JP3177096U - 拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10、チップ20、上蓋30および封止樹脂体40をから構成する。チップ20は、基板10に接合され、上蓋30プラスチック薄板31は、チップ20上に接着される。透明蓋体32は、プラスチック薄板31に接合され、チップ20の感光領域221の上方を被覆して気室33を形成する。封止樹脂体40は、基板10上に配置され、チップ20および上蓋30の四周を被覆する。プラスチック薄板31の厚さにより、透明蓋体32とチップ20との間の距離が増大することにより、チップ20と透明蓋体32との間の気室33空間が拡大する。これにより、光線が多重屈折および反射することにより、ゴースト画像が発生するのを防止することができ、撮像効果を改善することができる。
【選択図】図1
Description
本考案の第2の目的は、射出成形により、透明蓋体とプラスチック薄板とが接合されるため、製造工程を簡単にすることができる拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージを提供することにある。
本考案の第3の目的は、透明蓋体の上表面の周縁が封止樹脂体により被覆されることにより、水分がチップに浸入する経路が延長されるため、水分により、撮像素子パッケージの撮像効果が影響を受けるのを防止することができる、拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージを提供することにある。
複数の第1の導電接点が形成される第1の表面と、第2の表面と、を含む基板と、
第1の表面上に接合される第3の表面と、感光領域を含む第4の表面と、感光領域の周囲に配置され、複数の第1の導電接点に電気的に接続される複数の第2の導電接点と、を含むチップと、
第4の表面上に接着されるプラスチック薄板と、プラスチック薄板に接合され、感光領域を被覆することにより、気室を形成する透明蓋体と、を含む上蓋と、
基板上に配置され、チップおよび上蓋の四周を被覆する封止樹脂体と、を備える。
1.気室空間が拡大される上、透明蓋体とチップとの間の距離も増大されることにより、撮像素子パッケージの結像品質を改善することができる。
2.射出成形により、透明蓋体とプラスチック薄板とが接合されるため、製造工程を簡単にすることができ、製造コストを低減することができる。
3.透明蓋体の上表面の周縁が封止樹脂体により被覆されることにより、水分がチップに浸入する経路が延長されるため、水分により、撮像素子パッケージの撮像効果が影響を受けるのを防止することができる。
図1を参照する。図1に示すように、本考案の第1実施形態による拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージは、基板10、チップ20、上蓋30および封止樹脂体40を含む。
図2を参照する。図2は、本考案の第2実施形態による拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージを示す断面図である。図2に示すように、封止樹脂体40は、透明蓋体32の第8の表面322の周縁を被覆する。透明蓋体32の上表面の四周が封止樹脂体40により被覆されることにより、水分がチップ20に浸入する経路が延長されるため、水分が撮像素子パッケージの撮像効果に影響を与えるのを防止する。
図5を参照する。図5は、本考案の第3実施形態による拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージを示す断面図である。図5に示すように、撮像素子パッケージの上蓋30’は、さらに他の実施形態により実施することができる。図8および図9を参照する。図8および図9に示すように、上蓋30’は、第1実施形態および第2実施形態と同様に、透明蓋体32を備える。また、予め、射出成形により、透明蓋体32の外周をプラスチック薄板31’により被覆してもよい。プラスチック薄板31’の材料は、耐熱プラスチック材料または液晶ポリエステル(Liquid Crystal Polyester:LCP)とする。
図6および図7を参照する。図6は、本考案の第4実施形態による拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージを示す断面図である。図7は、図6の平面図である。図6および図7に示すように、プラスチック薄板31’の第3の板体316の上面辺縁には、ダム90(dam)(図7を参照)が配置される。封止樹脂体40を基板10上に金型成形するとき、ダム90が金型の内表面に当接されてストッパ壁(図示せず)が形成される。封止樹脂体40を金型のキャビティ内に注入したとき、ダム90により、封止樹脂体40は、透明蓋体32の外部に阻止されるため、透明蓋体32の第8の表面322上の中央領域に流れ込まない。また、金型は、ダム90上を直接押圧し、上蓋30’の第3の板体316に接触しないため、上蓋30’が破損するのを防止することができる。
11 第1の表面
111 第1の導電接点
12 第2の表面
121 半田ボール
122 半田パッド
20 チップ
21 第3の表面
22 第4の表面
221 感光領域
222 第2の導電接点
23 ボンディングワイヤ
30 上蓋
30’ 上蓋
31 プラスチック薄板
31’ プラスチック薄板
311 開口
311’ 開口
312 第5の表面
313 第6の表面
314 第1の板体
315 第2の板体
316 第3の板体
317 凹溝
32 透明蓋体
321 第7の表面
322 第8の表面
323 側面
33 気室
40 封止樹脂体
50 第1の接着剤
60 第2の接着剤
70 第3の接着剤
80 接着剤
90 ダム
Claims (11)
- 複数の第1の導電接点が形成される第1の表面と、その反対面の第2の表面とを有する基板と、
前記基板の第1の表面上に接合される第3の表面と、その反対面の感光領域を形成した第4の表面と、該感光領域の周囲に配置され、前記複数の第1の導電接点に電気的に接続される複数の第2の導電接点と、を有するチップと、
前記チップの感光領域に相対応する開口が形成された筐体であり、前記チップの感光領域を囲う第4の表面上に接合される第6の表面とその反対面の第5の表面を具えたプラスチック薄板及び、
前記プラスチック薄板の第5の表面に相対する第7の表面により接合されてその反対面の第8の表面を撮像対象に向けると共に、前記プラスチック薄板を介して前記開口領域を被覆して前記チップの感光領域上に間隔を設ける気室を形成する透明蓋体とを有する上蓋と、
前記基板上の前記チップおよび前記上蓋の四周と上蓋の第8の表面の周縁を被覆する封止樹脂体と、から構成されることを特徴とするプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。 - 前記基板は、回路基板であることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記チップは、CMOS撮像素子チップまたはCCDであることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記第2の導電接点と前記第1の導電接点とは、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記感光領域は、複数の感光素子から構成されることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記プラスチック薄板の材料は、液晶ポリエステルまたは耐熱プラスチック材料であることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記プラスチック薄板と前記透明蓋体とは、射出成形により、互いに接合されることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記封止樹脂体は、前記チップ、前記プラスチック薄板および前記透明蓋体の周囲に塗布または成形されることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記封止樹脂体は、液状化合物またはモールドコンパウンドであることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記基板の第2の表面に配置される複数の半田ボールまたは複数の半田パッドをさらに有し、前記半田ボールまたは前記半田パッドは、前記基板の回路構造を介して前記第1の導電接点に電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
- 前記半田パッドは、前記基板の第2の表面の周縁に配置されるか、或いは、前記第2の表面にマトリクス状に配置されることを特徴とする請求項10記載のプラスチック薄板により拡大された気室空間を有する撮像素子パッケージ。
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---|---|---|---|---|
US8421175B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-04-16 | STMicroelectronics ( Research & Development) Limited | Wafer level packaged integrated circuit |
TWI425825B (zh) * | 2009-12-31 | 2014-02-01 | Kingpak Tech Inc | 免調焦距影像感測器封裝結構 |
JP5982380B2 (ja) * | 2011-08-19 | 2016-08-31 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子モジュール及びその製造方法 |
US8643169B2 (en) * | 2011-11-09 | 2014-02-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor sensor device with over-molded lid |
US8513757B1 (en) | 2012-06-08 | 2013-08-20 | Apple Inc. | Cover for image sensor assembly with light absorbing layer and alignment features |
US9136293B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for sensor module |
US9269872B1 (en) * | 2012-09-13 | 2016-02-23 | Amkor Technology, Inc. | Molded electronic package geometry to control warpage and die stress |
TW201503334A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | Kingpaktechnology Inc | 影像感測器二階段封裝方法 |
US9714988B2 (en) * | 2013-10-16 | 2017-07-25 | Infineon Technologies Ag | Hall effect sensor with graphene detection layer |
KR102384157B1 (ko) | 2015-03-04 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
CN105070732B (zh) * | 2015-07-16 | 2018-02-16 | 北京工业大学 | 高像素影像传感器封装结构及其制作方法 |
KR102185063B1 (ko) | 2015-08-31 | 2020-12-01 | 삼성전기주식회사 | 센싱 패키지 및 이의 제조방법 |
CN107527928B (zh) * | 2016-06-21 | 2020-04-07 | 胜丽国际股份有限公司 | 光学组件封装结构 |
EP3267486B1 (en) * | 2016-07-06 | 2020-12-30 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
US20180315894A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and a method of manufacturing the same |
CN109411486B (zh) * | 2017-08-16 | 2020-12-08 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
EP3450391A1 (en) | 2017-08-28 | 2019-03-06 | Indigo Diabetes N.V. | Encapsulation of sensing device |
CN109427829B (zh) * | 2017-09-01 | 2020-09-15 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
WO2019090935A1 (zh) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学模组及其加工方法、及终端设备 |
CN109074477B (zh) * | 2017-11-09 | 2021-09-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学模组及其加工方法、及终端设备 |
CN109905574A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 纮华电子科技(上海)有限公司 | 一种摄像头模组及其封装方法 |
CN108493261A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-09-04 | 谱诉光电科技(苏州)有限公司 | 光电传感器封装及封装方法 |
US11513372B2 (en) | 2018-06-12 | 2022-11-29 | Magic Leap, Inc. | Edge sealant application for optical devices |
CN113728266B (zh) * | 2018-07-23 | 2023-10-27 | 奇跃公司 | 用于边缘密封剂和层压坝的光学装置通气间隙 |
CN115625829A (zh) | 2018-10-16 | 2023-01-20 | 奇跃公司 | 一种形成具有预定形状的波导部分的方法 |
US10903255B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-01-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor flip chip package |
CN109492622A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-03-19 | 上海思立微电子科技有限公司 | 用于屏下光学指纹的识别组件及电子设备 |
CN109709654A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-03 | 维沃移动通信有限公司 | 光学组件、光学组件的制作方法及终端设备 |
US11195864B2 (en) * | 2019-03-01 | 2021-12-07 | Omnivision Technologies, Inc. | Flip-chip sample imaging devices with self-aligning lid |
JP7462620B2 (ja) * | 2019-05-15 | 2024-04-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置 |
US11456324B2 (en) * | 2019-05-24 | 2022-09-27 | Spring Rainbow Optics Co., Ltd | Image sensor package |
US11427466B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-08-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same |
KR20210080718A (ko) | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
US11276806B2 (en) * | 2020-01-03 | 2022-03-15 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and method for manufacturing the same |
US20210246015A1 (en) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Sensor device package and method for manufacturing the same |
KR20220037069A (ko) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
US11656108B2 (en) * | 2021-08-27 | 2023-05-23 | Parker-Hannifin Corporation | Sensor and associated methods |
WO2023112521A1 (ja) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0724287B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1995-03-15 | 三菱電機株式会社 | 光透過用窓を有する半導体装置とその製造方法 |
US5023163A (en) * | 1988-05-09 | 1991-06-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Monosheet self-processing film unit and method of making the same |
US5880777A (en) * | 1996-04-15 | 1999-03-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-light-level imaging and image processing |
JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
CN1567591A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-01-19 | 胜开科技股份有限公司 | 影像感测器封装构造及其封装方法 |
TWI239655B (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same |
JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP3917649B2 (ja) * | 2005-01-04 | 2007-05-23 | 株式会社アイ・スクウェアリサーチ | 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法 |
JP5095113B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置 |
WO2006101274A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device |
JP2006294659A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7745897B2 (en) * | 2005-05-27 | 2010-06-29 | Aptina Imaging Corporation | Methods for packaging an image sensor and a packaged image sensor |
JP2008047878A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収容用ケース、その製造方法及び固体撮像装置 |
CN101325205A (zh) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像感测晶片封装结构 |
JP2009054979A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Nec Electronics Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
JP5110575B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-12-26 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ及び半導体装置 |
US20090134481A1 (en) * | 2007-11-28 | 2009-05-28 | Analog Devices, Inc. | Molded Sensor Package and Assembly Method |
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