JP3173443B2 - Semiconductor laser device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤや光磁気デ
ィスク等の光ディスク装置に用いられる半導体レーザ装
置に関する。The present invention relates to a semiconductor laser device used for an optical disk device such as a DVD or a magneto-optical disk.

【０００２】[0002]

【従来の技術】光ディスク装置用の光源として半導体レ
ーザ装置を用いる際には、半導体レーザの雑音を低レベ
ルに抑えておく必要がある。ところが、単一縦モードで
レーザ発振する半導体レーザでは、以下の様に雑音が誘
起され、実用上の不具合が生じる。例えば、光ディスク
からの反射光が半導体レーザに戻り、相互に干渉し、さ
らに環境温度の変化に起因して半導体レーザの発振モー
ドがホッピングすることによる雑音の増加がある。これ
らを回避するためには、高周波を重畳することによる発
振スペクトルのマルチモード化及び半導体レーザの自励
発振化が有効である。但し、高周波を重畳する場合に
は、高周波素子が必要となるため、部品点数の増加を招
き、コストアップの原因となるため、自励発振化の方が
望ましい。2. Description of the Related Art When a semiconductor laser device is used as a light source for an optical disk device, it is necessary to keep the noise of the semiconductor laser at a low level. However, in a semiconductor laser that oscillates in a single longitudinal mode, noise is induced as described below, causing a practical problem. For example, there is an increase in noise due to the reflected light from the optical disk returning to the semiconductor laser, interfering with each other, and further hopping the oscillation mode of the semiconductor laser due to a change in environmental temperature. In order to avoid these, it is effective to make the oscillation spectrum multimode by superimposing a high frequency and to make the semiconductor laser self-excited. However, when superimposing a high frequency, a high-frequency element is required, which leads to an increase in the number of components and an increase in cost. Therefore, self-excited oscillation is more desirable.

【０００３】図４は、特開平６−１３７０９号公報に示
された自励発振型の半導体レーザ装置を示す図である。
図において、レーザ光が導波される領域は、活性層８を
中心として第１クラッド層７の突起部分３０全体に広が
っている。一方、電流により注入されるキャリア密度
は、第２クラッド層２１の直下で最大となり、第１クラ
ッド層７の突起部分３０の先端ではキャリア密度が低
く、過飽和吸収体となるため、安定して自励発振動作を
得ることができる。FIG . 4 is a diagram showing a self-excited oscillation type semiconductor laser device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-13709.
In the figure, the region where the laser light is guided extends over the entire projection 30 of the first cladding layer 7 with the active layer 8 as the center. On the other hand, the carrier density injected by the current is maximum immediately below the second cladding layer 21, and the carrier density is low at the tip of the protruding portion 30 of the first cladding layer 7, and becomes a saturable absorber. Excitation oscillation operation can be obtained.

【０００４】図中、１はｐ側電極、２はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、４はｎ型ＧａＡｓブロック層、９はｎ型
（Ａｌ_yＧａ_1-y）Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層、１０はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板、１１はｎ側電極を示している。[0004] figure 1 is p-side electrode, 2 a p-type GaAs contact layer, n-type GaAs block layer 4, 9 n-type _{(Al y Ga 1-y)} In 0.5 P cladding layer 10 is n-type G
An aAs substrate 11 indicates an n-side electrode.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の自励発振型レー
ザ装置の第一の問題点は、上記例に見られるように安定
した自励発振動作を得るために、クラッド層７、２１が
２段階となっており、エッチングを２回行う必要がある
ことである。その結果として、それぞれのエッチングを
制御性良く行う必要があり、工数がかかりコストアップ
となる。このため、工程能力を維持しにくい、管理上問
題が起きやすいなどの問題がある。The first problem of the conventional self-sustained pulsation type laser device is that the cladding layers 7 and 21 need to be two-layered in order to obtain a stable self-sustained pulsation as shown in the above example. That is, the etching must be performed twice. As a result, it is necessary to perform each etching with good controllability, which increases man-hours and increases costs. For this reason, there are problems that it is difficult to maintain the process capability and that management problems are likely to occur.

【０００６】本発明の目的は、より低コスト、高信頼度
の半導体レーザ装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device with lower cost and higher reliability.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による半導体レーザ装置においては、第１導
電型の基板上に、第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１クラッド層との積層を有し、第１
クラッド層上に電流注入領域が形成された半導体レーザ
装置であって、電流注入領域は、第２導電型の第２クラ
ッド層であり、該第２クラッド層はアルミを含み、アル
ミ組成は層厚方向に変えて積層され、層厚方向に幅を変
化させたくびれ状をなし、電流注入幅は、レーザ光の導
波幅より小さいものである。In order to achieve the above object, in a semiconductor laser device according to the present invention, a first conductive type clad layer, an active layer, a second conductive type Having a lamination with a first cladding layer of a mold,
A semiconductor laser device having a current injection region formed on a cladding layer, wherein the current injection region is a second cladding of a second conductivity type.
The second cladding layer contains aluminum,
The metal composition is laminated while being changed in the layer thickness direction, forming a constricted shape whose width is changed in the layer thickness direction, and the current injection width is smaller than the waveguide width of the laser light.

【０００８】[0008]

【０００９】また、第２導電型の第２クラッド層は、
（Aｌ_XGａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐグレーデッド第
２クラッド層であり、第２導電型の第２クラッド層に含
まれるアルミ組成は、層厚方向の上方に向け途中まで
は、直線的に増大させ、ついで直線的に減少させたもの
である。[0009] The second cladding layer of the second conductivity type comprises:
(Al _X Ga _1-X) is 0.5 _{an In 0.5} P Gurede head second cladding layer, including the second cladding layer of a second conductivity type
The aluminum composition is linearly increased up to a point in the thickness direction and then linearly decreased.

【００１０】また、第２導電型の第２クラッド層は、層
厚方向にアルミ組成を変化させた３層構造をなすもので
ある。The second cladding layer of the second conductivity type has a three-layer structure in which the aluminum composition is changed in the thickness direction.

【００１１】また、本発明による半導体レーザ装置の製
造方法においては、第１導電型の基板上に、少なくとも
第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のク
ラッド層とを順次積層する工程と、第２導電型のクラッ
ド層の一部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして
第２導電型のクラッド層をエッチングして電流注入領域
を形成する工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法
であって、電流注入領域を形成する第２導電型のクラッ
ド層は、アルミを含み、アルミ組成を層厚方向に変化さ
せ、電流注入領域の幅を層厚方向に変化させてくびれ状
に形成するものである。In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, at least a first conductive type clad layer, an active layer, and a second conductive type clad layer are sequentially formed on a first conductive type substrate. A semiconductor comprising: a step of forming an insulating film on a part of a cladding layer of the second conductivity type; and a step of forming a current injection region by etching the cladding layer of the second conductivity type using the insulating film as a mask. A method of manufacturing a laser device, comprising: a second conductivity type clad forming a current injection region.
The aluminum layer contains aluminum, and the aluminum composition changes in the thickness direction.
Then, the width of the current injection region is changed in the layer thickness direction to form a constricted shape.

【００１２】[0012]

【００１３】また、アルミ組成は、層厚方向に３段階に
変化させるものである。The aluminum composition is changed in three steps in the layer thickness direction.

【００１４】本発明においては、電流注入領域のクラッ
ド層の中央部でアルミ組成が大きくなっているため、酸
化物をマスクとして窒化物系のエッチング液でクラッド
層をエッチングすると、アルミ組成が高い領域のエッチ
ングレートは高いため、電流注入領域は層厚方向に幅が
変化して、その形状がくびれ状となる。くびれ部分を活
性層に近づけておくようにアルミ組成を設定すると、電
流注入によりゲインを有する活性層領域はくびれ部分の
幅程度となる。これは、電流注入領域の端部程度の幅が
ある光導波領域に比べて電流注入幅が小さく、光導波領
域の端部が可飽和吸収体となり、自励発振動作を得るこ
とができる。In the present invention, since the aluminum composition is large at the center of the cladding layer in the current injection region, when the cladding layer is etched with a nitride-based etchant using an oxide as a mask, a region having a high aluminum composition is obtained. Has a high etching rate, the width of the current injection region changes in the layer thickness direction, and the shape becomes constricted. When the aluminum composition is set so that the constricted portion is close to the active layer, the active layer region having a gain due to current injection is about the width of the constricted portion. This is because the current injection width is smaller than that of the optical waveguide region having a width approximately equal to the end of the current injection region, and the end of the optical waveguide region becomes a saturable absorber, so that a self-excited oscillation operation can be obtained.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の第１の実施の形態を実施例１に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described based on Embodiment 1 with reference to the drawings.

【００１６】図１は、本発明の自励発振型半導体レーザ
装置の実施例の構成を示す断面図。図２は、その製造方
法を示す工程図である。FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of an embodiment of a self-pulsation type semiconductor laser device according to the present invention. FIG. 2 is a process chart showing the manufacturing method.

【００１７】ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、以下の層を結
晶成長する。この実施の形態において、結晶成長には、
有機金属気相成長法を用いているが、その他、分子線ビ
ームエピタキシ法、液層成長法でもよい。The following layers are crystal-grown on the n-type GaAs substrate 10. In this embodiment, the crystal growth includes
Although a metal organic chemical vapor deposition method is used, a molecular beam epitaxy method or a liquid layer growth method may be used.

【００１８】図２（ａ）において、ｎ型（Ａｌ_yＧａ_1-y
Ｉｎ）_0.5Ｐクラッド層９を１μｍ、活性層Ｇａ_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ層８を０．０５μｍ、ｐ型（Ａｌ_yＧａ_1-yＩｎ）
_0.5Ｐ第１クラッド層７を０．２μｍ、ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐエッチングストップ層６を０．０５μｍ、ｐ型
（Ａｌ_xＧａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５を０．８μｍ、ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐヘテロバッフ
ァ層３を０．１μｍ積層する。なお、ｙは０．４〜０．
７であるが、本実施例では０．５とする。第２クラッド
層５のアルミ組成は、層厚方向に変えて積層しており、
本実施形態では、活性層近傍のｘ＝０．５から、０．２
μｍ積層後でｘ＝０．８と、直線的に増加させている。
また、ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐエッチングストップ層６の
界面近傍ではｘ＝０．５と直線的に減少させている。In FIG. 2A, an n-type (Al _y Ga _1-y)
In) _0.5 P clad layer 9 of 1 μm, active layer Ga _0.5 In
_0.5 P layer 8 of 0.05 μm, p-type (Al _y Ga _1-y In)
_0.5 P first cladding layer 7 is 0.2 μm, p-type Ga _0.5 In
_{The 0.5} P etching stop layer 6 has a thickness of 0.05 μm, the p-type (Al _x Ga _{1 -x} In) _0.5 P graded second cladding layer 5 has a thickness of 0.8 μm, and the p-type Ga _0.5 In _0.5 P hetero buffer layer 3 has a thickness of 0.1 μm. Laminate 1 μm. In addition, y is 0.4-0.
7, but 0.5 in this embodiment. The aluminum composition of the second cladding layer 5 is laminated while being changed in the thickness direction.
In this embodiment, from x = 0.5 near the active layer to 0.2
After the stacking of μm, x is increased linearly to 0.8.
In the vicinity of the interface of the p-type Ga _0.5 In _0.5 P etching stop layer 6, x is linearly reduced to 0.5.

【００１９】次に図２（ｂ）において、ＣＶＤ法により
成長表面にＳｉＯ₂３１を０．２μｍ積層し、ホトリソ
グラフィー法によりＳｉＯ₂３１を５μｍのストライプ
を残して除去する。それから臭化物系のエッチング液に
より上記ＳｉＯ₂３１をマスクとしてエッチングを行
う。臭化物系のエッチング液ではアルミ組成が高いほど
エッチングレートが高いため、マスクの下部はくびれ状
となる。実施例ではｐ型第２クラッド層５の底部の幅が
４μｍに対し、くびれ部の幅は２．５μｍとなる。[0019] Next 2 (b), the a SiO ₂ 31 to the growth surface by the CVD method to 0.2μm stacked, the SiO ₂ 31 to leave 5μm stripe is removed by photolithography. Then, etching is performed with a bromide-based etchant using the SiO ₂ 31 as a mask. In a bromide-based etchant, the higher the aluminum composition, the higher the etching rate, so that the lower portion of the mask becomes constricted. In the embodiment, the width of the constriction is 2.5 μm while the width of the bottom of the p-type second cladding layer 5 is 4 μm.

【００２０】次に、図２（ｃ）に示すように上記ＳｉＯ
₂３１をマスクとして、ブロック層となるｎ型ＧａＡｓ
層４を選択成長する。続いてＳｉＯ₂３１をバッファー
ドフッ酸でエッチングした後、図２（ｄ）のようにｐ型
ＧａＡｓコンタクト層２を結晶成長し、ｐ側電極１を形
成して、図１に示す半導体レーザ装置に加工した後、個
片に切り出し、パッケージに組み込んで完成する。Next, as shown in FIG.
₂ 31 as a mask, n-type GaAs as a blocking layer
Layer 4 is selectively grown. Subsequently, after the SiO ₂ 31 is etched with buffered hydrofluoric acid, the p-type GaAs contact layer 2 is crystal-grown to form the p-side electrode 1 as shown in FIG. 2D, and the semiconductor laser device shown in FIG. After processing into a piece, it is cut out into individual pieces and assembled into a package to complete.

【００２１】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、図１を参照して詳細に説明する。Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

【００２２】ｎ型電極１１及びｐ型電極１間に電位をか
けると、ホールがｐ型ＧａＡｓコンタクト層２からｐ型
（Ａｌ_xＧａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐグレーデッド第２クラッド
層５、ｐ型（Ａｌ_yＧａ_1-yＩｎ）_0.5Ｐ第１クラッド層
７を経て活性層８に注入される。一方、電子は、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１０からｎ型（Ａｌ_yＧａ_1-yＩｎ）_0.5Ｐク
ラッド層９を経て活性層８に注入され、発光、すなわち
レーザ発振に至る。When a potential is applied between the n-type electrode 11 and the p-type electrode 1, holes are formed from the p-type GaAs contact layer 2 to the p-type (Al _x Ga _{1 -x} In) _0.5 P graded second cladding layer 5, p-type. The mold (Al _y Ga _{1 -y} In) _0.5 P is injected into the active layer 8 through the first cladding layer 7. On the other hand, electrons are n-type G
It is injected into the active layer 8 from the aAs substrate 10 through the n-type (Al _y Ga _{1 -y} In) _0.5 P cladding layer 9 and emits light, that is, laser oscillation.

【００２３】レーザ光は、ｎ型ＧａＡｓブロック層４で
吸収を受けることにより活性層８に平行方向の屈折率ス
テップを受けることにより横モードが制御される。その
結果、導波されるレーザ光はｐ型グレーデッド第２クラ
ッド層５とｎ型ＧａＡｓブロック層４の境界近傍にまで
広がる。The laser light is absorbed by the n-type GaAs block layer 4 and receives a refractive index step parallel to the active layer 8 to control the transverse mode. As a result, the guided laser light spreads to the vicinity of the boundary between the p-type graded second cladding layer 5 and the n-type GaAs block layer 4.

【００２４】ｐ型（Ａｌ_xＧａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐグレーデ
ッド第２クラッド層５の形状が層厚方向に幅が変化して
くびれ形状となっているため、キャリアが活性層８に主
に注入され、ゲインが生じる領域は、くびれ幅２．５μ
ｍプラスアルファ程度の領域となる。そのため、ｐ型第
２クラッド層５の底部の端では、ゲインが不足し、吸収
領域となる。一方、導波されるレーザ光は、上記に示す
ように、より広い領域に広がっているため、この吸収領
域が可飽和吸収体となる。その結果、自励発振動作を得
ることができる。Since the shape of the p-type (Al _x Ga _{1 -x} In) _0.5 P graded second cladding layer 5 changes in width in the thickness direction and has a constricted shape, the carrier mainly forms the active layer 8. The area where the gain occurs is a constriction width of 2.5μ
The area is about m plus alpha. For this reason, at the bottom end of the p-type second cladding layer 5, the gain is insufficient, and it becomes an absorption region. On the other hand, as described above, the guided laser light spreads over a wider area, so that this absorption area becomes a saturable absorber. As a result, a self-excited oscillation operation can be obtained.

【００２５】次に、本発明の第二の実施の形態を図３を
用いて説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【００２６】この実施形態においては、ｐ型（Ａｌ_xＧ
ａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐグレーデッド第２クラッド層５以外は
図１と同じである。この実施形態では、ｐ型第２クラッ
ド層５のアルミ組成を層厚方向に３段階に変えて３層構
造としたものであり、積層順にＸ＝０．５を０．２μ
ｍ、ｘ＝０．８を０．２μｍ、ｘ＝０．５を０．４μｍ
としている。この実施形態によれば、グレーデッドなア
ルミ組成の層を形成することが困難であっても、自励発
振型半導体レーザ装置を得ることができる。In this embodiment, the p-type (Al _x G
a _1-x In) _0.5 P The same as FIG. 1 except for the graded second cladding layer 5. In this embodiment, the aluminum composition of the p-type second cladding layer 5 is changed in three steps in the layer thickness direction to form a three-layer structure.
m, x = 0.8 is 0.2 μm, x = 0.5 is 0.4 μm
And According to this embodiment, a self-pulsation type semiconductor laser device can be obtained even if it is difficult to form a graded aluminum composition layer.

【００２７】[0027]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来２回
のエッチングが必要であったところ、本発明では１回の
エッチングで電流注入幅をレーザ光の導波幅より小さく
して自励発振型半導体レーザ装置を安定して得ることが
できることにより、以下の効果が見られる。As described above, according to the present invention, two etchings are conventionally required, but in the present invention, the current injection width is made smaller than the waveguide width of the laser light by one etching and the self-excitation is performed. The following effects can be obtained by stably obtaining the oscillation type semiconductor laser device.

【００２８】第一の効果は、工数の削減により、より安
価に自励発振型半導体レーザ装置を製造することができ
ることである。The first effect is that the self-pulsation type semiconductor laser device can be manufactured at lower cost by reducing the number of steps.

【００２９】第二の効果は、制御性が必要とされ信頼度
への影響も大きいエッチング工程の回数が２から１に減
少するため、信頼性を従来より向上することである。A second effect is that the number of etching steps which require controllability and greatly affect the reliability is reduced from two to one, so that the reliability is improved as compared with the prior art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の半導体レーザ装置の実施例の構成を示
す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an embodiment of a semiconductor laser device of the present invention.

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１の半導体レーザ装置の
製造フローを示す工程図である。2 (a) to 2 (c) are process diagrams showing a manufacturing flow of the semiconductor laser device of FIG.

【図３】本発明の半導体レーザ装置の第二の実施例の構
成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a second embodiment of the semiconductor laser device of the present invention.

【図４】従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図で
ある。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional semiconductor laser device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ｐ側電極 ２ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３ ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐヘテロバッファ層 ４ ｎ型ＧａＡｓブロック層 ５ ｐ型（Ａｌ_xＧａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐグレーデッド第２
クラッド層 ６ ｐ型Ｇａ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐエッチングストップ層 ７ ｐ型（Ａｌ_yＧａ_1-yＩｎ）_0.5Ｐ第１クラッド層 ８ 活性層 ９ ｎ型（Ａｌ_yＧａ_1-yＩｎ）_0.5Ｐクラッド層 １０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１ ｎ型電極 ２１ ｐ型（Ａｌ_xＧａ_1-xＩｎ）_0.5Ｐ第２クラッド層 ３１ ＳｉＯ₂マスクReference Signs List 1 p-side electrode 2 p-type GaAs contact layer 3 p-type Ga _0.5 In _0.5 P hetero buffer layer 4 n-type GaAs block layer 5 p-type (Al _x Ga _{1 -x} In) _0.5 P graded second
Cladding layer 6 p-type Ga _0.5 In _0.5 P etching stop layer 7 p-type _{(Al y Ga 1-y In} ) 0.5 P first cladding layer 8 active layer 9 n-type _{(Al y Ga 1-y In} ) 0.5 P cladding layer Reference Signs List 10 n-type GaAs substrate 11 n-type electrode 21 p-type (Al _x Ga _{1 -x} In) _0.5 P second cladding layer 31 SiO ₂ mask

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 第１導電型の基板上に、第１導電型のク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第１クラッド層と
の積層を有し、第１クラッド層上に電流注入領域が形成
された半導体レーザ装置であって、電流注入領域は、第２導電型の第２クラッド層であり、
該第２クラッド層はアルミを含み、アルミ組成は層厚方
向に変えて積層され、 層厚方向に幅を変化させたくびれ
状をなし、電流注入幅は、レーザ光の導波幅より小さい
ことを特徴とする半導体レーザ装置。A first conductive type clad layer, an active layer, and a second conductive type first clad layer formed on a first conductive type substrate; A semiconductor laser device having an injection region formed therein, wherein the current injection region is a second cladding layer of a second conductivity type;
The second clad layer contains aluminum, and the aluminum composition is
A semiconductor laser device, wherein the semiconductor laser device is stacked in different directions, has a constricted shape whose width is changed in a layer thickness direction, and has a current injection width smaller than a waveguide width of laser light. 【請求項２】 第２導電型の第２クラッド層は、（Aｌ_X
Gａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐグレーデッド第２クラ
ッド層であり、第２導電型の第２クラッド層に含まれる アルミ組成は、
層厚方向の上方に向け途中までは、直線的に増大させ、
ついで直線的に減少させたものであることを特徴とする
請求項１に記載の半導体レーザ装置。 2. The method according to claim 1 , wherein the second cladding layer of the second conductivity type is (Al _X
Ga _1-X) is 0.5 _{an In 0.5} P Gurede head second cladding layer, the aluminum composition in the second cladding layer of a second conductivity type,
It increases linearly up to the middle of the layer thickness direction,
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said semiconductor laser device is linearly reduced. 【請求項３】 第２導電型の第２クラッド層は、層厚方
向にアルミ組成を変化させた３層構造をなすものである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 3. The semiconductor laser device according to claim 1 , wherein the second cladding layer of the second conductivity type has a three-layer structure in which the aluminum composition is changed in a layer thickness direction. 【請求項４】 第１導電型の基板上に、少なくとも第１
導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッ
ド層とを順次積層する工程と、第２導電型のクラッド層
の一部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をマスクとして第２
導電型のクラッド層をエッチングして電流注入領域を形
成する工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法であ
って、電流注入領域を形成する第２導電型のクラッド層は、ア
ルミを含み、アルミ組成を層厚方向に変化させ、 電流注
入領域の幅を層厚方向に変化させてくびれ状に形成する
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 4. The method according to claim 1, wherein the first conductive type substrate has at least a first conductive type.
A step of sequentially laminating a conductive type clad layer, an active layer, and a second conductive type clad layer; forming an insulating film on a part of the second conductive type clad layer; 2
Forming a current injection region by etching the conductive type clad layer, wherein the second conductive type clad layer forming the current injected region is
A method for manufacturing a semiconductor laser device, comprising: forming a constricted shape by changing the aluminum composition in the layer thickness direction and changing the width of the current injection region in the layer thickness direction. 【請求項５】 アルミ組成は層厚方向に３段階に変化さ
せることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装
置の製造方法。 5. The method according to claim 4 , wherein the aluminum composition is changed in three steps in the thickness direction.