JP3186174B2 - パターン欠陥検査方法および装置 - Google Patents
パターン欠陥検査方法および装置Info
- Publication number
- JP3186174B2 JP3186174B2 JP3920292A JP3920292A JP3186174B2 JP 3186174 B2 JP3186174 B2 JP 3186174B2 JP 3920292 A JP3920292 A JP 3920292A JP 3920292 A JP3920292 A JP 3920292A JP 3186174 B2 JP3186174 B2 JP 3186174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- pattern
- image signal
- imaging
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSIウエハやTFT
などの立体的な微細パターンの欠陥を検査するパターン
欠陥方法およびその装置に関する。
などの立体的な微細パターンの欠陥を検査するパターン
欠陥方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の方法は、特公昭62ー39811
号公報に記載のようにパターンをセンサで検出してデジ
タル画像に変換するする手段と同一であるはずのパター
ン同士をデジタル画像上で比較する手段によってパター
ンの欠陥を検出するようになっていた。
号公報に記載のようにパターンをセンサで検出してデジ
タル画像に変換するする手段と同一であるはずのパター
ン同士をデジタル画像上で比較する手段によってパター
ンの欠陥を検出するようになっていた。
【0003】即ち、検出対象は図1(a)に示すように
メモリー用LSIなどの半導体ウエハのパターンや、T
FT(Thin Film Transister)のパターンや、プリント
配線板のパターンや、セラミック基板のパターンや、そ
れらを製造する工程で用いるマスクやレチクルなどのパ
ターンである。ここでは一例として半導体ウエハのパタ
ーンについて説明するが、他のパターンに対しても同じ
事が成り立つ。半導体ウエハのパターンは最終的に切り
離されて個別製品となるチップが数十個一枚のウエハに
載ってい、それらは互いに同じパターンを持っているチ
ップ内はメモリセル部分などのように一定の周期で繰り
返し性を持った部分と周辺回路などのように周期性の乏
しい部分がある。また、パターンの微細化にともなって
パターンは立体的になり、対物レンズなど検出光学系の
焦点深度を越えるようになってきた。
メモリー用LSIなどの半導体ウエハのパターンや、T
FT(Thin Film Transister)のパターンや、プリント
配線板のパターンや、セラミック基板のパターンや、そ
れらを製造する工程で用いるマスクやレチクルなどのパ
ターンである。ここでは一例として半導体ウエハのパタ
ーンについて説明するが、他のパターンに対しても同じ
事が成り立つ。半導体ウエハのパターンは最終的に切り
離されて個別製品となるチップが数十個一枚のウエハに
載ってい、それらは互いに同じパターンを持っているチ
ップ内はメモリセル部分などのように一定の周期で繰り
返し性を持った部分と周辺回路などのように周期性の乏
しい部分がある。また、パターンの微細化にともなって
パターンは立体的になり、対物レンズなど検出光学系の
焦点深度を越えるようになってきた。
【0004】このようなパターンの欠陥を検出する原理
を図1を用いて説明する。図1(a)は検出して記憶し
ているパターン、(b)は検出したパターン、(c)は
(a)と(b)の差を示している。各チップが全く同一
のパターンを持っている、または各セルが一定の周期で
繰り返し性を持っている事に着目し、パターンを検出し
て記憶しておき、それと同一であるはずの別のチップの
パターンを次に検出して比較する。いずれのパターンに
も欠陥が存在しない場合にはパターンの差は生じない
が、いずれかのパターンに欠陥が存在する場合には欠陥
部分でパターンに差を生じるため、パターンの比較によ
り差を生ずる場所を検出することによりパターン欠陥を
検出することができる。
を図1を用いて説明する。図1(a)は検出して記憶し
ているパターン、(b)は検出したパターン、(c)は
(a)と(b)の差を示している。各チップが全く同一
のパターンを持っている、または各セルが一定の周期で
繰り返し性を持っている事に着目し、パターンを検出し
て記憶しておき、それと同一であるはずの別のチップの
パターンを次に検出して比較する。いずれのパターンに
も欠陥が存在しない場合にはパターンの差は生じない
が、いずれかのパターンに欠陥が存在する場合には欠陥
部分でパターンに差を生じるため、パターンの比較によ
り差を生ずる場所を検出することによりパターン欠陥を
検出することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に、パターンを検
出する対物レンズなどの検出光学系には一定の焦点深度
があり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検出す
る事は出来ない。対象物が立体的になった場合、従来は
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。
出する対物レンズなどの検出光学系には一定の焦点深度
があり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検出す
る事は出来ない。対象物が立体的になった場合、従来は
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。
【0006】しかし、欠陥の検出を考えたとき、焦点深
度外では正確なパターンが検出されず、解像度が低下し
たり、像の反転が生じたりする。この影響で、欠陥部で
あっても正常部との検出パターン差が小さく欠陥として
判定できない場合があった。
度外では正確なパターンが検出されず、解像度が低下し
たり、像の反転が生じたりする。この影響で、欠陥部で
あっても正常部との検出パターン差が小さく欠陥として
判定できない場合があった。
【0007】このため、微細欠陥の検出ができないか、
または微細欠陥を検出できるが正常部を欠陥と誤検出す
るかのいずれかであった。
または微細欠陥を検出できるが正常部を欠陥と誤検出す
るかのいずれかであった。
【0008】本発明の目的は、微細化にともなって立体
的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、しかも高
信頼度で検査できるようにしたパターン欠陥方法および
その装置を提供することにある。
的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、しかも高
信頼度で検査できるようにしたパターン欠陥方法および
その装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、本来同じ形状となるべきパターンが多数
形成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第1の撮像手段で基板上に形
成された多数のパターンを順次撮像して画像信号を得、
順次撮像して得たパターンの画像信号を順次記憶し、順
次撮像して得た画像信号と記憶してある画像信号とを比
較して差が一定以上ある部分を欠陥候補として抽出し、
この抽出した欠陥候補の中からこの欠陥候補の座標や寸
法などの情報に基づいて一部の欠陥候補を除去し、この
一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補の情報に基づ
いて第2の撮像手段で該一部の欠陥候補を除去した残り
の欠陥候補を撮像して画像信号を得、この画像信号を用
いて一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補を再度検
査するようにした。また、本発明では、上記目的を達成
するために、本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第1の装置上の第1の撮像手
段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち第1
のパターンの画像信号を得、この第1のパターンの画像
信号を記憶手段に記憶し、基板を走査しながら第1の撮
像手段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち
第2のパターンの画像信号を得、この第2のパターンの
画像信号を記憶した第1のパターンの画像信号と比較し
て欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の中から欠
陥候補の座標や寸法などの情報に基づいて再度検査する
欠陥候補を抽出し、この抽出した再度検査する欠陥を第
2の装置上の第2の撮像手段の撮像の視野内に位置させ
て再度検査する欠陥を撮像して再度検査する欠陥の画像
信号を得、この画像信号を用いて再度検査すべき欠陥を
検査するようにした。
に、本発明では、本来同じ形状となるべきパターンが多数
形成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第1の撮像手段で基板上に形
成された多数のパターンを順次撮像して画像信号を得、
順次撮像して得たパターンの画像信号を順次記憶し、順
次撮像して得た画像信号と記憶してある画像信号とを比
較して差が一定以上ある部分を欠陥候補として抽出し、
この抽出した欠陥候補の中からこの欠陥候補の座標や寸
法などの情報に基づいて一部の欠陥候補を除去し、この
一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補の情報に基づ
いて第2の撮像手段で該一部の欠陥候補を除去した残り
の欠陥候補を撮像して画像信号を得、この画像信号を用
いて一部の欠陥候補を除去した残りの欠陥候補を再度検
査するようにした。また、本発明では、上記目的を達成
するために、本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板のパターンの欠陥を検査する方法におい
て、基板を走査させながら第1の装置上の第1の撮像手
段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち第1
のパターンの画像信号を得、この第1のパターンの画像
信号を記憶手段に記憶し、基板を走査しながら第1の撮
像手段で基板を撮像して多数形成されたパターンのうち
第2のパターンの画像信号を得、この第2のパターンの
画像信号を記憶した第1のパターンの画像信号と比較し
て欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の中から欠
陥候補の座標や寸法などの情報に基づいて再度検査する
欠陥候補を抽出し、この抽出した再度検査する欠陥を第
2の装置上の第2の撮像手段の撮像の視野内に位置させ
て再度検査する欠陥を撮像して再度検査する欠陥の画像
信号を得、この画像信号を用いて再度検査すべき欠陥を
検査するようにした。
【0010】更に、上記目的を達成するために、本発明で
は、 パターン欠陥検査装置を、試料を載置して移動可能
な第1のテーブル手段と、この第1のテーブル手段に載
置された試料を撮像する第1の撮像手段と、第1のテー
ブル手段を移動させながら第1の撮像手段で試料を撮像
して得た試料に形成されたパターンの画像信号を記憶す
る記憶手段と、第1のテーブル手段を移動させながら第
1の撮像手段で試料を撮像して得た試料に形成されたパ
ターンの画像信号をこの画像信号を本来同一となるべき
記憶手段に記憶された画像信号と比較して欠陥候補を抽
出する欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽
出した欠陥候補の中から欠陥候補の座標や寸法などの情
報に基づいて再度検査する欠陥候補を選択する選択手段
と、この選択手段で選択された試料の再度検査する欠陥
候補を撮像する第2の撮像手段と、試料を載置するテー
ブルを備えて試料の再度検査する欠陥候補が第2の撮像
手段の検出視野の中に入るようにテーブルを移動させる
第2のテーブル手段とを備えて構成した。
は、 パターン欠陥検査装置を、試料を載置して移動可能
な第1のテーブル手段と、この第1のテーブル手段に載
置された試料を撮像する第1の撮像手段と、第1のテー
ブル手段を移動させながら第1の撮像手段で試料を撮像
して得た試料に形成されたパターンの画像信号を記憶す
る記憶手段と、第1のテーブル手段を移動させながら第
1の撮像手段で試料を撮像して得た試料に形成されたパ
ターンの画像信号をこの画像信号を本来同一となるべき
記憶手段に記憶された画像信号と比較して欠陥候補を抽
出する欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽
出した欠陥候補の中から欠陥候補の座標や寸法などの情
報に基づいて再度検査する欠陥候補を選択する選択手段
と、この選択手段で選択された試料の再度検査する欠陥
候補を撮像する第2の撮像手段と、試料を載置するテー
ブルを備えて試料の再度検査する欠陥候補が第2の撮像
手段の検出視野の中に入るようにテーブルを移動させる
第2のテーブル手段とを備えて構成した。
【0011】
【作用】一般に、微細なパターンを検出する顕微鏡など
の検出光学系には検出波長λとNAで決まる解像度Δx
と焦点深度Δzがある。より微細なパターンを検出する
には解像度Δxを小さくする必要がある。例えば中心波
長λ=500nmで0.3μmのパターンを検出するに
はNAは(数1)式より0.8以上とする必要がある。
の検出光学系には検出波長λとNAで決まる解像度Δx
と焦点深度Δzがある。より微細なパターンを検出する
には解像度Δxを小さくする必要がある。例えば中心波
長λ=500nmで0.3μmのパターンを検出するに
はNAは(数1)式より0.8以上とする必要がある。
【0012】 Δx=λ/(2×NA) (数1) 一方、焦点深度はNA0.8の対物レンズを用いた顕微
鏡では中心波長λ=500nmとすると焦点深度Δzは
(数2)式よりΔz=0.4μmとなる。
鏡では中心波長λ=500nmとすると焦点深度Δzは
(数2)式よりΔz=0.4μmとなる。
【0013】 Δz=λ/(2×NA×NA) (数2) また、検出すべきパターンは微細化にともなって図2に
示すように配線パターンの段差は最高1μmを越えて立
体的になり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検
出することはできない。
示すように配線パターンの段差は最高1μmを越えて立
体的になり、この焦点深度を越えるパターンは正確に検
出することはできない。
【0014】このような立体的な対象物の場合、従来は
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。しかし、欠陥の検出を考えた
とき、焦点深度外では正確なパターンが検出されず、解
像度が低下したり、像の反転が生じたりする。この影響
で、欠陥部であっても正常部との検出パターン差が小さ
く欠陥として判定できない場合があった。また、逆に小
さいパターン差を欠陥として検出すると正常な部分に存
在するわずかなパターン差を欠陥としてしまう。このた
め、微細欠陥の検出ができないか、または微細欠陥を検
出できるが正常部を欠陥と誤検出するかのいずれかであ
った。
正確なパターンの検出は出来ないが、比較して同じなら
正常部としているため、焦点深度外であっても正常部で
は同一パターンが検出されるため、立体形状であること
は無視して検査していた。しかし、欠陥の検出を考えた
とき、焦点深度外では正確なパターンが検出されず、解
像度が低下したり、像の反転が生じたりする。この影響
で、欠陥部であっても正常部との検出パターン差が小さ
く欠陥として判定できない場合があった。また、逆に小
さいパターン差を欠陥として検出すると正常な部分に存
在するわずかなパターン差を欠陥としてしまう。このた
め、微細欠陥の検出ができないか、または微細欠陥を検
出できるが正常部を欠陥と誤検出するかのいずれかであ
った。
【0015】また、立体的なパターンの欠陥を検出する
手段として共焦点顕微鏡画像を元に長焦点深度画像、ま
たは立体形状画像を構成する方法、焦点深度の深いSE
M画像を用いる方法がある。しかし、いずれの方法も低
速であり、立体的なパターン全面を検査することは実質
的に不可能である。
手段として共焦点顕微鏡画像を元に長焦点深度画像、ま
たは立体形状画像を構成する方法、焦点深度の深いSE
M画像を用いる方法がある。しかし、いずれの方法も低
速であり、立体的なパターン全面を検査することは実質
的に不可能である。
【0016】本発明は、これらの点に着目して生まれた
ものである。即ち、本発明によれば、微細化にともなっ
て立体的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、し
かも高信頼度で検査することができる。
ものである。即ち、本発明によれば、微細化にともなっ
て立体的になったパターン上の真の欠陥を高速度で、し
かも高信頼度で検査することができる。
【0017】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。先ず、本発明の原理について図3に基づいて説明す
る。本発明は、メモリー用LSIなどの半導体ウエハの
パターンや、TFT(Thin Film Transister)のパター
ンや、プリント配線板のパターンや、セラミック基板の
パターンや、それらを製造する工程で用いるマスクやレ
チクルなどの立体的な微細パターンを光学画像として検
出して欠陥を検査して欠陥候補を抽出する焦点深度の浅
い光学顕微鏡である平面パターン検査装置2と、該平面
パターン検査装置2よりの欠陥候補の座標と寸法などの
欠陥情報3を伝達する伝達手段4と、該伝達手段4によ
り伝達された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに
欠陥とわかる物を除去する選択手段5と、該選択手段で
選択された欠陥情報の座標部位の立体形状または、焦点
深度の深いパターンを検出し、真の欠陥を判定する共焦
点顕微鏡または集束されたエネルギービームを用いた走
査型顕微鏡によって構成した3次元顕微鏡である詳細検
査装置6とによって構成される。
る。先ず、本発明の原理について図3に基づいて説明す
る。本発明は、メモリー用LSIなどの半導体ウエハの
パターンや、TFT(Thin Film Transister)のパター
ンや、プリント配線板のパターンや、セラミック基板の
パターンや、それらを製造する工程で用いるマスクやレ
チクルなどの立体的な微細パターンを光学画像として検
出して欠陥を検査して欠陥候補を抽出する焦点深度の浅
い光学顕微鏡である平面パターン検査装置2と、該平面
パターン検査装置2よりの欠陥候補の座標と寸法などの
欠陥情報3を伝達する伝達手段4と、該伝達手段4によ
り伝達された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに
欠陥とわかる物を除去する選択手段5と、該選択手段で
選択された欠陥情報の座標部位の立体形状または、焦点
深度の深いパターンを検出し、真の欠陥を判定する共焦
点顕微鏡または集束されたエネルギービームを用いた走
査型顕微鏡によって構成した3次元顕微鏡である詳細検
査装置6とによって構成される。
【0018】上記平面パターン検査装置2にて、光学画
像として微細欠陥は検出できるが、正常部を欠陥として
指摘する誤検出も出しておいて、微細欠陥と誤検出を合
わせて欠陥候補とし、立体的な微細パターン全面の検査
終了後、欠陥候補の欠陥情報3を伝達手段4で伝達し、
選択手段5は欠陥候補の欠陥情報より例えば欠陥寸法の
大きい物は明らかに真の欠陥であるとして除去して詳細
検査装置6に情報を送る。該3次元の顕微鏡で構成され
た詳細検査装置6は、この選択された欠陥候補の場所の
みを立体形状を検出して、立体形状を元に真の欠陥を検
出する。または、焦点深度の深い画像を検出して、この
画像を元に真の欠陥を検出する。これにより、ウエハ全
面を高速に検査して欠陥候補を抽出し、欠陥候補部分の
立体形状画像または長焦点深度画像を検出することで立
体的な欠陥を信頼性高く検査することができる。
像として微細欠陥は検出できるが、正常部を欠陥として
指摘する誤検出も出しておいて、微細欠陥と誤検出を合
わせて欠陥候補とし、立体的な微細パターン全面の検査
終了後、欠陥候補の欠陥情報3を伝達手段4で伝達し、
選択手段5は欠陥候補の欠陥情報より例えば欠陥寸法の
大きい物は明らかに真の欠陥であるとして除去して詳細
検査装置6に情報を送る。該3次元の顕微鏡で構成され
た詳細検査装置6は、この選択された欠陥候補の場所の
みを立体形状を検出して、立体形状を元に真の欠陥を検
出する。または、焦点深度の深い画像を検出して、この
画像を元に真の欠陥を検出する。これにより、ウエハ全
面を高速に検査して欠陥候補を抽出し、欠陥候補部分の
立体形状画像または長焦点深度画像を検出することで立
体的な欠陥を信頼性高く検査することができる。
【0019】以下、本発明の第1の実施例を図4により
説明する。本実施例ではLSIウエハのパターンを例に
説明するが、TFTなどのパターンにも適用できること
は言うまでもない。図4はLSIウエハ等の立体的な微
細パターンを検査する検査装置(以下の説明では検査装
置と略す)の全体構成図である。検査装置は照明光源9
と光源の光をステージ8上の立体的な微細パターンを有
する被検査対象物であるウェハ10に照明して反射光を
検出する検出光学系11と反射光を検出するセンサ12
とセンサよりの画像パターンを記憶する記憶部13とセ
ンサ12で検出した画像パターンと記憶部よりの画像パ
ターンを比較する比較部14と比較部よりの画像を元に
欠陥を抽出する欠陥抽出部15よりなる平面パターンを
検出して欠陥候補を抽出する平面パターン検査装置2、
及び平面パターン検査装置で検査した欠陥候補の座標と
寸法などの欠陥情報3を伝達する伝達手段4、及び伝達
された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに欠陥と
わかる物を除去する選択手段5、及び選択された欠陥情
報の座標部位の立体形状を検出して真の欠陥を抽出する
共焦点顕微鏡を用いた立体形状を検査する詳細検査装置
6を組み合わせる。
説明する。本実施例ではLSIウエハのパターンを例に
説明するが、TFTなどのパターンにも適用できること
は言うまでもない。図4はLSIウエハ等の立体的な微
細パターンを検査する検査装置(以下の説明では検査装
置と略す)の全体構成図である。検査装置は照明光源9
と光源の光をステージ8上の立体的な微細パターンを有
する被検査対象物であるウェハ10に照明して反射光を
検出する検出光学系11と反射光を検出するセンサ12
とセンサよりの画像パターンを記憶する記憶部13とセ
ンサ12で検出した画像パターンと記憶部よりの画像パ
ターンを比較する比較部14と比較部よりの画像を元に
欠陥を抽出する欠陥抽出部15よりなる平面パターンを
検出して欠陥候補を抽出する平面パターン検査装置2、
及び平面パターン検査装置で検査した欠陥候補の座標と
寸法などの欠陥情報3を伝達する伝達手段4、及び伝達
された欠陥情報を元に欠陥情報のみから明らかに欠陥と
わかる物を除去する選択手段5、及び選択された欠陥情
報の座標部位の立体形状を検出して真の欠陥を抽出する
共焦点顕微鏡を用いた立体形状を検査する詳細検査装置
6を組み合わせる。
【0020】次に本検査装置の動作を説明する。平面パ
ターン検査装置2はステージ8を走査してウエハ10の
画像パターンを順次センサ12で検出し、記憶部13に
記憶し、検出した画像パターンと記憶している同一であ
るはずの画像パターンを比較部14で比較して差が一定
以上ある部分を欠陥抽出部15で欠陥候補16として抽
出する。
ターン検査装置2はステージ8を走査してウエハ10の
画像パターンを順次センサ12で検出し、記憶部13に
記憶し、検出した画像パターンと記憶している同一であ
るはずの画像パターンを比較部14で比較して差が一定
以上ある部分を欠陥抽出部15で欠陥候補16として抽
出する。
【0021】欠陥候補16の座標と寸法を欠陥情報3と
してLANよりなる伝達手段4で選択手段5に送る。選
択手段5では欠陥情報の欠陥面積Sより(数3)式の基
準で明らかに欠陥と判定できる物を除去する。
してLANよりなる伝達手段4で選択手段5に送る。選
択手段5では欠陥情報の欠陥面積Sより(数3)式の基
準で明らかに欠陥と判定できる物を除去する。
【0022】 S>Sth (数3) ここで、Sthはあらかじめ定めた面積閾値である。
【0023】選択手段5で選択された欠陥情報を詳細検
査装置6に送る。検査装置では欠陥情報の座標位置のみ
の立体形状を検出し、検出した立体形状を同一のパター
ンであるはずの立体形状と比較し、差が有れば真の欠陥
と判定する。
査装置6に送る。検査装置では欠陥情報の座標位置のみ
の立体形状を検出し、検出した立体形状を同一のパター
ンであるはずの立体形状と比較し、差が有れば真の欠陥
と判定する。
【0024】次に、共焦点顕微鏡を用いた詳細検査装置
6を図5で説明する。詳細検査装置6は共焦点顕微鏡1
7と、試料台の高さ0.1μm以下の精度で上下の高さ
を変えることの出来るzステージ18と、該zステージ
の各高さの共焦点顕微鏡の画像を検出するTVカメラ2
0と、TVカメラ20で検出した各高さでのパターン
(2次元の画像信号)とzステージ18から出力される
各高さ(z変位)信号とを元に、立体形状を構成する立
体形状構成部21と、該立体形状構成部21で構成した
立体形状を記憶しておく記憶部22と、該記憶部22で
記憶しておいた隣接するチップの立体形状と検出した立
体形状を比較して欠陥を検出する欠陥判定部23よりな
る。
6を図5で説明する。詳細検査装置6は共焦点顕微鏡1
7と、試料台の高さ0.1μm以下の精度で上下の高さ
を変えることの出来るzステージ18と、該zステージ
の各高さの共焦点顕微鏡の画像を検出するTVカメラ2
0と、TVカメラ20で検出した各高さでのパターン
(2次元の画像信号)とzステージ18から出力される
各高さ(z変位)信号とを元に、立体形状を構成する立
体形状構成部21と、該立体形状構成部21で構成した
立体形状を記憶しておく記憶部22と、該記憶部22で
記憶しておいた隣接するチップの立体形状と検出した立
体形状を比較して欠陥を検出する欠陥判定部23よりな
る。
【0025】詳細検査装置6は次のように動作して欠陥
を判定するものである。zステージ18を徐々に上げな
がらパターンをTVカメラ20で検出し、立体形状構成
部21はTVカメラの各画素について一番検出光量の大
きい高さをその点の高さとすることで立体形状を構成す
る。構成した立体形状と記憶部22で記憶しておいた隣
接するチップの立体形状を欠陥判定部23で差を取り、
差が一定以上の場所を欠陥と判定する。
を判定するものである。zステージ18を徐々に上げな
がらパターンをTVカメラ20で検出し、立体形状構成
部21はTVカメラの各画素について一番検出光量の大
きい高さをその点の高さとすることで立体形状を構成す
る。構成した立体形状と記憶部22で記憶しておいた隣
接するチップの立体形状を欠陥判定部23で差を取り、
差が一定以上の場所を欠陥と判定する。
【0026】ここで、共焦点顕微鏡による立体形状検出
の原理を図6で説明する。光源24よりの光を移動する
ピンホール19を介して対象物の1点のみに照射し、そ
の点のみを同一のピンホール19を介して反射光をTV
カメラ20で検出する。対象物が焦点位置にある場合は
反射光はピンホール位置に戻るためTVカメラ20では
明るく検出できる。一方、対象物が焦点位置をはずれた
場合、反射光は反射光戻り位置に集光し、ピンホールを
ほとんど光が通過しない。
の原理を図6で説明する。光源24よりの光を移動する
ピンホール19を介して対象物の1点のみに照射し、そ
の点のみを同一のピンホール19を介して反射光をTV
カメラ20で検出する。対象物が焦点位置にある場合は
反射光はピンホール位置に戻るためTVカメラ20では
明るく検出できる。一方、対象物が焦点位置をはずれた
場合、反射光は反射光戻り位置に集光し、ピンホールを
ほとんど光が通過しない。
【0027】これら性質のため、図7に示すようにzス
テージ18を徐々に上げて被検査対象物の高さを徐々に
変えながらピンホール19を介してTVカメラ20で検
出される複数枚の画像の内、焦点のあった場所、つまり
zステージ18から検出されるzステージの高さが被検
査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高く、そ
れ以外の場所では低くなる。このため、最も検出光量の
高いステージ高さ(zステージ18から出力される高さ
(z変位)信号)が被検査対象物の高さ26となる。こ
の構成には以下の特徴がある。
テージ18を徐々に上げて被検査対象物の高さを徐々に
変えながらピンホール19を介してTVカメラ20で検
出される複数枚の画像の内、焦点のあった場所、つまり
zステージ18から検出されるzステージの高さが被検
査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高く、そ
れ以外の場所では低くなる。このため、最も検出光量の
高いステージ高さ(zステージ18から出力される高さ
(z変位)信号)が被検査対象物の高さ26となる。こ
の構成には以下の特徴がある。
【0028】(1)焦点深度が極めて浅く、焦点位置を
はずれると急激に検出光量が低下する。
はずれると急激に検出光量が低下する。
【0029】(2)解像度が約2倍向上する。
【0030】本実施例によると解像度の高い共焦点顕微
鏡で立体形状を求めているため、真の欠陥を正確に求め
る事が出来る効果がある。
鏡で立体形状を求めているため、真の欠陥を正確に求め
る事が出来る効果がある。
【0031】次に本実施例の第1の変形を説明する。詳
細検査装置6を平面パターン検査装置2に組み込む。こ
れにより、装置がコンパクトになると共に、座標合わせ
などの初期化が省略できる効果がある。
細検査装置6を平面パターン検査装置2に組み込む。こ
れにより、装置がコンパクトになると共に、座標合わせ
などの初期化が省略できる効果がある。
【0032】次に本実施例の第2の変形を図7で説明す
る。図7は横軸にステージ高さ、縦軸に検出光量を取っ
て、1点の検出光量変化を調べたグラフである。グラフ
からわかるように、検出光量の最も高いステージ高さの
近辺では検出光量がほとんど同じで高さ精度が出ない。
そこで、立体形状構成部21では最大の検出光量の1/
2以上の検出光量を持つ部分の重心位置のステージ高さ
を対象物の高さとする。これにより、TVカメラでパタ
ーンを検出するステージの高さピッチより小さい精度で
対象物の高さを検出できる効果がある。
る。図7は横軸にステージ高さ、縦軸に検出光量を取っ
て、1点の検出光量変化を調べたグラフである。グラフ
からわかるように、検出光量の最も高いステージ高さの
近辺では検出光量がほとんど同じで高さ精度が出ない。
そこで、立体形状構成部21では最大の検出光量の1/
2以上の検出光量を持つ部分の重心位置のステージ高さ
を対象物の高さとする。これにより、TVカメラでパタ
ーンを検出するステージの高さピッチより小さい精度で
対象物の高さを検出できる効果がある。
【0033】また、同様な変形としては2次曲線、正規
分布などの関数で近似してピーク位置を求める方法もあ
り、同様な効果がある。
分布などの関数で近似してピーク位置を求める方法もあ
り、同様な効果がある。
【0034】次に本実施例の第3の変形を説明する。立
体形状の構成手段としては、光切断法、モアレが良く知
られている。これらの方式を用いて立体形状を検出す
る。
体形状の構成手段としては、光切断法、モアレが良く知
られている。これらの方式を用いて立体形状を検出す
る。
【0035】次に本発明の第4の変形を説明する。伝達
手段4としてはフロッピーディスク、テープ等の磁気記
憶媒体、プリンタ出力、等の間接的伝達手段、または通
信ケーブル等の直接伝達手段のいずれを用いることが出
来る。これらは同様な効果がある。
手段4としてはフロッピーディスク、テープ等の磁気記
憶媒体、プリンタ出力、等の間接的伝達手段、または通
信ケーブル等の直接伝達手段のいずれを用いることが出
来る。これらは同様な効果がある。
【0036】以下、本発明の第2の実施例を図8により
説明する。図8は検査装置の全体構成図である。検査装
置は平面パターンを検出して欠陥候補を抽出する平面パ
ターン検査装置2と欠陥候補の座標を基に欠陥候補位置
のみの長焦点パターンを共焦点顕微鏡により検査して真
の欠陥を判定する詳細検査装置6よりなる。
説明する。図8は検査装置の全体構成図である。検査装
置は平面パターンを検出して欠陥候補を抽出する平面パ
ターン検査装置2と欠陥候補の座標を基に欠陥候補位置
のみの長焦点パターンを共焦点顕微鏡により検査して真
の欠陥を判定する詳細検査装置6よりなる。
【0037】次に、共焦点顕微鏡を用いた詳細検査装置
6を図9で説明する。詳細検査装置6は、共焦点顕微鏡
17と、試料台の高さ0.1μm以下の精度で上下の高
さを変えることができると共に試料台の高さ(変位)信
号を0.1μm以下の精度で出力するzステージ18
と、zステージ18の各高さにおける共焦点顕微鏡の画
像を検出するTVカメラ20と、該TVカメラ20で検
出した各高さでのパターン(2次元の画像信号)と上記
zステージ18から出力される0.1μm以下の精度で
得られるz変位信号を基に、2次元の各画素について検
出光量の最大値を示すその画素の点のz変位とすること
で焦点深度の深いパターン(3次元の画像信号)を構成
する長焦点パターン構成部27と、該長焦点パターン構
成部27で立体形状を構成する3次元形状信号を記憶し
ておく記憶部22と、該記憶部22で記憶しておいた隣
接するチップの長焦点パターン(基準の3次元形状信
号)と検出した長焦点パターン(3次元の形状信号)と
を比較して真の欠陥を検出する欠陥判定部23とにより
構成される。
6を図9で説明する。詳細検査装置6は、共焦点顕微鏡
17と、試料台の高さ0.1μm以下の精度で上下の高
さを変えることができると共に試料台の高さ(変位)信
号を0.1μm以下の精度で出力するzステージ18
と、zステージ18の各高さにおける共焦点顕微鏡の画
像を検出するTVカメラ20と、該TVカメラ20で検
出した各高さでのパターン(2次元の画像信号)と上記
zステージ18から出力される0.1μm以下の精度で
得られるz変位信号を基に、2次元の各画素について検
出光量の最大値を示すその画素の点のz変位とすること
で焦点深度の深いパターン(3次元の画像信号)を構成
する長焦点パターン構成部27と、該長焦点パターン構
成部27で立体形状を構成する3次元形状信号を記憶し
ておく記憶部22と、該記憶部22で記憶しておいた隣
接するチップの長焦点パターン(基準の3次元形状信
号)と検出した長焦点パターン(3次元の形状信号)と
を比較して真の欠陥を検出する欠陥判定部23とにより
構成される。
【0038】詳細検査装置6は次のように動作して真の
欠陥を判定するものである。zステージ18を徐々に上
げながらその都度平面断面のパターンを2次元の画像信
号としてTVカメラ20で検出し、長焦点パターン構成
部27はTVカメラ20からその都度検出される多数の
2次元画像信号の各画素について検出光量の最大値を示
すその画素の点のz変位とすることで長焦点パターンを
構成する。構成した長焦点パターンと記憶部22で記憶
しておいた隣接するチップの長焦点パターンを欠陥判定
部23で差を取り、差が一定以上の場所を欠陥と判定す
る。
欠陥を判定するものである。zステージ18を徐々に上
げながらその都度平面断面のパターンを2次元の画像信
号としてTVカメラ20で検出し、長焦点パターン構成
部27はTVカメラ20からその都度検出される多数の
2次元画像信号の各画素について検出光量の最大値を示
すその画素の点のz変位とすることで長焦点パターンを
構成する。構成した長焦点パターンと記憶部22で記憶
しておいた隣接するチップの長焦点パターンを欠陥判定
部23で差を取り、差が一定以上の場所を欠陥と判定す
る。
【0039】次に長焦点パターンの検出原理を説明す
る。zステージ18を徐々に上げて被検査対象物の高さ
を徐々に変えながらピンホールを通してTVカメラ20
から検出される複数枚の画像の内焦点のあった場所、つ
まりzステージ18から検出されるzステージ高さが、
被検査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高
く、それ以外の場所では低くなる。このため、最も検出
光量の高いステージ高さが被検査対象物の高さであり、
そのときの検出光量が焦点があったときの検出光量とな
る。
る。zステージ18を徐々に上げて被検査対象物の高さ
を徐々に変えながらピンホールを通してTVカメラ20
から検出される複数枚の画像の内焦点のあった場所、つ
まりzステージ18から検出されるzステージ高さが、
被検査対象物の高さと一致した場所では検出光量が高
く、それ以外の場所では低くなる。このため、最も検出
光量の高いステージ高さが被検査対象物の高さであり、
そのときの検出光量が焦点があったときの検出光量とな
る。
【0040】本実施例によると解像度の高い共焦点顕微
鏡により焦点の全て合った画像を求めているため、真の
欠陥を正確に求めることができる効果がある。
鏡により焦点の全て合った画像を求めているため、真の
欠陥を正確に求めることができる効果がある。
【0041】また、詳細検査装置5として、例えば特開
平03−63507号公報に記載されて合焦点顕微鏡を
用いることもできる。
平03−63507号公報に記載されて合焦点顕微鏡を
用いることもできる。
【0042】本実施例の第1の変形を説明する。詳細検
査装置5の検出器としてSEM、走査トンネリング顕微
鏡、近接光ビーム走査顕微鏡等の集束されたエネルギー
ビームを用いた走査型顕微鏡を用いれば、焦点深度の極
めて深い画像を検出することができる。これらの検出器
から検出される画像信号を用いて詳細検査を行なうこと
ができる。
査装置5の検出器としてSEM、走査トンネリング顕微
鏡、近接光ビーム走査顕微鏡等の集束されたエネルギー
ビームを用いた走査型顕微鏡を用いれば、焦点深度の極
めて深い画像を検出することができる。これらの検出器
から検出される画像信号を用いて詳細検査を行なうこと
ができる。
【0043】また、詳細検査装置5の検出器としては光
切断法、モアレ法を用いた立体形状検出装置によって構
成することもできる。
切断法、モアレ法を用いた立体形状検出装置によって構
成することもできる。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、立体的な微細なパター
ン上の真の欠陥を高速で、しかも高信頼度で検査するこ
とができる効果を奏する。
ン上の真の欠陥を高速で、しかも高信頼度で検査するこ
とができる効果を奏する。
【図1】2次元の画像信号を示す図で、(a)は基準の画
像信号である記憶パターンを示し、(b)は検出される検
出画像信号である検出パターンを示し、(c)は不一致画
像信号であるパターン差を示す図である。
像信号である記憶パターンを示し、(b)は検出される検
出画像信号である検出パターンを示し、(c)は不一致画
像信号であるパターン差を示す図である。
【図2】本発明に係る被検査対象である立体的な微細パ
ターンを有するLSIウエハの断面図である。
ターンを有するLSIウエハの断面図である。
【図3】本発明に係るパターン検査装置の原理を示す図
である。
である。
【図4】本発明に係るパターン検査装置の第1の実施例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図5】図4に示す詳細検査装置の具体的な一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図6】図5に示す共焦点顕微鏡の一実施例を示す図
で、(a)は被検査対象物の検出点が焦点位置にある場合
を示す図、(b)は被検査対象物の検出点が焦点位置にな
い場合を示す図である。
で、(a)は被検査対象物の検出点が焦点位置にある場合
を示す図、(b)は被検査対象物の検出点が焦点位置にな
い場合を示す図である。
【図7】図6に示す共焦点顕微鏡においてzステージか
ら検出されるステージ高さzとTVカメラから検出され
る検出光量との関係を示す図である。
ら検出されるステージ高さzとTVカメラから検出され
る検出光量との関係を示す図である。
【図8】本発明に係るパターン検査装置の第2の実施例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図9】図8に示す詳細検査装置の具体的な一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
2…平面パターン検査装置、3…欠陥情報、4…伝達手
段、5…選択手段 6…詳細検査装置、8…ステージ、9…照明光源、10
…ウエハ 11…検出光学系、12…センサ、13…記憶部、14
…比較部 15…欠陥抽出部、16…欠陥候補、17…共焦点顕微
鏡、18…zステージ 19…ピンホール、20…TVカメラ、21…立体形状
構成部 22…記憶部、23…欠陥判定部、24…光源、27…
長焦点パターン構成部
段、5…選択手段 6…詳細検査装置、8…ステージ、9…照明光源、10
…ウエハ 11…検出光学系、12…センサ、13…記憶部、14
…比較部 15…欠陥抽出部、16…欠陥候補、17…共焦点顕微
鏡、18…zステージ 19…ピンホール、20…TVカメラ、21…立体形状
構成部 22…記憶部、23…欠陥判定部、24…光源、27…
長焦点パターン構成部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧平 坦 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 磯部 光庸 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−173731(JP,A) 特開 昭63−13342(JP,A) 特開 昭61−245007(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/84 - 21/958
Claims (10)
- 【請求項1】本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板の前記パターンの欠陥を検査する方法であ
って、前記基板を走査させながら第1の撮像手段で前記
基板上に形成された多数のパターンを順次撮像して画像
信号を得、該順次撮像して得た前記パターンの画像信号
を順次記憶し、前記順次撮像して得た画像信号と前記記
憶してある画像信号とを比較して差が一定以上ある部分
を欠陥候補として抽出し、該抽出した欠陥候補の中から
該欠陥候補の座標や寸法などの情報に基づいて一部の欠
陥候補を除去し、該一部の欠陥候補を除去した残りの欠
陥候補の情報に基づいて第2の撮像手段で該一部の欠陥
候補を除去した残りの欠陥候補を撮像して画像信号を
得、該画像信号を用いて前記一部の欠陥候補を除去した
残りの欠陥候補を再度検査することを特徴とするパター
ン欠陥検査方法。 - 【請求項2】本来同じ形状となるべきパターンが多数形
成された基板の前記パターンの欠陥を検査する方法であ
って、前記基板を走査させながら第1の装置上の第1の
撮像手段で前記基板を撮像して前記多数形成されたパタ
ーンのうち第1のパターンの画像信号を得、該第1のパ
ターンの画像信号を記憶手段に記憶し、前記基板を走査
しながら前記第1の撮像手段で前記基板を撮像して前記
多数形成されたパターンのうち第2のパターンの画像信
号を得、該第2のパターンの画像信号を前記記憶した第
1のパターンの画像信号と比較して欠陥候補を抽出し、
該抽出した欠陥候補の中から該欠陥候補の座標や寸法な
どの情報に基づいて再度検査する欠陥候補を抽出し、該
抽出した再度検査する欠陥を第2の装置上の第2の撮像
手段の撮像の視野内に位置させて前記再度検査する欠陥
を撮像して前記再度検査する欠陥の画像信号を得、該画
像信号を用いて前記再度検査する欠陥を検査することを
特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 【請求項3】前記第1の撮像手段により、前記基板の光
学像を撮像することを特徴とする請求項2記載のパター
ン欠陥検査方法。 - 【請求項4】前記第2の撮像手段により、前記基板の2
次電子像を撮像することを特徴とする請求項2記載のパ
ターン欠陥検査方法。 - 【請求項5】前記抽出した欠陥候補の中から再度検査す
る欠陥候補を選択することを、前記抽出した欠陥候補の
うち、大きさから明らかに欠陥と判定できるものを除去
することにより行うことを特徴とする請求項2記載のパ
ターン欠陥検査方法。 - 【請求項6】試料を載置して移動可能な第1のテーブル
手段と、該第1のテーブル手段に載置された前記試料を
撮像する第1の撮像手段と、前記第1のテーブル手段を
移動させながら前記第1の撮像手段で前記試料を撮像し
て得た前記試料に形成されたパターンの画像信号を記憶
する記憶手段と、前記第1のテーブル手段を移動させな
がら前記第1の撮像手段で前記試料を撮像して得た前記
試料に形成されたパターンの画像信号を該画像信号を本
来同一となるべき前記記憶手段に記憶された画像信号と
比較して欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、該欠
陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の中から該欠陥候補
の座標や寸法などの情報に基づいて再度検査する欠陥候
補を選択する選択手段と、該選択手段で選択された前記
試料の再度検査する欠陥候補を撮像する第2の撮像手段
と、前記試料を載置するテーブルを備えて該試料の前記
再度検査する欠陥候補が前記第2の撮像手段の検出視野
の中に入るように前記テーブルを移動させる第2のテー
ブル手段とを備えたことを特徴とするパターン欠陥検査
装置。 - 【請求項7】前記第1の撮像手段が、光学顕微鏡を備え
ていることを特徴とする請求項6記載のパターン欠陥検
査装置。 - 【請求項8】前記第2の撮像手段が、走査型電子顕微鏡
(SEM)を備えていることを特徴とする請求項6記載
のパターン欠陥検査装置。 - 【請求項9】前記選択手段が、前記欠陥候補抽出手段で
抽出した欠陥候補の中から、該欠陥候補の座標や寸法な
どの欠陥情報に基づいて再度検査する欠陥候補を選択す
ることを特徴とする請求項6記載のパターン欠陥検査装
置。 - 【請求項10】前記第2の撮像手段で撮像した前記再度
検査する欠陥候補から真の欠陥を判定する欠陥判定部を
更に備えたことを特徴とする請求項6記載のパターン欠
陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3920292A JP3186174B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | パターン欠陥検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3920292A JP3186174B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | パターン欠陥検査方法および装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001000939A Division JP3405338B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05232033A JPH05232033A (ja) | 1993-09-07 |
JP3186174B2 true JP3186174B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=12546546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3920292A Expired - Fee Related JP3186174B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | パターン欠陥検査方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3186174B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3405338B2 (ja) | 2001-01-09 | 2003-05-12 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104062305B (zh) * | 2014-07-28 | 2017-10-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种集成电路缺陷的分析方法 |
JP5882524B1 (ja) * | 2015-08-11 | 2016-03-09 | レボックス株式会社 | 欠陥測定装置 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3920292A patent/JP3186174B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3405338B2 (ja) | 2001-01-09 | 2003-05-12 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05232033A (ja) | 1993-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109791897B (zh) | 用于半导体晶片检验的三维成像 | |
KR102235580B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사를 위한 결함 마킹 | |
JP4979246B2 (ja) | 欠陥観察方法および装置 | |
JP4351522B2 (ja) | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 | |
US7127098B2 (en) | Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus | |
KR100310106B1 (ko) | 패턴검사방법 및 그 장치 | |
US5659172A (en) | Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images | |
JP4183492B2 (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
JP3903889B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 | |
JP5276643B2 (ja) | 弱い光及び蛍光の光の用途において信号対ノイズ比、解像度、又は合焦品質を犠牲にすることなく検査速度を最適化するための方法 | |
US7092082B1 (en) | Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer | |
JPH11108864A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
JP2005283190A (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
JPS6182147A (ja) | 表面検査方法及び装置 | |
JP2008175686A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
JPH10267628A (ja) | 3次元形状検出方法およびその装置並びに基板の製造方法 | |
US7106432B1 (en) | Surface inspection system and method for using photo detector array to detect defects in inspection surface | |
JP3405338B2 (ja) | パターン欠陥検査方法およびその装置 | |
JP4320132B2 (ja) | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 | |
JP2006119142A (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
JP3186174B2 (ja) | パターン欠陥検査方法および装置 | |
US6970238B2 (en) | System for inspecting the surfaces of objects | |
JP2001165632A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP5240980B2 (ja) | 3次元測定装置及び検査装置 | |
JPH06229936A (ja) | パターン欠陥検出方法とその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |