JP3186174B2

JP3186174B2 - パターン欠陥検査方法および装置

Info

Publication number: JP3186174B2
Application number: JP3920292A
Authority: JP
Inventors: 高志広井; 仁志窪田; 俊二前田; 坦牧平; 光庸磯部
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-02-26
Filing date: 1992-02-26
Publication date: 2001-07-11
Anticipated expiration: 2016-07-11
Also published as: JPH05232033A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩウエハやＴＦＴ
などの立体的な微細パターンの欠陥を検査するパターン
欠陥方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の方法は、特公昭６２ー３９８１１
号公報に記載のようにパターンをセンサで検出してデジ
タル画像に変換するする手段と同一であるはずのパター
ン同士をデジタル画像上で比較する手段によってパター
ンの欠陥を検出するようになっていた。

【０００３】即ち、検出対象は図１（ａ）に示すように
メモリー用ＬＳＩなどの半導体ウエハのパターンや、Ｔ
ＦＴ（Thin Film Transister）のパターンや、プリント
配線板のパターンや、セラミック基板のパターンや、そ
れらを製造する工程で用いるマスクやレチクルなどのパ
ターンである。ここでは一例として半導体ウエハのパタ
ーンについて説明するが、他のパターンに対しても同じ
事が成り立つ。半導体ウエハのパターンは最終的に切り
離されて個別製品となるチップが数十個一枚のウエハに
載ってい、それらは互いに同じパターンを持っているチ
ップ内はメモリセル部分などのように一定の周期で繰り
返し性を持った部分と周辺回路などのように周期性の乏
しい部分がある。また、パターンの微細化にともなって
パターンは立体的になり、対物レンズなど検出光学系の
焦点深度を越えるようになってきた。

【０００４】このようなパターンの欠陥を検出する原理
を図１を用いて説明する。図１（a）は検出して記憶し
ているパターン、（ｂ）は検出したパターン、（ｃ）は
（ａ）と（ｂ）の差を示している。各チップが全く同一
のパターンを持っている、または各セルが一定の周期で
繰り返し性を持っている事に着目し、パターンを検出し
て記憶しておき、それと同一であるはずの別のチップの
パターンを次に検出して比較する。いずれのパターンに
も欠陥が存在しない場合にはパターンの差は生じない
が、いずれかのパターンに欠陥が存在する場合には欠陥
部分でパターンに差を生じるため、パターンの比較によ
り差を生ずる場所を検出することによりパターン欠陥を
検出することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、パターンを検
出する対物レンズなどの検出光学系には一定の焦点深度
があり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検出す
る事は出来ない。対象物が立体的になった場合、従来は
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。

【０００６】しかし、欠陥の検出を考えたとき、焦点深
度外では正確なパターンが検出されず、解像度が低下し
たり、像の反転が生じたりする。この影響で、欠陥部で
あっても正常部との検出パターン差が小さく欠陥として
判定できない場合があった。

【０００７】このため、微細欠陥の検出ができないか、
または微細欠陥を検出できるが正常部を欠陥と誤検出す
るかのいずれかであった。

【０００８】本発明の目的は、微細化にともなって立体
的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、しかも高
信頼度で検査できるようにしたパターン欠陥方法および
その装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、本来同じ形状となるべきパターンが多数
形成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第１の撮像手段で基板上に形
成された多数のパターンを順次撮像して画像信号を得、
順次撮像して得たパターンの画像信号を順次記憶し、順
次撮像して得た画像信号と記憶してある画像信号とを比
較して差が一定以上ある部分を欠陥候補として抽出し、
この抽出した欠陥候補の中からこの欠陥候補の座標や寸
法などの情報に基づいて一部の欠陥候補を除去し、この
一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補の情報に基づ
いて第２の撮像手段で該一部の欠陥候補を除去した残り
の欠陥候補を撮像して画像信号を得、この画像信号を用
いて一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補を再度検
査するようにした。また、本発明では、上記目的を達成
するために、本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第１の装置上の第１の撮像手
段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち第１
のパターンの画像信号を得、この第１のパターンの画像
信号を記憶手段に記憶し、基板を走査しながら第１の撮
像手段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち
第２のパターンの画像信号を得、この第２のパターンの
画像信号を記憶した第１のパターンの画像信号と比較し
て欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の中から欠
陥候補の座標や寸法などの情報に基づいて再度検査する
欠陥候補を抽出し、この抽出した再度検査する欠陥を第
２の装置上の第２の撮像手段の撮像の視野内に位置させ
て再度検査する欠陥を撮像して再度検査する欠陥の画像
信号を得、この画像信号を用いて再度検査すべき欠陥を
検査するようにした。

【００１０】更に、上記目的を達成するために、本発明で
は、パターン欠陥検査装置を、試料を載置して移動可能
な第１のテーブル手段と、この第１のテーブル手段に載
置された試料を撮像する第１の撮像手段と、第１のテー
ブル手段を移動させながら第１の撮像手段で試料を撮像
して得た試料に形成されたパターンの画像信号を記憶す
る記憶手段と、第１のテーブル手段を移動させながら第
１の撮像手段で試料を撮像して得た試料に形成されたパ
ターンの画像信号をこの画像信号を本来同一となるべき
記憶手段に記憶された画像信号と比較して欠陥候補を抽
出する欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽
出した欠陥候補の中から欠陥候補の座標や寸法などの情
報に基づいて再度検査する欠陥候補を選択する選択手段
と、この選択手段で選択された試料の再度検査する欠陥
候補を撮像する第２の撮像手段と、試料を載置するテー
ブルを備えて試料の再度検査する欠陥候補が第２の撮像
手段の検出視野の中に入るようにテーブルを移動させる
第２のテーブル手段とを備えて構成した。

【００１１】

【作用】一般に、微細なパターンを検出する顕微鏡など
の検出光学系には検出波長λとＮＡで決まる解像度Δx
と焦点深度Δzがある。より微細なパターンを検出する
には解像度Δxを小さくする必要がある。例えば中心波
長λ＝５００ｎｍで０．３μｍのパターンを検出するに
はＮＡは（数１）式より０．８以上とする必要がある。

【００１２】 Δx＝λ／（２×ＮＡ）（数１）一方、焦点深度はＮＡ０．８の対物レンズを用いた顕微
鏡では中心波長λ＝５００ｎｍとすると焦点深度Δzは
（数２）式よりΔz＝０．４μｍとなる。

【００１３】 Δz＝λ／（２×ＮＡ×ＮＡ）（数２）また、検出すべきパターンは微細化にともなって図２に
示すように配線パターンの段差は最高１μｍを越えて立
体的になり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検
出することはできない。

【００１４】このような立体的な対象物の場合、従来は
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。しかし、欠陥の検出を考えた
とき、焦点深度外では正確なパターンが検出されず、解
像度が低下したり、像の反転が生じたりする。この影響
で、欠陥部であっても正常部との検出パターン差が小さ
く欠陥として判定できない場合があった。また、逆に小
さいパターン差を欠陥として検出すると正常な部分に存
在するわずかなパターン差を欠陥としてしまう。このた
め、微細欠陥の検出ができないか、または微細欠陥を検
出できるが正常部を欠陥と誤検出するかのいずれかであ
った。

【００１５】また、立体的なパターンの欠陥を検出する
手段として共焦点顕微鏡画像を元に長焦点深度画像、ま
たは立体形状画像を構成する方法、焦点深度の深いＳＥ
Ｍ画像を用いる方法がある。しかし、いずれの方法も低
速であり、立体的なパターン全面を検査することは実質
的に不可能である。

【００１６】本発明は、これらの点に着目して生まれた
ものである。即ち、本発明によれば、微細化にともなっ
て立体的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、し
かも高信頼度で検査することができる。

【００１７】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。先ず、本発明の原理について図３に基づいて説明す
る。本発明は、メモリー用ＬＳＩなどの半導体ウエハの
パターンや、ＴＦＴ（Thin Film Transister）のパター
ンや、プリント配線板のパターンや、セラミック基板の
パターンや、それらを製造する工程で用いるマスクやレ
チクルなどの立体的な微細パターンを光学画像として検
出して欠陥を検査して欠陥候補を抽出する焦点深度の浅
い光学顕微鏡である平面パターン検査装置２と、該平面
パターン検査装置２よりの欠陥候補の座標と寸法などの
欠陥情報３を伝達する伝達手段４と、該伝達手段４によ
り伝達された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに
欠陥とわかる物を除去する選択手段５と、該選択手段で
選択された欠陥情報の座標部位の立体形状または、焦点
深度の深いパターンを検出し、真の欠陥を判定する共焦
点顕微鏡または集束されたエネルギービームを用いた走
査型顕微鏡によって構成した３次元顕微鏡である詳細検
査装置６とによって構成される。

【００１８】上記平面パターン検査装置２にて、光学画
像として微細欠陥は検出できるが、正常部を欠陥として
指摘する誤検出も出しておいて、微細欠陥と誤検出を合
わせて欠陥候補とし、立体的な微細パターン全面の検査
終了後、欠陥候補の欠陥情報３を伝達手段４で伝達し、
選択手段５は欠陥候補の欠陥情報より例えば欠陥寸法の
大きい物は明らかに真の欠陥であるとして除去して詳細
検査装置６に情報を送る。該３次元の顕微鏡で構成され
た詳細検査装置６は、この選択された欠陥候補の場所の
みを立体形状を検出して、立体形状を元に真の欠陥を検
出する。または、焦点深度の深い画像を検出して、この
画像を元に真の欠陥を検出する。これにより、ウエハ全
面を高速に検査して欠陥候補を抽出し、欠陥候補部分の
立体形状画像または長焦点深度画像を検出することで立
体的な欠陥を信頼性高く検査することができる。

【００１９】以下、本発明の第１の実施例を図４により
説明する。本実施例ではＬＳＩウエハのパターンを例に
説明するが、ＴＦＴなどのパターンにも適用できること
は言うまでもない。図４はＬＳＩウエハ等の立体的な微
細パターンを検査する検査装置（以下の説明では検査装
置と略す）の全体構成図である。検査装置は照明光源９
と光源の光をステージ８上の立体的な微細パターンを有
する被検査対象物であるウェハ１０に照明して反射光を
検出する検出光学系１１と反射光を検出するセンサ１２
とセンサよりの画像パターンを記憶する記憶部１３とセ
ンサ１２で検出した画像パターンと記憶部よりの画像パ
ターンを比較する比較部１４と比較部よりの画像を元に
欠陥を抽出する欠陥抽出部１５よりなる平面パターンを
検出して欠陥候補を抽出する平面パターン検査装置２、
及び平面パターン検査装置で検査した欠陥候補の座標と
寸法などの欠陥情報３を伝達する伝達手段４、及び伝達
された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに欠陥と
わかる物を除去する選択手段５、及び選択された欠陥情
報の座標部位の立体形状を検出して真の欠陥を抽出する
共焦点顕微鏡を用いた立体形状を検査する詳細検査装置
６を組み合わせる。

【００２０】次に本検査装置の動作を説明する。平面パ
ターン検査装置２はステージ８を走査してウエハ１０の
画像パターンを順次センサ１２で検出し、記憶部１３に
記憶し、検出した画像パターンと記憶している同一であ
るはずの画像パターンを比較部１４で比較して差が一定
以上ある部分を欠陥抽出部１５で欠陥候補１６として抽
出する。

【００２１】欠陥候補１６の座標と寸法を欠陥情報３と
してＬＡＮよりなる伝達手段４で選択手段５に送る。選
択手段５では欠陥情報の欠陥面積Ｓより（数３）式の基
準で明らかに欠陥と判定できる物を除去する。

【００２２】Ｓ＞Ｓth （数３）ここで、Ｓthはあらかじめ定めた面積閾値である。

【００２３】選択手段５で選択された欠陥情報を詳細検
査装置６に送る。検査装置では欠陥情報の座標位置のみ
の立体形状を検出し、検出した立体形状を同一のパター
ンであるはずの立体形状と比較し、差が有れば真の欠陥
と判定する。

【００２４】次に、共焦点顕微鏡を用いた詳細検査装置
６を図５で説明する。詳細検査装置６は共焦点顕微鏡１
７と、試料台の高さ０．１μｍ以下の精度で上下の高さ
を変えることの出来るｚステージ１８と、該ｚステージ
の各高さの共焦点顕微鏡の画像を検出するＴＶカメラ２
０と、ＴＶカメラ２０で検出した各高さでのパターン
（２次元の画像信号）とｚステージ１８から出力される
各高さ（ｚ変位）信号とを元に、立体形状を構成する立
体形状構成部２１と、該立体形状構成部２１で構成した
立体形状を記憶しておく記憶部２２と、該記憶部２２で
記憶しておいた隣接するチップの立体形状と検出した立
体形状を比較して欠陥を検出する欠陥判定部２３よりな
る。

【００２５】詳細検査装置６は次のように動作して欠陥
を判定するものである。ｚステージ１８を徐々に上げな
がらパターンをＴＶカメラ２０で検出し、立体形状構成
部２１はＴＶカメラの各画素について一番検出光量の大
きい高さをその点の高さとすることで立体形状を構成す
る。構成した立体形状と記憶部２２で記憶しておいた隣
接するチップの立体形状を欠陥判定部２３で差を取り、
差が一定以上の場所を欠陥と判定する。

【００２６】ここで、共焦点顕微鏡による立体形状検出
の原理を図６で説明する。光源２４よりの光を移動する
ピンホール１９を介して対象物の１点のみに照射し、そ
の点のみを同一のピンホール１９を介して反射光をＴＶ
カメラ２０で検出する。対象物が焦点位置にある場合は
反射光はピンホール位置に戻るためＴＶカメラ２０では
明るく検出できる。一方、対象物が焦点位置をはずれた
場合、反射光は反射光戻り位置に集光し、ピンホールを
ほとんど光が通過しない。

【００２７】これら性質のため、図７に示すようにｚス
テージ１８を徐々に上げて被検査対象物の高さを徐々に
変えながらピンホール１９を介してＴＶカメラ２０で検
出される複数枚の画像の内、焦点のあった場所、つまり
ｚステージ１８から検出されるｚステージの高さが被検
査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高く、そ
れ以外の場所では低くなる。このため、最も検出光量の
高いステージ高さ（ｚステージ１８から出力される高さ
（ｚ変位）信号）が被検査対象物の高さ２６となる。こ
の構成には以下の特徴がある。

【００２８】（１）焦点深度が極めて浅く、焦点位置を
はずれると急激に検出光量が低下する。

【００２９】（２）解像度が約２倍向上する。

【００３０】本実施例によると解像度の高い共焦点顕微
鏡で立体形状を求めているため、真の欠陥を正確に求め
る事が出来る効果がある。

【００３１】次に本実施例の第１の変形を説明する。詳
細検査装置６を平面パターン検査装置２に組み込む。こ
れにより、装置がコンパクトになると共に、座標合わせ
などの初期化が省略できる効果がある。

【００３２】次に本実施例の第２の変形を図７で説明す
る。図７は横軸にステージ高さ、縦軸に検出光量を取っ
て、１点の検出光量変化を調べたグラフである。グラフ
からわかるように、検出光量の最も高いステージ高さの
近辺では検出光量がほとんど同じで高さ精度が出ない。
そこで、立体形状構成部２１では最大の検出光量の１／
２以上の検出光量を持つ部分の重心位置のステージ高さ
を対象物の高さとする。これにより、ＴＶカメラでパタ
ーンを検出するステージの高さピッチより小さい精度で
対象物の高さを検出できる効果がある。

【００３３】また、同様な変形としては２次曲線、正規
分布などの関数で近似してピーク位置を求める方法もあ
り、同様な効果がある。

【００３４】次に本実施例の第３の変形を説明する。立
体形状の構成手段としては、光切断法、モアレが良く知
られている。これらの方式を用いて立体形状を検出す
る。

【００３５】次に本発明の第４の変形を説明する。伝達
手段４としてはフロッピーディスク、テープ等の磁気記
憶媒体、プリンタ出力、等の間接的伝達手段、または通
信ケーブル等の直接伝達手段のいずれを用いることが出
来る。これらは同様な効果がある。

【００３６】以下、本発明の第２の実施例を図８により
説明する。図８は検査装置の全体構成図である。検査装
置は平面パターンを検出して欠陥候補を抽出する平面パ
ターン検査装置２と欠陥候補の座標を基に欠陥候補位置
のみの長焦点パターンを共焦点顕微鏡により検査して真
の欠陥を判定する詳細検査装置６よりなる。

【００３７】次に、共焦点顕微鏡を用いた詳細検査装置
６を図９で説明する。詳細検査装置６は、共焦点顕微鏡
１７と、試料台の高さ０．１μｍ以下の精度で上下の高
さを変えることができると共に試料台の高さ（変位）信
号を０．１μｍ以下の精度で出力するｚステージ１８
と、ｚステージ１８の各高さにおける共焦点顕微鏡の画
像を検出するＴＶカメラ２０と、該ＴＶカメラ２０で検
出した各高さでのパターン（２次元の画像信号）と上記
ｚステージ１８から出力される０．１μｍ以下の精度で
得られるｚ変位信号を基に、２次元の各画素について検
出光量の最大値を示すその画素の点のｚ変位とすること
で焦点深度の深いパターン（３次元の画像信号）を構成
する長焦点パターン構成部２７と、該長焦点パターン構
成部２７で立体形状を構成する３次元形状信号を記憶し
ておく記憶部２２と、該記憶部２２で記憶しておいた隣
接するチップの長焦点パターン（基準の３次元形状信
号）と検出した長焦点パターン（３次元の形状信号）と
を比較して真の欠陥を検出する欠陥判定部２３とにより
構成される。

【００３８】詳細検査装置６は次のように動作して真の
欠陥を判定するものである。ｚステージ１８を徐々に上
げながらその都度平面断面のパターンを２次元の画像信
号としてＴＶカメラ２０で検出し、長焦点パターン構成
部２７はＴＶカメラ２０からその都度検出される多数の
２次元画像信号の各画素について検出光量の最大値を示
すその画素の点のｚ変位とすることで長焦点パターンを
構成する。構成した長焦点パターンと記憶部２２で記憶
しておいた隣接するチップの長焦点パターンを欠陥判定
部２３で差を取り、差が一定以上の場所を欠陥と判定す
る。

【００３９】次に長焦点パターンの検出原理を説明す
る。ｚステージ１８を徐々に上げて被検査対象物の高さ
を徐々に変えながらピンホールを通してＴＶカメラ２０
から検出される複数枚の画像の内焦点のあった場所、つ
まりｚステージ１８から検出されるｚステージ高さが、
被検査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高
く、それ以外の場所では低くなる。このため、最も検出
光量の高いステージ高さが被検査対象物の高さであり、
そのときの検出光量が焦点があったときの検出光量とな
る。

【００４０】本実施例によると解像度の高い共焦点顕微
鏡により焦点の全て合った画像を求めているため、真の
欠陥を正確に求めることができる効果がある。

【００４１】また、詳細検査装置５として、例えば特開
平０３−６３５０７号公報に記載されて合焦点顕微鏡を
用いることもできる。

【００４２】本実施例の第１の変形を説明する。詳細検
査装置５の検出器としてＳＥＭ、走査トンネリング顕微
鏡、近接光ビーム走査顕微鏡等の集束されたエネルギー
ビームを用いた走査型顕微鏡を用いれば、焦点深度の極
めて深い画像を検出することができる。これらの検出器
から検出される画像信号を用いて詳細検査を行なうこと
ができる。

【００４３】また、詳細検査装置５の検出器としては光
切断法、モアレ法を用いた立体形状検出装置によって構
成することもできる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、立体的な微細なパター
ン上の真の欠陥を高速で、しかも高信頼度で検査するこ
とができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】２次元の画像信号を示す図で、(ａ)は基準の画
像信号である記憶パターンを示し、(ｂ)は検出される検
出画像信号である検出パターンを示し、(ｃ)は不一致画
像信号であるパターン差を示す図である。

【図２】本発明に係る被検査対象である立体的な微細パ
ターンを有するＬＳＩウエハの断面図である。

【図３】本発明に係るパターン検査装置の原理を示す図
である。

【図４】本発明に係るパターン検査装置の第１の実施例
を示す概略構成図である。

【図５】図４に示す詳細検査装置の具体的な一実施例を
示す構成図である。

【図６】図５に示す共焦点顕微鏡の一実施例を示す図
で、(ａ)は被検査対象物の検出点が焦点位置にある場合
を示す図、(ｂ)は被検査対象物の検出点が焦点位置にな
い場合を示す図である。

【図７】図６に示す共焦点顕微鏡においてｚステージか
ら検出されるステージ高さｚとＴＶカメラから検出され
る検出光量との関係を示す図である。

【図８】本発明に係るパターン検査装置の第２の実施例
を示す概略構成図である。

【図９】図８に示す詳細検査装置の具体的な一実施例を
示す構成図である。

【符号の説明】

２…平面パターン検査装置、３…欠陥情報、４…伝達手
段、５…選択手段６…詳細検査装置、８…ステージ、９…照明光源、１０
…ウエハ１１…検出光学系、１２…センサ、１３…記憶部、１４
…比較部１５…欠陥抽出部、１６…欠陥候補、１７…共焦点顕微
鏡、１８…ｚステージ１９…ピンホール、２０…ＴＶカメラ、２１…立体形状
構成部２２…記憶部、２３…欠陥判定部、２４…光源、２７…
長焦点パターン構成部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者牧平坦神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者磯部光庸神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献特開昭62−173731（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−13342（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−245007（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/958

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板の前記パターンの欠陥を検査する方法であ
って、前記基板を走査させながら第１の撮像手段で前記
基板上に形成された多数のパターンを順次撮像して画像
信号を得、該順次撮像して得た前記パターンの画像信号
を順次記憶し、前記順次撮像して得た画像信号と前記記
憶してある画像信号とを比較して差が一定以上ある部分
を欠陥候補として抽出し、該抽出した欠陥候補の中から
該欠陥候補の座標や寸法などの情報に基づいて一部の欠
陥候補を除去し、該一部の欠陥候補を除去した残りの欠
陥候補の情報に基づいて第２の撮像手段で該一部の欠陥
候補を除去した残りの欠陥候補を撮像して画像信号を
得、該画像信号を用いて前記一部の欠陥候補を除去した
残りの欠陥候補を再度検査することを特徴とするパター
ン欠陥検査方法。
【請求項２】本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板の前記パターンの欠陥を検査する方法であ
って、前記基板を走査させながら第１の装置上の第１の
撮像手段で前記基板を撮像して前記多数形成されたパタ
ーンのうち第１のパターンの画像信号を得、該第１のパ
ターンの画像信号を記憶手段に記憶し、前記基板を走査
しながら前記第１の撮像手段で前記基板を撮像して前記
多数形成されたパターンのうち第２のパターンの画像信
号を得、該第２のパターンの画像信号を前記記憶した第
１のパターンの画像信号と比較して欠陥候補を抽出し、
該抽出した欠陥候補の中から該欠陥候補の座標や寸法な
どの情報に基づいて再度検査する欠陥候補を抽出し、該
抽出した再度検査する欠陥を第２の装置上の第２の撮像
手段の撮像の視野内に位置させて前記再度検査する欠陥
を撮像して前記再度検査する欠陥の画像信号を得、該画
像信号を用いて前記再度検査する欠陥を検査することを
特徴とするパターン欠陥検査方法。
【請求項３】前記第１の撮像手段により、前記基板の光
学像を撮像することを特徴とする請求項２記載のパター
ン欠陥検査方法。
【請求項４】前記第２の撮像手段により、前記基板の２
次電子像を撮像することを特徴とする請求項２記載のパ
ターン欠陥検査方法。
【請求項５】前記抽出した欠陥候補の中から再度検査す
る欠陥候補を選択することを、前記抽出した欠陥候補の
うち、大きさから明らかに欠陥と判定できるものを除去
することにより行うことを特徴とする請求項２記載のパ
ターン欠陥検査方法。
【請求項６】試料を載置して移動可能な第１のテーブル
手段と、該第１のテーブル手段に載置された前記試料を
撮像する第１の撮像手段と、前記第１のテーブル手段を
移動させながら前記第１の撮像手段で前記試料を撮像し
て得た前記試料に形成されたパターンの画像信号を記憶
する記憶手段と、前記第１のテーブル手段を移動させな
がら前記第１の撮像手段で前記試料を撮像して得た前記
試料に形成されたパターンの画像信号を該画像信号を本
来同一となるべき前記記憶手段に記憶された画像信号と
比較して欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、該欠
陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の中から該欠陥候補
の座標や寸法などの情報に基づいて再度検査する欠陥候
補を選択する選択手段と、該選択手段で選択された前記
試料の再度検査する欠陥候補を撮像する第２の撮像手段
と、前記試料を載置するテーブルを備えて該試料の前記
再度検査する欠陥候補が前記第２の撮像手段の検出視野
の中に入るように前記テーブルを移動させる第２のテー
ブル手段とを備えたことを特徴とするパターン欠陥検査
装置。
【請求項７】前記第１の撮像手段が、光学顕微鏡を備え
ていることを特徴とする請求項６記載のパターン欠陥検
査装置。
【請求項８】前記第２の撮像手段が、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を備えていることを特徴とする請求項６記載
のパターン欠陥検査装置。
【請求項９】前記選択手段が、前記欠陥候補抽出手段で
抽出した欠陥候補の中から、該欠陥候補の座標や寸法な
どの欠陥情報に基づいて再度検査する欠陥候補を選択す
ることを特徴とする請求項６記載のパターン欠陥検査装
置。
【請求項１０】前記第２の撮像手段で撮像した前記再度
検査する欠陥候補から真の欠陥を判定する欠陥判定部を
更に備えたことを特徴とする請求項６記載のパターン欠
陥検査装置。