JP3215232B2 - 光電式距離センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光を物体に照射し、
この物体までの距離を検出する光電式距離センサに係
り、より具体的には受光量により発光量を決めるセンサ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１は従来の受光エレメントの縦断面
図、図１２は図１１に示す受光エレメントの特性を説明
する特性図、図１３は位置検出用の光電式距離センサの
基本的な動作を説明するために単線をもって描いた構成
図、図１４は光電式距離センサの被検出物体までの距離
Ｘと受光面上の輝点像の位置Ｙとの関係を示す特性図で
ある。図１３において、１は光電式距離センサ、２は光
学系で、主としてレンズにより構成される。３は投光部
で、主として発光ダイオード等の発光素子により構成さ
れる。４は受光面上に配設された受光部で、主として受
光素子により構成される。５は信号処理部、６は被検出
物体、７は背景である。

【０００３】図１３において、投光部３からの光は投光
軸を通して被検出物体上に光を照射し、この被検出物体
６上に輝点を作る。この被検出物体において反射された
光は受光軸を通して受光部４の入射する。受光部４上は
被検出物体６までの距離に対応した受光面上の位置に輝
点像を結像させる。被検出物体６までの距離Ｘを判定す
る目的で受光面上の輝点像位置を判定するために、受光
面上において、ｎ個の光位置検出素子１０を受光軸と投
光軸を結ぶ方向に配列する。

【０００４】この光位置検出素子１０として特公昭５８
−４２４１１号公報に示されるものがある。この光位置
検出素子１０は図１１に示すような構成を有し、この光
位置検出素子１０のある位置に光が入射すると、同図に
示すように、その受光エレメント１０から２つの電流出
力Ｉａ、Ｉｂがえられ、光位置検出素子１０の有効長を
Ｌとすると、光位置検出素子１０の光の入射位置Ｙは次
の関係式より求められる。 （Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ）＝２Ｙ／Ｌ・・・・・・・・・・（１） この関係式（１）を図に示すと図１４のようになる。ま
た距離Ｘと光の入射位置Ｙとの関係は、 ＸＹ＝Ｌ２Ｌ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２） で与えられる。但しＬ２は投受光間の光軸ピッチ、Ｌ３
は受光素子レンズ距離である。このように光位置検出素
子１０は電気的に光の入射位置Ｙを求めることができ、
よって距離Ｘを求められるので広く使用されている。

【０００５】一方、距離精度を変動させる要因に物体の
反射率の違いがある。すなわち、同一距離に白などの反
射率の高い物体と黒などの反射率の低い物体とでは距離
測定誤差が違うという問題点があった。

【０００６】この問題点に対して、受光量を常に一定に
なるように発光強度を制御する方法がある（例えば特開
昭４９−３９４７０号公報、特公昭５８−４２４１１号
公報）。この方法によれば、受光部に入射する光量が常
に一定となるように発光量を制御しているので受光部に
入射する光は物体の反射率の影響を受けず一定となるの
で同一距離における反射率の違いにより生じていた誤差
を小さくできる優れた効果がある。これらの解決方法は
以上説明したように優れた特徴を有する半面、次のよう
な問題点を有している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１５は発光量が一定
の時の受光量の変化を示す特性図、図１６は検出距離と
受光量の目標値との関係を示す特性図、図１７は検出距
離と発光量との関係を示す特性図である。距離測定範囲
内の最も長い距離における反射率が最も低い物体の時の
受光量より受光量の目標値は大きくできない。距離測定
範囲が広いと受光量目標値が小さな値となる。すなわ
ち、発光量が一定の時の受光量は図１５に示すように大
きく変わる。この図において、領域Ａは距離測定範囲、
領域Ｂは至近域、領域Ｃは遠距離測定外域とする。例え
ば、距離測定範囲である領域Ａでは受光量が距離の２乗
に反比例するとみなせるものとする。よって、受光量の
目標値は長距離に反射率の最も低い物体があるときに得
られる受光量より大きくできない。

【０００８】この問題は距離測定範囲が広くなればなる
ほど深刻な問題となる。距離測定範囲が例えば３倍であ
るとすると、投光量が一定の時の受光量の変化は１／９
となる。これに加えて、被検出物体の表面の反射率の違
いがある。例えば、白と黒では反射率は１０倍程度異る
ので、最も近い距離に白い物体があるときに得られる受
光量と比べ、最も遠い距離に黒い物体があるときに得ら
れる受光量は１／９０となる。よってこの値より受光量
目標値を大きくできないので、最も近い所に白い物体が
あるときの発光量は１／９０と小さくなる。これを図示
したものが図１６および図１７である。すなわち距離測
定範囲が広い光電式距離センサは狭い光電式距離センサ
に比べ、同一距離の同一物体を測定してもその測定精度
が悪くなる。以上の問題は設定距離からの変位を出力す
る変位センサについても本質的に全く同様のことが言え
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光電式距
離センサにおいて、請求項１の発明は、投光部と、受光
部と、受光部の位置信号から被検出物体までの距離を演
算し、距離信号を出力する距離演算部と、上記距離信号
を受けて距離が近くなるほど大きくなるように受光量目
標値を演算し出力する目標受光量演算部と、上記投光部
からの光の強度を、上記受光部が上記目標受光量演算部
からの受光目標値となるように制御する投光制御部とを
備えたものである。

【００１０】また請求項２の発明に係る変位センサは、
投光部と、受光部と、基準距離に応じた演算係数と基準
距離に応じた受光目標値を出力する設定部と、受光部の
位置信号と設定部からの演算係数に応じた変位信号を出
力する演算部と、投光部からの光の強度を、受光部から
の受光量が基準距離に応じた受光目標値となるように制
御する投光制御部とを備えたものである。

【００１１】

【作用】請求項１の発明における光電式距離センサは、
投光部から被検出物体対して光を照射し、この被検出物
体上に輝点を作り、一方受光部によりレンズ系を介し上
記被検出物体上の輝点の像を受光面上に結像させ、輝点
像位置に応じた位置信号と受光量とを出力し、演算部に
より被検出物体までの距離を光検出部の位置信号から演
算し、距離信号を出力するとともに、この距離信号に応
じた受光目標値を演算して出力し、発光制御部により受
光量が上記演算部からの受光目標値となるように投光部
の光の強度を制御するものである。

【００１２】請求項２の発明における変位センサは、投
光部から被検出物体対して光を照射し、この被検出物体
上に輝点を作り、一方受光部はレンズ系を介し、上記被
検出物体上の輝点の像を受光面上に結像させて輝点像位
置を検出し、また設定部は基準距離Ｘ０を与える係数と
ともに基準距離Ｘ０に応じた受光量目標値を出力し、演
算部は受光部からの輝点像位置信号と基準距離Ｘ０を与
える係数を入力とし距離と基準距離Ｘ０との差異に応じ
た変位信号を出力し、投光制御部は受光量が上記設定部
の受光目標値となるように投光部の光の強度を制御する
ものである。

【００１３】ところで、出願人は、特願平４−１５４０
１４号で、ｎ（ｎ＞２）個の受光エレメント（Ｓ）を所
定の方向に配列し、各受光エレメント１０１、１０２、
・・・、１０ｎの各光電流Ｉ１、Ｉ２、・・・、Ｉｎを
所定比率ｋ１と１−ｋ１、ｋ２と１−ｋ２、・・・ｋｎ
と１−ｋｎに分割してそれぞれ第１、第２の光電流出力
端に導き、ｋ１＞０．５＞ｋｎ及びｋｍ≦ｋｐ（ｐ＝ｍ
−１；ｍ＝２〜ｎ）なる関係を保って上記所定比率を制
御する発明を出願した。

【００１４】図５は特願平４−１５４０１４号の発明の
ブロック図、図６は図５における分流部と分流制御部を
より具体的に示す回路図、図７は受光部に配列される受
光エレメントの配列を示す平面図、図８は受光部の光位
置検出感度を説明する特性図である。図５において受光
部４の出力端には分流部１２が接続され、さらにこの分
流部の出力端には差動アンプ部１３が接続される。また
分流部１２にはこの分流部を制御するための分流制御部
１４が接続される。さらに分流制御部１４には設定部２
６が接続される。そしてこの設定部２６の一部には操作
部１５が設けられる。なおこの設定部２６は言うまでも
なく、分流制御部１４とともに、回路的に一体に形成す
ることも可能であるが、理解を容易にするために分流制
御部１４と分離して画かれている。そして受光部４の受
光エレメントは例えば、図７に示されるように多数の受
光エレメント１０すなわち１０１、１０２、１０３・・
・１０ｎを特定方向に配列して構成される。各受光エレ
メントからの光電流は分流部により所定の比率ｋ１
（ｊ）とｋ２（ｊ）とｋ３（ｊ）とｋ４（ｊ）に分けら
れ、第１、第２、第３、第４の光電流出力端に接続され
る。すなわち、多数の受光エレメント１０１、１０２、
１０３・・・１０ｎからの多数の光電流は４つの光電流
信号Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３、Ｉｔ４に変換される。こ
れ以後の信号処理は例えば、光電流信号Ｉｔ１、Ｉｔ２
を用い距離の演算などを行なう。図６において、ａ点に
ボルツマン電圧Ｖｔ（＝ｋＴ／ｑ）に比例した電圧αＶ
ｔが生じ、トランジスタＱ１とトランジスタＱ２の大き
さの比によりαが決まることが知られている。よってｂ
点の電圧は抵抗Ｒｒｅｆの大きさによらずαＶｔとな
る。抵抗Ｒｐと可変抵抗ＶＲ１との合成抵抗値と抵抗Ｒ
ｒｅｆとの比によりｃ点に電圧が生じる。ｃ点の電圧は
所定値だけシフトされｄ点の電圧となる。この電圧を設
定電圧と呼ぶ。可変抵抗ＶＲ１の大きさを変えると設定
電圧はそれに応じて連続的に変化する。抵抗Ｒ１に流れ
る電流に比例した電流がｅ点より流れるのでｆ点、ｇ
点、ｈ点の順に電圧が小さくなっていき、その電圧差は
抵抗Ｒ１と抵抗Ｒｊの比とボルツマン電圧Ｖｔとで決ま
る一定値である。この電圧が参照電圧となる。この図に
おいてＲｊとその前後の計３つの抵抗だけしか示してい
ないが、受光エレメント１０の数だけこの抵抗が直列に
接続される。多数の受光エレメント１０１、１０２、１
０３・・・１０ｎのうちｊ番目とその前後の計３つを示
して残りの受光エレメントは省略してある。また、分流
部１２も同様にｊ番目の差動増幅器１３ｊを１つの単位
とする分流器１２ｊを中心にその前後の１２（ｊ＋
１）、１２（ｊ−１）の計３つだけを示してある。各分
流器はエミッタをたがいに接続した一対のトランジスタ
を有する。このエミッタに各受光エレメントが接続さ
れ、各トランジスタの一方のコレクタが第１の電流出力
端ｐに接続され、各トランジスタの他方のコレクタが第
２の電流出力端ｑに接続される。これによりｎ個の受光
エレメントのｎ本の光電流信号はｐ、ｑの２つの信号に
変換される。各トランジスタの一方のベースには参照電
圧を他方のベースには設定電圧が与えられる。設定電圧
は各分流器とも同一の電圧であるが、参照電圧は各分流
器で所定の電位差を持っていてその差はボルツマン電圧
Ｖｔの定数倍したものである。

【００１５】今、可変抵抗ＶＲ１の値により設定電圧が
ｊ番目の参照電圧Ｖｊに近い場合を考える。隣り合った
分流器１２（ｊ＋１）、１２（ｊ−１）の参照電圧の差
を適当に設計することにより、１番目からｊ−２番目ま
での全ての分流器の参照電圧Ｖｊは設定電圧より十分小
さく受光エレメントの光電流のほとんどすべてを第１の
電流出力端ｐに、ｊ＋２番目からｎ番目までの全ての分
流器の参照電圧は設定電圧より十分大きく受光エレメン
ト１０の光電流のほとんどすべてを第２の電流出力端ｑ
に分流していると見なすことができる。ｊ−１番目の分
流器１２（ｊ−１）の参照電圧Ｖｊ−１は設定電圧より
低いので受光エレメントの光電流を第１の電流出力端ｐ
に電流の多くを分流し、ｊ＋１番目の分流器１２（ｊ＋
１）の参照電圧Ｖｊ＋１は設定電圧より高いので受光エ
レメントの光電流を第２の電流出力端ｑに電流の多くを
分流する。ｊ番目の受光エレメントの光電流は第１の電
流出力端ｐと第２の電流出力端ｑに分流し、その比率は
ＶＲ１の値により連続的に設定することができる。この
ようにすることで第１の電流出力端ｐの電流をＩａ、第
２の電流出力端ｑの電流をＩｂとすると、図８に示すよ
うにｊ番目近傍の入射光の位置に対しては入射光位置の
変化に対して敏感な出力特性が得られる。すなわち、ｊ
番目近傍は受光部全長がＬe に小さくなった光位置検出
素子の特性と等価であり、Ｌ／Ｌe倍の感度が得られ
る。

【００１６】このように特願平４−１５４０１４号で
は、ｎ（ｎ＞２）個の受光エレメントからの光電流は第
１の光電流出力端と第２の光電流出力端に分流される
が、ｋ１＞０．５であるので１番目の受光エレメントか
らの光電流の多くは第１の光電流出力端に流れ、０．５
＞ｋｎであるのでｎ番目の受光エレメントからの光電流
の多くは第２の光電流出力端に流れる。ｋｍ≦ｋｐ（ｐ
＝ｍ−１；ｍ＝２〜ｎ）であるので１番目とｎ番目の途
中の位置で第１の光電流出力端より第２の光電流出力端
へ分流する比率が多くなるところがあり、この位置で受
光部を２つに分割し、一方が第１の光電流出力端に光電
流を、他方が第２の光電流出力端に光電流を与える２分
割の受光エレメントと等価となる。分流制御部１４で決
まる比率ｋｊ（ｊ＝１〜ｎ；０≦ｋｊ≦１）により等価
的な分割位置が決められるものである。これは全体とし
て光を受けて第１の電流出力端ｐと第２の電流出力端ｑ
からの２つの出力を有する受光素子と等価であり、所定
の位置の光位置検出感度が図７および図８からＬ／Ｌe
倍になり高感度となる位置ｓを設定器で所望の位置に設
定できる。

【００１７】

【実施例】以下、特願平４−１５４０１４号の関連にお
いて、この発明の一実施例について、図を参照して説明
する。図１はこの発明における光電式距離センサの全体
ブロック図、図２はこの発明の光電式距離センサの投光
制御部をより具体的に示したブロック図である。図１を
例にして光電式距離センサの説明をする。図において、
１６は演算部、１７は投光制御部で、受光部４からの出
力を受け、投光部３を制御する。１８は距離演算部で、
受光部４からの信号を受けて被検出物体６までの距離を
演算する。１９は目標受光量演算部で、距離演算部１８
からの出力を受けて、目標受光量演算部１９を制御す
る。そして距離演算部１８および目標受光量演算部１９
により演算部１６が構成される。２０は出力部で、投光
制御部１７と距離演算部１８から出力信号を出力する。

【００１８】投光部３は被検出物体６に光を照射し、被
検出物体６上に輝点を作る。受光部４は被検出物体６上
の輝点よりの光を検出し、光の位置に対する信号と受光
量の信号とを出力する。距離演算部１８は受光部４上の
光の位置に対する信号から距離を演算し、距離信号を出
力する。また目標受光量演算部１９は距離信号を基に受
光目標値を出力する。受光量目標値は距離が近くなるほ
ど大きくなるようにする。投光制御部１７は受光部４か
らの受光量の信号と目標受光量演算部１９からの受光目
標値とを比較し、この差に基づき出力制御信号を出力す
るとともに、この差に基づき投光部３の投光量を制御す
る。出力部２０は投光制御部１７からの出力制御信号に
基づき、受光量が受光目標値に充分近い時距離演算部１
８からの距離信号を出力する。

【００１９】図１において投光部から発せられる光はパ
ルス状であるとしたときの投光制御部１７のより具体的
な例を示すと図２のようになる。この図において、２１
は積分器、２２は保持器、２３はリセット器、２４は誤
差判定器、２５は計算器である。

【００２０】図２において、パルス状の受光信号は積分
器２１において積分され、その値が保持器２２により保
持される。リセット器２３は保持器２２に積分値が保持
されたら、次のパルスが発光されるまで積分器２１をリ
セットする。保持器２２の出力と受光量目標値が計算器
２５により比較演算され、次回パルスの発光強度が求め
られ、発光予定値として投光部３に出力される。誤差判
定器２４は保持器２２の出力と受光目標値を入力し、受
光量と受光目標値との誤差を判定し、出力制御信号を出
す。

【００２１】次に変位センサについて説明する。図３は
この発明における変位センサの全体ブロック図、図４は
この発明の変位センサの設定部の具体例を含む全体ブロ
ック図である。図３において、２６は設定部である。こ
の設定部２６、投光制御部１７、演算部１９および出力
部２０により信号処理部５が構成される。

【００２２】図３において、投光部３より被検出物体に
光を照射し、その反射光を受光部４により検出する。設
定部２６は基準距離Ｘ０を設定しＸ０に応じて係数を出
力する。演算部１６は受光部４よりの信号と設定部２６
からの係数により距離に関わる信号を出力する。出力部
２０は演算部１６からの信号に応じて出力を出す。投光
制御部１７は設定部２６の係数と受光部４の信号に応じ
て投光部３の投光量を制御する。

【００２３】図３における設定部２６の例を図４に示
す。この図において設定部２６は係数設定部２７と操作
部１５を有する。なお、２８は電流源である。また操作
部１５においてＲｒｅｆは参照抵抗、Ｒｐは並列抵抗、
ＶＲ１は可変抵抗、Ｒｔｒ１は並列抵抗、Ｒｔｒ２は直
列抵抗である。係数設定部２７は点ｂに流れる電流と同
様の電流が点ｃに流れるような動作をする。この時の点
ｃの電圧は操作部の可変抵抗ＶＲ１に応じた電圧が生じ
る。基準距離Ｘ０が操作部の可変抵抗ＶＲ１の操作量ｈ
で与えられる。可変抵抗ＶＲ１には並列抵抗Ｒｐが接続
されている。可変抵抗ＶＲ１の値がゼロからＲｐに近く
なるまでは点ｃの電流の多くは可変抵抗ＶＲ１に流れる
ので、可変抵抗ＶＲ１が変わると点ｃの電圧も大きく変
わるが、可変抵抗ＶＲ１の値がＲｐより大きくなると点
ｃの電流の多くはＲｐに流れるので、可変抵抗ＶＲ１が
変わっても点ｃの電圧の変動は少なくなる。可変抵抗Ｖ
Ｒ１が小さいとき、これはＸ０が小さいときに対応し、
可変抵抗ＶＲ２が大きいとき、これはＸ０が大きいとき
に対応する。点ｃの電圧が基準距離Ｘ０に対応した受光
面上の光位置に対応する演算係数を決める。このように
可変抵抗ＶＲ１との並列抵抗Ｒｐを有することで合成抵
抗値と可変抵抗の位置との関係に非線形性を与え、その
非線形の度合いは並列抵抗Ｒｐの大きさにより自由に設
定でき、この非線形によりＸ−Ｙ変換の非線形性を補正
する。

【００２４】点ｓの電圧により受光目標値が決まる。電
流源２８により点ｓに所定の電流が流れるので点ｓの電
圧は可変抵抗ＶＲ１の値により変動する。Ｘ０が小さい
時すなわち可変抵抗ＶＲ１の値が小さいときは点ｓの電
圧は大きくなり、受光目標値が大きくなる。Ｘ０が大き
い時は同様に受光目標値が小さくなる。並列抵抗Ｒｔｒ
１、Ｒｔｒ２の値を選ぶことで基準距離Ｘ０に対するｓ
点の電圧の非線形と最小電位、最大電位を自由に変更で
きる。この例では操作部１５以外が集積されてもＸ−Ｙ
非線形性と受光目標値に求められる非線形性とが集積回
路の外付部品だけで自由に変更できる。この発明におけ
る光電式距離センサの距離範囲と受光目標値との関係を
示すと図９のようになる。この図において、受光量の目
標値は距離に応じて変化することが判る。またこの発明
における光電式距離センサの距離範囲と発光量との関係
を示すと図１０のようになる。この図から距離に対する
発光量がそれぞれの反射率において、ほぼ一定であるこ
とが判る。

【００２５】

【発明の効果】以上述べたように、請求項１の発明の光
電式距離センサによれば、被検出物体までの距離Ｘに応
じた受光量目標値となるように投光量が制御されるの
で、被検出物体表面の反射率の違いの影響が除去され、
かつ距離計測範囲を広くしても狭帯域の光電式距離セン
サで同一距離の物体を計測したときと同様の高精度が得
られる。また受光部を構成する受光素子の種類が限定さ
れないという効果がある。

【００２６】また請求項２の発明の光電式距離センサに
よれば、基準距離Ｘ０に応じた受光量目標値となるよう
に発光量が制御されるので、被検出物体表面の反射率の
違いの影響が除去され、かつ基準距離Ｘ０の設定範囲を
広くしても基準距離Ｘ０の設定範囲が狭い光電式距離セ
ンサで同一距離の物体を計測したときと同様の高精度が
得られる。また受光部を構成する受光素子の種類が限定
されないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明における光電式距離センサの一実施例
を示すブロック図である。

【図２】図１に示す光電式距離センサの投光制御部をよ
り具体的に示したブロック図である。

【図３】この発明における光電式距離センサを変位セン
サとして構成したときのブロック図である。

【図４】図３における変位センサの設定部の具体例を含
むブロック図である。

【図５】この発明の関連出願である特願平４−１５４０
１４号の光電変換装置の一実施例を示すブロック図であ
る。

【図６】図５における分流部と分流制御部をより具体的
に示す回路図である。

【図７】この発明の光電式距離センサにおける受光部に
配列される受光エレメントの配列を示す平面図である。

【図８】この発明の光電式距離センサにおける受光部の
光位置検出感度を説明する特性図である。

【図９】この発明の光電式距離センサにおける距離範囲
と受光目標値との関係を説明する特性図である。

【図１０】この発明における光電式距離センサの距離範
囲と発光量との関係を説明する特性図である。

【図１１】従来の受光エレメントの動作を説明する断面
図である。

【図１２】従来の受光エレメントの特性を説明する特性
図である。

【図１３】位置検出用の光電式距離センサの基本的な動
作を説明するために単線をもって描いた構成図である。

【図１４】投光量が一定の時の距離と受光量の関係を示
す特性図である。

【図１５】光電式距離センサの被検出物体までの距離Ｘ
と受光面上の輝点像の位置Ｙとの関係を示す特性図であ
る。

【図１６】従来光電式距離センサの距離範囲と受光目標
値との関係を説明する説明図である。

【図１７】従来の光電式距離センサの距離範囲と発光量
との関係を説明する説明図である。

【符号の説明】

２ レンズ系 ３ 投光部 ４ 受光部 ６ 被検出物体 １０ 受光エレメント １２ 分流部 １４ 分流制御部 １５ 操作部 １９ 演算部 １７ 投光制御部 ２０ 出力部 ２６ 設定部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01C 3/06 A G01B 11/00 H01H 35/00 L

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検出物体に対して光を照射し、この被
   検出物体上に輝点を作る投光部と、レンズ系を介して上
   記被検出物体上の輝点の像を受光面上に結像させ、上記
   輝点像位置に応じた位置信号と受光量とを出力する受光
   部と、この受光部の位置信号から上記被検出物体までの
   距離を演算し、距離信号を出力する距離演算部と、上記
   距離信号を受けて距離が近くなるほど大きくなるように
   受光量目標値を演算し出力する目標受光量演算部と、上
   記投光部からの光の強度を、上記受光部が上記目標受光
   量演算部からの受光目標値となるように制御する投光制
   御部とを備えた光電式距離センサ。
2. 【請求項２】 被検出物体に対して光を照射し、この被
   検出物体上に輝点を作る投光部と、レンズ系を介して上
   記被検出物体上の輝点の像を受光面上に結像させ、上記
   輝点像位置に応じた位置信号と受光量とを出力する受光
   部と、基準距離に応じた演算係数と基準距離に応じた受
   光目標値を出力する設定部と、受光部の位置信号と上記
   設定部からの演算係数に応じた変位信号を出力する演算
   部と、投光部からの光の強度を、上記受光部からの受光
   量が上記基準距離に応じた受光目標値となるように制御
   する投光制御部とを備えた光電式距離センサ。