JP3214060B2 - Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatus - Google Patents
Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatusInfo
- Publication number
- JP3214060B2 JP3214060B2 JP13430492A JP13430492A JP3214060B2 JP 3214060 B2 JP3214060 B2 JP 3214060B2 JP 13430492 A JP13430492 A JP 13430492A JP 13430492 A JP13430492 A JP 13430492A JP 3214060 B2 JP3214060 B2 JP 3214060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- phase
- liquid phase
- ultrasonic
- phase cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、堆積物質を液相状態を
介して堆積する液相ＣＶＤ方法及びかかるＣＶＤ方法を
行う液相ＣＶＤ装置に関する。本発明は、例えば、電子
部品（半導体装置等）その他の材料の製造の際に、微細
な薄膜等を形成するために用いることができ、特に例え
ば、半導体製造における薄膜形成技術として利用して、
とりわけ高アスペクト比基板への絶縁膜の埋め込みや平
坦化に好適に利用できるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid phase CVD method for depositing a deposition material via a liquid phase and a liquid phase CVD apparatus for performing the CVD method. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used to form a fine thin film or the like, for example, in the manufacture of electronic components (semiconductor devices and the like) and other materials.
In particular, it can be suitably used for embedding and flattening an insulating film in a high aspect ratio substrate.
【０００２】[0002]
【従来技術と発明が解決しようとする課題】液相ＣＶＤ
技術は、次のような背景で注目されている。即ち、半導
体装置等の分野では微細化・集積化が進行しており、例
えば１６メガビットＤＲＡＭなどの超ＬＳＩデバイスで
は、数ｍｍ角のチップに３０００万個以上の素子を集積
することが必要となって、このため、従来のような平面
的な素子の微細化ではこれだけの数の素子を集積するの
は困難となってきた。そこで、高いアスペクト比（高さ
／幅）の溝を基板である例えばＳｉウェハー内に堀り、
この壁に電荷を蓄積（記憶）するなどの構造の立体化が
必要となる。また、このような超ＬＳＩデバイスでは、
配線を二重、三重に積み上げる多層配線技術が使われる
ことが多いが、この場合の配線間のスペースのアスペク
ト比も優に１を越える。このような溝堀り形のキャパシ
ターや多層配線を実現するためには、高アスペクト比の
スペースにシリコン酸化膜などの絶縁膜等を均一に埋め
込み、その表面を完全に平坦化できる技術の開発が重要
である。BACKGROUND OF THE INVENTION Liquid Phase CVD
Technology has attracted attention in the following contexts. That is, miniaturization and integration are progressing in the field of semiconductor devices and the like. For example, in a super LSI device such as a 16-megabit DRAM, it is necessary to integrate more than 30 million elements on a chip of several mm square. For this reason, it has become difficult to integrate such a large number of elements by miniaturization of planar elements as in the prior art. Therefore, trenches with a high aspect ratio (height / width) are dug in a substrate, for example, a Si wafer,
It is necessary to make the structure three-dimensional, such as storing (remembering) charges on the wall. Also, in such a super LSI device,
In many cases, a multi-layered wiring technique in which wirings are stacked in a double or triple manner is used. In this case, the aspect ratio of the space between the wirings easily exceeds 1. In order to realize such trench-shaped capacitors and multilayer wiring, there is a need to develop a technology that can uniformly bury an insulating film such as a silicon oxide film in a space with a high aspect ratio and completely flatten the surface. is important.
【０００３】平坦化の代表的な技術としては、 ＳＯＧ等の平坦化塗布ガラスを用いて塗布後エッチバ
ックする技術 バイアスＥＣＲ−ＣＶＤを用いた平坦化技術 等が良く知られるところである。As a typical technique for flattening, a technique of etching back using a flattened coating glass such as SOG and the like, and a flattening technique using bias ECR-CVD are well known.
【０００４】しかし、最近のデバイス構造の高アスペク
ト比化に伴う完全平坦化の要請には、上記従来技術では
これを満足できない。前者のの技術は、完全平坦化に
はＳＯＧの厚膜化に伴うクラックの発生や、エッチバッ
ク時間の長時間化による均一性悪化等が問題となり、後
者のの技術は、成膜後に行ういわゆる水平もどしエッ
チバックの均一性の問題や、水平もどし後の凸部の除去
のためのマスクあわせが必要という工程増の問題があ
る。However, the demand for complete flattening accompanying the recent increase in the aspect ratio of the device structure cannot be satisfied by the above-mentioned prior art. The former technique has problems such as the occurrence of cracks due to the increase in the thickness of the SOG film and the deterioration of uniformity due to a longer etch-back time in complete planarization. There is a problem of uniformity of the etch back of the horizontal reversion, and a problem of an increase in the number of steps requiring a mask alignment for removing the convex portion after the horizontal reversion.
【０００５】こういった点に鑑みて、最近、液相ＣＶＤ
という新しいＣＶＤ技術が注目を集めている。これは、
堆積物質を液相状態を介して堆積する手段を用いるもの
であり、これまで知られている液相ＣＶＤ技術は、一般
に、気相中の堆積粒子を被堆積基板上で液化させること
によりこれを高アスペクト比基板の溝内に流れこませ、
そこを酸化することを繰り返す競合反応で、最終的に高
アスペクト比基板を埋め込んで平坦化ＣＶＤを達成する
ものである。In view of these points, recently, liquid phase CVD
Is attracting attention. this is,
Means for depositing a deposition material via a liquid phase state is used, and liquid phase CVD techniques known so far generally disperse the deposition particles in a gas phase by liquefying them on a substrate to be deposited. Flow into the groove of high aspect ratio substrate,
By competing reactions that repeatedly oxidize the substrate, a high aspect ratio substrate is finally embedded to achieve flattening CVD.
【０００６】これに関する代表的な報告としては、 テトラメチルシラン（−４０℃で液相ＣＶＤ可能とさ
れる）を用いた液相ＣＶＤ（Ｓ．Ｎｏｇｕｃｈｉ，Ｈ．
Ｏｋａｎｏ ａｎｄ Ｙ．Ｈｏｒｉｉｋｅ，：Ｅｘｔｅ
ｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ １９ｔｈ Ｃｏｎｆ．
Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｏｋｙｏ，１９８７．Ｐ４５１） ＳｉＨ4 系を用いた、冷却プラズマＣＶＤ（広瀬他、
１９９１年春季応物２９Ｐ−Ｖ−１１ Ｐ６３３） 等がある。A typical report on this is liquid-phase CVD using tetramethylsilane (which can be liquid-phase CVD at −40 ° C.) (S. Noguchi, H. et al.
Okano and Y. Horiike ,: Exte
nd Abstracts 19th Conf.
Solid State Devices and M
materials, Tokyo, 1987. P451) Cooled plasma CVD using SiH 4 system (Hirose et al.,
Spring 1991 29P-V-11 P633).
【０００７】は、有機シランを用いて、ウェハー温度
−３０℃前後のところで堆積した有機系粒子を液化さ
せ、これをＯ原子と反応させることにより、高アスペク
ト比の溝を埋め込む技術である。しかしこの技術は、報
告された技術だけに従えば、気相中の堆積粒子の液化速
度が酸化速度よりも速い場合には、膜中に気泡が発生し
てポーラスな膜となってしまったり、酸化反応が充分に
進まずにメチル基が膜中に残存してしまう等のことがあ
り、膜質に問題がある。よって例えば、耐圧性能が劣っ
たりするおそれがある。なお有機シランとしては、テト
ラメトキシシランを用いる技術も報告されている。In the technique, organic particles deposited at a wafer temperature of about −30 ° C. using an organic silane are liquefied and reacted with O atoms to fill a groove having a high aspect ratio. However, according to only the reported technology, if the liquefaction rate of the deposited particles in the gas phase is faster than the oxidation rate, this technique generates bubbles in the film, resulting in a porous film, In some cases, the oxidation reaction does not proceed sufficiently and a methyl group remains in the film, which causes a problem in film quality. Therefore, for example, there is a possibility that the pressure resistance performance is inferior. A technique using tetramethoxysilane as an organic silane is also reported.
【０００８】また、は、基板温度を−１１０℃と、
よりも更に低温化することでシランによる膜形成前駆体
が流動性をもち、高アスペクト比の溝埋め込みを可能と
する技術である。しかしこの技術では、低温成長を行わ
せるため、膜中に多量の水素を取りこんでしまう等の問
題がある。Further, the temperature of the substrate is set at -110 ° C.
By lowering the temperature further, the film-forming precursor made of silane has fluidity, and it is a technique that enables the filling of grooves with a high aspect ratio. However, in this technique, there is a problem that a large amount of hydrogen is taken into the film in order to perform low-temperature growth.
【０００９】従って、高アスペクト比基板の埋め込みを
可能にする液相ＣＶＤ技術において、上記問題点を解決
し、良好な膜質のＣＶＤを実現する技術の開発が切望さ
れている。[0009] Therefore, in the liquid phase CVD technology capable of embedding a substrate having a high aspect ratio, there is an urgent need to develop a technology which solves the above-mentioned problems and realizes a CVD with good film quality.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、堆積物質を液相状態を介して堆積する液相ＣＶＤ方
法において、冷却により気相中の堆積粒子を液化すると
ともに、液相状態の堆積物質に超音波振動を付与して、
液化した堆積粒子が振動した状態で酸化または窒化の反
応を進行させる工程を備えることを特徴とする液相ＣＶ
Ｄ方法であって、この構成により上記目的を達成するも
のである。 The invention of claim 1 of the present application
Is a liquid phase CVD method for depositing a deposition material via a liquid state.
Liquefaction of deposited particles in the gas phase by cooling
In both cases, ultrasonic vibration is applied to the deposited material in the liquid phase,
When the liquefied sediment particles vibrate, the
Liquid phase CV, comprising a step of promoting the reaction
A method D which achieves the above object by this configuration.
It is.
【００１１】本出願の請求項２の発明は、堆積物質を液
相状態を介して堆積する液相ＣＶＤを行う液相ＣＶＤ装
置において、気相中の堆積粒子を液化する冷却手段を備
え、かつ被堆積基体に超音波振動を付与する超音波発生
手段を備え、これにより液化した堆積粒子が振動した状
態で酸化または窒化の反応を進行させることを特徴とす
る液相ＣＶＤ装置であって、この構成により上記目的を
達成するものである。 [0011] The invention according to claim 2 of the present application is a method for depositing a sediment material with a liquid.
Liquid-phase CVD apparatus for performing liquid-phase CVD deposited through a phase state
Cooling means for liquefying the deposited particles in the gas phase
Ultrasonic generation for applying ultrasonic vibration to the substrate to be deposited
Means to oscillate the liquefied sediment particles.
Characterized in that the oxidation or nitridation reaction proceeds in a state
A liquid-phase CVD apparatus having the above-described object.
To achieve.
【００１２】本出願の請求項２の発明は、堆積物質を液
相状態を介して堆積する液相ＣＶＤを行う液相ＣＶＤ装
置において、被堆積基体に超音波振動を付与する超音波
発生手段を備えることを特徴とする液相ＣＶＤ装置であ
って、この構成により上記目的を達成するものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid-phase CVD apparatus for performing a liquid-phase CVD for depositing a deposition material via a liquid-phase state, wherein an ultrasonic generating means for applying ultrasonic vibration to a substrate to be deposited is provided. A liquid-phase CVD apparatus comprising the above-mentioned structure, and achieves the above object by this configuration.
【００１３】本出願の請求項３の発明は、超音波発生手
段が、圧電振動子、電歪振動子、磁歪振動子のいずれか
である超音波振動子であることを特徴とする請求項２に
記載の液相ＣＶＤ装置であって、この構成により上記目
的を達成するものである。The invention according to claim 3 of the present application is characterized in that the ultrasonic wave generating means is an ultrasonic vibrator which is one of a piezoelectric vibrator, an electrostrictive vibrator and a magnetostrictive vibrator. Wherein the above object is achieved by this configuration.
【００１４】本発明のＣＶＤ方法は、気相中の堆積粒子
の露点以下まで被堆積基板である例えば半導体ウェハー
温度を下げることにより、該粒子をいったん液化させ、
この液化した物質を利用して固体薄膜を形成する方法に
おいて、基板に超音波振動を付与する態様をとることが
できる。In the CVD method of the present invention, the temperature of a substrate to be deposited, for example, a semiconductor wafer, is lowered to a temperature equal to or lower than the dew point of the deposited particles in the gas phase, thereby temporarily liquefying the particles.
In the method of forming a solid thin film using the liquefied substance, a mode in which ultrasonic vibration is applied to the substrate can be adopted.
【００１５】本発明のＣＶＤ方法は、気相中の堆積粒子
の露点以下まで被堆積基板である例えば半導体ウェハー
温度を下げることにより、該粒子をいったん液化させ、
この液化した物質を利用して固体薄膜を形成する方法に
おいて、該装置内の冷却ウェハーステージに、超音波振
動子を内蔵するか、または超音波振動を誘起させる機構
を具備する態様をとることができる。In the CVD method of the present invention, the particles are once liquefied by lowering the temperature of a substrate to be deposited, for example, a semiconductor wafer, to a temperature lower than the dew point of the particles in the gas phase.
In the method of forming a solid thin film using the liquefied substance, a mode may be adopted in which a cooling wafer stage in the apparatus incorporates an ultrasonic oscillator or has a mechanism for inducing ultrasonic vibration. it can.
【００１６】[0016]
【作用】本発明によれば、堆積物質は、液相状態におい
てこれに超音波振動が与えられ、よってこの微細振動に
より、アスペクト比の大きい微細な溝内にも良好に浸入
して行く。また、超音波振動により、液化した堆積物質
の流動性を高めて、溝内への埋め込み特性を向上させる
ことが可能となる。よってより実用的な温度領域での液
相ＣＶＤ埋め込みが、実現できる。かつ振動状態での堆
積により、緻密な堆積がなされ、よって形成される堆積
膜の膜質は良好となる。例えば、液化した堆積粒子が振
動した状態で酸化がおこり、酸化反応も従来の液相ＣＶ
Ｄよりも促進され、このような反応促進の結果、形成さ
れた膜中へのメチル基やＨ等の残存を抑制することが可
能となり、膜質の劣化原因が除かれて、良好な膜質のＣ
ＶＤ膜が得られる。また、高アスペクト比基板埋め込み
を良好な膜質で実現できる。According to the present invention, the deposited material is subjected to ultrasonic vibrations in the liquid phase state, and thus penetrates well into fine grooves having a large aspect ratio due to the fine vibrations. In addition, by the ultrasonic vibration, the fluidity of the liquefied deposited material can be increased, and the characteristics of embedding in the groove can be improved. Therefore, liquid phase CVD embedding in a more practical temperature range can be realized. In addition, due to the deposition in the vibration state, dense deposition is performed, and the quality of the deposited film thus formed is improved. For example, oxidation occurs when the liquefied sedimentary particles vibrate, and the oxidation reaction is the same as in the conventional liquid phase CV.
As a result of promoting such a reaction, it becomes possible to suppress the residual methyl group, H, etc. in the formed film, and to eliminate the cause of the deterioration of the film quality and to improve the C of good film quality.
A VD film is obtained. In addition, embedding of a high aspect ratio substrate can be realized with good film quality.
【００１７】なお特開平１−２９８１６９号公報には、
ガスを供給する気相ＣＶＤ時に基板を超音波振動させる
技術が示されているが、気相反応では超音波が反応に対
して及ぼす影響が小さく、よって超音波の寄与する作用
は顕著と言い難いので、必ずしも効果的とは言えない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-298169 discloses that
Although a technique for ultrasonically vibrating a substrate during gas-phase CVD for supplying a gas is disclosed, in a gas-phase reaction, the effect of ultrasonic waves on the reaction is small, and therefore, the effect of the ultrasonic waves is hardly remarkable. So it is not always effective.
【００１８】[0018]
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但し
当然ではあるが、本発明は以下述べる実施例により限定
されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below. However, needless to say, the present invention is not limited to the embodiments described below.
【００１９】実施例１ 本実施例は、放電室分離型の液相ＣＶＤ装置及びこれに
よる液相ＣＶＤ方法に、本発明を適用した例である。本
実施例の装置の構成を、図１に示す。Embodiment 1 In this embodiment, the present invention is applied to a liquid-phase CVD apparatus of a discharge chamber separation type and a liquid-phase CVD method using the same. FIG. 1 shows the configuration of the apparatus of this embodiment.
【００２０】図１中、１はマイクロ波電源、２はガス導
入管、３は放電管、４は活性種の輸送管、５は反応チェ
ンバー、６は堆積ガス導入部、７はチラーによる冷媒を
供給したウェハーステージ、８は排気口である。本装置
のウェハーステージ７内には、超音波発生手段９とし
て、水晶よりなる圧電型超音波振動子を内蔵させ、ＤＣ
電源を接続させてある。ウェハーステージ７上には、被
堆積基体である基板２１（Ｓｉウェハー）が載置され
る。In FIG. 1, 1 is a microwave power supply, 2 is a gas introduction tube, 3 is a discharge tube, 4 is an active species transport tube, 5 is a reaction chamber, 6 is a deposition gas introduction section, and 7 is a chiller refrigerant. The supplied wafer stage, 8 is an exhaust port. In the wafer stage 7 of the present apparatus, a piezoelectric type ultrasonic vibrator made of quartz is built in
The power supply is connected. On the wafer stage 7, a substrate 21 (Si wafer) as a substrate to be deposited is placed.
【００２１】本実施例においては、上記装置を用いて、
図２（ａ）に拡大して示すような基板２１上に堆積を行
った。基板２１は、開口径０．３５μｍ〜２μｍ、深さ
１μｍのシャロートレンチパターン２ａ〜２ｅを有する
もので、ここでは該シャロートレンチパターン２ａ〜２
ｅの埋め込みを、テトラメチルシラン系ガスを用いた液
相ＣＶＤ法により行った。条件は、次のとおりとした。 使用ガス：Ｏ2 ＝２４００ＳＣＣＭ 圧力：２Ｔｏｒｒ μ波電力：５００ＷIn this embodiment, using the above-described device,
The deposition was performed on a substrate 21 as shown in an enlarged manner in FIG. The substrate 21 has shallow trench patterns 2a to 2e having an opening diameter of 0.35 μm to 2 μm and a depth of 1 μm.
The embedding of e was performed by a liquid phase CVD method using a tetramethylsilane-based gas. The conditions were as follows. Working gas: O 2 = 2400 SCCM Pressure: 2 Torr Microwave power: 500 W
【００２２】上記条件でＯ2 ガスを放電させ、生じたＯ
原子を輸送管４を通してチェンバー５内に導入する。こ
の時、冷媒によりウェハーステージは−４０℃に冷却
し、かつ、超音波振動のためにＤＣ電力２００Ｗを印加
した。超音波振動は、例えば１５〜１ＭＨｚの周波数の
ものを、１〜１０Ｗで付与することができる。The O 2 gas was discharged under the above conditions,
The atoms are introduced into the chamber 5 through the transport pipe 4. At this time, the wafer stage was cooled to −40 ° C. by the coolant, and 200 W of DC power was applied for ultrasonic vibration. The ultrasonic vibration can be given, for example, at a frequency of 15 to 1 MHz at 1 to 10 W.
【００２３】この状態でガス導入部６から、Ｓｉ（ＣＨ
3)4 を１００ＳＣＣＭ導入する。導入されたＳｉ（ＣＨ
3)4 粒子は、冷却された基板２１上で液化し、シャロー
トレンチパターン２ａ〜２ｅである溝内部に流れこむ。
この時、ウェハーステージ７は、超音波発生手段９であ
る超音波振動子の効果で微小振動を生じており、基板２
１にも振動が付与されるため、液化した堆積粒子の流動
性が促進され、より速やかに溝内部に流れこむ。この
時、液化した粒子は到達したＯ原子と反応して酸化が進
むのであるが、この酸化反応も、液化粒子が振動してい
るため反応がより促進され、メチル基の膜中への残存が
抑制される。この結果、最終的には、トレンチパターン
２ａ〜２ｅを完全に良好な膜質のＳｉＯ2 膜で埋め込む
ことができ、図２（ｂ）に示すような良好な堆積結果を
得ることができた。図２（ｂ）中、符号２２にて、埋め
込み材料であるＳｉＯ2 を示す。In this state, Si (CH
3 ) Introduce 4 into 100 SCCM. Introduced Si (CH
3 ) The four particles are liquefied on the cooled substrate 21 and flow into the shallow trench patterns 2a to 2e.
At this time, the wafer stage 7 generates minute vibrations due to the effect of the ultrasonic vibrator as the ultrasonic wave generating means 9,
Since vibration is also applied to 1, the flowability of the liquefied deposited particles is promoted, and the particles are more quickly flown into the groove. At this time, the liquefied particles react with the arriving O atoms and oxidation proceeds, but this oxidation reaction is further accelerated because the liquefied particles are vibrating, and methyl groups remain in the film. Is suppressed. As a result, finally, the trench patterns 2a to 2e could be completely buried with the SiO 2 film having good film quality, and a good deposition result as shown in FIG. 2B could be obtained. In FIG. 2B, reference numeral 22 denotes SiO 2 which is a filling material.
【００２４】実施例２ 本実施例は、プラズマＣＶＤ装置として及びこれを用い
たＣＶＤ方法として、本発明の液相ＣＶＤ方法及び液相
ＣＶＤ装置を具体化したものである。図３は本例装置の
概略断面図である。Embodiment 2 In this embodiment, a liquid-phase CVD method and a liquid-phase CVD apparatus of the present invention are embodied as a plasma CVD apparatus and a CVD method using the same. FIG. 3 is a schematic sectional view of the apparatus of this example.
【００２５】図３中、３１はチェンバー、３２は平行平
板のＲＦ印加電極、３３は液体窒素で冷却しているウェ
ハーステージ、３４は排気口、３５はガス導入口であ
る。In FIG. 3, 31 is a chamber, 32 is a parallel plate RF application electrode, 33 is a wafer stage cooled by liquid nitrogen, 34 is an exhaust port, and 35 is a gas inlet.
【００２６】本装置のウェハーステージ３３内には、超
音波発生手段３６として水晶よりなる圧電型超音波振動
子を内蔵させ、ＤＣ電源を接続させてある。In the wafer stage 33 of the present apparatus, a piezoelectric ultrasonic vibrator made of quartz is built in as ultrasonic generating means 36, and a DC power supply is connected.
【００２７】本実施例においては、上記装置を用いて、
実施例１で用いたサンプルと同様のサンプルである図２
（ａ）に示した基板２１の埋め込みを、ＳｉＨ4 ／Ｏ2
系で行った。条件は、次のとおりとした。 使用ガス：３％ＳｉＨ4 ｉｎＨ2 ／Ｏ2 ＝１００／１０
ＳＣＣＭ 圧力：０．２Ｔｏｒｒ ＲＦパワー密度：０．４４Ｗ／ｃｍ2 基板温度：−１１０℃In this embodiment, using the above-described device,
FIG. 2 which is a sample similar to the sample used in Example 1.
Embedding substrate 21 shown in (a), SiH 4 / O 2
I went with the system. The conditions were as follows. Gas used: 3% SiH 4 inH 2 / O 2 = 100/10
SCCM pressure: 0.2 Torr RF power density: 0.44 W / cm 2 Substrate temperature: -110 ° C
【００２８】ＲＦグロー放電で形成された、高次シラン
系の流動性の高い膜形成前駆体が、低温とステージ振動
の効果でより流動性を増して図２（ａ）の基板２１の溝
内に流れこむ。更には、この液状の膜形成前駆体は、振
動の効果で、その酸化反応も、より促進されるため、膜
中の残存Ｈ量も抑制される。よってこの結果、やはり図
２（ｂ）に示したように、良好な膜質で溝の完全埋め込
みを実現できた。The high-order silane-based film-forming precursor formed by the RF glow discharge has a higher fluidity due to the effects of the low temperature and the stage vibration. Flow into Furthermore, the oxidation reaction of this liquid film-forming precursor is further promoted by the effect of vibration, so that the amount of residual H in the film is also suppressed. Therefore, as a result, as shown in FIG. 2B, complete filling of the groove was achieved with good film quality.
【００２９】なお本実施例において、ガスとしてＮ2 や
ＮＨ3 等の窒素系ガスを用いると、プラズマＳｉＮ（シ
リコンナイトライド）を得るように構成することができ
る。In this embodiment, when a nitrogen-based gas such as N 2 or NH 3 is used as the gas, it is possible to obtain plasma SiN (silicon nitride).
【００３０】実施例３ 実施例２と同様にして、超音波発生手段として電歪振動
子を用い、その他は実施例２と同じにして実施した。こ
の結果、同様な効果を得ることができた。Example 3 In the same manner as in Example 2, an electrostrictive vibrator was used as the ultrasonic wave generating means, and the other operations were the same as in Example 2. As a result, a similar effect was obtained.
【００３１】実施例４ 実施例２と同様にして、超音波磁歪振動子を用いて、そ
の他は実施例２と同じにして実施した。この結果、同様
な効果を得ることができた。Example 4 In the same manner as in Example 2, an ultrasonic magnetostrictive vibrator was used, and the other operations were the same as in Example 2. As a result, a similar effect was obtained.
【００３２】なお本発明は上述した各実施例のみなら
ず、更に変形可能なことは当然であり、例えば装置構
造、成膜条件等は、本発明の範囲を逸脱しない限り適宜
変更可能なことは言うまでもない。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be further modified. For example, the apparatus structure, film forming conditions, and the like can be appropriately changed without departing from the scope of the present invention. Needless to say.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明によれば、例えば高アスペクト比
の埋め込み部を有する被堆積基体についても良好な堆積
を、従来より高い平坦度で、かつ従来より良質な堆積膜
質で得ることができる液体ＣＶＤ方法及び液体ＣＶＤ装
置を提供することができる。According to the present invention, for example, a liquid capable of obtaining good deposition even on a substrate to be deposited having a buried portion having a high aspect ratio with a higher flatness than before and with a higher quality of deposited film than before. A CVD method and a liquid CVD apparatus can be provided.
【図１】実施例１に用いたラジカル輸送型の液相ＣＶＤ
装置の概略断面図である。FIG. 1 shows a radical transport type liquid phase CVD used in Example 1.
It is a schematic sectional drawing of an apparatus.
【図２（ａ）】本発明の実施例に使用した基板サンプル
の概略断面図である。FIG. 2A is a schematic sectional view of a substrate sample used in an example of the present invention.
【図２（ｂ）】本発明の実施例で、ＳｉＯ2 を埋め込ん
だ後の状態を示す概略断面図である。FIG. 2 (b) is a schematic sectional view showing a state after SiO 2 is embedded in the embodiment of the present invention.
【図３】実施例２に用いたプラズマＣＶＤ装置に適用し
た液体ＣＶＤ装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a liquid CVD apparatus applied to a plasma CVD apparatus used in Example 2.
１ マイクロ波電源 ２ ガス導入管 ３ マイクロ波放電部 ４ ラジカル輸送管 ５ チェンバー ６ 堆積性ガス導入口 ７ ウェハーステージ ８ 排気口 ９ 超音波発生手段（超音波振動子） ２１ 被堆積基体（基板、Ｓｉウェハー） ２２ 埋め込み材料（ＳｉＯ2 ） ３１ チェンバー ３２ ＲＦ印加電極 ３３ 冷却ウェハーステージ ３４ 排気口 ３５ ガス導入口 ３６ 超音波発生手段（超音波振動子）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Microwave power supply 2 Gas introduction pipe 3 Microwave discharge part 4 Radical transport pipe 5 Chamber 6 Deposition gas introduction port 7 Wafer stage 8 Exhaust port 9 Ultrasonic wave generating means (ultrasonic oscillator) 21 Substrate to be deposited (substrate, Si) Wafer) 22 Embedding material (SiO 2 ) 31 Chamber 32 RF application electrode 33 Cooling wafer stage 34 Exhaust port 35 Gas inlet 36 Ultrasonic generator (ultrasonic oscillator)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C30B 23/08 H01L 21/205 H01L 21/30 - 21/32 H01L 21/76 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 16/00-16/56 C30B 23/08 H01L 21/205 H01L 21/30-21/32 H01L 21 / 76
Claims (3)
ＣＶＤ方法において、冷却により気相中の堆積粒子を液化するとともに、 液相
状態の堆積物質に超音波振動を付与して、液化した堆積
粒子が振動した状態で酸化または窒化の反応を進行させ
る工程を備えることを特徴とする液相ＣＶＤ方法。In a liquid-phase CVD method for depositing a deposition material via a liquid phase , a deposition particle in a gas phase is liquefied by cooling , and ultrasonic vibration is applied to the deposition material in a liquid phase . Liquefied sediment
The oxidation or nitridation reaction proceeds while the particles vibrate.
Liquid phase CVD method, characterized in that it comprises the that step.
ＣＶＤを行う液相ＣＶＤ装置において、気相中の堆積粒子を液化する冷却手段を備え、かつ 被堆
積基体に超音波振動を付与する超音波発生手段を備え、
これにより液化した堆積粒子が振動した状態で酸化また
は窒化の反応を進行させることを特徴とする液相ＣＶＤ
装置。2. A liquid-phase CVD apparatus for performing a liquid-phase CVD for depositing a deposition substance via a liquid-phase state, comprising a cooling means for liquefying deposition particles in a gas phase, and applying ultrasonic vibration to a substrate to be deposited. Comprising an ultrasonic generating means for applying ,
This causes the liquefied sediment particles to oxidize or
Is a liquid phase CVD characterized by advancing a nitriding reaction
apparatus.
子、磁歪振動子のいずれかである超音波振動子であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の液相ＣＶＤ装置。3. The liquid-phase CVD apparatus according to claim 2, wherein the ultrasonic wave generating means is an ultrasonic vibrator that is one of a piezoelectric vibrator, an electrostrictive vibrator, and a magnetostrictive vibrator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13430492A JP3214060B2 (en) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13430492A JP3214060B2 (en) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05302170A JPH05302170A (en) | 1993-11-16 |
| JP3214060B2 true JP3214060B2 (en) | 2001-10-02 |
Family
ID=15125164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13430492A Expired - Fee Related JP3214060B2 (en) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214060B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468720A (en) * | 2016-09-30 | 2017-03-01 | 浙江科技学院（浙江中德科技促进中心） | The thin magnetic force thixotropy generating meanss seeing flow observation and test method between granule |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7803722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP13430492A patent/JP3214060B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 応用物理、５７、［１２］、ｐ．１９２９−１９３０、（１９８８） |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468720A (en) * | 2016-09-30 | 2017-03-01 | 浙江科技学院（浙江中德科技促进中心） | The thin magnetic force thixotropy generating meanss seeing flow observation and test method between granule |
| CN106468720B (en) * | 2016-09-30 | 2018-11-20 | 浙江科技学院（浙江中德科技促进中心） | The magnetic force thixotropy generating device and test method of flow observation are carefully seen between particle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05302170A (en) | 1993-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6867141B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device and forming interlayer dielectric film using high-density plasma | |
| JP3141827B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US6215087B1 (en) | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus | |
| EP0283311B1 (en) | Thin film forming method | |
| JP2630257B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US7553694B2 (en) | Methods of forming a high conductivity diamond film and structures formed thereby | |
| JPH0982495A (en) | Plasma producing device and method | |
| JP2000114252A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| JP7176106B2 (en) | Method for depositing dielectric material | |
| JPH098032A (en) | Formation of insulation film | |
| WO2008018291A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP3400918B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US6806175B2 (en) | Method for forming protective films and spacers | |
| JP3214060B2 (en) | Liquid phase CVD method and liquid phase CVD apparatus | |
| KR20040059842A (en) | Method for forming a contact hole in a semiconductor device | |
| JPH07316823A (en) | Plasma cvd method and device therefor | |
| US20210090883A1 (en) | Methods and apparatus for depositing dielectric material | |
| JP3950446B2 (en) | Anisotropic etching method | |
| JP2003059918A (en) | Method and apparatus for plasma treatment and manufacturing method for semiconductor device | |
| JPH08115911A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3210469B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| JPS60202942A (en) | Formation of thin-film | |
| TWI785711B (en) | Deposition of low-stress boron-containing layers | |
| US11404263B2 (en) | Deposition of low-stress carbon-containing layers | |
| JP2970916B2 (en) | Digital CVD method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080727 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090727 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |