JP3210916B2 - 光磁気記録媒体の再生方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録装置に
適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カー
ド等の光磁気記録媒体の再生方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、磁気ヘッドを用いて記録・再生が
行われる磁気記録媒体と比べて高い記録密度を実現でき
る新しい記憶媒体として実用化が進んできた光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体において、最近、記録密度をさ
らに向上させようとする研究開発が活発になっている。

【０００３】上記光磁気記録媒体の記録密度は、記録・
再生に使用される光ビームの記録媒体上での大きさに依
存する。例えば、光磁気記録媒体上に集光された光ビー
ムのビーム径に比べて記録ビット径および記録ビット間
隔が小さい場合、光ビームの中に複数の記録ビットが存
在することになり、一つ一つの記録ビットを分離して再
生することができず、再生特性の劣化が生じる。

【０００４】上記のような光磁気記録媒体の欠点を解決
すべく、最近、光ビームの大きさより小さい記録ビット
を再生する方法が提案されている。

【０００５】通常、光記録において、光ビームは、集光
レンズにより回折限界まで絞りこまれているため、その
光強度分布がガウス分布になり、記録媒体上の温度分布
もほぼガウス分布になる。このため、ある温度以上の温
度を有する領域は、光ビームより小さくなっている。そ
こで、上述の光ビームの大きさより小さい記録ビットを
再生する方法は、ある温度以上の領域のみを再生に関与
させようとするものである。

【０００６】上記方法を行うに際して、室温で高保磁力
を有する垂直磁化膜である読み出し層と、室温での保磁
力が小さい垂直磁化膜である記録層とから成る交換結合
二層膜を備えた光磁気ディスクが用いられる。この光磁
気ディスクに対する記録は、通常の光熱磁気記録方法で
行われる。そして、上記光磁気ディスクに記録されたビ
ットの再生は、次のようにして行われる。即ち、予め補
助磁界発生装置によって補助磁界を読み出し層に印加
し、この読み出し層の磁化の向きが所定の向きに揃うよ
うに初期化する。次に、上記光磁気ディスクに再生ビー
ムを照射し、局部温度上昇させて記録層の磁化情報を読
み出し層に転写する。こうすると、再生ビームの照射さ
れた部位の中心部の温度が上昇した部位のみの情報が再
生できる。従って、光ビームより小さな記録ビットでも
読み出せる。

【０００７】しかしながら、上記光磁気ディスクを用い
た場合、再生動作に先立って、補助磁界発生装置により
補助磁界を印加しなければならない。また、再生時に、
記録層から読み出し層に転写された記録ビットは、その
部位の温度が下がっても、そのまま残ってしまう。この
ため、次の記録ビットを再生するために光ビームを移動
させると、前の記録ビットは依然として光ビームの中に
存在するので、この残存ビットも再生されてしまい、こ
れが雑音の原因となり、記録密度を向上させる際の制限
事項になる。

【０００８】そこで、本願発明者等は、再生動作に先立
つ初期化のための補助磁界発生装置が不要であると共
に、雑音の原因である隣接ビット（前の記録ビット）か
らの信号混入を回避できる光磁気記録媒体を先に提案し
ている（特願平４−７４６０５号）。この光磁気記録媒
体と、これを用いた再生方法について、図１４を参照し
て以下に説明する。尚、同図（ａ）は、光磁気記録媒体
を光ビーム照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同
図（ａ）の光磁気記録媒体のＡ−Ａ線断面における各磁
性層５１・５２の磁化状態を示すものである。

【０００９】上記光磁気記録媒体は、１５０℃程度のキ
ュリー温度点を有する記録層５２と、室温では面内磁化
状態を示す一方、約５０℃以上の読み出し温度において
垂直磁化状態を示す読み出し層５１とを有している。こ
の光磁気記録媒体に対する記録は、該光磁気記録媒体へ
記録磁界を印加すると共に、高いパワーの光ビームを該
光磁気記録媒体へ照射して記録層５２の温度をキュリー
温度近傍まで上昇させることにより行われる。これによ
り、上記記録層５２に記録ビットが形成される。

【００１０】一方、上記光磁気記録媒体に記録された情
報の再生は、次のようにして行われる。先ず、記録時よ
りも低いパワーの光ビームが光磁気記録媒体に照射され
ることになる。この際、光ビームは記録媒体に対して相
対的に矢印Ｐで示す方向に移動しており、光磁気記録媒
体上で最も温度が高くなる部位は、光ビームの中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、光
ビームの照射により読み出し層５１の温度が約５０℃以
上に上昇して読み出し可能となる領域８３（領域の中
心）は、光ビームの照射領域７２（領域の中心）に対し
て後方にずれた位置に存在することになる。そして、上
記領域８３のみにおいて、読み出し層５１は垂直磁化状
態となり、記録層５２からの交換結合力を受けて、読み
出し層５１の磁化方向は、記録層５２の磁化方向と同一
方向となる。ここで、読み出し層５１における、光ビー
ムの照射領域７２と、温度上昇により読み出し可能とな
る領域８３とにずれが生じているため、実際に再生が行
われる情報は、光ビームの照射領域７２内に存在し、且
つ、読み出し可能領域８３に存在する情報６３のみとな
り、それ以外の情報は再生されることはない。

【００１１】このように、光ビームの照射領域７２内の
高温領域のみが一種の光学的なアパチャーとして働くこ
とにより、情報再生に寄与する実効的な光スポットが小
さくなり、検出分解能が向上する。これにより、光ビー
ムの大きさより小さい記録ビットでも、一つ一つの記録
ビットを分離して再生することが可能である。そして、
読み出し層５１における温度上昇しない部位、或いは温
度の低下した部位は面内磁化を示すので、磁気光学効果
を示さなくなり、記録層５２に記録された情報は読み出
し層５１の面内磁化にマスクされて読み出されることが
なくなる。これにより、雑音の原因である隣接ビットか
らの信号が混入することを回避できる。更に、再生動作
に先立つ初期化のための補助磁界発生装置が不要であ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ここで、上記光磁気記
録媒体において、記録密度を更に高めた場合を、図１５
を参照して考えてみる。尚、同図（ａ）は、光磁気記録
媒体を光ビーム照射側から見た図であり、同図（ｂ）
は、同図（ａ）の光磁気記録媒体のＡ−Ａ線断面におけ
る各磁性層５１・５２の磁化状態を示すものである。

【００１３】読み出し層５１における光ビームの照射領
域７２、および該光ビームの照射による温度上昇により
読み出し可能となる範囲８３を、上記図１４に示した場
合と同様にした場合、光ビームの照射領域７２内に存在
し、且つ、読み出し可能領域８３に存在する情報は２つ
（情報９３・９３′）となり、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することができなくなってしまう。

【００１４】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、本願発明者が先に提案した光磁気記録
媒体の有する特徴（前の記録ビットからの信号混入を回
避できる等）を有しながら、その光磁気記録媒体よりも
更に記録密度を高めた場合でも、一つ一つの記録ビット
を分離して再生可能であり、記録密度を向上させること
ができる光磁気記録媒体を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたものであって、室温において垂
直磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₂ まで垂直
磁化状態を保持する記録層と、該記録層に対して光ビー
ムの入射側に配置され、室温において面内磁化状態を示
す一方、温度Ｔ ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み
出し層と、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、
室温において垂直磁化状態を示す一方、温度Ｔ ₃ 以上で
面内磁化状態へと移行する中間層を有し、上記温度
Ｔ ₁ 、Ｔ ₂ 、Ｔ ₃ が、Ｔ ₁ ＜Ｔ ₃ ＜Ｔ ₂ の関係を満たしている
光磁気記録媒体の再生方法であって、上記光磁気記録媒
体における再生光ビームの照射領域内に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未
満の温度となる領域を形成し、その領域において上記記
録層から上記読み出し層への磁化の転写を遮断すること
を特徴とする。

【００１６】また、本発明は、再生時に外部磁界を印加
して、上記読み出し層における上記Ｔ ₃ 以上の温度とな
る領域の磁化の方向を上記外部磁界に応じた同一の方向
にそろえることを特徴とする。

【００１７】また、本発明は、再生時に外部磁界を印加
せず、上記読み出し層における上記Ｔ ₃ 以上の温度とな
る領域の磁化の方向を面内方向に向けることを特徴とす
る。

【００１８】また、本発明は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₂ まで垂直磁化状態
を保持する記録層と、該記録層に対して光ビームの入射
側に配置され、室温において面内磁化状態を示す一方、
温度Ｔ ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層
と、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温に
おいて垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₃
まで垂直磁化状態を保持する中間層を有し、上記温度Ｔ
₁ 、Ｔ ₂ 、Ｔ ₃ が、Ｔ ₁ ＜Ｔ ₃ ＜Ｔ ₂ の関係を満たしている光
磁気記録媒体の再生方法であって、上記光磁気記録媒体
における再生光ビームの照射領域内に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未満
の温度となる領域を形成し、その領域において上記記録
層から上記読み出し層への磁化の転写を遮断し、再生時
に外部磁界を印加せず、上記読み出し層における上記Ｔ
₃ 以上の温度となる領域の磁化の方向を面内方向に向け
ることを特徴とする。

【００１９】また、本発明は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₂ まで垂直磁化状態
を保持する記録層と、該記録層に対して光ビームの入射
側に配置され、室温において面内磁化状態を示す一方、
温度Ｔ ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層
と、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温に
おいて面内磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₃
まで面内磁化状態を保持する中間層を有し、上記温度Ｔ
₁ 、Ｔ ₂ 、Ｔ ₃ が、Ｔ ₁ ＜Ｔ ₃ ＜Ｔ ₂ の関係を満たしている光
磁気記録媒体の再生方法であって、上記光磁気記録媒体
における再生光ビームの照射領域内に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未満
の温度となる領域を形成し、その領域において上記記録
層から上記読み出し層への磁化の転写を遮断し、再生時
に外部磁界を印加せず、上記読み出し層における上記Ｔ
₃ 以上の温度となる領域の磁化の方向を面内方向に向け
ることを特徴とする。

【００２０】

【００２１】以下に作用を説明する。

【００２２】上記構成によれば、使用する光磁気記録媒
体に光ビームが照射されると、照射された部位の温度分
布はガウス分布になるので、温度Ｔ1以上になる領域
は、光ビームの照射領域よりも小さく、また、温度Ｔ3
以上になる領域は、上記温度Ｔ1以上の領域よりもさら
に小さくなる。

【００２３】また、光ビームは光磁気記録媒体に対して
所定の線速度で相対的に移動することになるので、媒体
上で最も温度が高くなる部位は、光ビームの中心から後
方にずれた位置に存在することになる。このため、光ビ
ームの照射領域内には、温度Ｔ₁以上の領域の一部（お
よび温度Ｔ₃以上の領域の一部）が存在し、温度Ｔ₁以上
になる領域内に存在しても、光ビームの照射領域内に存
在しない記録ビットは再生されない。

【００２４】また、読み出し層における温度Ｔ₁以上の
領域外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射
光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、光ビ
ームの照射領域内に存在しても、温度Ｔ₁以上の領域外
に存在する記録ビットは再生されない。

【００２５】さらに、上述の再生方法によれば、温度Ｔ
₃以上の領域では、中間層の磁化が消失する（または面
内磁化状態となる）ため、記録層の磁化情報が、読み出
し層に転写されない。

【００２６】このため、読み出し層には温度Ｔ₁以上の
温度領域で且つＴ₃以上の温度領域外に存在する記録ビ
ットのみが転写されることになる。

【００２７】したがって、上記光磁気記録媒体は、再生
分解能の向上が図れ、記録密度を向上させることができ
る。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て実施例１〜６において説明する。

【００２９】〔実施例１〕本発明の一実施例について図
１、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通り
である。

【００３０】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、図７に示すように、基板４、透明誘電体膜
５、読み出し層１、中間層３、記録層２、透明誘電体膜
６、オーバーコート膜７がこの順に積層された構成を有
している。

【００３１】上記読み出し層１は、室温で面内磁化状態
を示し、温度Ｔ₁以上の読み出し温度において垂直磁化
状態へ移行するものであり（図８参照）、この読み出し
層１としては、例えば希土類遷移金属を使用することが
できる。

【００３２】尚、希土類金属と遷移金属の磁気モーメン
トは、それぞれ温度特性が異なり、高温では遷移金属の
磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくなる。そこ
で、上記のような特性を示す読み出し層１を希土類遷移
金属で形成する場合、室温の補償組成より希土類金属の
含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面
内磁化を示すようにすると共に、上記温度Ｔ₁で垂直磁
化になるようにしておく。これにより、光ビームが照射
された部位の温度が温度Ｔ₁に上昇したとき、遷移金属
の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属
の磁気モーメントとつりあい、全体として垂直磁化を示
すようになる。

【００３３】上記読み出し層１は、垂直磁気異方性が比
較的大きいものであり、例えば膜厚が５０ｎｍのＤｙ
_0.35（Ｆｅ _0.5Ｃｏ_0.5）_0.65を使用することができる。
尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化へと移行する
温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好ましい。

【００３４】上記中間層３は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₃まで垂直磁化状態
を保持する垂直磁化膜である（図８参照）。この中間層
３のキュリー温度Ｔ₃は、上記した読み出し層１が面内
磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁よりも高く設定
される（Ｔ₁＜Ｔ₃）。この中間層３として、例えば膜厚
が５０ｎｍのＨｏ_0.28（Ｆｅ_0.85Ｃｏ_0.15）_0.72、膜厚
が５０ｎｍのＤｙ_0.21Ｆｅ_0.79等を使用することができ
る。尚、中間層３のキュリー温度Ｔ₃は、６０℃〜９０
℃が好ましい。

【００３５】上記記録層２は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ ₂まで垂直磁化状態
を保持する垂直磁化膜である（図８参照）。この記録層
２のキュリー温度Ｔ₂は、上記した中間層３のキュリー
温度Ｔ₃よりも高く設定される（Ｔ₃＜Ｔ₂）。即ち、上
記温度Ｔ₁、Ｔ₂、Ｔ₃は、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係になっている。上記記録層２として、例えば膜厚
が５０ｎｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77を使用
することができる。尚、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。

【００３６】上記透明誘電体膜５は、再生特性を良くす
る、即ち、反射防止機能によって磁気カー回転角をエン
ハンスするために設けられるものであり、例えばＡｌ
Ｎ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、ＴｉＯ₂等を
使用でき、その膜厚は再生光の波長の１／４を屈折率で
除した値程度に設定される。例えば、再生光の波長を８
００ｎｍとすると透明誘電体膜２の膜厚は１０ｎｍ〜８
０ｎｍ程度となる。また、上記透明誘電体膜６は、例え
ばＡｌＮ等の窒化物からなる保護膜であり膜厚は５０ｎ
ｍである。

【００３７】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【００３８】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図１を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・３の磁化状態を示すものである。

【００３９】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層３の温度
がキュリー温度Ｔ₃以上に上昇する領域４４（領域の中
心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中心）
に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【００４０】ここで、上記中間層３においては、その温
度がキュリー温度Ｔ₃以上の領域４４で、磁化が消失す
ることになる。一方、中間層３における上記領域４４以
外の部位では、垂直磁化状態を示し、記録層２および中
間層３の２層間に作用する交換結合力により、記録層２
の磁化の向きが中間層３に転写される。

【００４１】また、上記読み出し層１は、その温度が温
度Ｔ₁以上に上昇する領域３３で、垂直磁化状態を示す
一方、領域３３以外の部位では面内磁化状態を示すこと
になる。この場合、読み出し層１における、領域３３内
にあり、且つ、領域４４外の部位では、中間層３および
読み出し層１の２層間に作用する交換結合力により、中
間層３の磁化の向きが読み出し層１に転写される。即
ち、記録層２の磁化情報は、中間層３の磁化を経由して
読み出し層１に転写され、領域３３内にあり、且つ、領
域４４外にある読み出し層１の磁化方向は、記録層２の
磁化方向と同一方向となる。

【００４２】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層３の磁化を経由して読み出し層１に転写されるよう
になっているので、中間層３のキュリー温度Ｔ₃以上と
なって中間層３に磁化が存在しなくなった領域４４で
は、記録層２の磁化情報が読み出し層１に転写されな
い。即ち、中間層３に磁化が存在しなくなった領域４４
では、記録層２の磁化情報が、読み出し層１に交換結合
力を作用させることができなくなる。したがって、読み
出し層１における上記領域４４に対応する部位は、中間
層３からの交換結合力を受けない自由な状態となり、そ
の磁化状態は、読み出し層１の特性、即ち、垂直磁気異
方性の大きさに依存することとなる。

【００４３】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層３からの交換結合力が存
在しない上記領域４４においても、垂直磁化状態を保持
している。このため、本実施例では、再生時、上記領域
４４に対応する読み出し層１の磁化方向を、常に同一方
向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exが光磁気ディスク
に印加されることになる。これにより、温度Ｔ₃以上に
なる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生され
ることはない。

【００４４】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層１の
温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁以上
になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリー温
度Ｔ₃以上になる領域４４の一部が存在することとな
る。したがって、温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存在
しても、レーザビーム８の照射領域２２内に存在しない
情報１４・１４′は再生されない。

【００４５】また、読み出し層１における上記領域３３
以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射光
に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レーザ
ビーム８の照射領域２２内に存在しても、温度Ｔ₁以上
になる領域３３外にある情報１２…は、再生されない。

【００４６】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃以上になる領域
４４外に存在する情報１３のみである。これにより、本
実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案し
た光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）より
更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分
離して再生することが可能であり、記録密度を著しく向
上させることができる。

【００４７】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００４８】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｆ
ｅ、Ｃｏを備えたスパッタリング装置内に、プリグルー
ブおよびプリピットを有するポリカーボネート製のディ
スク基板４を、ターゲットに対向して配置した。このス
パッタリング装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気
した後、アルゴンおよび窒素の混合ガスを該装置内に導
入し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧４×
１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２ｎｍ／ｍｉｎでスパ
ッタ蒸着を行い、上記ディスク基板４上にＡｌＮからな
る透明誘電体膜５を形成した。この透明誘電体膜５は、
上述のように、再生特性を改善するものであり、その膜
厚は再生光の波長の１／４を屈折率で除した値程度に設
定される。本実施例では、波長８００ｎｍの再生光を使
用するので、透明誘電体膜５の膜厚を６０ｎｍとした。

【００４９】次に、再度スパッタリング装置内を１×１
０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを該装
置内に導入し、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏのターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１
５ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ蒸着を行い、上記透明誘電体
膜５上に、膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.35（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）
_0.65からなる読み出し層１を形成した。この読み出し層
１は、室温で面内磁化状態であり、６０℃以上の温度で
垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６０℃）し、そのキュリー
温度は３２０℃であった。

【００５０】次に、Ｄｙのターゲット供給していた電力
を停止する一方、Ｈｏのターゲットに電力を供給し、上
記読み出し層１を形成したのと同様な条件でスパッタ蒸
着を行い、上記読み出し層１上に、膜厚５０ｎｍのＨｏ
_0.28（Ｆｅ_0.85Ｃｏ_0.15）_{0. 72}からなる中間層３を形成
した。この中間層３は、そのキュリー温度Ｔ₃が９０℃
の垂直磁化膜であった。

【００５１】次に、Ｈｏのターゲット供給していた電力
を停止する一方、Ｄｙのターゲットに電力を供給し、上
記読み出し層１を形成したのと同様な条件でスパッタ蒸
着を行い、上記中間層３上に、膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23
（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77からなる記録層２を形成し
た。この記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁
化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂は１６０℃であっ
た。

【００５２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスをスパッ
タリング装置内に導入し、Ａｌのターゲットに電力を供
給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２
ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ蒸着を行い、上記ディスク基板
４上にＡｌＮからなる透明誘電体膜６を形成した。ここ
で、この透明誘電体膜６は、上記磁性層（記録層２、中
間層３、読み出し層１）を酸化等の腐食から保護するこ
とが可能なだけの膜厚を有すればよく、本実施例では５
０ｎｍの膜厚とした。

【００５３】次に、上記透明誘電体膜６上に、紫外線硬
化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照射
し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【００５４】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
１０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に１μｍ周期で０．５μｍの長さの
反転磁区を形成することができた。

【００５５】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数１０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。また、記録を行うための１０ｍＷのレ
ーザビーム８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの
変調磁界を２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディス
クに印加したところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．
２５μｍの長さの反転磁区を形成することができた。

【００５６】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【００５７】〔比較例〕上記実施例１の比較例として、
実施例１の光磁気ディスクにおいて中間層３が存在しな
い図１４に示す構成の光磁気ディスクを用いて、実施例
１と同様の記録および再生を行った。１０ＭＨｚの周波
数で記録を行った場合には、実施例１と同様に周波数１
０ＭＨｚの再生信号を得ることができたが、２０ＭＨｚ
の周波数で記録を行った場合には、隣接する記録情報を
分離することができず、周波数２０ＭＨｚの再生信号を
得ることができなかった。

【００５８】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図２、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通
りである。

【００５９】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の読み出し層１の代わりに読
み出し層２０１が用いられている以外は、上記実施例１
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
２０１以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間
層、記録層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞ
れの構成および諸特性は、実施例１と同じであるので、
これらの各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、
詳細な説明をここでは省略する（図７参照）。

【００６０】上記読み出し層２０１は、実施例１の読み
出し層１と同様、室温で面内磁化状態を示し、温度Ｔ₁
（図８参照）以上の読み出し温度において垂直磁化状態
となるものであるが、実施例１の読み出し層１は、垂直
磁気異方性が比較的大きいものであったのに対して、本
実施例の読み出し層２０１は、垂直磁気異方性が比較的
小さいものとなっている。上記読み出し層２０１として
は、希土類遷移金属を使用でき、例えば膜厚が５０ｎｍ
のＧｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_0.2）_0.72を使用することがで
きる。

【００６１】尚、読み出し層２０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層３のキュリー温度Ｔ₃は、６０℃〜９
０℃が好ましい。また、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。そして、上記各
温度Ｔ₁・Ｔ₂・Ｔ₃は、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係になっている。

【００６２】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【００６３】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図２を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層２０１
・２・３の磁化状態を示すものである。

【００６４】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層２０１の温度が温度Ｔ₁以上に上昇
する領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射
領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存
在することとなる。また、中間層３の温度がキュリー温
度Ｔ₃以上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レー
ザビーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方
にずれた位置に存在することとなる。

【００６５】この場合、実施例１と同様、上記中間層３
においては、上記領域４４以外の垂直磁化状態を示す部
位で、記録層２および中間層３の２層間に作用する交換
結合力により、記録層２の磁化の向きが中間層３に転写
される。

【００６６】また、上記読み出し層２０１においても、
実施例１と同様、領域３３内にあり、且つ、領域４４外
の部位では、記録層２の磁化情報が中間層３の磁化を経
由して読み出し層２０１に転写されることにより、その
磁化方向が記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【００６７】ここで、本実施例の読み出し層２０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層３からの交
換結合力が存在しない上記領域４４においては、面内磁
化状態となり、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さ
なくなる。このため、上記領域４４に対応する記録層２
に記録された情報１３′・１４′は、読み出し層２０１
の面内磁化にマスクされて読み出されることがなくな
る。したがって、本実施例では、再生時、実施例１で用
いた、領域４４に対応する読み出し層の磁化方向を常に
同一方向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exの印加は必
要なくなる。

【００６８】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層２０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【００６９】また、読み出し層２０１における上記領域
３３以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入
射光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しても、上記領域
３３外にある情報１２…は、再生されない。

【００７０】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層２０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【００７１】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層２０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００７２】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【００７３】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
ポリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層２０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_{0 .2}）_0.72、中間層３として膜厚５
０ｎｍのＤｙ_0.21Ｆｅ_0.79、記録層２として膜厚５０ｎ
ｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77、透明誘電体膜
６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成した。

【００７４】上記のＧｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_0.2）_0.72か
らなる読み出し層２０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ_0.21Ｆｅ_0.79からなる中間層３は、その
キュリー温度Ｔ₃が９０℃の垂直磁化膜であった。ま
た、上記のＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77からなる
記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であ
り、そのキュリー温度Ｔ₂は１６０℃であった。

【００７５】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【００７６】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
１０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に１μｍ周期で０．５μｍの長さの
反転磁区を形成することができた。

【００７７】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数１０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層２０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例１において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【００７８】また、記録を行うための１０ｍＷのレーザ
ビーム８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調
磁界を２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに
印加したところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．２５
μｍの長さの反転磁区を形成することができた。

【００７９】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層２０１から得ることができた。

【００８０】〔実施例３〕本発明の他の実施例について
図３、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通
りである。

【００８１】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の中間層３の代わりに中間層
３０３が用いられている以外は、上記実施例１の光磁気
ディスクと同様の構成であり、上記中間層３０３以外の
各層、即ち、基板、透明誘電体膜、読み出し層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例１と同じであるので、これらの
各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。

【００８２】上記中間層３０３は、室温で垂直磁化状態
を示し、温度Ｔ₃で面内磁化状態となるものであり（図
８参照）、例えば膜厚が５０ｎｍのＤｙ_0.13（Ｆｅ_0.5
Ｃｏ_{0 .5}）_0.87等を使用することができる。上記中間層
３０３が垂直磁化から面内磁化へと移行する温度Ｔ
₃は、６０℃〜９０℃が好ましい。

【００８３】尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化
へと移行する温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好ましい。
また、記録層２のキュリー温度Ｔ₂は、１２０℃〜１８
０℃が好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁・Ｔ₂・Ｔ
₃は、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係になっている。

【００８４】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【００８５】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図３を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・３０３の磁化状態を示すものである。

【００８６】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層１の温度が温度Ｔ₁以上に上昇する
領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射領域
２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存在す
ることとなる。また、中間層３０３の温度が温度Ｔ₃以
上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レーザビーム
８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた
位置に存在することとなる。

【００８７】ここで、上記中間層３０３においては、温
度Ｔ₃以上の領域４４で、垂直磁化状態から面内磁化状
態に移行する。一方、中間層３０３における上記領域４
４以外の部位では、垂直磁化状態が保持されており、記
録層２および中間層３０３の２層間に作用する交換結合
力により、記録層２の磁化の向きが中間層３０３に転写
される。

【００８８】また、上記読み出し層１は、その温度が温
度Ｔ₁以上に上昇する領域３３で、垂直磁化状態を示す
一方、領域３３以外の部位では面内磁化状態を示すこと
になる。この場合、読み出し層１における、領域３３内
にあり、且つ、領域４４外の部位では、中間層３０３お
よび読み出し層１の２層間に作用する交換結合力によ
り、中間層３０３の磁化の向きが読み出し層１に転写さ
れる。即ち、記録層２の磁化情報は、中間層３０３の磁
化を経由して読み出し層１に転写され、領域３３内にあ
り、且つ、領域４４外にある読み出し層１の磁化方向
は、記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【００８９】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層３０３の磁化を経由して読み出し層１に交換結合力
を作用させるため、再生時、領域４４内において中間層
３０３が面内磁化状態になると、記録層２の磁化情報が
読み出し層１に作用させる交換結合力は、領域４４外に
において中間層３０３が垂直磁化状態になっている場合
に比べて著しく小さくなる。このように、記録層２と読
み出し層１との間に作用する交換結合力が非常に弱くな
った領域４４では、読み出し層１の磁化状態は、読み出
し層１の特性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存す
ることとなる。

【００９０】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層３０３を介した記録層２
からの交換結合力が非常に弱くなった上記領域４４にお
いても、垂直磁化状態を保ち、記録層２の磁化方向と同
じ方向を向こうとする。しかしながら、記録層２と読み
出し層１との間に作用する交換結合力が非常に弱いた
め、読み出し層１に適当な外部磁界Ｈ_exを印加すること
により、領域３３内にあり、且つ、領域４４外にある読
み出し層１に記録層２より転写された磁化情報を保持し
た状態のまま、読み出し層１における領域４４に対応す
る部位の磁化方向を、常に同一方向にそろえておくこと
が可能となる。したがって、再生時に読み出し層１に適
当な外部磁界Ｈ_exを印加することにより、温度Ｔ₃以上
になる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生さ
れることはない。

【００９１】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、上記温度Ｔ₁以
上になる領域３３の一部、および、温度Ｔ₃以上になる
領域４４の一部が存在することとなる。したがって、温
度Ｔ₁以上になる領域３３に存在しても、レーザビーム
８の照射領域２２内に存在しない情報１４・１４′は再
生されない。

【００９２】また、読み出し層１における温度Ｔ₁以上
になる領域３３以外の部位では、面内磁化状態が保持さ
れ、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さない。した
がって、レーザビーム８の照射領域２２内に存在して
も、温度Ｔ₁以上になる領域３３外にある情報１２…
は、再生されない。

【００９３】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層３０３が温度Ｔ₃以上になる領域４４
外に存在する情報１３のみである。これにより、本実施
例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案した光
磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）より更に
小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分離し
て再生することが可能であり、記録密度を著しく向上さ
せることができる。

【００９４】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００９５】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【００９６】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
ポリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層１として膜厚５０ｎｍのＤｙ
_0.35（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5） _0.65、中間層３０３として膜厚
５０ｎｍのＤｙ_0.13（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.87、記録層２
として膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）
_0.77、透明誘電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順
次形成した。

【００９７】上記のＤｙ_0.35（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.65か
らなる読み出し層１は、室温で面内磁化状態であり、６
０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６０℃）
し、そのキュリー温度は３２０℃であった。また、上記
のＤｙ_0.13（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.87からなる中間層３０
３は、室温で垂直磁化状態を示し、９０℃以上の温度で
面内磁化状態に移行（Ｔ₃＝９０℃）し、そのキュリー
温度は３８０℃であった。また、上記のＤｙ_0.23（Ｆｅ
_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77からなる記録層２は、ほぼ室温に補
償点を有する垂直磁化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂
は１６０℃であった。

【００９８】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【００９９】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．２５μｍの
長さの反転磁区を形成することができた。

【０１００】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【０１０１】〔実施例４〕本発明の他の実施例につい
て、図４および図７に基づいて説明すれば以下の通りで
ある。

【０１０２】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例３の読み出し層１の代わりに読
み出し層４０１が用いられている以外は、上記実施例３
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例３と同じであるので、これらの
各層には実施例３と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。また、本実施例の
読み出し層４０１は、実施例２に示した読み出し層２０
１と同じ構成および諸特性を示すものであり、その詳細
な説明をここでは省略する。

【０１０３】尚、読み出し層４０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層３０３が垂直磁化から面内磁化へと移
行する温度Ｔ₃は、６０℃〜９０℃が好ましい。また、
記録層２のキュリー温度Ｔ₂は、１２０℃〜１８０℃が
好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁・Ｔ₂・Ｔ₃は、Ｔ₁＜
Ｔ₃＜Ｔ₂の関係になっている。

【０１０４】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１０５】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図４を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層４０１
・２・３０３の磁化状態を示すものである。

【０１０６】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層１の温度が温度Ｔ₁以上に上昇する
領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射領域
２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存在す
ることとなる。また、中間層３０３の温度が温度Ｔ₃以
上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レーザビーム
８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた
位置に存在することとなる。

【０１０７】この場合、実施例１と同様、上記中間層３
０３においては、上記領域４４以外の垂直磁化状態を示
す部位で、記録層２および中間層３０３の２層間に作用
する交換結合力により、記録層２の磁化の向きが中間層
３０３に転写される。

【０１０８】また、上記読み出し層４０１においても、
実施例３と同様、領域３３内にあり、且つ、領域４４外
の部位では、記録層２の磁化情報が中間層３０３の磁化
を経由して読み出し層４０１に転写されることにより、
その磁化方向が記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【０１０９】ここで、本実施例の読み出し層４０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層３からの交
換結合力が非常に弱くなってしまった上記領域４４にお
いては、面内磁化状態となり、垂直入射光に対して磁気
光学効果を示さなくなる。このため、上記領域４４に対
応する記録層２に記録された情報１３′・１４′は、読
み出し層４０１の面内磁化にマスクされて読み出される
ことがなくなる。したがって、本実施例では、再生時、
実施例３で必要であった、領域４４に対応する読み出し
層の磁化方向を常に同一方向にそろえておくための外部
磁界Ｈ_exは必要なくなる。

【０１１０】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層４０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【０１１１】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層４０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【０１１２】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層４０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１１３】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１１４】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層４０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_{0 .2}）_0.72、中間層３０３として膜
厚５０ｎｍのＤｙ_0.13（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.87、記録層
２として膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）
_0.77、透明誘電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順
次形成した。

【０１１５】上記のＧｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_0.2）_0.72か
らなる読み出し層４０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ_0.13（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.87からなる中
間層３０３は、室温で垂直磁化状態を示し、９０℃以上
の温度で面内磁化状態に移行（Ｔ₃＝９０℃）し、その
キュリー温度は３８０℃であった。また、上記のＤｙ
_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77からなる記録層２は、ほ
ぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であり、そのキュリ
ー温度Ｔ₂は１６０℃であった。

【０１１６】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１１７】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．２５μｍの
長さの反転磁区を形成することができた。

【０１１８】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層４０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例３において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【０１１９】〔実施例５〕本発明の一実施例について、
図５、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通
りである。

【０１２０】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の中間層３の代わりに中間層
５０３が用いられている以外は、上記実施例１の光磁気
ディスクと同様の構成であり、上記中間層５０３以外の
各層、即ち、基板、透明誘電体膜、読み出し層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例１と同じであるので、これらの
各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。

【０１２１】上記中間層５０３は、室温において面内磁
化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃まで面内磁化
状態を保持する面内磁化膜であり（図８参照）、例えば
膜厚が５０ｎｍＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91等を使用することがで
きる。尚、上記中間層５０３のキュリー温度Ｔ₃は、６
０℃〜９０℃が好ましい。

【０１２２】尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化
へと移行する温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好ましい。
また、記録層２のキュリー温度Ｔ₂は、１２０℃〜１８
０℃が好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁・Ｔ₂・Ｔ
₃は、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係になっている。

【０１２３】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１２４】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図５を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・５０３の磁化状態を示すものである。

【０１２５】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層５０３の
温度がキュリー温度Ｔ₃以上に上昇する領域４４（領域
の中心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中
心）に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【０１２６】ここで、上記中間層５０３においては、そ
の温度がキュリー温度Ｔ₃以上の領域４４で、磁化が消
失することになる一方、上記領域４４以外の部位では、
面内磁化状態が保持されることになる。また、上記読み
出し層１においては、その温度が温度Ｔ₁以上に上昇す
る領域３３で、垂直磁化状態となる一方、該領域３３以
外の部位では面内磁化状態が保持されることになる。こ
のため、温度Ｔ₁以上になる領域３３内で、且つ、温度
Ｔ₃以上になる領域４４外の領域において、読み出し層
１は、中間層５０３の面内磁化を介して記録層２からの
交換結合力を受け、記録層２の磁化方向と同じ方向を向
くことになる。

【０１２７】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層５０３の面内磁化を介して読み出し層１に転写され
るようになっているので、中間層５０３に磁化が存在し
なくなった領域４４では、記録層２の磁化情報が読み出
し層１に転写されない。即ち、中間層５０３に磁化が存
在しなくなった領域４４では、記録層２の磁化情報が、
読み出し層１に交換結合力を作用させることができなく
なる。したがって、読み出し層１における上記領域４４
に対応する部位は、中間層５０３からの交換結合力を受
けない自由な状態となり、その磁化状態は、読み出し層
１の特性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存するこ
ととなる。

【０１２８】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層５０３からの交換結合力
が存在しない上記領域４４においても、垂直磁化状態を
保持する。このため、本実施例では、再生時、上記領域
４４に対応する読み出し層１の磁化方向を、常に同一方
向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exが光磁気ディスク
に印加されることになる。これにより、温度Ｔ₃以上に
なる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生され
ることはない。

【０１２９】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層１の
温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁以上
になる領域３３の一部、および、中間層５０３がキュリ
ー温度Ｔ₃以上になる領域４４の一部が存在することと
なる。したがって、温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存
在しても、レーザビーム８の照射領域２２内に存在しな
い情報１４・１４′は再生されない。

【０１３０】また、読み出し層１における上記領域３３
以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射光
に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レーザ
ビーム８の照射領域２２内に存在しても、温度Ｔ₁以上
になる領域３３外にある情報１２…は再生されない。

【０１３１】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層５０３がキュリー温度Ｔ₃以上になる
領域４４外に存在する情報１３のみである。これによ
り、本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に
提案した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参
照）より更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビ
ットを分離して再生することが可能であり、記録密度を
著しく向上させることができる。

【０１３２】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１３３】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１３４】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層１として膜厚５０ｎｍのＤｙ
_0.35（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5） _0.65、中間層５０３として膜厚
５０ｎｍのＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91、記録層２として膜厚５０
ｎｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77、透明誘電体
膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成した。

【０１３５】上記のＤｙ_0.35（Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5）_0.65か
らなる読み出し層１は、室温で面内磁化状態であり、６
０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６０℃）
し、そのキュリー温度は３２０℃であった。また、上記
のＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91からなる中間層５０３は、室温で面
内磁化状態を示し、そのキュリー温度Ｔ₃が９０℃であ
った。また上記のＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77か
らなる記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化
膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂は１６０℃であった。

【０１３６】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１３７】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．２５μｍの
長さの反転磁区を形成することができた。

【０１３８】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【０１３９】〔実施例６〕本発明の他の実施例につい
て、図６および図７に基づいて説明すれば、以下の通り
である。

【０１４０】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例５の読み出し層１の代わりに読
み出し層６０１が用いられている以外は、上記実施例５
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例５と同じであるので、これらの
各層には実施例５と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。また、本実施例の
読み出し層６０１は、実施例２に示した読み出し層２０
１と同じ構成および諸特性を示すものであり、その詳細
な説明をここでは省略する。

【０１４１】尚、読み出し層６０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層５０３のキュリー温度Ｔ₃は、６０℃
〜９０℃が好ましい。また、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。そして、上記各
温度Ｔ₁・Ｔ₂・Ｔ₃は、Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂の関係になってい
る。

【０１４２】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１４３】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図６を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層６０１
・５０３・２の磁化状態を示すものである。

【０１４４】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層５０３の
温度がキュリー温度Ｔ₃以上に上昇する領域４４（領域
の中心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中
心）に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【０１４５】この場合、上記実施例５と同様に、上記中
間層５０３においては、その温度がキュリー温度Ｔ₃以
上の領域４４で、磁化が消失することになる一方、上記
領域４４以外の部位では、面内磁化状態が保持されるこ
とになる。また、上記読み出し層６０１においては、そ
の温度が温度Ｔ₁以上に上昇する領域３３で、垂直磁化
状態を示そうとする一方、該領域３３以外の部位では面
内磁化状態が保持されることになる。このため、温度Ｔ
₁以上になる領域３３内で、且つ、温度Ｔ₃以上になる領
域４４外の領域において、読み出し層６０１は、中間層
５０３の面内磁化を介して記録層２からの交換結合力を
受け、記録層２の磁化方向と同じ方向を向くことにな
る。

【０１４６】尚、前記実施例４では、領域４４において
中間層３０３が面内磁化状態を示した場合には、垂直磁
気異方性が比較的小さい読み出し層４０１が、面内磁化
状態を示すと説明したが、これは、最も高温となる領域
４４に存在する中間層３０３の温度上昇に伴う磁化減少
により、領域４４においては、読み出し層４０１と中間
層３０３との間に作用すに交換結合力が極端に弱くなる
からである（以上、図４参照）。

【０１４７】一方、中間層５０３に磁化が存在しなくな
った領域４４では、記録層２の磁化情報が、読み出し層
１に交換結合力を作用させることができなくなる。した
がって、読み出し層１における上記領域４４に対応する
部位は、中間層５０３からの交換結合力を受けない自由
な状態となり、その磁化状態は、読み出し層６０１の特
性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存することとな
る。

【０１４８】ここで、本実施例の読み出し層６０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層５０３から
の交換結合力が存在しない上記領域４４においては、面
内磁化状態となり、垂直入射光に対して磁気光学効果を
示さなくなる。このため、上記領域４４に対応する記録
層２に記録された情報１３′・１４′は、読み出し層６
０１の面内磁化にマスクされて読み出されることがなく
なる。したがって、本実施例では、再生時、実施例５で
必要であった、領域４４に対応する読み出し層の磁化方
向を常に同一方向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exは
必要なくなる。

【０１４９】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層６０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【０１５０】また、読み出し層６０１における上記領域
３３以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入
射光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しても、上記領域
３３外にある情報１２…は、再生されない。

【０１５１】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層６０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【０１５２】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層６０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１５３】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１５４】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層６０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_{0 .2}）_0.72、中間層５０３３として
膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91、記録層２として膜厚
５０ｎｍのＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77、透明誘
電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成した。

【０１５５】上記のＧｄ_0.28（Ｆｅ_0.8Ｃｏ_0.2）_0.72か
らなる読み出し層６０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ０．０９Ｆｅ０．９１からなる中間層３
は、室温で面内磁化状態を示し、そのキュリー温度Ｔ₃
は９０℃であった。また、上記のＤｙ_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃ
ｏ_0.18）_0.77からなる記録層２は、ほぼ室温に補償点を
有する垂直磁化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂は１６
０℃であった。

【０１５６】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１５７】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に０．５μｍ周期で０．２５μｍの
長さの反転磁区を形成することができた。

【０１５８】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層６０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例５において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【０１５９】〔参考例〕参考例について、図９ないし図
１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【０１６０】本参考例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、基板７０１、透明誘電体膜７０２、第１磁
性層７０３、第３磁性層７０４、第２磁性層７０５、透
明誘電体膜７０６、オーバーコート膜７０７がこの順に
積層された構成となっており、各磁性層７０３〜７０５
間には交換結合力が作用するようになっている。

【０１６１】上記の基板７０１、透明誘電体膜７０２、
透明誘電体膜７０６およびオーバーコート膜７０７は、
前記実施例１の基板４、透明誘電体膜５、透明誘電体膜
６およびオーバーコート膜７のそれぞれの構成および諸
特性と同じであるので、詳細な説明をここでは省略す
る。

【０１６２】上記第１磁性層７０３は、室温で垂直磁化
状態を示し、キュリー温度Ｔ₇₁まで垂直磁化状態を保持
する垂直磁化膜である。この第１磁性層７０３は、記録
層と再生層との機能を兼ね備えており、そのキュリー温
度Ｔ₇₁は、上記第２磁性層７０５のキュリー温度よりも
高く設定されている。この第１磁性層７０３としては、
例えば、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属を使用す
ることができる。この第１磁性層７０３は、再生層とし
ての機能が重要視されるため、そのキュリー温度Ｔ₇₁が
高く、また、カー回転角Θ_kが大きくなるようなものが
望ましい。本参考例では、第１磁性層７０３として、膜
厚５０ｎｍのＧｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23が使用
される。このＧｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23のキュ
リー温度Ｔ₇₁は３００℃と高く、また、このＧｄ_0.10Ｄ
ｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23に、波長８００ｎｍ程度のレー
ザビームを照射した場合のカー回転角Θ_kは、０．４程
度と比較的大きい。したがって、Ｇｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ
_0.54Ｃｏ_0.23は、再生層として優れたものである。

【０１６３】尚、第１磁性層７０３は、上記ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏに限定されるものではなく、それ以外には、例え
ば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＮｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ／Ｃｏあるいは
Ｐｄ／Ｃｏ等であってもよい。特に、第１磁性層７０３
として、ＧｄＮｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ／Ｃｏ
あるいはＰｄ／Ｃｏを使用した場合は、短波長の再生光
でより大きな再生性能を得られるので、短波長レーザビ
ームを用いてビーム径をより小さくすることで、より高
い記録密度が実現できるという利点がある。

【０１６４】上記第２磁性層７０５は、室温で垂直磁化
状態を示し、室温からキュリー温度まで垂直磁化状態を
保持する垂直磁化膜である。この第２磁性層７０５は、
記録層としての機能が求められるため、そのキュリー温
度は、３つの磁性層７０３〜７０５の中で最も低く設定
されている。この第２磁性層７０５としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属を使用することができ
る。本参考例では、第２磁性層７０５として、膜厚１０
０ｎｍのＴｂ_0.20Ｆｅ_0.75Ｃｏ_0.05が使用される。この
Ｔｂ_0.20Ｆｅ_0.75Ｃｏ_0.05のキュリー温度は１５０℃と
比較的低く、記録層として優れている。

【０１６５】尚、第２磁性層７０５は、上記ＴｂＦｅＣ
ｏに限定されるものではなく、それ以外には、例えば、
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ等で
あってもよい。

【０１６６】ここで、図１１に、Ｇｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ
_0.54Ｃｏ_0.23からなる第１磁性層７０３と、Ｔｂ_0.20Ｆ
ｅ_0.75Ｃｏ_0.05からなる第２磁性層７０５との保磁力の
温度依存性を示す。

【０１６７】本参考例の場合、記録時に、光磁気ディス
クに外部磁界が印加されるが、同図に示すように、この
外部磁界の大きさを２００Ｏｅに設定しているので、第
２磁性層７０５が磁化反転を生じる温度（以下、第２磁
性層磁化反転温度と称する）Ｔ₇₂、即ち、第２磁性層７
０５の保磁力が外部磁界の大きさ（２００Ｏｅ）より小
さくなる温度は、約１４５℃に相当する。

【０１６８】上記第３磁性層７０４は、上記の第１磁性
層７０３と第２磁性層７０５との交換結合を仲介する中
間層の役目を担うものであり、室温で面内磁化状態を示
し、上記の第２磁性層磁化反転温度Ｔ₇₂より高い温度で
垂直磁化状態を示すように設定されている。この第３磁
性層７０４としては、例えば、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属を使用することができる。本参考例では、第３
磁性層７０４として、膜厚４０ｎｍのＧｄ_0.23Ｆｅ_0.46
Ｃｏ_0.31が使用される。このＧｄ_0.23Ｆｅ_0.46Ｃｏ_0.31
は、室温では面内磁化状態を示し、垂直磁化に移行する
温度Ｔ₇₃が約１７０℃（＞Ｔ₇₂≒１４５℃）であり、キ
ュリー温度３００℃まで垂直磁化状態を保持するもので
ある。

【０１６９】また、本参考例では、透明誘電体膜５とし
て膜厚８０ｎｍのＡｌＮ、透明誘電体膜６として膜厚５
０ｎｍのＡｌＮ、オーバーコート膜７として紫外線硬化
性樹脂膜が用いられている。

【０１７０】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する情報の記録は、該光磁気ディスクへ２００Ｏｅの大
きさの外部磁界を印加すると共に、高いパワーのレーザ
ビーム８を対物レンズ９により集光して光磁気ディスク
へ照射し、第２磁性層７０５の温度をキュリー温度の近
傍まで上昇させることにより行われる。

【０１７１】ここで、図１０に、トラック内に形成され
た情報ビット７２１…と、レーザビーム８の照射によっ
て第２磁性層磁化反転温度Ｔ７２以上となり、第２磁性
層７０５が磁化反転を生じる領域（以下、第２磁性層磁
化反転領域と称する）７２２と、第３磁性層７０４が面
内磁化から垂直磁化に移行する温度Ｔ₇₃以上となり、第
３磁性層７０４が垂直磁化を呈する領域（以下、第３磁
性層垂直磁化領域と称する）７２３との相対関係を示
す。尚、ここでは、実際に記録が行われているトラック
に隣接した両トラック内には、既に情報が記録されてい
るものとし、既に記録された情報は、黒く塗り潰したビ
ットパターンとして表示している。また、光磁気ディス
クはレーザビーム８に対して、矢印Ｒで示す方向に移動
している。

【０１７２】上記外部磁界の存在下でのレーザビーム８
の照射により、上記第２磁性層磁化反転領域７２２にお
いて、第２磁性層７０５の磁化反転が生じ、第２磁性層
７０５上に記録ビットが形成されることになる。

【０１７３】そして、上記第２磁性層７０５上に形成さ
れた記録ビットは、第３磁性層７０４を介した交換結合
によって、最終的には第１磁性層７０３に磁気転写記憶
されることになる。この場合、実際に第２磁性層７０５
と第１磁性層７０３との間で磁気転写が行われるのは、
第３磁性層７０４が垂直磁化を示している領域だけに限
定されることになる。即ち、第３磁性層７０４が面内磁
化状態の場合、第１磁性層７０３と第２磁性層７０５と
の間に作用する交換結合力が非常に弱くなり、第２磁性
層７０５の磁化状態は第１磁性層には転写されないので
ある。

【０１７４】ここで、第３磁性層７０４が面内磁化から
垂直磁化に移行する温度Ｔ₇₃は、第２磁性層磁化反転温
度Ｔ₇₂より高く設定されており、上記第３磁性層垂直磁
化領域７２３は、上記第２磁性層磁化反転領域７２２よ
りも小さいため、結果的に第１磁性層７０３には第２磁
性層７０５に形成された記録ビットと比べて相対的に小
さな記録ビットが形成されることになる。

【０１７５】ところで、同図に示すように、記録時にお
ける横方向およびトラック方向の熱拡散の影響で、記録
層である第２磁性層７０５の磁化反転領域７２２は、既
に記録済みの隣接トラックや直前に記録したビットにま
でおよび、第２磁性層７０５における既記録部の磁化状
態を乱してしまうことになる。

【０１７６】しかしながら、第２磁性層７０５における
磁化状態に乱れが生じている部分は、第３磁性層７０４
の面内磁化によってマスキングされ、第１磁性層７０３
に磁気転写されない。即ち、本参考例の光磁気ディスク
では、上記第２磁性層７０５において生じる熱干渉によ
る影響が、最終的に情報を記録する第１磁性層７０３に
まで及ばないような構成になっており、第１磁性層７０
３に既に記録されている情報の乱れは殆ど生じない。し
たがって、上記光磁気ディスクの第１磁性層７０３に
は、信頼性の高い高密度のビット情報が記録されること
になる。

【０１７７】次に、本参考例の光磁気ディスクと、本参
考例の光磁気ディスクから第３磁性層７０４を省いた光
磁気ディスクとに、下表１に示す条件で情報を記録し
た。そして、下表１に示す条件でそれぞれの光磁気ディ
スクに記録された情報の再生を行ったときのトラックピ
ッチに対する再生信号のＣ／Ｎの変化を、図１２に示
す。尚、同図中において、本参考例の光磁気ディスクを
用いた場合を実線で、また、第３磁性層７０４がない従
来型の光磁気ディスクを用いた場合を点線で示してい
る。

【０１７８】

【表１】 同図から明らかなように、トラックピッチを狭くして高
密度化を図るにつれて、第３磁性層７０４のない従来型
（交換結合２層膜構造）の光磁気ディスクの場合は、記
録時の隣接トラック間クロストークの影響で、再生信号
のＣ／Ｎの劣化が顕著である。これに対し、本参考例の
交換結合３層膜構造の光磁気ディスクの場合は、記録時
の隣接トラック間クロストークが抑えられ、高密度にな
っても再生信号のＣ／Ｎの劣化は僅かである。

【０１７９】したがって、本参考例の光磁気ディスクを
用いることにより、装置システム側の負荷を増大させる
ことなく、記録密度を向上させることができる。

【０１８０】また、本参考例の第１〜第３磁性層７０３
〜７０５を記録層としてのみ用い、図１３に示すよう
に、第１磁性層７０３上に前記実施例１〜６に用いた中
間層および読み出し層をこの順に積層し、交換結合５層
膜構造とすることができる。即ち、本参考例の交換結合
３層膜において実際に高密度の情報を記憶するのは、第
１磁性層７０３であるので、第１磁性層７０３を読み出
し層として使用せずに記録層としてのみ機能させ、この
第１磁性層７０３を前記実施例１〜６に示した記録層２
として用いるわけである。このような交換結合５層膜を
用いた光磁気記録媒体は、前記実施例１〜６に示したよ
うに再生時の分解能の向上が図れるという効果と共に、
記録時の隣接記録ビットへの熱干渉による悪影響をも回
避できるという効果を併せて奏するものとなり、情報の
高密度記録を実現できるものとなり得る。

【０１８１】尚、上記各実施例では、光磁気記録媒体と
して光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カー
ド等にも適用できる。

【０１８２】また、発明の詳細な説明の項においてなし
た具体的な実施態様、又は実施例は、あくまでも本発明
の技術内容を明らかにするものであって、そのような具
体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではな
く、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろ
いろと変更して実施することができるものである。

【０１８３】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体の再生方法によ
れば、記録層に記録されたビットの中で光ビームの照射
により再生される記録ビットは、光ビームの照射領域内
に存在し、且つ、温度Ｔ₁以上の領域内に存在し、且
つ、温度Ｔ₃以上の領域外に存在する記録ビットのみと
なるため、記録密度を著しく向上させることができると
いう効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図２】実施例２を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図３】実施例３を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図４】実施例４を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図５】実施例５を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図６】実施例６を示すものであり、レーザビームが照
射された光磁気ディスクの各磁性層の磁化状態を示す説
明図である。

【図７】図１ないし図６の光磁気ディスクの構成を示す
説明図である。

【図８】図１ないし図６の光磁気ディスクの各磁性層の
保持力の温度依存性を示す説明図である。

【図９】参考例を示すものであり、光磁気ディスクの構
成を示す説明図である。

【図１０】上記光磁気ディスクに形成された情報ビット
パターンと、レーザビームの照射により第２磁性層が磁
化反転を生じる領域と、第３磁性層が垂直磁化を呈する
領域との相対関係を示す説明図である。

【図１１】上記光磁気ディスクの第１磁性層および第２
磁性層の保持力の温度依存性を示す説明図である。

【図１２】上記光磁気ディスク、および、上記光磁気デ
ィスクから第３磁性層のみを省いた光磁気ディスクのト
ラックピッチに対する再生信号のＣ／Ｎの変化を示す説
明図である。

【図１３】上記光磁気ディスクの第１ないし第３磁性層
上に、さらに図１ないし図６の光磁気ディスクの中間層
および読み出し層を積層した構成を示す説明図である。

【図１４】特願平４−７４６０５号の光磁気記録媒体に
レーザビームが照射された場合の各磁性層の磁化状態を
示す説明図である。

【図１５】高密度記録された上記光磁気記録媒体にレー
ザビームが照射された場合の各磁性層の磁化状態を示す
説明図である。

【符号の説明】

１・２０１・４０１・６０１ 読み出し層 ２ 記録層 ３・３０３・５０３ 中間層 ４ 基板 ５・６ 透明誘電体膜 ８ レーザビーム（光ビーム） ７０１ 基板 ７０２・７０６ 透明誘電体膜 ７０３ 第１磁性層 ７０４ 第３磁性層 ７０５ 第２磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−205336（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 室温において垂直磁化状態を示し、室温
   からキュリー温度Ｔ₂まで垂直磁化状態を保持する記録
   層と、該記録層に対して光ビームの入射側に配置され、
   室温において面内磁化状態を示す一方、温度Ｔ₁以上で
   垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、上記読み出し
   層と記録層との間に設けられ、室温において垂直磁化状
   態を示す一方、温度Ｔ₃以上で面内磁化状態へと移行す
   る中間層を有し、上記温度Ｔ₁、Ｔ₂、Ｔ₃が、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係を満たしている光磁気記録媒体の再生方法であっ
   て、 上記光磁気記録媒体における再生光ビームの照射領域内
   に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未満の温度となる領域を形成し、その領
   域において上記記録層から上記読み出し層への磁化の転
   写を遮断することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生
   方法において、 再生時に外部磁界を印加して、上記読み出し層における
   上記Ｔ₃以上の温度となる領域の磁化の方向を上記外部
   磁界に応じた同一の方向にそろえることを特徴とする光
   磁気記録媒体の再生方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生
   方法において、 再生時に外部磁界を印加せず、上記読み出し層における
   上記Ｔ₃以上の温度となる領域の磁化の方向を面内方向
   に向けることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
4. 【請求項４】 室温において垂直磁化状態を示し、室温
   からキュリー温度Ｔ₂まで垂直磁化状態を保持する記録
   層と、該記録層に対して光ビームの入射側に配置され、
   室温において面内磁化状態を示す一方、温度Ｔ₁以上で
   垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、上記読み出し
   層と記録層との間に設けられ、室温において垂直磁化状
   態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃まで垂直磁化状態
   を保持する中間層を有し、上記温度Ｔ₁、Ｔ₂、Ｔ₃が、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係を満たしている光磁気記録媒体の再生方法であっ
   て、 上記光磁気記録媒体における再生光ビームの照射領域内
   に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未満の温度となる領域を形成し、その領
   域において上記記録層から上記読み出し層への磁化の転
   写を遮断し、 再生時に外部磁界を印加せず、上記読み出し層における
   上記Ｔ ₃ 以上の温度となる領域の磁化の方向を面内方向
   に向ける ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
5. 【請求項５】 室温において垂直磁化状態を示し、室温
   からキュリー温度Ｔ₂まで垂直磁化状態を保持する記録
   層と、該記録層に対して光ビームの入射側に配置され、
   室温において面内磁化状態を示す一方、温度Ｔ₁以上で
   垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、上記読み出し
   層と記録層との間に設けられ、室温において面内磁化状
   態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃まで面内磁化状態
   を保持する中間層を有し、上記温度Ｔ₁、Ｔ₂、Ｔ₃が、 Ｔ₁＜Ｔ₃＜Ｔ₂ の関係を満たしている光磁気記録媒体の再生方法であっ
   て、 上記光磁気記録媒体における再生光ビームの照射領域内
   に、Ｔ ₃ 以上Ｔ ₂ 未満の温度となる領域を形成し、その領
   域において上記記録層から上記読み出し層への磁化の転
   写を遮断し、 再生時に外部磁界を印加せず、上記読み出し層における
   上記Ｔ ₃ 以上の温度となる領域の磁化の方向を面内方向
   に向ける ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。