JP3197439U - 有機発光ダイオード(oled)製造用セラミックマスク - Google Patents
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Abstract
【課題】概してオプトエレクトロニクデバイスの製造に利用されるセラミックシールドマスクアセンブリを提供する。【解決手段】処理チャンバ内に配置されるシールドマスクアセンブリ107は、複数のマイクロアクチュエータ114によって接続されたマスク106とフレーム112とを含む。代替的に、マスク106及びフレーム112は、マスク106をフレーム112に接続するための、フック又はボルトによる取付け技術、或いは他の適切な溶接技術を使用することによって接続してもよい。マスク106は、さらに、内側フレーム103内に位置決めされるシート120を含むことができる。シート120は、堆積プロセスの間に基板上に特徴を移すために、基板に対して概ね所望の大きさ及び位置に特徴を付与するためのパターンを画定する特徴121を含むことができる。【選択図】図2
Description
本明細書に開示される実施形態は、概してマスクに関する。具体的には、本明細書に開示される実施形態は、概してオプトエレクトロニクデバイスの製造に利用されるセラミックマスクに関する。
有機物を利用するオプトエレクトロニクデバイスは、多くの理由でその需要が増大している。このようなデバイスの作製に使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機オプトエレクトロニクデバイスは、無機デバイスを上回るコスト利便性を有する可能性を持つ。同様に、柔軟性といった有機物に固有の特性は、フレキシブル基板上の堆積又は形成といった特定の用途にとって有利でありうる。有機オプトエレクトロニクデバイスの例には、有機発光ダイオードデバイス(OLED)、有機フォトトランジスタ、有機太陽電池、及び有機光検出器が含まれる。
OLEDの場合、有機物は従来の材料より有利であると考えられている。例えば、有機発光層が光を発する波長は、通常、適切なドーパントにより容易にチューニングすることができる。OLEDは、デバイス中を電流が流れるとき光を発する有機薄膜を利用する。OLEDは、スマートフォン及びフラットパネルディスプレイ、照明、並びにバックライティングといった用途に使用される技術としてますます注目されている。
OLED材料の蒸発による堆積の前及びその間において、実行と実行の間の小さな差異、並びに堆積中の温度変化は、マスク(例えば、基板表面上に特徴を移すために利用されるマスク)を変形又は破砕させる。処理中の温度の変動及び変化は、比較的小さな基板への蒸着によるパターニングのためのマスクの使用を制限する。さらに、マスクと基板表面との熱膨張係数の不一致により、多くの場合基板表面とマスクとの間に過度に広い間隙が形成され、その結果、堆積した膜が不均一になる、又は形状の変形が生じる。さらに、熱的プロセスの間のマスクからの熱膨張により、多くの場合、基板に接触する表面の平坦性が不十分となり、その結果、基板表面に堆積される構造の形状が変形する、又は反る。
したがって、オプトエレクトロニクデバイスの製造プロセスの間の熱的変形を最小に抑える改良型のマスクに対する継続的な需要がある。
本明細書に記載される実施形態は、概してオプトエレクトロニクデバイスの製造に利用されるセラミックシールドマスクアセンブリに関する。一実施形態では、シールドマスクアセンブリは、パターンを囲む複数のマスク支持体によって画定されるパターンを有するマスクであって、セラミック材料から製造されるマスクと、マスクに接続されるフレームとを含む。
別の実施形態では、シールドマスクアセンブリは、フレームと、セラミックフレームに接続されたセラミックマスクであって、パターンを画定する少なくとも一つの特徴を含むセラミックマスクと、パターンを画定する特徴の一方の側に隣接して形成された複数のマスク支持体とを含む。
本考案の上記の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本考案のより詳細な説明は、実施形態を参照することによって得ることができる。これらの実施形態のいくつかを添付の図面に示す。しかしながら、本考案は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本考案の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本考案の範囲を限定するとみなすべきではないことに留意されたい。
理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態内に有益に組み込むことができることが企図される。
本明細書に開示される実施形態は、概ね堆積の間に処理チャンバ内で利用されるシールドマスクアセンブリに関し、特にセラミック材料から製造されるシールドマスクアセンブリに関する。セラミックシールドマスクアセンブリは、基板上に材料を堆積させる間に基板表面上に特徴を移すために使用される。セラミックシールドマスクアセンブリは、シールドマスクアセンブリに、膜に望ましくない不均一性を生じさせうる変形を生じさせないために、堆積プロセスの間の熱膨張を最小に抑えることができる。セラミックシールドマスクアセンブリは、有機デバイスの発光層の堆積に利用され、このときディスプレイの異なる色は、セラミックシールドマスクアセンブリを介してそれぞれ別々に堆積され、ディスプレイに存在するアクティブOLEDの部分にのみ堆積されるように設計される(例えば、赤色の発光層のみを堆積させるセラミックシールドマスクアセンブリ、緑色又は青色の発光層のみを堆積させる別のセラミックシールドマスクアセンブリなど)。
図1は、一実施形態による、シールドマスクアセンブリ107を有する処理チャンバ100の一部を示す。処理チャンバ100は、記載される実施形態への使用に適合された標準の処理チャンバとすることができる。一実施形態では、処理チャンバ100は、本出願人(カリフォルニア州サンタクララ)の子会社であるAKT America,Inc.から市販されているチャンバとすることができる。本明細書において議論される実施形態は、他の製造者によって市販されているチャンバを含む他のチャンバ上で実施されてもよいことを理解されたい。
基板102は、静電チャック(図示しない)と接続する処理チャンバ100内に位置決めすることができる。基板102は、OLEDの堆積に適した基板とすることができる。一実施形態では、基板102は実質的にガラスからなる。基板102は、広い範囲の寸法(例えば、長さ、幅形状、厚みなど)を有することができる。一実施形態では、基板102は、長さ約1メートル、幅1メートルである。この実施形態では、基板102は、下面103上に形成されたカソード層104を有するものとして示されている。カソード層104は、インジウムスズ酸化物(ITO)を含むことができる。他の実施形態では、カソード層104は、不連続であり、OLED層(図示しない)の形成と併せて基板102上に形成される。
ソース108は基板102及びカソード層104の下に位置決めされる。通常、ソース108は、ソースボートか、或いは堆積ガス110を生成することができる他の容器又はレセプタクルとすることができる。堆積ガス110は、カソード層104の上に、発光層、孔トランスポート層、変色層、或いはOLED構造の形成に必要な又は望ましいさらなる層(図示しない)といったさらなる層を堆積させるように構成することができる。一実施形態では、ソース108は、カソード層104の上に発光層(図示しない)、及び発光層の上に変色層を、それぞれ形成するための堆積ガス110を生成する。別の実施形態では、ソース108は、カソード層104の上に発光層(図示しない)を形成するための堆積ガス110を生成する。カソード層104の上に、電子トランスポート層(図示しない)のような一又は複数の追加の層を形成してもよい。
基板102とソース108との間には、シールドマスクアセンブリ107が位置決めされる。シールドマスクアセンブリ107は縮尺通りには示されておらず、関連する構造に対し、長さ、幅、又は高さの点で図中のものより小さくても大きくてもよいことを理解されたい。一実施形態では、シールドマスクアセンブリ107又はその部品の適切な材料には、セラミック材料、例えばドープされた又はドープされていない石英材料、ガラス材料、シリコン含有材料、誘電材料、セラミックと金属の複合材料といった、強度及び耐性に優れていると共に良好な熱伝達特性を提供するもの、或いは堆積プロセスの間の熱膨張を最小に抑える(例えば、熱膨張係数が最小の)他のいずれかの適切な材料が含まれる。
シールドマスクアセンブリ107は、基板102の少なくとも一部を覆うことができる大きさ及び形状にすることができる。一実施形態では、シールドマスクアセンブリ107は、長さ2〜3メートル、及び高さ1.5〜2メートルである。シールドマスクアセンブリ107の厚みは、200um未満、例えば100umとすることができる。一実施形態では、シールドマスクアセンブリ107は100um未満である。シールドマスクアセンブリ107は、フレーム112内に位置決めされるマスク106を含むことができる。さらに、マスク106は、一又は複数のマイクロアクチュエータ114を使用するフレーム112に接続することができる。フレーム112は、マイクロアクチュエータ114が、フレーム112を変形させることなく又はフレーム112の変形を一定に抑えながら、マスク106に作用することを可能にする剛性を有することができる。一実施形態では、フレーム112は、マスク106の材料に類似の材料から構成することができる。一実施形態では、マスク106に沿ったフレーム112は、セラミック材料、例えばドープされた又はドープされていない石英材料、ガラス材料、シリコン含有材料、誘電材料、セラミックと金属の複合材料といった、強度及び耐性に優れていると共に良好な熱伝達特性を提供するもの、或いは堆積プロセスの間の熱膨張を最小限に抑える(例えば、熱膨張係数が最小の)他のいずれかの適切な材料から製造することができる。この図では二つのマイクロアクチュエータ114しか見えないが、フレーム112内部にマスク106を位置決めするために一又は複数のマイクロアクチュエータ114を使用することができる。
マスク106はフレーム112中に配置される。必要に応じて、マスク106をフレーム112中に置き換える、及びフレーム112から取り除くことができる。マスク106の交換が必要な特定の実施形態では、マスク106は、フレーム112内に配置されている既存のマスクを取り除き、フレーム112中に新規のマスクを交換することにより、処理チャンバ100の内側又は外側において交換することができる。フレーム112は、必要に応じて変更しなくともよい。フレーム112は、マスク106に耐性を付与するために、マスク106より十分に硬い。マスク106は、処理の間、フレーム112よりも優先的にプラズマに直面するので、フレーム112より早く摩滅又は損傷する傾向がある。したがって、マスク106は、独立して交換可能であり、フレーム112を交換することなくシールドマスクアセンブリから取り除くことができるように構成される。マイクロアクチュエータ114は、マスク106を位置合わせするため又は伸長させるために使用することができる一定の力を適用するための任意のデバイスとすることができる。さらに、マイクロアクチュエータ114の数に制限を設けることは意図されず、ユーザの必要性に基づいてマイクロアクチュエータの数はもっと多くても、又は少なくてもよい。
マスク106は、一又は複数の地点にマイクロアクチュエータ114を使用することなく、フレーム112に直接取り付けることもできる。上述の実施形態で示されるマイクロアクチュエータ114は、互いに対向する位置で両側に形成された二つのマイクロアクチュエータ114が存在するように、マスク106及びフレーム112に接続している。この実施形態では、マイクロアクチュエータ114は、不均一に、両側に位置決めされている。等価なフレーム112に接続された矩形のマスク106では、マスク106の一辺は、溶接又は他の半永久的取付けプロセスによりフレーム112に取り付けられ、他の三辺は、複数のマイクロアクチュエータ114を使用して取り付けられる。各辺に使用されるマイクロアクチュエータ114の数及び位置決めは、それらの位置決め、量、又は組合せに関して非対称とすることができる。この実施例では、一辺のみが半永久的に取り付けられているマスク106について記載したが、マイクロアクチュエータがマスク106とフレーム112との間の接続の少なくとも一部に組み込まれる限り、一又は複数の辺又は辺の一部が同様に取り付けられてもよい。
図2は、処理チャンバ100内に配置されるシールドマスクアセンブリ107の上面図である。上述のように、シールドマスクアセンブリ107は、複数のマイクロアクチュエータ114によって接続されたマスク106とフレーム112とを含む。代替的に、マスク106及びフレーム112は、マスク106をフレーム112に接続するための、フック又はボルトによる取付け技術、或いは他の適切な溶接技術を使用することによって接続してもよい。マスク106は、さらに、内側フレーム103内に位置決めされるシート120を含むことができる。シート120は、堆積プロセスの間に基板102上に特徴を移すために、基板102に対して概ね所望の大きさ及び位置に特徴を付与するためのパターンを画定する特徴121を含むことができる。
実際には、フレーム112とマスク106を接続するために複数のマイクロアクチュエータ114が利用される実施形態では、マイクロアクチュエータ114は、マスク106に張力を与え、基板102に対する最終的な所望の大きさ及び位置にパターンを画定する特徴120を与えることができる。マスク106及びフレーム112を含むシールドマスクアセンブリ107は、次いで処理チャンバ100内に装着される。適切に位置決めされた後、処理チャンバ100を次いでポンプダウンし、ここで温度を安定させて基板102を受ける準備を整える。次に基板102を処理チャンバ100内に入れ、次いでマスク106を基板102上の特徴に位置合わせする。その後、堆積が開始及び進行される際、次にフレーム112と共にマスク106に熱的プロセスが施され、これにより熱的プロセスの間にフレーム112と共にマスク106が膨張する。さらに、基板102とフレーム112を伴うマスク106とは、多くの場合異なる材料から作製されているので、これら部品間の根膨張係数が一致しないことにより熱的プロセスの間の熱膨張の度合いも異なり、よって高い熱的負荷の下に部品のストレス不全又は変形が生じる。さらに、基板102とフレーム112を伴うマスク106との熱膨張係数が一致しないことにより、マスク106の表面が基板表面と平らに接触することができなくなり、基板102とマスク106との間に過度に広い間隙が生じ、それによる悪影響としてまとまりのない堆積、堆積の反り、又は堆積形状の変形といった堆積の問題が生まれる。したがって、マスク106とフレーム112とは、熱的プロセスの間の熱膨張係数が最小の材料から製造されるように選択される。一実施形態では、マスク106及びフレーム112は、0.1μm/(m*K)、例えば約0.01μm/(m*K)〜約0.1μm/(m*K)といった熱膨張係数が最小のセラミック材料から製造される。セラミック材料の適切な例には、ドープされた又はドープされていない石英材料、サファイア、炭化ケイ素、ガラス材料、シリコン含有材料、誘電材料、セラミックと金属との複合材料といった、強度及び耐性に優れていると共に良好な熱伝達特性を提供するもの、或いは堆積プロセスの間の熱膨張が最小に抑えられる(熱膨張係数が最小の)他のいずれかの適切な材料が含まれる。
一実施形態では、フレーム112及びマスク106は、ドープされた又はドープされていないガラス材料、サファイア、炭化ケイ素などから製造される。別の実施形態では、フレーム112及びマスク106は、セラミックと金属との異なる組成を含む複合材料、例えば分散セラミック粒子を有する金属などから製造される。例えば、フレーム112及びマスク106は、金属ドープされたセラミック材料、例えば、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、イットリウム含有材料、酸化イットリウム(Y2O3)、イットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG)、酸化チタン(TiO)、又は窒化チタン(TiN)から製造される。特定の一実施形態では、フレーム112及びマスク106は、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料などから製造される。
上述のように、特定の実施形態においてマスク106は、フレーム112と比較してプラズマからの腐食性核種に直接露出するため、マスク106はフレーム112とは異なる材料であって、マスク106がプラズマプロセスに耐えるようプラズマに対する耐性又は耐熱性の高い材料となる材料から製造される。この特定の実施形態では、マスク106はセラミック材料から製造され、一方フレーム112は、セラミック材料、誘電材料、金属材料、又は必要とされる任意の導電材料を含む任意の材料から製造される。一実施例では、マスク106は、セラミック材料、例えばリチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、又はリチウムシリコン酸化物ガラス材料から製造され、フレーム112は、金属材料、例えば、例えばアルミニウム、酸化アルミニウム、INVAR(64FeNi)、ASTMグレード5チタニウム(Ti−6Al−4V)、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、440ステンレス鋼、HASTELLOY(登録商標)合金C−276、ニッケル、クロム−モリブデン鋼、304ステンレス鋼、他の鉄含有組成物、又はこれらの組合せから製造される。
図3は、処理チャンバ(例えば、図1に示す処理チャンバ100)内で利用されうるシールドマスクアセンブリ300の別の実施形態の上面図である。同様に、シールドマスク300は、複数のマイクロアクチュエータ114によって接続されたマスク320及びフレーム112を含む。図3に十六(16)のマイクロアクチュエータ114として示されるマイクロアクチュエータ114は、その各々をマスクの開口316とフレームの開口318とに接続することでシールドマスクアセンブリ300を作り上げることができる。マスクの開口316及びフレームの開口318は、それぞれマスク320及びフレーム112に設けられた孔として示されている。しかしながら、マイクロアクチュエータ114を取り付けるフック又はボルトや、フレーム112、マスク320、又はそれらの両方に対するマイクロアクチュエータ114の溶接といった、他の接続法を使用してもよい。さらに、マスク320は、内側のフレーム329に配置されたシート327を含む。シート327の中には、パターンを画定する複数の特徴325が含まれる。マイクロアクチュエータ114は、アクチュエータとして記載されているものの、マスク320を位置合わせするため、又は伸長させるために使用可能な一定量の力を印加するための任意のデバイスとすることができる。さらに、マイクロアクチュエータ114の数に制限を設けることは意図されず、ユーザの必要性に基づいてもっとマイクロアクチュエータの数は多くても、又は少なくてもよい。
上述のように、マスク320は、一又は複数の地点にマイクロアクチュエータ114を使用することなくフレーム112に直接取り付けることもできる。図1〜2に示したシールドマスクアセンブリ107とは異なり、マスク320はさらに、対応する複数のマスク支持体327によって画定又は分離された、パターンを画定する複数の特徴325を含むことができる。動作時には、マイクロアクチュエータ114は、マスク320及びパターンを画定する特徴325が、基板102に対して最終的な所望の大きさ及び位置をとるように、張力を提供することができる。マスク320及びフレーム112を含むシールドマスクアセンブリ300は、次いで処理チャンバ100内に装着される。適切に位置決めされた後、処理チャンバ100を次いでポンプダウンし、ここで温度を安定させて基板102を受ける準備を整える。次いで、基板102を処理チャンバ102に入れ、マスク320上の位置合わせマーク322を基板102上の対応する特徴と位置合わせすることができる。最後に、堆積を開始及び進行させる際、堆積の間のマスク320及び/又は基板102への温度変化を、マイクロアクチュエータ114を制御するコンピュータ制御アルゴリズムにより補償することができる。マイクロアクチュエータ114は、特定の頻度で継続的に、又は散発的に、位置合わせマーク322から得られる位置合わせデータに関してマスク320を位置合わせするように構成することができる。このように、マイクロアクチュエータ114は、基板102上の特徴と相関させて、マスク320の望ましい適切な位置合わせ及び大きさを維持することができる。
さらなる実施形態では、マイクロアクチュエータ114は、基板102上の現在の堆積エリアに限定させた張力を提供することができる。マルチポイントソースアレイ又はラインソース構成内における蒸発ヘッド/ノズル(図1のソース108)の位置はスキャンの間に認知されるので、マスク320のマイクロアクチュエータ114は、マスク320が基板102の少なくとも影響を受けるエリア上で適切に位置合わせされるような調整を行うことができる。この実施形態では、ヘッドの位置において瞬時に且つ局所的に位置合わせを維持することだけが必要と考えられる。マスク320の位置合わせの制御をさらに局所的に行うことができると、基板に対するマスクの位置合わせを維持することの困難性が低減する。
一実施形態では、フレーム112及びマスク320は、ドープされた又はドープされていないガラス材料、サファイア、炭化ケイ素などから製造される。別の実施形態では、フレーム112及びマスク106は、セラミックと金属との異なる組成を含む複合材料、例えば分散セラミック粒子を有する金属から製造される。例えば、フレーム112及びマスク320は、金属ドープされたセラミック材料、例えば、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、イットリウム含有材料、酸化イットリウム(Y2O3)、イットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG)、酸化チタン(TiO)、又は窒化チタン(TiN)から製造される。特定の一実施形態では、フレーム112及びマスク106は、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料などから製造される。
上述のように、フレーム112と比較して、マスク320はプラズマからの腐食性核種に直接露出しているので、特定の実施形態では、マスク320は、フレーム112とは異なる材料であって、マスク320がプラズマプロセスに耐えるよう、プラズマに対する耐性又は耐熱性の高い材料となる材料から製造される。この特定の実施形態では、マスク320は、ドープされた又はドープされていないガラス材料から製造され、一方フレーム112は、セラミック材料、誘電材料、金属材料、又は必要とされる任意の導電材料を含む任意の材料によって製造される。一実施例では、マスク320は、セラミック材料、例えばリチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、又はリチウムシリコン酸化物ガラス材料から製造され、フレーム112は、金属材料、例えば、例えばアルミニウム、酸化アルミニウム、INVAR(64FeNi)、ASTMグレード5チタニウム(Ti−6Al−4V)、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、440ステンレス鋼、HASTELLOY(登録商標)合金C−276、ニッケル、クロム−モリブデン鋼、304ステンレス鋼、他の鉄含有組成物、又はこれらの組合せから製造される。
本明細書に記載した実施形態は、シールドマスクアセンブリ内に配置されるマスク及びフレームを含むシールドマスクアセンブリを製造するために利用できるセラミック材料に関する。マスク及びフレームを製造するために選択される材料は、熱的プロセスの間の熱膨張係数が最小のものが選択されるので、堆積形状の変形が効率的に排除され、堆積プロセスの制御に望ましい質が得られる。セラミック材料によって製造されるシールドマスクアセンブリは、さらに精度の高い堆積製品を生み出すことができる。
上記は本考案の実施形態を対象とするが、本考案の基本的な範囲から逸脱することなく、本考案の他のさらなる実施形態を考案することができる。
Claims (17)
- パターンを画定する複数の特徴がその中に形成されているマスクであって、セラミック材料から製造されるマスクと、
前記マスクに接続するフレームと
を備えるシールドマスクアセンブリ。 - 前記マスクは、ドープされた又はドープされていないガラス材料を含む、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記マスクは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択される材料を含む、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記マスクは、0.1μm/(m*K)未満の熱膨張係数を有する材料を含む、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記フレームは、ドープされた又はドープされていないガラス材料を含む、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記フレームは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択される、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記マスクは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択される材料を含み、一方前記フレームは、アルミニウム、酸化アルミニウム、INVAR(64FeNi)、ASTMグレード5チタニウム(Ti−6Al−4V)、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、440ステンレス鋼、ニッケル、クロム−モリブデン鋼、304ステンレス鋼、他の鉄含有組成物、又はこれらの組合せによって製造される、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記フレームは、複数のマイクロアクチュエータによって前記マスクに接続される、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記マスクは前記フレームから取り外し可能である、請求項1に記載のシールドマスクアセンブリ。
- セラミックフレームと、
前記セラミックフレームに接続されたセラミックマスクであって、
シート、及び
前記シートに形成された、パターンを画定する少なくとも一つの特徴
を含むセラミックマスクと
を備えるシールドマスクアセンブリ。 - 前記シートはセラミック材料を含み、前記セラミックマスクはドープされた又はドープされていないガラス材料を含み、前記フレームはドープされた又はドープされていないガラス材料を含む、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記セラミックマスクは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択される、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記マスクは前記フレームから取り外し可能である、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記フレームは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択され、前記セラミックマスクは、リチウムアルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、アルミニウムシリコン酸化物ガラス材料、リチウムシリコン酸化物ガラス材料からなる群より選択され、一方前記フレームは、アルミニウム、アルミニウム酸化物、INVAR(64FeNi)、ASTMグレード5チタニウム(Ti−6Al−4V)、チタン、アルミニウム、モリブデン、銅、440ステンレス鋼、ニッケル、クロム−モリブデン鋼、304ステンレス鋼、他の鉄含有組成物、又はこれらの組合せによって製造される、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記セラミックマスクは、
それを貫通する一又は複数のマスク開口と、
前記一又は複数のマスク開口を介して前記フレームを前記セラミックマスクに連結する複数のマイクロアクチュエータと
をさらに備える、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。 - 前記マイクロアクチュエータは前記セラミックマスク及び前記フレームと同一面内にある、請求項15に記載のシールドマスクアセンブリ。
- 前記セラミックマスク及び前記フレームは、0.1μm/(m*K)未満の熱膨張係数を有する材料から製造される、請求項10に記載のシールドマスクアセンブリ。
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