing time, reducing the amount of data to be converted into drawing data, and reducing the amount of drawing data can be achieved. There is.

【００５８】また、繰返し領域の外周部や非繰返し部に
対しても部分的に偏在若しくは不等間隔で存在する同一
パターンを認識して同パターンに対応する偏在基本パタ
ーンを生成し、その基本パターンとそれらの配置情報に
基づいて描画データへの変換対象データを圧縮する処理
を付加することにより、繰返し利用域の外周部や非繰返
し部に対してその図形を全て展開して描画データへの変
換対象データを得る場合に比べて、更に一層効率的に描
画データを得ることができるという効果がある。Also, the same pattern existing partially or unevenly at the outer peripheral portion and the non-repeated portion of the repetition area is recognized, and the uneven basic pattern corresponding to the same pattern is generated. And processing for compressing the data to be converted into drawing data based on their arrangement information, so that all the graphics can be expanded to the outer peripheral portion and non-repeated portion of the repeated use area and converted to drawing data. There is an effect that the drawing data can be obtained even more efficiently than when the target data is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１はＬＳＩデバイスの開発から製造に至る一
連の処理手順を示す一例フローチャートである。FIG. 1 is an example flowchart illustrating a series of processing procedures from development to manufacture of an LSI device.

【図２】図２は本発明が適用される得る半導体集積回路
装置の一例平面図である。FIG. 2 is a plan view of an example of a semiconductor integrated circuit device to which the present invention can be applied;

【図３】図３は設計パターンデータの階層構造例を示す
説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a hierarchical structure of design pattern data.

【図４】図４は設計パターンデータのデータフォーマッ
トの一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a data format of design pattern data.

【図５】図５は本発明の一実施例による電子線描画デー
タ変換システムの一例ブロック図である。FIG. 5 is an example block diagram of an electron beam drawing data conversion system according to an embodiment of the present invention.

【図６】図６は繰返しパターンの連続状態を示す一例平
面図である。FIG. 6 is an example plan view showing a continuous state of a repeating pattern.

【図７】図７は図６に対応する繰返しパターンにおいて
繰返し図形枠で規定される単位領域の一例平面図であ
る。FIG. 7 is a plan view of an example of a unit area defined by a repeated graphic frame in the repeated pattern corresponding to FIG. 6;

【図８】図８は繰返し情報生成／繰返し図形枠設定のた
めの一例手順を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example procedure for generating repeated information / setting a repeated graphic frame;

【図９】図９は本発明の一実施例方法における描画デー
タへの変換対象データを圧縮する手法の一例を示す説明
図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of a method of compressing data to be converted into drawing data in the method according to one embodiment of the present invention.

【図１０】図１０はアレイ部の外周部と非繰返し部との
一例関係説明図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a relationship between an outer peripheral portion of an array portion and a non-repeated portion;

【図１１】図１１は本発明に係る他の実施例を示す説明
図である。FIG. 11 is an explanatory view showing another embodiment according to the present invention.

【図１２】図１２は図１１の例において繰返し枠内領域
に対する周辺パターンの影響を説明するための説明図で
ある。FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining an influence of a peripheral pattern on a region within a repetition frame in the example of FIG. 11;

【図１３】図１３は本発明に係るさらに他の実施例を示
す説明図である。FIG. 13 is an explanatory view showing still another embodiment according to the present invention.

【図１４】図１４は図１３の例において繰返し枠内領域
に対する周辺パターンの影響を説明するための説明図で
ある。FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining an influence of a peripheral pattern on a region within a repetition frame in the example of FIG. 13;

【図１５】図１５は他の実施例においてアレイ部の外周
部における同一パターンに着目する場合の説明図であるFIG. 15 is an explanatory diagram in the case where attention is paid to the same pattern in the outer peripheral portion of the array section in another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 電子線描画データ変換システム ２ 電子先描画装置 １１乃至１４ メモリセルアレイ（繰返し部） ３０ データセル ３０Ｐ データセルのパターンデータ ３０Ａ 配置座標 １３０ メモリセル ３１ アレイデータ部（繰返しデータ部） １３１ アレイ部 ３２ 非繰返しデータ部 １３２ 非繰返し部 ３２Ｐ 非繰返し部のパターンデータ ４０ 繰返し情報生成／繰返し図形枠設定部 ４１ 代表処理対象パターンデータ生成部 ４２ 図形処理／基本パターン生成部 ４３ 電子線描がデータ生成部 ４４ 描画制御部 ４５ 露光部 ５０ 繰返し図形枠 ５１ 基本パターンデータ ５３ パターンデータ ＲＥＰＤＡＴＡ 繰返し情報 ２３０ 単位セル ２５０ 繰返し図形枠 ２５１ 基本パターンデータ ３３０ 単位セル ３５０ 繰返し図形枠 ４３０ 単位セル ４３２ 非繰返し部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam drawing data conversion system 2 Electron drawing apparatus 11 to 14 Memory cell array (repeated part) 30 Data cell 30P Data cell pattern data 30A Arrangement coordinates 130 Memory cell 31 Array data part (repeated data part) 131 Array part 32 Non Repetitive data part 132 Non-repeated part 32P Pattern data of non-repeated part 40 Repetition information generation / repeated figure frame setting part 41 Representative processing target pattern data generation part 42 Graphic processing / basic pattern generation part 43 Electron drawing data generation part 44 Drawing control Unit 45 exposure unit 50 repeated figure frame 51 basic pattern data 53 pattern data REPDATA repeat information 230 unit cell 250 repeated figure frame 251 basic pattern data 330 unit cell 350 repeated figure frame 430 unit cell 432 non-repeated Phloem

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 少なくとも繰返しパターンを規定するた
めのデータを含む回路の設計パターンデータから描画装
置のための描画データを作成する方法であって、 前記設計パターンデータにおける繰返しパターンを含む
領域を、相互に重複しない複数の単位領域（５０）に画
定する、繰返し情報を取得することと、 取得された繰返し情報に基づいて、前記繰返しパターン
の連続的な規則性を保持させて、前記相互に重複しない
１個の単位領域のためのパターンを規定する基本パター
ンデータ（５１）を生成することと、 前記繰返し情報によって画定される全領域の内外周部分
の単位領域群に対して、前記繰返しパターンを含む領域
の外にある非繰返し部の領域との接続を考慮しながら繰
返しパターンの連続的な規則性を保持させて、前記内外
周部分の単位領域群に係る外周部パターンデータ（５
３）を生成することと、 前記基本パターンデータ、外周部パターンデータ、及び
繰返し情報に基づいて同一のパターンを含む領域（３
０）に対応する描画データを生成することと、 を含む描画データ作成方式。1. A method for creating drawing data for a writing apparatus from circuit design pattern data including at least data for defining a repetitive pattern, comprising: Acquiring repetition information that defines a plurality of unit areas (50) that do not overlap with each other; and maintaining the regularity of the repetition pattern based on the acquired repetition information so that the repetition patterns do not overlap with each other. Generating basic pattern data (51) defining a pattern for one unit area; and including the repetitive pattern for a unit area group of inner and outer peripheral portions of the entire area defined by the repetition information. region
The continuous regularity of the repetition pattern is maintained while taking into consideration the connection with the non-repeated portion area outside the
Peripheral pattern data (5
3) generating a region (3) including the same pattern based on the basic pattern data, the outer peripheral portion pattern data, and the repetition information.
Generating drawing data corresponding to 0), and a drawing data creation method including: 【請求項２】 回路の設計パターンデータから描画装置
のための描画データを作成する方法であって、 前記設計パターンデータ又は設計パターンデータとその
他の指定情報に基づいて、重複存在する同一パターンを
認識してその同一パターンを含む単位領域（５０）を画
定させる配置情報を取得することと、 前記配置情報に基づいて、同一パターンを含む単位領域
の集合の外に有る周囲のパターンとの接続を考慮しなが
ら、当該周囲のパターンに臨んで前記集合内に単位領域
単位で偏在する遍在基本パターンのデータを生成するこ
とと、 前記遍在基本パターンのデータと配置情報とに基づいて
前記同一パターンに対応する描画データを生成すること
と、 を含む描画データ作成方法。2. A method for creating drawing data for a drawing apparatus from circuit design pattern data, the method comprising recognizing the same pattern that is present repeatedly based on the design pattern data or the design pattern data and other designation information. And obtaining arrangement information for defining a unit area (50) including the same pattern; and a unit area including the same pattern based on the arrangement information.
In consideration of the connection with the surrounding pattern outside the set, the unit area in the set facing the surrounding pattern is considered.
Generating a data ubiquitous basic pattern ubiquitous in the unit, the drawing data creation method comprising, generating a drawing data corresponding to the same pattern on the basis of the data and the location information of the ubiquitous basic pattern . 【請求項３】 前記同一パターンに対応する描画データ
の生成は、同一パターンとその同一パターンを含む単位
領域の集合の外にある周囲のパターンとの間の規則的な
接続関係を保持したまま遍在基本パターンに含まれる図
形の重なり除去並びにパターン補正等を行う処理を含む
ものである請求項２記載の描画データ作成方法。3. The method of generating drawing data corresponding to the same pattern includes the same pattern and a unit including the same pattern.
3. The drawing according to claim 2, further comprising a process of removing overlapping of figures included in the ubiquitous basic pattern and correcting the pattern while maintaining a regular connection relationship with surrounding patterns outside the set of regions. Data creation method. 【請求項４】 回路の設計パターンデータから把握され
る非繰返し部に隣接する繰返し部の外周部に対応する描
画データを生成するものである請求項３記載の描画デー
タ作成方法。4. It is grasped from circuit design pattern data.
4. The drawing data creation method according to claim 3, wherein drawing data corresponding to an outer peripheral portion of the repeating portion adjacent to the non- repeating portion is generated. 【請求項５】 半導体集積回路装置のための設計パター
ンデータを、描画装置でパターンを描画するための描画
データに変換する方法であって、前記パターンは、複数
個の規則的に配列された単位セルに分割される繰返し部
（１１）と、その繰返し部に隣接している非繰返し部と
を含んでおり、一方前記設計パターンデータは、前記パ
ターンの前記繰返し部に対応し、前記単位セルのための
少なくとも１つの繰返しパターンを相隣る繰返しパター
ン間に重なりを設けて規定する繰返しデータ部（３１）
と、前記パターンの前記非繰返し部に対応する非繰返し
データ部（３２）とを含んでおり、 前記設計パターンデータから、前記少なくとも１つの繰
返しパターンを特定する繰返し情報を生成することと、 前記繰返し情報に基づいて後記繰返し図形枠を生成する
こと、前記繰返し図形枠は、前記繰返しパターンから切
り出された単位領域を規定し、この単位領域は相隣る単
位領域間に重なりを設けないようにして繰返し配置する
ことにより前記パターンの前記繰返し部の一部と同等に
なるものであり、 前記繰返し情報に基づいて、前記単位セルの１つ及び少
なくともその単位セルに隣合う単位セルのデータを選択
し、それらの単位セルのデータを展開することにより処
理対象繰返しパターンデータを生成することと、 前記処理対象繰返しパターンデータ及び非繰返しパター
ンデータ部を図形処理操作し、処理済み繰返しパターン
データ及び処理済み非繰返しデータ部を生成すること
と、 前記処理済み繰返しパターンデータの内で、前記１つの
単位セルのための処理済み繰返しパターンデータの、前
記図形繰返し枠の中に存在する部分を抽出し、それから
基本パターンデータを形成することと、 前記パターンの繰返し部を描画するために繰返し用いる
ための前記基本パターンデータと、前記パターンの非繰
返し部を描画するために用いるための処理済み非繰返し
データ部とを、メモリに記憶すること、 とを有するデータ変換方法。5. A method of converting design pattern data for a semiconductor integrated circuit device into drawing data for drawing a pattern with a drawing device, wherein the pattern is a plurality of regularly arranged units. A repetition part (11) divided into cells and a non-repetition part adjacent to the repetition part, while the design pattern data corresponds to the repetition part of the pattern, and Data part (31) for defining at least one repetition pattern by providing an overlap between adjacent repetition patterns
And a non-repeated data portion (32) corresponding to the non-repeated portion of the pattern; generating repetition information specifying the at least one repetition pattern from the design pattern data; Generating a repetitive graphic frame described below based on information, the repetitive graphic frame defines a unit area cut out from the repetitive pattern, and this unit area does not provide overlap between adjacent unit areas. It is equivalent to a part of the repeating portion of the pattern by repeatedly arranging, and selects data of one of the unit cells and at least a unit cell adjacent to the unit cell based on the repeating information. Generating processing target repetition pattern data by expanding the data of the unit cells; Performing a graphic processing operation on the pattern data and the non-repeated pattern data part to generate a processed repetitive pattern data and a processed non-repeated data part; and processing for the one unit cell in the processed repetitive pattern data. Of the already repeated pattern data, extracting a portion existing in the figure repeating frame, forming basic pattern data therefrom, and the basic pattern data for repeatedly using for drawing a repeated portion of the pattern, Storing, in a memory, a processed non-repeated data portion used for drawing a non-repeated portion of the pattern. 【請求項６】 前記繰返し情報は、前記単位領域の位置
情報と、前記単位領域の繰返し回数と、前記単位領域間
の繰返し間隔とを含むものである請求項５記載のデータ
変換方法。6. The data conversion method according to claim 5, wherein the repetition information includes position information of the unit area, the number of repetitions of the unit area, and a repetition interval between the unit areas. 【請求項７】 前記単位セルは２次元に配置され、さら
に前記パターンの繰返し部（１１）と非繰返し部との境
界を越えて図形が存在するとき、前記パターンの繰返し
部の外周部の設計パターンデータを繰返し部へ移し、前
記パターンの繰返し部の外周部の描画には前記基本パタ
ーンデータを非使用とする、請求項５記載のデータ変換
方法。7. The design of an outer peripheral portion of a repeated portion of the pattern when the unit cell is arranged two-dimensionally and a graphic exists beyond a boundary between a repeated portion (11) of the pattern and a non-repeated portion. 6. The data conversion method according to claim 5, wherein the pattern data is transferred to a repetition portion, and the basic pattern data is not used for drawing an outer peripheral portion of the repetition portion of the pattern. 【請求項８】 半導体集積回路装置のための設計パター
ンデータを、描画装置でパターンを描画するための描画
データに変換する装置であって、前記パターンは、複数
個の規則的に配列された単位セルに分割される繰返し部
（１１）と、その繰返し部に隣接している非繰返し部と
を含んでおり、一方前記設計パターンデータは、前記パ
ターンの前記繰返し部に対応し、前記単位セルのための
少なくとも１つの繰返しパターンを相隣る繰返しパター
ン間に重なりを設けて規定する繰返しデータ部（３１）
と、前記パターンの前記非繰返し部に対応する非繰返し
データ部（３２）とを含んでおり、 前記設計パターンデータから、前記少なくとも１つの繰
返しパターンを特定する繰返し情報を生成し、その繰返
し情報に基づいて、前記繰返しパターンから切り出され
る単位領域を規定するところの繰返し図形枠を生成する
第１の手段と、 前記第１の手段に結合され、前記繰返し情報に基づい
て、前記単位セルの１つおよび少なくともその単位セル
に隣合う単位セルのデータを選択し、それらの単位セル
のデータを展開することにより処理対象繰返しパターン
データを生成する第２の手段と、 前記第２の手段に結合され、前記処理対象繰返しパター
ンデータおよび非繰返しパターンデータ部を図形処理操
作し処理済み繰返しパターンデータおよび処理済み非繰
返しデータ部を生成する第３の手段と、 前記第３の手段に結合され、前記処理済み繰返しパター
ンデータの内で、前記１つの単位セルのための処理済み
繰返しパターンデータの、前記図形繰返し枠の中に存在
する部分を抽出し、それから基本パターンデータを形成
する第４の手段と、 前記パターンの繰返し部を描画するために繰返し用いる
ための前記基本パターンデータと、前記パターンの非繰
返し部を描画するために用いるための処理済み非繰返し
データ部とを、記憶するためのメモリと、 を有するデータ変換装置。8. A device for converting design pattern data for a semiconductor integrated circuit device into drawing data for drawing a pattern with a drawing device, wherein the pattern is composed of a plurality of regularly arranged units. A repetition part (11) divided into cells and a non-repetition part adjacent to the repetition part, while the design pattern data corresponds to the repetition part of the pattern, and Data part (31) for defining at least one repetition pattern by providing an overlap between adjacent repetition patterns
And a non-repeated data portion (32) corresponding to the non-repeated portion of the pattern, wherein from the design pattern data, repetition information for specifying the at least one repetition pattern is generated, and First means for generating a repetitive graphic frame for defining a unit area cut out from the repetition pattern based on the repetition information; and one of the unit cells based on the repetition information. And at least a second unit for selecting data of a unit cell adjacent to the unit cell and generating the processing target repetitive pattern data by expanding the data of the unit cells; and being coupled to the second unit, The processing target repetitive pattern data and the non-repeated pattern data portion are subjected to graphic processing operation, A third means for generating a processed non-repeated data portion; and a graphic of the processed repetitive pattern data for the one unit cell, the graphic form being coupled to the third means. Fourth means for extracting a portion present in the repeating frame and forming basic pattern data therefrom; the basic pattern data for repeated use for drawing a repeated portion of the pattern; And a memory for storing a processed non-repeated data portion for use in rendering the portion.