JP3186567B2 - X線レーザー発生装置と発生方法 - Google Patents
X線レーザー発生装置と発生方法Info
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Description
技術に関し、特に、小型のレーザー発振手段によってX
線レーザーの発生を可能とする技術に関する。
生する技術が開発されるに至った(日経サイエンス、1
989年2月号 18頁、X線レーザー)。この技術で
は、図1に示すように、大出力のパルスレーザー11、
12を細線状に集光してターゲット物質13の表面を照
射する。ターゲット物質13は、大出力の高密度レーザ
ー光11、12の照射によって多価イオンを含む高温の
プラズマ14を発生する物質、例えばSeが用いられて
いる。プラズマ14中の電離した電子は高エネルギーを
有し、プラズマ14中の多価イオンに衝突して反転分布
を形成する。さらにこれが誘導放出をもたらしてX線レ
ーザー15、16が放出される。
ザーを発生させる大変に有望な技術であるが、X線レー
ザーの発生効率が著しく低く、極めて大型のレーザー発
振手段を用いないとX線レーザーが得られない。現在は
体育館ほどのサイズのレーザー発振手段を必要としてい
る。
がその後進展し、その一例が特開平6−275893号
公報に開示されている。この技術では、図2に示すよう
に、ターゲット物質23の両側に一対の放電用電極2
5、26を設けて放電をおこさせる。そして放電による
エネルギーとレーザー光22によるエネルギーの両者に
よってプラズマ24に反転分布状態を形成する。
はさほど大出力のものでなくともよく、例えばYAGレ
ーザー等の小型レーザーによってX線レーザーを発生す
ることが可能となると記載されている。
ーザーによってX線レーザーを発生可能とするのみなら
ず、放電といった他のエネルギー源を用いることなく、
レーザーからのエネルギーのみでX線レーザーを発生可
能とする技術を完成した。
同様に模式的に図3に示す。この発明ではパルスレーザ
ー30をそのままターゲット物質33に照射することを
せず、パルスレーザー30をパルス列レーザー31に変
換する。そしてパルス列レーザー31を細線状に集光し
てターゲット物質33の表面を照射する。パルスレーザ
ー30で一度に照射するのでなく、パルス列レーザー3
1に変換して持続的に照射すると、ターゲット物質のプ
ラズマ化効率が著しく高くなる。これは本発明者らによ
って発見された現象であり、特開平4−67599号公
報に記したとおりである。本発明者らは更に研究を重ね
たところ、パルスレーザー30をパルス列レーザー31
に変換した結果、実質的なレーザー照射時間がT30か
らT31に伸び、この結果、X線が高効率で誘導放出さ
れる期間も伸びることを見出した。そして誘導放出期間
が伸びることに起因して、ターゲット物質の両側に一対
のX線反射ミラーを設置して共振系を構成しておくと、
誘導放出される期間内にX線が一対のミラー間を往復運
動する回数が増加し、強い共振が得られることを見出し
た。本発明は上記2つの知見、すなわち、単パルスでな
くパルス列とすることでプラズマ化効率が向上するこ
と、およびパルス列とすることで誘導放出期間が伸びて
共振系に強い共振状態が得られるようになるという知見
に基づいて創出されたものである。
パルスレーザーを発生するレーザー発振手段、そのパル
スレーザーをパルス列レーザーに変換する変換手段、そ
のパルス列レーザーを細線状に集光する光学手段、その
集光位置に置かれており、細線状に集光されたパルス列
レーザーの照射によって多価イオンを含む高温プラズマ
を発生するターゲット物質、そのターゲット物質の照射
領域近傍を減圧状態に保持する減圧チャンバー、そのタ
ーゲット物質の両側で前記細線の延長線上に置かれた一
対のX線反射ミラーとを備えており、その一対のX線反
射ミラーのうちの少なくとも一方がX線の一部を透過す
るようになっていると共に、光学手段が、空間的に拡が
るレーザーを位置によって分割し、分割されたレーザー
部分同志をターゲット表面又はその近傍で集光させるよ
うになっていることを特徴とする。
用によって、プラズマ化効率が向上し、かつ、一対のミ
ラー間でX線が往復する回数が増大して強い共振が発生
するという2つの技術要素が有効に組合わされて活用さ
れ、X線レーザーの発生効率が大幅に向上する。この結
果、特開平6−275893号公報では、小型レーザー
の他に必要とされていた放電を不必要とすることがで
き、小型レーザーのエネルギーでX線レーザーを発生す
ることが可能となる。
法では、レーザーの照射によって多価イオンを含む高温
プラズマを発生するターゲット物質を減圧環境下に保持
し、そのターゲット物質の表面の細線状の領域に短時間
間隔で繰り返しレーザーを照射し、その細線状の領域に
沿って発生するX線を一対のX線反射ミラー間に閉じ込
めて共振させ、共振して発生したX線レーザーを少なく
とも一方のX線反射ミラーを透過させて取り出すことで
X線レーザーを発生する。
なわち、一度に多量のエネルギーを与えるよりも時間を
かけてエネルギーを与え続けた方がプラズマ化効率が高
く、しかも一対のミラー間でX線が往復運動する回数が
増大して強い共振が発生するという現象が組合わされ、
小型レーザーによってX線レーザーを発生させることが
可能となる。また本発明では、例えば図4に模式的に示
されるように、空間的に拡がるレーザー40を位置によ
って複数のレーザー部分41、42、43…に分割し、
分割されたレーザー部分同志をターゲット表面又はこの
近傍で集光させる。このようにすると、集光された細線
46の長さ方向における強度分布が均一化される。なお
図4は模式図であり、例えばレーザー部分42、44が
集光する様子は図示省略されており、また各レーザー部
分同志が集光されるときには、同時に細線46状に集光
されている。
式的に示されているように、パルス列レーザー31のう
ちの後半部31bの強度を前半部31aの強度よりも弱
めることが好ましい。後半部31bの強度を弱めると、
大きな利得をもたらすプラズマ密度と電子温度をほぼ同
時に得ることができ、極めて大きな利得が得られるよう
になる。なおこの現象自体は本発明者らが特開平7−9
4296号公報で開示したとおりである。本発明の一つ
のポイントは、後半部31bにおいて強度の弱いパルス
列レーザー31を用いると、単にプラズマ化効率が向上
するだけでなく、高利得が得られる状態が長く持続する
ことになり、一対のX線反射ミラーや構成される共振系
に強い共振が発生し、強いX線レーザーが得られるよう
になることを見出したことにあり、これを利用して、パ
ルス列レーザーと反射ミラー対の利用によってX線レー
ザーの発生に成功したものである。
手段が、図5に模式的に示すように、この細線状の中に
干渉パターンを形成することが好ましい。図5は複数の
明部51、52…が細線50の中に形成されている様子
を例示している。このようにすると、明部51、52…
において、高い電子温度が得られるようであり、高効率
でX線レーザーが出力される。
部を透過させてX線を出力するX線反射ミラーは、X線
の強度分布の中心位置からオフセットされた位置に透過
窓を形成することで実現される。あるいは基板とその基
板表面に形成された多層膜とで構成し、その基板の一部
に透過孔を形成することでも実現される。X線の一部を
透過するX線反射ミラーは、ターゲット物質の片側にあ
ってもよいし両側にあってもよい。
Gレーザー、エキシマレーザー又はガラスレーザーのう
ちのいづれかを用いることができる。これらのレーザー
は小型であり、安価に入手することができる。
ルス列レーザーを乱反射する微小凹凸が形成されている
ことが好ましい。これによると、パルス列レーザーがタ
ーゲット表面で全反射されてしまうことが防止される。
列レーザーの入射部に、前記ターゲット物質からの飛散
物質の接近を抑制する手段が設けられていることが極め
て好ましい。また前記X線反射ミラーの近傍に、前記タ
ーゲット物質からの飛散物質が反射面に付着するのを抑
制する手段が設けられていることが極めて好ましい。
れていると、長期間に亘るX線レーザー発生装置の繰り
返し運転が可能となる。
るパルスレーザー発振装置59と、それから発生するパ
ルスレーザー59Aをパルス列レーザー60Aに変換す
る変換装置60の一例を示している。パルスレーザー発
振装置59としては、YAGレーザーを用いることがで
きる。その他、エキシマレーザー、ガラスレーザー、L
iSAFレーザー、Tiサファイアレーザー、アレキサ
ンドライトレーザー、N2 レーザー等を用いることもで
きる。またこれらとBBO、LBO等の非線型光学材料
の結晶と組合わせて用いることもできる。
66〜68はプリズム、69と71は全反射ミラー、7
0はフィルターであり、これらによって変換装置60が
構成されている。ビームスプリッター61に入射された
パルスレーザーは2方向に分割され、一方はビームスプ
リッター62に直進し、他方は直角に反射してプリズム
66に入射される。プリズム66に入射されたパルスレ
ーザーはビームスプリッター62に戻される。プリズム
66を経た光はビームスプリッター61からビームスプ
リッター62に直進する光よりも遅れる。すなわちビー
ムスプリッター62には2個のパルス列レーザーが入射
される。ビームスプリッター62はビームスプリッター
61から直接来たパルスレーザーを2方向に分割し、又
プリズム66からのパルスレーザーを2方向に分割す
る。このためビームスプリッター63には4個のパルス
列レーザーが入射される。以下同様にしてビームスプリ
ッター64には8個のパルス列レーザーが入射される。
8個のパルス列レーザーはさらにビームスプリッター6
5によって2方向に分割される。このとき全反射ミラー
69と全反射ミラー71までの距離の相違によって計1
6個のパルス列レーザー60Aが得られる。なお図中7
0はフィルターであり、16個のパルス列レーザーのう
ち、ミラー69で反射された前半8個のパルス列レーザ
ーの強度に比してミラー71で反射された後半8個のパ
ルス列レーザーの強度を低下させる。このようにして変
換装置60は1つのパルスレーザー59Aを、計16個
のパルス列レーザー60Aに変換し、かつ後半部のパル
ス列レーザーの強度を前半部のこれよりも低くする。な
おパルスレーザーをパルス列レーザーに変換する現象
は、パルスレーザー発振装置59から発射されるパルス
レーザー59A、59A2…ごとに生じる。すなわちパ
ルスレーザー59Aで16個のパルス列レーザーが生
じ、又パルスレーザー59A2によっても16個のパル
ス列レーザーが生じる。本発明では、1個のパルスレー
ザーを16個のパルス列レーザーに変換することで、レ
ーザーの実質的照射時間を伸ばしている。本実施例では
16個のパルス列レーザーによって約4ナノ秒の照射時
間を得ている。
2とレンズ73を経て減圧チャンバー83に入射され
る。図7は水平方向から見た断面、図8は垂直方向から
見た断面を示している。レンズ73は円筒レンズであ
り、図7に示すように、鉛直面内においてパルス列レー
ザーの各レーザー光を細く絞る。プリズム72は、図8
に示すように、水平面内で分割プリズムとなっており、
図4で模式的に示したように、レーザーを場所によって
5つの部分に分割し、その分割した各部分レーザー光を
重ね合わせる。レンズ73による集光位置とプリズム7
2による重ね合わせ位置は等しい位置となるように調整
されている。このようにしてレーザー光はチャンバー8
3内で細線状に集光される。この実施例では、線幅が1
50μm、線長が11mmの細線状に集光される。
り、ポート84が真空ポンプに接続されて減圧状態に保
持される。チャンバー83のパルス列レーザー60Aの
入射側には、パルス列レーザー60Aを入射するための
ガラス窓74が設けられている。またチャンバー83内
にはパルス列レーザ60Aの照射によって多価イオンを
含む高温プラズマを発生するターゲット物質、この実施
例の場合アルミ板85が固定されている。なおアルミに
かえて、マグネシウム、シリコン、カルシウム等の材料
をターゲット物質とすることができる。前記のプリズム
72とレンズ73はパルス列レーザー60Aを細線状に
集光する光学装置を構成しており、ターゲット物質であ
るアルミ板85はその集光位置に置かれている。アルミ
板85の表面に、集光されたパルス列レーザーが持続的
に照射されると、アルミ板85の表面からプラズマその
他の飛散物質が発生する。この飛散物質がガラス窓74
に付着すると、入射されるパルス列レーザー60Aの強
度が弱められるために、この実施例では、飛散物質がガ
ラス窓74に接近することを抑制する手段が講じられて
いる。この手段は、筒状の壁75、82とノズル81と
バッフル77〜80で構成されており、ポート76から
供給される希ガスがノズル81方向に流動することで、
飛散物質がガラス窓74に接近するのを抑制する。バッ
フル77〜80は希ガスの流動の抵抗となって、過大量
の希ガスがチャンバー83内に流入してチャンバー83
の減圧度が不充分となることを防止する。またガラス窓
74方向に飛散する物質が希ガスと衝突してガラス窓方
向に向かう軌道からそれたときにその飛散物質を付着さ
せる役割を果たす。このようにして飛散物質はバッフル
77〜80によってトラップされるために、ガラス窓7
4方向に接近することが抑制される。
光されたレーザー光の照射によって、多価イオンを含む
プラズマを発生する。このとき、単一のパルスレーザー
でなく、パルス列レーザーによって繰り返し(すなわち
持続的)に照射される結果、短時間に強いレーザーを照
射するのに比して、照射総エネルギー量が同一であって
も多量のプラズマが発生する。また多価イオンを含むプ
ラズマ中で高エネルギー電子が多価イオンに衝突して反
転分布を形成する。なおパルス列レーザーによって繰り
返し照射することで反転分布状態のプラズマの発生効率
を高めるには、電子温度が低くなる以前に次のパルス列
によるレーザー照射が行われる必要がある。図6のパル
スレーザー59A2ではパルスレーザー59Aから間隔
があきすぎていてかかる相乗作用は得られない。一連の
パルス列レーザー60Aの照射によってプラズマは膨張
しつつ電子温度が高温化する。そして一連のパルス列レ
ーザーの照射が中断されると、自然放出によってX線が
放出され、この放出X線がきっかけとなって、誘導放出
が起こる。この誘導放出を効果的に起こして効率的にX
線を得るために、本実施例では2つの工夫をこらしてい
る。
うちの後半部の強度を前半部の強度より弱めることであ
る。16個のパルス列レーザー60Aの照射が終了する
とともにプラズマ密度は減少し電子温度は低下する。こ
のとき電子温度の方が急速に低下する。一方X線の放出
が効率的に行われるためにはプラズマ密度が所定範囲内
であり、かつ電子温度も所定範囲内にあることが必要で
ある。16個のパルス列レーザーの強度が均一である
と、プラズマ密度が適値となったときには既に電子温度
が低下しすぎて多価イオンの数が減少しており、X線の
放出が効率的に行われない。本実施例のように、パルス
列レーザーの前半部の強度を大きくして後半部の強度を
小さくすると、X線の放出が効率的に行われるプラズマ
密度と電子温度がほぼ同時に得られ、強いX線放出が得
られる。
ミ板85)の細線状の照射領域の左右に1対のX線反射
ミラー87、89が設けられており、1対のX線反射ミ
ラー87、89間でX線の共振が生じるようにしてい
る。
ザーをパルス列レーザーに変換して実質的な照射時間を
伸ばすと、プラズマからX線が放出される期間も伸び
て、1対のX線反射ミラー間でX線が往復運動する回数
も増大して強い共振が得られるようになる。
夫によって、小型レーザー59からのエネルギーのみで
X線レーザーの発生を可能とすることに成功している。
反射ミラーに付着すると、強い共振が起きにくくなる。
そこで本実施例では、図10に示すように、一方の反射
ミラー87をピンホール86a付のカバーで覆い、そこ
に希ガスを吹き込む。希ガスはピンホール86aから吹
き出される。又他方の反射ミラー89もピンホール88
a付のカバー88で覆い、そこに希ガスを吹き込む。こ
の場合カバー88はチャンバー83に設けられているX
線取り出し用の透過孔91に連通している。チャンバー
83の外部にはチューブ92が固定されており、ここも
減圧された希ガスで充填されている。このチューブ92
内にX線レーザーを照射したい物質が置かれた状態でこ
の装置は運転される。
空間的な拡がりを持つレーザーを5つの部分に分け、こ
れをターゲット表面又はその近傍で重ね合わせる。図9
中のカーブはレーザー光の強度分布を示し、中心で強く
周辺で弱い。本実施例のように、これを5つに分割して
重ね合わせると、ビームプロファイルは均一化され、細
線状の照射領域の長手方向において均一な強度が得られ
る。
手方向に沿って強度を均一とする他、図5に例示したよ
うに、細線の中に干渉パターンを作り出す。細線全体と
して見るとほぼ均一の強度でありながら、局所的に光の
明暗パターンが生じるようにすると、X線の放射効率が
向上する。
の表面がレーザー光を乱反射するように表面に細やかな
凹凸を形成しておくことが好ましい。本実施例ではアル
ミ板85の表面をブラスト加工してレーザー光が全反射
しないようにしている。
る反射ミラー89は、図10に示すように基板89b
(例えばSi基板)の表面にタングステンとシリコン又
はモリブデンとシリコンの多層膜89aを蒸着したもの
である。基板89bの中心には透過用の孔89cが形成
されており、その部分は多層膜89aのみとなってい
る。X線はこの多層膜89aによって一部透過され、一
部反射される。
過孔を貫通させておいてもよい。この場合は、X線の強
度分布の中心から若干離れた位置に貫通孔を設ける。こ
のようにしても、一対のミラー間で共振を発生させつ
つ、このうちの一部のX線をミラー外へ取り出すことが
可能となる。なおこのようなミラーは、ターゲット物質
の片側のみに設けてもよく、両側に設けてもよい。
窓ガラス74やミラー87、89への飛散物質が付着す
るのを防止している。これに代えて、付着を防止する必
要のある面の前面に、細径の筒を光の進行方向に沿って
蜂の巣状に並べたカバーを設けてもよい。このカバーは
レーザー光やX線の通過を許容する。一方飛散物質は筒
の内壁に付着し、反射面や透過面等に付着することが抑
制される。又X線反射ミラーの前面にピンホール付のプ
レートを置くだけでも、反射面の汚れを効果的に抑制す
ることができる。本開発により卓上型のX線レーザーが
得られるために、X線ミラーの使用によりX線像の拡大
・縮小が可能となり、実験室で手元において使えるX線
顕微鏡が実現する。とくに水を透過し、ウォーターウィ
ンドウと呼ばれている波長23〜44オングストローム
のX線源が得られれば生物の細胞、DNAを生きた状態
で観測できるX線顕微鏡をつくることができる。本発明
のレーザーでは、利得の観測されたX線が複数あるの
で、それぞれの波長に対応したX線共振器ミラーを複数
準備して真空容器内に設置し、必要に応じて切り替える
ことにより、発振波長を変えられる大きな特徴を持つ。
2本のレーザー波長で別々に試料のX線顕微鏡像を記録
しそのイメージの差を採ることにより、2波長間に吸収
端を持つ元素の空間分布が従来に無いほど高感度で観測
できる。X線レーザーによりX線ホログラフィー装置を
実現し、微小対象物の三次元像の観測やこれらのものの
ナノメーターオーダーの変形・変位の測定が可能とな
る。またX線はX線光電子分光法(XPS)として表面
層の分析に使われているが、従来はX線の集光スポット
径が大きく空間分解能は7ミクロンが限度であったが、
X線レーザーを使用すれば、集光スポットの縮小が可能
であるため0.1ミクロン程度の高分解能のXPSを実
現することができる。空間分解能がサブミクロンの表面
分析装置XPSは半導体工場における製品の分上り向上
に極めて重要な観測手段として持ち望まれており、大き
な製品市場が期待されている。X線レーザーを利用する
製品のなかで最も期待されるものは超LSIリソグラフ
ィー用の露光装置である。現在の超LSIリソグラフィ
ー露光装置では波長365nmの水銀のi線を光源とし
て16メガビット程度のメモリーデバイスを製造してい
るが、次世代の露光装置はKrFエキシマーレーザー
(波長248nm)により1ギガビット程度までのメモ
リーデバイスの製造が考えられている。X線レーザーを
利用すれば前述のようにX線ミラーにより回路パターン
の縮小ができ、例えばパターン寸法0.5ミクロンを1
/5の縮小をしてもメモリーサイズは4ギガビット程度
となり、X線レーザー利用による縮小投影X線リソグラ
フィー装置は次次世代のリソグラフィー装置として期待
される。
的な励起でなく、繰り返し励起する方式を取るために、
効率的にプラズマ化され、しかも反転分布寿命を長く確
保できる。しかも1対のX線反射ミラーで共振を起こさ
せると、反転分布寿命が長くされているために強い共振
が生じてX線レーザーが得られる。このようにして効率
の向上が図られているために、レーザー光のエネルギー
がX線レーザーの発生に効率的に用いられ、小型レーザ
ーのエネルギーのみでX線レーザーを発生することに成
功している。このため本発明によると、X線レーザーに
よる半導体加工装置やX線レーザーを用いた分析装置等
が小型で安価となり、より微細な加工や微細な分析の実
用化が得られる。
システムを示す図
Claims (10)
- 【請求項1】 パルスレーザーを発生するレーザー発振
手段、 そのパルスレーザーをパルス列レーザーに変換する変換
手段、 そのパルス列レーザーを細線状に集光する光学手段、 その集光位置に置かれており、細線状に集光されたパル
ス列レーザーの照射によって多価イオンを含む高温プラ
ズマを発生するターゲット物質、 そのターゲット物質の照射領域近傍を減圧状態に保持す
る減圧チャンバー、 そのターゲット物質の両側で前記細線の延長線上に置か
れた一対のX線反射ミラー、とを備えており、 その一対のX線反射ミラーのうちの少なくとも一方がX
線の一部を透過するようになっていると共に、光学手段
が、空間的に拡がるレーザーを位置によって分割し、分
割されたレーザー部分同志をターゲット表面又はその近
傍で集光させるようになっていることを特徴とするX線
レーザー発生装置。 - 【請求項2】 前記変換手段が、パルス列レーザーのう
ちの後半部の強度を前半部の強度よりも弱めることを特
徴とする請求項1に記載のX線レーザー発生装置。 - 【請求項3】 前記光学手段が、細線状の中に干渉パタ
ーンを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載
のX線レーザー発生装置。 - 【請求項4】 前記のX線の一部を透過するX線反射ミ
ラーが、X線の強度分布の中心位置からオフセットされ
た位置に形成された透過窓を有することを特徴とする請
求項1から3のいづれかに記載のX線レーザー発生装
置。 - 【請求項5】 前記のX線の一部を透過するX線反射ミ
ラーが、基板とその基板表面に形成された多層膜とで構
成されており、 その基板の一部に透過孔が形成されていることを特徴と
する請求項1から3のいづれかに記載のX線レーザー発
生装置。 - 【請求項6】 前記レーザー発振手段が、YAGレーザ
ー、エキシマレーザー又はガラスレーザーのうちのいづ
れかであることを特徴とする請求項1から5のいづれか
に記載のX線レーザー発生装置。 - 【請求項7】 前記ターゲット物質の表面が、照射され
るパルス列レーザーを乱反射する微小凹凸を備えること
を特徴とする請求項1から6のいづれかに記載のX線レ
ーザー発生装置。 - 【請求項8】 前記減圧チャンバーの前記パルス列レー
ザーの入射部に、前記ターゲット物質からの飛散物質の
接近を抑制する手段が設けられていることを特徴とする
請求項1〜7のいづれかに記載のX線レーザー発生装
置。 - 【請求項9】 前記X線反射ミラーの近傍に、前記ター
ゲット物質からの飛散物質が反射面に付着するのを抑制
する手段が設けられていることを特徴とする請求項1〜
8のいづれかに記載のX線レーザー発生装置。 - 【請求項10】 レーザーの照射によって多価イオンを
含む高温プラズマを発生するターゲット物質を減圧環境
下に保持し、 そのターゲット物質の表面の細線状の領域に短時間間隔
で繰り返しレーザーを照射し、その際、空間的に拡がるレーザーを位置によって分割
し、この分割されたレーザー部分同志をターゲット物質
の表面又はその近傍で集光させて行い、 これにより 細線状の領域に沿って発生するX線を一対の
X線反射ミラー間に閉じ込めて共振させ、 共振して発生したX線レーザーを少なくとも一方のX線
反射ミラーを透過させて取り出すことでX線レーザーを
発生する方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03644896A JP3186567B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | X線レーザー発生装置と発生方法 |
US08/803,245 US5832007A (en) | 1996-02-23 | 1997-02-20 | Apparatus for and method of generating X-ray laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03644896A JP3186567B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | X線レーザー発生装置と発生方法 |
Publications (2)
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