JP3190866B2 - High frequency probe and measuring method using high frequency probe - Google Patents
High frequency probe and measuring method using high frequency probeInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波デバイスを
測定するための高周波プローブに関する。The present invention relates to a high-frequency probe for measuring a high-frequency device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の高周波プローブは、図１
１（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すように、コネクタ
部１と、同軸線路部２と、先端プローブ部３とから構成
されているものまたは、図１４に示すように、中心導体
３０００と、グランド導体３１００からなるストリップ
ライン構造で構成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a high-frequency probe of this kind has been disclosed in FIG.
1 (a), (b) and (c), a connector composed of a connector section 1, a coaxial line section 2 and a tip probe section 3 or, as shown in FIG. It has a strip line structure composed of 3000 and a ground conductor 3100.
【０００３】測定を正確に実施するためには、被測定物
との良好な接触を確保することが重要で、図１１に示す
従来の高周波プローブは、同軸線路部２及び先端プロー
ブ部３でバネ性を持たせていた。従って、同軸線路部２
及び先端プローブ部３のシグナル導体５およびグランド
導体４，６の材質は、バネ性を持つ部材で形成され、導
体の配置はグランド導体４、シグナル導体５、グランド
導体６の順に水平方向に並んだ（横型Ｇ−Ｓ−Ｇ）コプ
レーナ構造をとり、被測定物の信号電極とグランド電極
にある一定の加圧量でコンタクトするようになってい
た。図１４に示す従来の高周波プローブは、中心導体３
０００の両側に撓み方向と平行な位置でグランド導体３
１００を配置したストリップライン構造の伝送路になっ
ており、被測定物３２００と接触するときには、中心導
体３０００のみが撓むようになっていた。In order to perform accurate measurement, it is important to ensure good contact with the object to be measured. The conventional high-frequency probe shown in FIG. Had the nature. Therefore, the coaxial line section 2
The material of the signal conductor 5 and the ground conductors 4 and 6 of the tip probe section 3 is formed of a member having spring properties, and the conductors are arranged in the horizontal direction in the order of the ground conductor 4, the signal conductor 5, and the ground conductor 6. A (horizontal GSG) coplanar structure is used, and the signal electrode of the device under test and the ground electrode are brought into contact with a certain amount of pressure. The conventional high-frequency probe shown in FIG.
Ground conductors 3 at positions parallel to the bending direction
The transmission line has a stripline structure in which 100 are arranged, and when it comes into contact with the device under test 3200, only the center conductor 3000 is bent.
【０００４】図１１及び図１４で示す従来の高周波プロ
ーブは、被測定物と接触する先端部分が上述した横型Ｇ
−Ｓ−Ｇコプレーナ構造で、プローブ先端部分の導体配
置間隔と同じ電極配置の被測定物に接触していた。The conventional high-frequency probe shown in FIGS. 11 and 14 has a horizontal G
In the -SG coplanar structure, there was contact with the DUT having the same electrode arrangement as the conductor arrangement interval at the probe tip.
【０００５】また、被測定物のグランド電極が信号電極
と同一平面上ではなく裏面にベタ状に入っている場合
は、プローブのグランド導体が被測定物のグランド電極
に接触できないので一旦被測定物を基板に搭載して、そ
の基板上に設けた測定電極へプローブを接触させる代替
方法をとっていた。If the ground electrode of the DUT is not on the same plane as the signal electrode but is solid on the back surface, the ground conductor of the probe cannot contact the ground electrode of the DUT. Was mounted on a substrate, and an alternative method of contacting a probe to a measurement electrode provided on the substrate was employed.
【０００６】プローブの特性インピーダンスは、プロー
ブ全体の伝送線路において特性インピーダンス５０Ωで
整合されていた。The characteristic impedance of the probe has been matched with a characteristic impedance of 50Ω in the transmission line of the entire probe.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術には下記の
ような問題点がある。The prior art has the following problems.
【０００８】従来の高周波プローブは、被測定物と接触
する先端部分の導体が上述した横型Ｇ−Ｓ−Ｇコプレー
ナ構造で配置されていて、被測定物の信号電極とグラン
ド電極との電極配置間隔がプローブの導体配置間隔と同
じで、かつ同一平面に存在する必要がある。In the conventional high-frequency probe, the conductor at the tip portion that comes into contact with the object to be measured is arranged in the above-mentioned horizontal GSG coplanar structure, and the electrode arrangement interval between the signal electrode and the ground electrode of the object to be measured. Must be the same as the conductor arrangement interval of the probe and be on the same plane.
【０００９】そのため、被測定物の信号電極１つに対し
て隣接したグランド電極を設ける必要があり被測定物外
形寸法が大きくなる。特にシリコンに比べてウェハコス
トが高いＧａＡｓ等の化合物デバイスでは１枚のウェハ
から取れる個数が少なくなり、その分製品コストが高く
なるという欠点がある。Therefore, it is necessary to provide a ground electrode adjacent to one signal electrode of the device under test, which increases the external dimensions of the device under test. In particular, compound devices such as GaAs, which have a higher wafer cost than silicon, have a drawback in that the number of products that can be obtained from one wafer is reduced, and the product cost is increased accordingly.
【００１０】また、被測定物のグランド電極が信号電極
と同一平面上ではなく裏面にベタ状に入っている場合
は、測定電極を設けた基板に被測定物を搭載して測定す
る必要がある。When the ground electrode of the object to be measured is not on the same plane as the signal electrode but is solid on the back surface, it is necessary to mount the object to be measured on a substrate provided with the measurement electrodes and perform the measurement. .
【００１１】そのため、良否判定は被測定物を搭載する
工程の後に行なうので、不良発生時に製品を交換および
修理するコストがかかってしまうという欠点がある。[0011] For this reason, the quality is determined after the step of mounting the object to be measured, and there is a disadvantage in that the cost of replacing and repairing the product when a defect occurs is high.
【００１２】図１１に示す従来の高周波プローブは、あ
る周波数範囲で特性インピーダンス整合されており、コ
ネクタ部１、同軸線路部２は固定してあるため特性イン
ピーダンスの変動はない。先端プローブ部３はバネ性を
持たせているため、被測定物の電極に接触するとき、シ
グナル導体５とグランド導体４，６の互いの高さ位置が
変わり特性インピーダンスが変動する。図１２は、図１
１に示す従来の高周波プローブにおいて被測定物の電極
に接触した時の図であり、図１２（ａ）に示すように、
被測定物の信号電極１０、グランド電極１１の高さにバ
ラツキがない場合は、中心導体１０１とグランド導体１
１１によりコプレーナ構造の伝送路が形成されるため、
プローブ先端部分での特性インピーダンスは、変動しな
い。しかし、同図（ｂ）に示すように、被測定物の信号
電極１０、グランド電極１１の高さにバラツキがある場
合は、中心導体１０１がグランド導体１１１より高い位
置で電極に接触するため、プローブ先端部分での特性イ
ンピーダンスの整合が崩れて高周波特性が悪くなるとい
う欠点がある。In the conventional high-frequency probe shown in FIG. 11, the characteristic impedance is matched in a certain frequency range, and since the connector section 1 and the coaxial line section 2 are fixed, there is no change in the characteristic impedance. Since the tip probe section 3 has a spring property, when the tip probe section 3 comes into contact with an electrode of the device under test, the signal conductor 5 and the ground conductors 4 and 6 change their respective height positions and the characteristic impedance fluctuates. FIG.
FIG. 12 is a diagram when the conventional high-frequency probe shown in FIG. 1 is in contact with an electrode of an object to be measured, as shown in FIG.
If there is no variation in the height of the signal electrode 10 and the ground electrode 11 of the device under test, the center conductor 101 and the ground conductor 1
11 form a coplanar structure transmission line,
The characteristic impedance at the probe tip does not change. However, if the heights of the signal electrode 10 and the ground electrode 11 of the device under test vary, as shown in FIG. 2B, the center conductor 101 contacts the electrode at a position higher than the ground conductor 111. There is a disadvantage that the matching of the characteristic impedance at the probe tip is broken and the high-frequency characteristics are deteriorated.
【００１３】さらに特性インピーダンスの変動をなくす
ため、先端プローブに可撓性を持たせず固定構造にする
と、被測定物の電極に接触するときにオーバードライブ
量が殆んどとれず所定の加圧量が得られないため、安定
した接触が行えない。また、被測定物の電極にダメージ
を与えずに所定の加圧量を得るためのオーバードライブ
量調整が非常に困難になる。Further, if the tip probe has a fixed structure without flexibility in order to eliminate the variation of the characteristic impedance, the overdrive amount can hardly be obtained when the probe is brought into contact with the electrode of the object to be measured, and the predetermined pressure is applied. Since the amount cannot be obtained, stable contact cannot be performed. Further, it becomes very difficult to adjust the overdrive amount to obtain a predetermined amount of pressurization without damaging the electrode of the device under test.
【００１４】図１３（ａ）に示す被測定物２０００の信
号電極１０にワイヤ１２をボンディングしたときは、被
測定物自身の特性インピーダンスＺ1に誘導性成分Ｌ1
が付加され、特性インピーダンスが整合した状態
（Ｚ0）になる。図１１に示す従来の高周波プローブで
は所定の特性インピーダンス（Ｚ0）で整合されている
ので、図１３（ｂ）に示すように、被測定物単体を検査
するとき、誘導性成分を付加して被測定物実装時と等価
な条件で正確な測定は困難であるという欠点がある。When the wire 12 is bonded to the signal electrode 10 of the DUT 2000 shown in FIG. 13A, the inductive component L 1 is added to the characteristic impedance Z 1 of the DUT itself.
Is added, and the characteristic impedance is matched (Z 0 ). In the conventional high-frequency probe shown in FIG. 11, matching is performed with a predetermined characteristic impedance (Z 0 ). Therefore, as shown in FIG. There is a drawback that accurate measurement is difficult under the same conditions as when the device under test is mounted.
【００１５】図１４に示す従来の高周波プローブは、被
測定物の電極面を位置決めの基準面としているため、被
測定物の電極の高さバラツキにより中心導体３０００
と、グランド導体３１００の位置関係がズレる。それに
より特性インピーダンスの整合がくずれて、高周波特性
が悪くなる。また、グランド導体３１００に可撓性がな
いため被測定物３２００のグランド電極３３００に安定
した接触が行なえないことにより測定再現性が悪くなる
という欠点がある。In the conventional high-frequency probe shown in FIG. 14, since the electrode surface of the object to be measured is used as a reference plane for positioning, the center conductor 3000 is not used due to variations in the height of the electrodes of the object to be measured.
And the positional relationship of the ground conductor 3100 is shifted. As a result, the matching of the characteristic impedance is lost, and the high-frequency characteristics deteriorate. In addition, since the ground conductor 3100 is inflexible, stable contact with the ground electrode 3300 of the device under test 3200 cannot be performed.
【００１６】本発明の課題は、被測定物の電極の高さ方
向にばらつきがあっても、また被測定物のグランド電極
が裏面にベタ状にある場合でも再現性のある良好な高周
波特性が得られる。さらに、被測定物の電極にワイヤボ
ンディングする前の状態でも、実装時と等価な条件で正
確な測定ができる高周波プローブを提供することであ
る。An object of the present invention is to provide a high-frequency characteristic with good reproducibility even when there is variation in the height direction of the electrode of the device under test and when the ground electrode of the device under test is solid on the back surface. can get. It is still another object of the present invention to provide a high-frequency probe capable of performing accurate measurement under conditions equivalent to those at the time of mounting even before wire bonding to an electrode of an object to be measured.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明の高周波プローブ
は、被測定物である高周波デバイスの信号電極に接触し
て電気的導通を取る先端部分を有する中心導体と、前記
中心導体の先端部分を除き同軸位置に取り囲み、被測定
物の上面に対し垂直な方向に可撓性を持つ円筒グランド
導体と、前記中心導体を前記円筒グランド導体の中心位
置に保持する誘電体と、前記中心導体の先端部分の両側
に平行に位置されて前記円筒グランド導体の外側に接触
して電気的導通を取り、前記中心導体及び前記円筒グラ
ンド導体と独立して動くとともに、前記円筒グランド導
体の撓む方向と垂直な方向で前記円筒グランド導体を挟
み込んで保持した２枚のグラント板と、前記グランド板
の中央部分を支える中央ガイドと、前記グランド板の被
測定物と反対側を支える根元ガイドとを備え、前記グラ
ンド板の一部分であり、前記中央ガイドに当接し鋏形バ
ネを形成し被測定物のグランド電極への接圧力を発生す
る分岐部を有している。According to the present invention, there is provided a high-frequency probe comprising: a center conductor having a tip portion which is in electrical contact with a signal electrode of a high-frequency device to be measured; Except for the cylindrical ground conductor surrounding the coaxial position and having flexibility in a direction perpendicular to the upper surface of the device under test, a dielectric for holding the center conductor at the center position of the cylindrical ground conductor, and a tip of the center conductor take the electrical conduction are positioned parallel on either side of the portion in contact with the outside of the cylindrical ground conductor, with move independently with the center conductor and the cylindrical ground conductor, said cylindrical ground conductor
Sandwich the cylindrical ground conductor in a direction perpendicular to the direction in which the body flexes.
Two ground plates that have been fitted and held , a central guide that supports the central portion of the ground plate, and a root guide that supports the opposite side of the ground plate from the object to be measured, and is a part of the ground plate; A scissor-shaped spring is formed in contact with the central guide, and a branch portion is provided for generating a contact pressure of the measured object with the ground electrode.
【００１８】前記中心導体及び前記円筒グランド導体の
両側に対向して配置され向かい合う内側の面が平行に配
置されたグランド板の板厚は、前記円筒グランド導体に
対向する部分の板厚が前記中心導体に対向する部分の板
厚より薄く形成された構造を有するものを含む。 The center conductor and the cylindrical ground conductor
The opposing inner surfaces are placed parallel to each other and
The thickness of the placed ground plate is
The plate of the portion where the plate thickness of the facing portion faces the center conductor
Including those having a structure formed thinner than the thickness.
【００１９】前記中心導体及び前記円筒グランド導体の
両側に対向して配置され向かい合う内側の面が平行に配
置されたグランド板の板厚は、前記円筒グランド導体に
対向する部分の板厚が前記中心導体に対向する部分の板
厚より厚く形成された構造を有するものを含む。 The center conductor and the cylindrical ground conductor
The opposing inner surfaces are placed parallel to each other and
The thickness of the placed ground plate is
The plate of the portion where the plate thickness of the facing portion faces the center conductor
Including those having a structure formed thicker than thick.
【００２０】本発明の高周波プローブを用いた測定方法
は上述した高周波プローブを用いた測定方法であって、
被測定物の裏面であるグランド電極とデバイスステージ
を接触させ、前記グランド電極と前記デバイスステージ
を電気的に導電させて、前記被測定物の信号電極に前記
中心導体を接触し、前記グランド板の先端部分を前記デ
バイスステージに接触させて測定する。 Measurement method using high-frequency probe of the present invention
Is a measurement method using the high-frequency probe described above,
Ground electrode and device stage on the back of DUT
And the ground electrode and the device stage
Is electrically conductive, and the signal electrode of the device under test is
Contact the center conductor and attach the tip of the ground plate to the
Measure by contacting with a vise stage.
【００２１】貫通穴のあるインピーダンス調整部材を前
記中心導体の先端部分にはめ込む構造を有するものを含
む。前記インピーダンス調整部材の形状がパイプ状また
は角柱ブロック状であってよく、また、その材質が金属
材料または、空気より誘電率の大きい誘電体材料であっ
てよい。[0021] Including a structure having a structure in which an impedance adjusting member having a through hole is fitted into a tip portion of the center conductor. The impedance adjusting member has a pipe shape or
May have a prismatic block shape , and may be made of a metal material or a dielectric material having a dielectric constant higher than that of air.
【００２２】前記高周波プローブを複数個並列に配置し
て中央ガイドによって挟み込んだ構成としてもよい。A plurality of the high frequency probes may be arranged in parallel and sandwiched by a central guide .
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２４】図１（ａ）は本発明の高周波プローブの第
１実施形態の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の側面
図、図２（ａ）は図１の高周波プローブ先端部の拡大平
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡＡ線縦断面図、図３
（ａ）は図１の中心導体１００にパイプ１３０をはめ込
んだ状態を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ方
向正面図、図４（ａ）は高周波プローブの特性インピー
ダンス計算チャート図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ、
ｄを示す平面図、図５（ａ）は図３のパイプ１３０の太
さを変えた状態の側面図、同図（ｂ）および（ｃ）はそ
れぞれパイプ１３０の長さを変えた状態の側面図、図６
（ａ）は図１の高周波プローブの測定時の正面図、同図
（ｂ）は同図（ａ）の電極１０の高さが高い場合の正面
図である。FIG. 1A is a plan view of a high-frequency probe according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a side view of FIG. 1A, and FIG. FIG. 3B is an enlarged plan view of the portion, FIG. 3B is a vertical sectional view taken along line AA of FIG.
(A) is a plan view showing a state in which the pipe 130 is fitted into the center conductor 100 in FIG. 1, (b) is a front view in the A direction of (a), and (a) is a characteristic impedance of the high-frequency probe The calculation chart is shown in FIG.
5A is a side view of the pipe 130 of FIG. 3 with the thickness changed, and FIGS. 5B and 5C are side views of the pipe 130 with the length changed. FIG. 6
1A is a front view of the high-frequency probe of FIG. 1 at the time of measurement, and FIG. 2B is a front view of the high-frequency probe of FIG. 1A when the height of the electrode 10 is high.
【００２５】この実施形態の高周波プローブは図１
（ａ）および（ｂ）に示すように、中心導体１００と円
筒グランド導体１１０とからなる伝送路と、２枚のグラ
ンド板１２０と中央ガイド７００と、根元ガイド８００
と、ホルダ１０００を有している。The high-frequency probe of this embodiment is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a transmission line including a center conductor 100 and a cylindrical ground conductor 110, two ground plates 120, a center guide 700, and a root guide 800
And a holder 1000.
【００２６】中心導体１００は先端付近がむき出しにな
っていて、バネ性と耐摩耗性を有する金属例えばタング
ステンまたはベリリウム銅またはリン青銅でできてお
り、先端が鋭く研磨加工されていて、被測定物の微細な
信号電極に接触することができる。円筒グランド導体１
１０は誘電体を挟んで中心導体１００を囲んで同軸構造
を形成する。グランド板１２０は金属でできており、中
心導体１００の先端むき出し部分の両側に平行に配置さ
れてストリップライン構造の伝送路を形成し、先端を被
測定物のグランド電極に確実に接触するような圧力を得
るために鋏形バネを有する分岐部１５０を持っている。
中央ガイド７００と根元ガイド８００とは２枚のグラン
ド板１２０で中心導体１００と円筒グランド導体１１０
よりなる伝送路を挟んで保持するためのものである。中
央ガイド７００にはデバイスステージ１１００に接する
面の反対側の面にグランド板１２０の分岐部１５０が当
接している。グランド板１２０の分岐部１５０が形成し
ている鋏形バネはピン１４０を支点位置としている。中
央ガイド７００は、グランド板１２０を中央部分で、根
元ガイド８００はグランド板１２０を根元部分で保持す
る。グランド板１２０の先端部下端は、図２（ｂ）に示
すように、中心導体１００が被測定物２０００の信号電
極１０に接触したとき、被測定物２０００との距離ａを
最短にする点でデバイスステージ１１００に接触するよ
うに、図示のような切込み形状をなしている。デバイス
ステージ１１００は、被測定物のグランド電極である裏
面と密着し、導通がとれている。また、グランド板１２
０と円筒グランド導体１１０は金リボン９００で電気的
に接続されている。The center conductor 100 is exposed near its tip, is made of a metal having spring properties and abrasion resistance, for example, tungsten, beryllium copper, or phosphor bronze. Contact with a fine signal electrode. Cylindrical ground conductor 1
Reference numeral 10 forms a coaxial structure surrounding the center conductor 100 with a dielectric material interposed therebetween. The ground plate 120 is made of metal, and is arranged in parallel on both sides of the exposed end of the center conductor 100 to form a transmission line of a strip line structure, so that the end reliably contacts the ground electrode of the device under test. It has a branch 150 with scissor springs to obtain pressure.
The center guide 700 and the root guide 800 are composed of two ground plates 120 and a center conductor 100 and a cylindrical ground conductor 110.
It is intended to hold the transmission line between them. The branch 150 of the ground plate 120 is in contact with the central guide 700 on the surface opposite to the surface in contact with the device stage 1100. The scissor-shaped spring formed by the branch portion 150 of the ground plate 120 has the pin 140 as a fulcrum position. The center guide 700 holds the ground plate 120 at the center, and the root guide 800 holds the ground plate 120 at the root. As shown in FIG. 2B, the lower end of the front end of the ground plate 120 minimizes the distance a from the device 2000 when the center conductor 100 contacts the signal electrode 10 of the device 2000. A cut shape as shown is formed so as to contact the device stage 1100. The device stage 1100 is in close contact with the back surface of the device under test, which is the ground electrode, and is electrically connected. Also, the ground plate 12
0 and the cylindrical ground conductor 110 are electrically connected by a gold ribbon 900.
【００２７】中心導体１００の先端むき出し部分には図
３（ａ）および（ｂ）にも示すように、パイプ１３０を
はめ込むことができる。パイプ１３０はプローブ先端部
１１５のインピーダンス整合または特性インピーダンス
の可変を行うためのものである。As shown in FIGS. 3A and 3B, a pipe 130 can be fitted into the exposed end of the center conductor 100. The pipe 130 is for performing impedance matching of the probe tip 115 or varying the characteristic impedance.
【００２８】図４（ａ）の特性インピーダンス計算チャ
ートでは、横軸には、図４（ｂ）に示されているグラン
ド板１２０の隙間すなわち中心導体１００の許される最
大線径Ｄと中心導体１００の線径ｄとの比が示され、縦
軸は、プローブの特性インピーダンスの容量値と誘導値
（インダクタンス）が示されている。In the characteristic impedance calculation chart of FIG. 4A, the abscissa indicates the gap between the ground plates 120 shown in FIG. 4B, that is, the maximum allowable wire diameter D of the center conductor 100 and the center conductor 100. The vertical axis indicates the capacitance value and the induction value (inductance) of the characteristic impedance of the probe.
【００２９】グランド板１２０の隙間Ｄを一定とし、中
心導体１００の外径ｄを太くした場合、隙間Ｄと外径ｄ
との比は図４（ａ）のＡ点に対して左側となり、特性イ
ンピーダンスは容量性成分が付加される。逆に中心導体
１００の外径ｄを細くすると誘導性成分が付加される。When the gap D of the ground plate 120 is fixed and the outer diameter d of the center conductor 100 is increased, the gap D and the outer diameter d
Is on the left side with respect to the point A in FIG. 4A, and a capacitive component is added to the characteristic impedance. Conversely, when the outer diameter d of the center conductor 100 is reduced, an inductive component is added.
【００３０】また、図４を用いて、中心導体１００の外
径ｄをあらかじめ誘導性成分を持った寸法で製作してお
き、プローブ先端部分１１５のインピーダンスが整合す
るパイプ１３０と、容量性成分を持ったパイプ１３０を
製作すれば、パイプを選択するだけで特性インピーダン
スの可変を容易に行うことができる。Also, referring to FIG. 4, the outer diameter d of the center conductor 100 is manufactured in advance with a dimension having an inductive component, and the pipe 130 whose impedance at the probe tip 115 matches and the capacitive component is formed. If the pipe 130 having the characteristic is manufactured, the characteristic impedance can be easily changed only by selecting the pipe.
【００３１】図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は金属に
よるパイプ１３０を中心導体１００にはめ込んだ例を示
している。FIGS. 5 (a), 5 (b) and 5 (c) show examples in which a pipe 130 made of metal is fitted into the center conductor 100. FIG.
【００３２】図５（ａ）の点線に示すように、中心導体
１００にグランド板１２０に接触しない大きさの金属パ
イプ１３０をはめ込むことで中心導体１００の外形がパ
イプ１３０の分だけ太くなり、図４（ａ）より容量性成
分が付加される。また、パイプ１３０の外径を変えるこ
とで付加される容量性成分の量を変えることができる。As shown by the dotted line in FIG. 5A, by fitting a metal pipe 130 having a size that does not make contact with the ground plate 120 into the center conductor 100, the outer shape of the center conductor 100 becomes thicker by the size of the pipe 130. 4 (a), a capacitive component is added. Also, by changing the outer diameter of the pipe 130, the amount of the added capacitive component can be changed.
【００３３】図５（ｂ）および（ｃ）は、金属パイプ１
３０の長さ寸法を変えた場合を示し、パイプ１３０の長
さを変えるとグランド板１２０との対向面積が変化する
ので、付加される容量性成分の量を変えることができ
る。FIGS. 5 (b) and 5 (c) show the metal pipe 1
The case where the length dimension of the pipe 30 is changed is shown. When the length of the pipe 130 is changed, the area facing the ground plate 120 changes, so that the amount of the added capacitive component can be changed.
【００３４】図２（ａ）および（ｂ）は図１の高周波プ
ローブが被測定物と接触している部分を拡大して示して
いる。FIGS. 2A and 2B are enlarged views of a portion where the high-frequency probe of FIG. 1 is in contact with an object to be measured.
【００３５】この高周波プローブで測定を行うとき、被
測定物２０００の信号電極１０に中心導体１００を接触
させ、グランド板１２０が被測定物のグランド電極であ
る裏面と密着し、導通しているデバイスステージ１１０
０に当たるまでプローブを押し下げる。このとき、中心
導体１００と円筒グランド導体１１０からなる同軸伝送
路は上下方向にのみ撓む。デバイスステージ１１００を
グランド基準とし、中心導体１００の先端までをグラン
ド板１２０に挟み込んでいるので、プローブ先端までイ
ンピーダンスが整合された分布定数回路が形成されるた
め、良好な高周波特性が得られる。When measurement is performed with this high-frequency probe, a device in which the center conductor 100 is brought into contact with the signal electrode 10 of the device under test 2000 and the ground plate 120 is in close contact with the back surface of the device under test, which is the ground electrode, and is conductive. Stage 110
Push down the probe until it hits zero. At this time, the coaxial transmission line including the center conductor 100 and the cylindrical ground conductor 110 bends only in the vertical direction. Since the device stage 1100 is used as a ground reference and the end of the center conductor 100 is sandwiched by the ground plate 120, a distributed constant circuit whose impedance is matched to the end of the probe is formed, so that good high-frequency characteristics can be obtained.
【００３６】本実施形態の高周波プローブでは中心導体
にパイプをはめ込むことでグランド板との隙間距離を変
えてプローブ先端の特性を可変とすることができる。ま
た、グランド板の分岐部によりバネ性を持っているの
で、被測定物とのグランド接続が確保でき、被測定物の
グランド電極である裏面と密着し導通しているデバイス
ステージとグランド板との距離を被測定物に対して最短
にすることで、被測定物の裏面がベタ状のグランド電極
で信号電極と同一平面上にない場合でも再現性の良い測
定ができる。さらに、グランド板によって同軸伝送路を
根元部分で挟み込んで保持するので、被測定物と接触す
るとき、中心導体が横方向に振れることなく、中心導体
と円筒グランド導体との位置関係を保持したまま上下方
向のコンプライアンス（自由度）が得られる。また、金
リボンによりグランド導体とグランド板を接続している
ので、良好なグランド特性をとることができる。さら
に、中心導体１００先端近傍と両側面のグランド板によ
りストリップライン構造が形成されていて、被測定物と
接触したときの特性インピーダンスが変動せず、高周波
特性の良い測定結果が得られる。In the high-frequency probe of the present embodiment, by fitting a pipe into the center conductor, the gap distance from the ground plate can be changed to change the characteristics of the probe tip. In addition, since the ground portion has spring properties due to the branch portion, the ground connection with the DUT can be ensured, and the device stage and the ground plate can be in close contact with and electrically connected to the back surface of the DUT, which is the ground electrode. By making the distance the shortest with respect to the measured object, measurement with good reproducibility can be performed even when the back surface of the measured object is a solid ground electrode and is not on the same plane as the signal electrode. Furthermore, since the coaxial transmission line is sandwiched and held by the ground plate at the root, the center conductor does not swing laterally when contacting the DUT, and the positional relationship between the center conductor and the cylindrical ground conductor is maintained. Vertical compliance (degree of freedom) is obtained. Further, since the ground conductor and the ground plate are connected by the gold ribbon, good ground characteristics can be obtained. Furthermore, a strip line structure is formed by the ground plate near the front end of the center conductor 100 and on both side surfaces, and the characteristic impedance at the time of contact with the object to be measured does not fluctuate, and good measurement results with high frequency characteristics can be obtained.
【００３７】図７（ａ）は本発明の高周波プローブの第
２実施形態の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のグラン
ド板１２１を異なる形状としたときの平面図である。FIG. 7A is a plan view of a high-frequency probe according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a plan view of the high-frequency probe when the ground plate 121 of FIG.
【００３８】この実施形態の高周波プローブは図１のグ
ランド板１２０を図７（ａ）に示すように２枚のグラン
ド板の隙間を狭くしたグランド板１２１としたり、図７
（ｂ）に示すように隙間を広くしたグランド板１２２と
するものである。隙間を変更することで図４の計算方法
によって容量性成分及び誘電性成分を変更することがで
きる。高周波プローブのグランド板１２０、１２１、１
２２は、任意に選択、交換可能な構造である。In the high-frequency probe of this embodiment, the ground plate 120 in FIG. 1 can be replaced with a ground plate 121 in which the gap between the two ground plates is narrowed as shown in FIG.
The ground plate 122 has a wide gap as shown in FIG. By changing the gap, the capacitive component and the dielectric component can be changed by the calculation method of FIG. Ground plates 120, 121, 1 of high frequency probe
22 is a structure which can be arbitrarily selected and exchanged.
【００３９】図８（ａ）は本発明の高周波プローブの第
３実施形態の平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ方向
正面図である。FIG. 8A is a plan view of a high-frequency probe according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a front view in the direction A of FIG. 8A.
【００４０】この実施形態の高周波プローブは、図１の
高周波プローブのパイプ１３０に代って図８（ａ）およ
び（ｂ）に示されているように、中心導体１００の先端
むき出し部にはめ込まれるための孔をもったブロック２
３０が、インピーダンス調整部材として使用される。ブ
ロック２３０は直方体をなしていて、両側面に位置した
グランド板１２０との対向面積がパイプ形状のものより
も広いので、プローブ先端部の特性インピーダンスに多
くの容量性成分を付加することができる。The high-frequency probe of this embodiment is fitted into the exposed end of the center conductor 100 as shown in FIGS. 8A and 8B instead of the pipe 130 of the high-frequency probe of FIG. Block 2 with holes for
30 is used as an impedance adjusting member. The block 230 has a rectangular parallelepiped shape, and the area facing the ground plate 120 located on both side surfaces is wider than that of the pipe-shaped one, so that many capacitive components can be added to the characteristic impedance at the probe tip.
【００４１】第１実施形態におけるパイプ１３０および
本実施形態のブロック２３０は共に金属でできたインピ
ーダンス調整部材であるが、これを誘電体で製作して
も、部材が空気に比べて誘電率（比誘電率）が高いの
で、多くの容量性成分を付加することができる。また、
比誘電率が異なる誘電体を使用することで容量値を変え
ることができる。Although the pipe 130 in the first embodiment and the block 230 in the present embodiment are both impedance adjusting members made of metal, even if they are made of a dielectric material, the members have a higher dielectric constant (specific ratio) than air. Since the dielectric constant is high, many capacitive components can be added. Also,
The capacitance value can be changed by using dielectrics having different relative dielectric constants.
【００４２】図９は本発明の高周波プローブの第４実施
形態の平面図、図１０は図９の高周波プローブの一変形
例の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a fourth embodiment of the high frequency probe of the present invention, and FIG. 10 is a plan view of a modification of the high frequency probe of FIG.
【００４３】この実施形態の高周波プローブは図９に示
すように、図１の高周波プローブを５個並列に配置して
構成されており、図１の中央ガイド７００に代って中央
ガイド７５０の間に挟み込まれた構造となっている。As shown in FIG. 9, the high-frequency probe of this embodiment is configured by arranging five high-frequency probes of FIG. 1 in parallel, and instead of the central guide 700 of FIG. It has a structure sandwiched between.
【００４４】このように構成された高周波プローブは被
測定物がＬＳＩデバイスのように信号電極１０が多数並
んだ構造の場合に効率的に対処できる。多数並んだ被測
定物の電極の高さに凹凸がある場合、またデバイスステ
ージに凹凸がある場合でも、中心導体１００と円筒グラ
ンド導体１１０からなる同軸伝送路とグランド板１２０
が個別に上下方向に撓む構造であるため、個々のプロー
ブで適正な接触が確保できるので、プローブ自身を固定
するフィクスチャの構造が簡単ですむ。また、中心導体
１００の両側面をグランド板１２０で挟む構造であるた
め、個々のプローブ相互間でのクロストークの影響が低
減でき、高い周波数領域で使用できる。The high-frequency probe thus configured can efficiently cope with a case where the device under test has a structure in which many signal electrodes 10 are arranged like an LSI device. Even if there are irregularities in the height of the electrodes of a large number of DUTs and irregularities in the device stage, the coaxial transmission line including the center conductor 100 and the cylindrical ground conductor 110 and the ground plate 120 can be used.
Are individually bent in the vertical direction, so that proper contact can be ensured with each probe, so that the structure of the fixture for fixing the probe itself can be simplified. Further, since the both sides of the center conductor 100 are sandwiched by the ground plate 120, the influence of crosstalk between the individual probes can be reduced, and the probe can be used in a high frequency region.
【００４５】図１０の高周波プローブは信号電極１０が
千鳥状に配置されている被測定物２０００に対応して、
図９の個々の高周波プローブを千鳥状に配置した例であ
って、図９の場合と同様の作用効果をもたらすものであ
る。The high frequency probe shown in FIG. 10 corresponds to a device under test 2000 in which the signal electrodes 10 are arranged in a staggered manner.
This is an example in which the individual high-frequency probes in FIG. 9 are arranged in a staggered manner, and provides the same operation and effect as in FIG.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、中心導体
先端近傍の両側面にグランド板を平行配置し、同軸構造
の伝送路を挟み込んで保持することによりストリップラ
イン構造の伝送路を形成し、グランド板の鋏形バネ構造
により、被測定物に接触したとき中心導体の先端がぶれ
ることなく、被測定物のグランド電極である裏面と密着
し導通しているデバイスステージに十分な接圧で接触で
きるため測定再現性が良い。As described above, according to the present invention, a transmission line having a strip line structure is formed by arranging ground plates in parallel on both sides near the center conductor tip and holding and holding a transmission line having a coaxial structure. With the scissor-shaped spring structure of the ground plate, the tip of the center conductor does not move when it comes into contact with the device under test, and with sufficient contact pressure to the device stage that is in close contact with and electrically connected to the back surface of the device under test, which is the ground electrode. Good measurement reproducibility due to contact.
【００４７】また、デバイスステージに変えて、被測定
物より形状が大きくかつベタ状グランド面の基板に被測
定物のグランド電極が導通するように実装されている場
合でも、良好な高周波特性が得られる。被測定物の信号
電極に隣接したグランド電極がない場合、被測定物の裏
面がベタ状のグランド電極になっていて信号電極と同一
平面にない場合でも良好な高周波特性が得られる。ま
た、被測定物の信号電極に対して隣接したグランド電極
を設ける必要がないので、被測定物の外形寸法を小さく
できるという効果がある。Further, even when the device is mounted on the substrate having a larger ground shape and a solid ground surface so that the ground electrode of the device to be measured is electrically conductive instead of the device stage, good high-frequency characteristics can be obtained. Can be When there is no ground electrode adjacent to the signal electrode of the device under test, good high-frequency characteristics can be obtained even when the back surface of the device under test is a solid ground electrode and is not on the same plane as the signal electrode. Further, since it is not necessary to provide a ground electrode adjacent to the signal electrode of the device under test, there is an effect that the external dimensions of the device under test can be reduced.
【００４８】中心導体の先端部に金属または誘電体より
なるパイプまたはブロック状のインピーダンス調整部材
をはめ込むことにより、プローブ先端部の特性インピー
ダンスを可変にでき、あるいは、前記グランド板と中心
導体との隙間距離を変えることによっても前記特性イン
ピーダンスを可変にできるので、被測定物を実装したと
きと等価な条件で正確な測定が行えるという効果があ
る。By fitting a pipe or block-shaped impedance adjusting member made of metal or dielectric at the tip of the center conductor, the characteristic impedance of the tip of the probe can be varied, or the gap between the ground plate and the center conductor can be changed. Since the characteristic impedance can be varied by changing the distance, there is an effect that accurate measurement can be performed under the same conditions as when the device under test is mounted.
【００４９】さらに、複数のプローブを並列に配置した
構成とすることにより、多数の電極をもつ被測定物の測
定効率を向上させる効果がある。Further, by employing a configuration in which a plurality of probes are arranged in parallel, there is an effect of improving the measurement efficiency of an object to be measured having a large number of electrodes.
【図１】（ａ）は本発明の高周波プローブの第１実施形
態の平面図である。（ｂ）は（ａ）の側面図である。FIG. 1A is a plan view of a high-frequency probe according to a first embodiment of the present invention. (B) is a side view of (a).
【図２】（ａ）は図１の高周波プローブ先端部の拡大平
面図である。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線縦断面図であ
る。FIG. 2A is an enlarged plan view of the tip of the high-frequency probe in FIG. (B) is a vertical sectional view taken along line AA of (a).
【図３】（ａ）は図１の中心導体１００にパイプ１３０
をはめ込んだ状態を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）
のＡ方向正面図である。FIG. 3 (a) shows a pipe 130 connected to the center conductor 100 of FIG.
FIG. 4 is a plan view showing a state in which is fitted. (B) is (a)
FIG.
【図４】（ａ）は高周波プローブの特性インピーダンス
計算チャート図である。（ｂ）は（ａ）のＤ、ｄを示す
平面図である。FIG. 4A is a characteristic impedance calculation chart of a high-frequency probe. (B) is a top view showing D and d of (a).
【図５】（ａ）は図３のパイプ１３０の太さを変えた状
態の側面図である。（ｂ）および（ｃ）はそれぞれパイ
プ１３０の長さを変えた状態の側面図である。5A is a side view of the pipe 130 of FIG. 3 in a state where the thickness of the pipe 130 is changed. FIG. (B) and (c) are side views in a state where the length of the pipe 130 was changed.
【図６】（ａ）は図１の高周波プローブの測定時の正面
図である。（ｂ）は（ａ）の信号電極１０の高さが高い
場合の正面図である。FIG. 6A is a front view of the high-frequency probe of FIG. 1 at the time of measurement. (B) is a front view in the case where the height of the signal electrode 10 of (a) is high.
【図７】（ａ）は本発明の高周波プローブの第２実施形
態の平面図である。（ｂ）は（ａ）のグランド板１２１
を異なる形状としたときの平面図である。FIG. 7A is a plan view of a high-frequency probe according to a second embodiment of the present invention. (B) is the ground plate 121 of (a).
FIG. 4 is a plan view when is formed in a different shape.
【図８】（ａ）は本発明の高周波プローブの第３実施形
態の平面図である。（ｂ）は（ａ）のＡ方向正面図であ
る。FIG. 8A is a plan view of a high-frequency probe according to a third embodiment of the present invention. (B) is a front view in the A direction of (a).
【図９】本発明の高周波プローブの第４実施形態の平面
図である。FIG. 9 is a plan view of a high-frequency probe according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】図９の高周波プローブの一変形例の平面図で
ある。FIG. 10 is a plan view of a modification of the high frequency probe of FIG. 9;
【図１１】（ａ）は高周波プローブの第１従来例の平面
図である。（ｂ）は（ａ）の側面図である。（ｃ）は
（ａ）のＢ部の拡大図である。FIG. 11A is a plan view of a first conventional example of a high-frequency probe. (B) is a side view of (a). (C) is an enlarged view of a portion B of (a).
【図１２】（ａ）は図１１の高周波プローブの測定時に
おける先端の正面図である。（ｂ）は（ａ）の信号電極
１０の高さにバラツキがある場合の正面図である。FIG. 12A is a front view of the tip of the high-frequency probe of FIG. 11 during measurement. (B) is a front view in a case where the height of the signal electrode 10 of (a) varies.
【図１３】（ａ）は高周波プローブの被測定物の一例の
側面図である。（ｂ）は（ａ）の信号電極１０に図１１
の高周波プローブを接触させた場合の側面図である。FIG. 13A is a side view of an example of an object to be measured by a high-frequency probe. FIG. 11B shows the signal electrode 10 of FIG.
FIG. 4 is a side view when the high frequency probe of FIG.
【図１４】（ａ）は高周波プローブの第２従来例の被測
定物３２００を接触させる前の状態を表す正面図であ
る。（ｂ）は（ａ）の被測定物３２００を接触させた状
態を表す正面図である。FIG. 14A is a front view illustrating a state before a measured object 3200 of a second conventional example of a high-frequency probe is brought into contact with the object. (B) is a front view showing the state of contacting the DUT 3200 of (a).
１０ 信号電極 １００ 中心導体 １１０ 円筒グランド導体 １２０、１２１、１２２ グランド板 １３０ パイプ １４０ ピン ２３０ ブロック ７００、７５０ 中央ガイド ８００ 根元ガイド ９００ 金リボン １０００ ホルダ １１００ デバイスステージ ２０００ 被測定物 Reference Signs List 10 signal electrode 100 center conductor 110 cylindrical ground conductor 120, 121, 122 ground plate 130 pipe 140 pin 230 block 700, 750 central guide 800 root guide 900 gold ribbon 1000 holder 1100 device stage 2000 DUT
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 種橋 正夫 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 田浦 徹 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 山岸 祐一 東京都港区南麻布５−10−27 アンリツ 株式会社内 (72)発明者 早川 聡 東京都港区南麻布５−10−27 アンリツ 株式会社内 (72)発明者 津金 浩典 東京都港区南麻布５−10−27 アンリツ 株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−233861（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−80077（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/28 H01L 21/66 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Masao Tanehashi 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (72) Inventor Tohru Taura 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Japan (72) Inventor Yuichi Yamagishi 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo Anritsu Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Hayakawa 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo Anritsu Co., Ltd. (72) Invention Person Hironori Tsugane 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo Anritsu Corporation (56) References JP-A-8-233861 (JP, A) JP-A-5-80077 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01R 1/06-1/073 G01R 31/28 H01L 21/66
Claims (11)
極に接触して電気的導通を取る先端部分を有する中心導
体と、 前記中心導体の先端部分を除き同軸位置に取り囲み、被
測定物の上面に対し垂直方向に可撓性を持つ円筒グラン
ド導体と、 前記中心導体を前記円筒グランド導体の中心位置に保持
する誘電体と、 前記中心導体の先端部分の両側に平行に位置されて前記
円筒グランド導体の外側に接触して電気的導通を取り、
前記中心導体及び前記円筒グランド導体と独立して動く
とともに、前記円筒グランド導体の撓む方向と垂直な方
向で前記円筒グランド導体を挟み込んで保持した２枚の
グランド板と、 前記グランド板の中央部分を支える中央ガイドと、 前記グランド板の被測定物と反対側を支える根元ガイド
と、 前記グランド板の一部分であり、前記中央ガイドに当接
し鋏形バネを形成し被測定物のグランド電極への接圧力
を発生する分岐部とを有することを特徴とする高周波プ
ローブ。1. A center conductor having a tip portion that makes electrical conduction by contacting a signal electrode of a high-frequency device that is a device under test, and a coaxial position surrounding the center conductor excluding the tip portion of the center conductor, and an upper surface of the device under test A cylindrical ground conductor having flexibility in the vertical direction with respect to a dielectric; a dielectric body for holding the center conductor at a center position of the cylindrical ground conductor; and a cylindrical ground positioned parallel to both sides of a tip portion of the center conductor. Contact the outside of the conductor to establish electrical continuity,
The direction that moves independently of the center conductor and the cylindrical ground conductor and is perpendicular to the bending direction of the cylindrical ground conductor.
Two sheets holding the cylindrical ground conductor in
A ground plate, a central guide that supports a central portion of the ground plate, a root guide that supports the opposite side of the ground plate from an object to be measured, and a scissor-shaped spring that is a part of the ground plate and abuts the central guide. A high-frequency probe having a branch portion formed and configured to generate a contact pressure of an object to be measured with a ground electrode.
の両側に対向して配置され向い合う内側の面が平行位置
に配置されたグランド板の板厚は、前記円筒グランド導
体に対向する部分の板厚が前記中心導体に対向する部分
の板厚より薄く形成された構造を有する請求項１に記載
の高周波プローブ。 2. The center conductor and the cylindrical ground conductor.
Are located opposite each other on the opposite sides and the facing inner surface is in a parallel position
The thickness of the ground plate placed on the
The part where the thickness of the part facing the body is opposite to the center conductor
2. The structure according to claim 1, having a structure formed to be thinner than the plate thickness.
High frequency probe.
の両側に対向して配置され向い合う内側の面が平行位置
に配置されたグランド板の板厚は、前記円筒グランド導
体に対向する部分の板厚が前記中心導体に対向する部分
の板厚より厚く形成された構造を有する請求項１に記載
の高周波プローブ。 3. The center conductor and the cylindrical ground conductor.
Are located opposite each other on the opposite sides and the facing inner surface is in a parallel position
The thickness of the ground plate placed on the
The part where the thickness of the part facing the body is opposite to the center conductor
2. The structure according to claim 1, which has a structure formed to be thicker than the plate thickness.
High frequency probe.
周波プローブを用いた測定方法であって、被測定物の裏
面であるグランド電極とデバイスステージを接触させ、
前記グランド電極と前記デバイスステージを電気的に導
通させて、前記被測定物の信号電極に前記中心導体を接
触し、前記グランド板の先端部分を前記デバイスステー
ジに接触させて測定することを特徴とする高周波プロー
ブを用いた測定方法。 4. The height according to claim 1, wherein
A measurement method using a frequency probe,
The device stage is brought into contact with the ground electrode
Electrically connecting the ground electrode and the device stage
To connect the center conductor to the signal electrode of the device under test.
Touch the tip of the ground plate to the device stay.
High-frequency probe characterized by contacting with a probe
Measurement method using a probe.
前記中心導体の先端部分にはめ込む構造を有する請求項
１から３のいずれか１に記載の高周波プローブ。5. A high-frequency probe according to any one of claims 1 to 3 having a structure fitting the impedance adjusting member with a through hole at the tip portion of the center conductor.
形状がパイプ状である請求項５に記載の高周波プロー
ブ。6. In the impedance adjusting member,
The high-frequency probe according to claim 5, wherein the probe has a pipe shape.
形状が角柱ブロック状である請求項５に記載の高周波プ
ローブ。7. In the impedance adjusting member,
The high-frequency probe according to claim 5, wherein the probe is shaped like a prism block.
材質を金属材料とする請求項５から７のいずれか１に記
載の高周波プローブ。8. The impedance adjustment member,
The high-frequency probe according to any one of claims 5 to 7, wherein the material is a metal material.
材質を空気より誘電率の大きい誘電体材料とする請求項
５から７のいずれか１に記載の高周波プローブ。9. In the impedance adjusting member,
The high-frequency probe according to any one of claims 5 to 7, wherein the material is a dielectric material having a larger dielectric constant than air.
板とを電気的に接続する金属リボンを有する請求項１か
ら３および５から９のいずれか１に記載の高周波プロー
ブ。Wherein said cylindrical ground conductor with a high frequency probe according to any one of claims 1 or <br/> et 3 and 5 to 9 having a metallic ribbon electrically connecting the ground plate.
ずれか１に記載の高周波プローブを複数個並列に配置し
て中央ガイドによって挟み込んだことを特徴とする高周
波プローブ。11. A plurality of high frequency probes according to any one of claims 1 to 3 and 5 to 10 are arranged in parallel.
A high-frequency probe that is sandwiched between center guides .
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1997
- 1997-11-21 JP JP32125197A patent/JP3190866B2/en not_active Expired - Fee Related
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