JP3196499B2 - Surface wave resonator - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＳ波やラブ波のよ
うなＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の表面波
共振子に関し、特に、複数の共振ユニットが１つの素子
に構成された端面反射型の表面波共振子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an edge reflection type surface acoustic wave resonator utilizing an SH type surface wave such as a BGS wave or a Love wave, and more particularly, to a structure in which a plurality of resonance units are formed in one element. The present invention also relates to a surface reflection type surface acoustic wave resonator.
【０００２】[0002]
【従来の技術】テレビジョン受像機やビデオテープレコ
ーダーの映像中間周波段では、隣接するチャンネルとの
ビート障害を防止するために、隣接チャンネル映像信号
周波数ｆａｐ（アメリカのＮＴＳＣ方式では３９．７５
ＭＨｚ）及び隣接チャンネル音声信号周波数ｆａｓ（ア
メリカのＮＴＳＣ方式では４７．２５ＭＨｚ）において
信号を十分に減衰させることが必要である。図１は、上
記映像中間周波段の減衰量−周波数特性を示す図であ
り、上記隣接チャンネル映像信号周波数ｆａｐ及び隣接
チャンネル音声信号周波数ｆａｓにおいて、図示のよう
に大きな減衰量を確保されている。2. Description of the Related Art In a video intermediate frequency stage of a television receiver or a video tape recorder, an adjacent channel video signal frequency fap (39.75 in the NTSC system in the United States) is used in order to prevent a beat interference with an adjacent channel.
MHz) and adjacent channel audio signal frequency fas (47.25 MHz in the US NTSC system). FIG. 1 is a diagram showing the attenuation-frequency characteristics of the video intermediate frequency stage. A large attenuation is secured as shown in the adjacent channel video signal frequency fap and the adjacent channel audio signal frequency fas.
【０００３】上記のように、隣接チャンネル映像信号周
波数ｆａｐ及び隣接チャンネル音声信号周波数ｆａｓに
おいて大きな減衰量を確保するために、従来、隣接チャ
ンネル映像信号周波数ｆａｐにおいて大きな減衰量を有
するトラップと、隣接チャンネル音声信号周波数ｆａｓ
ににおいて大きな減衰量を有するトラップとの２個のト
ラップが用いられている。それぞれのトラップは、ＬＣ
共振回路や圧電共振子等により構成されていた。As described above, in order to secure a large amount of attenuation at the adjacent channel video signal frequency fap and the adjacent channel audio signal frequency fas, a trap having a large attenuation at the adjacent channel video signal frequency fap, Audio signal frequency fas
In US Pat. Each trap is LC
It consisted of a resonance circuit, a piezoelectric resonator and the like.
【０００４】また、このような用途に用いられる圧電共
振子として、ＢＧＳ波のようなＳＨタイプの表面波を利
用した圧電共振子が注目されている。図２は、ＢＧＳ波
を利用した端面反射型の表面波共振子の一例を示す。Further, as a piezoelectric resonator used for such an application, a piezoelectric resonator utilizing an SH type surface wave such as a BGS wave has attracted attention. FIG. 2 shows an example of an end-face reflection type surface acoustic wave resonator using a BGS wave.
【０００５】端面反射型表面波共振子１は、平面形状が
四角形の圧電基板２を用いて構成されている。圧電基板
２は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミック
スやＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶、ＬｉＴａＯ3 圧電単結晶
などの圧電材料により構成されており、圧電セラミック
スの場合には図示の矢印Ｐ方向に分極処理されている。
圧電基板２の上面２ａには、一組のくし歯電極３，４が
形成されており、それによってインターデジタルトラン
スデューサ（以下、ＩＤＴと略す。）が構成されてい
る。くし歯電極３，４は、それぞれ、複数本の電極指３
ａ〜３ｃ及び４ａ〜４ｃを有する。[0005] The end surface reflection type surface acoustic wave resonator 1 is constituted by using a piezoelectric substrate 2 having a square planar shape. The piezoelectric substrate 2 is made of, for example, a piezoelectric material such as a lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic, a LiNbO 3 piezoelectric single crystal, or a LiTaO 3 piezoelectric single crystal. Is being processed.
A pair of comb electrodes 3 and 4 are formed on the upper surface 2a of the piezoelectric substrate 2 to form an interdigital transducer (hereinafter abbreviated as IDT). Each of the comb electrodes 3 and 4 has a plurality of electrode fingers 3.
a to 3c and 4a to 4c.
【０００６】端面反射型表面波共振子１では、くし歯電
極３，４から交流電圧を印加することにより、ＢＧＳ波
が励起され，該ＢＧＳ波は図示の矢印Ｘ方向に伝播され
る。このＢＧＳ波は圧電基板２の端面２ｂ，２ｃ間で反
射される。In the end surface reflection type surface acoustic wave resonator 1, a BGS wave is excited by applying an AC voltage from the comb electrodes 3 and 4, and the BGS wave is propagated in an arrow X direction shown in the figure. This BGS wave is reflected between the end faces 2b and 2c of the piezoelectric substrate 2.
【０００７】端面反射型表面波共振子１では、ＩＤＴで
決定される周波数と端面間の寸法で決定される周波数を
一致させることにより、有効な共振特性を得る。In the end face reflection type surface acoustic wave resonator 1, effective resonance characteristics are obtained by matching the frequency determined by the IDT with the frequency determined by the dimension between the end faces.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記端
面反射型表面波共振子も、ＬＣ共振回路や他の形式の圧
電共振子と同様に、単一の共振特性を有するものに過ぎ
なかった。従って、隣接チャンネル映像信号周波数ｆａ
ｐ及び隣接チャンネル音声信号周波数ｆａｓの２つの周
波数位置においてトラップ特性を実現するには、２個の
表面波共振子を用意し、接続しなければならかった。However, the end surface reflection type surface acoustic wave resonator has only a single resonance characteristic like the LC resonance circuit and other types of piezoelectric resonators. Therefore, the adjacent channel video signal frequency fa
To realize the trap characteristics at two frequency positions of p and the adjacent channel audio signal frequency fas, two surface acoustic wave resonators must be prepared and connected.
【０００９】他方、レイリー波を利用した弾性表面波共
振子においては、単一の共振子において２個の共振特性
を有するものが示されている（例えば、国際電気技報Ｎ
ｏ．１６、第１頁〜第７頁，１９９２）。すなわち、レ
イリー波を利用した表面波共振子フィルタにおいて、０
次縦モード（基本モード）と２次縦モードとを利用した
二重モード共振子が知られており、ここでは、２個の共
振特性が得られる。しかしながら、上記二重モード共振
子では、２個の共振特性を得るためには、２つ以上のＩ
ＤＴと反射器が必要であった。また、上記二重モード共
振子では、その共振特性が反射器の反射係数−周波数特
性で決定されるが、反射係数の大きい周波数領域が狭い
ために、良好な共振特性が得られる範囲では、２個の共
振点の差が約１ＭＨｚと非常に小さく、図１に示したよ
うな特性を有するトラップフィルタを該二重モード共振
子のみで構成することはできなかった。On the other hand, among surface acoustic wave resonators utilizing Rayleigh waves, a single resonator having two resonance characteristics has been disclosed (for example, International Electrotechnical Report N
o. 16, page 1 to page 7, 1992). That is, in the surface acoustic wave resonator filter using the Rayleigh wave, 0
A dual mode resonator using a next longitudinal mode (fundamental mode) and a second longitudinal mode is known, and here, two resonance characteristics are obtained. However, in the above-described dual mode resonator, two or more I
DT and reflector were required. In the above-described dual mode resonator, the resonance characteristic is determined by the reflection coefficient-frequency characteristic of the reflector. The difference between the resonance points is as small as about 1 MHz, and a trap filter having the characteristics as shown in FIG. 1 cannot be constituted only by the dual mode resonator.
【００１０】そこで、上述したＢＧＳ波を利用した端面
反射型表面波共振子において、圧電基板上に２個のＩＤ
Ｔを形成し、２個の共振ユニットを構成すれば、２個の
共振特性を得ることができるとも考えられる。しかしな
がら、ＢＧＳ波のようなＳＨタイプの表面波を利用した
端面反射型表面波共振子では、ＩＤＴの波長λと、圧電
基板の表面波が反射される対向２端面の間の距離Ｌとの
間には、図３に略図的に示すように、Ｌ＝（λ／２）×
Ｎ（ただし、Ｎは整数）の関係がある。Therefore, in the above-mentioned end face reflection type surface acoustic wave resonator utilizing the BGS wave, two IDs are provided on the piezoelectric substrate.
If T is formed and two resonance units are formed, it is considered that two resonance characteristics can be obtained. However, in an end face reflection type surface acoustic wave resonator using an SH type surface wave such as a BGS wave, the distance between the wavelength λ of the IDT and the distance L between the two opposing end faces of the piezoelectric substrate where the surface wave is reflected. As shown schematically in FIG. 3, L = (λ / 2) ×
There is a relationship of N (where N is an integer).
【００１１】従って、隣接チャンネル映像信号周波数ｆ
ａｐに共振点を有する共振ユニットと、隣接チャンネル
音声信号周波数ｆａｓに共振点を有する共振ユニットと
では、上記対向２端面間の距離Ｌの値が異なることにな
る。すなわち、ＳＨタイプの表面波利用した表面波共振
子では、同一基板上に、共振周波数の異なる２個の共振
ユニットを形成することが非常に困難であると考えられ
ていた。Therefore, the adjacent channel video signal frequency f
A resonance unit having a resonance point at ap and a resonance unit having a resonance point at an adjacent channel audio signal frequency fas have different values of the distance L between the two opposing end faces. That is, it has been considered that it is extremely difficult to form two resonance units having different resonance frequencies on the same substrate with a surface acoustic wave resonator using an SH type surface wave.
【００１２】本発明の目的は、共振周波数が異なる少な
くとも２個の共振ユニットが１つの素子として構成され
ている、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の表
面波共振子を提供することにある。An object of the present invention is to provide an end reflection type surface acoustic wave resonator utilizing an SH type surface acoustic wave, in which at least two resonance units having different resonance frequencies are configured as one element. is there.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、圧
電基板の対向２端面間でＳＨタイプの表面波を反射させ
る端面反射型表面波共振子であって、前記対向２端面を
有する圧電基板と、同一の前記対向２端面を反射端面と
するようにそれぞれが前記圧電基板上に配置された第
１，第２のインターデジタルトランスデューサとを備
え、第１のインターデジタルトランスデューサが形成さ
れている部分により第１の共振ユニットが、第２のイン
ターデジタルトランスデューサが形成されている部分に
より、第１の共振ユニットの共振周波数ｆ1と異なる共
振周波数ｆ2を有する第２の共振ユニットが構成されて
おり、前記対向２端面間の距離をＬ、第１の共振ユニッ
トで励起される表面波の波長をλ1、第２の共振ユニッ
トで励起される表面波の波長をλ2としたときに、距離
Ｌが（λ1／２）×Ｎ1（ただし、Ｎ1は整数）もしくは
その近傍となるように構成されており、（λ2／２）×
Ｎ2（ただし、Ｎ2は整数）がＬに近づくようにＮ2が定
められている表面波共振子である。According to a first aspect of the present invention, there is provided an end face reflection type surface acoustic wave resonator for reflecting an SH type surface wave between two opposing end faces of a piezoelectric substrate, the end face reflection type resonator having the two opposing end faces. The same two opposing end faces as the piezoelectric substrate are referred to as reflection end faces.
And first and second interdigital transducers respectively disposed on the piezoelectric substrate so that the first interdigital transducer forms a first resonance unit by the portion where the first interdigital transducer is formed. the portion of the digital transducer is formed, the second resonance unit having a resonant frequency f 1 different from the resonance frequency f 2 of the first resonance unit are configuration, the distance between the two opposing end surfaces L, the 1 the wavelength of the surface waves excited by the first resonance unit lambda, when the wavelength of the excited surface wave was set to lambda 2 at the second resonance unit, the distance L is (λ 1/2) × N 1 ( However, N 1 is configured to be an integral) or in the vicinity thereof, (λ 2/2) ×
This is a surface acoustic wave resonator in which N 2 is determined such that N 2 (where N 2 is an integer) approaches L.
【００１４】すなわち、本願の第１の発明にかかる端面
反射型表面波共振子では、互いに対向する２つの端面を
有する圧電基板上に、第１，第２のＩＤＴを形成するこ
とにより共振周波数が互いに異なる第１，第２の共振ユ
ニットが構成されている。各共振ユニットは、前述した
ＢＧＳ波を利用した端面反射型表面波共振子１と同様
に、ＳＨタイプの表面波を励起し、かつ該ＳＨタイプの
表面波を圧電基板の対向２端面間で反射させるものであ
る。That is, in the end face reflection type surface acoustic wave resonator according to the first invention of the present application, the resonance frequency is increased by forming the first and second IDTs on a piezoelectric substrate having two end faces facing each other. First and second resonance units different from each other are configured. Each of the resonance units excites the SH type surface wave and reflects the SH type surface wave between the two opposing end faces of the piezoelectric substrate, similarly to the end face reflection type surface wave resonator 1 utilizing the BGS wave described above. It is to let.
【００１５】ここで、ＳＨタイプの表面波とは、ＢＧＳ
波の他、ラブ波のように、変位が表面波伝搬方向と垂直
な方向の成分を持つ表面波を広く含むものとする。本願
の第１の発明では、上記第１，第２の共振ユニットが構
成された端面反射型表面波共振子において、対向２端面
間の距離Ｌと、第１，第２の共振ユニットで励振される
表面波の波長λ1 ，λ2 が、上記のような関係に選ばれ
ている。すなわち、距離Ｌが、（λ1 ／２）×Ｎ1 もし
くはその近傍となるように構成されており、（λ2 ／
２）×Ｎ2 がＬに近づくように、上記Ｎ2 の値が定めら
れている。本発明の表面波共振子では、第１の共振ユニ
ットについては、距離Ｌが上記のように定められている
ため、所望の共振特性が得られ、他方、第２の共振ユニ
ットについては、第１の共振ユニットの共振特性を上記
のような範囲で確定した後に、第２の共振ユニットのＮ
2 が決定されている。Here, the SH type surface wave is BGS.
In addition to the waves, it is assumed that the displacement widely includes a surface wave having a component in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction, such as a Love wave. According to the first aspect of the present invention, in the end-face reflection type surface acoustic wave resonator in which the first and second resonance units are configured, the distance L between the opposing two end faces and the first and second resonance units are excited. The wavelengths λ 1 and λ 2 of the surface waves are selected according to the relationship described above. That is, the distance L is, is configured such that (λ 1/2) × N 1 or in the vicinity thereof, (lambda 2 /
2) The value of N 2 is determined so that × N 2 approaches L. In the surface acoustic wave resonator of the present invention, since the distance L is determined as described above for the first resonance unit, desired resonance characteristics can be obtained. After the resonance characteristics of the second resonance unit are determined within the above range, the N
Two have been determined.
【００１６】なお、上記距離Ｌは、（λ1 ／２）×Ｎ1
もしくはその近傍となるように構成されるが、好ましく
は、上記距離Ｌは、（λ1 ／２）×Ｎ1 ±（λ1 ／２
０）以内とされる。端面反射型表面波共振子では、対向
２端面間の距離Ｌの誤差が、±λ／２０以内であれば、
問題のない共振特性の得られることがわかっている。従
って、上述した（λ1 ／２）×Ｎ1 もしくはその近傍と
されている範囲、すなわち第１の共振ユニットにおいて
所望の共振特性を実現し得る距離Ｌの許容範囲は、上記
のように（λ1 ／２）×Ｎ1 ±（λ1 ／２０）以内とさ
れる。[0016] Note that the distance L, (λ 1/2) × N 1
Or is configured to be near, preferably, the distance L, (λ 1/2) × N 1 ± (λ 1/2
0). In the end face reflection type surface acoustic wave resonator, if the error of the distance L between the two opposing end faces is within ± λ / 20,
It has been found that resonance characteristics without problems can be obtained. Therefore, the above-described (λ 1/2) × N 1 or range is a near, i.e. the allowable range of the distance L that can achieve a desired resonance characteristic in the first resonance unit, as described above (lambda 1/2) × N 1 ± (λ 1/20) is within.
【００１７】他方、後述の実施例から明らかなように、
第２の共振ユニットについては、上記距離Ｌが、（λ2
／２）×Ｎ2 に等しくなくともよい。すなわち、一般
に、端面反射型表面波共振子においては、距離Ｌは、
（励起される表面波の波長の１／２）×（整数）とされ
ることが必要であるとされているが、この理由は、距離
Ｌの値がずれると、低域側にリップルが発生することに
よる。しかしながら、用途によっては、低域側にリップ
ルが生じても問題のない場合がある。例えば、第１の共
振ユニットの共振周波数ｆ1 が第２の共振ユニットの共
振周波数ｆ2 より高い場合に、第２の共振ユニットにお
いて共振点よりも低域側にリップルが出ても、そのよう
なリップルが問題とされない場合がある。このような場
合には、第２の共振ユニットにおいては、距離Ｌが、最
適の値からずれてもさほど問題とはならない。従って、
本発明では、第２の共振ユニットについては、（λ2 ／
２）×Ｎ2 がＬに近づくようにＮ2 が定められるが、こ
の場合、距離Ｌは、（λ2 ／２）×Ｎ2 に一致される必
要は必ずしもなく、あるいは（λ2 ／２）×Ｎ2 ±（λ
2 ／２０）の範囲外とされていてもよい。On the other hand, as is apparent from the embodiment described later,
For the second resonance unit, the distance L is (λTwo
/ 2) × NTwoIt does not have to be equal to That is, general
In the end-face reflection type surface acoustic wave resonator, the distance L is
(１ ／ of the wavelength of the excited surface wave) × (integer)
It is said that it is necessary to
If the value of L deviates, ripple will occur on the low frequency side.
According to However, depending on the application, the lip
There is a case where there is no problem even if the error occurs. For example, the first share
Resonance frequency f of the vibration unit1Are shared with the second resonance unit.
Vibration frequency fTwoIf higher, the second resonance unit
Even if the ripple appears below the resonance point,
May not be a problem. Such a place
In this case, in the second resonance unit, the distance L is
Deviating from the appropriate value does not cause much problem. Therefore,
In the present invention, for the second resonance unit, (λTwo/
2) × NTwoN as L approaches LTwoIs stipulated,
, The distance L is (λTwo/ 2) × NTwoMust be matched to
It is not necessary, or (λTwo/ 2) × NTwo± (λ
Two/ 20).
【００１８】上記のように、第１の共振ユニットの共振
周波数ｆ1 が、第２の共振ユニットの共振周波数ｆ2 よ
りも高く、第２の共振ユニットの共振周波数ｆ2 よりも
低域側にリップルが発生しても問題とならない用途とし
ては、例えば、テレビジョン受像機やビデオテープレコ
ーダーの映像中間周波段のトラップ回路が挙げられる。
すなわち、上記第１の共振周波数が隣接チャンネル音声
信号周波数ｆａｓ、第２の共振周波数ｆ2 が隣接チャン
ネル映像信号周波数ｆａｐとした場合には、隣接チャン
ネル映像信号周波数よりも低域側に上記のようなリップ
ルが発生しても問題がない。As described above, the resonance frequency f 1 of the first resonance unit is higher than the resonance frequency f 2 of the second resonance unit and lower than the resonance frequency f 2 of the second resonance unit. Applications that do not cause a problem even if ripples occur include, for example, a trap circuit at a video intermediate frequency stage of a television receiver or a video tape recorder.
That is, the first resonance frequency adjacent channel sound signal frequency fas, when the second resonant frequency f 2 to the adjacent channel video signal frequency fap is above the low frequency side of the adjacent channel video signal frequency so There is no problem even if a large ripple occurs.
【００１９】従って、本発明の端面反射型表面波共振子
は、上記映像中間周波段のトラップ回路を構成するため
の共振子として好適に用いられる。 Therefore, the end-face reflection type surface acoustic wave resonator of the present invention is suitably used as a resonator for constituting the above-described video intermediate frequency stage trap circuit .
【００２０】[0020]
【００２１】[0021]
【００２２】[0022]
【００２３】[0023]
【００２４】[0024]
【発明の作用及び効果】本願の第１の発明の表面波共振
子では、互いに対向する２端面を有する圧電基板を用い
てＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型の上記第
１，第２の共振ユニットが構成されている。従って、単
一の素子で複数の共振特性を有する端面反射型表面波共
振子を提供することができる。In the surface acoustic wave resonator according to the first aspect of the present invention, the first and second end-face reflection-type first and second end-face reflection type SH-type surface waves are utilized using a piezoelectric substrate having two end faces facing each other. Are formed. Therefore, it is possible to provide an end face reflection type surface acoustic wave resonator having a plurality of resonance characteristics with a single element.
【００２５】第１の発明では、第１の共振ユニットにお
いては、上記距離Ｌが、（λ1 ／２）×Ｎ1 もしくはそ
の近傍となるように定められているため、第１の共振ユ
ニットは目的とする共振特性を発揮する。他方、第２の
共振ユニット側については、（λ2 ／２）×Ｎ2 が距離
Ｌに近づくようにＮ2 が定められている。従って、（λ
2 ／２）×Ｎ2 が距離Ｌに一致しない場合、あるいは
（λ2 ／２）×Ｎ2 ±（λ2 ／２０）の範囲外とされて
いる場合には、第２の共振周波数ｆ2 よりも低域側にリ
ップルが発生する。しかしながら、このようなリップル
が発生したとしても、第２の共振ユニットの共振周波数
ｆ2 よりも低域側において発生したリップルが問題とな
らない用途には、上記第１の発明にかかる表面波共振子
を用いて、複数のトラップを有するトラップ回路を構成
することができる。[0025] In the first invention, in the first resonance unit, the distance L is, because it is defined such that (λ 1/2) × N 1 or in the vicinity thereof, a first resonance unit Demonstrates the desired resonance characteristics. On the other hand, for the second resonance unit side, and N 2 is determined so as to approach the (lambda 2/2) × N 2 distance L. Therefore, (λ
2/2) when × N 2 is the case does not match the distance L, or outside the range of (λ 2/2) × N 2 ± (λ 2/20) , the second resonant frequency f 2 Ripple occurs on the lower frequency side. However, even if such a ripple occurs, the surface acoustic wave resonator according to the first aspect of the present invention is used in an application in which a ripple generated on a lower frequency side than the resonance frequency f 2 of the second resonance unit does not matter. Can be used to form a trap circuit having a plurality of traps.
【００２６】すなわち、第１の発明は、複数の共振周波
数を有する共振子において、用途によっては、第２の共
振周波数の低域側にリップルが発生したとして問題とな
らない場合があることに鑑み、敢えて第２の共振ユニッ
トの共振周波数ｆ2 の低域側におけるリップルの発生を
是認した上で、対向２端面間の距離がＬである圧電基板
を用いて２個の共振特性を有する単一の端面反射型表面
波共振子を構成したことに特徴を有する。That is, the first aspect of the present invention considers that in a resonator having a plurality of resonance frequencies, depending on the application, there may be no problem if a ripple is generated on the low frequency side of the second resonance frequency. After daringly admitting the occurrence of ripples on the low frequency side of the resonance frequency f2 of the second resonance unit, a single substrate having two resonance characteristics using a piezoelectric substrate having a distance L between two opposing end faces is used. It is characterized in that an end reflection type surface acoustic wave resonator is formed.
【００２７】[0027]
【００２８】よって、本発明によれば、単一の圧電基板
を用いて複数の共振特性を有するＳＨタイプの表面波を
利用した端面反射型の表面波共振子を提供することがで
きる、例えば、テレビジョン受像機の映像中間周波段の
回路構成を大幅に簡略化することができ、かつコストの
低減も果たし得る。Thus, according to the present invention, it is possible to provide an edge-reflection type surface acoustic wave resonator utilizing a SH type surface wave having a plurality of resonance characteristics using a single piezoelectric substrate. The circuit configuration of the video intermediate frequency stage of the television receiver can be greatly simplified, and the cost can be reduced.
【００２９】なお、本願発明の何れにおいても、第１，
第２の共振ユニットが単一の圧電基板に構成されておれ
ばよく、さらに、多くの共振ユニットが同様に構成され
ていてもよい。すなわち、単一の圧電基板に３つ以上の
共振ユニットが構成されていてもよい。It should be noted, in any present gun onset Ming also first,
It is sufficient that the second resonance unit is configured on a single piezoelectric substrate, and many resonance units may be similarly configured. That is, three or more resonance units may be configured on a single piezoelectric substrate.
【００３０】[0030]
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by describing embodiments with reference to the drawings.
【００３１】図４及び図５は、図２に示した端面反射型
表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す各図
である。図４は、対向２端面間の距離Ｌが、距離Ｌの最
適値すなわち（λ／２）×Ｎよりも（λ／１０）だけ大
きい場合の特性を、図５は、距離Ｌが、（λ／２）×Ｎ
（λ／２０）だけ大きい場合の特性を示す。FIGS. 4 and 5 are graphs showing impedance-frequency characteristics of the end-face reflection type surface acoustic wave resonator shown in FIG. FIG. 4 shows the characteristics when the distance L between the two opposing end faces is larger than the optimum value of the distance L, that is, (λ / 10) by (λ / 2) × N. FIG. / 2) × N
The characteristic when the value is larger by (λ / 20) is shown.
【００３２】図４から明らかなように、対向２端面間の
距離Ｌが、Ｌの最適値から（λ／１０）ずれた場合、す
なわち対向２端面間の距離の精度が十分でない場合に
は、矢印Ａで示すように、共振点ｆr よりも低域側に上
記ずれによりリップルが発生していることがわかる。As is apparent from FIG. 4, when the distance L between the two opposing end faces deviates from the optimum value of L by (λ / 10), that is, when the accuracy of the distance between the two opposing end faces is not sufficient, as shown by the arrow a, it can be seen that the ripple is generated by the shift to the low frequency side of the resonance point f r.
【００３３】他方、図５から明らかなように、対向２端
面間の距離Ｌが、（λ／２０）ずれている場合には、共
振点ｆr よりも低域側にリップルが発生していない。よ
って、図２に示した端面反射型表面波共振子では、対向
２端面間の距離Ｌは、（λ／２）×Ｎ±（λ／２０）の
範囲としなければならないことがわかる。[0033] On the other hand, as apparent from FIG. 5, the distance L between the two opposite end faces, in the case where (lambda / 20) are deviated, the ripple does not occur in the low-frequency side than the resonance point f r . Therefore, in the end face reflection type surface acoustic wave resonator shown in FIG. 2, the distance L between the two opposing end faces must be in the range of (λ / 2) × N ± (λ / 20).
【００３４】例えば、テレビジョン受像機の映像中間周
波段において、隣接チャンネル映像信号周波数ｆａｐ
（＝３１．９ＭＨｚ）及び隣接チャンネル音声信号周波
数ｆａｓ（４０．４ＭＨｚ）に共振点を有する共振子を
構成する場合を考えてみる。For example, in a video intermediate frequency stage of a television receiver, an adjacent channel video signal frequency fap
(= 31.9 MHz) and a resonator having a resonance point at an adjacent channel audio signal frequency fas (40.4 MHz) will be considered.
【００３５】例えば、音速が２４００ｍ／秒の基板を用
いて、３１．９ＭＨｚに共振点を有する共振子を構成し
た場合、その波長は７５．２μｍとなる。また、隣接チ
ャンネル音声信号周波数ｆａｓ＝４０．４ＭＨｚの共振
子を構成する場合には、音速が２４００ｍ／秒の基板を
用いた場合、波長λは５９．４μｍとなる。For example, when a resonator having a resonance point at 31.9 MHz is formed using a substrate having a sound speed of 2400 m / sec, the wavelength is 75.2 μm. When a resonator having an adjacent channel audio signal frequency fas = 40.4 MHz is formed, the wavelength λ is 59.4 μm when a substrate having a sound speed of 2400 m / sec is used.
【００３６】従って、上記２つの共振子を単一の圧電基
板上に構成しようとした場合、両者の波長の差を考慮し
て対向２端面間の距離Ｌをなるべく近づける必要があ
る。上記の例では、隣接チャンネル映像信号周波数ｆａ
ｐ用の共振子については、電極指の対数を４対とした場
合には、Ｌａｐ＝３００．８μｍとなり、隣接チャンネ
ル音声信号周波数ｆａｓに共振点を有する共振点を有す
る共振子において、電極指の対数を５対とした場合に
は、Ｌａｓ＝２９７μｍとなる。ところが、上記距離Ｌ
ａｐと距離Ｌａｓとの差は３．８μｍであり、この値は
波長５９．４μｍに対し約１／１６に相当する。Therefore, when the two resonators are to be formed on a single piezoelectric substrate, it is necessary to make the distance L between the two opposing end faces as close as possible in consideration of the wavelength difference between the two. In the above example, the adjacent channel video signal frequency fa
As for the resonator for p, when the number of pairs of electrode fingers is four, Lap = 300.8 μm, and in the resonator having a resonance point having a resonance point at the adjacent channel audio signal frequency fas, When the number of logarithms is set to 5, Las = 297 μm. However, the distance L
The difference between ap and the distance Las is 3.8 μm, which corresponds to about 1/16 of the wavelength of 59.4 μm.
【００３７】すなわち、上記のように、単に両者の電極
指の対数を調整し、それぞれの共振特性を十分に発揮さ
せるように構成した場合には、一方の共振子側において
Ｌ＝（λ／２）×Ｎ±（λ／２０）の範囲を満たせな
い。しかも、電極指の対数が上記のように、４及び５程
度では、表面波の励振が弱く、静電容量やインピーダン
ス値についても、上記用途に合致するものとはならな
い。従って、用途に応じて最適な静電容量やインピーダ
ンス値を有する共振子を自由に設計することができな
い。That is, as described above, when the number of electrode fingers is simply adjusted and the respective resonance characteristics are sufficiently exhibited, L = (λ / 2) on one resonator side. ) × N ± (λ / 20). In addition, when the number of pairs of electrode fingers is about 4 or 5, as described above, the excitation of the surface wave is weak, and the capacitance and the impedance value are not suitable for the above application. Therefore, it is not possible to freely design a resonator having the optimum capacitance and impedance value according to the application.
【００３８】ところで、図１に示した映像中間周波段の
周波数特性を実現する場合には、図４に矢印Ａで示した
リップルが生じていても、該リップルは、色信号周波数
ｆc−映像信号周波数ｆp 間（３４．４７ＭＨｚ〜３
８．９ＭＨｚ間）には上記リップルは生じない。従っ
て、図４に矢印Ａで示したリップルは、テレビジョン受
像機の映像中間周波段においては特に問題とはならない
ことがわかる。By the way, in case of realizing the frequency characteristic of the video intermediate frequency stage shown in FIG. 1, even if occurred ripple indicated by an arrow A in FIG. 4, the ripple color signal frequency f c - video Between signal frequencies f p (34.47 MHz to 3
The above ripple does not occur between 8.9 MHz). Therefore, it can be understood that the ripple indicated by the arrow A in FIG. 4 does not cause any problem in the video intermediate frequency stage of the television receiver.
【００３９】すなわち、隣接チャンネル映像信号周波数
側のトラップを構成するための端面反射型表面波共振ユ
ニットでは、対向２端面間の距離Ｌが、最適値±λ／２
０の範囲外であっても使用し得ることがわかる。That is, in the end face reflection type surface acoustic wave resonance unit for forming the trap on the adjacent channel video signal frequency side, the distance L between the two opposing end faces is the optimum value ± λ / 2.
It can be seen that it can be used even outside the range of 0.
【００４０】本願発明者は、このような観点から、第１
の共振ユニットについては、対向２端面間の距離Ｌが所
望の共振特性を有するように電極指の対数Ｍ1 を選択
し、第２の共振ユニットについては、上記対向２端面間
の距離の最適値及びその許容範囲とは関係なく、もっと
も、対向２端面間の距離Ｌに近づけるように電極指の対
数Ｍ2 の値を選択することにより、例えば映像中間周波
数に用いられる上記トラップ回路に最適な共振子を構成
し得ることを見出した。The inventor of the present application has made the first
For the resonance unit ( 1) , the logarithm M1 of the electrode fingers is selected so that the distance L between the two opposing end faces has a desired resonance characteristic. and regardless of its tolerance, however, by selecting a value of the log M 2 electrode fingers closer to the distance L between the two opposite end surfaces, for example, the optimum resonance to the trap circuit used in the video intermediate frequency It has been found that children can be composed.
【００４１】以下、図６〜図８を参照して、本願の第１
の発明にかかる実施例の端面反射型表面波共振子の構成
及び特性を説明する。図６は、本発明の一実施例にかか
る端面反射型表面波共振子の平面図である。Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The configuration and characteristics of the edge reflection type surface acoustic wave resonator according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a plan view of an edge-reflection surface acoustic wave resonator according to one embodiment of the present invention.
【００４２】端面反射型表面波共振子１１は、後述の電
極指が延びる方向に一様に分極処理されており、かつ平
面形状が矩形の圧電基板１２を用いて構成されている。
圧電基板１２は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セ
ラミックスのような圧電セラミックス、またはＬｉＴａ
Ｏ3 もしくはＬｉＮｂＯ3 等のような圧電単結晶を用い
て構成されている。The end-face reflection type surface acoustic wave resonator 11 is formed by using a piezoelectric substrate 12 which is uniformly polarized in a direction in which an electrode finger to be described later extends, and has a rectangular planar shape.
The piezoelectric substrate 12 is made of, for example, a piezoelectric ceramic such as a lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic, or LiTa.
It is configured using a piezoelectric single crystal such as O 3 or LiNbO 3 .
【００４３】圧電基板１２の上面には、第１，第２のＩ
ＤＴ１４，１３が形成されている。第１，第２のＩＤＴ
１４，１３は、下記のような電極を形成することにより
構成されている。On the upper surface of the piezoelectric substrate 12, first and second I
DTs 14 and 13 are formed. First and second IDT
14 and 13 are formed by forming the following electrodes.
【００４４】すなわち、圧電基板１２の対向２端面１２
ａ，１２ｂを結ぶ側面１２ｃ，１２ｄに平行に、バスバ
ー１５〜１７が形成されている。バスバー１５，１７
は、それぞれ、側面１２ｃ，１２ｄに沿うように形成さ
れている。また、バスバー１６は、圧電基板１２の中央
において、側面１２ｃ，１２ｄに平行に形成されてい
る。That is, the opposing two end faces 12 of the piezoelectric substrate 12
Busbars 15 to 17 are formed in parallel with the side surfaces 12c and 12d connecting a and 12b. Bus bars 15, 17
Are formed along the side surfaces 12c and 12d, respectively. The bus bar 16 is formed in the center of the piezoelectric substrate 12 in parallel with the side surfaces 12c and 12d.
【００４５】バスバー１５からバスバー１６側に向かっ
て、ただしバスバー１６には至らないように、複数本の
電極指１８ａ〜１８ｅが形成されている。同様に、バス
バー１６からバスバー１５側に向かって、ただし、バス
バー１５には至らないように、複数本の電極指１９ａ〜
１９ｄが形成されている。バスバー１５及び複数本の電
極指１８ａ〜１８ｅにより構成されるくし歯電極と、バ
スバー１６及び複数本の電極指１９ａ〜１９ｄで構成さ
れるくし歯電極とにより、ＩＤＴ１３が構成されてい
る。A plurality of electrode fingers 18a to 18e are formed from the bus bar 15 toward the bus bar 16 but not to the bus bar 16. Similarly, a plurality of electrode fingers 19 a to 19 a are arranged from the bus bar 16 toward the bus bar 15, but not to the bus bar 15.
19d is formed. The IDT 13 is composed of a comb electrode formed by the bus bar 15 and the plurality of electrode fingers 18a to 18e, and a comb electrode formed by the bus bar 16 and the plurality of electrode fingers 19a to 19d.
【００４６】また、バスバー１６からは、バスバー１７
側に向かって複数本の電極指２０ａ〜２０ｅが形成され
ている。同様に、バスバー１７からバスバー１６側に向
かって、ただし、バスバー１６には至らないように複数
本の電極指２１ａ〜２１ｆが形成されている。バスバー
１６及び複数本の電極指２０ａ〜２０ｅにより構成され
るくし歯電極と、バスバー１７及び複数本の電極指２１
ａ〜２１ｆにより構成されるくし歯電極とにより、上記
ＩＤＴ１４が構成されている。Further, the bus bar 17 is
A plurality of electrode fingers 20a to 20e are formed toward the side. Similarly, a plurality of electrode fingers 21 a to 21 f are formed from the bus bar 17 toward the bus bar 16 but not to the bus bar 16. A comb electrode constituted by a bus bar 16 and a plurality of electrode fingers 20a to 20e; a bus bar 17 and a plurality of electrode fingers 21;
The IDT 14 is constituted by the comb-shaped electrodes constituted by a to 21f.
【００４７】なお、上記各電極指は、端面１２ａ，１２
ｂに沿うように形成された電極指１８ａ，１８ｅ，２１
ａ，２１ｆを除いては、各ＩＤＴで励振される表面波の
波長の約１／４の幅とされており、電極指間の間隔も各
ＩＤＴ１３，１４で励起される表面波の波長の１／４と
されている。また、端面１２ａ，１２ｂに沿うように配
置された両側の電極指１８ａ，１８ｅ，２１ａ，２１ｆ
については、各ＩＤＴ１３，１４で励振される表面波の
波長の約１／８とされている。The above-mentioned electrode fingers are connected to the end faces 12a, 12a.
electrode fingers 18a, 18e, 21 formed along
Except for a and 21f, the width is about 表面 of the wavelength of the surface wave excited by each IDT, and the distance between the electrode fingers is one of the wavelength of the surface wave excited by each IDT 13 and 14. / 4. Further, the electrode fingers 18a, 18e, 21a, 21f on both sides arranged along the end faces 12a, 12b.
Is about 約 of the wavelength of the surface wave excited by each of the IDTs 13 and 14.
【００４８】上記ＩＤＴ１３，１４は、上述のような構
造を有するが、例えば、圧電基板１２の上面にアルミニ
ウム膜を蒸着、メッキもしくはスパッタリング等の薄膜
形成法により形成した後、フォトリソグラフィー等によ
りパターニングすることにより形成し得る。あるいは、
スクリーン印刷を用い、導電性材料を図６に示した平面
形状を有するように印刷することにより、ＩＤＴ１３，
１４を形成してもよい。The IDTs 13 and 14 have the above-described structure. For example, after an aluminum film is formed on the upper surface of the piezoelectric substrate 12 by a thin film forming method such as evaporation, plating or sputtering, patterning is performed by photolithography or the like. Can be formed. Or,
By printing the conductive material so as to have the planar shape shown in FIG.
14 may be formed.
【００４９】本実施例の表面波共振子１１では、ＩＤＴ
１３が形成されている部分において第２の共振ユニット
が構成され、ＩＤＴ１４が形成されている部分において
第１の共振ユニットが構成されている。第２の共振ユニ
ットは、隣接チャンネル映像信号周波数トラップを構成
するための共振子であり、第１の共振ユニットは隣接チ
ャンネル映像信号周波数トラップを構成するための共振
子である。使用に際しての電気的接続は、バスバー１６
を基準電位に接続し、信号ラインにバスバー１５，１７
を電気的に接続すればよい。すなわち、本実施例の表面
波共振子１１は、３端子型の単一の電子部品として用い
ることができる。In the surface acoustic wave resonator 11 of this embodiment, the IDT
A portion where the IDT 14 is formed constitutes a second resonance unit, and a portion where the IDT 14 is formed constitutes a first resonance unit. The second resonance unit is a resonator for configuring an adjacent channel video signal frequency trap, and the first resonance unit is a resonator for configuring an adjacent channel video signal frequency trap. The electrical connection for use is the bus bar 16
Are connected to a reference potential, and bus bars 15 and 17 are connected to signal lines.
May be electrically connected. That is, the surface acoustic wave resonator 11 of the present embodiment can be used as a single three-terminal electronic component.
【００５０】本実施例の表面波共振子１１では、対向２
端面１２ａ，１２ｂ間の距離Ｌが２９７μｍとされてお
り、圧電基板１２の音速は、２４００ｍ／秒である。ま
た、第１，第２の共振ユニットの電極指の対数Ｍ1 ，Ｍ
2 は、それぞれ５対と４対である。従って、隣接チャン
ネル映像信号周波数＝３１．９ＭＨｚ及び隣接チャンネ
ル音声信号周波数＝４０．４ＭＨｚの共振子における波
長は、それぞれ、λａｐ＝λ2 ＝７５．２μｍ及びλａ
ｓ＝λ1 ＝５９．４μｍである。In the surface acoustic wave resonator 11 of this embodiment, the facing 2
The distance L between the end faces 12a and 12b is 297 μm, and the sound speed of the piezoelectric substrate 12 is 2400 m / sec. Also, the logarithms M 1 and M of the electrode fingers of the first and second resonance units are set.
2 is 5 pairs and 4 pairs respectively. Therefore, the wavelengths at the resonators of the adjacent channel video signal frequency = 31.9 MHz and the adjacent channel audio signal frequency = 40.4 MHz are λap = λ 2 = 75.2 μm and λa, respectively.
s = λ 1 = 59.4 μm.
【００５１】よって、第１の共振ユニットすなわち、隣
接チャンネル音声信号周波数トラップの共振特性におい
てはＬ＝（λ1 ／２）×Ｎ1 が満たされているので、図
８に示すように、不要スプリアスが共振点よりも低域側
に発明していないことがわかる。[0051] Thus, the first resonance unit or, since L = (λ 1/2) × N 1 is satisfied in the resonance characteristic of the adjacent-channel sound signal frequency trap, as shown in FIG. 8, unwanted spurious Is not invented below the resonance point.
【００５２】他方、第２の共振ユニットスプリアス隣接
チャンネル映像信号周波数トラップを構成するための共
振ユニットにおいては（λ2 ／２）×Ｎ2 が上記Ｌと
３．８μｍ異なるので、図７に示すように、共振点より
も低域側に矢印Ａで示すスプリアスが現れている。On the other hand, in the resonance unit for forming the spurious adjacent channel video signal frequency trap in the second resonance unit, (λ 2/2) × N 2 differs from the above L by 3.8 μm, and as shown in FIG. A spurious component indicated by an arrow A appears on the lower side of the resonance point.
【００５３】しかしながら、隣接チャンネル映像信号周
波数よりも低域側にこのようなスプリアスが発生したと
しても、映像中間周波段の特性には影響を与えない。よ
って、本実施例の表面波共振子１１は、テレビジョン受
像機の映像中間周波段の２つのトラップを構成する素子
として好適に用いることができ、すなわち単一の素子で
２つのトラップを構成することができる。よって、従来
のＬＣ共振回路や従来の圧電共振子を用いたトラップ回
路に比べて、回路構成を大幅に簡略化することができ、
かつ製造コストの低減をはかることができる。However, even if such spurs occur on the lower frequency side than the adjacent channel video signal frequency, the characteristics of the video intermediate frequency stage are not affected. Therefore, the surface acoustic wave resonator 11 of the present embodiment can be suitably used as an element constituting two traps at the video intermediate frequency stage of a television receiver, that is, a single element constitutes two traps. be able to. Therefore, the circuit configuration can be greatly simplified as compared with a conventional LC resonance circuit or a trap circuit using a conventional piezoelectric resonator,
In addition, the manufacturing cost can be reduced.
【００５４】[0054]
【００５５】[0055]
【００５６】[0056]
【００５７】[0057]
【００５８】[0058]
【００５９】[0059]
【００６０】[0060]
【００６１】[0061]
【００６２】[0062]
【００６３】[0063]
【００６４】[0064]
【図１】テレビジョン受像機の映像中間周波段の減衰量
−周波数特性を示す図。FIG. 1 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics of a video intermediate frequency stage of a television receiver.
【図２】従来のＢＧＳ波を利用した表面波共振子を説明
するための斜視図。FIG. 2 is a perspective view illustrating a conventional surface acoustic wave resonator using a BGS wave.
【図３】端面反射型表面波共振子の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of an edge reflection type surface acoustic wave resonator.
【図４】端面間の距離が最適値からずれた場合の端面反
射型表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す
図。FIG. 4 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of an end-face reflection type surface acoustic wave resonator when the distance between end faces deviates from an optimum value.
【図５】端面間の距離が好ましい範囲内にある端面反射
型表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す
図。FIG. 5 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of an end-face reflection type surface acoustic wave resonator in which a distance between end faces is within a preferable range.
【図６】本願の第１の発明の一実施例にかかる端面反射
型表面波の共振子を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing an edge reflection type surface acoustic wave resonator according to the first embodiment of the present invention;
【図７】図６に示した実施例の表面波共振子における第
２の共振ユニットのインピーダンス−周波数特性を示す
図。FIG. 7 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of a second resonance unit in the surface acoustic wave resonator of the embodiment shown in FIG. 6;
【図８】図６に示した実施例の端面反射型表面波共振子
の第１の共振ユニットのインピーダンス−周波数特性を
示す図。 FIG. 8 is a diagram showing impedance-frequency characteristics of a first resonance unit of the end-face reflection type surface acoustic wave resonator of the embodiment shown in FIG . 6 ;
１１…端面反射型表面波共振子 １２…圧電基板 １３，１４…第２，第１のＩＤＴ １２ａ，１２ｂ…端面 11: End face reflection type surface acoustic wave resonator 12: Piezoelectric substrate 13, 14 ... Second and first IDTs 12a, 12b: End face
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/64 H03H 9/25
Claims (5)
表面波を反射させる端面反射型表面波共振子であって、 前記対向２端面を有する圧電基板と、同一の前記対向２
端面を反射端面とするようにそれぞれが前記圧電基板上
に配置された第１，第２のインターデジタルトランスデ
ューサとを備え、 第１のインターデジタルトランスデューサが形成されて
いる部分により第１の共振ユニットが、第２のインター
デジタルトランスデューサが形成されている部分によ
り、第１の共振ユニットの共振周波数ｆ1と異なる共振
周波数ｆ2を有する第２の共振ユニットが構成されてお
り、 前記対向２端面間の距離をＬ、第１の共振ユニットで励
起される表面波の波長をλ1、第２の共振ユニットで励
起される表面波の波長をλ2としたときに、 距離Ｌが（λ1／２）×Ｎ1（ただし、Ｎ1は整数）もし
くはその近傍となるように構成されており、（λ2／
２）×Ｎ2（ただし、Ｎ2は整数）がＬに近づくようにＮ
2が定められている表面波共振子。1. An end-face reflection type surface acoustic wave resonator for reflecting an SH type surface wave between two opposing end faces of a piezoelectric substrate, wherein the same opposing 2
Each on the piezoelectric substrate so that the end face is a reflection end face
And the first and second interdigital transducers disposed in the first and second interdigital transducers. The first and second interdigital transducers are formed by a portion in which the first interdigital transducer is formed. a second resonance unit having a resonant frequency f 1 different from the resonance frequency f 2 of the first resonance unit are configuration, the distance between the two opposing end surfaces L, the surface to be excited by the first resonance unit 1 the wavelength of the wave lambda, the wavelength of the excited surface wave is taken as lambda 2 at the second resonance unit, the distance L is (λ 1/2) × N 1 ( however, N 1 is an integer) or a Are configured to be in the vicinity, and (λ 2 /
2) N is set so that × N 2 (where N 2 is an integer) approaches L
Surface wave resonator for which 2 is specified.
1／２０）以内とされている、請求項１に記載の表面波
共振子。Wherein said distance L is, (λ 1/2) × N 1 ± (λ
2. The surface acoustic wave resonator according to claim 1, wherein the ratio is within 1/20).
2／２０）の範囲外とされている、請求項１または２に
記載の表面波共振子。Wherein the distance L is, (λ 2/2) × N 2 ± (λ
2/20) are outside the scope of, the surface acoustic wave resonator according to claim 1 or 2.
1が、第２の共振ユニットの共振周波数ｆ2よりも高くさ
れている、請求項１〜３のいずれかに記載の表面波共振
子。4. The resonance frequency f of the first resonance unit
1, are higher than the resonance frequency f 2 of the second resonance unit, the surface acoustic wave resonator according to claim 1.
機の映像中間周波段のトラップ回路を構成するための共
振子であり、 前記第１の共振周波数が隣接チャンネル音声信号周波
数、第２の共振周波数ｆ2が隣接チャンネル映像信号周
波数である、請求項１〜４のいずれかに記載の表面波共
振子。5. The resonator according to claim 1, wherein the surface acoustic wave resonator is a resonator for forming a trap circuit at a video intermediate frequency stage of a television receiver, wherein the first resonance frequency is an adjacent channel audio signal frequency, and the second resonance frequency is a second resonance frequency. the resonance frequency f 2 is adjacent channel video signal frequency, the surface acoustic wave resonator according to claim 1.
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