JP3209294B2 - Exposure equipment - Google Patents

Exposure equipment

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JP3209294B2
JP3209294B2 JP01448393A JP1448393A JP3209294B2 JP 3209294 B2 JP3209294 B2 JP 3209294B2 JP 01448393 A JP01448393 A JP 01448393A JP 1448393 A JP1448393 A JP 1448393A JP 3209294 B2 JP3209294 B2 JP 3209294B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば矩形又は円弧状
等の照明領域に対してマスク及び感光基板を同期して走
査することにより、マスク上のその照明領域より広い面
積のパターンを感光基板上に露光する所謂スリットスキ
ャン露光方式の露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of synchronizing scanning of a mask and a photosensitive substrate with respect to an illuminated area such as a rectangle or an arc so that a pattern having a larger area than the illuminated area on the mask can be obtained. The present invention relates to a so-called slit scan exposure type exposure apparatus that exposes light upward.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の感光基板上に露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子の１個のチップパター
ン等が大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上のより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光する大面積化が求められている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device, a liquid crystal display device, a thin film magnetic head, or the like is manufactured by using photolithography technology, a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a "reticle") has been used.
A projection exposure apparatus that exposes a pattern of a “reticle” to a photosensitive substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photoresist or the like via a projection optical system is used. Recently, one chip pattern or the like of a semiconductor element has been increasing in size, and a projection exposure apparatus is required to have a large area for exposing a pattern having a larger area on a reticle onto a photosensitive substrate.

【０００３】斯かる大面積化に応えるために、例えば矩
形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを「スリット
状の照明領域」という）に対してレチクル及び感光基板
を同期して走査することにより、レチクル上のそのスリ
ット状の照明領域より広い面積のパターンを感光基板上
に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装
置が開発されている。従来は、レチクル上にそのスリッ
ト状の照明領域を設定するために、レチクルと実質的に
共役な位置又はレチクルの近傍にそのスリット状の照明
領域を決定する可動の遮光手段が配置されていた。In order to respond to such a large area, a reticle and a photosensitive substrate are scanned synchronously with respect to an illumination area such as a rectangle, an arc, or a hexagon (this is referred to as a "slit illumination area"). Accordingly, a projection exposure apparatus of a so-called slit scan exposure system for exposing a pattern having an area larger than that of the slit-shaped illumination area on a reticle onto a photosensitive substrate has been developed. Conventionally, in order to set the slit-shaped illumination area on the reticle, a movable light-blocking means for determining the slit-shaped illumination area has been arranged at a position substantially conjugate with the reticle or near the reticle.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、下記の様な２つの大きな不都合があった。
一般に、投影露光装置の照明光学系はレチクルを均一な
照度の照明光（露光光）で照明するように設計されてい
る。そのため、スリットスキャン露光方式の投影露光装
置においては、スリット状の照明領域に対してレチクル
及び感光基板を走査して露光が終了した時点で、感光基
板上にて良好な照度均一性を得るために、走査方向のス
リット状の照明領域の幅が十分に一様でなくてはならな
い。The above prior arts have the following two major disadvantages.
Generally, an illumination optical system of a projection exposure apparatus is designed to illuminate a reticle with illumination light (exposure light) having uniform illuminance. Therefore, in the projection exposure apparatus of the slit scan exposure method, when the exposure is completed by scanning the reticle and the photosensitive substrate with respect to the slit-shaped illumination area, in order to obtain good illuminance uniformity on the photosensitive substrate. The width of the slit-shaped illumination area in the scanning direction must be sufficiently uniform.

【０００５】そのスリット状の照明領域に対する走査方
向をＸ方向、この走査方向に垂直な非走査方向をＹ方向
とすると、そのスリット状の照明領域の走査方向の幅が
一様でない場合には、図５（ａ）に示すように、スリッ
ト状の照明領域３０の走査方向の平行度が悪い場合と、
図６（ａ）に示すように、スリット状の照明領域３１の
走査方向のエッジ部に凹凸がある場合等がある。図５
（ａ）の場合に感光基板上で得られる非走査方向（Ｙ方
向）の露光量Ｅの分布は、図５（ｂ）に示すようにＹ方
向に次第に増加又は減少するようなものとなる。一方、
図６（ａ）の場合に感光基板上で得られる非走査方向
（Ｙ方向）の露光量Ｅの分布は、図６（ｂ）に示すよう
にＹ方向に不規則に変動するようなものとなる。[0005] Assuming that the scanning direction for the slit-shaped illumination area is the X direction and the non-scanning direction perpendicular to the scanning direction is the Y direction, if the width of the slit-shaped illumination area in the scanning direction is not uniform, As shown in FIG. 5A, the case where the parallelism of the slit-shaped illumination area 30 in the scanning direction is poor,
As shown in FIG. 6A, there may be a case where the slit-shaped illumination area 31 has irregularities at the edge in the scanning direction. FIG.
In the case of (a), the distribution of the exposure amount E in the non-scanning direction (Y direction) obtained on the photosensitive substrate is such that it gradually increases or decreases in the Y direction as shown in FIG. on the other hand,
The distribution of the exposure amount E in the non-scanning direction (Y direction) obtained on the photosensitive substrate in the case of FIG. 6A is such that it varies irregularly in the Y direction as shown in FIG. Become.

【０００６】これに関して現在の投影露光装置は、デザ
インルールが０．５μｍ未満というサブ・ハーフミクロ
ン領域でも使用されている。このような領域で線幅コン
トロールに必要とされる露光量の均一性は±１％にも達
すると言われている。従って、スリットスキャン露光方
式の投影露光装置において十分な照度均一性を得るため
には、スリット状の照明領域を決定するための照明領域
設定手段に対して、走査方向のエッジ部の凹凸の少なさ
が要求されると共に、走査方向の幅を変化させる際に走
査方向のエッジ部を十分平行に保ったまま可動制御する
ことが要求される。このため、スリット状の照明領域を
決定するための照明領域設定手段を、後述の理由により
走査に同期して可変制御するのでは、要求される精度を
保ってその照明領域設定手段の動作を制御することが困
難であるという第１の不都合があった。[0006] In this regard, current projection exposure apparatuses are also used in the sub-half micron region where the design rule is less than 0.5 µm. It is said that the uniformity of the exposure required for line width control in such an area reaches ± 1%. Therefore, in order to obtain sufficient illuminance uniformity in the projection exposure apparatus of the slit scan exposure system, the illumination area setting means for determining the slit-shaped illumination area requires less unevenness of the edge portion in the scanning direction. Is required, and when the width in the scanning direction is changed, it is required to perform movable control while keeping the edges in the scanning direction sufficiently parallel. Therefore, if the illumination area setting means for determining the slit-shaped illumination area is variably controlled in synchronization with scanning for the reason described later, the operation of the illumination area setting means is controlled with required accuracy. There is a first inconvenience that it is difficult to perform this.

【０００７】また、図７に示す様に、レチクルＲ上に２
つの回路パターン領域３２Ａ及び３２Ｂが走査方向に幅
Ｌ１の遮光部を隔てて並べて形成されているものとし
て、このレチクルＲを走査方向の幅がＬ２のスリット状
の照明領域３３に対して走査する場合を考える。また、
スリット状の照明領域３３の幅Ｌ２は、回路パターン領
域３２Ａ，３２Ｂを隔てる遮光部の幅Ｌ１より大きいと
する。この場合、例えばレチクルＲの第１の回路パター
ン領域３２Ａのパターンのみをスリットスキャン露光方
式で感光基板上に露光しようとすると、第２の回路パタ
ーン領域３２Ｂのパターンの一部も感光基板上に転写さ
れてしまうという第２の不都合があった。[0007] Further, as shown in FIG.
Assuming that two circuit pattern regions 32A and 32B are formed side by side with a light-shielding portion having a width L1 in the scanning direction, the reticle R is scanned with respect to a slit-shaped illumination region 33 having a width L2 in the scanning direction. think of. Also,
It is assumed that the width L2 of the slit-shaped illumination region 33 is larger than the width L1 of the light shielding portion separating the circuit pattern regions 32A and 32B. In this case, for example, when only the pattern of the first circuit pattern region 32A of the reticle R is to be exposed on the photosensitive substrate by the slit scan exposure method, a part of the pattern of the second circuit pattern region 32B is also transferred onto the photosensitive substrate. There was a second inconvenience of being done.

【０００８】これを回避するためには、レチクルＲ上の
遮光部の幅Ｌ１を十分大きくすれば良いが、それでは転
写用の回路パターン領域の面積が小さくなる。また、回
路パターン領域３２Ａの露光終了間際に、走査に同期し
てスリット状の照明領域３３の幅Ｌ２を照明領域設定手
段の動作により小さくしてもよいが、これでは照明領域
設定手段側の制御機構が複雑化する。In order to avoid this, the width L1 of the light-shielding portion on the reticle R may be made sufficiently large, but this will reduce the area of the circuit pattern area for transfer. Immediately before the exposure of the circuit pattern area 32A is completed, the width L2 of the slit-shaped illumination area 33 may be reduced by the operation of the illumination area setting means in synchronization with the scanning. The mechanism becomes complicated.

【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、スリット状の照
明領域に対してレチクル及び感光基板を同期して走査す
ることにより、レチクル上のその照明領域より広い面積
のパターンを感光基板上に露光するスリットスキャン露
光方式の露光装置において、そのスリット状の照明領域
を決定するための照明領域設定手段をレチクルから離れ
た位置に配置できると共に、露光中にそのスリット状の
照明領域の幅を変えることなく、レチクル上の複数のパ
ターン領域中の所望のパターン領域のパターンのみを感
光基板上に転写できるようにすることを目的とする。In view of the above, the present invention exposes a pattern having a larger area than the illumination area on the reticle onto the photosensitive substrate by synchronously scanning the reticle and the photosensitive substrate with respect to the slit-shaped illumination area. In the exposure apparatus of the slit scan exposure method, the illumination area setting means for determining the slit illumination area can be arranged at a position away from the reticle, and the width of the slit illumination area can be changed during exposure. It is another object of the present invention to transfer only a pattern in a desired pattern area among a plurality of pattern areas on a reticle onto a photosensitive substrate.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による第１の露光
装置は、スリット状の照明領域に対してマスク（Ｒ）と
感応基板（感光基板（Ｗ））とを同期して走査すること
により、そのスリット状の照明領域よりも広い面積のマ
スク（Ｒ）上のパターンを感応基板（Ｗ）上に露光する
露光装置において、マスク（Ｒ）上に矩形スリット状の
照明領域を設定する照明光学系（１〜７）と、その矩形
スリット状の照明領域に対してマスク（Ｒ）と感応基板
（Ｗ）とを同期して走査するためにマスク（Ｒ）を移動
する第１相対走査手段（９，１０）と、その矩形スリッ
ト状の照明領域に対してマスク（Ｒ）と感応基板（Ｗ）
とを同期して走査するために感応基板（Ｗ）を移動する
第２相対走査手段（１４，１５）と、マスク（Ｒ）に近
接して設けられ、マスク（Ｒ）の走査に同期して移動し
て、その矩形スリット状の照明領域に導かれる照明光の
照射を避けたいマスク（Ｒ）上の領域を覆う遮光部材
（８Ａ，８Ｂ）とを有するものである。According to a first exposure apparatus of the present invention, a mask (R) is provided for a slit-like illumination area.
By scanning in synchronization with the sensitive substrate (photosensitive substrate (W)), a mask having an area larger than the slit-shaped illumination area is obtained .
In an exposure apparatus for exposing a pattern on a mask (R) onto a sensitive substrate (W) , a rectangular slit-shaped
Illumination optical system (1-7) for setting the illumination area and its rectangle
Mask (R) and sensitive substrate for slit-shaped illumination area
Move mask (R) to scan in synchronization with (W)
First relative scanning means (9, 10) and its rectangular slit
Mask (R) and sensitive substrate (W)
The sensitive substrate (W) to scan in synchronization with
A second relative scanning means (14, 15) and a mask (R)
And is moved in synchronization with the scanning of the mask (R).
Of the illumination light guided to the rectangular slit-shaped illumination area.
A light-shielding member that covers an area on the mask (R) where irradiation is to be avoided
(8A, 8B) .

【００１１】この場合、第１相対走査手段（９，１０）
を、遮光部材（８Ａ，８Ｂ）の移動に兼用することが望
ましい。また、上記の照明光学系が、マスク（Ｒ）から
離れて設けられて、その照明領域を矩形スリット状に設
定する照明領域設定手段（６）を含むことが望ましい。In this case, the first relative scanning means (9, 10)
It is desirable that the light-shielding members (8A, 8B) also be used for movement.
Good. Further, the above-mentioned illumination optical system is moved from the mask (R).
The illumination area is provided in a rectangular slit shape.
It is desirable to include an illumination area setting means (6) for setting .

【００１２】次に、本発明の第２の露光装置は、照明光
の照明領域に対してマスク（Ｒ）と感応基板（Ｗ）とを
同期して走査することにより、照明光の照明領域よりも
広い面積のマスク（Ｒ）上のパターンを感応基板（Ｗ）
上に露光する露光装置において、マスク（Ｒ）上の照明
領域をスリット状に設定する照明領域設定手段（６）
と、照明領域設定手段（６）とマスク（Ｒ）との間に配
置された両側テレセントリックなリレーレンズ系（７）
とを有するものである。 Next, a second exposure apparatus according to the present invention comprises:
Mask (R) and sensitive substrate (W) for the illumination area of
By scanning in synchronization, the illumination area can be
A pattern on a mask (R) with a large area is responsive to a substrate (W)
In an exposure apparatus that exposes light upward, illumination on a mask (R)
Illumination area setting means for setting an area in a slit shape (6)
Between the illumination area setting means (6) and the mask (R).
Placed telecentric relay lens system (7)
And

【００１３】[0013]

【作用】斯かる本発明によれば、マスク（Ｒ）上のスリ
ット状の照明領域は、マスク（Ｒ）から離れた位置に配
置された照明光学系（１〜７）中の例えばそのマスク
（Ｒ）と共役な照明領域設定手段（６）により決定され
る。その照明領域設定手段（６）は、マスク（Ｒ）から
離れた位置にあるため、予めその照明領域設定手段
（６）を精密に製造あるいは調整することが出来、走査
後の感応基板（Ｗ）上での照度均一性が良好に維持され
る。According to the present invention, the slit-shaped illumination area on the mask (R) is, for example, the mask (R) in the illumination optical system (1 to 7) arranged at a position away from the mask (R). R) is determined by the illumination area setting means (6) conjugate with R). Since the illumination area setting means (6) is located at a position distant from the mask (R), the illumination area setting means (6) can be precisely manufactured or adjusted in advance, and the sensitive substrate (W) after scanning can be manufactured. The above illuminance uniformity is favorably maintained.

【００１４】また、照明領域設定手段（６）をマスク
（Ｒ）から離れた位置に設定し、しかもその照明領域設
定手段（６）を１回の走査露光中は動かさないものとす
ると、マスク（Ｒ）上で走査方向に隣接する複数の回路
パターン領域の所望の回路パターン領域のパターンを感
応基板（Ｗ）上に露光する際に、他の回路パターン領域
内のパターンも感応基板（Ｗ）上に露光される恐れがあ
る。そこで、例えばマスク（Ｒ）の近傍に配置された遮
光部材（８Ａ，８Ｂ）でその他の回路パターン領域を覆
っておくことにより、その他の回路パターン領域内のパ
ターンの露光が防止される。If the illumination area setting means (6) is set at a position away from the mask (R) and the illumination area setting means (6) is not moved during one scanning exposure, the mask ( R) on a plurality of circuit pattern areas adjacent in the scanning direction on the desired circuit pattern area .
When exposing on the 応基plate (W), there is a risk that even the pattern of other circuit pattern region is exposed on the sensitive substrate (W). Therefore, for example, by covering the other circuit pattern regions with the light shielding members (8A, 8B) arranged near the mask (R), exposure of the patterns in the other circuit pattern regions is prevented.

【００１５】そして、マスク（Ｒ）が第１相対走査手段
（９，１０）により走査されるのに同期して、遮光部材
（８Ａ，８Ｂ）を走査するときに、第１相対走査手段
（９，１０）を兼用すれば、新たに遮光部材（８Ａ，８
Ｂ）用の走査手段を設ける必要がなく、機構が単純化さ
れる。The mask (R) is a first relative scanning means.
In synchronization with scanning by (9, 10), a light shielding member
When scanning (8A, 8B), the first relative scanning means
If (9, 10) is also used, a new light shielding member (8A, 8
There is no need to provide scanning means for B), and the mechanism is simplified.

【００１６】また、照明領域設定手段（６）とマスク
（Ｒ）との間に配置されるリレーレンズ系（７）を両側
テレセントリックにしておくと、その照明領域に対する
マスク（Ｒ）の移動中（感応基板の露光中）に、マスク
（Ｒ）の光軸方向の位置が変動しても、マスク（Ｒ）上
に設定される照明領域の大きさが変化しないので、マス
ク（Ｒ）上の所望領域のパターンの像を感応基板（Ｗ）
上に投影することができ、露光後の感応基板上での照度
均一性を良好に維持できる。 Further , the illumination area setting means (6) and the mask
(R) on both sides of the relay lens system (7)
If you keep it telecentric,
While moving the mask (R) (during exposure of the sensitive substrate),
Even if the position of (R) in the direction of the optical axis fluctuates, even on the mask (R)
Since the size of the illumination area set for
The image of the pattern in the desired area on the substrate (W)
Illuminance on the sensitive substrate after exposure
Good uniformity can be maintained.

【００１７】[0017]

【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き図１〜図３を参照して説明する。本実施例はスリット
スキャン露光方式の投影露光装置に本発明を適用したも
のである。図１は、本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図１において、レチクルＲは点光源１〜リレーレンズ
７よりなる照明光学系により長方形のスリット状の照明
領域で均一な照度で照明され、長方形のスリット状の照
明領域で照明されたレチクルＲの回路パターンが投影光
学系１３によりウエハＷ上に転写される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, the present invention is applied to a projection exposure apparatus of a slit scan exposure system. FIG. 1 shows a projection exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, a reticle R is illuminated with uniform illuminance in a rectangular slit-shaped illumination area by an illumination optical system including a point light source 1 to a relay lens 7, The circuit pattern of the reticle R illuminated by the rectangular slit-shaped illumination area is transferred onto the wafer W by the projection optical system 13.

【００１８】即ち、水銀ランプ等の点光源１からの照明
光は、楕円鏡２により集光された後、コリメータレンズ
３により平行光束となってフライアイレンズ４に達す
る。但し、光源がエキシマレーザ光源等のコヒーレント
光源のときには、このコヒーレント光源から射出された
照明光は、楕円鏡２及びコリメータレンズ３の代わり
に、シリンドリカルレンズやビームエキスパンダ等のビ
ーム整形光学系を通過してフライアイレンズ４に達す
る。このフライアイレンズ４の射出面には多数の２次光
源が形成され、この射出面からの照明光は、コンデンサ
ーレンズ５によって集光されて視野絞り６に達する。That is, illumination light from a point light source 1 such as a mercury lamp is condensed by an elliptical mirror 2, and then collimated by a collimator lens 3 to reach a fly-eye lens 4. However, when the light source is a coherent light source such as an excimer laser light source, the illumination light emitted from the coherent light source passes through a beam shaping optical system such as a cylindrical lens or a beam expander instead of the elliptical mirror 2 and the collimator lens 3. And reaches the fly-eye lens 4. Many secondary light sources are formed on the exit surface of the fly-eye lens 4. Illumination light from the exit surface is condensed by the condenser lens 5 and reaches the field stop 6.

【００１９】視野絞り６には、長方形のスリット状の開
口部が形成され、この視野絞り６を通過した光束は、長
方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレ
ンズ系７に入射する。リレーレンズ系７は視野絞り６と
レチクルＲの回路パターン形成面とを共役にするレンズ
系であり、視野絞り６の長方形のスリット状の開口部と
共役なレチクルＲ上の領域、即ちレチクルＲ上の長方形
のスリット状の照明領域に照明光が照射される。リレー
レンズ系７は両側テレセントリックな光学系であり、レ
チクルＲ上の長方形のスリット状の照明領域はテレセン
トリック性が維持されている。A rectangular slit-shaped opening is formed in the field stop 6, and the light beam passing through the field stop 6 becomes a light beam having a rectangular slit-shaped cross section and enters the relay lens system 7. The relay lens system 7 is a lens system that conjugates the field stop 6 with the circuit pattern forming surface of the reticle R, and a region on the reticle R conjugate with the rectangular slit-shaped opening of the field stop 6, that is, on the reticle R. Illumination light is applied to the rectangular slit-shaped illumination area. The relay lens system 7 is a two-sided telecentric optical system, and a rectangular slit-shaped illumination area on the reticle R maintains telecentricity.

【００２０】本例のレチクルＲ上には、レチクルＲに近
接して、スリット状の照明領域に対する走査方向に離れ
た２枚の遮光板８Ａ及び８Ｂが配置され、レチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂがレチクルステージ９上に載置され
ている。遮光板８Ａ，８Ｂによりレチクルブラインドが
形成されており、そのスリット状の照明領域内で且つ遮
光板８Ａ，８Ｂで挟まれたレチクルＲ上の回路パターン
の像が、投影光学系１３を介してウエハＷ上に投影露光
される。投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内
で、スリット状の照明領域に対するレチクルＲの走査方
向をＸ方向として、投影光学系１３の光軸に平行な方向
をＺ方向とする。On the reticle R of this embodiment, two light shielding plates 8A and 8B are arranged close to the reticle R in the scanning direction with respect to the slit-shaped illumination area, and the reticle R and the light shielding plates 8A and 8B are arranged. Are mounted on the reticle stage 9. A reticle blind is formed by the light-shielding plates 8A and 8B, and an image of a circuit pattern on the reticle R sandwiched between the light-shielding plates 8A and 8B in the slit-shaped illumination area is projected onto the wafer via the projection optical system 13. Projection exposure is performed on W. In a two-dimensional plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 13, the scanning direction of the reticle R with respect to the slit-shaped illumination area is defined as the X direction, and the direction parallel to the optical axis of the projection optical system 13 is defined as the Z direction.

【００２１】この場合、レチクルＲ及び遮光板８Ａ，８
Ｂは走査方向であるＸ方向に一体的にレチクルステージ
駆動部１０により駆動され、遮光板８Ａ，８Ｂはレチク
ルステージ９上でそれぞれ遮光板駆動部１１によりＸ方
向に独立に移動できるように支持されている。レチクル
ステージ駆動部１０及び遮光板駆動部１１の動作を制御
するのが、装置全体の動作を制御する主制御系１２であ
る。また、ウエハＷはウエハステージ１４に載置され、
ウエハステージ１４は、投影光学系１３の光軸に垂直な
面内でウエハＷの位置決めを行うＸＹステージ及びＺ方
向にウエハＷの位置決めを行うＺステージ等より構成さ
れている。主制御系１２はウエハステージ駆動部１５を
介してウエハステージ１４の位置決め動作及び走査動作
を制御する。In this case, the reticle R and the light shielding plates 8A, 8
B is integrally driven by a reticle stage driving unit 10 in the X direction which is the scanning direction, and the light shielding plates 8A and 8B are supported on the reticle stage 9 by the light shielding plate driving unit 11 so as to be independently movable in the X direction. ing. The operation of the reticle stage drive unit 10 and the operation of the light shielding plate drive unit 11 are controlled by the main control system 12 that controls the operation of the entire apparatus. The wafer W is placed on the wafer stage 14,
The wafer stage 14 includes an XY stage for positioning the wafer W in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 13, a Z stage for positioning the wafer W in the Z direction, and the like. The main control system 12 controls the positioning operation and the scanning operation of the wafer stage 14 via the wafer stage driving unit 15.

【００２２】そして、レチクルＲ上のパターンを投影光
学系１３を介してウエハＷ上に露光する際には、視野絞
り６により設定される長方形のスリット状の照明領域に
対してＸ方向に、レチクルステージ９を介してレチクル
Ｒ及び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的に走査する。また、こ
の走査と同期して、その長方形のスリット状の照明領域
の投影光学系１３による像に対して−Ｘ方向に、ウエハ
ステージ１４を介してウエハＷを走査する。即ち、この
−Ｘ方向がウエハＷの走査方向である。このようにレチ
クルＲ及びウエハＷを同期して走査することにより、ウ
エハＷ上にはレチクルＲの回路パターンが遂次転写され
る。When exposing the pattern on the reticle R onto the wafer W via the projection optical system 13, the reticle is set in the X direction with respect to the rectangular slit-shaped illumination area set by the field stop 6. The reticle R and the light shielding plates 8A and 8B are integrally scanned via the stage 9. In synchronization with this scanning, the wafer W is scanned via the wafer stage 14 in the −X direction with respect to the image of the rectangular slit-shaped illumination area by the projection optical system 13. That is, the −X direction is the scanning direction of the wafer W. By scanning the reticle R and the wafer W synchronously in this manner, the circuit pattern of the reticle R is successively transferred onto the wafer W.

【００２３】さて、近年では、レチクル交換に要する時
間を短縮してスループットを向上させるために、レチク
ルＲ上に複数の回路パターン領域を設けることが行われ
ている。そして、そのレチクルＲ上の複数の回路パター
ン領域中から転写対象の回路パターン領域を選択するた
めに遮光板８Ａ及び８Ｂが使用される。そこで、本実施
例による投影露光装置には、レチクルＲ上の回路パター
ン領域に関する情報を入力する入力部１６と、この入力
部１６の入力情報を記憶するメモリー部１７とが設けら
れ、主制御系１２は、そのメモリー部１７の入力情報に
基づいて遮光板駆動部１１を介して遮光板８Ａ及び８Ｂ
が形成する開口部を所定の形状にする。In recent years, a plurality of circuit pattern areas are provided on the reticle R in order to shorten the time required for reticle replacement and improve the throughput. Then, the light shielding plates 8A and 8B are used to select a circuit pattern area to be transferred from among the plurality of circuit pattern areas on the reticle R. Therefore, the projection exposure apparatus according to the present embodiment is provided with an input unit 16 for inputting information regarding a circuit pattern area on the reticle R, and a memory unit 17 for storing the input information of the input unit 16. Reference numeral 12 denotes light shielding plates 8A and 8B via the light shielding plate driving unit 11 based on the input information of the memory unit 17.
Is formed into a predetermined shape.

【００２４】ここで、遮光板８Ａ及び８Ｂの駆動機構に
ついて図２を参照して説明する。図２は、図１中のレチ
クルＲの周辺の詳細な構成を示し、この図２において、
レチクルステージ基台１９上にレチクルステージ９が走
査方向（Ｘ方向）に摺動自在に支持され、レチクルステ
ージ９の内側にレチクルＲが真空チャック等により保持
されている。レチクルステージ９のレチクルＲの回路パ
ターン形成領域に対応する部分は開口部となり、スリッ
ト状の照明領域の最大の領域に対応するレチクルステー
ジ基台１９上の領域も開口部となっている。また、レチ
クルステージ９の走査方向の両端部にそれぞれウォーム
ギア等の送り部１８Ａ及び１８Ｂを介して遮光板８Ａ及
び８Ｂが取り付けられている。図１の遮光板駆動部１１
によりそれら送り部１８Ａ及び１８Ｂを独立に駆動する
ことにより、それぞれ遮光板８Ａ及び８Ｂを走査方向に
独立に移動させることができる。Here, the driving mechanism of the light shielding plates 8A and 8B will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a detailed configuration around the reticle R in FIG. 1. In FIG.
The reticle stage 9 is slidably supported on the reticle stage base 19 in the scanning direction (X direction), and the reticle R is held inside the reticle stage 9 by a vacuum chuck or the like. A portion of the reticle stage 9 corresponding to the circuit pattern forming region of the reticle R is an opening, and a region on the reticle stage base 19 corresponding to the largest region of the slit-shaped illumination region is also an opening. Further, light shielding plates 8A and 8B are attached to both ends of the reticle stage 9 in the scanning direction via feed portions 18A and 18B such as worm gears, respectively. The light shielding plate driving unit 11 of FIG.
By independently driving the feed portions 18A and 18B, the light shielding plates 8A and 8B can be moved independently in the scanning direction.

【００２５】また、図２において、走査方向（Ｘ方向）
と直交する図２の紙面に垂直な方向（非走査方向）の遮
光板は不図示であるが、この非走査方向の遮光板は、遮
光板８Ａ，８Ｂと同じくレチクルＲの近傍に配置しても
良く、又は、図１の視野絞り６と同じくレチクルＲと実
質的に共役な位置に配置しても構わない。以下、本例で
スリットスキャン露光方式で露光を行う際の動作につき
図１及び図３を参照して説明する。この際に、レチクル
Ｒ上には図３（ａ）に示す如く、２つの回路パターン領
域２０Ａ及び２０Ｂが形成され、これら回路パターン領
域２０Ａ，２０Ｂの境界部には走査方向の幅がＬ１の遮
光部２０Ｃが形成されているとする。また、本例のレチ
クルＲ上に形成される長方形のスリット状の照明領域
は、図３（ｂ）に示すように、走査方向の幅がＬ２のス
リット状の照明領域２１であり、その幅Ｌ２は遮光部２
０Ｃの幅Ｌ１より広いとする。In FIG. 2, the scanning direction (X direction)
Although the light-shielding plate in the direction (non-scanning direction) perpendicular to the paper surface of FIG. 2 perpendicular to FIG. Alternatively, it may be disposed at a position substantially conjugate with the reticle R as in the field stop 6 of FIG. Hereinafter, the operation of the present embodiment when performing exposure by the slit scan exposure method will be described with reference to FIGS. At this time, as shown in FIG. 3A, two circuit pattern regions 20A and 20B are formed on the reticle R, and a light-shielding member having a width L1 in the scanning direction is formed at the boundary between the circuit pattern regions 20A and 20B. It is assumed that the portion 20C is formed. Further, the rectangular slit-shaped illumination area formed on the reticle R of the present example is a slit-shaped illumination area 21 having a width L2 in the scanning direction, as shown in FIG. Is light-shielding part 2
It is assumed that the width is wider than the width L1 of 0C.

【００２６】このとき、先ず、オペレータは図１の入力
部１６を介してメモリー部１７に、レチクルＲ上の回路
パターン領域２０Ａ，２０Ｂに関する情報を入力する。
そして、第１の回路パターン領域２０Ａを投影光学系１
３を介してウエハＷ上に転写する場合には、主制御系１
２はメモリー部１７に記憶された入力情報の内の第１の
回路パターン領域２０Ａに関する情報を読み出し、この
情報に基づいて遮光板制御系１１を介して遮光板８Ａ，
８Ｂの走査方向の位置を調整する。これにより、図３
（ｂ）に示すように、レチクルＲ上の第２の回路パター
ン領域２０Ｂを遮光板８Ｂで覆い、第１の回路パターン
領域２０Ａのみにスリット状の照明領域２１の照明光が
照射されるようにする。At this time, first, the operator inputs information relating to the circuit pattern areas 20A and 20B on the reticle R to the memory unit 17 via the input unit 16 of FIG.
Then, the first circuit pattern area 20 </ b> A is
In the case where the image is transferred onto the wafer W via the
2 reads out information on the first circuit pattern area 20A from the input information stored in the memory unit 17, and based on this information, the light-shielding plates 8A,
The position in the scanning direction of 8B is adjusted. As a result, FIG.
As shown in (b), the second circuit pattern area 20B on the reticle R is covered with the light-shielding plate 8B so that only the first circuit pattern area 20A is irradiated with the illumination light of the slit-shaped illumination area 21. I do.

【００２７】次に、露光時には、図１の主制御系１２は
レチクルステージ駆動部１０を介してレチクルステージ
９を駆動して、レチクルＲ上の回路パターン領域２０Ａ
の右側にスリット状の照明領域２１を位置させた後、レ
チクルステージ９を駆動してレチクルＲ及び遮光板８
Ａ，８Ｂを一体的に走査方向（Ｘ方向）に移動させる。
これに同期して、主制御系１２は、ウエハステージ駆動
部１５を介してウエハステージ１４を駆動してウエハＷ
を走査方向（−Ｘ方向）に移動させる。この場合、レチ
クルＲ上の第１の回路パターン領域２０Ａのみに照明光
が照射されるので、ウエハＷ上には第１の回路パターン
領域２０Ａのパターンのみが転写される。Next, at the time of exposure, the main control system 12 shown in FIG. 1 drives the reticle stage 9 via the reticle stage driving unit 10 to thereby make the circuit pattern area 20A on the reticle R.
After the slit-shaped illumination area 21 is positioned to the right of the reticle R, the reticle stage 9 is driven to drive the reticle R and the light shielding plate 8.
A and 8B are integrally moved in the scanning direction (X direction).
In synchronization with this, the main control system 12 drives the wafer stage 14 via the wafer stage driving unit 15 to
Is moved in the scanning direction (−X direction). In this case, since only the first circuit pattern area 20A on the reticle R is irradiated with the illumination light, only the pattern of the first circuit pattern area 20A is transferred onto the wafer W.

【００２８】さて、ウエハＷ上にレチクルＲ上の第２の
回路パターン領域２０Ｂのパターンを転写する場合に
は、主制御系１２はメモリー部１７に記憶された入力情
報の内の第２の回路パターン領域２０Ｂに関する情報を
読み出し、この情報に基づいて遮光板駆動部１１を介し
て遮光板８Ａ，８Ｂの走査方向の位置を調整する。これ
により、図３（ｃ）に示すように、レチクルＲ上の第１
の回路パターン領域２０Ａを遮光板８Ａで覆い、第２の
回路パターン領域２０Ｂのみにスリット状の照明領域２
１の照明光が照射されるようにする。When transferring the pattern of the second circuit pattern area 20B on the reticle R onto the wafer W, the main control system 12 sends the second circuit pattern of the input information stored in the memory unit 17 to the second circuit pattern area. Information on the pattern area 20B is read out, and the positions of the light shielding plates 8A and 8B in the scanning direction are adjusted via the light shielding plate driving unit 11 based on the information. As a result, as shown in FIG.
Is covered with a light-shielding plate 8A, and only the second circuit pattern region 20B has a slit-shaped illumination region 2A.
One illumination light is emitted.

【００２９】次に、露光時においては、図１の主制御系
１２はレチクルステージ駆動部１０を介してレチクルス
テージ９を駆動して、レチクルＲ上の第２の回路パター
ン領域２０Ｂの右側にスリット状の照明領域２１を位置
させた後、レチクルステージ９を駆動してレチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的にＸ方向に移動させる。こ
れに同期して、主制御系１２は、ウエハステージ駆動部
１５を介してウエハステージ１４を駆動してウエハＷを
−Ｘ方向に移動させる。この場合、レチクルＲ上の第２
の回路パターン領域２０Ｂのみに照明光が照射されるの
で、ウエハＷ上には第２の回路パターン領域２０Ｂのパ
ターンのみが転写される。Next, at the time of exposure, the main control system 12 shown in FIG. 1 drives the reticle stage 9 via the reticle stage driving section 10 to form a slit on the right side of the second circuit pattern area 20B on the reticle R. After the illumination area 21 having the shape of a circle, the reticle stage 9 is driven to move the reticle R and the light shielding plates 8A and 8B integrally in the X direction. In synchronization with this, the main control system 12 drives the wafer stage 14 via the wafer stage drive unit 15 to move the wafer W in the −X direction. In this case, the second on the reticle R
Since only the circuit pattern area 20B is irradiated with the illumination light, only the pattern of the second circuit pattern area 20B is transferred onto the wafer W.

【００３０】このように、本実施例によれば、レチクル
ブラインドとしての遮光板８Ａ，８Ｂによって露光すべ
き回路パターン領域以外の領域を遮光しているので、レ
チクルＲに走査方向に狭い間隔で複数の回路パターン領
域を形成した場合でも、それらの内の所望の回路パター
ン領域のパターンのみをウエハＷ上に露光できる利点が
ある。従って、レチクルＲ上に狭い間隔で複数の回路パ
ターン領域を形成することができる。As described above, according to the present embodiment, since the light-shielding plates 8A and 8B as reticle blinds shield the area other than the circuit pattern area to be exposed from light, a plurality of reticle Rs are provided at narrow intervals in the scanning direction. Even when the circuit pattern regions are formed, there is an advantage that only the pattern of the desired circuit pattern region can be exposed on the wafer W. Therefore, a plurality of circuit pattern regions can be formed on the reticle R at narrow intervals.

【００３１】なお、上述実施例では遮光板８Ａ，８Ｂは
レチクルＲと一体的に駆動されているが、遮光板８Ａ，
８Ｂを走査方向にレチクルＲと同期して駆動するための
駆動手段を別に設けても良い。但し、スリットスキャン
露光時には、図１のレチクルステージ９は１００ｍｍ／
ｓｅｃ以上の高速で動く可能性があるため、遮光板８
Ａ，８Ｂの駆動速度も高速性が要求される。そこで、本
実施例の図２に示すように、レチクルステージ９上にレ
チクルＲ及び遮光板８Ａ，８Ｂを載置し、レチクルＲ及
び遮光板８Ａ，８Ｂを一体的に移動させるようにした場
合には、遮光板８Ａ，８Ｂ用の独立の駆動手段は不要と
なり、しかもレチクルＲと遮光板８Ａ，８Ｂとの移動の
同期性が優れている。In the above embodiment, the light shielding plates 8A and 8B are driven integrally with the reticle R.
Driving means for driving 8B in synchronization with the reticle R in the scanning direction may be separately provided. However, at the time of slit scan exposure, the reticle stage 9 in FIG.
Since there is a possibility of moving at a high speed of more than
The driving speed of A and 8B also requires high speed. Therefore, as shown in FIG. 2 of the present embodiment, when the reticle R and the light shielding plates 8A and 8B are mounted on the reticle stage 9, and the reticle R and the light shielding plates 8A and 8B are moved integrally. This eliminates the need for independent driving means for the light shielding plates 8A and 8B, and provides excellent synchronization of movement between the reticle R and the light shielding plates 8A and 8B.

【００３２】また、上述実施例においては、レチクルＲ
に２つの回路パターン領域が形成されている場合を示し
たが、本実施例による投影露光装置ではレチクルＲに走
査方向に３つ以上の回路パターン領域が設けられている
場合にも対応できる。これに関して、図４（ａ）に示す
ように、走査方向の遮光板８Ａ，８Ｂの他に、走査方向
に垂直な非走査方向（Ｙ方向）に可動の２枚の遮光板８
Ｃ，８Ｄを設けた場合には、レチクルＲ上に非走査方向
に複数の回路パターン領域が形成されていても、所望の
回路パターン領域のみのパターンをウエハＷ上に露光で
きる。即ち、レチクルＲ上にＸ方向及びＹ方向に分離さ
れた形で例えば４個の回路パターン領域２０Ｃ〜２０Ｆ
が形成されている場合、４個の遮光板８Ａ〜８Ｄの位置
を独立に調整することにより、４個の回路パターン領域
２０Ｃ〜２０Ｆの任意の１つの回路パターン領域にのみ
照明光が照射されるようにすることができる。そして、
レチクルＲ及び遮光板８Ａ〜８Ｄを一体的にスリット状
の照明領域２１に対してＸ方向に走査することにより、
そのレチクルＲ上の選択された回路パターン領域のパタ
ーンがウエハＷ上に露光される。In the above embodiment, the reticle R
2 shows a case where two circuit pattern areas are formed, the projection exposure apparatus according to the present embodiment can cope with a case where three or more circuit pattern areas are provided on the reticle R in the scanning direction. In this regard, as shown in FIG. 4A, in addition to the light shielding plates 8A and 8B in the scanning direction, two light shielding plates 8 movable in a non-scanning direction (Y direction) perpendicular to the scanning direction.
When C and 8D are provided, even if a plurality of circuit pattern regions are formed on the reticle R in the non-scanning direction, a pattern of only a desired circuit pattern region can be exposed on the wafer W. That is, for example, four circuit pattern regions 20C to 20F separated on the reticle R in the X direction and the Y direction.
Is formed, by independently adjusting the positions of the four light-shielding plates 8A to 8D, the illumination light is emitted only to any one of the four circuit pattern regions 20C to 20F. You can do so. And
By scanning the reticle R and the light shielding plates 8A to 8D integrally with respect to the slit-shaped illumination area 21 in the X direction,
The pattern in the selected circuit pattern area on the reticle R is exposed on the wafer W.

【００３３】また、図４（ｂ）に示すように、レチクル
Ｒに１つの回路パターン領域２０Ｇのみが形成されてい
る場合に限定すれば、レチクルＲ上の照明領域の一部を
走査方向に遮光するためのレチクルブラインドとしての
遮光板は、レチクルステージ上に固定された遮光板２２
でも構わない。この構成では、遮光板２２による遮光範
囲を変更するための制御系は不要である。このような固
定式の遮光板２２が設けられていると、スリットスキャ
ン露光の開始又は終了時に、レチクルＲの周縁部から外
に照明光が漏れてウエハが感光されることが防止され
る。As shown in FIG. 4B, if only one circuit pattern area 20G is formed on the reticle R, a part of the illumination area on the reticle R is shielded in the scanning direction. The light shielding plate as a reticle blind for performing the light shielding is a light shielding plate 22 fixed on a reticle stage.
But it doesn't matter. In this configuration, a control system for changing the light shielding range by the light shielding plate 22 is not required. When such a fixed type light shielding plate 22 is provided, it is possible to prevent the illumination light from leaking out from the peripheral portion of the reticle R and exposing the wafer at the start or end of the slit scan exposure.

【００３４】また、上述実施例では、遮光板８Ａ，８Ｂ
がレチクルＲの駆動に伴って移動する構成となっている
が、要は遮光板８Ａ，８Ｂの開口部が常にレチクルＲ上
の露光すべき回路パターン領域と一致するように移動す
る構成であれば良い。例えば、レチクルＲとウエハＷと
が固定されており、レチクルＲに対してスリット状の照
射領域を走査させつつ露光する場合には、露光中に遮光
板８Ａ，８Ｂを移動させる必要がない。また、スリット
状の照明領域の形状、即ち視野絞り６の開口の形状は長
方形に限られるわけではなく、例えば特公昭４６−３４
０５７号公報に開示されているような六角形の照明領
域、特公昭５３−２５７９０号公報に開示されているよ
うな菱形の照明領域、又は同じく本願人が特願平４−２
４２４８６号、特願平４−３１６７１７号で開示してい
るような円弧状の照明領域でも良いことは言うまでもな
い。In the above embodiment, the light shielding plates 8A, 8B
Is moved in accordance with the driving of the reticle R, but the point is that if the openings of the light shielding plates 8A and 8B always move so as to coincide with the circuit pattern area to be exposed on the reticle R. good. For example, when the reticle R and the wafer W are fixed and the reticle R is exposed while scanning the slit-shaped irradiation area, it is not necessary to move the light shielding plates 8A and 8B during the exposure. Further, the shape of the slit-shaped illumination area, that is, the shape of the opening of the field stop 6 is not limited to a rectangular shape.
No. 057, a hexagonal illumination area, a diamond-shaped illumination area as disclosed in Japanese Patent Publication No. 53-25790, or Japanese Patent Application No. 4-2.
Needless to say, an arc-shaped illumination area as disclosed in Japanese Patent Application No. 42486 and Japanese Patent Application No. 4-316717 may be used.

【００３５】更に、上述実施例における投影光学系１３
は、屈折系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いこと
も言うまでもない。更に、本発明は投影露光装置のみに
限定されず、コンタクト方式やプロキシミティ方式の露
光装置にも適用できることは言うまでもない。このよう
に本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の構成を取り得る。Further, the projection optical system 13 in the above-described embodiment is used.
Can be a refraction system, a reflection system, or a catadioptric system. Further, it goes without saying that the present invention is not limited to the projection exposure apparatus, but can be applied to a contact type or proximity type exposure apparatus. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can take various configurations without departing from the gist of the present invention.

【００３６】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、マスク上にスリット状
の照明領域を設定するための照明領域設定手段を、照明
光学系中のマスクから離れた位置に配置することができ
る。従って、照明領域設定手段の走査方向の幅の制御を
高精度に行うことができ、スリットスキャン露光後の感
応基板上での照度均一性を良好に維持できる利点があ
る。更に、マスク上に走査方向に狭い間隔で複数のパタ
ーン領域が形成されている場合でも、露光したくないパ
ターン領域をその遮光部材で覆うことにより、所望のパ
ターン領域のみのパターンを感応基板上に露光できる。According to the present invention, the illumination area setting means for setting the slit-shaped illumination area on the mask can be arranged at a position apart from the mask in the illumination optical system. Therefore, it is possible to control the width of the illumination area setting means in the scanning direction with high accuracy, and it is possible to control the sensitivity after slit scan exposure .
There is an advantage that the illumination uniformity at 応基board can be preferably maintained. Further, even when a plurality of pattern areas are formed at narrow intervals in the scanning direction on the mask, the pattern area that is not desired to be exposed is covered with the light shielding member so that the pattern of only the desired pattern area is formed on the sensitive substrate . Can be exposed.

【００３７】また、本発明によれば、遮光部材を走査す
るための駆動手段を新たに設ける必要が無い。Further , according to the present invention, it is not necessary to newly provide a driving unit for scanning the light shielding member .

【００３８】また、本発明によれば、そのスリット状の
照明領域に対するマスクの走査中（基板の露光中）に、
マスクの投影光学系の光軸方向の位置が変動しても、マ
スク上に設定される照明領域の大きさが変化しないの
で、マスク上の所望領域のパターンの像を感応基板上に
投影することができ、露光後の感応基板上での照度均一
性を良好に維持できる。 According to the present invention, the slit-shaped
During scanning of the mask over the illumination area (during exposure of the substrate),
Even if the position of the mask in the optical axis direction of the projection optical system changes,
The size of the illumination area set on the disc does not change
The image of the pattern in the desired area on the mask on the sensitive substrate
Can be projected, uniform illuminance on sensitive substrate after exposure
Good performance can be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１のレチクルＲ及び遮光板８Ａ，８Ｂの駆動
機構を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a driving mechanism of a reticle R and light shielding plates 8A and 8B of FIG. 1;

【図３】（ａ）は図１のレチクルＲ上のパターンを示す
平面図、（ｂ）は回路パターン領域２０Ａのパターンを
露光する場合の遮光板８Ａ，８Ｂの配置を示す平面図、
（ｃ）は回路パターン領域２０Ｂのパターンを露光する
場合の遮光板８Ａ，８Ｂの配置を示す平面図である。3A is a plan view showing a pattern on a reticle R in FIG. 1; FIG. 3B is a plan view showing an arrangement of light shielding plates 8A and 8B when exposing a pattern in a circuit pattern area 20A;
(C) is a plan view showing the arrangement of the light shielding plates 8A and 8B when exposing the pattern of the circuit pattern area 20B.

【図４】（ａ）は遮光板が４枚の場合を示す平面図、
（ｂ）は遮光板が固定式の場合を示す平面図である。FIG. 4A is a plan view showing a case where there are four light-shielding plates,
(B) is a plan view showing a case where the light shielding plate is a fixed type.

【図５】スリット状の照明領域の走査方向の形状精度が
走査後の照度均一性に影響を与える場合の一例を示す説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example in which the shape accuracy of a slit-shaped illumination area in the scanning direction affects the illuminance uniformity after scanning.

【図６】スリット状の照明領域の走査方向の形状精度が
走査後の照度均一性に影響を与える場合の他の例を示す
説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing another example in which the shape accuracy in the scanning direction of the slit-shaped illumination area affects the illuminance uniformity after scanning.

【図７】レチクル上に配置された複数の回路パターン領
域とスリット状の照明領域との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a plurality of circuit pattern regions arranged on a reticle and a slit-shaped illumination region.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｒ レチクル Ｗ ウエハ ７ リレーレンズ ６ 視野絞り ８Ａ，８Ｂ 遮光板 ９ レチクルステージ １０ レチクルステージ駆動部 １１ 遮光板駆動部 １２ 主制御系 １３ 投影光学系 １４ ウエハステージ １５ ウエハステージ駆動部 １６ 入力部 １７ メモリー部 R Reticle W Wafer 7 Relay lens 6 Field stop 8A, 8B Light shielding plate 9 Reticle stage 10 Reticle stage driving unit 11 Light shielding plate driving unit 12 Main control system 13 Projection optical system 14 Wafer stage 15 Wafer stage driving unit 16 Input unit 17 Memory unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−107034（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−247025（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−162670（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−36930（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−283125（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−181164（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−92959（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−8935（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-60-107034 (JP, A) JP-A-61-247025 (JP, A) JP-A-4-196513 (JP, A) JP-A-4-19653 162670 (JP, A) JP-A-61-36930 (JP, A) JP-A-61-283125 (JP, A) JP-A-6-181164 (JP, A) JP-A-62-92959 (JP, A) 5-8935 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 スリット状の照明領域に対してマスクと
感応基板とを同期して走査することにより、前記スリッ
ト状の照明領域よりも広い面積の前記マスク上のパター
ンを前記感応基板上に露光する露光装置において、前記マスク上に矩形スリット状の照明領域を設定する照
明光学系と、 前記矩形スリット状の照明領域に対して前記マスクと前
記感応基板とを同期して走査するために前記マスクを移
動する第１相対走査手段と、 前記矩形スリット状の照明領域に対して前記マスクと前
記感応基板とを同期して走査するために前記感応基板を
移動する第２相対走査手段と、 前記マスクの近傍に設けられ、前記マスクの走査に同期
して移動して、前記矩形スリット状の照明領域に導かれ
る照明光の照射を避けたい前記マスク上の領域を覆う遮
光部材とを有する ことを特徴とする露光装置。1. A mask for a slit-shaped illumination area.
In an exposure apparatus for exposing a pattern on the mask having a larger area than the slit-shaped illumination area on the sensitive substrate by scanning the photosensitive substrate in synchronization with the photosensitive substrate , a rectangle is formed on the mask. An illumination to set a slit-shaped illumination area
Bright optics and the mask with respect to the rectangular slit shaped illumination area.
The mask is moved to scan in synchronization with the sensitive substrate.
Moving first relative scanning means and the mask with respect to the rectangular slit-shaped illumination area.
In order to scan synchronously with the sensitive substrate, the sensitive substrate is
Moving second relative scanning means , provided in the vicinity of the mask, synchronized with scanning of the mask;
And moved to the rectangular slit-shaped illumination area.
To cover the area on the mask where it is desired to avoid irradiating the illumination light.
An exposure apparatus , comprising: an optical member . 【請求項２】 前記第１相対走査手段は、前記遮光部材
の移動に兼用されることを特徴とする請求項１に記載の
露光装置。2. The light-shielding member according to claim 1, wherein the first relative scanning means includes a light-shielding member.
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is also used for moving . 【請求項３】 前記照明光学系は、前記マスクから離れ
て設けられて、前記照明領域を矩形スリット状に設定す
る照明領域設定手段を含むことを特徴とする請求項１又
は２に記載の露光装置。3. The illumination optical system is separated from the mask.
And the illumination area is set in a rectangular slit shape.
And an illumination area setting means.
3. The exposure apparatus according to 2 . 【請求項４】 照明光の照明領域に対してマスクと感応
基板とを同期して走査することにより、前記照明光の照
明領域よりも広い面積の前記マスク上のパターンを前記
感応基板上に露光する露光装置において、 前記マスク上の照明領域をスリット状に設定する照明領
域設定手段と、 前記照明領域設定手段と前記マスクとの間に配置された
両側テレセントリックなリレーレンズ系とを有する こと
を特徴とする露光装置。4. A mask and a light-sensitive area for an illumination area of illumination light.
By scanning in synchronization with the substrate, the illumination light is irradiated.
The pattern on the mask having a larger area than the bright region is
In an exposure apparatus for exposing on a sensitive substrate, an illumination area for setting an illumination area on the mask in a slit shape.
Area setting means, disposed between the illumination area setting means and the mask
An exposure apparatus comprising a relay lens system which is telecentric on both sides .
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