JP3211888B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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Description
の製造方法に関し、特にデバイス特性や信頼性を向上さ
せる水素処理方法に関する。
回路装置の製造においては、基板上に各種素子構造を形
成し層間絶縁膜を積層した後に、水素雰囲気中、400
℃程度で水素アニールを行なっている。
気的接続特性や、シリコン基板と金属配線との電気的接
続特性の向上、デバイスの特性や信頼性の向上、製造時
の歩留まりの向上のために行われ、半導体集積回路装置
の製造において非常に重要な処理である。例えばDRA
Mにおいては、素子分離酸化膜やゲート酸化膜等のシリ
コン酸化膜とシリコン基板との間に界面準位が存在し、
この界面準位を介して拡散層から基板へリーク電流が流
れ、DRAMのホールド特性が悪化する。また、このよ
うな界面準位が存在すると、しきい値電圧や電流−電圧
特性等のトランジスタ特性がばらつくため、設計値から
変動し、信頼性の高い半導体集積回路装置を歩留まりよ
く製造できない。以上のように水素アニールは、しきい
値電圧や電流−電圧特性等のトランジスタ特性を安定化
できるために、DRAM以外のロジック等の半導体集積
回路でも行われている。このような種々の問題を引き起
こす界面準位は、シリコン酸化膜とシリコン基板との界
面付近のシリコンのダングリングボンドに起因するとさ
れており、水素アニールにおいて、界面まで水素が供給
され、この水素によりダングリングボンドが終端され界
面準位を低減させることができる。
半導体集積回路装置の微細化や高密度化、多層化が進
み、また、新たな多層構造や電極材料・配線材料、絶縁
材料の採用によって、水素アニールにより水素を所望の
界面まで十分に侵入・拡散させることが困難になってき
ている。そのため、アニール時間を長くしたり、アニー
ル温度を高くしなければならない。しかし、アニール時
間を長くすると生産性が低下するため問題がある。ま
た、アニール温度については、水素アニールは、既にア
ルミ配線等の金属配線が形成された後の工程で行う必要
があるため、高温にしすぎるとアルミ等の金属配線材料
がスパイクやヒルロック等を起こすために信頼性が低下
するという問題がある。さらに、後述するように、高温
にしても必ずしも優れた水素アニール効果が得られるわ
けではない。
成材料により異なり、層間絶縁膜や素子分離絶縁膜など
のシリコン酸化膜については水素を透過するが、近年、
エッチングストッパやキャパシタ絶縁膜、汚染防止膜等
としてよく用いられる窒化シリコン膜は水素をほとんど
透過しない。特に、減圧CVDにより形成される窒化シ
リコン膜は非常に緻密に形成されているため水素の拡散
バリアとなる。また、アルミ等の金属配線材料や、T
i、TiN等のバリアメタル材料、各種配線や電極に用
いられる多結晶シリコンは、水素を吸収するため水素が
ここで消費され、飽和吸収量を超えた時点で水素を透過
するものの拡散速度は著しく低下する。
と、近年、ウェハの大口径化に従ってその厚さも増大し
ており、例えば、6インチ基板では675μm、8イン
チ基板では725μm、12インチ基板では770μm
を超える厚さのものが用いられる。このような厚さの増
大は、水素の拡散距離が増大し、基板裏面からの水素の
拡散が困難になってきていることを示している。また、
基板表面への素子形成工程において多結晶シリコン膜や
シリコン窒化膜を形成する際、同時に、基板裏面にもこ
れら水素の拡散バリア膜が形成あるいは付着するため、
基板裏面からの水素の侵入は困難である。また、意図的
に、例えばEG(Extrinsic Gettering)のために基板
裏面に多結晶シリコン膜を形成する場合もある。このよ
うに基板裏面からの水素の侵入は困難であり、侵入後も
拡散距離が長いため、長時間あるいは高温下での水素ア
ニールが必要である。
ら、近年のデバイス構造において水素アニールが困難と
なっていることを説明する。
図および断面図を示す。この構造においては、所定の結
晶方位を有するP型シリコン基板1上に素子分離2が形
成され、上部にシリコン窒化膜6が堆積された、N型多
結晶シリコン膜とタングステンシリサイド膜(不図示)
からなるゲート電極3がゲート絶縁膜4(シリコン酸化
膜)上に形成されている。素子分離とゲート電極に自己
整合的にN型拡散層5が形成され、ゲート電極の側壁に
はシリコン窒化膜6が形成されている。ゲート電極間に
は、異方性選択エピタキシャル成長法によりn型多結晶
シリコンからなるパッド9が形成されている。これらの
上層にはシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜7が積層さ
れ、この層間絶縁膜にはn型多結晶シリコンパッド9の
上面に達するようにコンタクトホールが形成されN型多
結晶シリコンが埋め込まれ、容量下部電極10と導通す
るコンタクト8が形成されている。N型多結晶シリコン
からなる容量下部電極上にONO(酸化膜−窒化膜−酸
化膜)からなる容量絶縁膜11が形成され、その上にN
型多結晶シリコンからなる容量上部電極12が形成され
ている。また、図示されていないが、容量上部電極の上
にはビット線が層間絶縁膜を介して配置されている。ま
た、容量下部電極10はトランジスタ毎に分かれている
が、容量上部電極12は単位セルアレー毎に分割形成さ
れている。
入した水素は、まず多結晶シリコンからなるビット線で
吸収された後、セルアレー単位で形成された容量上部電
極12を形成する多結晶シリコン層で吸収・消費され
る。その後、層間絶縁膜7を介して、基板1とゲート絶
縁膜4や素子分離絶縁膜2との界面に到達する。また、
図示していないが、容量下部電極10とトランジスタの
間にビット線を配置する構成(キャパシタオーバービッ
ト線構造:COB構造)を有する場合は、このビット線
を形成する多結晶シリコン層によっても水素は吸収・消
費される。
に、単位面積に占めるビット線やワード線の割合が増大
し、さらにセルアレー間隔も狭くなるために、ますます
水素アニールが困難になってきている。
(CUB構造)を有する16M版では、ビット線と基板
拡散層とのコンタクトのために開口部が形成され、この
開口部が水素の重要な拡散経路の一つであったが、CO
B構造を有し微細化された16Mシュリンク版において
は、ビット線が容量下部電極よりも下にあるため、この
開口部は必要なく、容量上部電極間の隙間しか水素の拡
散経路がない。64M版、64Mシュリンク版になる
と、さらに微細化・高密度化が進むため、ビット線・ワ
ード線の間隔や容量下部電極間の間隔が一層狭くなって
いる。
(SAC構造)を有するスタック型DRAMの模式的断
面図を示す。この図は、COB構造を有する構成を示
し、また一つの容量上部電極(プレート電極)単位の構
成を示す。また、図3に、DRAMのチップの概略平面
図を示す。
ンタクトホールの形成時にゲート電極3および素子分離
2を保護するためにシリコン窒化膜6が形成され、コン
タクト部のみのシリコン窒化膜がホールの埋め込み前に
除去されている。また、基板裏面にも、表面への窒化膜
の形成と同時に窒化膜が形成あるいは付着される。この
ように、水素を透過しないシリコン窒化膜で全面をほぼ
覆われるため水素アニールが非常に困難となっている。
また、容量下部電極10はトランジスタ毎に分かれてい
るが、容量上部電極12は図3に示すように単位セルア
レー毎に分割形成されているため、水素の侵入経路は容
量上部電極12間の隙間しかない。さらに、容量下部電
極10とトランジスタの間にビット線13を配置するC
OB構造を有しており、このビット線13を形成する多
結晶シリコン層によっても水素は吸収・消費される。
板を従来の方法で水素アニールした場合の水素アニール
時間に対するリーク電流の変化を示す。水素アニールは
400℃の一定温度、水素/窒素(1:1)の常圧雰囲
気で行った。また、リーク電流は、全ての単位セルブロ
ックのトランジスタを並列に接続した状態でリーク電流
を測定した。
するスタック型DRAMは、CUB構造を有する16M
版(a)から、COB構造を有する16Mシュリンク版
(b)、64M版(c)、64Mシュリンク版(d)と
高密度化するにしたがって、リーク電流の低下する時間
が遅くなっており、水素アニール処理を長時間しなけれ
ばならないことがわかる。
有するスタック型DRAMとSAC構造を有しない以外
は同様な構成を有するDRAMについて、水素アニール
後の、逆方向電圧に対する逆方向電流の測定結果を示
す。水素アニールは400℃の一定温度、水素/窒素
(1:1)の常圧雰囲気で行った。また、φ0.5μm
のコンタクトアレーについて、基板とコンタクト間に、
np接合に対して逆バイアスとなる電圧を印加した時に
流れる電流を測定した。
は、アニール時間が240分と比較的長いにもかかわら
ずアニール時間が40分のSAC構造を有しない場合に
対して、逆方向リーク電流が著しく大きい、すなわち水
素の侵入・拡散が非常に困難であることがわかる。
造に関係なく、水素アニールによってデバイス特性や信
頼性を向上させ、半導体集積回路装置を歩留まりよく製
造する方法を提供することである。
れ層間絶縁膜が積層された半導体基板を水素雰囲気下で
アニールする水素アニール工程を有する半導体集積回路
装置の製造方法であって、前記水素アニール工程におい
て、430〜500℃で水素アニールを行い、その後、
水素雰囲気のままで420℃以下の温度にして所定時間
保持した後に前記素子形成基板を出炉することを特徴と
する半導体集積回路装置の製造方法に関する。
について説明する。
の水素アニールの工程フロー図を示を示す。図6に示す
ように、従来の水素アニールは、まず、400℃程度の
一定温度の窒素雰囲気にある加熱炉内に素子形成基板を
入炉する(a)。次に、そのままの一定温度で炉内を水
素雰囲気にし(a〜b)、所定の時間水素アニールする
(b〜c)。その後、温度一定のまま窒素雰囲気とし
(c〜d)、素子形成基板を出炉する(d)。入炉前お
よび出炉後の炉内温度は、炉内が大気や窒素雰囲気等の
不活性雰囲気であれば特に制限はないが、複数の素子形
成基板を連続的に処理する場合は入炉前および出炉後も
水素アニール処理温度と同じ温度で一定にしておくこと
が好ましい。
ル方法を用いて、異なる温度で水素アニールを行ったと
ころ、図7に示すような、接合リーク電流の水素アニー
ル時間と温度の依存性を示す結果を得た。用いた素子形
成基板は、図2に示す構成においてシリコン窒化膜を有
しない、シリコン基板上にシリコン酸化絶縁膜を有する
DRAMである。なお、縦軸および横軸はそれぞれ相対
値をとった。
に上げると、水素の拡散速度が上がるため接合リーク電
流が早くから低下しており、界面準位を短時間で低下で
き、アニール時間が短縮できることがわかる。水素アニ
ール温度をさらに上げて450℃にすると、接合リーク
電流がさらに早くから低下するものの、最終的な接合リ
ーク電流は400℃及び420℃で水素アニールした場
合に対して高くなっている。このように、アニール温度
を高くしすぎると、前述のアルミ配線等のスパイクなど
の熱による問題が起きやすいという以前に、界面準位を
十分低減できないことがわかる。
度を420℃から450℃へ上げても接合リーク電流が
十分に低下しない原因を鋭意検討した結果、その原因は
素子形成基板を高温下で出炉する工程にあると考えるに
至った。
雰囲気を大気や窒素ガス等の不活性雰囲気に置換した後
に素子形成基板を出炉しているが、このときの温度が比
較的高温であると、半導体基板と絶縁性領域との界面に
一度到達し界面準位を低下させた水素がこの界面から脱
離する現象が起きると考えられる。上記試験例において
は420℃を超えると接合リーク電流が十分に低下しな
かったため、この420℃が水素の脱離開始温度である
といえる。この脱離開始温度より高い450℃で水素ア
ニール行うと、出炉のために水素雰囲気を不活性雰囲気
に置換する間も450℃の高温で維持されているため、
一度界面に到達し界面準位を低下させた水素が脱離し、
その結果、接合リーク電流が十分に低下しないと考えら
れる。
るため鋭意検討した結果、水素アニールにより半導体基
板と絶縁性領域との界面に到達し界面準位を低下させる
水素が不活性雰囲気下で脱離し始める脱離開始温度(以
下「脱離開始温度」という。)以下の温度にした後に素
子形成基板を出炉する本発明を完成するに至った。
いて、脱離開始温度を超える温度で水素アニールを行
い、その後、水素雰囲気のままで脱離開始温度以下の温
度にした後に素子形成基板を出炉することを特徴とする
ものである。
アニールを行うことにより、水素の拡散速度を大きくす
ることができるため、早くから界面準位が低下し、水素
アニール時間を短縮できる。また、素子形成基板を出炉
する際に、水素雰囲気のまま脱離開始温度以下の温度に
した後に出炉することにより、界面の水素が脱離するこ
とがないため、十分な界面準位の低減が図れる。その結
果、基板表面の素子構造に関係なく、デバイスの特性や
信頼性が向上し、半導体集積回路装置を歩留まりよく製
造することができる。
のシーケンスを示す。図中の実線(a)及び(b)はい
ずれも水素雰囲気下の状態の温度変化を示している。
して、一定温度で所定の時間保持して水素アニールを行
い、続いて所定の時間をかけて徐々に温度を低下させな
がら水素アニールを行い、次いで脱離開始温度以下の一
定温度で所定の時間保持する。その後、脱離開始温度以
下の温度で出炉する。
℃の場合(実線(a))について説明すると、脱離開始
温度(420℃)を超える温度(450℃)の不活性雰
囲気(大気や窒素雰囲気等)の加熱炉に入炉した後、炉
内を水素雰囲気にし(a1)、一定温度で所定の時間保
持し(a1〜a2)、続いて所定の時間をかけて徐々に温
度を低下させて(a2〜a3)水素アニールを行い、次い
で脱離開始温度以下の一定温度で所定の時間保持し(a
3〜a4)、その後、脱離開始温度以下の温度で不活性雰
囲気とし、素子形成基板を出炉する。アニール温度を4
50℃から480℃に上げると水素の拡散が速くなるた
め、アニール時間を短縮でき、実線(b)に示すシーケ
ンスとなる。
限定されず、例えば、図9に示す実線(c)、(d)、
(e)であってもよい。
の加熱炉に入炉して、所定の時間をかけて徐々に温度を
低下させながら水素アニールを行い、脱離開始温度以下
の温度まで低下した後に出炉する場合を示している。
の加熱炉に入炉して、所定の時間をかけて徐々に温度を
低下させながら水素アニールを行い、続いて脱離開始温
度以下の一定温度で所定の時間保持し、その後、脱離開
始温度以下の温度で出炉する場合を示している。
の加熱炉に入炉して、一定温度で所定の時間保持して水
素アニールを行い、続いて所定の時間をかけて徐々に温
度を低下させながら水素アニールを行い、脱離開始温度
以下の温度まで低下した後に出炉する場合を示してい
る。
れ大気から直接水素雰囲気へ及び水素雰囲気から大気へ
素子形成基板の移動を行ってもよいが、安全の点から、
不活性雰囲気を介して行うことが好ましい。例えば、入
炉の際は、大気や窒素雰囲気等の不活性雰囲気にある炉
内に素子形成基板を入炉し、その後に水素雰囲気とす
る。出炉の際は、炉内を水素雰囲気から不活性雰囲気と
した後に素子形成基板を出炉する。
示すものが実際の製造において最も好ましい。脱離開始
温度以上の一定温度で所定の時間保持(a1〜a2)する
ことにより、アニール温度の制御が容易となり、均一な
素子特性を有する素子が製造でき、歩留まりを向上でき
る。また、脱離開始温度以下の一定温度で所定の時間保
持(a3〜a4)することにより、出炉時の基板温度を一
定にでき、その結果、検出温度と基板温度のズレ、基板
面内での温度のばらつき、さらに、炉の違いによるアニ
ール効果の違いを低減できる。
板であり、該基板と界面を形成する絶縁性領域が酸化シ
リコン領域である場合は、水素の脱離開始温度は420
℃であり、この420℃を超える温度で水素アニールを
行い、その後、水素雰囲気のままで420℃以下の温度
にした後に素子形成基板を出炉することが好ましい。水
素アニール温度の上限は、基板上に形成された素子にダ
メージを与えない範囲であれば特に制限はないが、例え
ば、比較的低融点の配線材料を用いている場合は、その
配線材料の融点未満であることが好ましい。具体例とし
てアルミニウムを配線材料に用いている場合は、その融
点の660℃未満であることが好ましい。すなわち、水
素アニール温度の範囲は420℃を超える温度から66
0℃未満が好ましく、より好ましくは430℃〜500
℃である。なお、ここでいう好ましい水素アニール温度
の範囲は、水素雰囲気下で少なくともこの温度範囲内の
温度の状態が存在すればよいことを意味し、図9の温度
シーケンス(c)等のように水素アニール温度は一定で
なくてもよい。
度を超える温度に保持される時間は、界面準位の低下が
飽和するまで行うことが好ましく、水素アニール温度
や、温度シーケンス、素子構成等によって適宜調整す
る。
面を有する素子形成基板に好適であり、上記の説明は主
に半導体基板がシリコン基板であり、該基板と界面を形
成する絶縁性領域が酸化シリコン領域である場合につい
て行ったが、半導体基板がGaAs、InP、Ge、
C、SiC、ZnSe等であり、該基板と界面を形成す
る絶縁性領域がSiON、SiN、Al2O3等の絶縁
体、又はTa2O5、BST、PZT等の誘電体などの場
合であっても本発明は適用できる。
が、多結晶シリコンあるいは水素を吸蔵する金属材料か
らなる容量上部電極および容量下部電極、並びに該電極
間にシリコン窒化膜を含んでなる容量絶縁膜を有するD
RAMに好ましく適用できる。例えば図1に示す構成が
挙げられる。また、本発明は、水素非透過性材料を用い
たセルフアラインコンタクト構造を有する素子形成基板
に対して好適である。水素非透過性材料としては、Si
N等の窒化膜、SiON等の酸化窒化膜、Mo、W、T
a、Ti等の高融点金属膜、MoSi2、WSi2、Ta
Si2、TiSi2等シリサイド膜等が挙げられる。特
に、図2に示すような、シリコン窒化膜を用いたセルフ
アラインコンタクト構造を有するDRAMに適してい
る。また、キャパシタオーバービット線構造や、バリア
メタルにTiあるいはTiNが用いられたDRAMに対
しても好適である。
発明は、DRAMが混載されたロジックや、セルフアラ
インコンタクトの用にほぼ基板全面にシリコン窒化膜等
の水素のバリアとなる絶縁膜を有するなど水素非透過性
材料を用いた半導体集積回路に適用できることはいうま
でもない。
明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
製造に適用した例を示す。
基板1上に素子分離2が形成され、N型多結晶シリコン
膜とタングステンシリサイド膜(不図示)からなるゲー
ト電極3がゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)4上に形成
されている。これら素子分離とゲート電極に自己整合的
にN型拡散層5が形成されている。素子分離とゲート電
極上にはシリコン窒化膜6が形成され、その上にシリコ
ン酸化膜からなる層間絶縁膜7が形成されている。この
層間絶縁膜には拡散層5に達するようにコンタクトホー
ルが形成され、この部分のシリコン窒化膜は除去されて
いる。コンタクトホールにはN型多結晶シリコンが埋め
込まれ、容量下部電極10と導通するコンタクト8が形
成されている。N型多結晶シリコンからなる容量下部電
極上にONO(酸化膜−窒化膜−酸化膜)からなる容量
絶縁膜11が形成され、その上にN型多結晶シリコンか
らなる容量上部電極12が形成されている。また、容量
下部電極10はトランジスタ毎に分かれているが、容量
上部電極12は図3に示すように単位セルアレー毎に分
割形成されているため、水素の侵入経路は容量上部電極
12間の隙間しかない。さらに、容量下部電極10とト
ランジスタの間にビット線13を配置するCOB構造を
有しており、このビット線13を形成する多結晶シリコ
ン層によっても水素は吸収・消費される。
例2としてそれぞれ図8に示す実線(a)及び実線
(b)の温度シーケンスにしたがって水素アニールを行
った。また比較例としてそれぞれ400℃(比較例
1)、420℃(比較例2)、435℃(比較例3)、
500℃(比較例4)の一定温度で240分間、従来の
方法によっても水素アニールを行った。
℃を超える温度、すなわち450℃の窒素雰囲気の加熱
炉に入炉した後、炉内を水素雰囲気(水素/窒素(1:
1)、常圧)にし(a1)、450℃の一定温度で24
0分間保持し(a1〜a2)、続いて20分をかけて徐々
に温度を低下させて(a2〜a3)420℃にし、次いで
420℃の一定温度で10分間保持し(a3〜a4)、そ
の後、420℃で不活性雰囲気とし、素子形成基板を出
炉した。
熱炉に入炉した後、炉内を水素雰囲気(水素/窒素
(1:1)、常圧)にし、480℃の一定温度で120
分間保持し、続いて40分をかけて徐々に温度を低下さ
せて420℃にし、次いで420℃の一定温度で10分
間保持し、その後、420℃で不活性雰囲気とし、素子
形成基板を出炉した。
ニール時間に対する逆方向電流の測定結果を示す。φ
0.5μmのコンタクトアレーについて、基板とコンタ
クト間に、np接合に対して逆バイアスとなる電圧を印
加した時に流れる電流を評価した。この結果から、40
0℃程度の比較的低温では水素の拡散が非常に遅いこと
がわかる。また、拡散速度を上げるためにアニール温度
を高くすると(比較例3、4)、飽和領域(アニール時
間が1300分以降)では、リーク電流が、比較的低温
で行った場合(比較例1、2)と逆転し、比較的低温で
行った場合より大きいことがわかる。
4における、水素アニール時間に対する逆方向電流の測
定結果を示す。なお、評価方法は図10と同様に行い、
図中の実施例1及び2のアニール時間は1段目のアニー
ル時間を示す。この結果から、本発明により界面準位を
効率的に低下させることができることがわかる。
よれば、基板表面の素子構造に関係なく、水素アニール
によってデバイス特性や信頼性が向上し、また半導体集
積回路装置を歩留まりよく製造することができる。
ある。
ク型DRAMの模式的断面図である。
るリーク電流の変化を示すグラフである。
圧に対する逆方向電流の測定結果を示す図である。
の水素アニール時間と温度の依存性を示すグラフであ
る。
ケンスを示す図である。
ケンスを示す図である。
る、水素アニール時間に対する逆方向電流の測定結果を
示す図である。
る、水素アニール時間に対する逆方向電流の測定結果を
示す図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 素子が形成され層間絶縁膜が積層された
半導体基板を水素雰囲気下でアニールする水素アニール
工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記水素アニール工程において、430〜500℃で水
素アニールを行い、その後、水素雰囲気のままで420
℃以下の温度にして所定時間保持した後に前記素子形成
基板を出炉することを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法。 - 【請求項2】 水素雰囲気のままで420℃以下の温度
にして所定時間保持した後に、不活性雰囲気とし、前記
素子形成基板を出炉する請求項1記載の半導体集積回路
装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記半導体基板がシリコン基板であり、
該シリコン基板上に絶縁性領域として酸化シリコン領域
を有する請求項1又は2記載の半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項4】 前記半導体基板が化合物半導体基板であ
り、該半導体基板上に絶縁性領域を有する請求項1又は
2記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項5】 430〜500℃の加熱炉に入炉して、
所定の時間をかけて徐々に温度を低下させながら水素ア
ニールを行い、420℃以下の温度まで低下した後に出
炉する請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項6】 430〜500℃の加熱炉に入炉して、
所定の時間をかけて徐々に温度を低下させながら水素ア
ニールを行い、続いて420℃以下の一定温度で所定の
時間保持し、その後、420℃以下の温度で出炉する請
求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置
の製造方法。 - 【請求項7】 430〜500℃の加熱炉に入炉して、
一定温度で所定の時間保持して水素アニールを行い、続
いて所定の時間をかけて徐々に温度を低下させながら水
素アニールを行い、420℃以下の温度まで低下した後
に出炉する請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項8】 430〜500℃の加熱炉に入炉して、
一定温度で所定の時間保持して水素アニールを行い、続
いて所定の時間をかけて徐々に温度を低下させながら水
素アニールを行い、次いで420℃以下の一定温度で所
定の時間保持し、その後、420℃以下の温度で出炉す
る請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体集積回路
装置の製造方法。 - 【請求項9】 基板に形成する素子がDRAM部を有す
る請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路
装置の製造方法。 - 【請求項10】 基板に形成する素子が、水素非透過性
材料を用いたセルフアラインコンタクト構造を有する請
求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置
の製造方法。 - 【請求項11】 基板に形成する素子が、Tiあるいは
TiNからなるバリアメタルを有する請求項1〜10の
いずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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