JP3204252B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、高飽和磁束密度
材料を用い、書き込み能力にすぐれた薄膜磁気ヘッドに
関する。
適する薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、高飽和磁束密度
材料を用い、書き込み能力にすぐれた薄膜磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化，高性能化の進展に
は、近年めざましいものがある。特に大型コンピュータ
用の磁気ディスク装置の分野においては、記録密度の大
幅な向上により、大容量化が図られてきた。磁気ディス
ク装置では、従来のフェライト型ヘッドに比べてインダ
クタンスが小さく、高周波透磁率が大きく、狭トラック
幅の可能な薄膜磁気ヘッドが一部実用化されている。従
来、特開昭55−87323に見られるように、飽和磁束密度
１ＴのＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合金を用いて薄膜磁気
ヘッドが作製されていた。図４にＮｉ−Ｆｅ合金を用い
て形成した薄膜磁気ヘッドの磁極部の断面図を示す。図
４において、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミック、Ａｌ2Ｏ3−
ＴｉＯ2セラミックス、ＳｉＣ，Ｚｎフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からできた
絶縁基板１上に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。
次に、下部磁極２として、Ｎｉ−Ｆｅ合金スパッタ法で
形成する。膜厚は、１.５μｍとした。次に磁気ギャッ
プ３をＡｌ2Ｏ3をスパッタ法で形成する。
は、近年めざましいものがある。特に大型コンピュータ
用の磁気ディスク装置の分野においては、記録密度の大
幅な向上により、大容量化が図られてきた。磁気ディス
ク装置では、従来のフェライト型ヘッドに比べてインダ
クタンスが小さく、高周波透磁率が大きく、狭トラック
幅の可能な薄膜磁気ヘッドが一部実用化されている。従
来、特開昭55−87323に見られるように、飽和磁束密度
１ＴのＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合金を用いて薄膜磁気
ヘッドが作製されていた。図４にＮｉ−Ｆｅ合金を用い
て形成した薄膜磁気ヘッドの磁極部の断面図を示す。図
４において、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミック、Ａｌ2Ｏ3−
ＴｉＯ2セラミックス、ＳｉＣ，Ｚｎフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からできた
絶縁基板１上に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。
次に、下部磁極２として、Ｎｉ−Ｆｅ合金スパッタ法で
形成する。膜厚は、１.５μｍとした。次に磁気ギャッ
プ３をＡｌ2Ｏ3をスパッタ法で形成する。
【０００３】コイル導体４の絶縁層５としては、耐熱性
ポリイミド系樹脂、あるいは、レジストを用いる。ま
た、コイル導体４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成す
る。次に、上部磁極１０は、下部磁極２とおなじように
してＮｉ−Ｆｅ合金スパッタ法で形成する。膜厚は２．
０μｍとした。なお、 Ｎｉ−Ｆｅ合金の代表的な組成
は、磁歪が０となる１９ｗｔ％−８１ｗｔ％ Ｆｅであ
る。さらに、約２０μｍのＡｌ2Ｏ3の保護膜７からでき
ている。下部磁極２，磁気ギャップ３，コイル導体４、
上部磁極１０のパターニングは、イオンミリング法によ
り形成する。ところで記録密度を向上させるため、媒体
の高保磁力化が必要であり、それに対応するために、ヘ
ッド磁極先端から多くの磁場が出るように、磁極厚みを
大きくする必要がある。ところが磁極厚みを厚くする
と、再生分解能が低下するという問題がある。今後記録
密度の向上に伴う媒体の高保磁力化、再生分解能の低下
の両方の問題に対応するためには従来の飽和磁束密度１
ＴのＮｉ−Ｆｅ合金では不十分で、磁極磁性膜に高飽和
磁束密度磁性材料を用いる必要があるといわれている。
ポリイミド系樹脂、あるいは、レジストを用いる。ま
た、コイル導体４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成す
る。次に、上部磁極１０は、下部磁極２とおなじように
してＮｉ−Ｆｅ合金スパッタ法で形成する。膜厚は２．
０μｍとした。なお、 Ｎｉ−Ｆｅ合金の代表的な組成
は、磁歪が０となる１９ｗｔ％−８１ｗｔ％ Ｆｅであ
る。さらに、約２０μｍのＡｌ2Ｏ3の保護膜７からでき
ている。下部磁極２，磁気ギャップ３，コイル導体４、
上部磁極１０のパターニングは、イオンミリング法によ
り形成する。ところで記録密度を向上させるため、媒体
の高保磁力化が必要であり、それに対応するために、ヘ
ッド磁極先端から多くの磁場が出るように、磁極厚みを
大きくする必要がある。ところが磁極厚みを厚くする
と、再生分解能が低下するという問題がある。今後記録
密度の向上に伴う媒体の高保磁力化、再生分解能の低下
の両方の問題に対応するためには従来の飽和磁束密度１
ＴのＮｉ−Ｆｅ合金では不十分で、磁極磁性膜に高飽和
磁束密度磁性材料を用いる必要があるといわれている。
【０００４】近年、高飽和磁束密度で高性能の磁性膜と
して非晶質スパッタ膜が開発されつつある。この中で
も、特にガラス化元素がＺｒ、Ｈｆからなる非晶質合金
は、耐食性、耐摩耗性に優れており、磁気ヘッド用磁性
膜として優れた特性を有している。具体的にはＭａＴｂ
Ａｃの組成式で表せる。ここで、Ｍは磁気モーメントを
有するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの少なくとも一種であり、
ＡはＺｒ、Ｈｆなどの少なくとも一種である。ＴはＭ及
びＡ以外の遷移金属である。特に特開昭５８−９８８２
４、特開昭６０−２１５０４、特開昭６２−２８２８５
０で示されるようなＣｏＴａＺｒ系非晶質合金、 Ｃｏ
ＴａＨｆ系非晶質合金、 ＣｏＴａＰｄ系非晶質合金が
磁歪零において飽和磁束密度が１．３Ｔ得られることか
ら薄膜磁気ヘッド用磁性膜として有望視されている。ま
た、結晶質合金膜としては、特開昭５９−１３０４０８
に見られるように、Ｆｅ―Ｃ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との
多層膜、ＦｅＳｉＲｕ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との多層膜
が高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として開発されてい
る。
して非晶質スパッタ膜が開発されつつある。この中で
も、特にガラス化元素がＺｒ、Ｈｆからなる非晶質合金
は、耐食性、耐摩耗性に優れており、磁気ヘッド用磁性
膜として優れた特性を有している。具体的にはＭａＴｂ
Ａｃの組成式で表せる。ここで、Ｍは磁気モーメントを
有するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの少なくとも一種であり、
ＡはＺｒ、Ｈｆなどの少なくとも一種である。ＴはＭ及
びＡ以外の遷移金属である。特に特開昭５８−９８８２
４、特開昭６０−２１５０４、特開昭６２−２８２８５
０で示されるようなＣｏＴａＺｒ系非晶質合金、 Ｃｏ
ＴａＨｆ系非晶質合金、 ＣｏＴａＰｄ系非晶質合金が
磁歪零において飽和磁束密度が１．３Ｔ得られることか
ら薄膜磁気ヘッド用磁性膜として有望視されている。ま
た、結晶質合金膜としては、特開昭５９−１３０４０８
に見られるように、Ｆｅ―Ｃ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との
多層膜、ＦｅＳｉＲｕ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との多層膜
が高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として開発されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上示した
高飽和磁束密度材料は、いずれも、熱的に準安定な材料
であり、従来使用されていたＮｉ−Ｆｅ合金に比較して
極めて熱安定性に劣るという問題がある。例えば、上記
ＣｏＴａＺｒ非晶質合金膜を上部磁極、下部磁極に用い
て、図３、図４と同様の構造の薄膜磁気ヘッドを形成し
た。ところが、薄膜ヘッド作製プロセス中の熱履歴によ
って、下部磁極のＣｏＴａＺｒ非晶質磁性膜の磁気特性
が劣化し、図３、図４の構造の薄膜磁気ヘッドよりも再
生効率の低いヘッドしか得られなかった。
高飽和磁束密度材料は、いずれも、熱的に準安定な材料
であり、従来使用されていたＮｉ−Ｆｅ合金に比較して
極めて熱安定性に劣るという問題がある。例えば、上記
ＣｏＴａＺｒ非晶質合金膜を上部磁極、下部磁極に用い
て、図３、図４と同様の構造の薄膜磁気ヘッドを形成し
た。ところが、薄膜ヘッド作製プロセス中の熱履歴によ
って、下部磁極のＣｏＴａＺｒ非晶質磁性膜の磁気特性
が劣化し、図３、図４の構造の薄膜磁気ヘッドよりも再
生効率の低いヘッドしか得られなかった。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題を解決し、記
録能力に優れ、かつ再生効率にも優れた薄膜磁気ヘッド
を得ることにある。
録能力に優れ、かつ再生効率にも優れた薄膜磁気ヘッド
を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、飽和磁束密度１．３Ｔ以上の熱的に準
安定な高飽和磁束密度磁性材料を上部磁極の少なくとも
一部だけに適用し、下部磁極は従来の飽和磁束密度１Ｔ
で熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）を適
用することにした。
に、本発明では、飽和磁束密度１．３Ｔ以上の熱的に準
安定な高飽和磁束密度磁性材料を上部磁極の少なくとも
一部だけに適用し、下部磁極は従来の飽和磁束密度１Ｔ
で熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）を適
用することにした。
【０００８】このような構造にすることによって、熱的
に準安定な高飽和磁束密度材料を用いても、薄膜ヘッド
プロセスの熱履歴による磁気特性劣化がなく、再生効率
の優れた薄膜ヘッドが得られるようになった。また、上
部に高飽和磁束密度材料を使用することによって、記録
能力も、従来のパーマロイのみを磁極に用いたヘッドよ
りも向上した。
に準安定な高飽和磁束密度材料を用いても、薄膜ヘッド
プロセスの熱履歴による磁気特性劣化がなく、再生効率
の優れた薄膜ヘッドが得られるようになった。また、上
部に高飽和磁束密度材料を使用することによって、記録
能力も、従来のパーマロイのみを磁極に用いたヘッドよ
りも向上した。
【０００９】本発明によれば、熱的に準安定な高飽和磁
束密度材料を上部磁極に用いる構造を取ることにより、
薄膜磁気ヘッド作製プロセスの熱履歴による高飽和磁束
密度材料の軟磁気特性の劣化を伴う事がないので、書き
込み能力が優れしかも、再生効率の優れた薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
束密度材料を上部磁極に用いる構造を取ることにより、
薄膜磁気ヘッド作製プロセスの熱履歴による高飽和磁束
密度材料の軟磁気特性の劣化を伴う事がないので、書き
込み能力が優れしかも、再生効率の優れた薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を詳述
する。
する。
【００１１】実施例１ 図１，図３にそれぞれ本発明の一実施例による薄膜磁気
ヘッドの断面図，斜視図を示す。図１において、Ａｌ2
Ｏ3−ＴｉＣセラミック、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2セラミック
ス、ＳｉＣ，Ｚｎフェライト，Ｎｉ− Ｚｎフェライ
ト， Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からできた絶縁基板１上
に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。次に、下部磁
極２としてＮｉ−Ｆｅ合金をスパッタ法で形成する。膜
厚は１．５μｍとした。次に、磁気ギャップ３をＡｌ2
Ｏ3をスパッタ法で形成する。コイル導体４の絶縁層５
としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、あるいは、レジス
トを用いる。また、コイル４はＣｕを用いてスパッタ法
で形成する。次に、上部磁極６は、飽和磁束密度１．３
ＴのCo92Ta5Zr3非晶質合金膜をスパッタ法で形成する。
膜厚は２．０μｍとした。さらに、約２０μｍのＡｌ2
Ｏ3の保護膜７からできている。下部磁極２，磁気ギャ
ップ３，コイル導体４，上部磁極６のパターニングは、
イオンミリング法により形成する。
ヘッドの断面図，斜視図を示す。図１において、Ａｌ2
Ｏ3−ＴｉＣセラミック、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2セラミック
ス、ＳｉＣ，Ｚｎフェライト，Ｎｉ− Ｚｎフェライ
ト， Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からできた絶縁基板１上
に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。次に、下部磁
極２としてＮｉ−Ｆｅ合金をスパッタ法で形成する。膜
厚は１．５μｍとした。次に、磁気ギャップ３をＡｌ2
Ｏ3をスパッタ法で形成する。コイル導体４の絶縁層５
としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、あるいは、レジス
トを用いる。また、コイル４はＣｕを用いてスパッタ法
で形成する。次に、上部磁極６は、飽和磁束密度１．３
ＴのCo92Ta5Zr3非晶質合金膜をスパッタ法で形成する。
膜厚は２．０μｍとした。さらに、約２０μｍのＡｌ2
Ｏ3の保護膜７からできている。下部磁極２，磁気ギャ
ップ３，コイル導体４，上部磁極６のパターニングは、
イオンミリング法により形成する。
【００１２】Co92Ta5Zr3非晶質合金スパッタ膜は、スパ
ッタ直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱
処理する必要がある。磁場中熱処理は、 Ａｌ2Ｏ3保護
膜を形成した後に施した。絶縁層５に耐熱性ポリイミド
系樹脂を用いた場合は、高温の磁場中熱処理ができるの
で、まず、磁極のトラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場
を印加して３８０℃１時間の磁場中処理を行った後、ト
ラック幅方向に垂直に８ｋＯｅ磁場を印加して３５０℃
１時間の磁場中熱処理を施した。絶縁層５にレジストを
用いた場合は、レジストの耐熱温度よりも磁場中熱処理
温度を低くする必要がある。このときは、まず、磁極の
トラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場を印加して２５０
℃１時間の磁場中熱処理を行った後、トラック幅方向に
垂直に８ｋＯｅ磁場を印加して２３０℃１時間の磁場中
熱処理を施した。比較として、ヘッド構造は同じで、下
部磁極２と上部磁極６ともCo92Ta5Zr3非晶質合金スパッ
タ膜を用いたヘッドも作製した。このヘッドを作製する
ときには、下部磁極を形成した後、異方性磁界を低減さ
せるための磁場中熱処理を施した。このとき、まず、膜
の容易軸方向に８ｋＯｅ磁場を印加して３８０℃１時間
の磁場中熱処理を行った後、膜の困難軸方向に８ｋＯｅ
磁場を印加して３３０℃１時間の磁場中熱処理を施し
た。この熱処理により、Co92Ta5Zr3非晶質合金スパッタ
膜の異方性磁界は、１６Ｏｅから５Ｏｅ程度まで低減で
き、透磁率は７００から２５００程度まで向上できた。
ところが、その後のプロセスを流れると、異方性磁界が
増大し、透磁率が低下した。具体的には、例えば、絶縁
層５に耐熱性ポリイミド樹脂を用いた場合には、約３５
０℃１時間の熱履歴を経るため、異方性磁界は元の16Ｏ
ｅ程度まで増大し、透磁率は７００まで低下してしま
う。また、絶縁層５にレジストを用いた場合には、約２
７５℃５時間の熱履歴を受けるため、異方性磁界は１０
Ｏｅまで増大し、透磁率は1200まで低下した。ところ
が、パーマロイ膜については、磁気特性の劣化はなっか
た。
ッタ直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱
処理する必要がある。磁場中熱処理は、 Ａｌ2Ｏ3保護
膜を形成した後に施した。絶縁層５に耐熱性ポリイミド
系樹脂を用いた場合は、高温の磁場中熱処理ができるの
で、まず、磁極のトラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場
を印加して３８０℃１時間の磁場中処理を行った後、ト
ラック幅方向に垂直に８ｋＯｅ磁場を印加して３５０℃
１時間の磁場中熱処理を施した。絶縁層５にレジストを
用いた場合は、レジストの耐熱温度よりも磁場中熱処理
温度を低くする必要がある。このときは、まず、磁極の
トラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場を印加して２５０
℃１時間の磁場中熱処理を行った後、トラック幅方向に
垂直に８ｋＯｅ磁場を印加して２３０℃１時間の磁場中
熱処理を施した。比較として、ヘッド構造は同じで、下
部磁極２と上部磁極６ともCo92Ta5Zr3非晶質合金スパッ
タ膜を用いたヘッドも作製した。このヘッドを作製する
ときには、下部磁極を形成した後、異方性磁界を低減さ
せるための磁場中熱処理を施した。このとき、まず、膜
の容易軸方向に８ｋＯｅ磁場を印加して３８０℃１時間
の磁場中熱処理を行った後、膜の困難軸方向に８ｋＯｅ
磁場を印加して３３０℃１時間の磁場中熱処理を施し
た。この熱処理により、Co92Ta5Zr3非晶質合金スパッタ
膜の異方性磁界は、１６Ｏｅから５Ｏｅ程度まで低減で
き、透磁率は７００から２５００程度まで向上できた。
ところが、その後のプロセスを流れると、異方性磁界が
増大し、透磁率が低下した。具体的には、例えば、絶縁
層５に耐熱性ポリイミド樹脂を用いた場合には、約３５
０℃１時間の熱履歴を経るため、異方性磁界は元の16Ｏ
ｅ程度まで増大し、透磁率は７００まで低下してしま
う。また、絶縁層５にレジストを用いた場合には、約２
７５℃５時間の熱履歴を受けるため、異方性磁界は１０
Ｏｅまで増大し、透磁率は1200まで低下した。ところ
が、パーマロイ膜については、磁気特性の劣化はなっか
た。
【００１３】以上のようにして作製した、薄膜ヘッドに
ついて保磁力４００Ｏｅ、膜厚０.４μｍのγ−Fe2O3塗
布媒体を用いて、スペーシング０.２５μｍで再生出
力、並びにオーバーライト特性を評価した。表１にそれ
ぞれのヘッドで得られた記録再生特性を示す。
ついて保磁力４００Ｏｅ、膜厚０.４μｍのγ−Fe2O3塗
布媒体を用いて、スペーシング０.２５μｍで再生出
力、並びにオーバーライト特性を評価した。表１にそれ
ぞれのヘッドで得られた記録再生特性を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】本発明による薄膜ヘッドは、従来のパーマ
ロイヘッド並みの再生出力が得られ、しかも、オーバー
ライト特性は、パーマロイヘッドに比較して約１０ｄＢ
も向上している。Co92Ta5Zr3非晶質磁極のみを使ったヘ
ッドは、オーバーライト特性は、パーマロイヘッドより
も約１２ｄＢも向上していたが、再生出力は、パーマロ
イヘッドの約７０％しか達しなかった。これらの結果
は、CoTaHf系非晶質合金、CoTaHfPd系非晶質合金等の飽
和磁束密度が大きい非晶質合金についても、同様の結果
を得た。また、ＦｅＳｉＲｕ合金とパーマロイ合金の多
層膜、あるいはＦｅＣ合金とパーマロイ合金との多層膜
のような熱的に準安定な結晶質材料についても同様の結
果が得られた。
ロイヘッド並みの再生出力が得られ、しかも、オーバー
ライト特性は、パーマロイヘッドに比較して約１０ｄＢ
も向上している。Co92Ta5Zr3非晶質磁極のみを使ったヘ
ッドは、オーバーライト特性は、パーマロイヘッドより
も約１２ｄＢも向上していたが、再生出力は、パーマロ
イヘッドの約７０％しか達しなかった。これらの結果
は、CoTaHf系非晶質合金、CoTaHfPd系非晶質合金等の飽
和磁束密度が大きい非晶質合金についても、同様の結果
を得た。また、ＦｅＳｉＲｕ合金とパーマロイ合金の多
層膜、あるいはＦｅＣ合金とパーマロイ合金との多層膜
のような熱的に準安定な結晶質材料についても同様の結
果が得られた。
【００１６】実施例２ 図２に、本発明の他の実施例に於ける薄膜磁気ヘッドの
断面を示す。図２において、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミッ
ク、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2セラミックス、ＳｉＣ，Ｚｎフ
ェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等からできた絶縁基板１上に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１
２を形成する。次に、下部磁極１８として、Ｎｉ−Ｆｅ
合金スパッタ法で形成する。膜厚は１μｍとした。さら
に、下部磁極２９として同様にＮｉ−Ｆｅ合金をスパッ
タ法で形成する。膜厚は１.５μｍとした。次に、磁気
ギャップ３をＡｌ2Ｏ3をスパッタ法で形成する。コイル
導体４の絶縁層５としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、
あるいは、レジストを用いる。また、コイル４は、Ｃｕ
を用いてスパッタ法で形成する。次に、上部磁極１１０
には、飽和磁束密度１.３ＴのCo92Ta5Zr3非晶質合金膜
をスパッタ法で形成する。膜厚は２.０μｍとした。上
部磁極２１１は、パーマロイで形成する。膜厚は１.０
μｍとした。最後に約２０μｍのＡｌ2Ｏ3の保護膜７か
らできている。下部磁極８，９，磁気ギャップ３，コイ
ル導体４，上部磁極のパターンニング１０，１１は、イ
オンミリング法により形成する。Co92Ta5Zr3非晶質合金
スパッタ膜は、スパッタ直後の状態では異方性磁界が大
きいので、磁場中熱処理する必要があるのは、実施例１
と同じであり、実施例１と同様の磁場中熱処理を施し
た。実施例１と同じ記録再生特性の評価を行なうと、実
施例１と比較してオーバーライト特性はほぼ同じ、再生
出力は２０％向上していた。再生出力が向上した原因
は、磁極の体積が増加したためと考えられる。
断面を示す。図２において、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣセラミッ
ク、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＯ2セラミックス、ＳｉＣ，Ｚｎフ
ェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等からできた絶縁基板１上に、スパッタＡｌ2Ｏ3膜１
２を形成する。次に、下部磁極１８として、Ｎｉ−Ｆｅ
合金スパッタ法で形成する。膜厚は１μｍとした。さら
に、下部磁極２９として同様にＮｉ−Ｆｅ合金をスパッ
タ法で形成する。膜厚は１.５μｍとした。次に、磁気
ギャップ３をＡｌ2Ｏ3をスパッタ法で形成する。コイル
導体４の絶縁層５としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、
あるいは、レジストを用いる。また、コイル４は、Ｃｕ
を用いてスパッタ法で形成する。次に、上部磁極１１０
には、飽和磁束密度１.３ＴのCo92Ta5Zr3非晶質合金膜
をスパッタ法で形成する。膜厚は２.０μｍとした。上
部磁極２１１は、パーマロイで形成する。膜厚は１.０
μｍとした。最後に約２０μｍのＡｌ2Ｏ3の保護膜７か
らできている。下部磁極８，９，磁気ギャップ３，コイ
ル導体４，上部磁極のパターンニング１０，１１は、イ
オンミリング法により形成する。Co92Ta5Zr3非晶質合金
スパッタ膜は、スパッタ直後の状態では異方性磁界が大
きいので、磁場中熱処理する必要があるのは、実施例１
と同じであり、実施例１と同様の磁場中熱処理を施し
た。実施例１と同じ記録再生特性の評価を行なうと、実
施例１と比較してオーバーライト特性はほぼ同じ、再生
出力は２０％向上していた。再生出力が向上した原因
は、磁極の体積が増加したためと考えられる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による上部磁
極のみに、非晶質膜，多層膜等の熱的に準安定な飽和磁
束密度１.３Ｔ 以上の高飽和磁束密度材料を用い、下部
磁極には熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合
金膜を用いた薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドプロセ
スの熱履歴によって、高飽和磁束密度材料の軟磁気特性
が劣化しないので、記録特性のみならず、再生特性も優
れた薄膜磁気ヘッドが得られる。
極のみに、非晶質膜，多層膜等の熱的に準安定な飽和磁
束密度１.３Ｔ 以上の高飽和磁束密度材料を用い、下部
磁極には熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合
金膜を用いた薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドプロセ
スの熱履歴によって、高飽和磁束密度材料の軟磁気特性
が劣化しないので、記録特性のみならず、再生特性も優
れた薄膜磁気ヘッドが得られる。
【図１】高飽和磁束密度材料と、パーマロイを磁極に用
いた薄膜磁気ヘッドの断面図。
いた薄膜磁気ヘッドの断面図。
【図２】高飽和磁束密度材料と、パーマロイを磁極に用
いた薄膜磁気ヘッドの断面図。
いた薄膜磁気ヘッドの断面図。
【図３】薄膜磁気ヘッドの斜視図。
【図４】パーマロイのみを極性に用いた薄膜磁気ヘッド
の磁極部の断面図。
の磁極部の断面図。
１…基板、２…下部磁極、３…磁気ギャップ、４…コイ
ル、５…絶縁層、６…上部磁極、７…保護膜、８…下部
磁極１、９…下部磁極２、１０…上部磁極１、１１…上
部磁極２、１２…Ａｌ2Ｏ3。
ル、５…絶縁層、６…上部磁極、７…保護膜、８…下部
磁極１、９…下部磁極２、１０…上部磁極１、１１…上
部磁極２、１２…Ａｌ2Ｏ3。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森脇 英稔 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 椎木 一夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−35315（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−42012（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−68211（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−102712（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−151814（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性材料をスパッタリングした後パターニ
ングすることによりNi-Fe合金からなる下部磁極を形成
し、該下部磁極上に絶縁材料をスパッタリングした後パ
ターニングすることによりギャップ膜を形成し、該ギャ
ップ膜上に飽和磁束密度１．３Ｔ以上の磁性材料、 Ni-
Fe合金を順次スパッタリングした後パターニングするこ
とにより上部磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記飽和磁束密度１．３Ｔ以上の磁性材料
が、CoTaZr, CoTaHf, CoTaHfPd系非晶質合金のうちいず
れか一種を含む材料であることを特徴とする請求項１記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19122899A JP3204252B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19122899A JP3204252B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128818A Division JP2972226B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036108A JP2000036108A (ja) | 2000-02-02 |
| JP3204252B2 true JP3204252B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=16271038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19122899A Expired - Lifetime JP3204252B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204252B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102071215B1 (ko) | 2017-10-05 | 2020-01-30 | 니혼 고꾸 덴시 고교 가부시끼가이샤 | 커넥터 |
-
1999
- 1999-07-06 JP JP19122899A patent/JP3204252B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102071215B1 (ko) | 2017-10-05 | 2020-01-30 | 니혼 고꾸 덴시 고교 가부시끼가이샤 | 커넥터 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000036108A (ja) | 2000-02-02 |
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