JP3212149B2 - Ｒｆプローブ - Google Patents
ＲｆプローブInfo
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- JP3212149B2 JP3212149B2 JP21006692A JP21006692A JP3212149B2 JP 3212149 B2 JP3212149 B2 JP 3212149B2 JP 21006692 A JP21006692 A JP 21006692A JP 21006692 A JP21006692 A JP 21006692A JP 3212149 B2 JP3212149 B2 JP 3212149B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は核磁気共鳴（ＭＲＩ）装
置用ＲＦプローブに関する。
置用ＲＦプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲＩ用ＲＦプローブとして、従来、鞍
型コイルやスロッテドチューブレゾネータ（以下ＳＴＲ
と略記する。）、マルチプルエレメントレゾネータ（以
下ＭＥＲと略記する。；バードケージレゾネータ（以下
ＢＣＲと略記する。。）とも呼ばれる。）などが使われ
ている。このようなコイルの受信感度、送信効率を向上
する方法としてＱＤ（クォドラチャーディテクション；
ＱｕａｄｒａｔｕｒｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）法が広く用
いられている。これは直交する２つの直線磁場を位相を
９０度ずらして発生させ、この結果、合成された回転磁
場を発生したり、直交する２つの直線磁場を受信しこれ
らの位相を９０度ずらして合成することにより回転高周
波磁場を高感度で検出する方法である。受信と送信は電
気的、電磁場的に可逆的関係があるので以下必要に応じ
て受信若しくは送信について述べる。
型コイルやスロッテドチューブレゾネータ（以下ＳＴＲ
と略記する。）、マルチプルエレメントレゾネータ（以
下ＭＥＲと略記する。；バードケージレゾネータ（以下
ＢＣＲと略記する。。）とも呼ばれる。）などが使われ
ている。このようなコイルの受信感度、送信効率を向上
する方法としてＱＤ（クォドラチャーディテクション；
ＱｕａｄｒａｔｕｒｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）法が広く用
いられている。これは直交する２つの直線磁場を位相を
９０度ずらして発生させ、この結果、合成された回転磁
場を発生したり、直交する２つの直線磁場を受信しこれ
らの位相を９０度ずらして合成することにより回転高周
波磁場を高感度で検出する方法である。受信と送信は電
気的、電磁場的に可逆的関係があるので以下必要に応じ
て受信若しくは送信について述べる。
【０００３】ＱＤ法によれば直交するコイルからの信号
強度が互いに等しい場合理想的には単独の直線磁場検出
法に対して１．４倍感度が向上する。一方、検出感度向
上の他の手段として表面コイルに用いられるフェイズド
アレイ技術がある。これは比較的小型の表面コイルが高
感度であることを利用して、これを被検体表面に多数個
配置して高感度のまま視野を拡大する技術である。但
し、コイル間の磁気的結合を巧みに除去することにより
コイル間の干渉を排除し、干渉による検出感度の低下を
防ぐ必要があり、その方法がいくつか提案されている。
なお、ＱＤ方式については例えば特開平４−１７８３７
号公報に開示されている。バードケージレゾネータにつ
いては、例えば特開昭６１−９５２３４号公報、及び特
開昭６０−１３２５４７号公報に開示されている。さら
にフェイズドアレイについては、例えば特表平２−５０
０１７５号公報、及び特開平２−１３４３２号公報、特
開平３−６８３４２号公報に開示されている。
強度が互いに等しい場合理想的には単独の直線磁場検出
法に対して１．４倍感度が向上する。一方、検出感度向
上の他の手段として表面コイルに用いられるフェイズド
アレイ技術がある。これは比較的小型の表面コイルが高
感度であることを利用して、これを被検体表面に多数個
配置して高感度のまま視野を拡大する技術である。但
し、コイル間の磁気的結合を巧みに除去することにより
コイル間の干渉を排除し、干渉による検出感度の低下を
防ぐ必要があり、その方法がいくつか提案されている。
なお、ＱＤ方式については例えば特開平４−１７８３７
号公報に開示されている。バードケージレゾネータにつ
いては、例えば特開昭６１−９５２３４号公報、及び特
開昭６０−１３２５４７号公報に開示されている。さら
にフェイズドアレイについては、例えば特表平２−５０
０１７５号公報、及び特開平２−１３４３２号公報、特
開平３−６８３４２号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】より一層の感度向上を
達成するためにＱＤ方式とフェイズドアレイ技術を結合
させる方法が考えられるが、円柱状コイルである上記鞍
型コイルやＳＴＲやＢＣＲではまだ実現されていない。
本発明の目的は、フェイズドアレイ技術を鞍型コイルや
ＳＴＲ、ＭＥＲに適用するための干渉除去技術を提供す
るものである。
達成するためにＱＤ方式とフェイズドアレイ技術を結合
させる方法が考えられるが、円柱状コイルである上記鞍
型コイルやＳＴＲやＢＣＲではまだ実現されていない。
本発明の目的は、フェイズドアレイ技術を鞍型コイルや
ＳＴＲ、ＭＥＲに適用するための干渉除去技術を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】静磁場中に、少なくとも
互いに略同一の径を有した２つの略円柱状プローブが各
々の軸が略同一線上に配置してなる複合型ＭＲＩ用ＲＦ
プローブにおいて、円柱状プローブ間の高周波カップリ
ングを除去する手段として、プローブペアに対して、上
記の軸に対して直交する平面内の直交する２方向の高周
波電磁場成分によるカップリングを各々除去する１組の
デカップリング手段を設ける。デカップリング手段は直
交する１組の磁束補償コイルであり、１組のデカップリ
ング手段がそれぞれ独立に調整可能とする。また、第１
の方向（ｚ方向）の静磁場中で、第１の方向に垂直な平
面（ｘ−ｙ）上の高周波回転磁場を送信若しくは受信す
るＱＤ方式ＲＦプローブが、第１の方向（ｚ方向）に複
数個近接してなる複合型プローブにおいて、複数個のＱ
Ｄ方式プローブの少なくとも１組の高周波電磁波の干渉
を除去するデカップリング手段が、第１の方向と垂直な
第２の方向（ｘ方向）の高周波電磁場のデカップリング
手段と、第１の方向及び第２の方向にそれぞれ垂直な第
３の方向（ｙ方向）の高周波電磁場のデカップリング手
段を含むようにする。
互いに略同一の径を有した２つの略円柱状プローブが各
々の軸が略同一線上に配置してなる複合型ＭＲＩ用ＲＦ
プローブにおいて、円柱状プローブ間の高周波カップリ
ングを除去する手段として、プローブペアに対して、上
記の軸に対して直交する平面内の直交する２方向の高周
波電磁場成分によるカップリングを各々除去する１組の
デカップリング手段を設ける。デカップリング手段は直
交する１組の磁束補償コイルであり、１組のデカップリ
ング手段がそれぞれ独立に調整可能とする。また、第１
の方向（ｚ方向）の静磁場中で、第１の方向に垂直な平
面（ｘ−ｙ）上の高周波回転磁場を送信若しくは受信す
るＱＤ方式ＲＦプローブが、第１の方向（ｚ方向）に複
数個近接してなる複合型プローブにおいて、複数個のＱ
Ｄ方式プローブの少なくとも１組の高周波電磁波の干渉
を除去するデカップリング手段が、第１の方向と垂直な
第２の方向（ｘ方向）の高周波電磁場のデカップリング
手段と、第１の方向及び第２の方向にそれぞれ垂直な第
３の方向（ｙ方向）の高周波電磁場のデカップリング手
段を含むようにする。
【０００６】
【作用】第１のデカップリング手段でＸ方向の磁場のカ
ップリングを除去し第２のデカップリング手段でｙ方向
の磁場のデカップリングを行うので、回転磁場に対して
も完全かつ安定に円柱状レゾネータ間の相互干渉を除去
できる。
ップリングを除去し第２のデカップリング手段でｙ方向
の磁場のデカップリングを行うので、回転磁場に対して
も完全かつ安定に円柱状レゾネータ間の相互干渉を除去
できる。
【０００７】
【実施例】本発明を図１に示した実施例を用いて説明す
る。図１は本発明に好適な形状のプローブ１の斜視図で
ある。本実施例では一例として２つの互いに同一形状の
ＱＤプローブ１１と１２を用いている。ＱＤプローブは
例えばマルチプルエレメントレゾネータ（ＭＥＲ）であ
る。ＭＥＲの構成は、図示はしていないが、一般に共通
の軸に沿って相隔たる１対の導電ループ素子と、この導
電ループ素子を電気的に相互に接続する複数個の軸方向
の導電セグメント（ラング）と、ループ素子もしくは導
電セグメントに配置された複数個の容量素子からなり、
本実施例のＭＥＲとしてはループに容量素子が配置され
たハイパス型を用いる。レゾネータ１１の給受電はピッ
クアップコイルを介した誘導結合で行われ、ｘ方向はポ
ート１１１から、ｙ方向はポート１１２から行われる。
またレゾネータ１２の給受電はピックアップコイルを介
した誘導結合で行われ、ｘ方向はポート１２１から、ｙ
方向はポート１２２から行われる。ｘ方向の磁場の干渉
を補償する補償コイル１３はｘ軸方向の磁場に対して垂
直な平面上に設置されている。またｙ方向の磁場の干渉
を補償する補償コイル１４はｙ軸方向の磁場に対して垂
直な平面上に設置されている。補償コイル１３及び１４
は数字の「８」の字型をしており、レゾネータ１１と１
２にまたがって円柱外表面に近接して配置されている。
補償コイル１３及び１４には、傾斜磁場の負荷にならな
いように、必要に応じてコンデンサを挿入してもよい。
この容量は磁気共鳴周波数である高周波（１．５Ｔで６
４ＭＨｚ）に対して十分に低インピーダンスとなり、傾
斜磁場の主成分である低周波に対しては十分に高インピ
ーダンスとなるように選ぶ。その値としては例えば１０
００ｐＦである。
る。図１は本発明に好適な形状のプローブ１の斜視図で
ある。本実施例では一例として２つの互いに同一形状の
ＱＤプローブ１１と１２を用いている。ＱＤプローブは
例えばマルチプルエレメントレゾネータ（ＭＥＲ）であ
る。ＭＥＲの構成は、図示はしていないが、一般に共通
の軸に沿って相隔たる１対の導電ループ素子と、この導
電ループ素子を電気的に相互に接続する複数個の軸方向
の導電セグメント（ラング）と、ループ素子もしくは導
電セグメントに配置された複数個の容量素子からなり、
本実施例のＭＥＲとしてはループに容量素子が配置され
たハイパス型を用いる。レゾネータ１１の給受電はピッ
クアップコイルを介した誘導結合で行われ、ｘ方向はポ
ート１１１から、ｙ方向はポート１１２から行われる。
またレゾネータ１２の給受電はピックアップコイルを介
した誘導結合で行われ、ｘ方向はポート１２１から、ｙ
方向はポート１２２から行われる。ｘ方向の磁場の干渉
を補償する補償コイル１３はｘ軸方向の磁場に対して垂
直な平面上に設置されている。またｙ方向の磁場の干渉
を補償する補償コイル１４はｙ軸方向の磁場に対して垂
直な平面上に設置されている。補償コイル１３及び１４
は数字の「８」の字型をしており、レゾネータ１１と１
２にまたがって円柱外表面に近接して配置されている。
補償コイル１３及び１４には、傾斜磁場の負荷にならな
いように、必要に応じてコンデンサを挿入してもよい。
この容量は磁気共鳴周波数である高周波（１．５Ｔで６
４ＭＨｚ）に対して十分に低インピーダンスとなり、傾
斜磁場の主成分である低周波に対しては十分に高インピ
ーダンスとなるように選ぶ。その値としては例えば１０
００ｐＦである。
【０００８】動作の説明を図２を用いて行う。図２
（ａ）はｙ＝０、ｘ−ｚ平面上での断面模式図であり、
この図を用いてｘ方向の磁場に対して説明する。コイル
１１によりｘ軸方向の高周波直線磁場１１４が領域１１
３に発生する。このときのレゾネータ１２の有感領域１
２３にレゾネータ１１で生成された磁場１１４の領域１
１４が重なるので、補償コイル１３が無い場合はレゾネ
ータ１２上に誘導電流が発生し図１に示したポート１２
１に信号が発生する。即ちレゾネータ１１、１２間に干
渉が生ずる。補償コイル１３はレゾネータ１１とレゾネ
ータ１２の外周に近接して配置されその断面はそれぞれ
のレゾネータの磁場発生領域（有感領域）に重なってい
ため、レゾネータ１１とレゾネータ１２と磁気的に結合
している。前述のように補償コイルは「８」の字型をし
ている（図では「８」の字型コイルは二つのループ形状
部分からなっており、第１ループの形状部位を１３Ａ、
第２のループの形状部位を１３Ｂとしてこれを表してい
る。）ので磁束１１４の一部を反転してレゾネータ１２
に伝達する。従って先の誘導電流をキャンセルすること
ができる。補償の程度は、補償コイルを横切る各々のレ
ゾネータが作る磁束で決まる。従って、レゾネータ間の
干渉が最小になるようにレゾネータと補償コイル間の距
離を図中の矢印で示した方向１３１に微調整することで
最適なデカップリングが実現できる。図２（ｂ）はｘ＝
０、ｙ−ｚ平面上での断面模式図であり、この図を用い
てｙ方向の磁場に対して同様の説明ができる。コイル１
１によりｙ軸方向の高周波直線磁場１１６が領域１１５
に発生する。このときのレゾネータ１２の有感領域１２
５にレゾネータ１１で生成された磁場１１６の領域１１
５が重なるので、補償コイル１４が無い場合はレゾネー
タ１２上に誘導電流が発生し図１に示したポート１２２
に信号が発生する。即ち、レゾネータ１１、１２間に干
渉が生ずる。これをｙ軸方向の磁場に対して垂直な平面
上に設けた補償コイル１４（１４Ａ、１４Ｂは図２
（ａ）における１３Ａ、１３Ｂに対応する。）で前述と
同様に補償できる。ｘ方向とｙ方向についてのこれら微
調はその直交性からそれぞれ独立に行うことができる。
またレゾネータ１２から送信した場合にレゾネータ１１
に誘導される信号も、事象の可逆性から同様に補償され
ていることは明らかである。以上の説明からレゾネータ
１１とレゾネータ１２を、同時にフェイズドアレイの受
信プローブとして用いても互いに干渉が無くノイズの増
加が抑制される。
（ａ）はｙ＝０、ｘ−ｚ平面上での断面模式図であり、
この図を用いてｘ方向の磁場に対して説明する。コイル
１１によりｘ軸方向の高周波直線磁場１１４が領域１１
３に発生する。このときのレゾネータ１２の有感領域１
２３にレゾネータ１１で生成された磁場１１４の領域１
１４が重なるので、補償コイル１３が無い場合はレゾネ
ータ１２上に誘導電流が発生し図１に示したポート１２
１に信号が発生する。即ちレゾネータ１１、１２間に干
渉が生ずる。補償コイル１３はレゾネータ１１とレゾネ
ータ１２の外周に近接して配置されその断面はそれぞれ
のレゾネータの磁場発生領域（有感領域）に重なってい
ため、レゾネータ１１とレゾネータ１２と磁気的に結合
している。前述のように補償コイルは「８」の字型をし
ている（図では「８」の字型コイルは二つのループ形状
部分からなっており、第１ループの形状部位を１３Ａ、
第２のループの形状部位を１３Ｂとしてこれを表してい
る。）ので磁束１１４の一部を反転してレゾネータ１２
に伝達する。従って先の誘導電流をキャンセルすること
ができる。補償の程度は、補償コイルを横切る各々のレ
ゾネータが作る磁束で決まる。従って、レゾネータ間の
干渉が最小になるようにレゾネータと補償コイル間の距
離を図中の矢印で示した方向１３１に微調整することで
最適なデカップリングが実現できる。図２（ｂ）はｘ＝
０、ｙ−ｚ平面上での断面模式図であり、この図を用い
てｙ方向の磁場に対して同様の説明ができる。コイル１
１によりｙ軸方向の高周波直線磁場１１６が領域１１５
に発生する。このときのレゾネータ１２の有感領域１２
５にレゾネータ１１で生成された磁場１１６の領域１１
５が重なるので、補償コイル１４が無い場合はレゾネー
タ１２上に誘導電流が発生し図１に示したポート１２２
に信号が発生する。即ち、レゾネータ１１、１２間に干
渉が生ずる。これをｙ軸方向の磁場に対して垂直な平面
上に設けた補償コイル１４（１４Ａ、１４Ｂは図２
（ａ）における１３Ａ、１３Ｂに対応する。）で前述と
同様に補償できる。ｘ方向とｙ方向についてのこれら微
調はその直交性からそれぞれ独立に行うことができる。
またレゾネータ１２から送信した場合にレゾネータ１１
に誘導される信号も、事象の可逆性から同様に補償され
ていることは明らかである。以上の説明からレゾネータ
１１とレゾネータ１２を、同時にフェイズドアレイの受
信プローブとして用いても互いに干渉が無くノイズの増
加が抑制される。
【０００９】次にレゾネータコイル１１と１２の具体的
形状を述べる。例えば、頭部撮像用プローブとしてはそ
の直径は３００ｍｍ、長さは２００ｍｍ、エレメントの
数が１６である。エレメントは例えば直径３ｍｍの銅パ
イプである。エレメントのコンデンサは約４０ｐＦであ
る。給電方式はピックアップコイルを用いた誘導結合方
式とする。ピックアップコイルはコイルの共振周波数は
レゾネータのコンデンサ容量を微徴することで、どちら
のポートに対しても所望のＭＲＩ周波数、例えば１．５
Ｔでは６３．８ＭＨｚに調整できる。またピックアップ
コイルとレゾネータ本体の磁気結合状態を調整（その相
対位置変化で可能）することでインピーダンスを所望の
値、例えば５０Ωに容易に調整できる。補償コイルも例
えば直径３ｍｍの銅パイプで形成できる。補償コイルに
は必要に応じて誘導電流を制御する手段、例えば可変抵
抗やトラップ回路を付加してもよい（図示せず）。
形状を述べる。例えば、頭部撮像用プローブとしてはそ
の直径は３００ｍｍ、長さは２００ｍｍ、エレメントの
数が１６である。エレメントは例えば直径３ｍｍの銅パ
イプである。エレメントのコンデンサは約４０ｐＦであ
る。給電方式はピックアップコイルを用いた誘導結合方
式とする。ピックアップコイルはコイルの共振周波数は
レゾネータのコンデンサ容量を微徴することで、どちら
のポートに対しても所望のＭＲＩ周波数、例えば１．５
Ｔでは６３．８ＭＨｚに調整できる。またピックアップ
コイルとレゾネータ本体の磁気結合状態を調整（その相
対位置変化で可能）することでインピーダンスを所望の
値、例えば５０Ωに容易に調整できる。補償コイルも例
えば直径３ｍｍの銅パイプで形成できる。補償コイルに
は必要に応じて誘導電流を制御する手段、例えば可変抵
抗やトラップ回路を付加してもよい（図示せず）。
【００１０】図３に他の実施例を示す。本実施例ではレ
ゾネータ１１と１２の端部をオーバーラップさせること
でｘ方向とｙ方向の磁場のカップリングを除去してい
る。この場合レゾネータ１１と１２間の容量結合を極力
小さくすることが望ましい。一例としては、レゾネータ
１１と１２のオーバーラップ部分を図３のように変形す
る。他の実施例としてデカップリング手段として、特開
平３−６８３４２号公報で開示しているような複数個の
コンデンサを含むフィードバック回路で構成することも
可能である。これらの構成は必要に応じて公知技術を用
いた変更により、全身用プローブや局所用プローブなど
にも適用できる。以上の記述では静磁場がｚ方向の場合
について説明したが、他の方向に存在している場合も、
本発明は高周波電磁波の干渉の除去に有効である。適用
例として垂直磁場方式における各種プローブにも応用で
きる。また、送受信方式が必ずしもＱＤ方式に限定され
るものではない。またレゾネータの給電方式は誘導結合
型でなく、容量結合型であってもよい。
ゾネータ１１と１２の端部をオーバーラップさせること
でｘ方向とｙ方向の磁場のカップリングを除去してい
る。この場合レゾネータ１１と１２間の容量結合を極力
小さくすることが望ましい。一例としては、レゾネータ
１１と１２のオーバーラップ部分を図３のように変形す
る。他の実施例としてデカップリング手段として、特開
平３−６８３４２号公報で開示しているような複数個の
コンデンサを含むフィードバック回路で構成することも
可能である。これらの構成は必要に応じて公知技術を用
いた変更により、全身用プローブや局所用プローブなど
にも適用できる。以上の記述では静磁場がｚ方向の場合
について説明したが、他の方向に存在している場合も、
本発明は高周波電磁波の干渉の除去に有効である。適用
例として垂直磁場方式における各種プローブにも応用で
きる。また、送受信方式が必ずしもＱＤ方式に限定され
るものではない。またレゾネータの給電方式は誘導結合
型でなく、容量結合型であってもよい。
【００１１】
【発明の効果】静磁場中に、少なくとも互いに略同一の
径を有した２つの略円柱状プローブが各々の軸が略同一
線上に配置してなる複合型ＭＲＩ用ＲＦプローブにおい
て、上記円柱状プローブ間の高周波カップリングを除去
する手段として、上記プローブペアに対して、前記軸に
対して直交する平面内の直交する２方向の直線高周波電
磁場によるカップリングを各々除去する１組のデカップ
リング手段を設けているので、第１のデカップリング手
段でＸ方向の磁場のカップリングを除去し第２のデカッ
プリング手段でｙ方向の磁場のデカップリングを行え
る。その結果、回転磁場に対しても完全かつ安定に円柱
状レゾネータ間の相互干渉を除去でき、鞍型コイルやＳ
ＴＲやＢＣＲで、ＱＤ方式とフェイズドアレイ技術を結
合でき、プローブの一層の感度向上を達成できる。
径を有した２つの略円柱状プローブが各々の軸が略同一
線上に配置してなる複合型ＭＲＩ用ＲＦプローブにおい
て、上記円柱状プローブ間の高周波カップリングを除去
する手段として、上記プローブペアに対して、前記軸に
対して直交する平面内の直交する２方向の直線高周波電
磁場によるカップリングを各々除去する１組のデカップ
リング手段を設けているので、第１のデカップリング手
段でＸ方向の磁場のカップリングを除去し第２のデカッ
プリング手段でｙ方向の磁場のデカップリングを行え
る。その結果、回転磁場に対しても完全かつ安定に円柱
状レゾネータ間の相互干渉を除去でき、鞍型コイルやＳ
ＴＲやＢＣＲで、ＱＤ方式とフェイズドアレイ技術を結
合でき、プローブの一層の感度向上を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図。
【図２】本発明の実施例を補足説明するための（ａ）ｙ
＝０、ｘ−ｚ平面上、（ｂ）ｘ＝０、ｙ−ｚ平面上での
断面模式図。
＝０、ｘ−ｚ平面上、（ｂ）ｘ＝０、ｙ−ｚ平面上での
断面模式図。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図。
１…プローブ、１１、１２、２１、２２…ＭＥＲ型レゾ
ネータ、１１１、１１２、１２１、１２２…ポート、１
１３、１２３、１１５、１２５…有感領域（あるいは磁
場発生領域）、１１４、１２４、１１６、１２６、２１
１、２２１…発生磁場（あるいは受信磁場）、１３、１
４…補償コイル、１３１、１４１…微調方向。
ネータ、１１１、１１２、１２１、１２２…ポート、１
１３、１２３、１１５、１２５…有感領域（あるいは磁
場発生領域）、１１４、１２４、１１６、１２６、２１
１、２２１…発生磁場（あるいは受信磁場）、１３、１
４…補償コイル、１３１、１４１…微調方向。
フロントページの続き (72)発明者 山本 悦治 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−180733（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−234957（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−68342（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−500620（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) A61B 5/055 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (9)
- 【請求項１】各々の軸が略同一線上に配置された略同一
の径を持つ２つの円柱状プローブと、前記軸に直交する
平面内の直交する２方向の直線高周波電磁場によるカッ
プリングを、前記円柱状プローブの対に対して各々除去
する１組のデカップリング手段とを有し、前記円柱状プ
ローブの間の高周波カップリングを除去することを特徴
とするＲＦプローブ。 - 【請求項２】請求項１に記載のＲＦプローブに於いて、
前記デカップリング手段は直交する１組の磁束補償コイ
ルであることを特徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項３】請求項１に記載のＲＦプローブに於いて、
前記１組のデカップリング手段がそれぞれ独立に調整可
能であることを特徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項４】第１の方向の静磁場中で、前記第１の方向
に垂直な平面上の高周波回転磁場を送信又は受信するＱ
Ｄ方式ＲＦプローブであり、前記第１の方向に複数個近
接して配置される複数個の前記ＱＤ方式ＲＦプローブ
と、前記第１の方向と垂直な第２の方向の高周波電磁場
の干渉を除去する第１のデカップリング手段と、前記第
１の方向及び前記第２の方向にそれぞれ垂直な第３の方
向の高周波電磁場の干渉を除去する第２のデカップリン
グ手段とを有し、前記ＱＤ方式ＲＦプローブの少なくと
も１組の高周波電磁波の干渉を除去することを特徴とす
るＲＦプローブ。 - 【請求項５】 各々の軸が略同一線上に配置された略同一
の径を持つ２つの円柱状のレゾネータと、前記２つの円
柱状のレゾネータにまたがり直交する２方向にそれぞれ
配置されるループコイルを具備するデカップリング手段
を有し、前記各ループコイルは、それぞれ異なる前記レ
ゾネータにまたがる第１のループ部位と第２のループ部
位とを持ち、前記レゾネータの間の高周波カップリング
を除去することを特徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項６】 請求項５に記載のＲＦプローブに於いて、
前記各ループコイルは「８」の字型をしていることを特
徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項７】請求項５に記載のＲＦプローブに於いて、
前記レゾネータがマルチプルエレメントレゾネータであ
ることを特徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項８】 請求項５に記載のＲＦプローブに於いて、
前記レゾネータがスロッテドチューブレゾネータである
ことを特徴とするＲＦプローブ。 - 【請求項９】 各々の軸が略同一線上に配置された略同一
の径を持つ２つの円柱状のレゾネータの各レゾネータの
端部の径を異ならせて前記端部オーバラップさせて前記
軸の方に直交する２方向の磁場のカップリングを除去す
ることを特徴とするＲＦプローブ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21006692A JP3212149B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Ｒｆプローブ |
| US08/098,816 US5453692A (en) | 1992-08-06 | 1993-07-29 | RF probe for nuclear magnetic resonance imaging (MRI) devices |
| DE4326516A DE4326516C2 (de) | 1992-08-06 | 1993-08-06 | Hochfrequenz-Sonde für MRI-Vorrichtungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21006692A JP3212149B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Ｒｆプローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0654821A JPH0654821A (ja) | 1994-03-01 |
| JP3212149B2 true JP3212149B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=16583260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21006692A Expired - Fee Related JP3212149B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Ｒｆプローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3212149B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US5457386A (en) * | 1991-11-26 | 1995-10-10 | Hitachi, Ltd. | Multiple-coil adopting a quadrature detection method applied thereto and a signal processing circuit employing the same in an MRI apparatus in a vertical magnetic system |
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| JP4718714B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | 磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法 |
-
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- 1992-08-06 JP JP21006692A patent/JP3212149B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0654821A (ja) | 1994-03-01 |
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