JP3184352B2 - メモリー素子 - Google Patents
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- JP3184352B2 JP3184352B2 JP02874893A JP2874893A JP3184352B2 JP 3184352 B2 JP3184352 B2 JP 3184352B2 JP 02874893 A JP02874893 A JP 02874893A JP 2874893 A JP2874893 A JP 2874893A JP 3184352 B2 JP3184352 B2 JP 3184352B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は人工格子磁気抵抗膜を用
いたメモリ−素子に関するものである。
いたメモリ−素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗
センサ−(以下MRセンサ−という)、磁気抵抗ヘッド
(以下MRヘッドという)の開発が進められており、磁
性体には主にNi0.8Fe0.2のパ−マロイ等が用いられてい
る。これら磁気抵抗効果材料の場合は磁気抵抗変化率
(以下△R/Rと記す)が2.5%程度であり、より高感
度な磁気抵抗素子を得るためにより△R/Rの大きなも
のが求められいる。近年Cr,Ru等の金属非磁性薄膜を介
して反強磁性的結合をしている[Fe/Cr],[Co/Ru]人工格
子膜で巨大磁気抵抗効果が得られることが発見された
(Physical Review Letter Vol.61, p2472, 1988; 同 V
ol.64, p2304,1990)。又金属非磁性薄膜Cuで分離され
磁気的結合をしていない磁性薄膜Ni-FeとCoを用いた[Ni
-Fe/Cu/Co]人工格子膜でも巨大磁気抵抗効果が発見さ
れ、室温印加磁界3kOeで△R/Rが約10%のものが得ら
れている(シ゛ャーナル オフ゛ フィシ゛カル ソサイエティ オフ゛ シ゛ャハ゜ン 59
巻、3061頁、1990 年「Journal of Physical Society o
f Japan Vol.59, p3061, 1990」)。更にCuを介して反
強磁性的結合をしている磁性薄膜Ni-Fe-Co,Coを用いた
[Ni-Fe-Co/Cu/Co],[Ni-Fe-Co/Cu]人工格子膜でも巨大磁
気抵抗効果が発見され、室温印加磁界0.5kOeで△R/R
が約15%のものが得られている(電子情報通信学会技術
研究報告 MR91-9)。しかしながらこのような金属人工
格子膜の応用として考えられていたものは磁気センサ−
や磁気ヘッドである。
センサ−(以下MRセンサ−という)、磁気抵抗ヘッド
(以下MRヘッドという)の開発が進められており、磁
性体には主にNi0.8Fe0.2のパ−マロイ等が用いられてい
る。これら磁気抵抗効果材料の場合は磁気抵抗変化率
(以下△R/Rと記す)が2.5%程度であり、より高感
度な磁気抵抗素子を得るためにより△R/Rの大きなも
のが求められいる。近年Cr,Ru等の金属非磁性薄膜を介
して反強磁性的結合をしている[Fe/Cr],[Co/Ru]人工格
子膜で巨大磁気抵抗効果が得られることが発見された
(Physical Review Letter Vol.61, p2472, 1988; 同 V
ol.64, p2304,1990)。又金属非磁性薄膜Cuで分離され
磁気的結合をしていない磁性薄膜Ni-FeとCoを用いた[Ni
-Fe/Cu/Co]人工格子膜でも巨大磁気抵抗効果が発見さ
れ、室温印加磁界3kOeで△R/Rが約10%のものが得ら
れている(シ゛ャーナル オフ゛ フィシ゛カル ソサイエティ オフ゛ シ゛ャハ゜ン 59
巻、3061頁、1990 年「Journal of Physical Society o
f Japan Vol.59, p3061, 1990」)。更にCuを介して反
強磁性的結合をしている磁性薄膜Ni-Fe-Co,Coを用いた
[Ni-Fe-Co/Cu/Co],[Ni-Fe-Co/Cu]人工格子膜でも巨大磁
気抵抗効果が発見され、室温印加磁界0.5kOeで△R/R
が約15%のものが得られている(電子情報通信学会技術
研究報告 MR91-9)。しかしながらこのような金属人工
格子膜の応用として考えられていたものは磁気センサ−
や磁気ヘッドである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこの人工格子
磁気抵抗効果膜を情報読みだしに用いた磁性薄膜メモリ
−に関するもので、上記金属人工格子膜をメモリ−素子
の情報読み出し用に使用するとき、上記のような[Fe/C
r],[Co/Ru]では大きなΔR/R効果を得ようとすれば大
きな印加磁界が必要となり実用的でない問題点がある。
Ni0.8Fe0.2等の従来の磁気抵抗効果材料は低印加磁界で
動作が可能なものの、ΔR/R効果が小さい欠点があ
る。本発明はある種の金属人工格子膜の特性を生かし、
これを用いたメモリ−素子を可能とするものである。
磁気抵抗効果膜を情報読みだしに用いた磁性薄膜メモリ
−に関するもので、上記金属人工格子膜をメモリ−素子
の情報読み出し用に使用するとき、上記のような[Fe/C
r],[Co/Ru]では大きなΔR/R効果を得ようとすれば大
きな印加磁界が必要となり実用的でない問題点がある。
Ni0.8Fe0.2等の従来の磁気抵抗効果材料は低印加磁界で
動作が可能なものの、ΔR/R効果が小さい欠点があ
る。本発明はある種の金属人工格子膜の特性を生かし、
これを用いたメモリ−素子を可能とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は[Ni-Fe(-Co)/Cu
/Co],[Ni-Fe-Co/Cu]系人工格子膜が比較的低印加磁界で
動作が可能で、かつ大きなMR比(ΔR/R)を得るこ
とが可能な点に着目し、これと磁性膜部及び磁界印加用
の電流を流す導線部よりなる(図1)に示すような構成
のメモリ−素子である。
/Co],[Ni-Fe-Co/Cu]系人工格子膜が比較的低印加磁界で
動作が可能で、かつ大きなMR比(ΔR/R)を得るこ
とが可能な点に着目し、これと磁性膜部及び磁界印加用
の電流を流す導線部よりなる(図1)に示すような構成
のメモリ−素子である。
【0005】(図1)においてMはパタ−ニングされた
磁性膜部、Sは金属人工格子磁気抵抗効果膜部、R,R'
は情報記録用の磁界印加用電流線部、M,S,R,R'は絶
縁膜を介して設けられ、R,R'に流される電流より発生
する合成磁界により情報を磁性膜部Mに記録し、記録情
報の読み出しを人工格子磁気抵抗効果膜より成る電流線
部Sにより行なうものである。特にこの人工格子磁気抵
抗効果膜としては、厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1]と厚さ
5〜30Åの金属非磁性薄膜層[2]を交互に積層した構造か
ら成るものが良い。ただし磁性薄膜層[1]は主成分が
磁性膜部、Sは金属人工格子磁気抵抗効果膜部、R,R'
は情報記録用の磁界印加用電流線部、M,S,R,R'は絶
縁膜を介して設けられ、R,R'に流される電流より発生
する合成磁界により情報を磁性膜部Mに記録し、記録情
報の読み出しを人工格子磁気抵抗効果膜より成る電流線
部Sにより行なうものである。特にこの人工格子磁気抵
抗効果膜としては、厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1]と厚さ
5〜30Åの金属非磁性薄膜層[2]を交互に積層した構造か
ら成るものが良い。ただし磁性薄膜層[1]は主成分が
【0006】
【数1】
【0007】でX,X'はそれぞれ原子組成比で
【0008】
【数2】
【0009】で、金属非磁性薄膜層[2]はCu,Ag,Auのい
ずれかで、より好ましくはCuである。又上記のもの以外
では、厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1']と厚さ5〜50Åの金
属非磁性薄膜層[2]を交互に積層した構造から成るもの
が良い。ただし磁性薄膜層[1']は主成分が
ずれかで、より好ましくはCuである。又上記のもの以外
では、厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1']と厚さ5〜50Åの金
属非磁性薄膜層[2]を交互に積層した構造から成るもの
が良い。ただし磁性薄膜層[1']は主成分が
【0010】
【数3】
【0011】でY,Zはそれぞれ原子組成比で
【0012】
【数4】
【0013】で、金属非磁性薄膜層[2]がCu,Ag,Au,のい
ずれかで、より好ましくはCuである。更に、厚さ5〜50
Åの磁性薄膜層[1]と厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1']とを
交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に厚さ5〜50Åの金
属非磁性薄膜層[2]を介在させた構造から成るものが良
い。
ずれかで、より好ましくはCuである。更に、厚さ5〜50
Åの磁性薄膜層[1]と厚さ5〜50Åの磁性薄膜層[1']とを
交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に厚さ5〜50Åの金
属非磁性薄膜層[2]を介在させた構造から成るものが良
い。
【0014】
【作用】金属非磁性薄膜層[2]の厚さが十分薄い場合は
金属非磁性薄膜層[2]を介して磁性薄膜層が磁気的に結
合し、この磁気的結合がいわゆるRKKY的な結合の場
合は磁性薄膜層間の結合はある金属非磁性薄膜層[2]の
厚さの時反強磁性的に結合する。反強磁性的に結合して
いる場合は伝導電子のスピン散乱が大きくなり、人工格
子膜は大きな磁気抵抗を示し、磁界を十分印加すると磁
性薄膜層のスピンは揃い小さな磁気抵抗を示すため、結
果として大きな△R/Rが得られる。人工格子膜でもFe
/Cr等は必要印加磁界が極めて大きいため実用的なデバ
イスには不適であるが、本発明に用いる上記の[1],[1']
及び[1]と[1']の組合せた人工格子膜は室温低印加磁界
で大きなMR比が得られ本発明のデバイスに適してお
り、[1']はやや印加磁界を必要とするもののMR比が大
きく、[1]は[1']よりややMR比が小さいものの微小印
加磁界での動作が可能であり、これらを組み合わせたも
のはその中間の特性をしめす。
金属非磁性薄膜層[2]を介して磁性薄膜層が磁気的に結
合し、この磁気的結合がいわゆるRKKY的な結合の場
合は磁性薄膜層間の結合はある金属非磁性薄膜層[2]の
厚さの時反強磁性的に結合する。反強磁性的に結合して
いる場合は伝導電子のスピン散乱が大きくなり、人工格
子膜は大きな磁気抵抗を示し、磁界を十分印加すると磁
性薄膜層のスピンは揃い小さな磁気抵抗を示すため、結
果として大きな△R/Rが得られる。人工格子膜でもFe
/Cr等は必要印加磁界が極めて大きいため実用的なデバ
イスには不適であるが、本発明に用いる上記の[1],[1']
及び[1]と[1']の組合せた人工格子膜は室温低印加磁界
で大きなMR比が得られ本発明のデバイスに適してお
り、[1']はやや印加磁界を必要とするもののMR比が大
きく、[1]は[1']よりややMR比が小さいものの微小印
加磁界での動作が可能であり、これらを組み合わせたも
のはその中間の特性をしめす。
【0015】メモリ−素子は前述したように(図1)に
示したような構成となっており、情報記憶用磁性膜部M
とは絶縁膜を介し電流方向が直交した情報記録用の磁界
印加用電流線部R,R'に電流を流すと、これにより発生
する合成磁界によりMは磁化され、RとR'の電流方向
を変えることによりその磁化方向が変化して「1」,
「0」の情報が記憶される。次に上記Rにのみパルス電
流を流すと磁性膜Mの磁化回転が起こり、磁性膜部の磁
化状態が「1」か「0」よって抵抗変化が上記人工格子
膜より成る記録情報読みだし部Sに生じて情報の読み出
しが行なわれる。
示したような構成となっており、情報記憶用磁性膜部M
とは絶縁膜を介し電流方向が直交した情報記録用の磁界
印加用電流線部R,R'に電流を流すと、これにより発生
する合成磁界によりMは磁化され、RとR'の電流方向
を変えることによりその磁化方向が変化して「1」,
「0」の情報が記憶される。次に上記Rにのみパルス電
流を流すと磁性膜Mの磁化回転が起こり、磁性膜部の磁
化状態が「1」か「0」よって抵抗変化が上記人工格子
膜より成る記録情報読みだし部Sに生じて情報の読み出
しが行なわれる。
【0016】
【実施例】磁性薄膜層[1],[1']は低磁歪の膜であること
が必要である。これは磁歪が大きいと基板に膜を蒸着し
たり、膜にコ−ティング膜を付けたりした場合、磁気特
性がばらつき易いのと、磁気的にハ−ドになって低磁界
動作が困難になるためである。この条件を満足するもの
には上記(数1),(数2)で示されるNi-richのNi-Fe-
Co系膜及び(数3),(数4)で示されるCo-richのCo-N
i-Fe膜がある。磁性薄膜層[1]としては上記の様な3元
系でなくとも軟磁性を示しかつ△R/Rが比較的大きな
Ni-FeやNi-Co系等の2元系磁性薄膜層でも良いし、磁性
薄膜層[1']は同様に必ずしも3元系である必要はなく、
CoやCo-Feでも良い。
が必要である。これは磁歪が大きいと基板に膜を蒸着し
たり、膜にコ−ティング膜を付けたりした場合、磁気特
性がばらつき易いのと、磁気的にハ−ドになって低磁界
動作が困難になるためである。この条件を満足するもの
には上記(数1),(数2)で示されるNi-richのNi-Fe-
Co系膜及び(数3),(数4)で示されるCo-richのCo-N
i-Fe膜がある。磁性薄膜層[1]としては上記の様な3元
系でなくとも軟磁性を示しかつ△R/Rが比較的大きな
Ni-FeやNi-Co系等の2元系磁性薄膜層でも良いし、磁性
薄膜層[1']は同様に必ずしも3元系である必要はなく、
CoやCo-Feでも良い。
【0017】磁性薄膜[1]は磁歪が小さく軟磁性を示
す。その代表的なものはNi0.8Co0.1Fe0 .1, Ni0.8Fe0.2,
Ni0.8Co0.2等である。一方磁性薄膜[1']は(数4)を満
足するとき比較的磁歪が小さく、本来の硬質(ハ−ド)
磁性が軟質(ソフト)化され実用に耐え得る特性とな
る。その代表的なものはCo0.9Fe0.1等である。これら磁
性薄膜層は組成によっては異なるが一般的にはその厚さ
が5Å未満ではキュリ−温度の低下により室温での磁化
の低下等が問題となり、又人工格子膜の磁性薄膜層が50
Åを越えると磁気抵抗効果が低下し始め100Å以上では
大きな劣化となるため各磁性薄膜層を100Å以下、望ま
しくは50Åにする必要がある。従ってこれら磁性薄膜層
の厚さはは5〜50Åとすることが望ましい。
す。その代表的なものはNi0.8Co0.1Fe0 .1, Ni0.8Fe0.2,
Ni0.8Co0.2等である。一方磁性薄膜[1']は(数4)を満
足するとき比較的磁歪が小さく、本来の硬質(ハ−ド)
磁性が軟質(ソフト)化され実用に耐え得る特性とな
る。その代表的なものはCo0.9Fe0.1等である。これら磁
性薄膜層は組成によっては異なるが一般的にはその厚さ
が5Å未満ではキュリ−温度の低下により室温での磁化
の低下等が問題となり、又人工格子膜の磁性薄膜層が50
Åを越えると磁気抵抗効果が低下し始め100Å以上では
大きな劣化となるため各磁性薄膜層を100Å以下、望ま
しくは50Åにする必要がある。従ってこれら磁性薄膜層
の厚さはは5〜50Åとすることが望ましい。
【0018】磁性薄膜層[1']と金属非磁性薄膜層[2]の
みより成るものは大きなΔR/Rが得られがやや動作磁
界が大きい。磁性薄膜層[1']と磁性薄膜層[1]とを組み
合わせて用いると、磁性薄膜層[1]と金属非磁性薄膜層
[2]のみより成るものより大きなΔR/Rが得られ、磁性
薄膜層[1']と金属非磁性薄膜層[2]のみより成るものよ
り動作磁界が小さくできる。
みより成るものは大きなΔR/Rが得られがやや動作磁
界が大きい。磁性薄膜層[1']と磁性薄膜層[1]とを組み
合わせて用いると、磁性薄膜層[1]と金属非磁性薄膜層
[2]のみより成るものより大きなΔR/Rが得られ、磁性
薄膜層[1']と金属非磁性薄膜層[2]のみより成るものよ
り動作磁界が小さくできる。
【0019】これらの磁性薄膜層[1](もしくは[1]と
[1'])の間に介在させる金属薄膜層は上記(数1)から
(数4)で示された組成の磁性薄膜層[1](もしくは[1]
と[1'])との界面での反応が少なく、かつ非磁性である
ことが必要で、Cu,Ag,Au等が適しており、現在のところ
最も望ましいのはCuである。金属非磁性薄膜層[2]の厚
さが50Åより厚くなると金属非磁性薄膜層[2]を介した
磁性薄膜層[1](もしくは[1]と[1'])の間の磁気的結合
が大幅に減衰してしまい、又金属非磁性薄膜層[2]が無
い場合や厚さが5Å未満となると磁性薄膜層[1](もしく
は[1]と[1'])は互いに強磁性的に結合してしまい反強
磁性結合状態が実現できず大きな磁気抵抗効果は得られ
ない。従って金属非磁性薄膜層[2]の厚さは5〜50Åとす
ることが望ましい。
[1'])の間に介在させる金属薄膜層は上記(数1)から
(数4)で示された組成の磁性薄膜層[1](もしくは[1]
と[1'])との界面での反応が少なく、かつ非磁性である
ことが必要で、Cu,Ag,Au等が適しており、現在のところ
最も望ましいのはCuである。金属非磁性薄膜層[2]の厚
さが50Åより厚くなると金属非磁性薄膜層[2]を介した
磁性薄膜層[1](もしくは[1]と[1'])の間の磁気的結合
が大幅に減衰してしまい、又金属非磁性薄膜層[2]が無
い場合や厚さが5Å未満となると磁性薄膜層[1](もしく
は[1]と[1'])は互いに強磁性的に結合してしまい反強
磁性結合状態が実現できず大きな磁気抵抗効果は得られ
ない。従って金属非磁性薄膜層[2]の厚さは5〜50Åとす
ることが望ましい。
【0020】ΔR/Rの値は金属非磁性薄膜層[2]の厚さ
とともにRKKY的振動をし、磁性薄膜層の組成によっ
てやや異なるものの6〜13Å近傍で第1のピ−クを又19
〜26Å近傍で第2のピ−クを取るので、特に大きなΔR
/R を必要とする場合この範囲とすることが望ましい。
とともにRKKY的振動をし、磁性薄膜層の組成によっ
てやや異なるものの6〜13Å近傍で第1のピ−クを又19
〜26Å近傍で第2のピ−クを取るので、特に大きなΔR
/R を必要とする場合この範囲とすることが望ましい。
【0021】以下具体的な実施例により本発明の効果の
説明を行う。 (実施例1)多元スパッタ装置を用いて以下に示した構
成の金属人工格子膜をガラス基板上に作成した。ただし
Nは繰り返し数で総膜厚が約2000Åとなるよう変化させ
た。 A: [Ni-Co-Fe(20)/Cu(20)/Co(20)/Cu(20)]N (( )内は厚さ(Å)を表わす) なおタ−ゲットにはそれぞれNi0.8Co0.1Fe0.1(磁性層
[1]), Co(磁性層[1']), Cu(非磁性金属層[2])を用い、
各膜厚はシャッタ−により制御した。
説明を行う。 (実施例1)多元スパッタ装置を用いて以下に示した構
成の金属人工格子膜をガラス基板上に作成した。ただし
Nは繰り返し数で総膜厚が約2000Åとなるよう変化させ
た。 A: [Ni-Co-Fe(20)/Cu(20)/Co(20)/Cu(20)]N (( )内は厚さ(Å)を表わす) なおタ−ゲットにはそれぞれNi0.8Co0.1Fe0.1(磁性層
[1]), Co(磁性層[1']), Cu(非磁性金属層[2])を用い、
各膜厚はシャッタ−により制御した。
【0022】同様にタ−ゲットに直径80mmの Ni0.8Co
0.05Fe0.15(磁性層[1]), Co0.9Fe0.1(磁性層[1']), Cu
(非磁性金属層[2])を用いて B: [Ni-Co-Fe(30)/Cu(9)]N1 C: [Co-Fe(40)/Cu(25)]N2 (( )内は厚さ(Å)を表わす) を作成した。ただしN1,N2は繰り返し数で総膜厚が約200
0Åとなるよう変化させた。これを(図1)のようにパ
タ−ニングし、情報読み出し部Sを形成した。次に蒸着
装置を用いてNi-Feを蒸着しパタ−ニングして磁性膜部
Mを、又Cr/Au膜を蒸着しパタ−ニングして(図1)の
R',R部を形成した。なおこれらM,R',R,SはSiOに
より互いに絶縁し、メモリ−素子を形成した。
0.05Fe0.15(磁性層[1]), Co0.9Fe0.1(磁性層[1']), Cu
(非磁性金属層[2])を用いて B: [Ni-Co-Fe(30)/Cu(9)]N1 C: [Co-Fe(40)/Cu(25)]N2 (( )内は厚さ(Å)を表わす) を作成した。ただしN1,N2は繰り返し数で総膜厚が約200
0Åとなるよう変化させた。これを(図1)のようにパ
タ−ニングし、情報読み出し部Sを形成した。次に蒸着
装置を用いてNi-Feを蒸着しパタ−ニングして磁性膜部
Mを、又Cr/Au膜を蒸着しパタ−ニングして(図1)の
R',R部を形成した。なおこれらM,R',R,SはSiOに
より互いに絶縁し、メモリ−素子を形成した。
【0023】以上A,B,Cの人工格子磁気抵抗効果膜を
用いて作製したメモリ−素子の動作をチェックしたとこ
ろ、総てのもので(Sからの)高い出力が得られ、Bを
用いたものは最も少ない(RR'用の)電流で動作し、
A,Cを用いたものは特に大きな出力が得られることが
わかった。
用いて作製したメモリ−素子の動作をチェックしたとこ
ろ、総てのもので(Sからの)高い出力が得られ、Bを
用いたものは最も少ない(RR'用の)電流で動作し、
A,Cを用いたものは特に大きな出力が得られることが
わかった。
【0024】なおこの素子をマリックス状に複数配置し
たものを用いれば、大容量のメモリー素子アレイとなる
ことは云うまでもない。
たものを用いれば、大容量のメモリー素子アレイとなる
ことは云うまでもない。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように本発明はある特定の
金属人工格子磁気抵抗膜の特性を生かした構成により、
室温駆動が可能な磁性薄膜メモリ−を可能とするもので
ある。
金属人工格子磁気抵抗膜の特性を生かした構成により、
室温駆動が可能な磁性薄膜メモリ−を可能とするもので
ある。
【図1】本発明のメモリ−素子の一例を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入江 庸介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−345987(JP,A) 特開 昭60−211678(JP,A) 特開 平4−137572(JP,A) 特開 平4−247607(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 11/00
Claims (9)
- 【請求項1】 パタ−ニングされた情報を記録する磁性
膜部Mと、前記磁性膜部Mとは絶縁され、かつ前記磁性
膜部Mの側面に設けられた情報読みだしのための人工格
子磁気抵抗効果膜より成る電流線部Sと、前記電流線部
S及び前記磁性膜部Mとは絶縁され、かつ前記磁性膜部
Mの側面であって前記電流線部Sが存在する側とは反対
側の側面に設けられ、上記電流線部Sと同じ方向に電流
を流す電流線部R’と、前記電流線部S及び前記磁性膜
部Mとは絶縁され、かつ前記磁性膜部Mの側面であって
前記電流線部Sが存在する側とは反対側の側面に設けら
れ、電流を上記電流線部Sと直交する方向に流す電流線
部Rと、前記磁性膜部M、前記電流線部S、前記電流線
部R、R’とを互いに絶縁する絶縁部とを備え、前記電
流線部R、R’に電流を流すことにより前記磁性膜Mに
磁界を印加して情報を記録するメモリ素子アレイであっ
て、上記電流線部Sは厚さ5〜50Åの金属磁性層[1]と厚
さ5〜50Åの金属非磁性層[2]を交互に積層した構造とな
っていることを特徴とするメモリ−素子アレイ。 - 【請求項2】 特に金属非磁性層[2]がCu,Ag,Auのいず
れかである請求項1記載のメモリ−素子アレイ。 - 【請求項3】 特に人工格子磁気抵抗効果膜部の金属磁
性層[1]が(NiXCo1-X)X'Fe1-X'を主成分とし、Xは0.6〜
1.0、X'は0.7〜1.0であることを特徴とする請求項2記
載のメモリ−素子アレイ。 - 【請求項4】 特に金属磁性層[1]が(CoYNi1-Y)ZFe1-Z
を主成分とし、Yは0.4〜1.0、Zは0.8〜1.0であることを
特徴とする請求項2記載のメモリ−素子アレイ。 - 【請求項5】 特に金属非磁性層[2]の厚さが6〜13Åで
ある請求項3もしくは4のいずれかに記載のメモリ−素
子アレイ。 - 【請求項6】 特に金属非磁性層[2]の厚さが19〜26Å
である請求項3もしくは4のいずれかに記載のメモリ−
素子アレイ。 - 【請求項7】 パタ−ニングされた情報を記録する磁性
膜部Mと、前記磁性膜部Mとは絶縁され、かつ前記磁性
膜部Mの側面に設けられた情報読みだしのための人工格
子磁気抵抗効果膜より成る電流線部Sと、前記電流線部
S及び前記磁性膜部Mとは絶縁され、かつ前記磁性膜部
Mの側面であって前記電流線部Sが存在する側とは反対
側の側面に設けられ、上記電流線部Sと同じ方向に電流
を流す電流線部R’と、前記電流線部S及び前記磁性膜
部Mとは絶縁され、かつ前記磁性膜部Mの側面であって
前記電流線部Sが存在する側とは反対側の側面に設けら
れ、電流を上記電流線部Sと直交する方向に流す電流線
部Rと、前記磁性膜部M、前記電流線部S、前記電流線
部R、R’とを互いに絶縁する絶縁部とを備え、前記電
流線部R、R’に電流を流すことにより前記磁性膜部M
に磁界を印加して情報を記録するメモリー素子アレイで
あって、前記電流線部Sは厚さ5〜50Åの金属磁性層[1]
と厚さ5〜50Åの第2の金属磁性層[1']が厚さ5〜50Åの
金属非磁性層[2]を介して交互に積層された構造から成
ることを特徴とするメモリ−素子アレイ。(ただし、金
属磁性層[1]は(NiXCo1-X)X'Fe1-X'を主成分とし、金属
磁性層[1']は(CoYNi1-Y)ZFe1-Zを主成分とし、Xは0.6〜
1.0、X'は0.7〜1.0、Yは0.4〜1.0、Zは0.8〜1.0であ
り、金属非磁性層[2]はCu,Ag,Auのいずれかを主成分と
するものである)。 - 【請求項8】 特に金属非磁性層[2]の厚さが6〜13Åで
ある請求項7記載のメモリ−素子アレイ。 - 【請求項9】 特に金属非磁性層[2]の厚さが19〜26Å
である請求項7記載のメモリ−素子アレイ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02874893A JP3184352B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | メモリー素子 |
US08/144,593 US5459687A (en) | 1993-02-18 | 1993-10-28 | Memory element |
EP93118463A EP0614192B1 (en) | 1993-02-18 | 1993-11-15 | Memory element |
DE69324902T DE69324902T2 (de) | 1993-02-18 | 1993-11-15 | Speicherelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02874893A JP3184352B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | メモリー素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06243673A JPH06243673A (ja) | 1994-09-02 |
JP3184352B2 true JP3184352B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=12257035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02874893A Expired - Fee Related JP3184352B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | メモリー素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5459687A (ja) |
EP (1) | EP0614192B1 (ja) |
JP (1) | JP3184352B2 (ja) |
DE (1) | DE69324902T2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5949707A (en) * | 1996-09-06 | 1999-09-07 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Giant magnetoresistive effect memory cell |
JPH08287422A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-11-01 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JP3207094B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2001-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びメモリー素子 |
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DE19823826A1 (de) | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Burkhard Hillebrands | MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher |
JP3891540B2 (ja) | 1999-10-25 | 2007-03-14 | キヤノン株式会社 | 磁気抵抗効果メモリ、磁気抵抗効果メモリに記録される情報の記録再生方法、およびmram |
JP3618654B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2005-02-09 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
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JP4786331B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4514721B2 (ja) | 2006-02-09 | 2010-07-28 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置 |
JP2007299880A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4490950B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2010-06-30 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、及び磁気抵抗効果素子 |
JP4550777B2 (ja) | 2006-07-07 | 2010-09-22 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気メモリ |
JP4388093B2 (ja) | 2007-03-27 | 2009-12-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置 |
JP2008252008A (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、およびその製造方法 |
JP2008311373A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 磁性多層膜通電素子 |
US11238329B2 (en) * | 2007-12-24 | 2022-02-01 | Dynamics Inc. | Payment cards and devices with gift card, global integration, and magnetic stripe reader communication functionality |
JP5361201B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP5150284B2 (ja) | 2008-01-30 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
JP5039007B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
JP5039006B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
JP2010080839A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3495224A (en) * | 1960-04-19 | 1970-02-10 | Massachusetts Inst Technology | Thin film memory system |
NL258618A (ja) * | 1960-12-01 | |||
FR2276658A1 (fr) * | 1974-06-25 | 1976-01-23 | Tecsi | Poste de lecture pour un registre a propagation de domaines magnetiques sur une couche mince |
US4857418A (en) * | 1986-12-08 | 1989-08-15 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for magnetic films |
US5173873A (en) * | 1990-06-28 | 1992-12-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High speed magneto-resistive random access memory |
EP0506433B2 (en) * | 1991-03-29 | 2007-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP02874893A patent/JP3184352B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-28 US US08/144,593 patent/US5459687A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-15 EP EP93118463A patent/EP0614192B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-15 DE DE69324902T patent/DE69324902T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69324902D1 (de) | 1999-06-17 |
EP0614192A3 (en) | 1995-01-04 |
DE69324902T2 (de) | 1999-09-16 |
JPH06243673A (ja) | 1994-09-02 |
EP0614192B1 (en) | 1999-05-12 |
EP0614192A2 (en) | 1994-09-07 |
US5459687A (en) | 1995-10-17 |
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Legal Events
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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