JP3198377B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
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- JP3198377B2 JP3198377B2 JP23345695A JP23345695A JP3198377B2 JP 3198377 B2 JP3198377 B2 JP 3198377B2 JP 23345695 A JP23345695 A JP 23345695A JP 23345695 A JP23345695 A JP 23345695A JP 3198377 B2 JP3198377 B2 JP 3198377B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は被処理体の表面に
処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理方法及
び処理装置に関するものである。
処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理方法及
び処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。
【０００３】上記現像処理を行う場合、ウエハを回転保
持手段であるスピンチャックにて吸着保持して、ウエハ
を水平方向に回転させながら、ウエハの表面に現像液を
供給して現像処理を行う。この場合、ウエハの裏面に現
像液が回り込んでウエハに付着したり、スピンチャック
の回転部に現像液が侵入するのを防止するために、ウエ
ハの裏面に洗浄液を吹き当てる方法が知られている（特
開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１４７４７
８号公報等参照）。
持手段であるスピンチャックにて吸着保持して、ウエハ
を水平方向に回転させながら、ウエハの表面に現像液を
供給して現像処理を行う。この場合、ウエハの裏面に現
像液が回り込んでウエハに付着したり、スピンチャック
の回転部に現像液が侵入するのを防止するために、ウエ
ハの裏面に洗浄液を吹き当てる方法が知られている（特
開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１４７４７
８号公報等参照）。
【０００４】また、ウエハの回転中心とほぼ同心の筒体
壁の頂面をウエハの裏面周縁部に微小な隙間をもって対
向させ、ウエハの周縁部から裏面側へ回り込む現像液を
上記隙間部に毛管現象によって保持して、現像液がそれ
以上の内方へ侵入することを阻止する方法が知られてい
る（特公平３−３４２０７号公報参照）。
壁の頂面をウエハの裏面周縁部に微小な隙間をもって対
向させ、ウエハの周縁部から裏面側へ回り込む現像液を
上記隙間部に毛管現象によって保持して、現像液がそれ
以上の内方へ侵入することを阻止する方法が知られてい
る（特公平３−３４２０７号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち特開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１
４７４７８号公報等に記載の技術は、処理液の裏回りを
防ぐため、ウエハ裏面全面に連続的に洗浄液等を噴射し
続ける必要がある。そのため、ウエハの表面に塗布した
フォトレジストにパターンを露光し、現像処理する場合
等においては、現像温度を所望値に保持しながら、現像
液をウエハに連続して供給しなければならないが、ウエ
ハの下面に連続的に噴射される洗浄液等の温度により、
ウエハの温度が変化し現像液温度が変動して、現像処理
むらが発生するという問題があった。
なわち特開昭５５−１１３１１号公報、特開昭５７−１
４７４７８号公報等に記載の技術は、処理液の裏回りを
防ぐため、ウエハ裏面全面に連続的に洗浄液等を噴射し
続ける必要がある。そのため、ウエハの表面に塗布した
フォトレジストにパターンを露光し、現像処理する場合
等においては、現像温度を所望値に保持しながら、現像
液をウエハに連続して供給しなければならないが、ウエ
ハの下面に連続的に噴射される洗浄液等の温度により、
ウエハの温度が変化し現像液温度が変動して、現像処理
むらが発生するという問題があった。
【０００６】後者すなわち特公平３−３４２０７号公報
に記載の技術は、ウエハの裏面と円筒壁の頂面とを近付
ければ近付ける程裏回りを防止できるが、現像液を振り
切る高速回転時にウエハと円筒壁が擦れる場合があり、
パーティクルが発生してウエハに付着してウエハの歩留
まりを低下させたり、更にはウエハが破損をきたすとい
う問題があった。
に記載の技術は、ウエハの裏面と円筒壁の頂面とを近付
ければ近付ける程裏回りを防止できるが、現像液を振り
切る高速回転時にウエハと円筒壁が擦れる場合があり、
パーティクルが発生してウエハに付着してウエハの歩留
まりを低下させたり、更にはウエハが破損をきたすとい
う問題があった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の裏面内方側への処理液の侵入を阻止し
て、処理能率の向上及び製品歩留りの向上を図れるよう
にした処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。
で、被処理体の裏面内方側への処理液の侵入を阻止し
て、処理能率の向上及び製品歩留りの向上を図れるよう
にした処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理方法は、回転保持手段にて保
持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の
被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供
給して被処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成
し、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を
形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供
給することを特徴とするものである（請求項１）。
に、この発明の第１の処理方法は、回転保持手段にて保
持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の
被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供
給して被処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成
し、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を
形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供
給することを特徴とするものである（請求項１）。
【０００９】また、この発明の第２の処理方法は、上記
第１の処理方法と同様に、回転保持手段にて保持される
半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体
の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被
処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処
理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処理体の裏
面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との
間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成する工程
と、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を
形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供
給する工程と、上記被処理体を回転して上記処理液を被
処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体の表面及
び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有することを
特徴とするものである（請求項２）。
第１の処理方法と同様に、回転保持手段にて保持される
半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体
の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被
処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、上記被処
理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処理体の裏
面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との
間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成する工程
と、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を
形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供
給する工程と、上記被処理体を回転して上記処理液を被
処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体の表面及
び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有することを
特徴とするものである（請求項２）。
【００１０】また、この発明の第３の処理方法は、上記
第１及び第２の処理方法と同様に、回転保持手段にて保
持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の
被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供
給して被処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成す
る工程と、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の
液膜を形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理
液を供給する工程と、上記被処理体を静止させると共
に、処理雰囲気を上記処理液の蒸気雰囲気に維持して処
理液を被処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体
の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有す
ることを特徴とするものである（請求項３）。
第１及び第２の処理方法と同様に、回転保持手段にて保
持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の
被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供
給して被処理体の表面を処理する処理方法を前提とし、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成す
る工程と、上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の
液膜を形成した状態で、上記被処理体の表面に上記処理
液を供給する工程と、上記被処理体を静止させると共
に、処理雰囲気を上記処理液の蒸気雰囲気に維持して処
理液を被処理体全面に拡散させる工程と、上記被処理体
の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する工程とを有す
ることを特徴とするものである（請求項３）。
【００１１】上記第１ないし第３の処理方法において、
上記被処理体を回転させながら被処理体の裏面周縁部と
円筒壁の頂面との間に洗浄液を供給して、被処理体の裏
面周縁部と円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成す
る方が好ましい（請求項４）。また、上記被処理体を回
転させながら被処理体の表面に処理液を供給する方が好
ましい（請求項５）。
上記被処理体を回転させながら被処理体の裏面周縁部と
円筒壁の頂面との間に洗浄液を供給して、被処理体の裏
面周縁部と円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成す
る方が好ましい（請求項４）。また、上記被処理体を回
転させながら被処理体の表面に処理液を供給する方が好
ましい（請求項５）。
【００１２】また、被処理体の裏面周縁部と被処理体の
裏面に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの
幅の洗浄液の液膜を形成し、被処理体の裏面周縁部と被
処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間隔を０．５
〜１．５ｍｍとする方が好ましい（請求項６）。
裏面に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの
幅の洗浄液の液膜を形成し、被処理体の裏面周縁部と被
処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間隔を０．５
〜１．５ｍｍとする方が好ましい（請求項６）。
【００１３】この発明の第１の処理装置は、上記第１〜
第３の処理方法を具現化するもので、回転保持手段にて
保持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状
の被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を
供給して被処理体の表面を処理する処理装置において、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面の
幅を５〜１５ｍｍに形成し、上記被処理体の裏面と円筒
壁の頂面との間隔を０．５〜１．５ｍｍとし、かつ、上
記円筒壁の頂面に上記洗浄液の液膜を形成するための凹
凸条を形成したことを特徴とするものである（請求項
７）。
第３の処理方法を具現化するもので、回転保持手段にて
保持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状
の被処理体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を
供給して被処理体の表面を処理する処理装置において、
上記被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面の
幅を５〜１５ｍｍに形成し、上記被処理体の裏面と円筒
壁の頂面との間隔を０．５〜１．５ｍｍとし、かつ、上
記円筒壁の頂面に上記洗浄液の液膜を形成するための凹
凸条を形成したことを特徴とするものである（請求項
７）。
【００１４】また、この発明の第２の処理装置は、上記
第１の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処理方法を
具現化するもので、回転保持手段にて保持される半導体
ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面
に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体
の表面を処理する処理装置において、上記被処理体の表
面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、被処理体
の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置される円
筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍ
に形成し、上記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔
を０．５〜１．５ｍｍとし、かつ、上記円筒壁の頂面に
上記洗浄液の液膜を形成するための凹部を形成したこと
を特徴とするものである（請求項８）。
第１の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処理方法を
具現化するもので、回転保持手段にて保持される半導体
ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面
に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体
の表面を処理する処理装置において、上記被処理体の表
面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、被処理体
の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置される円
筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍ
に形成し、上記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔
を０．５〜１．５ｍｍとし、かつ、上記円筒壁の頂面に
上記洗浄液の液膜を形成するための凹部を形成したこと
を特徴とするものである（請求項８）。
【００１５】また、この発明の第３の処理装置は、上記
第１及び第２の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処
理方法を具現化するもので、回転保持手段にて保持され
る半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理
体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して
被処理体の表面を処理する処理装置において、上記被処
理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面に、内周側
壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する上記洗浄液の
液膜を形成するための複数の略Ｖ字形凹条部を形成した
ことを特徴とするものである（請求項９）。
第１及び第２の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処
理方法を具現化するもので、回転保持手段にて保持され
る半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理
体の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して
被処理体の表面を処理する処理装置において、上記被処
理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置
される円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面に、内周側
壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する上記洗浄液の
液膜を形成するための複数の略Ｖ字形凹条部を形成した
ことを特徴とするものである（請求項９）。
【００１６】また、この発明の第４の処理装置は、上記
第１〜第３の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処理
方法を具現化するもので、回転保持手段にて保持される
半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体
の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被
処理体の表面を処理する処理装置において、上記被処理
体の表面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、被
処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置さ
れる円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面に、凹溝を形
成すると共に、この凹溝に関して内外周側にそれぞれ上
記洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を有する
内壁層及び外壁層を形成したことを特徴とするものであ
る（請求項１０）。この場合、内壁層及び外壁層の凹凸
条の形状は任意でよいが、好ましくは凹条部が、内周側
壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝で
ある方がよい（請求項１１）。また、上記凹溝の底部に
排液口を設ける方が好ましい（請求項１２）。また、上
記被処理体の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を
具備し、上記洗浄液供給手段から上記被処理体の裏面周
縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に
洗浄液を供給して、該洗浄液の液膜を形成可能にする方
が好ましい（請求項１３）。
第１〜第３の処理装置と同様に、上記第１〜第３の処理
方法を具現化するもので、回転保持手段にて保持される
半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体
の表面に現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被
処理体の表面を処理する処理装置において、上記被処理
体の表面に上記処理液を供給する処理液供給手段と、被
処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部位に配置さ
れる円筒壁とを具備し、上記円筒壁の頂面に、凹溝を形
成すると共に、この凹溝に関して内外周側にそれぞれ上
記洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を有する
内壁層及び外壁層を形成したことを特徴とするものであ
る（請求項１０）。この場合、内壁層及び外壁層の凹凸
条の形状は任意でよいが、好ましくは凹条部が、内周側
壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝で
ある方がよい（請求項１１）。また、上記凹溝の底部に
排液口を設ける方が好ましい（請求項１２）。また、上
記被処理体の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を
具備し、上記洗浄液供給手段から上記被処理体の裏面周
縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に
洗浄液を供給して、該洗浄液の液膜を形成可能にする方
が好ましい（請求項１３）。
【００１７】請求項１ないし８記載の発明によれば、回
転保持手段にて保持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又
はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現像液又はレジスト
液等の処理液を供給して被処理体の表面を処理するに当
って、被処理体の表面に処理液を供給する前に、被処理
体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂
面との間に洗浄液の液膜を形成することにより、処理工
程時に処理液が被処理体の表面に供給されて表面に拡散
され、被処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液
膜によって阻止することができる。また、液膜は洗浄液
によって形成されるので、処理後の洗浄工程で使用され
る洗浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供することが
できる。この場合、被処理体を静止させると共に、処理
雰囲気を処理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理
体全面に拡散させることにより、排気動作による気流の
発生もなく処理液を供給することができるので、均一な
処理液膜を形成することができる（請求項３）。
転保持手段にて保持される半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又
はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現像液又はレジスト
液等の処理液を供給して被処理体の表面を処理するに当
って、被処理体の表面に処理液を供給する前に、被処理
体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂
面との間に洗浄液の液膜を形成することにより、処理工
程時に処理液が被処理体の表面に供給されて表面に拡散
され、被処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄液の液
膜によって阻止することができる。また、液膜は洗浄液
によって形成されるので、処理後の洗浄工程で使用され
る洗浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供することが
できる。この場合、被処理体を静止させると共に、処理
雰囲気を処理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理
体全面に拡散させることにより、排気動作による気流の
発生もなく処理液を供給することができるので、均一な
処理液膜を形成することができる（請求項３）。
【００１８】また、請求項９記載の発明によれば、円筒
壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ傾
斜する洗浄液の液膜を形成するための複数の略Ｖ字形凹
条を形成することにより、処理時に現像液又はレジスト
液等の処理液が半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の
板状の被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入するのを内
周側壁によって阻止することができ、また、円筒壁の頂
面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処理体裏面
との間に容易に液膜を形成することができ、この液膜に
よって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を抑制する
ことができる。また、処理後の処理液の振り切り時に
は、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易に外方
に排出することができる。
壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ傾
斜する洗浄液の液膜を形成するための複数の略Ｖ字形凹
条を形成することにより、処理時に現像液又はレジスト
液等の処理液が半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の
板状の被処理体の裏面に回り込み内方へ侵入するのを内
周側壁によって阻止することができ、また、円筒壁の頂
面の表面積を増大させることで、円筒壁と被処理体裏面
との間に容易に液膜を形成することができ、この液膜に
よって処理液の被処理体裏面内方側への侵入を抑制する
ことができる。また、処理後の処理液の振り切り時に
は、凹条の外周側壁の傾斜を利用して液滴を容易に外方
に排出することができる。
【００１９】また、請求項１０ないし１３記載の処理装
置によれば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側に
それぞれ洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を
有する内壁層及び外壁層を形成することにより、半導体
ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体裏面へ
回り込む処理液の侵入をまず外壁層にて阻止し、外壁層
を通過する処理液を、凹溝，内壁層にて阻止することが
できるので、処理液の侵入を確実に阻止することができ
る。この場合、処理液を供給する前に、予め内壁層の頂
面と被処理体の裏面周縁部との間に洗浄液の液膜を形成
してもよい。
置によれば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側に
それぞれ洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を
有する内壁層及び外壁層を形成することにより、半導体
ウエハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体裏面へ
回り込む処理液の侵入をまず外壁層にて阻止し、外壁層
を通過する処理液を、凹溝，内壁層にて阻止することが
できるので、処理液の侵入を確実に阻止することができ
る。この場合、処理液を供給する前に、予め内壁層の頂
面と被処理体の裏面周縁部との間に洗浄液の液膜を形成
してもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施形態を図面
に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れて使用される現像装置に適用した場合について説明す
る。
に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れて使用される現像装置に適用した場合について説明す
る。
【００２１】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置可能
に構成したキャリアステーション３を有し、このキャリ
アステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬出及
びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けられて
いる。また、塗布・現像処理システム１の中央部にてそ
の長さ方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム
４からウエハＷを受け渡されるメインアーム５が設けら
れており、このメインアーム５の移送路の両側には各種
処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理
機構としてはキャリアステーション３側の側方には、プ
ロセスステーション６として例えばウエハＷをブラシ洗
浄するためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水によ
り洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機７Ａが並設さ
れ、その隣には、２基の加熱装置９が積み重ねて設けら
れると共に、メインアーム５の移送路の反対側にはこの
発明の処理装置である現像装置８が２基並設されてい
る。
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置可能
に構成したキャリアステーション３を有し、このキャリ
アステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬出及
びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けられて
いる。また、塗布・現像処理システム１の中央部にてそ
の長さ方向に移動可能に設けられると共に、補助アーム
４からウエハＷを受け渡されるメインアーム５が設けら
れており、このメインアーム５の移送路の両側には各種
処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理
機構としてはキャリアステーション３側の側方には、プ
ロセスステーション６として例えばウエハＷをブラシ洗
浄するためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水によ
り洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機７Ａが並設さ
れ、その隣には、２基の加熱装置９が積み重ねて設けら
れると共に、メインアーム５の移送路の反対側にはこの
発明の処理装置である現像装置８が２基並設されてい
る。
【００２２】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。
【００２３】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１３が２台並設されている。なお、図示されな
いがこれらレジスト塗布装置１３の側部には、インター
フェースユニットを介してレジスト膜に所定の微細パタ
ーンを露光するための露光装置等が設けられている。
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１３が２台並設されている。なお、図示されな
いがこれらレジスト塗布装置１３の側部には、インター
フェースユニットを介してレジスト膜に所定の微細パタ
ーンを露光するための露光装置等が設けられている。
【００２４】上記のように構成された塗布・現像処理シ
ステム１に組み込まれるこの発明の現像装置８は、図２
に示すように、ウエハＷを収容する筒状の処理容器２０
と、ウエハＷを水平状態に吸着保持する回転保持手段と
してのスピンチャック２１と、スピンチャック２１の上
方に位置して、処理液としての現像液の供給源２２から
供給される現像液ＬをウエハＷの表面（上面）に供給す
る処理液供給手段としての処理液供給ノズル２３とを具
備してなり、処理容器２０におけるウエハＷの裏面周縁
部の近傍位置に現像液Ｌのウエハ裏面側への侵入を阻止
するための筒状部分の厚さ（幅）Ａが５〜１５mm程度の
頂面２４ａを有する円筒壁２４を周設してなる（図３参
照）。この円筒壁２４は例えば塩化ビニールあるいはセ
ラミックス等のような耐水性及び耐蝕性を有する部材に
て形成されている。この円筒壁２４の外径直径方向の大
きさは、頂面２４ａの直径が、ウエハＷの直径よりも１
０ｍｍ程度内側つまりウエハＷの例えばオリエンテーシ
ョンフラットよりも内側になるような直径とされてお
り、また、円筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面と
の対向間隔Ｂが０．５〜１．５mm程度となるように配置
されている（図３参照）。
ステム１に組み込まれるこの発明の現像装置８は、図２
に示すように、ウエハＷを収容する筒状の処理容器２０
と、ウエハＷを水平状態に吸着保持する回転保持手段と
してのスピンチャック２１と、スピンチャック２１の上
方に位置して、処理液としての現像液の供給源２２から
供給される現像液ＬをウエハＷの表面（上面）に供給す
る処理液供給手段としての処理液供給ノズル２３とを具
備してなり、処理容器２０におけるウエハＷの裏面周縁
部の近傍位置に現像液Ｌのウエハ裏面側への侵入を阻止
するための筒状部分の厚さ（幅）Ａが５〜１５mm程度の
頂面２４ａを有する円筒壁２４を周設してなる（図３参
照）。この円筒壁２４は例えば塩化ビニールあるいはセ
ラミックス等のような耐水性及び耐蝕性を有する部材に
て形成されている。この円筒壁２４の外径直径方向の大
きさは、頂面２４ａの直径が、ウエハＷの直径よりも１
０ｍｍ程度内側つまりウエハＷの例えばオリエンテーシ
ョンフラットよりも内側になるような直径とされてお
り、また、円筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面と
の対向間隔Ｂが０．５〜１．５mm程度となるように配置
されている（図３参照）。
【００２５】上記円筒壁２４の頂面２４ａは、リンス液
Ｒの液膜を容易に形成させるために、以下のように形成
されている。すなわち、図４（ａ）に示すように、円筒
壁２４の頂面２４ａに適宜間隔をおいて複数の凹凸条２
４ｅを設けるか、図４（ｂ）に示すように、円筒壁２４
の頂面２４ａに例えば円弧状の凹部２４ｆを設けるなど
によって、円筒壁２４の頂面２４ａのリンス液Ｒとの接
触面積等を大きくすることができ、円筒壁２４の頂面２
４ａとウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒの液膜
を確実に形成することができる。
Ｒの液膜を容易に形成させるために、以下のように形成
されている。すなわち、図４（ａ）に示すように、円筒
壁２４の頂面２４ａに適宜間隔をおいて複数の凹凸条２
４ｅを設けるか、図４（ｂ）に示すように、円筒壁２４
の頂面２４ａに例えば円弧状の凹部２４ｆを設けるなど
によって、円筒壁２４の頂面２４ａのリンス液Ｒとの接
触面積等を大きくすることができ、円筒壁２４の頂面２
４ａとウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒの液膜
を確実に形成することができる。
【００２６】上記処理容器２０は、スピンチャック２１
及びこのスピンチャック２１にて保持されるウエハＷの
外周を包囲する有底筒状の外容器２５と、ウエハＷの下
方側に配置される内容器２６とで構成されており、内容
器２６の上面に上記円筒壁２４が周設されている。この
場合、円筒壁２４の下部から外向きに突設するフランジ
部２４ｂの周方向に設けられた４つの取付部２４ｃの取
付孔２４ｄにボルト（図示せず）をもって処理容器２０
の内容器２６の上面側に固定される（図３参照）。ま
た、処理容器２０の底部には排気ポンプ２７に接続する
排気口２８が設けられると共に、図示しない排液装置に
接続する排液口２９が設けられている。
及びこのスピンチャック２１にて保持されるウエハＷの
外周を包囲する有底筒状の外容器２５と、ウエハＷの下
方側に配置される内容器２６とで構成されており、内容
器２６の上面に上記円筒壁２４が周設されている。この
場合、円筒壁２４の下部から外向きに突設するフランジ
部２４ｂの周方向に設けられた４つの取付部２４ｃの取
付孔２４ｄにボルト（図示せず）をもって処理容器２０
の内容器２６の上面側に固定される（図３参照）。ま
た、処理容器２０の底部には排気ポンプ２７に接続する
排気口２８が設けられると共に、図示しない排液装置に
接続する排液口２９が設けられている。
【００２７】一方、スピンチャック２１の上方には、洗
浄液としてのリンス液Ｒの供給源３０に接続する洗浄液
供給手段としての第１の洗浄液噴射ノズル３１が配設さ
れており、また、円筒壁２４の内方側にはウエハＷの裏
面周縁部に向ってリンス液を噴射する複数例えば４個の
第２の洗浄液噴射ノズル３２が配設されている。この第
２の洗浄液噴射ノズル３２の噴口（図示せず）は円筒壁
２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に向っ
てリンス液を噴射するように設けられており、この第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを噴射すると共
に、スピンチャック２１を駆動してウエハＷを回転する
ことにより、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面
２４ａとの間に、毛管現象によってリンス液Ｒの液膜
（液溜り）が形成されるようになっている。
浄液としてのリンス液Ｒの供給源３０に接続する洗浄液
供給手段としての第１の洗浄液噴射ノズル３１が配設さ
れており、また、円筒壁２４の内方側にはウエハＷの裏
面周縁部に向ってリンス液を噴射する複数例えば４個の
第２の洗浄液噴射ノズル３２が配設されている。この第
２の洗浄液噴射ノズル３２の噴口（図示せず）は円筒壁
２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に向っ
てリンス液を噴射するように設けられており、この第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを噴射すると共
に、スピンチャック２１を駆動してウエハＷを回転する
ことにより、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面
２４ａとの間に、毛管現象によってリンス液Ｒの液膜
（液溜り）が形成されるようになっている。
【００２８】また、上記スピンチャック２１の駆動モー
タ３３、昇降機構３４、現像液供給源２２、処理液供給
ノズル２３、リンス液供給源３０及び第１，第２の洗浄
液噴射ノズル３１，３２は、それぞれ回転数、昇降位
置、現像液供給量及びリンス液供給量を制御するための
制御部３５に接続されており、相対的な制御が可能に構
成されている。
タ３３、昇降機構３４、現像液供給源２２、処理液供給
ノズル２３、リンス液供給源３０及び第１，第２の洗浄
液噴射ノズル３１，３２は、それぞれ回転数、昇降位
置、現像液供給量及びリンス液供給量を制御するための
制御部３５に接続されており、相対的な制御が可能に構
成されている。
【００２９】なお、上記現像装置８を構成する処理容器
２０、スピンチャック２１、処理液供給ノズル２３及び
第１，第２の洗浄液噴射ノズル３１，３２は処理室３６
内に収容されている。また、処理容器２０の上方位置に
は、温度、湿度を予め定めた設定値に調整された気流を
処理容器２０内に向って供給可能に構成された図示しな
い温度湿度調整機構が配置されている。
２０、スピンチャック２１、処理液供給ノズル２３及び
第１，第２の洗浄液噴射ノズル３１，３２は処理室３６
内に収容されている。また、処理容器２０の上方位置に
は、温度、湿度を予め定めた設定値に調整された気流を
処理容器２０内に向って供給可能に構成された図示しな
い温度湿度調整機構が配置されている。
【００３０】次に、この発明の処理方法について、図５
及び図６を参照して説明する。
及び図６を参照して説明する。
【００３１】★第１処理方法 まず、メインアーム５によってウエハＷをスピンチャッ
ク２１に自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウ
エハＷが８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好
ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円筒壁２４の
頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に供給して、
現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４の頂面２４
ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリ
ンス液Ｒの液膜を形成する（図５（ａ）参照）。
ク２１に自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウ
エハＷが８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好
ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２
の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円筒壁２４の
頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に供給して、
現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４の頂面２４
ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリ
ンス液Ｒの液膜を形成する（図５（ａ）参照）。
【００３２】次に、リンス液Ｒの供給を停止した後、ウ
エハＷを例えば２０００ｒｐｍにて高速回転させなが
ら、ウエハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３か
らスプレー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給した
後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転させながら例えば２秒
間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを液盛り
すると共に（図５（ｂ）参照）、ウエハＷ表面上の現像
液Ｌを遠心力により周辺に向って拡散させてウエハＷの
表面に現像液膜を形成する（図５（ｃ）参照）。この
際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆動して処理容器２０
内の排気及び排液を外部に排出する。このようにして、
ウエハＷ表面に現像液を液盛りした後、ウエハＷの回転
を停止して例えば５０秒間現像処理を行う。また、この
処理雰囲気の温度、湿度は、予め定めた設定値に自動制
御されている。
エハＷを例えば２０００ｒｐｍにて高速回転させなが
ら、ウエハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３か
らスプレー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給した
後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転させながら例えば２秒
間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを液盛り
すると共に（図５（ｂ）参照）、ウエハＷ表面上の現像
液Ｌを遠心力により周辺に向って拡散させてウエハＷの
表面に現像液膜を形成する（図５（ｃ）参照）。この
際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆動して処理容器２０
内の排気及び排液を外部に排出する。このようにして、
ウエハＷ表面に現像液を液盛りした後、ウエハＷの回転
を停止して例えば５０秒間現像処理を行う。また、この
処理雰囲気の温度、湿度は、予め定めた設定値に自動制
御されている。
【００３３】この現像処理時に、ウエハＷの裏面周縁部
と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に、ウエハＷの周縁か
ら裏回りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込ん
でくるが、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２
４ａとの間にリンス液Ｒの液膜が形成されているため、
この液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方
へは現像液Ｌが侵入することを阻止することができると
共に、回り込んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ
落ち、処理容器２０の底部に溜り、排液口２９を介して
外部に排出される。
と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に、ウエハＷの周縁か
ら裏回りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込ん
でくるが、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２
４ａとの間にリンス液Ｒの液膜が形成されているため、
この液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方
へは現像液Ｌが侵入することを阻止することができると
共に、回り込んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ
落ち、処理容器２０の底部に溜り、排液口２９を介して
外部に排出される。
【００３４】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図５
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図５
（ｄ）参照）。
【００３５】★第２処理方法 まず、上記第１処理方法と同様に、メインアーム５によ
ってウエハＷをスピンチャック２１に自動的に搬送し位
置決め保持する。そして、ウエハＷを例えば１０〜１０
０ｒｐｍ好ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させ
ながら第２の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円
筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に
供給して、現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４
の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象
によってリンス液Ｒの液膜を形成する（図６（ａ）参
照）。
ってウエハＷをスピンチャック２１に自動的に搬送し位
置決め保持する。そして、ウエハＷを例えば１０〜１０
０ｒｐｍ好ましくは３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させ
ながら第２の洗浄液噴射ノズル３２からリンス液Ｒを円
筒壁２４の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に
供給して、現像液Ｌの供給に先立って予め、円筒壁２４
の頂面２４ａとウエハＷの裏面周縁部との間に毛管現象
によってリンス液Ｒの液膜を形成する（図６（ａ）参
照）。
【００３６】次に、リンス液Ｒの供給を停止した後、ウ
エハＷを停止させた状態で、ウエハＷの上面（表面）に
処理液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例え
ば０．５秒間供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを供給す
る（図６（ｂ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポ
ンプをの駆動を停止して、例えば１分間処理室３６内の
処理雰囲気を現像液Ｌの蒸気雰囲気に維持して、表面張
力によって現像液ＬをウエハＷの表面に保持させて現像
液膜を形成し現像処理する（図６（ｃ）参照）。このよ
うにウエハＷを停止し、排気等を停止して現像液の蒸気
雰囲気の下で現像処理を行うことにより、排気動作によ
る気流の発生もなく均一なスプレー状態で現像液Ｌを供
給できるため、均一な現像液膜を形成することができ
る。なお、この処理雰囲気の温度、湿度は、予め定めた
設定値に自動制御されている。
エハＷを停止させた状態で、ウエハＷの上面（表面）に
処理液供給ノズル２３からスプレー状に現像液Ｌを例え
ば０．５秒間供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを供給す
る（図６（ｂ）参照）。この際、排気ポンプ及び排液ポ
ンプをの駆動を停止して、例えば１分間処理室３６内の
処理雰囲気を現像液Ｌの蒸気雰囲気に維持して、表面張
力によって現像液ＬをウエハＷの表面に保持させて現像
液膜を形成し現像処理する（図６（ｃ）参照）。このよ
うにウエハＷを停止し、排気等を停止して現像液の蒸気
雰囲気の下で現像処理を行うことにより、排気動作によ
る気流の発生もなく均一なスプレー状態で現像液Ｌを供
給できるため、均一な現像液膜を形成することができ
る。なお、この処理雰囲気の温度、湿度は、予め定めた
設定値に自動制御されている。
【００３７】この現像処理時には、上記第１の処理方法
と同様、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４
ａとの間に、ウエハＷの周縁から裏回りにより、現像液
ＬがウエハＷの裏面に回り込んでくるが、ウエハＷの裏
面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に既にリンス
液Ｒの液膜が形成されているため、この液膜の自己保持
力の作用により、円筒壁２４の内方へは現像液Ｌが侵入
することを阻止することができると共に、回り込んだ現
像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ちる。
と同様、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４
ａとの間に、ウエハＷの周縁から裏回りにより、現像液
ＬがウエハＷの裏面に回り込んでくるが、ウエハＷの裏
面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの間に既にリンス
液Ｒの液膜が形成されているため、この液膜の自己保持
力の作用により、円筒壁２４の内方へは現像液Ｌが侵入
することを阻止することができると共に、回り込んだ現
像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ちる。
【００３８】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図６
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図６
（ｄ）参照）。
【００３９】次に、上記円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａ
と現像液Ｌの裏面回り込みとの関係、ウエハＷの裏面周
縁部と円筒壁２４の頂面との隙間Ｂと現像液Ｌの裏面回
り込みとの関係について、実験に基いて説明する。
と現像液Ｌの裏面回り込みとの関係、ウエハＷの裏面周
縁部と円筒壁２４の頂面との隙間Ｂと現像液Ｌの裏面回
り込みとの関係について、実験に基いて説明する。
【００４０】円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａを５ｍｍ〜
２０ｍｍ内の適宜寸法にかえて、以下の条件の下で、ウ
エハＷの裏面周縁部の回り込み発生数を求める実験を行
った。
２０ｍｍ内の適宜寸法にかえて、以下の条件の下で、ウ
エハＷの裏面周縁部の回り込み発生数を求める実験を行
った。
【００４１】 ☆条件 ウエハＷ：６インチウエハを使用し、親和性をもたせるために表面にレジスト を塗布した。 円筒壁２４の頂面２４ａ：平坦状頂面 ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の頂面２４ａとの隙間Ｂ：１ｍｍ 現像液Ｌ：実際の現像液より回り込み易い状況を作るために界面活性剤入り現 像液を使用し、ウエハＷの裏面の接触角を３°以下とした。 現像液Ｌの吐出条件：１．８Ｋｇ／ｃｍ2 ，２８．０ｃｃ ウエハＷの処理枚数：１５枚 洗浄液：純水。
【００４２】上記条件の下で実験を行ったところ、図７
に示すような結果が得られ、円筒壁２４の頂面２４ａの
幅Ａが５〜１５ｍｍの範囲内のとき、現像液Ｌの回り込
みを阻止することができ、６〜１４ｍｍの範囲内のとき
の回り込み発生数を１０枚以下にすることができた。ま
た、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａが８〜１２ｍｍの範
囲内では回り込み発生数を６枚以下にすることができ、
回り込みの阻止を有効に行えることが判った。また、幅
Ａが１０ｍｍのときには回り込み発生数が５枚であり、
最も回り込み発生数が少なかった。なお、幅Ａが２０ｍ
ｍの場合には回り込み発生数が９枚と少ないが、この場
合には幅Ａが広いため、現像処理後の洗浄処理後に現像
液Ｌがウエハ裏面に残こるという別の問題があった。
に示すような結果が得られ、円筒壁２４の頂面２４ａの
幅Ａが５〜１５ｍｍの範囲内のとき、現像液Ｌの回り込
みを阻止することができ、６〜１４ｍｍの範囲内のとき
の回り込み発生数を１０枚以下にすることができた。ま
た、円筒壁２４の頂面２４ａの幅Ａが８〜１２ｍｍの範
囲内では回り込み発生数を６枚以下にすることができ、
回り込みの阻止を有効に行えることが判った。また、幅
Ａが１０ｍｍのときには回り込み発生数が５枚であり、
最も回り込み発生数が少なかった。なお、幅Ａが２０ｍ
ｍの場合には回り込み発生数が９枚と少ないが、この場
合には幅Ａが広いため、現像処理後の洗浄処理後に現像
液Ｌがウエハ裏面に残こるという別の問題があった。
【００４３】上記実験では、ウエハＷの裏面周縁部と円
筒壁２４の頂面２４ａとの隙間Ｂが１ｍｍの場合につい
ての実験であるが、この間隙Ｂを０．５〜１．５ｍｍの
範囲で適宜かえて同様な実験を行ったところ、幅Ａが１
４〜６ｍｍ（間隙Ｂが０．５ｍｍに対して幅Ａが１４ｍ
ｍ〜間隙がＢ１．５ｍｍに対して幅Ａが６ｍｍ）の場合
には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られ、間隙Ｂを
０．６７〜１．３ｍｍと狭く設定した場合には幅Ａが１
５〜５ｍｍ（間隙Ｂが０．６７ｍｍに対して幅Ａが１５
ｍｍ〜間隙Ｂが１．３ｍｍに対して幅Ａが５ｍｍ）の場
合には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られた。
筒壁２４の頂面２４ａとの隙間Ｂが１ｍｍの場合につい
ての実験であるが、この間隙Ｂを０．５〜１．５ｍｍの
範囲で適宜かえて同様な実験を行ったところ、幅Ａが１
４〜６ｍｍ（間隙Ｂが０．５ｍｍに対して幅Ａが１４ｍ
ｍ〜間隙がＢ１．５ｍｍに対して幅Ａが６ｍｍ）の場合
には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られ、間隙Ｂを
０．６７〜１．３ｍｍと狭く設定した場合には幅Ａが１
５〜５ｍｍ（間隙Ｂが０．６７ｍｍに対して幅Ａが１５
ｍｍ〜間隙Ｂが１．３ｍｍに対して幅Ａが５ｍｍ）の場
合には上記実験結果とほぼ同様の結果が得られた。
【００４４】次に、別の実施形態の円筒壁２４について
図８を参照して説明する。図８に示す実施形態は、円筒
壁２４の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間の液膜を更
に確実に形成することができるようにすると共に、現像
液ＬのウエハＷ裏面内方への侵入抑制及び処理後の現像
液Ｌの振り切り時の現像液Ｌの排出促進を図れるように
した場合である。
図８を参照して説明する。図８に示す実施形態は、円筒
壁２４の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間の液膜を更
に確実に形成することができるようにすると共に、現像
液ＬのウエハＷ裏面内方への侵入抑制及び処理後の現像
液Ｌの振り切り時の現像液Ｌの排出促進を図れるように
した場合である。
【００４５】すなわち、図４（ａ）に示した凹凸条２４
ｅに代えて、円筒壁２４の頂面に、略垂直状の内周側壁
４０ａとこの内周側壁４０ａの下端から外方に向って上
り傾斜する外周側壁４０ｂとからなる複数（図面では２
つの場合を示す）の略断面Ｖ字形の凹条４０を形成した
場合である。この凹条４０を有する円筒壁２４の頂面の
幅Ａは上記実施形態と同様に５〜１５ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。この
ように、円筒壁２４の頂面に、複数の略断面Ｖ字形の凹
条４０を形成することにより、円筒壁２４の頂面の表面
積を増大させて液膜の形成を容易にすることができ、か
つ、現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入抑制及び円筒壁
２４の頂面とウエハ裏面周縁部との間の液膜の現像処理
後の排出促進を図ることができる。つまり、内周側壁４
０ａを略垂直状に形成することにより、液の流れに対す
る抵抗力が大きくなるので、ウエハ裏面に回り込む現像
液Ｌの内方への侵入を抑制することができ（図８（ｂ）
参照）、また、処理後に現像液Ｌの振り切りを行う際に
は、外周側壁４０ｂの上り傾斜面の、液の流れに対する
抵抗力は小さいので、液は流れ易くなり、この傾斜面を
利用して液膜の液滴Ｍの排出を促進することができる
（図８（ｃ）参照）。
ｅに代えて、円筒壁２４の頂面に、略垂直状の内周側壁
４０ａとこの内周側壁４０ａの下端から外方に向って上
り傾斜する外周側壁４０ｂとからなる複数（図面では２
つの場合を示す）の略断面Ｖ字形の凹条４０を形成した
場合である。この凹条４０を有する円筒壁２４の頂面の
幅Ａは上記実施形態と同様に５〜１５ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。この
ように、円筒壁２４の頂面に、複数の略断面Ｖ字形の凹
条４０を形成することにより、円筒壁２４の頂面の表面
積を増大させて液膜の形成を容易にすることができ、か
つ、現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入抑制及び円筒壁
２４の頂面とウエハ裏面周縁部との間の液膜の現像処理
後の排出促進を図ることができる。つまり、内周側壁４
０ａを略垂直状に形成することにより、液の流れに対す
る抵抗力が大きくなるので、ウエハ裏面に回り込む現像
液Ｌの内方への侵入を抑制することができ（図８（ｂ）
参照）、また、処理後に現像液Ｌの振り切りを行う際に
は、外周側壁４０ｂの上り傾斜面の、液の流れに対する
抵抗力は小さいので、液は流れ易くなり、この傾斜面を
利用して液膜の液滴Ｍの排出を促進することができる
（図８（ｃ）参照）。
【００４６】なお、図８に示す実施形態における円筒壁
２４を使用する場合、上記実施形態と同様に現像液Ｌを
供給する前に、図８（ａ）に想像線で示すように、第２
の洗浄液噴射ノズル３２から予め円筒壁２４の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒを噴射して液膜
を形成するようにしてもよい。なお、図８に示す実施形
態において、その他の部分は上記実施形態と同じである
ので、その説明は省略する。
２４を使用する場合、上記実施形態と同様に現像液Ｌを
供給する前に、図８（ａ）に想像線で示すように、第２
の洗浄液噴射ノズル３２から予め円筒壁２４の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒを噴射して液膜
を形成するようにしてもよい。なお、図８に示す実施形
態において、その他の部分は上記実施形態と同じである
ので、その説明は省略する。
【００４７】次に、更に別の実施形態の円筒壁２４を用
いた処理装置について図９及び図１０を参照して説明す
る。この実施形態は、円筒壁２４の頂面とウエハＷの裏
面周縁部との間の液膜を更に確実に形成することができ
るようにすると共に、現像液ＬのウエハＷ裏面内方への
侵入抑制及び処理後の現像液Ｌの振り切り時の現像液Ｌ
の排出促進を図れるようにし、かつ現像液Ｌ及びリンス
液Ｒの排液を確実に行えるようにした場合である。
いた処理装置について図９及び図１０を参照して説明す
る。この実施形態は、円筒壁２４の頂面とウエハＷの裏
面周縁部との間の液膜を更に確実に形成することができ
るようにすると共に、現像液ＬのウエハＷ裏面内方への
侵入抑制及び処理後の現像液Ｌの振り切り時の現像液Ｌ
の排出促進を図れるようにし、かつ現像液Ｌ及びリンス
液Ｒの排液を確実に行えるようにした場合である。
【００４８】すなわち、図９に示すように、上記実施形
態と同様に、処理容器２０の内容器２６の上面に周設さ
れる円筒壁２４の頂面に、凹溝４１と、この凹溝４１に
関して内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層
４２及び外壁層４３を形成した場合である。この場合、
内壁層４２及び外壁層４３の凹凸条の凹条部は、上記図
８に示した実施形態と同様に内周側壁４０ａに対して外
周側壁４０ｂが外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝にて形成
されている。また、凹溝４１の底部には適宜間隔をおい
て複数例えば６個の排液口４４が形成されている（図１
０参照）。この内壁層４２，外壁層４３及び凹溝４１を
有する円筒壁２４の頂面の幅Ａ′は１５〜１７ｍｍ程度
に設定され凹溝４１の幅Ａ1は３〜５ｍｍ程度，内壁層
４２及び外壁層４３の幅Ａ2は５〜７ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。
態と同様に、処理容器２０の内容器２６の上面に周設さ
れる円筒壁２４の頂面に、凹溝４１と、この凹溝４１に
関して内外周側にそれぞれ複数の凹凸条を有する内壁層
４２及び外壁層４３を形成した場合である。この場合、
内壁層４２及び外壁層４３の凹凸条の凹条部は、上記図
８に示した実施形態と同様に内周側壁４０ａに対して外
周側壁４０ｂが外周方向へ傾斜する略Ｖ字形溝にて形成
されている。また、凹溝４１の底部には適宜間隔をおい
て複数例えば６個の排液口４４が形成されている（図１
０参照）。この内壁層４２，外壁層４３及び凹溝４１を
有する円筒壁２４の頂面の幅Ａ′は１５〜１７ｍｍ程度
に設定され凹溝４１の幅Ａ1は３〜５ｍｍ程度，内壁層
４２及び外壁層４３の幅Ａ2は５〜７ｍｍ程度に設定さ
れ、頂面とウエハＷの裏面との対向間隔Ｂは０．５〜
１．５ｍｍ程度となるように配置される。また凹条４０
の深さＣは１．０〜２．０ｍｍ程度に設定される。
【００４９】上記のように構成することにより、ウエハ
Ｗ裏面へ回り込む現像液Ｌの侵入をまず外壁層４３にて
抑制（阻止）し、次に外壁層４３を通過する現像液Ｌが
あった場合には、この現像液Ｌを内壁層４２にて抑制
（阻止）することができるので、処理時にウエハＷの裏
面に回り込む現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入を更に
確実に阻止することができる。また、凹溝４１において
現像液Ｌや洗浄に供されるリンス液Ｒの一部を受け止め
て内壁層４２側への侵入を抑制することができると共
に、排液口４４を介して外部へ排出することができる。
Ｗ裏面へ回り込む現像液Ｌの侵入をまず外壁層４３にて
抑制（阻止）し、次に外壁層４３を通過する現像液Ｌが
あった場合には、この現像液Ｌを内壁層４２にて抑制
（阻止）することができるので、処理時にウエハＷの裏
面に回り込む現像液Ｌのウエハ裏面内方への侵入を更に
確実に阻止することができる。また、凹溝４１において
現像液Ｌや洗浄に供されるリンス液Ｒの一部を受け止め
て内壁層４２側への侵入を抑制することができると共
に、排液口４４を介して外部へ排出することができる。
【００５０】なお、内容器２６には第２の洗浄液噴射ノ
ズル３２が組込まれており、このノズル３２から内壁層
４２の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒ
が噴射されてリンス液Ｒの液膜が形成されるように構成
されている。また、処理容器２０の上部開口部は図示し
ない昇降機構によって処理容器２０に対して進退可能な
蓋体５０が設けられており、現像処理時にこの蓋体５０
がウエハＷの上方の所定距離位置まで下降し、処理容器
２０と共働して処理雰囲気空間を形成し得るように構成
されている。
ズル３２が組込まれており、このノズル３２から内壁層
４２の頂面とウエハＷの裏面周縁部との間にリンス液Ｒ
が噴射されてリンス液Ｒの液膜が形成されるように構成
されている。また、処理容器２０の上部開口部は図示し
ない昇降機構によって処理容器２０に対して進退可能な
蓋体５０が設けられており、現像処理時にこの蓋体５０
がウエハＷの上方の所定距離位置まで下降し、処理容器
２０と共働して処理雰囲気空間を形成し得るように構成
されている。
【００５１】次に、上記実施形態を用いた処理方法につ
いて、図１１を参照して説明する。
いて、図１１を参照して説明する。
【００５２】まず、上記第１，２処理方法と同様に、メ
インアーム５によってウエハＷをスピンチャック２１に
自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウエハＷが
８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好ましくは
３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２の洗浄液
噴射ノズル３２からリンス液Ｒを内壁層４２の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間に供給して、現像液Ｌの供給
に先立って予め、円筒壁２４の内壁層４２の頂面とウエ
ハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリンス液Ｒ
の液膜を形成する（図１１（ａ）参照）。
インアーム５によってウエハＷをスピンチャック２１に
自動的に搬送し位置決め保持する。そして、ウエハＷが
８インチの場合、例えば１０〜１００ｒｐｍ好ましくは
３０〜６０ｒｐｍにて低速回転させながら第２の洗浄液
噴射ノズル３２からリンス液Ｒを内壁層４２の頂面とウ
エハＷの裏面周縁部との間に供給して、現像液Ｌの供給
に先立って予め、円筒壁２４の内壁層４２の頂面とウエ
ハＷの裏面周縁部との間に毛管現象によってリンス液Ｒ
の液膜を形成する（図１１（ａ）参照）。
【００５３】次に、リンス液Ｒの供給を停止した後、ウ
エハＷを例えば２０００ｒｐｍにて高速回転させなが
ら、ウエハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３か
らスプレー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給した
後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転させながら例えば２秒
間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを液盛り
すると共に（図１１（ｂ）参照）、ウエハＷ表面上の現
像液Ｌを遠心力により周辺に向って拡散させてウエハＷ
の表面に現像液膜を形成する（図１１（ｃ）参照）。こ
の際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆動して処理容器２
０内の排気及び排液を外部に排出する。このようにし
て、ウエハＷ表面に現像液を液盛りした後、ウエハＷの
回転を停止して例えば５０秒間現像処理を行う。この処
理雰囲気の温度、湿度は、上記実施形態と同様予め定め
た設定値に自動制御されている。
エハＷを例えば２０００ｒｐｍにて高速回転させなが
ら、ウエハＷの上面（表面）に処理液供給ノズル２３か
らスプレー状に現像液Ｌを例えば０．５秒間供給した
後、３０ｒｐｍ程度にて低速回転させながら例えば２秒
間現像液Ｌを供給してウエハＷ表面に現像液Ｌを液盛り
すると共に（図１１（ｂ）参照）、ウエハＷ表面上の現
像液Ｌを遠心力により周辺に向って拡散させてウエハＷ
の表面に現像液膜を形成する（図１１（ｃ）参照）。こ
の際、排気ポンプ及び排液ポンプを駆動して処理容器２
０内の排気及び排液を外部に排出する。このようにし
て、ウエハＷ表面に現像液を液盛りした後、ウエハＷの
回転を停止して例えば５０秒間現像処理を行う。この処
理雰囲気の温度、湿度は、上記実施形態と同様予め定め
た設定値に自動制御されている。
【００５４】この現像処理時に、ウエハＷの裏面周縁部
と円筒壁２４の頂面との間に、ウエハＷの周縁から裏回
りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込んできた
場合には、ウエハＷの裏面周縁部に近接する円筒壁２４
の外壁層４３によって受け止め、毛管現象によって現像
液Ｌの液膜を形成し、この液膜の自己保持力の作用によ
ってそれ以上内方への侵入を抑制する。また、この液膜
を通過して更に内方へ侵入する現像液Ｌは凹溝４１に受
け止められ、更に内方へ侵入する現像液ＬはウエハＷの
裏面周縁部と内壁層４２との間に形成されたリンス液Ｒ
の液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方へ
の侵入が阻止される。また、ウエハＷの裏面側へ回り込
んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ち、また凹
溝４１に設けられた排液口４４から流れて処理容器２０
の底部に溜り、排液口２９を介して外部に排出される。
と円筒壁２４の頂面との間に、ウエハＷの周縁から裏回
りにより、現像液ＬがウエハＷの裏面に回り込んできた
場合には、ウエハＷの裏面周縁部に近接する円筒壁２４
の外壁層４３によって受け止め、毛管現象によって現像
液Ｌの液膜を形成し、この液膜の自己保持力の作用によ
ってそれ以上内方への侵入を抑制する。また、この液膜
を通過して更に内方へ侵入する現像液Ｌは凹溝４１に受
け止められ、更に内方へ侵入する現像液ＬはウエハＷの
裏面周縁部と内壁層４２との間に形成されたリンス液Ｒ
の液膜の自己保持力の作用により、円筒壁２４の内方へ
の侵入が阻止される。また、ウエハＷの裏面側へ回り込
んだ現像液Ｌは円筒壁２４の外周面を流れ落ち、また凹
溝４１に設けられた排液口４４から流れて処理容器２０
の底部に溜り、排液口２９を介して外部に排出される。
【００５５】上記現像処理が行われた後、ウエハＷを例
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図１１
（ｄ）参照）。
えば２０００ｒｐｍにて回転させながら第１の洗浄液噴
射ノズル３１からリンス液ＲをウエハＷの表面に供給
（噴射）すると共に、第２の洗浄液噴射ノズル３２から
リンス液ＲをウエハＷの裏面周縁部に向けて供給（噴
射）して、ウエハＷの表面及び裏面を洗浄する（図１１
（ｄ）参照）。
【００５６】上記のようにして洗浄処理が終了した後、
ウエハＷを例えば５０００〜６０００ｒｐｍにて回転さ
せてウエハＷに付着するリンス液Ｒを遠心力によって振
り切る。この際、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の
頂面すなわち内壁層４２及び外壁層４３との間に形成さ
れた液膜は内壁層４２及び外壁層４３外周側壁４０ｂの
傾斜面を利用して液滴Ｍとして外方へ飛散される（図８
（ｃ）参照）。
ウエハＷを例えば５０００〜６０００ｒｐｍにて回転さ
せてウエハＷに付着するリンス液Ｒを遠心力によって振
り切る。この際、ウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の
頂面すなわち内壁層４２及び外壁層４３との間に形成さ
れた液膜は内壁層４２及び外壁層４３外周側壁４０ｂの
傾斜面を利用して液滴Ｍとして外方へ飛散される（図８
（ｃ）参照）。
【００５７】上記処理方法では、現像液Ｌの供給前に、
予めウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の内壁層４２の
頂面との間にリンス液Ｒの液膜を形成する場合について
説明したが、必ずしも現像液の供給前にこのような液膜
を形成しなくても、現像処理時にウエハＷの裏面に回り
込む現像液Ｌを外壁層４３，凹溝４１及び内壁層４２に
よって阻止することができる。
予めウエハＷの裏面周縁部と円筒壁２４の内壁層４２の
頂面との間にリンス液Ｒの液膜を形成する場合について
説明したが、必ずしも現像液の供給前にこのような液膜
を形成しなくても、現像処理時にウエハＷの裏面に回り
込む現像液Ｌを外壁層４３，凹溝４１及び内壁層４２に
よって阻止することができる。
【００５８】なお、上記実施形態では、この発明の処理
装置を半導体ウエハの現像装置に適用した場合について
説明したが、スピンコーティングによるレジスト塗布で
も、その他処理液の塗布であればいずれにも適用でき
る。また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板やＣＤ等の板
状の被処理体の処理にも適用できることは勿論である。
例えば、方形状のＬＣＤ基板の場合には、上記円筒壁２
４の形状をＬＣＤ基板より小さい角筒壁に形成する。
装置を半導体ウエハの現像装置に適用した場合について
説明したが、スピンコーティングによるレジスト塗布で
も、その他処理液の塗布であればいずれにも適用でき
る。また、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板やＣＤ等の板
状の被処理体の処理にも適用できることは勿論である。
例えば、方形状のＬＣＤ基板の場合には、上記円筒壁２
４の形状をＬＣＤ基板より小さい角筒壁に形成する。
【００５９】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１ないし
８記載の発明によれば、半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又は
ＣＤ等の板状の被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面
に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を有効に
形成することができるので、処理工程時に現像液又はレ
ジスト液等の処理液が被処理体の表面に供給されて表面
に拡散され、被処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄
液の液膜によって阻止することができる。また、上記液
膜は洗浄液によって形成されるので、処理後の洗浄工程
で使用される洗浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供
することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
この場合、被処理体を静止させると共に、処理雰囲気を
処理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理体全面に
拡散させることにより、排気動作による気流の発生もな
く処理液を供給することができるので、均一な処理液膜
を形成することができる（請求項３）。
８記載の発明によれば、半導体ウエハ、ＬＣＤ基板又は
ＣＤ等の板状の被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面
に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を有効に
形成することができるので、処理工程時に現像液又はレ
ジスト液等の処理液が被処理体の表面に供給されて表面
に拡散され、被処理体の裏面に回り込みが生じても洗浄
液の液膜によって阻止することができる。また、上記液
膜は洗浄液によって形成されるので、処理後の洗浄工程
で使用される洗浄液と相俟って被処理体の裏面洗浄に供
することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
この場合、被処理体を静止させると共に、処理雰囲気を
処理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理体全面に
拡散させることにより、排気動作による気流の発生もな
く処理液を供給することができるので、均一な処理液膜
を形成することができる（請求項３）。
【００６０】また、請求項９記載の発明によれば、処理
時に現像液又はレジスト液等の処理液が半導体ウエハ、
ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の裏面に回り込
み内方へ侵入するのを内周側壁によって阻止することが
でき、また、円筒壁の頂面の表面積を増大させること
で、円筒壁と被処理体裏面との間に容易に液膜を形成す
ることができ、この液膜によって処理液の被処理体裏面
内方側への侵入を抑制することができる。また、処理後
の処理液の振り切り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利
用して液滴を容易に外方に排出することができるので、
処理能率の向上及び歩留まりの向上を図ることができ
る。
時に現像液又はレジスト液等の処理液が半導体ウエハ、
ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の裏面に回り込
み内方へ侵入するのを内周側壁によって阻止することが
でき、また、円筒壁の頂面の表面積を増大させること
で、円筒壁と被処理体裏面との間に容易に液膜を形成す
ることができ、この液膜によって処理液の被処理体裏面
内方側への侵入を抑制することができる。また、処理後
の処理液の振り切り時には、凹条の外周側壁の傾斜を利
用して液滴を容易に外方に排出することができるので、
処理能率の向上及び歩留まりの向上を図ることができ
る。
【００６１】また、請求項１０ないし１３記載の発明に
よれば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側にそれ
ぞれ洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を有す
る内壁層及び外壁層を形成することにより、半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体裏面へ回り
込む現像液又はレジスト液等の処理液の侵入をまず外壁
層にて阻止し、外壁層を通過する処理液を内壁層にて阻
止することができるので、処理液の侵入を確実に阻止す
ることができ、更に歩留まりの向上を図ることができ
る。
よれば、円筒壁の頂面に、凹溝に関して内外周側にそれ
ぞれ洗浄液の液膜を形成するための複数の凹凸条を有す
る内壁層及び外壁層を形成することにより、半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体裏面へ回り
込む現像液又はレジスト液等の処理液の侵入をまず外壁
層にて阻止し、外壁層を通過する処理液を内壁層にて阻
止することができるので、処理液の侵入を確実に阻止す
ることができ、更に歩留まりの向上を図ることができ
る。
【図１】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハの
塗布・現像処理システムの斜視図である。
塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】この発明の処理装置の断面図である。
【図３】この発明における被処理体と円筒壁の拡大断面
図である。
図である。
【図４】この発明における円筒壁の別の形態を示す断面
斜視図である。
斜視図である。
【図５】この発明の処理方法を示す説明図である。
【図６】この発明の別の処理方法を示す説明図である。
【図７】この発明における円筒壁の幅と回り込み発生数
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図８】この発明における円筒壁の別の実施形態の要部
断面図（ａ）、処理液の侵入抑制状態を示す概略断面図
（ｂ）及び処理液の排出状態を示す概略断面図（ｃ）で
ある。
断面図（ａ）、処理液の侵入抑制状態を示す概略断面図
（ｂ）及び処理液の排出状態を示す概略断面図（ｃ）で
ある。
【図９】この発明における円筒壁の更に別の実施形態を
用いた処理装置の概略断面図である。
用いた処理装置の概略断面図である。
【図１０】上記円筒壁の平面図（ａ）及びそのＩ−Ｉ線
に沿う拡大断面図（ｂ）である。
に沿う拡大断面図（ｂ）である。
【図１１】上記円筒壁を有する処理装置を用いた処理方
法の一例を示す説明図である。
法の一例を示す説明図である。
２０ 処理容器 ２１ スピンチャック（回転保持手段） ２３ 処理液供給ノズル（処理液供給手段） ２４ 円筒壁 ２４ａ 頂面 ２４ｅ 凹凸条 ２４ｆ 凹部 ３１ 第１の洗浄液噴射ノズル ３２ 第２の洗浄液噴射ノズル ３６ 処理室 ４０ 凹条 ４０ａ 内周側壁 ４０ｂ 外周側壁 ４１ 凹溝 ４２ 内壁層 ４３ 外壁層 ４４ 排液口 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ 現像液（処理液） Ｒ リンス液（洗浄液）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉原 孝介 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (56)参考文献 特開 平４−192514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−6843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−121719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−11311（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−354560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/16 502 G03F 7/30 502
Claims (13)
- 【請求項１】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理方法において、 上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成
し、 上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を形成
した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供給す
ることを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理方法において、 上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成す
る工程と、 上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を形成
した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供給す
る工程と、 上記被処理体を回転して上記処理液を被処理体全面に拡
散させる工程と、 上記被処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する
工程とを有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理方法において、 上記被処理体の表面に上記処理液を供給する前に、被処
理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の
頂面との間に洗浄液を供給して該洗浄液の液膜を形成す
る工程と、 上記洗浄液の供給を停止した後に、洗浄液の液膜を形成
した状態で、上記被処理体の表面に上記処理液を供給す
る工程と、 上記被処理体を静止させると共に、処理雰囲気を上記処
理液の蒸気雰囲気に維持して処理液を被処理体全面に拡
散させる工程と、 上記被処理体の表面及び裏面周縁部に洗浄液を供給する
工程とを有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 上記被処理体を回転させながら被処理体
の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面
との間に洗浄液を供給して、該洗浄液の液膜を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の
処理方法。 - 【請求項５】 上記被処理体を回転させながら被処理体
の表面に処理液を供給することを特徴とする請求項１な
いし３のいずれかに記載の処理方法。 - 【請求項６】 被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面
に近接する円筒壁の頂面との間に、５〜１５ｍｍの幅の
洗浄液の液膜を形成し、上記被処理体の裏面周縁部と被
処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間隔を、０．
５〜１．５ｍｍとしたことを特徴とする請求項１ないし
４のいずれかに記載の処理方法。 - 【請求項７】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理装置において、 上記 被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、 上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成し、 上記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔を０．５〜
１．５ｍｍとし、 かつ、上記円筒壁の頂面に上記洗浄液の液膜を形成する
ための凹凸条を形成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項８】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理装置において、 上記 被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、 上記円筒壁の頂面の幅を５〜１５ｍｍに形成し、 上記被処理体の裏面と円筒壁の頂面との間隔を０．５〜
１．５ｍｍとし、 かつ、上記円筒壁の頂面に上記洗浄液の液膜を形成する
ための凹部を形成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項９】 回転保持手段にて保持される半導体ウエ
ハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に現
像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の表
面を処理する処理装置において、 上記 被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、 上記円筒壁の頂面に、内周側壁に対して外周側壁が外周
方向へ傾斜する上記洗浄液の液膜を形成するための複数
の略Ｖ字形凹条を形成したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項１０】 回転保持手段にて保持される半導体ウ
エハ、ＬＣＤ基板又はＣＤ等の板状の被処理体の表面に
現像液又はレジスト液等の処理液を供給して被処理体の
表面を処理する処理装置において、 上記 被処理体の表面に上記処理液を供給する処理液供給
手段と、被処理体の表面及び裏面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、被処理体の裏面周縁部側に近接する部
位に配置される円筒壁とを具備し、 上記円筒壁の頂面に、凹溝を形成すると共に、この凹溝
に関して内外周側にそれぞれ上記洗浄液の液膜を形成す
るための複数の凹凸条を有する内壁層及び外壁層を形成
したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項１１】 内壁層及び外壁層の凹凸条の凹条部
が、内周側壁に対して外周側壁が外周方向へ傾斜する略
Ｖ字形溝であることを特徴とする請求項１０記載の処理
装置。 - 【請求項１２】 凹溝の底部に排液口を設けたことを特
徴とする請求項１０又は１１記載の処理装置。 - 【請求項１３】 上記被処理体の裏面に洗浄液を供給す
る洗浄液供給手段を具備し、上記洗浄液供給手段から上
記被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する内
壁層の頂面との間に洗浄液を供給して、該洗浄液の液膜
を形成可能にしたことを特徴とする請求項９ないし１２
のいずれかに記載の処理装置。
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-
1995
- 1995-08-18 JP JP23345695A patent/JP3198377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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